FI114841B - Avbildningsanordningar, -system och -förfaranden - Google Patents

Avbildningsanordningar, -system och -förfaranden Download PDF

Info

Publication number
FI114841B
FI114841B FI964728A FI964728A FI114841B FI 114841 B FI114841 B FI 114841B FI 964728 A FI964728 A FI 964728A FI 964728 A FI964728 A FI 964728A FI 114841 B FI114841 B FI 114841B
Authority
FI
Finland
Prior art keywords
pixel
imaging
imaging device
charge
values
Prior art date
Application number
FI964728A
Other languages
English (en)
Finnish (fi)
Other versions
FI964728A0 (sv
FI964728A (sv
Inventor
Risto Olavi Orava
Tom Gunnar Schulman
Miltiadis Evangelos Sarakinos
Konstantinos Evange Spartiotis
Jouni Ilari Pyyhtiae
Original Assignee
Simage Oy
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from GB9410973A external-priority patent/GB2289979A/en
Priority claimed from GB9502419A external-priority patent/GB2289981A/en
Application filed by Simage Oy filed Critical Simage Oy
Publication of FI964728A0 publication Critical patent/FI964728A0/sv
Publication of FI964728A publication Critical patent/FI964728A/sv
Application granted granted Critical
Publication of FI114841B publication Critical patent/FI114841B/sv

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/29—Measurement performed on radiation beams, e.g. position or section of the beam; Measurement of spatial distribution of radiation
    • G01T1/2914—Measurement of spatial distribution of radiation
    • G01T1/2921—Static instruments for imaging the distribution of radioactivity in one or two dimensions; Radio-isotope cameras
    • G01T1/2928—Static instruments for imaging the distribution of radioactivity in one or two dimensions; Radio-isotope cameras using solid state detectors
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/16—Measuring radiation intensity
    • G01T1/24—Measuring radiation intensity with semiconductor detectors
    • G01T1/247—Detector read-out circuitry
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/29—Measurement performed on radiation beams, e.g. position or section of the beam; Measurement of spatial distribution of radiation
    • G01T1/2914—Measurement of spatial distribution of radiation
    • G01T1/2964—Scanners
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14665—Imagers using a photoconductor layer
    • H01L27/14676—X-ray, gamma-ray or corpuscular radiation imagers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/148—Charge coupled imagers
    • H01L27/14831—Area CCD imagers
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/48—Increasing resolution by shifting the sensor relative to the scene
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
    • H04N25/74—Circuitry for scanning or addressing the pixel array
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
    • H04N25/77—Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N5/00—Details of television systems
    • H04N5/30—Transforming light or analogous information into electric information
    • H04N5/32—Transforming X-rays
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N5/00—Details of television systems
    • H04N5/30—Transforming light or analogous information into electric information
    • H04N5/32—Transforming X-rays
    • H04N5/321—Transforming X-rays with video transmission of fluoroscopic images
    • H04N5/325—Image enhancement, e.g. by subtraction techniques using polyenergetic X-rays

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Molecular Biology (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Measurement Of Radiation (AREA)
  • Studio Devices (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
  • Cameras In General (AREA)
  • Apparatus For Radiation Diagnosis (AREA)
  • Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
  • Traffic Control Systems (AREA)

Claims (57)

1. Avbildningsanordning för avbildning av högenergetisk straining, där nämnda avbildninganordning innefattar 5 en pixelcellmatris, som innefattar en pixeldetektormatris och en pixelkretsmatris, och ett kretsarrangemang som är anordnatt att ackumulera straining frän nämnda pixelkretsmatris, kännetecknad därav, att pixelcellmatrisen innefattar ett 10 halvledardetektorsubstrat som innefattar en pixeldetektorkretsmatris som genererar en laddning som svar pä infallande straining, där varje pixelkrets är kopplad tili en motsvarande pixeldetektor för att ackumulera laddning frän 15 strälningen som infaller mot pixeldetektoren, där varje pixelkrets är enskillt adresserabar och innefattar ett kretsarrangemang för att ackumulera laddning frän strälning, som infaller mot motsvarande pixeldetektorer, när pixelkretsens 20 laddningackumuleringskretsar är anordnade för att avsätta en laddningackumuleringsegenskap som är tillräcklig för lagring av ätmistone 1,8 miljoner elektroner för ackumulering av laddning frän ett flertal pä varandra följande träffar av 25 högenergetisk strälning.
; *' 2. Avbildningsanordning enligt krav 1, kännetecknad därav, att varje pixelkrets • ’·· laddningsackumuleringskretsars kapacitans är över 30 0, 1 pf, företrädesvis över 0,3 pf.
'‘! 3. Avbildningsanordning enligt krav 2, kännetecknad * därav, att varje pixelkrets innefattar en laddningsackumuleringssanordning för ackumulering t35 laddning, dä laddningslagringsanordningens kapacitans substantiellt bildar en pixelkrets och en pixelcells inmatningsnodskapacitans. '• ti>
4. Avbildningsanordning enligt krav 2 eller 3, 40 kännetecknad därav, att varje pixelkrets innefattar ätminstone tvä transistorer, en första transistor som verkar säsom laddningslagringsanordning och en 72 1 1 4841 andra transistor sora verkar säsom utläsningskoppling, och som är mottaglig för en aktiveringssignal för anslutning av den första transistorn till en utgäng för utmatning av en ström 5 som representerar all ackumulerad laddning.
5. Avbildningsanordning enligt nägot av kraven 2-4, kännetecknad därav, att varje pixelkrets innefattar ätminstone tvä transistorer i ett 10 kaskodförstärkarsteg.
6. Avbildningsanordning enligt nägot av kraven 4 eller 5, kännetecknad därav, att transistorerna är fälteffekttransitorer. 15
7. Avbildningsanordning enligt krav 6, kännetecknad därav, att den första transistorns FET kapacitans substantiellt bildar en pixelkrets och pixelcells inmatningnodskapacitans. 20
8. Avbildningsanordning enligt nägot ev kraven 4-8, kännetecknad därav, att varje pixelkrets innefattar en ytterligare fälteffekttransistor som ansvarar för äterställning av laddningslagringsanordningen. 25 t -t
9. Avbildningsanordning enligt nägot föregäende krav, kännetecknad därav, att pixelkretsen innefattar I I ' överlastskyddskretsar, företrädesvis dioder, för : ·1 skydd mot over- och underspänning. ;· 3o .
10. Avbildningsanordning enligt nägot föregäende krav, kännetecknad därav, att innefattande ' elektriska resistansorgan för elektrisk separering av pixelceller. 35
:11. Avbildningsanordning enligt krav 10, kännetecknad därav, att de elektriska * 1 resistansorganen innefattar ett icke ledande passiveringsskikt mellan intilliggande 40 pixeldetektorer. 73 1 1 4841
12. Avbildningsanordning enligt krav 11, kännetecknad därav, att en spänning anbringas pä passiveringsskikt för att generera en potentialbarriär inom halvledarsubstratet under 5 passiveringskiktet för ytterligare elektrisk separering av pixelcellerna.
13. Avbildningsanordning enligt nägot av kraven 10-12, kännetecknad därav, att elektriska 10 resistansorgan innefattar en diod som bildar en del av pixelkretsen.
14. Avbildningsanordning enligt nägot av kraven 10-12, kännetecknad därav, att de elektriska 15 resistansorganen innefattar en bipolartransistor, som bildar en del av pixelkretsen.
15. Avbildningsanordning enligt krav 14, kännetecknad därav, att varje pixelkrets 20 bipolartransistors bas anordnads i den gemensamma potentialen.
16. Avbildningsanordning enligt nägot föregäende krav, kännetecknad därav, att i pixelkretsen 25 ackumulerade laddningsvärdet mätäs frän pixelkretsen som strömvärde, när pixelkretsen är förträdesvis » I < I kopplad/multipexad till en hastighet av hundratals '* '1 kilohertz eller snabbare. ·· 30
17. Avbildningsanordning enligt nägot föregäende . .·. krav, kännetecknad därav, att tvärsnitt av en pixelcell är i storleksklassen 1 mm eller mindre, • företrädesvis cirka 350 pm. . ‘j’ 35
18. Avbildningsanordning enligt nägot av kraven 1- i17, kännetecknad därav, att tvärsnittet av en pixelcell är cirka 150 μιη eller mindre, '«'·* företrädesvis cirka 50 μιη eller mindre och mest företrädesvis cirka 10 pm. 4o 74 1 1 4841
19. Avbildningsanordning enligt nägot föregäende krav, kännetecknad därav, att subtratets tjocklek är 200 μπι - 3 mm.
20. Avbildningsanordning enligt nägot föregaende krav, kännetecknad därav, att pixelkretsarna är integrerade i substratet och riktade med motsvarande pixeldetektorer.
21. Avbildningsanordning enligt nägot av kraven Ι- ΙΟ, kännetecknad därav, att pixelkretsarna är bildade i ett tillägssubstrat, där tillägssubstratet som innefattar pixelkretsar är kopplat tili substratet som innefattar pixeldetektorn, att varje 15 pixelkrets är riktad och kopplad tili en motsvarande pixeldetektor.
22. Avbildningsanordning enligt nägot föregäende krav, kännetecknad därav, att matrisen innefattar en 20 enda rad med pixeldetektorer och tillhörande pixelkretsar som bildar en slitsformad avbildningsanordning, eller ett flertal rader med pixeldetektorer och tillhörande pixelkretsar, som bildar en spärformad avbildningsanordning. 25 .
23. Avbildningsanordning enligt krav 22, ; kännetecknad därav, att de pixelkretsar som : motsvarar pixeldetektorerna är placerade lateralt j '·. bredvid pixeldetektorerna. ·· 30 .
24. Avbildningsanordning enligt nägot föregäende * I » krav, kännetecknad därav, att i vilken laddning kan t t · ’ ackumuleras pä varje pixelkrets under en period pä upp till storleksordningen 1 millisekund eller _ . 35 tiotals eller hundratals millisekunder före ;'**j utläsning.
'·*.* 25. Avbildningsanordning enligt nägot föregäende :,,,· krav i kombination med styrelektronik innefattande ,···, 40 adresseringslogik för adressering av enskilda pixelkretsar för utläsning av ackumulerade > 75 114841 laddningsvärden frän pixelkretsarna samt selektiv aterställning av pixelkretsarna.
26. Avbildningsanordning enligt krav 25, 5 kännetecknad därav, att adresseringslogiken innefattar organ för anslutning av utgängar hos pixelkretsarna tili en utgäng hos avbildningsanordningen, organ för avgivande av utläsningsaktiveringssignaler till 10 utläsningsaktiveringsingangar hos pixelkretsarna samt organ för avgivande av äterställningssignaler tili äterställningsingängar hos pixelkretsarna.
27. Avbilningsanordning enligt krav 26, kännetecknad 15 därav, att i vilken nämnda organ för anslutning av utgängar innefattar ett skiftregister eller en räknare för sekventiell anslutning av pixelkretsarnas utgängar för respektive pixelkolumner tili avbildningsanordningens utgäng. 20
28. Avbilningsanordning enligt krav 26 eller 27, kännetecknad därav, att organ för avgivande av utläsningsaktiveringssignaler innefattar ett skiftregister eller en räknare för sekventiell 25 avgivning av utläsningsaktiveringssignaler tili , . pixelkretsarnas utläsningsaktiveringsingangar för respertive pixelrader.
• 29. Avbilningsanordning enligt nägot krav 25-28, ·· 30 kännetecknad därav, att organ för avgivande av , äterställningssignaler innefattar ett skiftregister * · eller en räknare för sekventiell avgivning av • ’ äterställningssignaler tili pixelkretsarnas äterställningsingängar för respektive pixelvärde. 35
30. Avbilningsanordning enligt nägot krav 25-29, ,·, kännetecknad därav, att styrelektroniken innefattar '·*·* ett analog-digitalomvandlarsteg för att omvandla pixelkrets analoga laddningsvärde tili ett digitalt ,*·, 40 laddningsvärde. i a 76 1 1 4841
31. Avbilningsanordning enligt nägot krav 25-30, kännetecknad därav, att ätminstone en del av styrelektroniken är integrerad i samraa halvledarsubstrat som pixelkretsarna. 5
32. Avbildningsanordning enligt nägot föregäende krav, kännetecknad därav, att pixelkretsen är konfigurerad att tillhandhälla laddningslagringsorgan med en kapacitans och ett 10 dynamikomräde som är tillräckligt för lagring av 6 miljoner elektroner, företrädesvis 25 miljoner, mer företrädesvis 50 miljoner ech ännu mer företrädesvis 60 miljoner elektroner före utläsning eller äterställning. 15
33. Avbildningsanordning enligt nägot föregäende krav, kännetecknad därav, att varje pixelkrets innefattar organ för avfärdande av laddning frän en inkommande strälningsträff som motsvarar energi 20 mindre än ett pä förhand bestämt värde före ackumulering i pixelkretsen.
34. Avbildningsanordning enligt nägot föregäende krav kännetecknad därav, att halvledarsubstratet är 25 tillverkat av ett material som väljs frän: CdZnTe, . CdTe, Hgl2, InSb, GaAs, Ge, TIBr och Si. • f
' '.* 35. Avbildningssystem som innefattar en • "·· avbildningsanordning enligt nägot krav 25-34, ·· 30 kännetecknad därav, att avbildningssystemet Ml . innefattar en bildprocessor, som är ansluten tili * · !!! styrelektroniken, för behandling av digitala *'’ laddningsvärden som närletts frän respektive pixelkretsar för bildande av en bild för visning pä , 35 en displayanordning. > ·
36. Avbildningssystem enligt krav 35, kännetecknat därav, att processorn bestämmer högsta och lägsta laddningsvärden för pixlar för visning, tilldelar 40 extrema gräskale- eller färgvärden tili de högsta och lägsta laddningsvärdena och allokerar gräskale-eller färgväeden tili ett enskilt pixel enligt en 77 1 1 4841 glidskala mellan extremvärdena i beroende av laddningsvärdet för pixel.
37. Avbildningssystem enligt krav 36, kännetecknat 5 därav, att i vilken gräskale- eller färgvärdena allokeras i enlighet med följande formel: Gräskalevärde för pixel i = 10. iladdn-I^i^laddn) mingrä + ----------------X (maxgrä-mingrä) (itiaXiaddn-iuilliaddn)
38. Avbildningssystem som innefattar ett flertal 15 avbildningsanordningar enligt nägot av kraven 1-34 som lagts tätt ihop för bildande av en mosaik.
39. Avbildningssystem enligt krav 38, kännetecknat därav, att mosaiken innefattar flera tättlika 20 avbildningsanordningens kolumner, när avbildningsanordnigarna i angränsande kolumner är flyttade i förhällande motsvarande till varandra i kolumnens riktning.
40. Avbildningssystem enligt krav 38 eller 39, kännetecknat därav, att den innefattar organ för att stega eller flytta avbildningsanordningen och/eller ’> det objekt som skall avbildas för att ackumulera en * t i bild fran ett fullständigt avbildningsomräde. ( 30 .
41. Avbildningssystem enligt krav 38 eller 39, _. ! kännetecknat därav, att den innefattar tvä • avbilningsytor, som bäda innefattar en avbildningsanordnings mosaik, när avbildningsytorna 35 är anordnade sinsemellan substantiellt parallelt och pa avstand frän varandra sä, att objektet som skalt bildas är mellan ytorna, och mosaikerna är lateralt ’ >’ flyttade i förehällande tili varandra för att erhälla en fullkomlig avbild av objekten. /·. 40 • t
42. Avbildningssystem, som innefattar flera avbildningsanordningar enligt krav 1-34, 78 114841 kännetecknat därav, att avbildningsanordningarna är anordnad substantiellt tangentiellt kring omkretsen av en cirkel eller partiell cirkel för att omge en skiva av objektet som skall avbildas helt eller 5 partiellt exempelvis i datortomografiteknik.
43. Avbildningssystem enligt krav 42, kännetecknat därav, att avbildningsorganen är anordnade substantiellt tangentiellt kring flera cirklars 10 eller partiella cirklars omkretsar, som är flyttade i förhällande tili varandra i en riktning, som bildar en gemensam axel hos cirklarna eller de partiella cirklarna.
44. Avbildningssystem, som innefattar flera avbildningsanordningar enligt nägot krav 1-34, kännetecknat därav, att de är bildade som en tegellik mosaik, som anpasses tili arean och formen av objektet som skall avbildas. 20
45. Avbildningssystem, som innefattar flera avbildningsanordningar enligt nägot krav 1-34, kännetecknat därav, att de är bildade som tegellika mosaik, som partiellt eller helt omger objektet som 25 skall avbildas. * »
46. Avbildningssystem enligt nägot krav 38-45, * - > '· ' kännetecknat därav, att flera tegellika : ·· avbildningsanordningars bildutgängar är kopplad i _ 30 gemensamma multiplexer, vars utgäng är kopplad tili . . en gemensam analogdigitalomvandlare. » I
* * * * ‘ 47. Avbildningssystem enligt nägot krav 38-45, kännetecknat därav, att flera tegellika 35 avbildningsanordningars utgängar är ihopkedjade tili : _ : en gemensam analogdigitalomvandlare.
» * · • 48. Avbildningssystem enligt krav 46, kännetecknat därav, att multiplexers utgäng ger strömvärden, som 40 representerar den ackumulerade laddningen frän \ pixelkretsarna. 79 1 1 4841
49. Avbildningssystem enligt nägot krav 35-48, kännetecknat därav, att enskilda pixelkretsar adresseras för att lasa den ackumulerade laddningen i en hastighet, som optrimeras till 5 analogdigitalomvandlarens resolution för att omvandla de samlade analoga värdena till digitala värden.
50. Avbildningssystem enligt nägot krav 35-49, 10 kännetecknat därav, att där ackumuleras flerfaldiga bildramar antigen i en anolog eller i en digital omvandlingsfas eller efter i det bildbehandlingsfasen.
51. Avbildningssystem enligt nägot krav 35-50, kännetecknat därav, att i vilken anordnat att ackumulera bildramar vid pixelcellerna, att upprepat utläsa en upfriskad bild för visning och att äterställa pixelkretsarna med en frekvens som är 20 tillräcklig för att undvika mättning hos pixelkretsarnas laddningslagringsanordning.
52. Avbildningssystem, kännetecknat därav, att den innefattar en eller flera spring- eller öppninglika 25 avbildningsanordningar enligt krav 22 eller 23 och organ för att bildande av en relativ rörelse mellan ·, de spring- eller öppningslika ", avbildningsanordningarna och objektet som skall : avbildas i tvärgäende riktning i förhällande till ;· 30 avbildningsanordningens längdaxel för att ackumulera en perfekt bild over bildytan.
’ · '’ * 53. Användning av en avbildningsanordning enligt nägot krav 1-32 i ett förfarande för avbildning av 35 ackumulerande värden som motsvaras av respektive pixelposition inom en pixelmatris sasorn laddningsvärden som är ackumulerande för respektive ’.V pixelposition hos avbildningsanordningen, varvid ,,,1 förfarandet innefattar: 40. att bestämma högsta och längsta ackumulerade värden för pixlar inom en area hos pixelmatrisen som skall avbildas; so 1 1 4841 att tilldela gräskale- eller färgvärden vid extremerna av en grä- eller färgskala som skall avbildas till nämnda högsta och lägsta ackumulerade värden; och 5. att tildela gräskale- eller färgvärden till de ackumulerade värdena för enskilda pixlar som skalats i enlighet med extremvärdena; och att avbilda de tilldelade gräskale- eller färgvärdena vid respektive pixelpositioner. 10
54. Användning av en avbildningsanordning enligt nägot krav 1-32 vid ett föfarande för utförande av avbildning i realtid av ett organiskt eller icke-organiskt föremäl, varvid metoden innefattar: 15. att besträla föremälet med en strälkälla som genererar röntgen-, gamma-, beta eller aifasträining; att vid ett eller flera avbildningsplan av halvledartyp hos avbildningsanordningen detektera 20 icke absorbeomräden av föremälet, varmed den laddning som resulterar frän strälning som infaller successivt mot avbildningsanordningens respektive pixeldetektorer ackumuleras i respektive pixelkretsar; 25. att individuellt adressera pixelkretsarna för utläsning av ackumulerad laddning; • » · ) - att behandla den utlästa laddningen för '· ‘ ästadkommande av bildpixeldata; och * ’·. . att visa nämnda bildpixeldata. ..c* 30
, ,·, 55. Användning av en avbildningsanordning enligt ";'t nägot krav 1-34 eller ett avbildningssytem enligt ‘ nägot krav 35-52, innefattande: att utläsa den ackumulerade laddningen frän enskilda ’ 35 pixelkretsar med en frekvens för optimering av upplösningen för en analogdigitalomvandlare för omvandling av analoga, ackumulerade laddningsvärden tili digitala värden. >, 40
56. Användning av en avbildningsanordning enligt nägot krav 1-34 eller av ett avbildningssystem enligt nägot krav 35-52 för konventionell 8I 1 1 4841 röntgensträlning, för lungröntgen, för mammografi, för tomografi, för datortomografi, för spiraldatortomografi, för densiometri, för dentalröntgen, för panoramaröntgen, för 5 betasträlningsavbildning under använding av isotoper för sekvensbestämning av DNA, RNA och protein, hybridisering in situ, hybridisering av DNA, RNA och isolerad eller integrerad protein och allmänt för avbildning med betastraining ach autoradiografi 10 under användning av kromatografi och polymeraskedjereaktion, för avbildning med röntgen-och gammastraining vid produktkvalitetskontroll, för icke-förstörande provning och övervakningi realtid ach on-line, för säkerhetskontrollsystem och för 15 avbildning av rörelse.
57. Användning av en avbildningsanordning enligt nägot krav 1-34 eller av ett avbildningssystem enligt nägot krav 35-52 för infraröd avbildning, 20 avbildning av optiskt ljus eller avbildning av ultraviolett ljus. 25 * · · • 5 = * Έ · » » » » » > » • ' > I %
FI964728A 1994-06-01 1996-11-27 Avbildningsanordningar, -system och -förfaranden FI114841B (sv)

Applications Claiming Priority (10)

Application Number Priority Date Filing Date Title
GB9410973 1994-06-01
GB9410973A GB2289979A (en) 1994-06-01 1994-06-01 Imaging devices systems and methods
GB9421289A GB2289980A (en) 1994-06-01 1994-10-21 Imaging devices systems and methods
GB9421289 1994-10-21
GB9502419A GB2289981A (en) 1994-06-01 1995-02-08 Imaging devices systems and methods
GB9502419 1995-02-08
GB9508294 1995-04-24
GB9508294A GB2289983B (en) 1994-06-01 1995-04-24 Imaging devices,systems and methods
PCT/EP1995/002056 WO1995033332A2 (en) 1994-06-01 1995-05-29 Imaging devices, systems and methods
EP9502056 1995-05-29

Publications (3)

Publication Number Publication Date
FI964728A0 FI964728A0 (sv) 1996-11-27
FI964728A FI964728A (sv) 1996-12-02
FI114841B true FI114841B (sv) 2004-12-31

Family

ID=27451167

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FI964728A FI114841B (sv) 1994-06-01 1996-11-27 Avbildningsanordningar, -system och -förfaranden

Country Status (17)

Country Link
US (5) US5812191A (sv)
EP (1) EP0763302B1 (sv)
JP (1) JP3897357B2 (sv)
CN (1) CN1132408C (sv)
AT (2) ATE172343T1 (sv)
AU (1) AU691926B2 (sv)
CA (1) CA2191100C (sv)
DE (2) DE69505375T2 (sv)
DK (1) DK0763302T3 (sv)
ES (1) ES2123991T3 (sv)
FI (1) FI114841B (sv)
GB (1) GB2289983B (sv)
HK (1) HK1014819A1 (sv)
IL (1) IL113921A (sv)
NO (1) NO320777B1 (sv)
NZ (1) NZ287868A (sv)
WO (1) WO1995033332A2 (sv)

Families Citing this family (187)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2289983B (en) 1994-06-01 1996-10-16 Simage Oy Imaging devices,systems and methods
US6035013A (en) * 1994-06-01 2000-03-07 Simage O.Y. Radiographic imaging devices, systems and methods
GB2371196A (en) * 2000-12-22 2002-07-17 Simage Oy High energy radiation scan imaging system
US7136452B2 (en) 1995-05-31 2006-11-14 Goldpower Limited Radiation imaging system, device and method for scan imaging
JPH0946600A (ja) * 1995-08-02 1997-02-14 Canon Inc 撮像装置
GB2307785B (en) * 1995-11-29 1998-04-29 Simage Oy Forming contacts on semiconductor substrates for radiation detectors and imaging devices
US6236050B1 (en) * 1996-02-02 2001-05-22 TüMER TüMAY O. Method and apparatus for radiation detection
GB2311198B (en) * 1996-03-14 1998-05-06 Simage Oy Autoradiography imaging
GB2318411B (en) * 1996-10-15 1999-03-10 Simage Oy Imaging device for imaging radiation
GB2318448B (en) * 1996-10-18 2002-01-16 Simage Oy Imaging detector and method of production
JP2001518177A (ja) 1996-11-24 2001-10-09 ジーイー メディカル システムズ イスラエル リミテッド 固体ガンマ・カメラ
US6693666B1 (en) * 1996-12-11 2004-02-17 Interval Research Corporation Moving imager camera for track and range capture
US7199410B2 (en) * 1999-12-14 2007-04-03 Cypress Semiconductor Corporation (Belgium) Bvba Pixel structure with improved charge transfer
US6037577A (en) * 1997-03-11 2000-03-14 Kabushiki Kaisha Toshiba Amplifying solid-state image pickup device and operating method of the same
US6215898B1 (en) * 1997-04-15 2001-04-10 Interval Research Corporation Data processing system and method
US6515702B1 (en) * 1997-07-14 2003-02-04 California Institute Of Technology Active pixel image sensor with a winner-take-all mode of operation
US6157016A (en) * 1997-09-30 2000-12-05 Intel Corporation Fast CMOS active-pixel sensor array readout circuit with predischarge circuit
GB2332585B (en) * 1997-12-18 2000-09-27 Simage Oy Device for imaging radiation
GB2332800B (en) * 1997-12-18 2000-09-27 Simage Oy Device for imaging radiation
GB2332562B (en) 1997-12-18 2000-01-12 Simage Oy Hybrid semiconductor imaging device
GB2332608B (en) 1997-12-18 2000-09-06 Simage Oy Modular imaging apparatus
US6697108B1 (en) * 1997-12-31 2004-02-24 Texas Instruments Incorporated Fast frame readout architecture for array sensors with integrated correlated double sampling system
IL123006A (en) 1998-01-20 2005-12-18 Edge Medical Devices Ltd X-ray imaging system
JPH11220663A (ja) * 1998-02-03 1999-08-10 Matsushita Electron Corp 固体撮像装置およびその駆動方法
US6323490B1 (en) * 1998-03-20 2001-11-27 Kabushiki Kaisha Toshiba X-ray semiconductor detector
KR100280488B1 (ko) * 1998-06-09 2001-02-01 김영환 전자셔터 기능을 가지는 액티브 픽셀 센서 방식의 픽셀 구조
US6665010B1 (en) * 1998-07-21 2003-12-16 Intel Corporation Controlling integration times of pixel sensors
IL126018A0 (en) 1998-09-01 1999-05-09 Edge Medical Devices Ltd X-ray imaging system
US9029793B2 (en) * 1998-11-05 2015-05-12 Siemens Aktiengesellschaft Imaging device
US6236708B1 (en) * 1998-11-25 2001-05-22 Picker International, Inc. 2D and 3D tomographic X-ray imaging using flat panel detectors
JP3847494B2 (ja) * 1998-12-14 2006-11-22 シャープ株式会社 二次元画像検出器の製造方法
EP1018655B1 (en) * 1999-01-05 2003-12-10 Direct Radiography Corp. Readout sequence for residual image elimination in a radiation detection panel
US6326625B1 (en) 1999-01-20 2001-12-04 Edge Medical Devices Ltd. X-ray imaging system
US6646245B2 (en) * 1999-01-22 2003-11-11 Intel Corporation Focal plane averaging implementation for CMOS imaging arrays using a split photodiode architecture
JP2000214577A (ja) * 1999-01-25 2000-08-04 Mitsubishi Electric Corp パタ―ン歪検出方法、パタ―ン歪検出装置およびその記録媒体
JP2000267070A (ja) * 1999-03-18 2000-09-29 Alps Electric Co Ltd 液晶表示装置およびその駆動方法
FR2791469B1 (fr) * 1999-03-23 2001-04-13 Commissariat Energie Atomique Dispositif d'imagerie de rayonnement x et procede de realisation d'un tel dispositif
IL145489A0 (en) 1999-04-26 2002-06-30 Simage Oy Self-triggered imaging device for imaging radiation
US6263566B1 (en) 1999-05-03 2001-07-24 Micron Technology, Inc. Flexible semiconductor interconnect fabricated by backslide thinning
US6178225B1 (en) 1999-06-04 2001-01-23 Edge Medical Devices Ltd. System and method for management of X-ray imaging facilities
US7061062B2 (en) * 1999-07-01 2006-06-13 Gateway Inc. Integrated circuit with unified input device, microprocessor and display systems
US6693670B1 (en) * 1999-07-29 2004-02-17 Vision - Sciences, Inc. Multi-photodetector unit cell
DE19947536A1 (de) * 1999-10-02 2001-04-05 Philips Corp Intellectual Pty Verfahren zum Auslesen der Sensorelemente eines Sensors sowie Sensor
WO2001028298A1 (en) 1999-10-08 2001-04-19 Dentsply International Inc. Automatic exposure control for dental panoramic and cephalographic x-ray equipment
JP4613406B2 (ja) * 1999-11-05 2011-01-19 株式会社デンソー 受光素子、距離測定装置及び距離・画像測定装置
US6930714B2 (en) * 1999-12-08 2005-08-16 Digital Cinema Systems Corporation High speed film to digital conversion
DE19962229B4 (de) * 1999-12-22 2004-02-26 Siemens Ag Bildaufnahmesystem für ein medizinisches Diagnose- oder Behandlungsgerät
DE60110206T2 (de) 2000-02-02 2006-03-09 Gendex Corp. Automatische erkennung von röntgenstrahlung für interorales dentales röntgenbildaufnahmegerät
US7084905B1 (en) * 2000-02-23 2006-08-01 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Method and apparatus for obtaining high dynamic range images
FI120561B (sv) 2000-03-07 2009-11-30 Planmeca Oy Digitalkamera, avbildningsanordning och metod i digital avbildning
US6809769B1 (en) * 2000-06-22 2004-10-26 Pixim, Inc. Designs of digital pixel sensors
US7336309B2 (en) * 2000-07-05 2008-02-26 Vision-Sciences Inc. Dynamic range compression method
US7190390B2 (en) * 2000-07-10 2007-03-13 Honeywell International, Inc. LCD tile display
US6717151B2 (en) * 2000-07-10 2004-04-06 Canon Kabushiki Kaisha Image pickup apparatus
US6759641B1 (en) * 2000-09-27 2004-07-06 Rockwell Scientific Licensing, Llc Imager with adjustable resolution
GB0025463D0 (en) * 2000-10-17 2000-11-29 Isis Innovation Improvements in or relating to optical wireless communications
JP2002246582A (ja) * 2000-10-26 2002-08-30 Canon Inc 放射線検出装置、その製造方法及びシステム
JP3840050B2 (ja) * 2000-11-01 2006-11-01 キヤノン株式会社 電磁波変換装置
EP1353791A4 (en) 2000-11-27 2006-11-15 Vision Sciences Inc REDUCING THE PRONOUNCE OF IMAGE SENSORS
EP1356665A4 (en) * 2000-11-27 2006-10-04 Vision Sciences Inc CMOS IMAGE SENSOR WITH PROGRAMMABLE RESOLUTION
CN1273843C (zh) * 2000-12-22 2006-09-06 金色力量有限公司 一种用于扫描成像的辐射成像系统以及方法
GB0103133D0 (en) * 2001-02-08 2001-03-28 Univ Glasgow Improvements on or relating to medical imaging
US6642495B2 (en) * 2001-02-12 2003-11-04 Princeton Scientific Instruments Optical pulse counting imager and system
US7079178B2 (en) * 2001-02-20 2006-07-18 Jaroslav Hynecek High dynamic range active pixel CMOS image sensor and data processing system incorporating adaptive pixel reset
JP2002261262A (ja) * 2001-03-01 2002-09-13 Mitsubishi Heavy Ind Ltd イメージセンサ及びその製造方法
JP4269542B2 (ja) * 2001-06-04 2009-05-27 日本電気株式会社 トランジスタの動作点設定方法及びその回路、信号成分値変更方法並びにアクティブマトリクス型液晶表示装置
US6791091B2 (en) 2001-06-19 2004-09-14 Brian Rodricks Wide dynamic range digital imaging system and method
US7088394B2 (en) * 2001-07-09 2006-08-08 Micron Technology, Inc. Charge mode active pixel sensor read-out circuit
US7016461B2 (en) * 2001-07-25 2006-03-21 Gendex Corporation Real-time digital x-ray imaging apparatus
US7189971B2 (en) * 2002-02-15 2007-03-13 Oy Ajat Ltd Radiation imaging device and system
US7361881B2 (en) * 2002-03-13 2008-04-22 Oy Ajat Ltd Ganged detector pixel, photon/pulse counting radiation imaging device
US7170062B2 (en) * 2002-03-29 2007-01-30 Oy Ajat Ltd. Conductive adhesive bonded semiconductor substrates for radiation imaging devices
ITUD20020084A1 (it) * 2002-04-12 2003-10-13 Neuricam Spa Dispositivo elettronico selezionatore per sensori elettro-ottici
GB0212001D0 (en) * 2002-05-24 2002-07-03 Koninkl Philips Electronics Nv X-ray image detector
US7086859B2 (en) 2003-06-10 2006-08-08 Gendex Corporation Compact digital intraoral camera system
WO2004014232A1 (en) * 2002-07-25 2004-02-19 Gendex Corporation Real-time digital x-ray imaging apparatus and method
CN1225897C (zh) * 2002-08-21 2005-11-02 佳能株式会社 摄像装置
US7372495B2 (en) 2002-08-23 2008-05-13 Micron Technology, Inc. CMOS aps with stacked avalanche multiplication layer and low voltage readout electronics
JP2004112422A (ja) 2002-09-19 2004-04-08 Canon Inc 撮像装置
GB0224689D0 (en) 2002-10-23 2002-12-04 Simage Oy Formation of contacts on semiconductor substrates
ATE440383T1 (de) * 2002-10-25 2009-09-15 Ipl Intellectual Property Lice Schaltungssubstrat und verfahren
JP3667317B2 (ja) * 2002-11-26 2005-07-06 キヤノン株式会社 放射線断層撮影装置
US20040101108A1 (en) * 2002-11-27 2004-05-27 Boeing Management Company System and method of conducting digital x-ray analysis
US7223981B1 (en) 2002-12-04 2007-05-29 Aguila Technologies Inc. Gamma ray detector modules
DE60327809D1 (de) 2003-01-10 2009-07-09 Scherrer Inst Paul Photonenzähl-abbildungseinrichtung
SE525517C2 (sv) * 2003-03-06 2005-03-01 Xcounter Ab Anordning och förfarande för scanningbaserad detektering av joniserande strålning
US7316930B1 (en) 2003-04-21 2008-01-08 National Semiconductor Corporation Use of vertically stacked photodiodes in a gene chip system
WO2004095063A2 (en) * 2003-04-23 2004-11-04 Board Of Regents, The University Of Texas System Method and apparatus for slot scanning digital radiography
US7902976B2 (en) * 2003-07-12 2011-03-08 Radiation Watch Limited Ionising radiation detector
US7399274B1 (en) 2003-08-19 2008-07-15 National Semiconductor Corporation Sensor configuration for a capsule endoscope
US7005663B2 (en) * 2003-08-22 2006-02-28 Ge Medical Systems Global Technology Company, Llc Sampling methods and systems that shorten readout time and reduce lag in amorphous silicon flat panel x-ray detectors
EP1668387A1 (en) * 2003-09-24 2006-06-14 Koninklijke Philips Electronics N.V. Alignment method and apparatus for pixilated detector
DE10345240A1 (de) * 2003-09-29 2005-05-04 Infineon Technologies Ag Integrierte Schaltung mit Strahlungssensoranordnung
JP2007521863A (ja) * 2004-01-12 2007-08-09 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 半導体ベースの画像センサ
JP4594624B2 (ja) * 2004-01-13 2010-12-08 株式会社日立製作所 放射線検出装置および核医学診断装置
US7265327B1 (en) * 2004-02-09 2007-09-04 Dpix, L.L.C. Photodetecting sensor array
KR100994993B1 (ko) * 2004-03-16 2010-11-18 삼성전자주식회사 서브 샘플링된 아날로그 신호를 평균화하여 디지털 변환한영상신호를 출력하는 고체 촬상 소자 및 그 구동 방법
US20050237404A1 (en) * 2004-04-27 2005-10-27 Dmitri Jerdev Jfet charge control device for an imager pixel
JP2005341438A (ja) * 2004-05-28 2005-12-08 Fujitsu Ltd 固体撮像装置、および画素データ読出し電圧印加方法
EP1795918B1 (en) 2004-07-06 2013-02-27 Oy Ajat Ltd. High energy, real time capable, direct radiation conversion x-ray imaging system for CD-TE and CD-ZN-TE based cameras
US20060011853A1 (en) 2004-07-06 2006-01-19 Konstantinos Spartiotis High energy, real time capable, direct radiation conversion X-ray imaging system for Cd-Te and Cd-Zn-Te based cameras
EP1619495A1 (en) * 2004-07-23 2006-01-25 Nederlandse Organisatie voor toegepast-natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO Method and Apparatus for inspecting a specimen surface and use of fluorescent materials
US7355419B2 (en) * 2004-08-05 2008-04-08 International Business Machines Corporation Enhanced signal observability for circuit analysis
DE102005031252B4 (de) * 2005-01-28 2015-02-05 Johnson Controls Metals and Mechanisms GmbH & Co. KG Rückenlehneneinheit eines Kraftfahrzeugsitzes
US7750958B1 (en) 2005-03-28 2010-07-06 Cypress Semiconductor Corporation Pixel structure
US7808022B1 (en) 2005-03-28 2010-10-05 Cypress Semiconductor Corporation Cross talk reduction
US7742560B2 (en) 2005-05-02 2010-06-22 Oy Ajat Ltd. Radiation imaging device with irregular rectangular shape and extraoral dental imaging system therefrom
US9332950B2 (en) 2005-05-02 2016-05-10 Oy Ajat Ltd. Radiation imaging device with irregular rectangular shape and extraoral dental imaging system therefrom
GB0514998D0 (en) * 2005-07-21 2005-08-31 E2V Tech Uk Ltd Sensor with trigger pixels for imaging of pulsed radiation
US7505554B2 (en) * 2005-07-25 2009-03-17 Digimd Corporation Apparatus and methods of an X-ray and tomosynthesis and dual spectra machine
GB0517742D0 (en) 2005-08-31 2005-10-12 E2V Tech Uk Ltd Radiation sensor
WO2007038974A1 (en) * 2005-10-05 2007-04-12 Organisation Europeenne Pour La Recherche Nucleaire Method for determining a particle and sensor device therefor
US7208739B1 (en) 2005-11-30 2007-04-24 General Electric Company Method and apparatus for correction of pileup and charge sharing in x-ray images with energy resolution
US7456452B2 (en) * 2005-12-15 2008-11-25 Micron Technology, Inc. Light sensor having undulating features for CMOS imager
JP2007228460A (ja) * 2006-02-27 2007-09-06 Mitsumasa Koyanagi 集積センサを搭載した積層型半導体装置
JP4619985B2 (ja) * 2006-04-28 2011-01-26 住友重機械工業株式会社 放射線検出器および放射線検査装置
WO2008003351A1 (en) * 2006-07-04 2008-01-10 Mario Caria Imaging system with tiled sensor chips having partially overlapping active areas
US20080037703A1 (en) * 2006-08-09 2008-02-14 Digimd Corporation Three dimensional breast imaging
US7863578B2 (en) 2007-03-06 2011-01-04 Richard Brenner Detector for radiation therapy
EP2028509A1 (en) * 2007-08-09 2009-02-25 European Organisation for Nuclear Research CERN Radiation monitoring device
EP2196825A1 (en) * 2007-09-21 2010-06-16 National Institute of Radiological Sciences Beta ray detector and beta ray rebuilding method
JP2009117613A (ja) * 2007-11-06 2009-05-28 Toshiba Corp 半導体装置
US7961224B2 (en) * 2008-01-25 2011-06-14 Peter N. Cheimets Photon counting imaging system
JP5096946B2 (ja) * 2008-01-30 2012-12-12 浜松ホトニクス株式会社 固体撮像装置
CN101569530B (zh) * 2008-04-30 2013-03-27 Ge医疗系统环球技术有限公司 X-射线检测器和x-射线ct设备
JP5235506B2 (ja) * 2008-06-02 2013-07-10 キヤノン株式会社 パターン転写装置及びデバイス製造方法
JP5101402B2 (ja) * 2008-06-18 2012-12-19 浜松ホトニクス株式会社 固体撮像装置
CN102187658B (zh) * 2008-08-28 2015-07-15 美萨影像股份公司 具有菊花链电荷存储位点的解调像素以及其操作方法
EP2180599B1 (en) * 2008-10-24 2014-12-17 Advanced Silicon SA X-ray imaging readout and system
FR2938936B1 (fr) * 2008-11-25 2016-01-15 Sopro Dispositif d'acquisition d'images multifonction
FR2939965B1 (fr) * 2008-12-12 2010-11-26 E2V Semiconductors Circuit integre matriciel et notamment capteur d'image de grande dimension
US8106487B2 (en) 2008-12-23 2012-01-31 Pratt & Whitney Rocketdyne, Inc. Semiconductor device having an inorganic coating layer applied over a junction termination extension
JP5985136B2 (ja) * 2009-03-19 2016-09-06 ソニー株式会社 半導体装置とその製造方法、及び電子機器
US8117741B2 (en) 2009-04-07 2012-02-21 Oy Ajat Ltd Method for manufacturing a radiation imaging panel comprising imaging tiles
CN102449504B (zh) 2009-06-01 2015-02-04 皇家飞利浦电子股份有限公司 具有改进的量化能力的pet探测器系统
JP5267396B2 (ja) * 2009-09-16 2013-08-21 ソニー株式会社 画像処理装置および方法、並びにプログラム
KR101094180B1 (ko) * 2009-11-10 2011-12-14 주식회사바텍 파노라마 영상 획득 방법 및 장치
US20110205397A1 (en) * 2010-02-24 2011-08-25 John Christopher Hahn Portable imaging device having display with improved visibility under adverse conditions
CN102792677B (zh) 2010-03-08 2015-08-05 株式会社半导体能源研究所 半导体器件及其制造方法
GB201004121D0 (en) 2010-03-12 2010-04-28 Durham Scient Crystals Ltd Detector device, inspection apparatus and method
US9918023B2 (en) 2010-04-23 2018-03-13 Flir Systems, Inc. Segmented focal plane array architecture
TWI524752B (zh) * 2010-05-03 2016-03-01 量宏科技股份有限公司 用於高解析度影像及視訊擷取之裝置及方法
JP5559000B2 (ja) * 2010-10-12 2014-07-23 キヤノン株式会社 放射線撮像装置、放射線撮像装置の制御方法、およびプログラム
US8892184B2 (en) 2010-10-18 2014-11-18 Siemens Medical Solutions Usa, Inc. Systems and methods for reducing interference in a dual modality imaging system
JP5568004B2 (ja) 2010-12-27 2014-08-06 株式会社リガク Ｘ線検出器
JP5498933B2 (ja) 2010-12-27 2014-05-21 株式会社リガク Ｘ線検出器
US8692916B2 (en) * 2011-02-24 2014-04-08 Teledyne Dalsa, Inc. Continuous clocking mode for TDI binning operation of CCD image sensor
US8537245B2 (en) * 2011-03-04 2013-09-17 Hand Held Products, Inc. Imaging and decoding device with quantum dot imager
US20130129044A1 (en) * 2011-11-18 2013-05-23 Cyber Medical Imaging, Inc. Intraoral Radiographic Imaging Sensors with Minimized Mesial Imaging Dead Space
JP5592962B2 (ja) * 2012-02-03 2014-09-17 富士フイルム株式会社 放射線撮影装置とその制御方法、及び放射線撮影システム
DE102012202500B4 (de) * 2012-02-17 2018-05-30 Siemens Healthcare Gmbh Digitaler Röntgendetektor und Verfahren zur Korrektur eines Röntgenbildes
JP5895650B2 (ja) * 2012-03-28 2016-03-30 ソニー株式会社 撮像装置および撮像表示システム
WO2013170040A1 (en) 2012-05-11 2013-11-14 Intel Corporation Systems and methods for row causal scan-order optimization stereo matching
EP2693739A1 (en) * 2012-08-01 2014-02-05 Agilent Technologies, Inc. Electronic variable gain for x-ray detector
GB201214567D0 (en) 2012-08-15 2012-09-26 Kromek Ltd Detector and method of operation
US9261609B2 (en) 2012-08-20 2016-02-16 General Electric Company Apparatus and methods for charge collection control in radiation detectors
GB201303830D0 (en) * 2013-03-04 2013-04-17 Univ Glasgow Methods,unit and device relating to the manufacture,processing,synthesising or screening of radiopharmaceutical compositions
DE102013206404B3 (de) * 2013-04-11 2014-03-06 Siemens Aktiengesellschaft Sensorchip, computertomographischer Detektor diesen aufweisend, sowie ein Herstellungsverfahren und ein Betriebsverfahren dafür
DE102013206407B3 (de) * 2013-04-11 2014-03-06 Siemens Aktiengesellschaft Sensorchip, computertomographischer Detektor diesen aufweisend und Herstellungsverfahren dafür
JP6184153B2 (ja) * 2013-04-18 2017-08-23 オリンパス株式会社 Ａｄ変換回路および撮像装置
WO2014184714A1 (en) * 2013-05-16 2014-11-20 Koninklijke Philips N.V. Imaging detector
CZ2013669A3 (cs) 2013-08-30 2015-01-07 České vysoké učení technické v Praze Ústav technické a experimentální fyziky Detektor ionizujícího záření umožňující vytvoření souvislého digitálního obrazu
EP3060128B1 (en) * 2013-10-22 2020-08-05 Koninklijke Philips N.V. X-ray system, in particular a tomosynthesis system and a method for acquiring an image of an object
JP5953325B2 (ja) * 2014-02-19 2016-07-20 株式会社ツインピークス Ｃｃｄカメラ装置
US20160003672A1 (en) * 2014-07-25 2016-01-07 Varun Verma Multiplexer for single photon detector, process for making and use of same
CN105741239B (zh) * 2014-12-11 2018-11-30 合肥美亚光电技术股份有限公司 牙齿全景图像的生成方法、装置及用于拍摄牙齿的全景机
DE102015213911B4 (de) * 2015-07-23 2019-03-07 Siemens Healthcare Gmbh Verfahren zum Erzeugen eines Röntgenbildes und Datenverarbeitungseinrichtung zum Ausführen des Verfahrens
WO2017033675A1 (ja) * 2015-08-24 2017-03-02 株式会社日立製作所 放射線検出装置および医用画像撮像装置
JP2019502099A (ja) * 2015-11-19 2019-01-24 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェＫｏｎｉｎｋｌｉｊｋｅ Ｐｈｉｌｉｐｓ Ｎ．Ｖ． 画素ボリュームの構成方法
CN105372848B (zh) * 2015-11-27 2019-03-26 北京振兴计量测试研究所 一种红外微辐射阵列
US10338012B2 (en) * 2016-03-09 2019-07-02 Toshiba Medical Systems Corporation Photon counting detector and X-ray computed tomography (CT) apparatus
US10070748B2 (en) 2016-09-08 2018-09-11 Kenney Manufacturing Co. Curtain rod bracket and cam lock
US11002302B2 (en) 2016-09-08 2021-05-11 Kenney Manufacturing Company Rod bracket
JP6877772B2 (ja) * 2016-10-27 2021-05-26 株式会社リガク 検出器
CN110192123B (zh) 2017-01-23 2023-11-10 深圳帧观德芯科技有限公司 能识别和管理电荷共享的x射线检测器
EP3355355B1 (en) * 2017-01-27 2019-03-13 Detection Technology Oy Asymmetrically positioned guard ring contacts
WO2019065174A1 (ja) * 2017-09-29 2019-04-04 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 時間計測デバイスおよび時間計測装置
GB2569371B (en) * 2017-12-15 2022-01-12 Lightpoint Medical Ltd Direct detection and imaging of charged particles from a radiopharmaceutical
EP3884306A4 (en) * 2018-11-19 2022-08-17 Prismatic Sensors AB EDGE-ON PHOTON COUNT DETECTOR
CN109671737A (zh) * 2018-12-24 2019-04-23 上海洞舟实业有限公司 一种有机x射线成像板
CN111786659A (zh) * 2020-06-22 2020-10-16 西安交通大学 一种宽范围高精度电荷脉冲生成电路及工作方法
CN111783024B (zh) * 2020-06-24 2023-10-13 中国科学院国家空间科学中心 一种中性原子图像的局部三维磁层离子通量分布反演方法
FR3119708B1 (fr) * 2021-02-11 2023-08-25 Trixell Détecteur numérique à étages de conversion superposés
US11688821B2 (en) * 2021-07-26 2023-06-27 Henry Meyer Daghighian Wireless gamma and/or hard x-ray radiation detector
CA3237158A1 (en) * 2021-11-16 2023-05-25 Siemens Medical Solutions Usa, Inc Edge arrangment for tileable pixelated emission sensor
US20230342143A1 (en) * 2022-04-22 2023-10-26 Sap Se High-performance computer system and method for improved software event management
WO2024018038A1 (en) * 2022-07-21 2024-01-25 Asml Netherlands B.V. System and method for counting particles on a detector during inspection

