FI122011B - Förfarande för att bilda en elektronikmodul, intermediär produkt för tillverkning av en elektronikmodul, minneselement, tryckt elektronikprodukt, givaranordning och RFID-identifikation - Google Patents
Förfarande för att bilda en elektronikmodul, intermediär produkt för tillverkning av en elektronikmodul, minneselement, tryckt elektronikprodukt, givaranordning och RFID-identifikation Download PDFInfo
- Publication number
- FI122011B FI122011B FI20075429A FI20075429A FI122011B FI 122011 B FI122011 B FI 122011B FI 20075429 A FI20075429 A FI 20075429A FI 20075429 A FI20075429 A FI 20075429A FI 122011 B FI122011 B FI 122011B
- Authority
- FI
- Finland
- Prior art keywords
- layer
- memory
- intermediate product
- electrode
- layers
- Prior art date
Links
- 230000015654 memory Effects 0.000 title claims description 124
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 24
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 67
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 51
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 46
- 239000013067 intermediate product Substances 0.000 claims description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 19
- 230000009466 transformation Effects 0.000 claims description 19
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 claims description 16
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 12
- 230000003993 interaction Effects 0.000 claims description 9
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims description 7
- 239000000047 product Substances 0.000 claims description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 4
- 239000000443 aerosol Substances 0.000 claims description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims 2
- 239000000123 paper Substances 0.000 claims 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims 1
- 230000001131 transforming effect Effects 0.000 claims 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 15
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 9
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 9
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 6
- 239000000976 ink Substances 0.000 description 5
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 239000002082 metal nanoparticle Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 1
- 238000004870 electrical engineering Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006194 liquid suspension Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000011859 microparticle Substances 0.000 description 1
- 238000009768 microwave sintering Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 239000011234 nano-particulate material Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/64—Manufacture or treatment of solid state devices other than semiconductor devices, or of parts thereof, not peculiar to a single device provided for in groups H01L31/00 - H10K99/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
- H01L27/10—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a repetitive configuration
- H01L27/101—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a repetitive configuration including resistors or capacitors only
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/56—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using storage elements with more than two stable states represented by steps, e.g. of voltage, current, phase, frequency
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C17/00—Read-only memories programmable only once; Semi-permanent stores, e.g. manually-replaceable information cards
- G11C17/14—Read-only memories programmable only once; Semi-permanent stores, e.g. manually-replaceable information cards in which contents are determined by selectively establishing, breaking or modifying connecting links by permanently altering the state of coupling elements, e.g. PROM
- G11C17/16—Read-only memories programmable only once; Semi-permanent stores, e.g. manually-replaceable information cards in which contents are determined by selectively establishing, breaking or modifying connecting links by permanently altering the state of coupling elements, e.g. PROM using electrically-fusible links
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B63/00—Resistance change memory devices, e.g. resistive RAM [ReRAM] devices
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C13/00—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00
- G11C13/0002—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using resistive RAM [RRAM] elements
- G11C13/0009—RRAM elements whose operation depends upon chemical change
- G11C13/0014—RRAM elements whose operation depends upon chemical change comprising cells based on organic memory material
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
- Read Only Memory (AREA)
Claims (34)
1. Förfarande för att bilda en elektronikmodul, vid vilket förfarande en struktur bildas för modulen, vilken struktur omfattar ätminstone en första materialzon (102; 202; 303; 402) och ätminstone en andra materialzon (101, 103; 201, 203; 301, 305; 5 401, 403), vilken första materialzon (102; 202; 303; 402) är bildad av ett första material, som kan strukturellt transformeras med hjälp av elektrisk interaktion för att öka dess konduktivitet ätminstone lokalt, varvid det första materialet uppvisar en första transformationströskel, kännetecknad av att 10 den andra materialzonen (101, 103; 201, 203; 301, 305; 401, 403) bildas av ett andra material, som kan strukturellt transformeras för att öka dess konduktivitet, och vilket andra material uppvisar en andra transformationströskel, som är lägre än det första materialets transformationströskel, och det första och andra materialet är dä den nämnda strukturen bildas i en icke-15 transformerad form.
2. Förfarande i enlighet med patentkrav 1, kännetecknat av att det andra materialets strukturella transformation kan initieras genom att höja materialets temperatur med hjälp av intern elektrisk interaktion eller extern värmeexponering.
