JPS6333075A - 固体撮像装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、静電誘導トランジスタを用いた固体撮像装置
に関する。

〔従来の技術〕

従来、固体撮像装置としてはＭＯＳ）ランジタスを使用
したもの、或いはＣＯＤ、ＢＢＤ等の電荷結合デバイス
を使用したものが一般的である。しかし、ＭＯ３Ｉ−ラ
ンジスタを使用したものは、出力信号が微弱であり、信
号対雑音比が悪く、光感度も低いと云う欠点があり、ま
たＣＯＤ、ＢＢＤ等を用いたものは電荷転送時に電荷の
損失があり、製造も困難である等の欠点がある。これら
の欠点を解決するものとして、例えば本願人の出願に係
わる特開昭５８−１０５６７２号公報に開示されている
ような、各画素に静電誘導トランジスタ（Ｓｔａｔｉｃ
　Ｉｎｄｕｃｔｉｏｎ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ　；以下
ＳＩＴと称する）を備えた固体撮像装置が提案されてい
る。

更に、本発明者等は、上記出願の発明を改良した固体撮
像装置も種々提案しており、この内の１つの例を第７図
につき説明する。

第７図Ａは、ＳＩＴにより固体撮像装置を構成する一画
素の構造図であり、第７図Ｂは固体撮像装置の回路構成
図である。

第７図Ａにおいて、ＳＩＴのドレインとして作用するｎ
゛シリコン基板１上にはチャネル領域となるｎ−エピタ
キシャルＮ２が堆積されている。このエピタキシャル層
２には浅いｎ０ソース領域３が形成されており、このソ
ース領域３はエピタキシャル層２内でｐ゛ゲート２Ｍ域
４よって囲まれている。ゲート領域４上にはＭＯＳキャ
パシタ５が形成されており、このキャパシタ５を介して
パルスが供給される。ゲート領域４が逆バイアスされる
と、このゲート９Ｍ域の外側には空乏層が形成される。

この空乏層の箇所に光が入射して正孔−電子対が生成さ
れると、電子はソース３及びドレイン領域１に掃き出さ
れ、正孔はゲー）　？ｉＪｉ域４に蓄積されるようにな
る。このためゲート電位が上昇し、ドレインとソースと
の間の電流は上記電圧変化により変調され、光に依存し
て増幅された信号が得られる。なお、第７図Ａにおける
６は各画素を分離するための分離領域である。

第７図Ｂにおいて、１０−１１．１０−１２．−・・・
−１０−２１゜１０−２２．・・・・・・−・・・、・
・−・−・−、１０−４４は、それぞれ第７図Ａに示し
た構成を有している画素を構成するＳＩＴであり、ここ
では説明を便宜上これらのＳＩＴを４行４列に縦横に配
列した例を示している。′４？ｉに配列されるＳＩＴの
各ソースは列ライン１１−１．１１−２．−・・−−−
−−−−１１−４に共通に接続されており、これらの列
ラインは水平選択スイッチを構成するトランジスタ１３
−１．１３−２．・・−・・−・〜・１３−４を介して
ビデオライン１４に接続されている。水平選択スイッチ
１３−１〜１３−４の各ゲートは水平走査回路１５に接
続されており、これらの各ゲートには水平走査パルスφ
８１．φ３！、−・−・−・φ、４が加えられる。

一方、横に配列されるＳＩＴのゲートはキャパシタを介
して行ライン１２−１．１２−２．−・・・−・・・・
・１２−４にそれぞれ接続されており、これらの各行ラ
インは垂直走査回路１６に接続されて、垂直走査パルス
φ。３．φ、、−・−・−・φ６４を上記様に配列され
るＳＩＴのゲートに印加する。

上記垂直走査パルスが成る行ラインに印加されることに
より画素行が選択され、水平走査パルスにより画素列が
選択されると、交点の画素の光信号電荷が読み出される
。このようにして、水平及び垂直走査パルスが順次出力
されることにより各画素が順次走査されて１画面分の信
号が得られる。

第８図は上記固体撮像装置を動作させるパルスのタイミ
ングを示す信号波形図を示し、第９図は該装置のエリア
センサの中の１つの画素ＳＩＴに着目した場合の回路構
成図である。

第８図において、ゲート選択（垂直走査）パルスφ。は
２種類の高レベルＶＩＩＤ及びｖ、Ｉ！を有するパルス
であり、各ラインの水平走査期間１Ｍ間は読み出しレベ
ルＶＲＤＯ値をとり、それに続く水平ブランキング期間
ｔｌＬにはリセットレベル■。となる。ソース選択（水
平走査）パルスφ、は各水平走査期間ごとに高レベルと
なり、横に並ぶ画素を順次走査する。リセットパルスφ
ｌＩｓは各水平ブランキング期間ごとに高レベルとなる
パルスであり、信号が読み出された画素のリセット作用
を行なう。

第９図において、画素ＳＩＴのゲート電位Ｖ５　、ソー
ス電位Ｖ、の時間的な変化を説明する＋＋ＣＯＤはゲー
ト・ドレイン間の寄生容量。

ＣＣＳはゲート・ソース間の寄生容量、Ｃｓはソースラ
インの浮遊容量Ｉ　ＲＯＮは水平選択用のＭＯＳトラン
ジスタＴ、のオン抵抗である。

第１０図は、上記固体撮像装置における画素ＳＩＴに、
水平走査パルス−３，垂直走査パルスφ。、リセ７）パ
ルスφつが印加された時の画素ＳＩＴのゲート電位ＶＧ
＋　　ソース電位■、の時間的な変化を示したものであ
る。なお、φ、は後述するゲート・ソース間のビルトイ
ン電圧である。

以下、第８図〜第１０図を参照して順次に説明をする。

＋１１時間ｔ、において φｍ−Ｖ□（〉φＢ）、φえがＨｉｇｈレベルになると
ソース電位Ｖ、はＧＮＤにリセットされ、■Ｇ　＝φヨ
　（ゲート・ソース間のビルトイン電圧）となる。

（２）時間ｔ２において パルスφＧ、φ、がＧＮＤになると、ゲート電位ｖ、、
は次式で与えられる逆バイアス状態となり、光積分を開
始する。

ここで、Ｃ１−Ｃａｓ　＋　Ｃａ。

（３）時間ｔ３において 光積分時間であり、光の照射によって生成されたＱ、は
ゲート容量（Ｃｃ　＋ＣＪ　）に蓄積される。上記Ｑ。

は次式で与えられる。

Ｑｐｈ””　Ｇｔ　　’　Ａ−Ｐ　’　ｔ　！ｈｃ−Ｇ
Ｌ−Ａ−Ｅ　　　−・−・−（２）ここで、ＧＬは生成
率（μＡ／μＷ）、Ａは受光面面積（ｃｄ）　Ｐは光の
放射照度（μＷ／ｃｄ）　、　　ｔ　１ｆｉｔは積分時
間（Ｓ）、Ｅは露光量（Ｅ　＝　Ｐ−ｔ　ｔａｔ　）　
テある。ゲート電圧Ｖ、は上記（１）式及び（２）式よ
り Ｇ （４）時間ｔ４において φＧ−ｖ１１１．になるとゲート電位ｖ０はＣ，＋ＣＪ となる＊　Ｖ　Ｇ　４　＞　”Ｊ　Ｐであると（ここで
、Ｖデは画素ＳＩＴのドレイン電流が流れ始めるゲート
・ソース間電位差でありピンチオフ電圧と称している）
画素ＳＩＴのドレイン電流・が流れ、ソースライン容量
Ｃ８を充電する。この充電はゲート・ソース間の電位差
ｖｅｓがＶ、となるまで続く、従って、ソース電位は次
式で与えられる。

Ｖ、＜φ３であるので、画素ＳＩＴのｐ０ゲートからｎ
１ソースへの電位はほとんど流れない。

（５）時間ｔ、において パルスφ、がＨｉｇｈレベルとなり、ソースラインはＭ
ＯＳ）ランジスタＴ３　　（オン抵抗Ｒ０Ｎ）を通して
負荷抵抗ＲＬに接続される。出力■。ｕｔは時間的に変
化し次式で与えられる。

第１１図は水平選択パルスφ３がＨｉｇｈレベルとなっ
た時の画素ＳＩＴのゲート電位■６．ソース電位ＶＳ、
出力■。、の時間的な変化を示す。第１１図において、
水平選択パルスφ、がＨｉｇｈレベルになると画素ＳＩ
Ｔのｐ０ゲートとｎ０ソースは順方向となりｐｎダイオ
ード電流が流れ、ゲート容量に蓄積された信号電荷は、
ソースに流出する。すなわち、光信号電荷は破壊され、
ゲート電位■。、ソース電位ｖ３共に減少する。

従って、上記（６）式で与えられる出力Ｖ　ｏ　ｕ　ｔ
　は、上記（５）式と同（６）式のＶ、（ｔ）に代入し
た時の値よりも小さくなる。

〔発明が解決しようとする問題点１ 以上の説明から明らかなように、従来の光電変換素子と
してＳＩＴを用いた固体撮像装置においては、光信号電
荷の読み出し時に光信号電荷が流出する、いわゆる破壊
読み出しであり、出力電流も従来のＭＯＳセンサーに比
較してかなり大きいものの、更に大出力化への期待に対
して対応することができない。

本発明は上記従来の種々の欠点に着目してなされたもの
で、橿めて多数の画素数を有し、高い光感度、優れた高
性能、高密度、且つ積分時間内にその積分時間に応じた
画素信号を非破壊で読み出すことのできる固体撮像装置
を提供することを目的とする。

ｃ問題点を解決するための手段及び作用〕上記口約達成
のだめの本発明による固体撮像装置の基本回路構成を第
１図に示す。

第１図において、静電誘導トランジスタ（ＳＩ　Ｔ　）
　３０−１１．３０−１２．・・−・−・・−・−３０
−２３はマトリックス状に縦横に配列し、縦に配列する
ＳＩＴの各ソースは列ライン３１−１．３１−２−・−
・−・・・−に共通に接続し、横に配列するＳＩＴのゲ
ートはキャパシタを介して行ライン３２−１　、３２−
２．−・−・・・−にそれぞれ接続する。上記列ライン
は水平選択スイッチを構成するトランジスタ３３−１．
３３−２．−・−・〜・−・−を介してビデオライン３
４に接続されている。このビデオライン３４にはリセッ
ト用トランジスタ３５が設けられている。上記トランジ
スタ３３−１．３３−２．−・−一−−−−−・の各ゲ
ートは水平走査回路３６に接続されており、各ゲートに
は水平走査パルスφ１．φ５！＋・−・−・−が加えら
れる。また、上記列ライン３１−１．３２−２−・・・
・−にはＭｏＳトランジスタから成るスイッチ３７−１
゜３７−２．・・−・−を設けるか又は設けない構成（
図示せず）になっている、上記行ライン３２−１．３２
−２・・・−−−一−−−には垂直走査回路３８に接続
されて、垂直走査パルスφ。１．φ。２．−・−・−を
上記横に配列されるＳＩＴのゲートに印加する。

上記のような構成により、静電誘導トランジスタとキャ
パシタとから成る画素にて光信号電荷が増幅された際に
、上記リセット用トランジスタに印加するパルスが）Ｉ
ｉｇｈレベルになったとき行ラインに印加するパルスを
ｌ、ｏｗレベルとして、上記静電誘導トランジスタのゲ
ート容量に蓄積された光信号電荷を破壊することなく該
光信号電荷に応じた出力を取り出すようにしたものであ
る。

〔実施例〕

本発明による固体撮像装置の実施例を図面を参照して説
明する。

第２図は本発明の第１の実施例を示す回路構成図であり
、本実施例では本出願人が既に提案した上記固体撮像装
置における回路構成の負荷抵抗の代りにＭＯＳ）ランジ
スタを設けたものである。

第３図は画素を構成する各ＳＩＴのソース又はゲートに
加える本実施例のパルスのタイミングを示す信号波形図
である。なお、本実施例の一画素の構造図は第７図Ａと
同様であるのでその説明は省略する。また、本実施例で
は画素を構成するＳＩＴを便宜上、４行４列に縦横に配
列した例を示す。

第２図および第３図において、上記第７図Ａと同一構造
を有している各画素を構成する静電誘導トランジスタ（
Ｓ　Ｉ　Ｔ　）４０−４１．４０−１２．−・−・−−
−−−−４０−１４，４０−２１，４０−２２，・−・
−・・−４０−２４，−・・・−・・−４０−４４はマ
トリックス状に縦横に配列し、縦に配列するＳＩＴの各
ソースは列ライン４１−１．４１−２．・・−・・−４
１−４に共通に接続し、横に配列するＳＩＴのゲートは
キャパシタを介して行ライン４２−１．４２−２．・−
・・−４２−４にそれぞれ接続する。列ライン４１−１
．４２−２゜・−・・・・・４１−４には上記Ｓ　Ｉ　
Ｔ２Ｏ−１１，−−−−−−・・−・４０−４４のソー
スを接続し、この列ラインには水平選択スイッチを構成
するトランジスタ４３−１．４３−２．・−・・−・−
４３−４を介してビデオライン１４に接続する。このビ
デオライン４４には、エンハンスメント型のＭＯＳトラ
ンジスタ５１のゲートを接続し、このＭＯＳトランジス
タ５１のソースとデイプリージョン型のＭｏ３）ランジ
スタ５２のドレインを接続し、このＭｏ３Ｉ−ランジス
タ５２のゲートとソースを接地する。更に、この接続点
と上記ビデオライン４４に［Ｅしたエンハンスメント型
のＭＯＳトランジスタ５３のソースを接続する。上記Ｍ
ＯＳトランジスタ５１と同５２によってオンチップのソ
ースフォロワ型のアンプ５４を構成する。なお、ソース
フォロワ型のアンプ５４は２段の回路ｉ成としてもよい
、上記ＭＯＳ）ランジスタ５１のドレインに電位源■、
を接続し、また、ＭＯＳトランジスタ５３のゲートには
リセットパルスφえ。

が印加されるようにし、更に、ＭＯＳトランジスタ５１
と同５２のそれぞれのソースとドレインの接続点にはビ
デオライン４４からの画像出力信号Ｖ　ｏｕ＆を取り出
すように構成する。上記水平選択スイッチ用のトランジ
スタ４３−１．４３−２．・・・−・・・・・−４３−
４の各ゲートは水平走査回路４５に接続し、上記各ゲー
トには・水平走査パルスφ５８．φ、２−・・・・・・
−・φ、４を印加する。また、上記行ライン４２−１．
４２−２．・−・−・−・４２−４は垂直走査回路４６
に接続し、これらの行ラインには垂直走査パルスφ６１
．φ。Ｚｒ−・・−・φ６４を印加する。

第３図においては、所定の積分時間ｊ！ｆｉｔ内で１回
の非破壊読み出しを行なっている。

（Ｉ）の読み出し及びリセット動作によって積分を開始
する。この読み出しは上述の従来例の場合と同様である
。

（ＩＩ）の非破壊読み出し動作において、φｃｔ＝φ。

となるとＳＩＴのソース電位Ｖ、は上記（５）式で与え
られる値となる。上述のようにｖＰくφ、である為、Ｓ
ＩＴのｐ′″ゲートからｎ４ソースへの電流は流れずソ
ースライン容量Ｃ８は、ＳＩＴのドレイン・ソース電流
によって充電される。φ、ＩがＨｉｇｈレベルになると
ソースラインの電位ｖ３はＭＯ５Ｉ−ランジスタ５１の
ゲートに伝達されて出力Ｖｏｕｔは、 Ｖｏｕｔｍａ・■３ となる。ここでａはソースフォロワ型のアンプ５４の利
得（ａ＜１）である、電流が流れる経路がない為、ＳＩ
Ｔのゲートに蓄積されている光信号電荷は保持されたま
まである。更に、上述の第１１図と比較してソース電位
Ｖ、をそのまま読み出す為にＶＯＩＩＬ　−ａ−Ｖ’ｓ
　（但し、ａく１）となるが、大出力が得られることに
なる。

次に、上述の従来例の読み出し方式において、φｃ　、
−Ｖ　ｌ　ｓとしたタイミングにφｃ　ｒ　＝　Ｇ　Ｎ
　ＤとすればＳＩＴはリセットされることなくゲート電
圧はφＧ、　−’Ｊ　、ｌ、で印加時の値に戻り積分を
続行することができる。すなわち、非破壊読み出しが実
現できることになる。

（Ｉ［［）の読み出し及びリセット動作によって光信号
電荷の読み出しが行なわれ新たな積分動作が開始される
。第３図においては１回の非破壊読み出しを行なってい
るが、これは１回に限らず光信号電荷が飽和する以前で
あれば何回でも非破壊読み出しを行なうことができる。

第４図は本発明の第２の実施例を示す回路構成図であり
、ここに第２図と同様な作用を成す素子には同一参照番
号を付け、その説明は省略する。

本実施例では、水平選択スイッチを構成するトランジス
タ４３−Ｌ　４３−２．・−・・−・−・４３−４と列
ライン４１−１．４１−２．・・−・・・・・−４１−
４との間にＭＯＳ）ランジスタ４７−１　、４７−２．
・−・−・−４７−４を設けたものである。これらＭＯ
３Ｉ−ランジスタの各ドレインは表面より電極を介して
配線し、電源Ｖ６６に共通に接続する。動作は第３図に
示すパルスタイミングにより上記第１の実施例と同様の
動作をする。ゲート選択パルスφＧ１が電圧レベルＶＩ
Ｄとなることにより行ライン４２−１が選択され、各画
素を構成するＳ　Ｉ　Ｔ２Ｏ−１１，４０−１２，・・
・・・−・−４０−１４のゲート電位に応じて列ライン
４１−１の電位が上昇する。続いてソース選択パルスφ
、ｌが高レベルとなることにより水平選択スイッチを構
成するトランジスタ４３−１がターン・オンし、ＭＯＳ
トランジスタ４７−１は列ライン４１−１に接続された
ＭＯＳゲート電位の上昇に応じた電流をアンプ５４に出
力し、従ってＳ　Ｉ　Ｔ２Ｏ−１１の画素信号が読み出
される。

以下同様にしてＳ　Ｉ　Ｔ２Ｏ−１２，４０−１３，４
０−１４の信号が順次読み出され、続く水平ブランキン
グ期間にリセントバルスφ■が高レベルとなることによ
りＳ　Ｉ　Ｔ２Ｏ−１１，４０−１２，−・−・−・−
４０−１４及び列ライン４１−１．４１−２．・−・−
・・−・−・４１−４のリセットが行なわれる。以下同
様にしてＳ　Ｉ　Ｔ２Ｏ−２１，４０−２２，−−−−
−−−・−４０−３１，４０−３２，・−・・−４０−
４４の各画素の信号読み出し、リセットが行なわれ一画
面の信号が得られる。

ＭＯＳ）ランジスタを用いた場合の固体撮像素子の回路
構成としては、第４図に示した以外に種々の変形が可能
である。第５図Ａ、Ｂ、Ｃ及びＤはそれらの変形例の一
部分を示したもので１す、ここに第４図と同様な作用を
成す素子には同一参照番号を付して示しである。なお、
第６図は第５図Ｂ、Ｃ及びＤの実施例のパルスのタイミ
ングを説明する信号波形図である。

第５図ＡはＭＯＳ）ランジスタ４７−Ｌ４７−２．−・
−・−１−１・−の各ドレインを電ＲＶ　ｏ。でなく、
水平走査回路の出力φ、１．φｇ工、−・・・・・・−
に接続したものであり、このようにすれば’ｌ　ＲＶ　
ｏ　ｏの配線が不要となる。

第５図ＢはＭＯＳ）ランジスタ４７−１．４’７−２．
−・−のドレインへの電源ＶＤＤの接続をオン・オフす
るものであり、ＭＯ３Ｉ−ランジスタ４７−１　、４７
−２、−・・・−・−のソースは共通にアンプ５４に接
続し、これらのＭＯＳトランジスタのドレインのドレイ
ンと水平選択スイッチ用トランジスタ４３−１．４３−
２、・・−・・−との接続点には、これらの接続点をリ
セットさせるためにＭＯＳ）ランジスタ４９−１．４９
−２−・−・−・−を接続する。ＭＯＳトランジスタ４
９−１．４９−２．・−・・−・・のゲートには、第６
図に示すように、ソース選択パルスφ５６．φ、２．・
・・−・−・が低レベル状態にある期間中これらのトラ
ンジスタ４９−１．４９−２．−一・・−・・・・をタ
ーン・オンさせるためのパルスφ、を供給する。

第５図Ｃは列ライン４１−１．４１−２．・−・・・・
とＭＯＳトランジスタ４７−１．４７−２．・−・・−
・のゲートとの接続をオン・オフするものであり、ＭＯ
Ｓトランジスタ４７−１．４７−２．−・・・・・・−
のドレインと水平選択スイッチ用トランジスタ４３−１
．４３−２．−・−・−・・との接続点には、これらの
接続点をリセットさせるためにＭＯＳ）ランジスタ４９
−１．４９−２．−・−・・−を接続する。

これらのＭＯＳトランジスタのゲートには第６図に示す
ようにソース選択パルスφ３１．φＳＺ＋・−・−・−
が低レベル状態にある期間中に、これらのＭＯＳトラン
ジスタ４９−１．４９−２．・−・・−・・・をターン
・オンさせるためのパルスφＨを供給する。

第５図りは水平選択スイッチ用トランジスタ４３−１．
４３−２．・−・−・−によって選択された各列ライン
４１−１．４１−２．・−・・−・−の電位を単一のＭ
ＯＳトランジスタ４７でのゲートを受けて出力するもの
である。

列選択ライン６０には、このラインをリセットさせるた
めにＭＯＳ）ランジスタ４９を接続する。

このＭＯＳ）ランジスタ４９のゲートには第６図に示す
ようにソース選択パルスφ８８．φＳＺ＋’−・・・−
・・・が低レベル状態にある期間中にこのＭＯＳトラン
ジスタ４９をターン・オンさせるためのパルスφイを供
給する。

（発明の効果〕 本発明による固体撮像装置は、ＭＯＳトランジスタ、Ｃ
ＣＤ等による固体撮像装置では実現不可能な非破壊読み
出しのできる固体撮像装置を提供することができる。

従って、新たな画像処理等への応用が期待される。また
、同時に非破壊読み出しが行なえるような回路構成であ
るので、例えば、ソースラインをＭＯ３Ｉ−ランジスタ
のゲートに接続することにより従来の読み出し方式より
も大出力電圧が得られろ。

さらに本発明による固体撮像装置は、従来と全く同一の
工程を用いて製造することができ、製造の困難性或いは
コストアップ等を生じないで固体撮像装置を提供するこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明による固体↑最像装置の基本回路構成図
； 第２図は本発明による固体撮像装置の第１の実施例を示
す回路構成図； 第３図は第２図の第１の実施例の動作を説明するための
信号波形図； 第４図は同じく本発明による固体撮像装置の第２の実施
例を示す回路構成図； 第５図はＡ、Ｂ、Ｃ，及びＤは第４図の第２の実施例の
種々の変形例を示す回路構成図；第６図は第５図の種々
の変形例の動作を説明するための信号波形図； 第７図Ａ及びＢは従来の固体撮像装置を構成する一画素
の構造図及び該装置の回路構成図；第８図は従来の固体
撮像装置の動作を説明するための信号波形図； 第９図は従来の固体撮像装置のエリアセンサの中の画素
ＳＩＴの回路構成図； 第１０図は従来の固体↑最像装置の画素ＳＩＴにパルス
が加わったときの時間的変化を説明するための信号波形
図； 第１１図は同じ〈従来の固体撮像装置の画素ＳＩＴにパ
ルスが加わったときの時間的変化を説明するための信号
波形図をそれぞれに示すものである。 ３０４１．３０−１２．・・・−・−・−・−、３０−
２１，３０−２２，−・−・−、４０−１１゜４０−１
２．・・・−・・−、４０−２１，４０−２２，−・−
−−−−・・、−・−・−・・・−静電誘導トランジス
タ。 ３１−１．３１−２．−・・・・・・・−・、　４１−
１．４１−２．−・−１・−・石・列ライン３２−１．
３２−２．−・・・・−、４２−１，４２−２，−−−
−−、−−ｍ−−・曲杆ライン３５．４９，５３．−・
−・・・・−・リセット用トランジスタ。 ３７−１．３７−２．−−・・・・−・−・、　４７−
１．４７−２．−・・、−曲スイッチ特許出廟人 オリンパス光学工業株式会社：　　） ゛、−一ノ 第１図 第６図 第７図 第７図 第８図 第９図 第１０図 第１１図 手舵売ネ…正書　（自　発）　　　　　　　　　　　）
昭和６１年１１月２０日 １、事件の表示 第 昭和６１年特許願１７６２９０号 ２、Ｒ明の名称 固体撮像装置 ３、？［ｉ正をする者 ：別紙） （１）明細書第２頁第１１行の「本願人の出願に係わる
」を削除する。 （２）同書第５頁第３行の「光信号電荷」を「光信号電
流」に訂正する。 （３）同書第５頁第１９行の「φ。」を「φえ」に訂正
する。 （４）同書第６頁第１８行の［φｍ”Ｖ＊ｓ（＞φ、」
を「φ。−Ｖ’ｓ（＞φ、）」に訂正する。 （５）同書第７頁第６行の（１１式 訂正する。 （６）同書第７頁第９行〜同頁第１０行の「生成された
Ｑ、ｋ」を「生成された光電荷Ｑ□」に訂正する。 （７）同書第９頁第１行〜同頁第４行のｒＶａａ−−・
−・・・・・・−・・−・・−・・−はとんど流れない
、」をＶ、＜φ、であるので、画素ＳＩＴのＰ１ゲート
上からｎ゛ソースの電流はほとんど流れない。」 （８）同書第１０頁第４行の「上記（５）式とＪを「上
記（５）式を」に訂正する。 （９）同書第１０頁第９行の「光信号電荷」を「光信号
」に訂正する。 （１０）同書第１２頁第４行〜同頁第５行の「光信号電
荷が増幅された後に、」を「光信号が読み出された後、
」に訂正する。 （１１）同書第１２頁第９行〜同頁第１０行の「破壊す
ることなく該光信号電荷」を「破壊することなく次の読
み出し期間に該光信号電荷」に訂正する。 （１２）同書第１３頁第９行のｒ４０−４１Ｊをｒ４０
−１１Ｊに訂正する。 （１３）同書第１５頁第１３行の「φ、」を「φ富」に
訂正する。 （１４）同書第１６頁第８行〜同頁第１４行の「ｖｏ。 〒−ａ−Ｖえ、−・−・・・・・−・−続行することが
できる。」を次のように訂正する。 ｒＶｏｕｙ　＝ａ−Ｖｓ　　（但し、ａく１）となるが
、大出力を得られることになる。 次に、上記の従来例の読み出し方式において、φ。−Ｖ
□としたタイミングにφ、−ＧＮＤとすればＳＩＴはリ
セツトされることなくゲート電圧はφ。−Ｖ。印加時の
値に戻り積分を続行することができる。」 （１５）同書第１７貰第１９行の「列ライン４１−１の
電位が上昇する。」を「列ライン４１−１．４１−２゜
４１−３　、４１−４の電位が上昇する。」に訂正する
。 （１６）同書第１８頁第２行〜同頁第５行のｒＭｏ　Ｓ
トランジスタ・・−−−一−−−−読み出される。」を
次のように訂正する。 ｒＭｏ３）ランジスタ４７−１とトランジスタ４３−１
を介してソースライン４１−１の電位を読み出し、従っ
てＳ　Ｉ　Ｔ２Ｏ−１１の画素信号が読み出される。」 （１７）同書第１９頁第１０行の「共通にアンプ５４に
接続」を「共通に負荷抵抗ＲＬに接続」に訂正する。 （１８）同書第２１頁第１０行〜同頁第１４行の「同時
に・＝・−・・−電圧を得られる。」を削除する。 （１９）同書第２２頁第８行の「及びＤ」を削除する。 （２０）明細書に添付した図面の内、「第１図」。 「第３図」、「第４図」、「第５図Ａ」、「第５図Ｂ」
、「第５図Ｃ」をそれぞれ別添の図面のように訂正し差
し替える。 （２１）明細書に添付した図面の内、「第５図ＤＪを特
徴する

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 複数本の行ラインと、複数本の列ラインと、上記列ライ
   ンにソース電極を接続した静電誘導トランジスタと、上
   記静電誘導トランジスタのゲート電極と前記行ラインと
   の間に接続されたキャパシタと、上記列ラインに接続さ
   れたリセット用トランジスタと列ラインにスイッチを介
   しまたは該スイッチを設けないでゲートが接続されたト
   ランジスタとを備え、上記静電誘導トランジスタのゲー
   ト容量に蓄積された光信号電荷を破壊することなく該光
   信号電荷に応じた出力を取り出すようにしたことを特徴
   とする固体撮像装置。