RU2061113C1 - Способ получения изделий из пиролитического нитрида бора - Google Patents

Способ получения изделий из пиролитического нитрида бора Download PDF

Info

Publication number
RU2061113C1
RU2061113C1 RU93056117A RU93056117A RU2061113C1 RU 2061113 C1 RU2061113 C1 RU 2061113C1 RU 93056117 A RU93056117 A RU 93056117A RU 93056117 A RU93056117 A RU 93056117A RU 2061113 C1 RU2061113 C1 RU 2061113C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
boron nitride
pyrolytic boron
temperature
articles
heated
Prior art date
Application number
RU93056117A
Other languages
English (en)
Other versions
RU93056117A (ru
Inventor
Ю.В. Ганин
В.И. Дерновский
Original Assignee
Акционерная компания "Синтела"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Акционерная компания "Синтела" filed Critical Акционерная компания "Синтела"
Priority to RU93056117A priority Critical patent/RU2061113C1/ru
Publication of RU93056117A publication Critical patent/RU93056117A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2061113C1 publication Critical patent/RU2061113C1/ru

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

Использование: при изготовлении тиглей и лодочек, применяемых для получения сверхчистых расплавов металлов при эпитаксии в молекулярном пучке, а также в производстве полупроводниковых соединений и специальных сплавов. Сущность изобретения: изделия из пиролитического нитрида бора получают методом химического газофазного осаждения, включающего подачу галогенида бора и аммиака на нагрентую ВЧ-полем графитовую подложку. Подаваемые реагенты предварительно нагревают до температуры на 100 - 200oС выше температуры подложки. Способ решает задачу повышения экологической чистоты процесса за счет увеличения коэффициента использования по хлориду до 70 - 90% и улучшения качества изделий.

Description

Изобретение касается получения изделий особой чистоты методом химического газофазного осаждения и может быть использовано при изготовлении изделий типа тиглей и лодочек, используемых для получения сверхчистых расплавов металлов, применяемых для эпитаксии в молекулярном пучке, в производстве полупроводниковых соединений и специальных сплавов.
Известен способ получения изделий из пиролитического нитрида бора путем химического газофазного осаждения, включающий раздельную подачу галогенида бора и аммиака на графитовую подложку, нагреваемую путем прямого воздействия высокочастотного поля генератора до 1450-2000оС. Коэффициент использования по хлориду при этом достигает 40%
Однако с точки зрения экологической чистоты процесса этот показатель является недостаточным.
Предлагаемое изобретение решает задачу повышения экологической чистоты процесса за счет увеличения коэффициента использования по хлориду до 70-90%
Для этого в известном способе получения изделий пиролитического нитрида бора методом химического газофазного осаждения, включающем раздельную подачу галогенида бора и аммиака на графитовую подложку, нагреваемую путем прямого воздействия высокочастотного поля генератора, новым является то, что подаваемые реагенты предварительно нагревают до температуры на 100-200оС выше температуры подложки.
Основные параметры процесса получения пиролитического нитрида бора, такие как температура (1450-2300оС), давление (0,1-50 мм рт.ст.) в реакторе, соотношение реагентов (1:1-1:4), широко известны из современного уровня техники и незначительно влияют на решение поставленной задачи.
В предлагаемой совокупности признаков температура предварительного нагрева реагентов составляет 1550-2200оС и используется для увеличения активности исходных соединений, приводящей за счет увеличения коэффициента использования по хлориду к повышению экологической чистоты процесса.
П р и м е р. Кварцевый водоохлаждаемый реактор вертикального типа для получения изделий из особо чистого пиролитического нитрида бора методом химического газофазного осаждения откачивают до давления 0,1 мм рт.ст. Через систему газоввода, расположенную в верхнем фланце реактора, подают газ-носитель, особо чистый азот, с расходом 600 мл/мин, при этом давление в реакторе устанавливают 3,8 мм рт.ст.
Специально подготовленную подложку из высокоплотного графита, размещенную в реакторе в зоне высокочастотного поля генератора, нагревают до 1950оС. Затем к подложке по системе коаксиальных газовводов подают нагретые до 2100оС трихлорид бора и аммиак в мольном соотношении 1:1. Время проведения процесса 8 ч. При этом на нагретой подложке получают изделия из особо чистого пиролитического нитрида бора толщиной 1 мм, с содержанием микропримесей углерода 35 ррm, с плотностью материала 2,24 г/см3, с содержанием гексагональной фазы 97% Коэффициент использования по хлориду 87%
В других примерах температура подложки варьировалась в пределах 1450-2000оС, при этом коэффициент использования по хлориду достигал 70-90% содержание микропримесей углерода 25-40 ррm, плотность материала составляла 2,1-2,24 г/см3, содержание гексагональной фазы 60-97%
Использование изобретения позволит значительно улучшить как качество изделий из пиролитического нитрида бора, так и экологические показатели процесса.

Claims (1)

  1. Способ получения изделий из пиролитического нитрида бора методом химического газоразрядного осаждения, включающий раздельную подачу галогенида бора и аммиака на графитовую подложку, нагреваемую путем прямого воздействия высокочастотного поля генератора, отличающийся тем, что подаваемые реагенты предварительно нагревают до температуры на 100 200oС выше температуры подложки.
RU93056117A 1993-12-16 1993-12-16 Способ получения изделий из пиролитического нитрида бора RU2061113C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU93056117A RU2061113C1 (ru) 1993-12-16 1993-12-16 Способ получения изделий из пиролитического нитрида бора

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU93056117A RU2061113C1 (ru) 1993-12-16 1993-12-16 Способ получения изделий из пиролитического нитрида бора

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU93056117A RU93056117A (ru) 1996-01-10
RU2061113C1 true RU2061113C1 (ru) 1996-05-27

Family

ID=20150446

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU93056117A RU2061113C1 (ru) 1993-12-16 1993-12-16 Способ получения изделий из пиролитического нитрида бора

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2061113C1 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2572503C1 (ru) * 2014-10-27 2016-01-10 Открытое акционерное общество "Оптрон" Способ осаждения монокристаллической пленки кубического нитрида бора на полупроводниковую кремниевую подложку

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Патент СССР N 1806225, кл. C 30B 25/08, 1993. *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2572503C1 (ru) * 2014-10-27 2016-01-10 Открытое акционерное общество "Оптрон" Способ осаждения монокристаллической пленки кубического нитрида бора на полупроводниковую кремниевую подложку

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4421592A (en) Plasma enhanced deposition of semiconductors
US4533410A (en) Process of vapor phase epitaxy of compound semiconductors
US9281180B2 (en) Method for producing gallium trichloride gas and method for producing nitride semiconductor crystal
JP3836724B2 (ja) アミン付加物単一源前駆物質を用いた金属窒化物薄膜の製造方法
JP2520060B2 (ja) 窒化硼素製るつぼ及びそれを製造するための方法
RU2061113C1 (ru) Способ получения изделий из пиролитического нитрида бора
US20050255245A1 (en) Method and apparatus for the chemical vapor deposition of materials
CA2049673A1 (en) Cvd diamond by alternating chemical reactions
US3900660A (en) Manufacture of silicon metal from a mixture of chlorosilanes
JPS60112694A (ja) 化合物半導体の気相成長方法
US3342551A (en) Method and apparatus for producing a semiconducting compound of two or more components
EP0140625B1 (en) Tellurides
JPS61222911A (ja) 燐化化合物の合成方法
US4609424A (en) Plasma enhanced deposition of semiconductors
JPS61149478A (ja) 六方晶乃至立方晶の窒化ホウ素膜の製造方法
JPS6115150B2 (ru)
KR100467267B1 (ko) 질화갈륨 기판 제조 장치 및 방법
SU1346692A1 (ru) Способ нанесени никелевых покрытий
Zhou et al. Gas-phase parasitic reactions and Al incorporation efficiency in light radiation heating, low-pressure metal–organic chemical vapor deposition of AlGaN
RU93056117A (ru) Способ получения изделий из пиролитического нитрида бора
RU2149215C1 (ru) Способ получения слоев пироуглерода
JPS5874511A (ja) 菱面体晶窒化ほう素の製造法
JPS62123094A (ja) 3―5属化合物半導体気相成長用サセプタ
JPH01259524A (ja) 化合物半導体の気相成長方法
JPS6230696A (ja) 広禁制帯幅半導体結晶の製造方法