^ 3. Förfarande i enlighet med patentkrav 1 eller 2, kännetecknat av att nämnda cm 20 strukturella transformation ätminstone för det första materialets del är till sin natur o permanent. δ g
4. Förfarande i enlighet med nägot av de föregäende patentkraven, kännetecknat av CL ^ att som första material används ett nanopartikelinnehällande material, vilket första (M [jt material företrädesvis innehäller fodrade nanopartiklar, vilka typiskt uppvisar en I'-- § 25 metallkäma. (M
5. Förfarande i enlighet med nägot av de föregäende patentkraven, kännetecknat av att som andra material används ett nanopartikelinnehällande material, vilket andra material företrädesvis innehäller inkapslade nanopartiklar, vilka typiskt uppvisar en metallkäma. 5
6. Förfarande i enlighet med nägot av de föregäende patentkraven, kännetecknat av att strukturen bildas pä ett substrat (100; 200; 300; 400), företrädesvis pä papper, kartong eller plast.
7. Förfarande i enlighet med nägot av de föregäende patentkraven, kännetecknat av att strukturen bildas pä substratet medelst tryckning eller aerosolapplicering. 10
8. Förfarande i enlighet med nägot av de föregäende patentkraven, kännetecknat av att som nämnda elektriska modul bildas ett minneselement, vilket förfarande om-fattar bildande av en eller ett flertal minnesenheter, av vilka var och en omfattar tvä elektrodskikt (201, 203; 301, 305; 401, 403) och ett minnesskikt (202; 303; 402), varvid minnesskiktet (202; 303; 402) bildas av nämnda första material och ät-15 minstone ett av elektrodskikten (201, 203; 301, 305; 401, 403) bildas av nämnda andra material.
9. Förfarande i enlighet med patentkrav 8, kännetecknat av att ätminstone ett elektrodskikt (201, 203; 301, 305; 401, 403) transformeras under förhällanden högre ^ än elektrodskiktets (202; 303; 402) transformationströskel, men lägre än minnes- o ^ 20 skiktets transformationströskel, företrädesvis medelst ett värmesintringsförfarande oo ? eller genom att leda ett lämpligt elektriskt transformationsfält eller spänning genom ° det ätminstone ena elektrodskiktet (202; 303; 402), företrädesvis ortogonalt i för- X £ hällande tili skiktets pian. σ> (M
10. Förfarande i enlighet med nägot av patentkraven 8-9, kännetecknat av att o o 25 nämnda struktur bildar en sandwich-struktur, där minnesskiktet (202, 303) appliceras mellan de yttre elektrodskikten (201, 203; 301, 305).
11. Förfarande i enlighet med patentkrav 10, kännetecknat att ett flertal dylika sandwich-strukturer bildas i en form av ett en-, tvä- eller tredimensionellt rutnät, varvid ätminstone det ena av ytterskikten (201, 203; 301, 305) eller de bäda ytter-skikten (201, 203; 301, 305) bildas som kontinuerliga band, vilka skär ett eller flera 5 band bildade av det andra ytterskiktet (201, 203; 301, 305) pä sä sätt, att ätminstone i skämingsomrädena förblir minnesskiktet (202; 303) mellan ytterskikten (201, 203; 301,305).
12. Förfarande i enlighet med patentkrav 10 eller 11, kännetecknat av att - det första elektrodskiktet (201) trycks pä substratet (200) och el- 10 ektrodskiktet (201) fär torka, - minnesskiktet (202) trycks pä det torkade första elektrodskiktet (201) och delvis överlappande det första elektrodskiktet (201) och minnesskiktet (202) fär torka, och - det andra elektrodskiktet (203) trycks pä det torkade minnesskiktet 15 (202) och delvis överlappande minnesskiktet (202) och det andra el ektrodskiktet (203) far torka.
13. Förfarande i enlighet med nägot av patentkraven 10-12, kännetecknat av att pä sandwich-strukturen appliceras ett isolerande tilläggsmaterialskikt.
14. Förfarande i enlighet med nägot av patentkraven 8-9, kännetecknat av att ^ 20 nämnda struktur utgörs av en pian struktur och minnesskiktet (402) och elektrod- ^ skikten (401, 403) är anordnade lateralt i förhällande tili varandra. co cp
° 15. Förfarande i enlighet med patentkrav 14, kännetecknat av att X £ - det första och andra elektrodskiktet (401, 403) trycks pä substratet (400) pä ett avständ frän varandra, 25. minnesskiktet (402) trycks mellan det första och andra elektrodskiktet o ^ (401,403).
