FI74167C - Hoelje foer optiskt element. - Google Patents

Hoelje foer optiskt element. Download PDF

Info

Publication number
FI74167C
FI74167C FI842039A FI842039A FI74167C FI 74167 C FI74167 C FI 74167C FI 842039 A FI842039 A FI 842039A FI 842039 A FI842039 A FI 842039A FI 74167 C FI74167 C FI 74167C
Authority
FI
Finland
Prior art keywords
housing
optical element
base plate
photodiode
circumferential portion
Prior art date
Application number
FI842039A
Other languages
English (en)
Swedish (sv)
Other versions
FI842039A (fi
FI842039A0 (fi
FI74167B (fi
Inventor
Hideaki Nishizawa
Original Assignee
Sumitomo Electric Industries
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Electric Industries filed Critical Sumitomo Electric Industries
Publication of FI842039A0 publication Critical patent/FI842039A0/fi
Publication of FI842039A publication Critical patent/FI842039A/fi
Application granted granted Critical
Publication of FI74167B publication Critical patent/FI74167B/fi
Publication of FI74167C publication Critical patent/FI74167C/fi

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G02B6/4202—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details for coupling an active element with fibres without intermediate optical elements, e.g. fibres with plane ends, fibres with shaped ends, bundles
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G02B6/4204—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G02B6/4248—Feed-through connections for the hermetical passage of fibres through a package wall
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0203—Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/4847—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
    • H01L2224/48472—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area also being a wedge bond, i.e. wedge-to-wedge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/0132—Binary Alloys
    • H01L2924/01322—Eutectic Alloys, i.e. obtained by a liquid transforming into two solid phases
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1203—Rectifying Diode
    • H01L2924/12033—Gunn diode
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12041—LED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12043—Photo diode

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Optical Couplings Of Light Guides (AREA)

