JP2726353B2

JP2726353B2 - エレクトロルミネッセンス薄膜の成長方法

Info

Publication number: JP2726353B2
Application number: JP4076726A
Authority: JP
Inventors: 明義三上; 幸祐寺田
Original assignee: Consejo Superior de Investigaciones Cientificas CSIC
Current assignee: Consejo Superior de Investigaciones Cientificas CSIC
Priority date: 1991-04-01
Filing date: 1992-03-31
Publication date: 1998-03-11
Anticipated expiration: 2013-03-11
Also published as: JPH0594873A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明はエレクトロルミネッセ
ンス薄膜(以下「ＥＬ薄膜」という。)の製造方法に関し、
より詳しくは、各種電子機器の表示部、計測器およびコ
ンピュータの端末、ワープロなどに用いられる薄膜ＥＬ
素子の発光層を気相成長(ＣＶＤ)法により作製する方法
に関する。

【０００２】

【従来の技術】薄膜ＥＬ素子の発光層を構成する材料と
しては、ＺnＳ、ＺnＳe、ＣaＳ、ＳrＳなどＩＩ−ＶＩ
族化合物半導体を母体とし、これにＭnあるいはＴb、Ｓ
m、Ｃe、Ｅuなどの希土類イオンを発光中心として添加
したものが知られている。このうち、現在実用化されて
いる材料は母体にＺnＳ、発光中心にＭnを使用したＺn
Ｓ：Ｍn膜に限られており、その成長方法として次に挙
げる２種類の薄膜作製技術が使われている。ＺnＳおよびＭnの粉末あるいは混合焼結体を蒸発源
とした真空蒸着法(例えば特公昭５２−１０３５８号公
報)。Ｚn、Ｓ、Ｍnをそれぞれ蒸気の状態で交互に基板上
に供給して原子層単位での成長を進めるＣＶＤ的原子層
エピタキシー法(特公昭５７−３５１５８号公報)。

【０００３】また、これらの方法の他に、ＥＬ薄膜の高
品質化あるいは多色化を目的としてＺnＳとＭnの混合ターゲットを用いた高周波スパッ
タ法。ＩＩ族元素の有機物とＶＩ族元素の水素化物を基板
上で熱分解させる有機金属気相成長(ＭＯＣＶＤ)法。Ｚn、Ｓ、Ｍnの固体原料を真空中で別々の蒸発源よ
り過熱供給する多源蒸着法の検討が進められている。

【０００４】更に最近、本出願人は、高品質化と同時に
大面積化および量産性に優れた技術としてＺnＳソースと金属Ｍnソースをそれぞれ水素(あるい
は不活性ガス),塩化水素(ＨＣl)ガスにより輸送し、化
学反応を利用して成長を行うハロゲン輸送減圧ＣＶＤ法
を新しい作製技術として提案した(特願昭６３−１２８
３号)。このハロゲン輸送減圧ＣＶＤ法が上記乃至
の発光層作製法と異なる点は、反応管内のソース領域
(上流側高温領域)で発生させたＺnＳソースガスをキャ
リアガスの流れに乗せて成長領域(下流側低温領域)へ輸
送すると共にＭnソースをハロゲン化合物の蒸気の形態
で輸送する点にある。すなわち、ＺnＳソース,Ｍnソー
スをそれぞれ化学反応式ＺnＳ → Ｚn ＋ (１／２)Ｓ₂ ………(１) Ｍn ＋２ＨＣl → ＭnＣl₂ ＋Ｈ₂ ………(２) に基づいて輸送して、基板上で化学反応を利用した膜成
長を行う。これにより、高純度の原料ガスが供給できる
と共にち密で強い結合を有する膜成長が可能となり、高
品質のＥＬ薄膜が得られる。このハロゲン輸送減圧ＣＶ
Ｄ法においては、キャリアガスの種類と流量が膜質およ
びデバイス特性に影響を及ぼす重要な因子となってお
り、これまで、Ｍnソース輸送用にはＨＣlガスが用いら
れる一方、ＺnＳソースのキャリアガスとしては、Ｈ₂ガ
スまたはＨe若しくはＡrなどの不活性単一ガスがそれぞ
れ単独に用いられてきた。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところで、ハロゲン輸
送ＣＶＤ法により、それぞれＨ₂ガス,Ｈeガス,Ａrガス
をキャリアガスとしてＺnＳ：Ｍn薄膜を成長した場合、
成長した膜中のＭn濃度およびＸ線回折強度(結晶性の良
否を表わす)は後段００２９に記載の表１に示すように
なっている。なお、Ｘ線回折強度はＨ₂ガスを用いた場
合を基準(１)にした相対値で表している。また、成長条
件は、Ｍnソース輸送用のＨＣlガス流量を０.５cc／mi
n、ＺnＳソースのキャリアガス流量を１００cc／minと
し、成長温度は５００℃(一定)とした。表１からわかる
ように、Ｈ₂ガスを用いた場合はＭn濃度が０.２３at.％
にしかならないのに対し、Ｈeガスを用いた場合はＭn濃
度が０.４２at.％に増えており、同じＭn輸送速度の下
で高濃度のドーピングを行うことができる。しかしなが
ら、結晶性が相対値で０.３３に低下しており、発光特
性の観点からは好ましくない。Ａrガスを用いた場合は
Ｍn濃度が０.４５at.％と更に高くなるが、結晶性はＨe
ガスと同程度に低くなっている。このように、いずれの
ガスによる場合も一長一短があり、完全には満足できな
いものとなっている。また、表１には５回連続成長した
場合のＭn濃度の再現性(濃度ばらつきを％で表した値)
を記載しているが、Ｈ₂輸送の場合はＨe輸送,Ａr輸送に
比してＭn濃度の制御性が良くないという問題がある。