16. Intermediär produkt för tillverkning av en elektronikmodul, som omfattar - ätminstone en första materialzon (102; 202; 303; 402), som är bildad av ett första material, som kan strukturellt transformeras med hjälp av el-ektrisk interaktion för att öka dess konduktivitet ätminstone lokalt, varvid det första materialet uppvisar en första transformationströskel, och 5 - ätminstone en andra materialzon, som är belägen i närheten av den första materialzonen, kännetecknad av att den andra materialzonen bildas av ett andra material, som även kan transformeras strukturellt för att öka dess konduktivitet, vilket andra material uppvisar en andra 10 transformationströskel, som är lägre än det första materialets transformationströskel, och det första och andra materialet är i en icke-transformerad form.
17. Intermediär produkt i enlighet med patentkrav 16, kännetecknad av att det andra materialets strukturella transformation kan initieras genom att höja materialets temp- 15 eratur med hjälp av intern elektrisk interaktion eller extern värmeexponering.
18. Intermediär produkt i enlighet med patentkrav 16 eller 17, kännetecknad av att nämnda strukturella transformation ätminstone för det första materialets del är till sin natur permanent.
19. Intermediär produkt i enlighet med nägot av patentkraven 16 - 18, kännein 20 tecknad av att det första materialet innehäller nanopartiklar, företrädesvis i fodrad ^ form. co o i
° 20. Intermediär produkt i enlighet med nägot av patentkraven 16 - 19, känne- X £ tecknad av att det andra materialet innehäller nanopartiklar, företrädesvis i fodrad form. m h-· o ° 25
21. Intermediär produkt i enlighet med nägot av patentkraven 16 - 20, känne tecknad av att nämnda struktur är utbredd pä ett pappers-, kartong- eller plastsubstrat (100, 200, 300, 400).
22. Intermediär produkt i enlighet med nägot av patentkraven 16 - 21, känne-tecknad av att den utgörs av en intermediär produkt för tillverkning av ett funktion-ellt minneselement och att den omfattar en eller ett flertal minnesenheter, av vilka var och en vidare omfattar 5. tvä elektrodskikt (201, 203; 301, 305; 401, 403), vilka är tillverkade av nämnda andra material, - ett minnesskikt (202; 303; 402), som är tillverkat av nämnda första material, varvid elektrodskikten (201, 203; 301, 305; 401, 403) och minnesskiktet (202; 303; 10 402) anordnas i förhällande tili varandra pä sä sätt, att minnesskiktets (202; 303; 402) strukturella transformation kan förverkligas genom att mellan elektrodskikten (201, 203; 301, 305; 401, 403) koppia en spänning.
23. Intermediär produkt i enlighet med patentkrav 22, kännetecknad av att den omfattar ett flertal minnesenheter i form av ett en-, tvä- eller tredimensionellt rutnät, 15 varvid elektrodskikten (201, 203; 301, 305; 401, 403) är anordnade pä sä sätt, att man kan skriva pä och avläsa ffän varje minnesenhet individuellt.
24. Intermediär produkt i enlighet med patentkrav 22 eller 23, kännetecknad av att elektronikmodulen utgörs av ett skriv en gäng, läs mänga gänger (WORM) -element.
25. Intermediär produkt i enlighet med patentkrav 22 eller 23, kännetecknad av att ^ 20 den omfattar en styrenhet, som är anordnad att gruppera minneselementets minnes- o ^ enheter i minnesblock och i minnesblockspekarenheter för att bilda ett minnes- ° element av RAM-typ med ett begränsat antal möjliga skrivhändelser. δ X
£ 26. Intermediär produkt i enlighet med nägot av patentkraven 22 - 25, kännein tecknad av att den omfattar organ för att koppia nämnda spänning mellan elektrod it £ 25 skikten (201, 203; 301, 305; 401, 403). o o (M
27. Intermediär produkt i enlighet med patentkrav 26, kännetecknad av att nämnda organ för att koppia spänning är anordnade att ästadkomma att minnesskiktets kon- duktivitet ökar stegvis kontrollerat pä sä sätt, att ett minneselement bildas, där varje minnesenhet kan uppvisa tre eller flera bestämda konduktivitetstillständ.
28. Intermediär produkt i enlighet med nägot av patentkraven 22 - 27, känne-tecknad av att nämnda skikt bildar en sandwich-struktur, där minnesskiktet är be- 5 läget mellan de yttre elektrodskikten (201, 203; 301, 305).