Description

1 74167
Kotelo optista elementtiä varten Tämän keksinnön kohteena on kotelo optista elementtiä varten, johon koteloon voidaan pakata eli sijoittaa 5 optinen elementti, kuten valoa lähettävä diodi tai foto-diodi.
Tärkeimmät optisen elementin, kuten valoa lähettävän diodin tai fotodiodin, kotelolle asetettavat vaatimukset ovat (1) että kotelolla on läpinäkyvä, valoa johtava 10 rakenne, jonka lävitse valo johdetaan optiseen elementtiin tai siitä ulos, (2) että elektrodit voidaan johtaa ulos optisesta elementistä liittämällä johtimet optiseen elementtiin puristus- tai johdinliitoksella ja (3) että kotelolla on hermeettisesti tiivis rakenne, jotta se pystyy 15 säilyttämään suojaavat ominaisuutensa ympäristön muutoksia vastaan ja takaamaan luotettavuuden.
Kuviot 1a ja 1b esittävät esimerkkejä ensimmäistä tyyppiä olevasta tunnetun tekniikan mukaisesta kotelosta optista elementtiä varten. Tässä ensimmäistä tyyppiä 20 olevassa kotelossa tavanomaiset TO-18-tyypin kotelot 11a, 11b sisältävät fotodiodit 15a, 15b, jotka on liitetty niihin puristusliitoksella epoksihartsin, eutektisen juotteen ms. avulla. Kultajohtimet 14a, 14b on liitetty foto-diodeihin 15a, 15b ja kannet 12a, 12b, joissa on valoa 25 läpäisevät ikkunat, jotka muodostuvat Kovar-lasista 13a ja safiirilevystä 13b, on hitsattu koteloihin 11a, 11b, kuten on esitetty kuvioissa 1a ja 1b. Näillä tunnetuilla koteloilla on kuitenkin sellainen huono puoli, että kansien 12a, 12b ja koteloiden 11a, 11b valmistuksen yhtey-30 dessä muodostuva niiden välinen mittaepätarkkuus ja kulta johtimien 14a, 14b sijainti fotodiodien 15a, 15b päällä tekevät fotodiodien 15a, 15b ja Kovar-lasin 13a, 13b välisen etäisyyden suureksi ja sen seurauksena fotodiodien 15a, 15b ja optisen kuidun 16a, 16b välinen optinen kyt-35 kentähyötysuhde jää huonoksi.
2 74167
Seuraavaksi kuviossa 2 on esitetty toista tyyppiä oleva tunnetun tekniikan mukainen kotelo, joka poikkeaa ensimmäisestä tyypistä valon vastaanottojärjestelmän osalta. Tässä esimerkissä tavanomainen TO-46-tyypin kotelo 21 5 on varustettu läpäisyaukolla 23 ja fotodiodi 25 on liitetty puristusliitoksella koteloon 21 sama-akselisesti läpäi-syaukon 23 kanssa. Kultajohdin 24 on liitetty fotodiodiin 25 ja kansi 22 on hitsattu koteloon 21, jolloin saadaan aikaan kuviossa 2 esitetty rakenne. Tällä rakenteella on 10 kuitenkin myös se haittapuoli, että fotodiodin 25 ja optisen kuidun 26 välinen etäisyys on suuri, mikä johtaa huonoon optiseen kytkentähyötysuhteeseen, kuten selostettiin ensimmäistä tyyppiä olevan rakenteen yhteydessä.
Kuviossa 3 on esimerkki kolmannesta tunnetun tek-15 niikan mukaisesta tyypistä, jossa on poistettu em. toiselle tyypille ominainen epäkohta. Tämä kolmatta tyyppiä oleva tunnetun tekniikan esimerkki poikkeaa toisesta tyypistä siinä, että optinen kuitu 36 on asetettu kotelon 31 läpäisyaukkoon 33 siten, että fotodiodin 35 ja optisen 20 kuidun 36 välinen etäisyys voidaan tehdä lyhyemmäksi. Tässä esimerkissä optinen kuitu 36 pyrkii kuitenkin koskettamaan fotodiodia 35 ja vahingoittamaan fotodiodia, kun optista kuitua 36 asetetaan koteloon 31 ja tämän johdosta sillä on se haittapuoli, että sen komponenttien kokoami-25 nen on hyvin vaikeata.
Kuvio 4 esittää neljättä tyyppiä olevaa tunnetun tekniikan mukaista koteloa, jossa Kovar-lasi 43 on sijoitettu sulkemaan kuviossa 2 esitetyn toisen tyypin mukaisessa esimerkissä oleva läpäisyaukko. Tähän neljännen tyy-30 pin esimerkkiin liittyy kuitenkin sama haittapuoli, kuin selostettiin toisen tyypin yhteydessä.
Lienee tarpeetonta mainita, että vaikka käytetään muita metalleja tai keraamisia aineita em. esimerkkien mukaisissa tunnettua tekniikkaa edustavissa koteloissa, sa-35 ma epäkohta tulee väistämättä vastaan.
3 74167
