RU2061113C1 - Способ получения изделий из пиролитического нитрида бора - Google Patents
Способ получения изделий из пиролитического нитрида бора Download PDFInfo
- Publication number
- RU2061113C1 RU2061113C1 RU93056117A RU93056117A RU2061113C1 RU 2061113 C1 RU2061113 C1 RU 2061113C1 RU 93056117 A RU93056117 A RU 93056117A RU 93056117 A RU93056117 A RU 93056117A RU 2061113 C1 RU2061113 C1 RU 2061113C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- boron nitride
- pyrolytic boron
- temperature
- articles
- heated
- Prior art date
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Использование: при изготовлении тиглей и лодочек, применяемых для получения сверхчистых расплавов металлов при эпитаксии в молекулярном пучке, а также в производстве полупроводниковых соединений и специальных сплавов. Сущность изобретения: изделия из пиролитического нитрида бора получают методом химического газофазного осаждения, включающего подачу галогенида бора и аммиака на нагрентую ВЧ-полем графитовую подложку. Подаваемые реагенты предварительно нагревают до температуры на 100 - 200oС выше температуры подложки. Способ решает задачу повышения экологической чистоты процесса за счет увеличения коэффициента использования по хлориду до 70 - 90% и улучшения качества изделий.
Description
Изобретение касается получения изделий особой чистоты методом химического газофазного осаждения и может быть использовано при изготовлении изделий типа тиглей и лодочек, используемых для получения сверхчистых расплавов металлов, применяемых для эпитаксии в молекулярном пучке, в производстве полупроводниковых соединений и специальных сплавов.
Известен способ получения изделий из пиролитического нитрида бора путем химического газофазного осаждения, включающий раздельную подачу галогенида бора и аммиака на графитовую подложку, нагреваемую путем прямого воздействия высокочастотного поля генератора до 1450-2000оС. Коэффициент использования по хлориду при этом достигает 40%
Однако с точки зрения экологической чистоты процесса этот показатель является недостаточным.
Однако с точки зрения экологической чистоты процесса этот показатель является недостаточным.
Предлагаемое изобретение решает задачу повышения экологической чистоты процесса за счет увеличения коэффициента использования по хлориду до 70-90%
Для этого в известном способе получения изделий пиролитического нитрида бора методом химического газофазного осаждения, включающем раздельную подачу галогенида бора и аммиака на графитовую подложку, нагреваемую путем прямого воздействия высокочастотного поля генератора, новым является то, что подаваемые реагенты предварительно нагревают до температуры на 100-200оС выше температуры подложки.
Для этого в известном способе получения изделий пиролитического нитрида бора методом химического газофазного осаждения, включающем раздельную подачу галогенида бора и аммиака на графитовую подложку, нагреваемую путем прямого воздействия высокочастотного поля генератора, новым является то, что подаваемые реагенты предварительно нагревают до температуры на 100-200оС выше температуры подложки.
Основные параметры процесса получения пиролитического нитрида бора, такие как температура (1450-2300оС), давление (0,1-50 мм рт.ст.) в реакторе, соотношение реагентов (1:1-1:4), широко известны из современного уровня техники и незначительно влияют на решение поставленной задачи.
В предлагаемой совокупности признаков температура предварительного нагрева реагентов составляет 1550-2200оС и используется для увеличения активности исходных соединений, приводящей за счет увеличения коэффициента использования по хлориду к повышению экологической чистоты процесса.
П р и м е р. Кварцевый водоохлаждаемый реактор вертикального типа для получения изделий из особо чистого пиролитического нитрида бора методом химического газофазного осаждения откачивают до давления 0,1 мм рт.ст. Через систему газоввода, расположенную в верхнем фланце реактора, подают газ-носитель, особо чистый азот, с расходом 600 мл/мин, при этом давление в реакторе устанавливают 3,8 мм рт.ст.
Специально подготовленную подложку из высокоплотного графита, размещенную в реакторе в зоне высокочастотного поля генератора, нагревают до 1950оС. Затем к подложке по системе коаксиальных газовводов подают нагретые до 2100оС трихлорид бора и аммиак в мольном соотношении 1:1. Время проведения процесса 8 ч. При этом на нагретой подложке получают изделия из особо чистого пиролитического нитрида бора толщиной 1 мм, с содержанием микропримесей углерода 35 ррm, с плотностью материала 2,24 г/см3, с содержанием гексагональной фазы 97% Коэффициент использования по хлориду 87%
В других примерах температура подложки варьировалась в пределах 1450-2000оС, при этом коэффициент использования по хлориду достигал 70-90% содержание микропримесей углерода 25-40 ррm, плотность материала составляла 2,1-2,24 г/см3, содержание гексагональной фазы 60-97%
Использование изобретения позволит значительно улучшить как качество изделий из пиролитического нитрида бора, так и экологические показатели процесса.