29. Intermediär produkt i enlighet med nägot av patentkraven 22 - 28, känne-tecknad av att den omfattar ett flertal dylika sandwich-strukturer i en form av ett en-, tvä- eller tredimensionelit rutnät, varvid ätminstone det ena av ytterskikten (201, 203) eller de bäda ytterskikten (201, 203) bildas som kontinuerliga band, vilka skär 10 ett eller flera band bildade av det andra ytterskiktet (201, 203) pä sä sätt, att ätminstone i skämingsomrädena förblir mittskiktet (202) mellan ytterskikten (201, 203).
30. Intermediär produkt i enlighet med nägot av patentkraven 22 - 27, känne-tecknad av att nämnda skikt (401, 402, 403) är anordnade lateralt i förhällande tili 15 varandra, varvid de bildar en pian struktur.
31. Minneselement, kännetecknat av att det är tillverkat av en intermediär produkt i enlighet med nägot av patentkraven 22 - 30 genom att strukturellt transformera ätminstone ett av elektrodskikten (201, 203; 301, 305; 401, 403) ätminstone lokalt pä ^ sä sätt, att skiktets (201, 203; 301, 305; 401, 403) konduktivitet är större än ett icke- o ^ 20 transformerat skikts konduktivitet. oo o
° 32. Tryckt elektronikprodukt, som omfattar en intermediär produkt i enlighet med £ nägot av patentkraven 16-30. σ> (M [o
33. Givaranordning, som omfattar en givare, som är ansluten tili en intermediär pro- o dukt för tillverkning av ett funktionellt minneselement i enlighet med nägot av 25 patentkraven 22 - 30 för att lagra data som produceras av givaren.
34. RFID-identifikation, som omfattar en intermediär produkt för tillverkning av ett funktionelit minneselement i enlighet med nägot av patentkraven 22-30. δ (M co o δ X cn CL σ> (M sj- m h-· o o (M
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FI20075429A FI122011B (sv) | 2007-06-08 | 2007-06-08 | Förfarande för att bilda en elektronikmodul, intermediär produkt för tillverkning av en elektronikmodul, minneselement, tryckt elektronikprodukt, givaranordning och RFID-identifikation |
| CN2008101099822A CN101325245B (zh) | 2007-06-08 | 2008-06-06 | 电子模块及其制造方法和应用 |
| US12/155,671 US7915097B2 (en) | 2007-06-08 | 2008-06-06 | Electronic module with conductivity transformation region, method of manufacture and applications thereof |
| EP08157721.5A EP2001053B1 (en) | 2007-06-08 | 2008-06-06 | Electronics module, method for the manufacture thereof and applications |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FI20075429 | 2007-06-08 | ||
| FI20075429A FI122011B (sv) | 2007-06-08 | 2007-06-08 | Förfarande för att bilda en elektronikmodul, intermediär produkt för tillverkning av en elektronikmodul, minneselement, tryckt elektronikprodukt, givaranordning och RFID-identifikation |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| FI20075429A0 FI20075429A0 (sv) | 2007-06-08 |
| FI20075429A FI20075429A (sv) | 2008-12-09 |
| FI122011B true FI122011B (sv) | 2011-07-15 |
Family
ID=38212400
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| FI20075429A FI122011B (sv) | 2007-06-08 | 2007-06-08 | Förfarande för att bilda en elektronikmodul, intermediär produkt för tillverkning av en elektronikmodul, minneselement, tryckt elektronikprodukt, givaranordning och RFID-identifikation |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7915097B2 (sv) |
| EP (1) | EP2001053B1 (sv) |
| CN (1) | CN101325245B (sv) |
| FI (1) | FI122011B (sv) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FI124372B (sv) | 2009-11-13 | 2014-07-31 | Teknologian Tutkimuskeskus Vtt | Förfarande och produkter relaterade till lagrade partiklar |
| CN104347589B (zh) * | 2013-08-02 | 2017-04-05 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种反熔丝结构 |
| FI20155964A (sv) * | 2015-12-17 | 2017-06-18 | Teknologian Tutkimuskeskus Vtt Oy | Elektronisk komponent, krets, anordning, förfarande för framställning av komponenten samt funktionsförfarande |
| CN112054121B (zh) * | 2020-09-14 | 2023-04-07 | 清华大学 | 阻变存储器、阻变存储器芯片及其制备方法 |