Seuraavaksi selostetaan muita epäkohtia, jotka ovat yhteisiä toista ja neljättä tyyppiä oleville tunnetun tekniikan esimerkeille. Kuvio 5 esittää valoa vastaanottavia osia toista tyyppiä olevassa esimerkissä. Kuvion 5a raken-5 teessä fotodiodi 25, jossa on valoa vastaanottava alue 25a, liitetty puristusliitoksella metallisen tai keraamisen poh-jalevyn 21 yläpintaan. Sisään tulevan valon avautumiskul-maa rajoittaa pohjalevyn 21 reuna 21a. Kuvio 5b esittää tilannetta, jossa fotodiodi 25 liikkuu paikaltaan puris-10 tusliitoksen tekohetkellä ja sisään tulevan valon avautu-miskulma rajoittuu olennaisesti yhdeltä sivulta. Näin ollen näissä esimerkeissä vaaditaan äärimmäisen tarkkaa pu-ristusliitostekniikkaa. Näissä esimerkeissä on myös tarpeen em. avautumiskulman suurentamiseksi pienentää pohja-15 levyn 21 paksuutta ja suurentaa läpäisyaukon 23 poikkipinta-alaa. Kuitenkin jos pohjalevyn paksuutta pienennetään, tulee eteen itse kotelon lujuusongelma, ja jos läpäisyaukon 23 poikkipinta-alaa suurennetaan, on edessä ongelma, että fotodiodin 25 kokoa on suurennettava vastaa-20 vasti. Lisäksi näissä esimerkeissä on se ongelma, että keraamista ainetta tai metallia on työstettävä läpäisyaukon 23 muodostamiseksi mekaanisella menetelmällä, jonka tarkkuus asettaa rajoituksia kotelon rakenteelle.
Tämän johdosta esillä olevan keksinnön tärkein pää-25 määrä on poistaa näihin ennestään tunnettuihin koteloihin liittyvät, edellä kuvatut epäkohdat ja saada aikaan uudentyyppinen kotelo optista elementtiä varten, jolla voidaan olennaisesti parantaa optista kytkentähyötysuhdetta optisen elementin ja optisen kuidun välillä.
30 Esillä olevan keksinnön toisena tarkoituksena on saada aikaan optista elementtiä varten uudentyyppinen kotelo, joka voidaan suunnitella vapaammin kuin ennestään tunnetut kotelot edellä mainittujen tavoitteiden saavuttamiseksi.
35 Edelleen keksinnön tarkoituksena on saada aikaan 4 74167 uudentyyppinen kotelo optista elementtiä varten, joka tekee mahdolliseksi kotelon tarkemman ja helpomman työstön kuin ennestään tunnetulla tekniikalla suurentamatta olennaisesti optisen elementin kokoa, joka täyttää em. tavoit-5 teet.
Esillä olevalle keksinnölle on tunnusomaista, että se käsittää läpinäkyvän safiirilasipohjalevyn; ensimmäisen keraamisen kehäosan, joka on liitetty pohjalevyn yläpinnalle; elektrodiliuskan, joka sisältää ikkunan, joka 10 on muodostettu elektrodiliuskaan pohjalevyn yläpinnalla, ja ulottuu ensimmäisen kehäosan poikki; toisen keraamisen renkaanmuotoisen kehäosan, joka on limittäin ensimmäisen kehäosan kanssa ja liitetty sen yläpinnalle ympäröimään optista elementtiä; jolloin optinen elementti on liitet-15 ty elektrodiliuskan yläpinnalle ja ulottuu elektrodiliuskan ikkunan päälle.
Kuviot 1a ja 1b ovat poikkileikkauskuvantoja, jotka kumpikin esittävät yhtä esimerkkiä ensimmäistä tyyppiä olevasta tunnetun tekniikan mukaisesta kotelosta optista 20 elementtiä varten.
Kuviot 2, 3 ja 4 ovat kuvioiden 1a ja 1b tapaisia kuvantoja, mutta ne esittävät esimerkkejä toista, kolmatta ja neljättä tyyppiä olevista tunnetun tekniikan mukaisista koteloista optisia elementtejä varten.
25 Kuviot 5a ja 5b ovat poikkileikkauskuvantoja osas ta kuviota 2 suurennetussa mittakaavassa ja ne esittävät sen epäkohtaa.
Kuviot 6a ja 6b ovat yläkuvanto ja sivukuvanto keksinnön mukaisen kotelon pääosasta.
30 Kuvio 7a on yläkuvanto keksinnön mukaisesta kote losta puolivalmiina tuotteena.
Kuvio 7b on leikkauskuvanto viivaa A-A' pitkin kuviossa 7a.
Kuvio 8 on sivukuvanto keksinnön mukaisesta kote-35 losta fotodiodiin sovellettuna.
I; 5 74167
Kuvio 9 on poikkileikkauskuvanto osasta keksinnön mukaista koteloa ja se esittää kotelon peruspiirteitä.
Keksintöä selostetaan seuraavassa viitaten oheisiin piirustuksiin.
5 Kuviot 6a ja 6b esittävät keksinnön mukaisen kote lon perusrakennetta ja kuvio 6a on yläkuvanto ja kuvio 6b sivukuvanto. Metallinen liuska 51 optisen elementin puris-tusliittämistä varten on muodostettu safiiriperusaineen 52 yläpinnalle. Liuskassa 51 on ikkuna 53. Ikkunan muoto 10 voi olla suorakulmainen, ympyrämäinen tai muun halutun muotoinen. Liuska muodostaa elektrodin ja se voidaan muodostaa safiiriperusaineelle metallikerroksena fotolito-grafiatekniikalla.
Kuviot 7 ja 8 esittävät keksinnön erästä sovellu-15 tusmuotoa, johon on yhdistetty em. perusrakenne. Tässä so-vellutusmuodossa kotelo sisältää läpinäkyvän safiiripohja-levyn 52 ja rengasmaisen kehäosan 54, joka on liitetty pohjalevyn 52 yläpinnalle. Kehäosa 54 voidaan valmistaa keraamisesta aineesta, kuten alumiinioksidista ja se voi-20 daan liittää pohjalevyyn 52 kovajuottama11a. Ikkunan 53 käsittävä metallinen elektrodiliuska 51 on muodostettu pohjalevyyn yläpinnalle samoin kuin kehäosan 54 yläpinnalle, jotta elektrodi voidaan johtaa ulos. Metallikerros 55 on muodostettu kehäosan 54 päälle toisen elektrodin muo-25 dostamiseksi. Nämä metallikerrokset 51, 55 voidaan valmistaa samanaikaisesti fotolitografiatekniikalla. Johtimet 56, 57 on liitetty metallikerroksiin 51, 52 elektrodien ulosotoiksi. Toinen kehäosa 58, joka on muodostettu alu-miinioksidirenkaasta, on asetettu ensin mainitun kehäosan 30 54 päälle ja liitetty siihen hartsilla.