В других примерах температура подложки варьировалась в пределах 1450-2000оС, при этом коэффициент использования по хлориду достигал 70-90% содержание микропримесей углерода 25-40 ррm, плотность материала составляла 2,1-2,24 г/см3, содержание гексагональной фазы 60-97%
Использование изобретения позволит значительно улучшить как качество изделий из пиролитического нитрида бора, так и экологические показатели процесса.
Claims (1)
- Способ получения изделий из пиролитического нитрида бора методом химического газоразрядного осаждения, включающий раздельную подачу галогенида бора и аммиака на графитовую подложку, нагреваемую путем прямого воздействия высокочастотного поля генератора, отличающийся тем, что подаваемые реагенты предварительно нагревают до температуры на 100 200oС выше температуры подложки.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU93056117A RU2061113C1 (ru) | 1993-12-16 | 1993-12-16 | Способ получения изделий из пиролитического нитрида бора |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU93056117A RU2061113C1 (ru) | 1993-12-16 | 1993-12-16 | Способ получения изделий из пиролитического нитрида бора |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU93056117A RU93056117A (ru) | 1996-01-10 |
RU2061113C1 true RU2061113C1 (ru) | 1996-05-27 |
Family
ID=20150446
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU93056117A RU2061113C1 (ru) | 1993-12-16 | 1993-12-16 | Способ получения изделий из пиролитического нитрида бора |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2061113C1 (ru) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2572503C1 (ru) * | 2014-10-27 | 2016-01-10 | Открытое акционерное общество "Оптрон" | Способ осаждения монокристаллической пленки кубического нитрида бора на полупроводниковую кремниевую подложку |
-
1993
- 1993-12-16 RU RU93056117A patent/RU2061113C1/ru active
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Патент СССР N 1806225, кл. C 30B 25/08, 1993. * |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2572503C1 (ru) * | 2014-10-27 | 2016-01-10 | Открытое акционерное общество "Оптрон" | Способ осаждения монокристаллической пленки кубического нитрида бора на полупроводниковую кремниевую подложку |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4421592A (en) | Plasma enhanced deposition of semiconductors | |
US4533410A (en) | Process of vapor phase epitaxy of compound semiconductors | |
US9281180B2 (en) | Method for producing gallium trichloride gas and method for producing nitride semiconductor crystal | |
JP3836724B2 (ja) | アミン付加物単一源前駆物質を用いた金属窒化物薄膜の製造方法 | |
JP2520060B2 (ja) | 窒化硼素製るつぼ及びそれを製造するための方法 | |
RU2061113C1 (ru) | Способ получения изделий из пиролитического нитрида бора | |
US20050255245A1 (en) | Method and apparatus for the chemical vapor deposition of materials | |
CA2049673A1 (en) | Cvd diamond by alternating chemical reactions | |
US3900660A (en) | Manufacture of silicon metal from a mixture of chlorosilanes | |
JPS60112694A (ja) | 化合物半導体の気相成長方法 | |
US3342551A (en) | Method and apparatus for producing a semiconducting compound of two or more components | |
EP0140625B1 (en) | Tellurides | |
JPS61222911A (ja) | 燐化化合物の合成方法 | |
US4609424A (en) | Plasma enhanced deposition of semiconductors | |
JPS61149478A (ja) | 六方晶乃至立方晶の窒化ホウ素膜の製造方法 | |
JPS6115150B2 (ru) | ||
KR100467267B1 (ko) | 질화갈륨 기판 제조 장치 및 방법 | |
SU1346692A1 (ru) | Способ нанесени никелевых покрытий | |
Zhou et al. | Gas-phase parasitic reactions and Al incorporation efficiency in light radiation heating, low-pressure metal–organic chemical vapor deposition of AlGaN | |
RU93056117A (ru) | Способ получения изделий из пиролитического нитрида бора | |
RU2149215C1 (ru) | Способ получения слоев пироуглерода | |
JPS5874511A (ja) | 菱面体晶窒化ほう素の製造法 | |
JPS62123094A (ja) | 3―5属化合物半導体気相成長用サセプタ | |
JPH01259524A (ja) | 化合物半導体の気相成長方法 | |
JPS6230696A (ja) | 広禁制帯幅半導体結晶の製造方法 |