Family Cites Families (29)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5714766A (en) * | 1995-09-29 | 1998-02-03 | International Business Machines Corporation | Nano-structure memory device |
| US7294366B2 (en) * | 1998-09-30 | 2007-11-13 | Optomec Design Company | Laser processing for heat-sensitive mesoscale deposition |
| US6541792B1 (en) * | 2001-09-14 | 2003-04-01 | Hewlett-Packard Development Company, Llp | Memory device having dual tunnel junction memory cells |
| US6821848B2 (en) * | 2002-04-02 | 2004-11-23 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Tunnel-junction structures and methods |
| US7051945B2 (en) * | 2002-09-30 | 2006-05-30 | Nanosys, Inc | Applications of nano-enabled large area macroelectronic substrates incorporating nanowires and nanowire composites |
| US6807079B2 (en) | 2002-11-01 | 2004-10-19 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Device having a state dependent upon the state of particles dispersed in a carrier |
| CN100386868C (zh) * | 2002-12-18 | 2008-05-07 | 国际商业机器公司 | 自组装电子电路的方法以及由之形成的电路 |
| KR100973282B1 (ko) * | 2003-05-20 | 2010-07-30 | 삼성전자주식회사 | 나노 결정층을 구비하는 소노스 메모리 장치 |
| DE102004003363A1 (de) * | 2004-01-22 | 2005-08-18 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Herstellen von Nanospeicherelementen zur Ladungsspeicherung |
| DE102004007633B4 (de) * | 2004-02-17 | 2010-10-14 | Qimonda Ag | Speicherzelle, Halbleiter-Speicherbauelement und Verfahren zur Herstellung einer Speicherzelle |
| EP1723676A4 (en) * | 2004-03-10 | 2009-04-15 | Nanosys Inc | MEMORY DEVICES WITH NANOCAPACITIES AND ANISOTROPIC LOADED NETWORKS |
| DE102004020497B8 (de) | 2004-04-26 | 2006-06-14 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Herstellung von Durchkontaktierungen und Halbleiterbauteil mit derartigen Durchkontaktierungen |
| EP1743380B1 (en) * | 2004-05-06 | 2016-12-28 | Sidense Corp. | Split-channel antifuse array architecture |
| US20070057311A1 (en) | 2004-10-29 | 2007-03-15 | Agfa-Gevaert | Conventionally printable non-volatile passive memory element and method of making thereof |
| US20060098485A1 (en) * | 2004-10-29 | 2006-05-11 | Agfa-Gevaert | Printable non-volatile passive memory element and method of making thereof |
| US20060131555A1 (en) * | 2004-12-22 | 2006-06-22 | Micron Technology, Inc. | Resistance variable devices with controllable channels |
| WO2006076603A2 (en) * | 2005-01-14 | 2006-07-20 | Cabot Corporation | Printable electrical conductors |
| US8334464B2 (en) | 2005-01-14 | 2012-12-18 | Cabot Corporation | Optimized multi-layer printing of electronics and displays |
| US7208372B2 (en) * | 2005-01-19 | 2007-04-24 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Non-volatile memory resistor cell with nanotip electrode |
| DE102005005938B4 (de) * | 2005-02-09 | 2009-04-30 | Qimonda Ag | Resistives Speicherelement mit verkürzter Löschzeit, Verfahren zur Herstellung und Speicherzellen-Anordnung |
| US7507618B2 (en) * | 2005-06-27 | 2009-03-24 | 3M Innovative Properties Company | Method for making electronic devices using metal oxide nanoparticles |
| EP1899986B1 (en) | 2005-07-01 | 2014-05-07 | National University of Singapore | An electrically conductive composite |
| DE102005035445B4 (de) * | 2005-07-28 | 2007-09-27 | Qimonda Ag | Nichtflüchtige, resistive Speicherzelle auf der Basis von Metalloxid-Nanopartikeln sowie Verfahren zu deren Herstellung und entsprechende Speicherzellenanordnung |
| US7297975B2 (en) * | 2005-07-28 | 2007-11-20 | Infineon Technologies Ag | Non-volatile, resistive memory cell based on metal oxide nanoparticles, process for manufacturing the same and memory cell arrangement of the same |
| US7491962B2 (en) * | 2005-08-30 | 2009-02-17 | Micron Technology, Inc. | Resistance variable memory device with nanoparticle electrode and method of fabrication |
| JP2007073969A (ja) * | 2005-09-07 | 2007-03-22 | Samsung Electronics Co Ltd | 電荷トラップ型メモリ素子及びその製造方法 |
| KR100790861B1 (ko) * | 2005-10-21 | 2008-01-03 | 삼성전자주식회사 | 나노 도트를 포함하는 저항성 메모리 소자 및 그 제조 방법 |
| US9011762B2 (en) | 2006-07-21 | 2015-04-21 | Valtion Teknillinen Tutkimuskeskus | Method for manufacturing conductors and semiconductors |
| FI121562B (sv) | 2006-07-21 | 2010-12-31 | Valtion Teknillinen | Förfarande för tillverkning av ledare och halvledare |
-
2007
- 2007-06-08 FI FI20075429A patent/FI122011B/sv not_active IP Right Cessation
-
2008
- 2008-06-06 US US12/155,671 patent/US7915097B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2008-06-06 CN CN2008101099822A patent/CN101325245B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2008-06-06 EP EP08157721.5A patent/EP2001053B1/en not_active Not-in-force
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FI20075429A (sv) | 2008-12-09 |
| CN101325245A (zh) | 2008-12-17 |
| US7915097B2 (en) | 2011-03-29 |
| EP2001053A3 (en) | 2012-03-28 |
| US20080303583A1 (en) | 2008-12-11 |
| CN101325245B (zh) | 2011-06-22 |
| FI20075429A0 (sv) | 2007-06-08 |
| EP2001053B1 (en) | 2014-10-29 |
| EP2001053A2 (en) | 2008-12-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN105118916B (zh) | 电阻式存储器架构和装置 | |
| KR100375392B1 (ko) | 2차원 또는 3차원 구조의 도전성 및/또는 반도전성 구조를 형성 및 제거하는 방법과 상기 형성 방법에 사용되는 전계 발생기/변조기 | |
| US10460804B2 (en) | Voltage-controlled resistive devices | |
| FI122011B (sv) | Förfarande för att bilda en elektronikmodul, intermediär produkt för tillverkning av en elektronikmodul, minneselement, tryckt elektronikprodukt, givaranordning och RFID-identifikation | |
| EP1265286A3 (en) | Integrated circuit structure | |
| FI122009B (sv) | Strukturer baserade på nanopartiklar och förfarande för deras framställning | |
| CN103503154B (zh) | 磁阻随机存取存储器器件及其形成方法 | |
| CN104409632B (zh) | 一种多层结构有机阻变存储器的3d打印制备方法 | |
| WO2003094170A3 (en) | Layout for thermally selected cross-point mram cell | |
| DE60312961D1 (de) | Multi-level speicherzelle | |
| KR20170041774A (ko) | 자기 저장 매체 및 데이터 기록 장치 | |
| CN105957963B (zh) | 一种基于pet薄膜的模拟型纳米线阵列忆阻器及制备方法 | |
| ATE547814T1 (de) | Phasenänderungsstromdichte-steuerstruktur | |
| Hwang et al. | Shape-tuned junction resistivity and self-damping dynamics in intense pulsed light sintering of silver nanostructure films | |
| Purushothama et al. | Electronically rewritable chipless RFID tags fabricated through thermal transfer printing on flexible PET substrates | |
| Kharbanda et al. | Design, fabrication and characterization of laser patterned LTCC micro hotplate with stable interconnects for gas sensor platform | |
| US7759160B2 (en) | Method for producing conductor structures and applications thereof | |
| US10049738B2 (en) | Temperature gradients for controlling memristor switching | |
| Roy | Electric field-induced magnetization switching in interface-coupled multiferroic heterostructures: a highly-dense, non-volatile, and ultra-low-energy computing paradigm | |
| CN101185167A (zh) | 可编程相变存储器及其方法 | |
| Zhao et al. | Memristor based on a layered FePS3 2D material with dual modes of resistive switching | |
| Zhu et al. | Convertible Insulator–Conductor Transition in Silver Nanowire Networks: Engineering the Nanowire Junctions | |
| NO20015509D0 (no) | Elektrodeanordning, fremgangsmåte til dets fremstilling, apparat omfattende elektrodeanordningene, samt bruk av sistnevnte | |
| Zeng et al. | Controllable high-performance memristors based on 2D Fe2GeTe3 oxide for biological synapse imitation | |
| JP5265582B2 (ja) | Ａｍ４ｘ８型遷移元素の四面体アグリゲートを有する空隙尖晶石を電子データ再書き込み可能不揮発性メモリに使用すること及び対応する物質 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PC | Transfer of assignment of patent |
Owner name: TEKNOLOGIAN TUTKIMUSKESKUS VTT Free format text: TEKNOLOGIAN TUTKIMUSKESKUS VTT |
|
| FG | Patent granted |
Ref document number: 122011 Country of ref document: FI |
|
| MM | Patent lapsed |