Fotodiodi 59 on liitetty puristamalla liuskaan 51 käyttämällä rengasjuotetta, kuten esim. AuSnrn eutektista seosta, ja johdin 60, kuten kultajohdin, on liitetty joh-dinliitoksella fotodiodiin 59 ja metallikerrokseen 55 ke-35 häosalle 54. Hermeettistä tiivistystä varten on tarpeen 6 74167 ainoastaan asettaa alumiinioksidikansi alumiinioksidisen kehäosan 58 päälle.
Kehäosan 54 yksi tarkoitus on mahdollistaa johdin-liitosliuskojen muodostaminen sen päälle. Toisen näkökan-5 nan mukaan kehäosa 54, samoinkuin osa 58, on olemassa kotelon ehdottomasti ilmatiivistä sulkemista varten. Jos johtimet 56, 57 on johdettu suoraan ulos safiiripohjale-vyn 52 pinnalta käyttämättä kehäosaa 54 ja alumiinioksidikansi on liitetty suoraan safiiripohjalevylle 52, ei 10 pohjalevyn 52 ja alumiinioksidikannen välistä ehdotonta ilmatiiveyttä voida saavuttaa, koska metallikerroksen 55 paksuuden vuoksi pohjalevylle 52 muodostuu kynnys, ja hartsia olevalla tiivistysmateriaalilla, joka liittää alumiinioksidikannen pohjalevyyn 52, on riittämätön lii-15 tosvoima safiiripohjalevyyn 52. Kuitenkin, koska tässä keksinnössä on safiiripohjalevylle 52 kovajuottamalla liitetty keraaminen kehäosa, jonka lämpölaajenemisker-roin on oleellisesti sama kuin safiirin lämpölaajenemis-kerroin, on alumiinioksidia oleva kehäosa 58 liitetty 20 hartsilla keraamiselle kehäosalle 54, jossa on liitos-liuskat. Vaikka keraamiselle kehäosalle 54 muodostuu kynnys, voidaan saavuttaa ehdoton hermeettinen tiiveys osien 54 ja 58 välille, koska hartsi voi helposti täyttää kynnyksen viereen muodostuneen välyksen. Lisäksi 25 alumiinioksidikansi on liitetty alumiinioksidia olevaan kehäosaan 58 hartsilla, joten niiden välille voidaan helposti saada ehdoton hermeettinen tiiveys.
Syy, jonka vuoksi keraaminen osa 54 on tarpeen, on seuraava. Jos alumiinioksidia oleva kehäosa 58 on lii-30 tetty suoraan pohjalevyyn 52 ilman keraamista osaa 54, täytyy liitos aikaansaada kovajuottamalla. Tässä tapauksessa ei kuitenkaan voida kynnyksen viereen muodostunutta välystä täyttää, joten ehdotonta hermeettistä tiiveyttä ei voida saavuttaa.
35 Keksinnön mukaan edellä esitetyllä tavalla suunni teltu kotelo tekee helpoksi optisen elementin, tässä ta- 7 74167 pauksessa fotodiodin 59, ja optisen kuidun kytkemisen.
Tätä selostetaan nyt viitaten piirustusten kuvioihin 5a ja 9.
Kuviot 5a ja 9 esittävät ennestään tunnetun kote-5 lon ja keksinnön mukaisen kotelon valoa vastaanottavia osia poikkileikkauksena. Tunnetun kotelon pohjalevy 21 on muodostettu läpinäkymättömästä materiaalista, kuten metallista tai keraamisesta aineesta, kun taas keksinnön mukaisen kotelon pohjalevy 52 on valmistettu safiirista ja on 10 siten läpinäkyvää. Tämän vuoksi keksinnön mukaisen kotelon sisään tulevan valon avautumiskulma on huomattavan leveä, kuten kuviossa 9 on esitetty. Tällöin optisen kuidun ja perusaineen välinen optinen kytkentähyötysuhde paranee huomattavasti. Koska perusaineena käytetään läpinäkyvää 15 safiiria, ei pohjalevyn paksuuteen kohdistu myöskään mitään rajoituksia laajan avautumiskulman aikaansaamiseksi ja täten kotelo voidaan suunnitella vapaammin kuin tunnetulla tekniikalla.
Koska tunnetun tekniikan mukaisessa ratkaisussa pe-20 rusaineessa on läpäisyaukko, tarvitaan valoa valoa vastaanottavan osan valmistuksessa työstämistä. Toisaalta keksinnön mukaan liuska, johon optinen elementti liitetään pu-ristusliitoksella, voidaan muodostaa fotolitografiamene-telmällä ja hienotyöstö tulee mahdolliseksi ilman työstö-25 prosessin tarvetta.
Tämä tekee mahdolliseksi kotelon tarkemman ja helpon valmistuksen tarvitsematta olennaisesti suurentaa optisen elementin kokoa.
Edellä on kuvattu tiettyä erityissovellutusta, mut-30 ta on ilmeistä, että keksintöä voidaan yhtä lailla soveltaa valoa lähettäviin diodeihin kuten myös kaikkiin valoa vastaanottaviin ja lähettäviin optisiin elementteihin.