Family Cites Families (121)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4106046A (en) 1977-01-26 1978-08-08 Westinghouse Electric Corp. Radiant energy sensor
US4188709A (en) 1977-02-07 1980-02-19 Honeywell Inc. Double sided hybrid mosaic focal plane
US4142199A (en) 1977-06-24 1979-02-27 International Business Machines Corporation Bucket brigade device and process
US4277684A (en) * 1977-08-18 1981-07-07 U.S. Philips Corporation X-Ray collimator, particularly for use in computerized axial tomography apparatus
US4239312A (en) 1978-11-29 1980-12-16 Hughes Aircraft Company Parallel interconnect for planar arrays
US4245158A (en) * 1979-03-26 1981-01-13 American Science And Engineering, Inc. Soft x-ray spectrometric imaging system
US4257057A (en) 1979-05-07 1981-03-17 Rockwell International Corporation Self-multiplexed monolithic intrinsic infrared detector
US4369458A (en) 1980-07-01 1983-01-18 Westinghouse Electric Corp. Self-aligned, flip-chip focal plane array configuration
DE3101504A1 (de) * 1981-01-19 1982-08-26 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Roentgendiagnostikeinrichtung mit einer roentgenstrahlenempfindlichen fernsehaufnahmeeinrichtung
CA1194987A (en) * 1981-09-30 1985-10-08 Yasuo Takemura Solid-state color television camera
US5315114A (en) 1981-12-18 1994-05-24 Texas Instruments Incorporated Integrated circuit detector array incorporating bucket brigade devices for time delay and integration
US4445117A (en) * 1981-12-28 1984-04-24 Hughes Aircraft Company Transistorized focal plane having floating gate output nodes
US4602289A (en) * 1982-05-31 1986-07-22 Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha Solid state image pick-up device
JPS59107688A (ja) * 1982-12-13 1984-06-21 Fuji Photo Film Co Ltd 半導体撮像装置
DE3309949A1 (de) * 1983-03-19 1984-09-20 Agfa-Gevaert Ag, 5090 Leverkusen Elektronische bildverarbeitungsvorrichtung
FR2554955B1 (fr) 1983-11-10 1989-05-26 Thomson Csf Barrette multilineaire a transfert de charge
FR2559957B1 (fr) 1984-02-21 1986-05-30 Thomson Csf Barrette multilineaire a transfert de charge
FR2564674B1 (fr) 1984-05-18 1986-09-19 Thomson Csf Barrette multilineaire a transfert de charge et procede d'analyse
DE3584477D1 (de) * 1984-06-30 1991-11-28 Shimadzu Corp Halbleiterstrahlungsdetektor.
US4817123A (en) 1984-09-21 1989-03-28 Picker International Digital radiography detector resolution improvement
JPH0719881B2 (ja) * 1985-05-01 1995-03-06 キヤノン株式会社 光電変換装置
GB8524880D0 (en) * 1985-10-09 1985-11-13 British Telecomm Video level control
JPH069242B2 (ja) * 1985-10-14 1994-02-02 富士写真フイルム株式会社 固体撮像素子およびその製造方法
JPS6286855A (ja) * 1985-10-14 1987-04-21 Fuji Photo Film Co Ltd 放射線用固体撮像素子
US4805023A (en) * 1985-10-15 1989-02-14 Texas Instruments Incorporated Programmable CCD imager defect compensator
US5220170A (en) * 1985-12-11 1993-06-15 General Imaging Corporation X-ray imaging system and solid state detector therefor
US5043582A (en) * 1985-12-11 1991-08-27 General Imagining Corporation X-ray imaging system and solid state detector therefor
FR2595153B1 (fr) * 1986-02-28 1990-12-07 Thomson Cgr Systeme d'imagerie numerique a reglage de l'echelle des gris, notamment pour la visualisation des vaisseaux sanguins
US4811371A (en) * 1986-05-16 1989-03-07 Rca Corporation Floating-diffusion electrometer with adjustable sensitivity
JPS6333075A (ja) * 1986-07-26 1988-02-12 Olympus Optical Co Ltd 固体撮像装置
DE3635687A1 (de) * 1986-10-21 1988-05-05 Messerschmitt Boelkow Blohm Bildaufnahmesensor
US4804854A (en) * 1987-02-16 1989-02-14 Shimadzu Corporation Low-noise arrayed sensor radiation image detecting system wherein each sensor connects to a buffer circuit
US4858013A (en) * 1987-03-19 1989-08-15 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Solid state imaging device with adaptive pixel correction
DE3714861A1 (de) * 1987-05-05 1988-11-24 Fraunhofer Ges Forschung Verfahren und vorrichtung zur aufbereitung von videosignalen
US4873708A (en) 1987-05-11 1989-10-10 General Electric Company Digital radiographic imaging system and method therefor
IL83213A (en) * 1987-07-16 1991-08-16 Technion Res & Dev Foundation Intelligent scan image sensor
FR2625594B1 (fr) 1988-01-05 1990-05-04 Thomson Csf Duplicateur de charges pour dispositif a transfert de charges
JPH0691462B2 (ja) 1988-02-04 1994-11-14 日本電気株式会社 アナログカウンタ回路
FR2627923B1 (fr) 1988-02-26 1990-06-22 Thomson Csf Matrice d'elements photosensibles et detecteur de radiations comportant une telle matrice, notamment detecteur de rayons x a double energie
JPH0795829B2 (ja) * 1988-07-26 1995-10-11 株式会社東芝 固体撮像装置
JPH0250584A (ja) * 1988-08-11 1990-02-20 Olympus Optical Co Ltd ダイナミックレンジ拡大システム
GB2222249B (en) * 1988-08-24 1992-07-08 Rosemount Ltd Optical sensor
FR2638286B1 (fr) * 1988-10-25 1990-12-07 Thomson Csf Dispositif photosensible du type a amplification du signal au niveau des points photosensibles
US4992878A (en) 1988-10-26 1991-02-12 Array Technologies, Inc. Image transducing apparatus using low resolution transducers to achieve high resolution imaging
US4947258A (en) 1988-10-26 1990-08-07 Array Technologies, Inc. Image transducing apparatus
US5012247A (en) 1988-11-21 1991-04-30 Hewlett-Packard Company Switched-capacitor analog-to-digital converter with autocalibration
US4900943A (en) 1989-01-03 1990-02-13 Honeywell Inc. Multiplex time delay integration
JPH0344966A (ja) 1989-07-13 1991-02-26 Sony Corp 固体撮像装置
EP0415541B1 (en) 1989-07-29 1994-10-05 Shimadzu Corporation Semiconductor-based radiation image detector and its manufacturing method
US5262649A (en) * 1989-09-06 1993-11-16 The Regents Of The University Of Michigan Thin-film, flat panel, pixelated detector array for real-time digital imaging and dosimetry of ionizing radiation
JPH0395976A (ja) * 1989-09-08 1991-04-22 Canon Inc 光電変換素子
US5315147A (en) 1989-09-25 1994-05-24 Grumman Aerospace Corporation Monolithic focal plane array
FR2652655A1 (fr) * 1989-10-04 1991-04-05 Commissariat Energie Atomique Dispositif matriciel de grandes dimensions pour la prise ou la restitution d'images.
US5262871A (en) * 1989-11-13 1993-11-16 Rutgers, The State University Multiple resolution image sensor
US5117114A (en) * 1989-12-11 1992-05-26 The Regents Of The University Of California High resolution amorphous silicon radiation detectors
AU7166291A (en) * 1989-12-22 1991-07-24 Manufacturing Sciences, Inc. Programmable masking apparatus
FR2656756B1 (fr) 1989-12-29 1994-01-07 Commissariat A Energie Atomique Dispositif pour prises de vues a circuits de balayage integres.
US5083016A (en) * 1990-03-27 1992-01-21 Hughes Aircraft Company 3-transistor source follower-per-detector unit cell for 2-dimensional focal plane arrays
US5140395A (en) * 1990-04-03 1992-08-18 Electromed International Ltd. X-ray sensor arrays
CA2040672C (en) * 1990-04-26 1995-05-30 Masaaki Kanashiki Image signal processing apparatus
US5182624A (en) * 1990-08-08 1993-01-26 Minnesota Mining And Manufacturing Company Solid state electromagnetic radiation detector fet array
US5168528A (en) 1990-08-20 1992-12-01 Itt Corporation Differential electronic imaging system
US5132796A (en) * 1990-09-04 1992-07-21 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method and apparatus for digitally processing gamma pedestal and gain
JPH04124965A (ja) * 1990-09-17 1992-04-24 Toshiba Corp 画像読取り方法及び画像読取り装置
JPH04170175A (ja) * 1990-11-02 1992-06-17 Canon Inc 固体撮像素子の駆動装置
JPH04172085A (ja) * 1990-11-05 1992-06-19 Mitsubishi Electric Corp 固体撮像装置
US5105087A (en) * 1990-11-28 1992-04-14 Eastman Kodak Company Large solid state sensor assembly formed from smaller sensors
US5153420A (en) * 1990-11-28 1992-10-06 Xerox Corporation Timing independent pixel-scale light sensing apparatus
US5134488A (en) * 1990-12-28 1992-07-28 David Sarnoff Research Center, Inc. X-Y addressable imager with variable integration
US5149954A (en) 1991-03-26 1992-09-22 Santa Barbara Research Center Hold capacitor time delay and integration with equilibrating means
DE4118154A1 (de) * 1991-06-03 1992-12-10 Philips Patentverwaltung Anordnung mit einer sensormatrix und einer ruecksetzanordnung
DE4129656C2 (de) * 1991-09-06 1994-02-10 Siemens Ag Wiedergabevorrichtung für Videosignale auf einem Monitor
US5264945A (en) * 1991-10-16 1993-11-23 Eastman Kodak Company Contact array scanners with circulating memory
US5401952A (en) * 1991-10-25 1995-03-28 Canon Kabushiki Kaisha Signal processor having avalanche photodiodes
GB2262383B (en) * 1991-12-09 1995-06-14 Sony Broadcast & Communication Charge-coupled image sensor
FR2685846B1 (fr) * 1991-12-31 1995-10-06 Thomson Csf Camera a detecteur, munie d'une protection electronique.
US5254480A (en) 1992-02-20 1993-10-19 Minnesota Mining And Manufacturing Company Process for producing a large area solid state radiation detector
US5406332A (en) * 1992-03-06 1995-04-11 Canon Kabushiki Kaisha Photoelectric converting device
FR2689684B1 (fr) * 1992-04-01 1994-05-13 Commissariat A Energie Atomique Dispositif de micro-imagerie de rayonnements ionisants.
US5245191A (en) * 1992-04-14 1993-09-14 The Board Of Regents Of The University Of Arizona Semiconductor sensor for gamma-ray tomographic imaging system
CA2095366C (en) * 1992-05-21 1999-09-14 Timothy C. Collins Hybridized semiconductor pixel detector arrays for use in digital radiography
FR2692423B1 (fr) 1992-06-16 1995-12-01 Thomson Csf Camera d'observation multistandard et systeme de surveillance utilisant une telle camera.
FR2693033B1 (fr) * 1992-06-30 1994-08-19 Commissariat Energie Atomique Dispositif d'imagerie de grande dimension.
EP0635892B1 (en) 1992-07-21 2002-06-26 Raytheon Company Bake-stable HgCdTe photodetector and method for fabricating same
US5291402A (en) 1992-08-07 1994-03-01 General Electric Company Helical scanning computed tomography apparatus
US5596200A (en) 1992-10-14 1997-01-21 Primex Low dose mammography system
JPH06205767A (ja) 1992-11-25 1994-07-26 Xerox Corp 放射線画像形成システム
US5319206A (en) * 1992-12-16 1994-06-07 E. I. Du Pont De Nemours And Company Method and apparatus for acquiring an X-ray image using a solid state device
US5315411A (en) 1993-01-04 1994-05-24 Eastman Kodak Company Dithering mechanism for a high resolution imaging system
US5565915A (en) * 1993-06-15 1996-10-15 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Solid-state image taking apparatus including photodiode and circuit for converting output signal of the photodiode into signal which varies with time at variation rate depending on intensity of light applied to the photodiode
EP0653881B1 (en) * 1993-11-17 2001-08-16 Canon Kabushiki Kaisha Solid-state image pickup device
US5526394A (en) 1993-11-26 1996-06-11 Fischer Imaging Corporation Digital scan mammography apparatus
FR2714501B1 (fr) 1993-12-23 1996-01-26 Thomson Csf Sommateur de tensions, et mosaïque de sommateurs, pour appareil d'imagerie thermique.
US6035013A (en) 1994-06-01 2000-03-07 Simage O.Y. Radiographic imaging devices, systems and methods
GB2289983B (en) 1994-06-01 1996-10-16 Simage Oy Imaging devices,systems and methods
US5629524A (en) * 1995-02-21 1997-05-13 Advanced Scientific Concepts, Inc. High speed crystallography detector
KR0167889B1 (ko) 1995-06-09 1999-02-01 김주용 반도체 소자의 비아홀의 형성방법
FR2735632B1 (fr) 1995-06-14 1997-07-11 Commissariat Energie Atomique Dispositif et procede de numerisation pour detecteurs photosensibles et procede de lecture d'une matrice de detecteurs photoniques
GB2307785B (en) 1995-11-29 1998-04-29 Simage Oy Forming contacts on semiconductor substrates for radiation detectors and imaging devices
FR2751500B1 (fr) 1996-07-16 1998-10-23 Thomson Csf Circuit de lecture de barrettes de photodetecteurs
GB2318411B (en) 1996-10-15 1999-03-10 Simage Oy Imaging device for imaging radiation
SE511425C2 (sv) 1996-12-19 1999-09-27 Ericsson Telefon Ab L M Packningsanordning för integrerade kretsar
US5898332A (en) 1997-03-28 1999-04-27 Northern Telecom Limited Time delay charge integration circuit
GB2325081B (en) 1997-05-06 2000-01-26 Simage Oy Semiconductor imaging device
US5917881A (en) 1997-05-20 1999-06-29 Fischer Imaging Corporation Digital scan mammography apparatus utilizing velocity adaptive feedback and method
GB2332608B (en) 1997-12-18 2000-09-06 Simage Oy Modular imaging apparatus
US6459077B1 (en) 1998-09-15 2002-10-01 Dalsa, Inc. Bucket brigade TDI photodiode sensor
US6563539B1 (en) 1998-09-18 2003-05-13 Nortel Networks Limited Charge transfer circuit for use in imaging systems
GB2343577B (en) 1998-11-05 2001-01-24 Simage Oy Imaging device
US6228673B1 (en) 1999-05-13 2001-05-08 Hughes Electronics Corporation Method of fabricating a surface coupled InGaAs photodetector
US6278181B1 (en) 1999-06-28 2001-08-21 Advanced Micro Devices, Inc. Stacked multi-chip modules using C4 interconnect technology having improved thermal management
US6617681B1 (en) 1999-06-28 2003-09-09 Intel Corporation Interposer and method of making same
US6864484B1 (en) 1999-07-26 2005-03-08 Edge Medical Devices, Ltd Digital detector for x-ray imaging
JP5016746B2 (ja) 2000-07-28 2012-09-05 キヤノン株式会社 撮像装置及びその駆動方法
IL137579A (en) 2000-07-30 2006-12-31 Orbotech Medical Solutions Ltd Gamma-ray detector for coincidence detection
FR2820243B1 (fr) 2001-01-31 2003-06-13 Univ Paris Curie Procede et dispositif de fabrication d'un detecteur electronique en gaas pour la detection de rayons x pour l'imagerie
JP4653336B2 (ja) 2001-04-18 2011-03-16 浜松ホトニクス株式会社 エネルギー線検出器及び装置
US7385286B2 (en) 2001-06-05 2008-06-10 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor module
US6645787B2 (en) 2002-01-22 2003-11-11 Technion Research And Development Foundation Ltd. Gamma ray detector
US7189971B2 (en) 2002-02-15 2007-03-13 Oy Ajat Ltd Radiation imaging device and system
US6952042B2 (en) 2002-06-17 2005-10-04 Honeywell International, Inc. Microelectromechanical device with integrated conductive shield

Also Published As

Publication number Publication date
CA2191100C (en) 2001-09-11
US6856350B2 (en) 2005-02-15
WO1995033332A3 (en) 1996-01-18
NO965104L (no) 1997-02-03
CN1155955A (zh) 1997-07-30
GB2289983B (en) 1996-10-16
FI964728A0 (sv) 1996-11-27
NO965104D0 (no) 1996-11-29
DE69505375D1 (de) 1998-11-19
US20030164888A1 (en) 2003-09-04
DE69533967T2 (de) 2006-06-14
JPH10505469A (ja) 1998-05-26
HK1014819A1 (en) 1999-09-30
WO1995033332A2 (en) 1995-12-07
NO320777B1 (no) 2006-01-30
AU2672095A (en) 1995-12-21
ES2123991T3 (es) 1999-01-16
US20020089595A1 (en) 2002-07-11
US5812191A (en) 1998-09-22
US8169522B2 (en) 2012-05-01
GB2289983A (en) 1995-12-06
JP3897357B2 (ja) 2007-03-22
GB9508294D0 (en) 1995-06-14
IL113921A0 (en) 1995-08-31
EP0763302B1 (en) 1998-10-14
CN1132408C (zh) 2003-12-24
US20010001562A1 (en) 2001-05-24
EP0763302A2 (en) 1997-03-19
DE69533967D1 (de) 2005-03-03
CA2191100A1 (en) 1995-12-07
ATE288170T1 (de) 2005-02-15
AU691926B2 (en) 1998-05-28
DK0763302T3 (da) 1999-06-23
DE69505375T2 (de) 1999-04-08
US20010002844A1 (en) 2001-06-07
NZ287868A (en) 1997-04-24
FI964728A (sv) 1996-12-02
ATE172343T1 (de) 1998-10-15
IL113921A (en) 1997-04-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
FI114841B (sv) Avbildningsanordningar, -system och -förfaranden
US6035013A (en) Radiographic imaging devices, systems and methods
EP0854639B1 (en) Imaging device, system and method
EP2705385B1 (en) X-ray and gamma ray imaging device (&#34;pid&#34;) with a two dimensional array of pixels
JP5701743B2 (ja) 放射線検出器、画像システム、光子を検出するための方法及びその方法を実行するコンピュータプログラム
WO2014097546A1 (en) Imaging device, electronic apparatus and imaging method
EP0444869B1 (en) Apparatus and method for detecting images
CA2639498C (en) Device and pixel architecture for high resolution digital imaging
EP2215834A1 (en) Cmos sensor adapted for dental x-ray imaging
KR20170131454A (ko) 이중 게이트 tft 구조를 사용한 장치 및 방법
US6718010B2 (en) Method and apparatus for acquiring a series of images utilizing a solid state detector with alternating scan lines
TW293902B (sv)
GB2289981A (en) Imaging devices systems and methods
JP6988796B2 (ja) Ｘ線検出装置
Ott et al. A CsI-active pixel sensor based detector for gamma ray imaging

Legal Events

Date Code Title Description
PC Transfer of assignment of patent

Owner name: GOLDPOWER LIMITED

Free format text: GOLDPOWER LIMITED

PC Transfer of assignment of patent

Owner name: IPL INTELLECTUAL PROPERTY LICENSING LIMITED

Free format text: IPL INTELLECTUAL PROPERTY LICENSING LIMITED

PC Transfer of assignment of patent

Owner name: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT

Free format text: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT

MA Patent expired