【０００６】そこで、この発明の目的は、ハロゲン輸送
ＣＶＤ法により薄膜ＥＬ素子の発光層を成長する方法で
あって、発光中心を高濃度で再現性良くドーピングで
き、しかも結晶性を良好なレベルにすることができるＥ
Ｌ薄膜の製造方法を提供することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段および作用】上記目的を達
成するために、この発明のＥＬ薄膜の製造方法は、反応
管の上流側のソース領域に設けた第１,第２のガス流路
にそれぞれＩＩ−ＶＩ族化合物半導体からなる母体材料
とこの母体材料の中で発光中心となるべき元素の材料と
を配置し、上記反応管の下流側の成長領域へ上記母体材
料を上記第１のガス流路を通して所定のキャリアガスに
よって輸送すると共に上記発光中心となるべき元素の材
料を上記第２のガス流路を通してハロゲン化合物の蒸気
の形態で輸送して、上記成長領域に設置した基板上にエ
レクトロルミネッセンス薄膜を成長するエレクトロルミ
ネッセンス薄膜の製造方法であって、上記キャリアガス
は不活性ガスからなり、上記反応管の上流側から下流側
へ上記ソース領域をバイパスしてガスを導く第３のガス
流路を設けて、この第３のガス流路を通して上記成長領
域へ還元性ガスを供給しつつ成長を行うことを特徴とし
ている。

【０００８】また、上記不活性ガス,上記還元性ガスは
それぞれＨeガス,Ｈ₂ガスからなり、上記各ガスの流量
Ｆнe,Ｆн₂の比が、０.０１＜Ｆн₂／Ｆнe＜１なる関係を満たすのが望ましい。

【０００９】また、上記母体材料,上記発光中心となる
べき元素は、それぞれＺnＳ,Ｍnであり、上記ソース領
域の温度を７００℃乃至１０００℃、かつ、上記成長領
域の温度を４００℃乃至６００℃に設定するのが望まし
い。

【００１０】この発明は、以下の実験,解析,考察により
創出された。

【００１１】(Ａ)キャリアガスがそれぞれＨ₂,Ｈeから
なる場合について、ＺnＳソース輸送速度のキャリアガ
ス流量依存性は図３に示すようなものである。すなわ
ち、ソース輸送速度はいずれもキャリアガス流量の１／
４〜１／５乗に比例して増大しており、Ｈeガスに比べ
るとＨ₂ガスの方が約２０％大きい値となっている。こ
こで、ソース領域から下流側へ輸送されるガス成分を四
重極質量分析計により測定したところ、キャリアガスが
Ｈ₂ガスの場合は１０〜２０％のＨ₂Ｓガスが検出された
(キャリアガスがＨeガスの場合は当然ながら検出されな
い。)。このことは、ＺnＳの輸送機構がＨeガスでは上
記式(１) ＺnＳ → Ｚn ＋ (１／２)・Ｓ₂ の反応に限られるのに対し、Ｈ₂ガスでは次式(３) ＺnＳ＋Ｈ₂ → Ｚn ＋Ｈ₂Ｓ ……(３) の反応がわずかに生じることを示している。更に、反応
管壁に堆積する膜成分を調べたところ、Ｈ₂ガスの場合
はソース領域から輸送されたＨ₂ＳとＭnＣl₂が最初に接
触するガス混合領域(ソース領域と成長領域との間の領
域)に金属Ｍnの堆積が観察された。これは、ＭnＣl₂が
次式(４) ＭnＣl₂＋Ｈ₂Ｓ → Ｍn＋２ＨＣl＋(１／２)・Ｓ₂ ……(４) の反応に基づいて上記Ｈ₂Ｓによって還元され、この結
果、輸送途中でＭnＣl₂の総量が減少することを示して
いる。そして、このことが、Ｈ₂ガスを用いた場合にＭn
濃度およびその再現性を低下させる原因だと考えられ
る。

【００１２】(Ｂ)また、上記表１には、ＥＬ薄膜中のＭ
nとＣlとの濃度比を示している(なお、Ｃlの濃度は蛍光
Ｘ線分析により測定した相対量を基準としている)。こ
のデータからわかるように、キャリアガスがＡr、Ｈeな
どの不活性ガスからなる場合は、Ｈ₂からなる場合に比
べて膜中に取り込まれるＣlの量が多くなっている。こ
の理由は、キャリアガスがＨ₂ガスの場合、基板上に輸
送されて付着したＭnＣl₂がＨ₂ガスによって還元され
(既に示した化学反応式(２)の逆反応)、最終的に生じた
ＭnがＺnＳ膜中に取り込まれるのに対し、ＨeやＡrガス
を用いた場合、上記還元反応が起こりにくく、この結
果、ＥＬ膜中にＣlイオンが多く取り込まれるのだと解
される。そして、このことが、不活性ガスを用いた場合
に結晶性を低下させる原因だと考えられる。

【００１３】(Ｃ)上記(Ａ),(Ｂ)の実験および解析結果
から、Ｍnの高ドーピングを可能にし、かつ結晶性を良
好なものとするためには、ソース領域においてＨ₂Ｓガ
スの発生を抑制し、成長領域においてはＭnＣl₂の還元
を促進すれば良いことがわかった。従って、キャリアガ
スとして式(２)に示した反応が起きないように不活性ガ
スを用いると共に、反応管の上流側から下流側へ上記ソ
ース領域をバイパスしてガスを導くガス流路(第３の)を
設けて、このガス流路を通して還元性ガスを成長領域に
供給する。このようにした場合、不活性ガスを用いるこ
とでＨ₂Ｓガスの発生が抑制されて、輸送途中でＭnＣl₂
の総量が保たれる。したがって、Ｍnのドーピング率お
よび再現性が高まる。また、低温成長領域では還元性ガ
スの分圧が高まってＣl不純物の取り込みが抑制され
る。したがって、成長膜の結晶性が高まる。

【００１４】

【実施例】以下、この発明のＥＬ薄膜の製造方法を実施
例により詳細に説明する。

【００１５】図１はこの発明を実施するのに用いるハロ
ゲン輸送減圧熱ＣＶＤ装置の構成を示している。この装
置は、反応管１と、この反応管１を収納した３ゾーン電
気炉３と、原料供給用のＨＣlガスボンベ８,Ｈ₂ガスボ
ンベ９,Ｈeガスボンベ１０およびＡrガスボンベ１１
と、反応管１内のガスを排気する油回転ポンプ１４を備
えている。６a,６bおよび６cはマスフローコントロー
ラ、１２は圧力計、７a,７b,７cおよび１３はバルブを
示している。反応管１は、上流側よりソース領域Ｓと、
ガス混合用バッフル１５を設けたガス混合領域Ｍと、基
板ホルダ４を設けた成長領域Ｇに分けられ、それぞれ電
気炉３のヒータ３a,３b,３cによって互いに独立に温度
制御できるようになっている。反応管１は、長さ１m、
内径５cmの石英製本管１aの内部ソース領域Ｓに、第１,
第２のガス流路として、長さ５０cm、内径２cmの原料ガ
ス導入管２a,２bを有している。導入管２a,２bにはそれ
ぞれソースとしてＺnＳ粉末２０,金属Ｍn３０を石英ボ
ートに入れて設置する。導入管２aへはマスフローコン
トローラ６aを通してＨ₂ガス,ＨeガスまたはＡrガスを
流すことができ、また導入管２bにはマスフローコント
ローラ６bを通してＨＣlガスを供給する。また、反応管
１には、第３のガス流路として、ソース領域Ｓから成長
領域Ｇに至る内径５mmの導入細管２cを設けている。こ
の細管２cにはマスフローコントローラ６cを通してＨ₂
ガスを供給し、これにより、ソース領域Ｓおよびガス混
合領域Ｍをバイパスして、成長領域Ｇ(基板ホルダ４上)
に載置した基板５上へ直接Ｈ₂ガスを供給できる。