Claims (3)

8 74167
1. Kotelo optista elementtiä varten, joka vastaanottaa tai lähettää valoa, tunnettu siitä, että 5 se käsittää: läpinäkyvän safiirilasipohjalevyn (52); ensimmäisen keraamisen kehäosan (54), joka on liitetty pohjalevyn (52) yläpinnalle; elektrodiliuskan (51), joka sisältää ikkunan (53), 10 joka on muodostettu elektrodiliuskaan pohjalevyn (52) yläpinnalla, ja ulottuu ensimmäisen kehäosan (54) poikki; toisen keraamisen renkaanmuotoisen kehäosan (58), joka on limittäin ensimmäisen kehäosan (54) kanssa ja liitetty sen yläpinnalle ympäröimään optista elementtiä (59); 15 jolloin optinen elementti on liitetty elektrodiliuskan (51) yläpinnalle ja ulottuu elektrodiliuskan (51) ikkunan (53) päälle.
2. Patenttivaatimuksen 1 mukainen kotelo optista elementtiä varten, tunnettu siitä, että elektro- 20 diliuska (51) on metallikerros, joka on muodostettu foto-litografiatekniikalla.
3. Patenttivaatimuksen 1 mukainen kotelo optista elementtiä varten, tunnettu siitä, että se edelleen käsittää kannen, joka on hitsattu toiseen kehäosaan 25 (58) kotelon tiivistämiseksi.
FI842039A 1983-05-31 1984-05-22 Hoelje foer optiskt element. FI74167C (fi)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9762883 1983-05-31
JP58097628A JPS59220982A (ja) 1983-05-31 1983-05-31 光素子用パッケ−ジ

Publications (4)

Publication Number Publication Date
FI842039A0 FI842039A0 (fi) 1984-05-22
FI842039A FI842039A (fi) 1984-12-01
FI74167B FI74167B (fi) 1987-08-31
FI74167C true FI74167C (fi) 1987-12-10

Family

ID=14197440

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FI842039A FI74167C (fi) 1983-05-31 1984-05-22 Hoelje foer optiskt element.

Country Status (10)

Country Link
US (1) US4636647A (fi)
EP (1) EP0127401B1 (fi)
JP (1) JPS59220982A (fi)
KR (1) KR890003386B1 (fi)
AU (1) AU575322B2 (fi)
CA (1) CA1242520A (fi)
DE (1) DE3473536D1 (fi)
DK (1) DK160112C (fi)
FI (1) FI74167C (fi)
NO (1) NO165515C (fi)

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA1267468A (en) * 1983-11-21 1990-04-03 Hideaki Nishizawa Optical device package
AU573645B2 (en) * 1983-11-21 1988-06-16 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Package for opto-electrical device
JP2580142B2 (ja) * 1985-10-28 1997-02-12 アメリカン テレフォン アンド テレグラフ カムパニー 多層セラミックレ−ザパッケ−ジ
US4865038A (en) * 1986-10-09 1989-09-12 Novametrix Medical Systems, Inc. Sensor appliance for non-invasive monitoring
US5177806A (en) * 1986-12-05 1993-01-05 E. I. Du Pont De Nemours And Company Optical fiber feedthrough
FR2640430B1 (fr) * 1988-12-09 1992-07-31 Cit Alcatel Composant opto-electronique comprenant, notamment un boitier dans lequel est decoupee une fenetre
GB2228618B (en) * 1989-02-27 1993-04-14 Philips Electronic Associated Radiation detector
US4990896A (en) * 1989-05-09 1991-02-05 Gray William F Light responsive device for monitoring on-line indicator lights
US5149958A (en) * 1990-12-12 1992-09-22 Eastman Kodak Company Optoelectronic device component package
DE4214792A1 (de) * 1992-05-04 1993-11-11 Telefunken Microelectron Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Koppelelements
DE19643911A1 (de) * 1996-10-30 1998-05-07 Sick Ag Schaltungsanordnung mit auf einem mit Leiterbahnen versehenen Substrat angebrachten optoelektronischen Bauelementen
US6214427B1 (en) 1998-08-28 2001-04-10 General Electric Company Method of making an electronic device having a single crystal substrate formed by solid state crystal conversion
GB2372633A (en) * 2001-02-24 2002-08-28 Mitel Semiconductor Ab Flip-chip mounted optical device
US7359646B2 (en) * 2001-09-14 2008-04-15 Finisar Corporation Transmitter and/or receiver arrangement of optical signal transmission
US6630661B1 (en) * 2001-12-12 2003-10-07 Amkor Technology, Inc. Sensor module with integrated discrete components mounted on a window
US7476906B2 (en) * 2002-01-09 2009-01-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Photodiode array and method for establishing a link between a first semiconductor element and a second semiconductor element
JP2004235324A (ja) * 2003-01-29 2004-08-19 Mitsubishi Electric Corp 表面実装型光部品
EP1496551B1 (en) * 2003-07-09 2013-08-21 Nichia Corporation Light emitting diode, method of manufacturing the same and lighting equipment incorporating the same
JP4670251B2 (ja) * 2004-04-13 2011-04-13 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP5049145B2 (ja) * 2008-01-22 2012-10-17 日東電工株式会社 光導波路デバイスの製法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4965790A (fi) * 1972-10-27 1974-06-26
JPS5387380A (en) * 1977-01-12 1978-08-01 Kao Corp Tris(omega-hydroxy polyether)isocyanurate and its preparation
JPS5451788A (en) * 1977-09-30 1979-04-23 Mitsubishi Electric Corp Photoelectric transducer
JPS5513963A (en) * 1978-07-17 1980-01-31 Nec Corp Photo semiconductor device
US4227098A (en) * 1979-02-21 1980-10-07 General Electric Company Solid state relay
US4233614A (en) * 1979-03-06 1980-11-11 Rca Corporation Light emitting diode
US4355321A (en) * 1981-02-02 1982-10-19 Varian Associates, Inc. Optoelectronic assembly including light transmissive single crystal semiconductor window