【００１６】ＥＬ薄膜ＺnＳ／Ｍn膜を成長する際は、予
め基板５として、ガラス基板上にＩＴＯ透明導電膜、Ｓ
iＯ₂膜、Ｓi₃Ｎ₄膜を順次積層したものをセットする。
そして、図１中に示すようにヒータ３a,３b,３cによっ
て各領域Ｓ,Ｍ,Ｇの温度プロファイルの設定を行う。こ
こでは、各領域Ｓ,Ｍ,Ｇの温度は、それぞれ９００℃,
７００℃,５００℃に設定する。成長膜が約０.６μmの
厚さとなるように成長時間を調整する。また、ＺnＳソ
ース２０は、導入管２aを通して流量１００cc／minのＨ
eガスをキャリアガスとして輸送する。Ｍnソース３０
は、導入管２bを通して流量０.５cc／minのＨＣlガスに
よってＭnＣl₂の蒸気の形態で輸送する。そして、細管
２cに流すバイパスＨ₂ガスの流量をＦн₂を０〜１００c
c／minの範囲で変化させて成長を行った。この後、成長
したＺnＳ：Ｍn薄膜を評価するために、上記基板上にＳ
i₃Ｎ₄膜、Ａl₂Ｏ₃膜およびＡl電極を形成して薄膜ＥＬ
素子を作製した。

【００１７】図２は、上に述べた方法で成長したＺn
Ｓ：Ｍn膜中のＭn濃度Ｃмn、Ｘ線回折強度Ｉxのデータ
および薄膜ＥＬ素子としての発光輝度Ｌ₅₀(発光の閾電
圧より５０Ｖ高い電圧を印加した時の輝度)のデータを
示している。図中、Ｆн₂の変化はＨeガス流量Ｆнeに
対する流量比(Ｆн₂／Ｆнe)として表している。 (i)Ｍn濃度Ｃмnは流量比Ｆн₂／Ｆнeが大きくなると
幾分低下するものの、流量比依存性は小さく、Ｈ₂ガス
の付加がＭn濃度を大きく低下させることはない。すな
わち、Ｈ₂ガスをバイパスさせることによりＺnＳソース
のキャリアガスとしてＨe,Ａrなどの不活性ガスを単独
で用いた場合(表１に示した)と略同様に、発光中心(Ｍ
n)を高濃度にドーピングすることができた。同時に、Ｍ
n濃度の再現性も向上させることができた。 (ii)また、Ｘ線回折強度Ｉx(すなわち結晶性)は少量の
Ｈ₂の導入で改善する傾向があり、Ｈ₂ガス流量が大きく
なると単調に増大する(ただし、流量比Ｆн₂／Ｆнe＝
０.１以上では飽和する)。すなわち、成長領域Ｇにおい
てＨ₂ガスの分圧を高めることにより、結晶性を改善す
ることができた。 (iii)発光輝度Ｌ₅₀は結晶性の改善に対応して向上して
いる。ただし、Ｆн₂／Ｆнe＝０.０１以下ではキャリ
アガスとして不活性ガスを単独で用いた場合と同レベル
となって、効果が認められず、またＦн₂／Ｆнe＝１以
上になると低下している。

【００１８】上記(i),(ii)および(iii)の結果から、バ
イパスＨ₂ガスの流量Ｆн₂は、０.０１＜Ｆн₂／Ｆнe ＜１の範囲に設定することが効果的である。このように設定
した場合、成長膜中にＭnを高濃度で再現性良くドーピ
ングでき、しかも結晶性を良好なレベルにすることがで
きる。また、薄膜ＥＬ素子の発光輝度を高めることがで
きる。

【００１９】また、次に説明するように、ソース領域Ｓ
の温度範囲は７００〜１０００℃、成長領域Ｇの温度範
囲は４００〜６００℃、ガス混合領域Ｍの温度範囲は６
００〜７００℃がそれぞれ好ましい。

【００２０】まず、ソース領域Ｓの温度範囲は次のよう
にして定まる。一般に、ＥＬ薄膜としては約０.６μm
(通常０.６〜０.８μm)以上の膜厚が必要とされるが、
生産性の観点から、膜の成長時間は１時間程度以下に抑
えなければならない。それ故、膜の成長速度は１００Å
／min以上であることが必要とされる。この値に対応し
て、ＺnＳの輸送速度は１０^-4mol／min以上、一方、Ｍn
は、ドーパントであるから、それよりも低く１０^-5mol
／min以上であることが要求される。ここで、図４に示
すように、ＺnＳソースとＭnソースの輸送速度は、温度
が高くなるにつれて増加する。この図４から、ＺnＳソ
ースの温度は９００℃以上、Ｍnソースの温度は７００
℃以上であれば良いことが分かる。上限温度は、反応管
(石英管)１の常用耐熱温度で定まり、１０００℃であ
る。結局、ソース領域Ｓの温度範囲は７００〜１０００
℃であるのが好ましい。

【００２１】次に、ガス混合領域Ｍの温度範囲は次のよ
うにして定まる。ガス混合領域Ｍの温度は、輸送された
ソースの固化を防ぐために、成長領域Ｇの温度よりも高
いことが要求される。一方、上限温度は、Ｍnが石英と
反応して反応管１を劣化させないように決定され、Ｍn
ソースの温度以下に設定される。結局、ガス混合領域Ｍ
の温度範囲は、ソース温度と成長温度との間の６００〜
７００℃であるのが好ましい。

【００２２】また、成長領域Ｇの温度範囲は次のように
して定まる。図５は、成長領域Ｇの温度とＥＬ薄膜の発
光輝度との関係を示している。発光輝度は、９〜１０イ
ンチサイズのＥＬ素子では１００ft−Ｌ、５〜６インチ
サイズのＥＬ素子では５０ft−Ｌ以上であることが要求
される。したがって、図５から分かるように、成長領域
Ｇの下限温度は４００℃となる。一方、上限温度は、膜
を堆積すべき基板の軟化点で制限される。ガラス基板の
場合、６００℃以下となる。結局、成長領域Ｇの温度範
囲は４００〜６００℃であるのが好ましい。なお、図５
には６５０℃のデータを併せて示しているが、上記理由
から、この温度６５０℃は実用性がない。

【００２３】なお、上に述べた成長例では、ウルツ鉱型
のＺnＳ結晶が得られた。仮にＭnソースの輸送量をゼロ
にした場合には、せん亜鉛鉱型のＺnＳ結晶となる。し
かしながら、ＥＬ発光に必要な量のＭnをドープした場
合には、必ずウルツ鉱型のＺnＳ結晶となった。ウルツ
鉱型のＺnＳ結晶は、せん亜鉛鉱型のものよりも結晶粒
径が大きく、かつ、結晶粒の配向性が良いものである。

【００２４】また、この実施例は、既に薄膜ＥＬ素子に
実用化されているＺnＳ：Ｍn膜を成長する場合について
述べたが、当然ながら、これに限られるものではない。
ＺnＳ以外の母体材料であるＩＩ−ＶＩ族化合物半導体
ＺnＳe、ＣaＳ、ＳrＳなどについても上記式(１)および
式(３)に対応する化学反応は起こり、またＭn以外の発
光中心材料であるＴbなどの希土類イオンについても上
記式(２)および式(４)に対応する化学反応は生じる。し
たがって、この発明はＺnＳ：Ｍn膜以外のＥＬ薄膜を成
長する場合にも広く適用することができ、その効果を期
待できる。

【００２５】また、不活性ガスとしてＡrガスの他に窒
素(Ｎ₂)やネオン(Ｎe)ガスも可能であり、還元性ガスと
してはＨ₂の他にＨ₂Ｓ、アンモニア(ＮＨ₃)ガスなどを
使用できる。

【００２６】

【発明の効果】以上より明らかなように、この発明のＥ
Ｌ薄膜の製造方法は、反応管の上流側のソース領域に設
けた第１,第２のガス流路にそれぞれＩＩ−ＶＩ族化合
物半導体からなる母体材料とこの母体材料の中で発光中
心となるべき元素の材料とを配置し、上記反応管の下流
側の成長領域へ上記母体材料を上記第１のガス流路を通
して所定のキャリアガスによって輸送すると共に上記発
光中心となるべき元素の材料を上記第２のガス流路を通
してハロゲン化合物の蒸気の形態で輸送して、上記成長
領域に設置した基板上にエレクトロルミネッセンス薄膜
を成長するエレクトロルミネッセンス薄膜の製造方法で
あって、上記キャリアガスは不活性ガスからなり、上記
反応管の上流側から下流側へ上記ソース領域をバイパス
してガスを導く第３のガス流路を設けて、この第３のガ
ス流路を通して上記成長領域へ還元性ガスを供給しつつ
成長を行っているので、ＥＬ薄膜中に発光中心を高濃度
で再現性良くドーピングできる。しかも、結晶性を良好
なレベルにすることができる。したがって、再現性良く
高品質のＥＬ薄膜を形成することができる。

【００２７】また、上記不活性ガス,上記還元性ガスは
それぞれＨeガス,Ｈ₂ガスからなり、上記各ガスの流量
Ｆнe,Ｆн₂の比が、０.０１＜Ｆн₂／Ｆнe＜１なる関係を満たす場合、再現性良く高品質のＥＬ薄膜を
形成でき、しかも薄膜ＥＬ素子としての発光輝度を高め
ることができる。

【００２８】また、上記母体材料,上記発光中心となる
べき元素は、それぞれＺnＳ,Ｍnであり、上記ソース領
域の温度を７００℃乃至１０００℃、かつ、上記成長領
域の温度を４００℃乃至６００℃に設定する場合、発光
輝度が大きいＺnＳ：Ｍn薄膜を短時間で生産性良く形成
することができる。

【００２９】

【表１】

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明のＥＬ薄膜の製造方法を実施するの
に用いるハロゲン輸送減圧熱ＣＶＤ装置の構成を示す図
である。

【図２】バイパスＨ₂ガスの流量によるＭn濃度、Ｘ線
回折強度および発光輝度の変化を示す図である。

【図３】ＺnＳソース輸送速度のキャリアガス流量依
存性を示す図である。

【図４】ソース領域の温度とソース輸送速度との関係
を示す図である。

【図５】成長領域の温度と発光輝度との関係を示す図
である。

【符号の説明】

１反応管１a 本管２a,２b 導入管２c 導入細管３電気炉３a,３b,３c ヒータ４基板ホルダ５基板６a,６b,６c マスフローコントローラ７a,７b,７c,１３バルブ８ＨＣlガスボンベ９Ｈ₂ガスボンベ１０Ｈeガスボンベ１１Ａrガスボンベ１２圧力計１４油回転ポンプ１５ガス混合用バッフルＳソース領域Ｍガス混合領域Ｇ成長領域

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】反応管の上流側のソース領域に設けた第
１,第２のガス流路にそれぞれＩＩ−ＶＩ族化合物半導
体からなる母体材料とこの母体材料の中で発光中心とな
るべき元素の材料とを配置し、上記反応管の下流側の成
長領域へ上記母体材料を上記第１のガス流路を通して所
定のキャリアガスによって輸送すると共に上記発光中心
となるべき元素の材料を上記第２のガス流路を通してハ
ロゲン化合物の蒸気の形態で輸送して、上記成長領域に
設置した基板上にエレクトロルミネッセンス薄膜を成長
するエレクトロルミネッセンス薄膜の製造方法であっ
て、上記キャリアガスは不活性ガスからなり、上記反応管の上流側から下流側へ上記ソース領域をバイ
パスしてガスを導く第３のガス流路を設けて、この第３
のガス流路を通して上記成長領域へ還元性ガスを供給し
つつ成長を行うことを特徴とするエレクトロルミネッセ
ンス薄膜の製造方法。
【請求項２】上記不活性ガス,上記還元性ガスはそれ
ぞれＨeガス,Ｈ₂ガスからなり、上記各ガスの流量Ｆн
e,Ｆн₂の比が、０.０１＜Ｆн₂／Ｆнe＜１なる関係を満たすことを特徴とする請求項１に記載のエ
レクトロルミネッセンス薄膜の製造方法。
【請求項３】上記母体材料,上記発光中心となるべき
元素は、それぞれＺnＳ,Ｍnであり、上記ソース領域の温度を７００℃乃至１０００℃、か
つ、上記成長領域の温度を４００℃乃至６００℃に設定
することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の
エレクトロルミネッセンス薄膜の製造方法。