Also Published As

Publication number Publication date
US4636647A (en) 1987-01-13
KR890003386B1 (ko) 1989-09-19
JPH0481348B2 (fi) 1992-12-22
EP0127401A1 (en) 1984-12-05
EP0127401B1 (en) 1988-08-17
NO165515B (no) 1990-11-12
FI842039A (fi) 1984-12-01
AU575322B2 (en) 1988-07-28
FI842039A0 (fi) 1984-05-22
DK160112B (da) 1991-01-28
NO165515C (no) 1991-02-20
CA1242520A (en) 1988-09-27
NO842126L (no) 1984-12-03
FI74167B (fi) 1987-08-31
DE3473536D1 (en) 1988-09-22
JPS59220982A (ja) 1984-12-12
DK253184D0 (da) 1984-05-23
DK160112C (da) 1991-07-01
DK253184A (da) 1984-12-01
KR840009372A (ko) 1984-12-26
AU2808584A (en) 1984-12-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
FI74167C (fi) Hoelje foer optiskt element.
US4769272A (en) Ceramic lid hermetic seal package structure
EP0089044A2 (en) A semiconductor device having a container sealed with a solder of low melting point
US5801474A (en) Surface acoustic wave (SAW) device
CN102473813A (zh) 发光装置及其制造方法
KR20050014871A (ko) 실리콘 막과 납땜층을 포함하는 고압 센서
JP5069996B2 (ja) フォトリフレクタの製造方法
US9275928B2 (en) Semiconductor package
JPH0824150B2 (ja) パッケージ
CN103941315A (zh) 光学元件收纳用包装、光学模块及滤波器装置、电子设备
US5986208A (en) Waveguide window assembly and microwave electronics package
JPH09307122A (ja) 光素子モジュール
US20060163462A1 (en) Localized hermetic sealing of a power monitor on a planar light circuit
US5252856A (en) Optical semiconductor device
CN211148988U (zh) 一种光模块的tx封装结构
EP0275122B1 (en) Chip package transmissive to ultraviolet light
JPS60153184A (ja) 受光素子
US20050023489A1 (en) Chip type photo coupler
JP7015686B2 (ja) 光デバイス及び光デバイスの製造方法
JP2002243992A (ja) パッケ−ジ、パッケ−ジの組付け方法、及び組付用治具
JPS584952A (ja) 半導体装置
JPS63122250A (ja) 半導体装置
JP3828271B2 (ja) 電子部品用キャップおよびそれを用いた半導体レーザ
JPH09191067A (ja) 気密端子用ステム及びその製造方法
KR100673645B1 (ko) 칩 패키지 및 그 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
MM Patent lapsed
MM Patent lapsed

Owner name: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD.