ES2707148T5 - Conjunto de iluminación LED hortícola - Google Patents

Conjunto de iluminación LED hortícola Download PDF

Info

Publication number
ES2707148T5
ES2707148T5 ES15158427T ES15158427T ES2707148T5 ES 2707148 T5 ES2707148 T5 ES 2707148T5 ES 15158427 T ES15158427 T ES 15158427T ES 15158427 T ES15158427 T ES 15158427T ES 2707148 T5 ES2707148 T5 ES 2707148T5
Authority
ES
Spain
Prior art keywords
light
emission
led
wavelength
radiation
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
ES15158427T
Other languages
English (en)
Other versions
ES2707148T3 (es
Inventor
Lars Aikala
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Valoya Oy
Original Assignee
Valoya Oy
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=41136428&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=ES2707148(T5) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Valoya Oy filed Critical Valoya Oy
Publication of ES2707148T3 publication Critical patent/ES2707148T3/es
Application granted granted Critical
Publication of ES2707148T5 publication Critical patent/ES2707148T5/es
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • AHUMAN NECESSITIES
    • A01AGRICULTURE; FORESTRY; ANIMAL HUSBANDRY; HUNTING; TRAPPING; FISHING
    • A01GHORTICULTURE; CULTIVATION OF VEGETABLES, FLOWERS, RICE, FRUIT, VINES, HOPS OR SEAWEED; FORESTRY; WATERING
    • A01G7/00Botany in general
    • A01G7/04Electric or magnetic or acoustic treatment of plants for promoting growth
    • A01G7/045Electric or magnetic or acoustic treatment of plants for promoting growth with electric lighting
    • AHUMAN NECESSITIES
    • A01AGRICULTURE; FORESTRY; ANIMAL HUSBANDRY; HUNTING; TRAPPING; FISHING
    • A01GHORTICULTURE; CULTIVATION OF VEGETABLES, FLOWERS, RICE, FRUIT, VINES, HOPS OR SEAWEED; FORESTRY; WATERING
    • A01G9/00Cultivation in receptacles, forcing-frames or greenhouses; Edging for beds, lawn or the like
    • A01G9/20Forcing-frames; Lights, i.e. glass panels covering the forcing-frames
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21KNON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21K9/00Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21KNON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21K9/00Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
    • F21K9/20Light sources comprising attachment means
    • F21K9/23Retrofit light sources for lighting devices with a single fitting for each light source, e.g. for substitution of incandescent lamps with bayonet or threaded fittings
    • F21K9/238Arrangement or mounting of circuit elements integrated in the light source
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21KNON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21K9/00Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
    • F21K9/60Optical arrangements integrated in the light source, e.g. for improving the colour rendering index or the light extraction
    • F21K9/64Optical arrangements integrated in the light source, e.g. for improving the colour rendering index or the light extraction using wavelength conversion means distinct or spaced from the light-generating element, e.g. a remote phosphor layer
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21VFUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V7/00Reflectors for light sources
    • F21V7/04Optical design
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/08Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a plurality of light emitting regions, e.g. laterally discontinuous light emitting layer or photoluminescent region integrated within the semiconductor body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • H01L33/507Wavelength conversion elements the elements being in intimate contact with parts other than the semiconductor body or integrated with parts other than the semiconductor body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52Encapsulations
    • H01L33/54Encapsulations having a particular shape
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21YINDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2101/00Point-like light sources
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21YINDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2115/00Light-generating elements of semiconductor light sources
    • F21Y2115/10Light-emitting diodes [LED]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • H01L33/501Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502Wavelength conversion materials
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • H01L33/501Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502Wavelength conversion materials
    • H01L33/504Elements with two or more wavelength conversion materials
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58Optical field-shaping elements
    • H01L33/60Reflective elements
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B45/00Circuit arrangements for operating light-emitting diodes [LED]
    • H05B45/30Driver circuits
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P60/00Technologies relating to agriculture, livestock or agroalimentary industries
    • Y02P60/14Measures for saving energy, e.g. in green houses
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S47/00Plant husbandry
    • Y10S47/06Plant growth regulation by control of light thereon

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Environmental Sciences (AREA)
  • Ecology (AREA)
  • Forests & Forestry (AREA)
  • Botany (AREA)
  • Biodiversity & Conservation Biology (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Cultivation Of Plants (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Non-Portable Lighting Devices Or Systems Thereof (AREA)
  • Arrangement Of Elements, Cooling, Sealing, Or The Like Of Lighting Devices (AREA)
  • Circuit Arrangement For Electric Light Sources In General (AREA)

Description

DESCRIPCIÓN
Conjunto de iluminación LED hortícola
Antecedentes de la invención
Campo
La presente descripción se refiere al uso de LED en aplicaciones de iluminación hortícola. En particular, la presente descripción se refiere a un accesorio de iluminación para facilitar el crecimiento de plantas que comprende al menos un diodo emisor de luz (LED) que tiene características espectrales que incluyen un pico en el intervalo de longitud de onda de 600 a 700 nm. La presente descripción también se refiere a componentes de emisión de luz novedosos que son particularmente adecuados para facilitar el crecimiento de plantas y que comprenden un chip semiconductor compuesto de emisión de luz.
Descripción de la técnica relacionada
En la Tierra, el sol es la fuente principal de radiación electromagnética visible (es decir, luz) e invisible y el principal factor responsable de la existencia de vida. La energía solar neta diaria promedio que alcanza la Tierra es aproximadamente 28 * 10A23 J (es decir, 265 EBtu) [1]. Este valor es 5500 veces superior que el consumo de energía principal anual mundial, estimado en 2007, que es de 479 PBtu [1]. La distribución espectral de la radiación del sol, como puede medirse en la superficie de la Tierra, tiene una banda de longitud de onda amplia de entre aproximadamente 300 nm y 1000 nm [1].
Sin embargo, únicamente el 50 % de la radiación que alcanza la superficie es radiación fotosintéticamente activa (PAR) [1]. La PAR, según las recomendaciones de la CIE (Comisión Internacional de la Iluminación) comprende la región de longitud de onda de entre 400 nm y 700 nm del espectro electromagnético [1]. Las leyes de la fotoquímica pueden expresar en general la manera en la que las plantas reciben la radiación. El carácter dual de la radiación hace que se comporte como una onda electromagnética cuando se propaga en el espacio y como partículas (es decir, fotón o cuanto de energía radiante) cuando interactúa con la materia [1]. Los fotorreceptores son los elementos activos que existen principalmente en las hojas de la planta responsables de la captura de fotones y la conversión de su energía en energía química [1].
Debido a la naturaleza fotoquímica de la fotosíntesis, la tasa fotosintética, que representa la cantidad de desprendimiento de O2 o la cantidad de fijación de CO2 por unidad de tiempo, se correlaciona bien con el número de fotones que inciden por unidad de área por segundo en una superficie foliar [1]. Por lo tanto, las cantidades recomendadas para la PAR están basadas en el sistema cuántico y se expresan usando el número de moles (mol) o micromoles (pmol) de fotones [1]. La expresión recomendada para informar y cuantificar mediciones instantáneas de PAR es la densidad de flujo de fotones fotosintético (PPFD), y se expresa típicamente en pmoles/m2/s [1]. Esto proporciona el número de moles de fotones que inciden en una superficie por unidad de área por unidad de tiempo [1]. La expresión flujo de fotones fotosintético (PPF) se usa también frecuentemente para referirse a la misma cantidad [1].
Los fotorreceptores que existen en organismos vivos, tales como plantas, usan la energía radiante capturada para mediar procesos biológicos importantes [1]. Esta mediación o interacción puede tener lugar en una diversidad de formas [1]. La fotosíntesis junto con el fotoperiodo, fototropismo y fotomorfogénesis, son los cuatro procesos representativos relacionados con la interacción entre la radiación y las plantas [1]. La siguiente expresión muestra la ecuación química simplificada de la fotosíntesis [1]:
6 H2O 6 CO2(+ energía de los fotones) ^ C6H12O6+ 6 O2
Como se verá a partir de la ecuación, los carbohidratos, tales como el azúcar de glucosa (C 6H12O6), y el oxígeno (O2), son los productos principales del proceso de la fotosíntesis [1]. Estos se sintetizan a partir de dióxido de carbono (CO2) y agua (H2O) usando la energía de los fotones aprovechada usando fotorreceptores especializados, tales como clorofilas, y convirtiéndola en energía química [1].
A través de la fotosíntesis, la energía radiante se usa también como la fuente principal de energía química, que es importante para el crecimiento y el desarrollo de las plantas [1]. Naturalmente, el equilibrio de los reactivos de entradasalida de la ecuación también depende de la cantidad (es decir, número de fotones) y de la calidad (es decir, energía de los fotones) de la energía radiante y, por consiguiente, también de la biomasa producida de las plantas [1]. El “ fotoperiodo” se refiere a la capacidad que tienen las plantas para detectar y medir la periodicidad de la radiación, el fototropismo al movimiento de crecimiento de las plantas hacia y lejos de la radiación, y la fotomorfogénesis al cambio en forma en respuesta a la calidad y cantidad de radiación [1].
Los espectros de absorción típicos de los fotorreceptores fotosintéticos y fotomorfogenéticos más comunes, tales como la clorofila a, clorofila b y betacaroteno, y las dos formas interconvertibles de fitocromos (Pfr y Pr) se presentan en la Figura 1 [1].
Las respuestas fotomorfogenéticas, al contrario de la fotosíntesis, pueden conseguirse con cantidades de luz extremadamente bajas [1]. Los diferentes tipos de fotorreceptores fotosintéticos y fotomorfogenéticos pueden agruparse en al menos tres fotosistemas conocidos: fotosintético, fitocromo y criptocromo o azul/UV-A (ultravioleta A) [1].
En el fotosistema fotosintético, los pigmentos existentes son clorofilas y carotenoides [1]. Las clorofilas están localizadas en los tilacoides de los cloroplastos localizados en las células mesófilas foliares de las plantas [1]. La cantidad o la energía de la radiación es el aspecto más significativo, puesto que la actividad de esos pigmentos está estrechamente relacionada con la recolección de luz [1]. Los dos picos de absorción más importantes de clorofila están localizados en las regiones del rojo y del azul de 625 a 675 nm y de 425 a 475 nm, respectivamente [1]. De forma adicional, existen también otros picos localizados en el UV cercano (300-400 nm) y en la región del rojo lejano (700­ 800 nm) [1]. Los carotenoides, tales como las xantofilas y carotenos, están localizados en los orgánulos plástidos de los cromoplastos en células de las plantas y se absorben principalmente en la región del azul [1].
El fotosistema fitocromo incluye las dos formas interconvertibles de fitocromos, Pr y Pfr, que tienen sus picos de sensibilidad en el rojo a 660 nm y en el rojo lejano a 730 nm, respectivamente [1]. Las respuestas fotomorfogenéticas mediadas por los fitocromos están normalmente relacionadas con la detección de la calidad de luz a través de la relación de rojo (R) a rojo lejano (FR) (R/FR) [1]. La importancia de los fitocromos puede evaluarse mediante las diferentes respuestas fisiológicas donde estén implicados, tales como expansión foliar, percepción de vecinos, evitación de sombras, alargamiento de tallo, germinación de semillas e inducción de la floración [1]. Aunque la respuesta de evitación de sombras se controla normalmente mediante los fitocromos a través de la detección de la relación de R/FR, la luz azul y el nivel de la PAR están también implicados en las respuestas morfológicas adaptativas relacionadas [1].
Los fotorreceptores sensibles al azul y al UV-A (ultravioleta A) se encuentran en el fotosistema criptocromo [1]. Los pigmentos de absorción de luz azul incluyen tanto criptocromos como fototropinas [1]. Están implicados en varias tareas diferentes, tales como monitorizar la calidad, cantidad, dirección y periodicidad de la luz [1]. Los diferentes grupos de fotorreceptores sensibles al azul y al UV-A median respuestas morfológicas importantes tales como los ritmos endógenos, orientación de órganos, alargamiento de tallo y apertura de los estomas, germinación, expansión foliar, crecimiento de la raíz y fototropismo [1]. Las fototropinas regulan el contenido pigmentario y la situación de los órganos y orgánulos fotosintéticos para optimizar la recepción de luz y la fotoinhibición [1]. A medida que la exposición a la radiación del rojo lejano continúa, la luz azul también promueve la floración a través de la mediación de los fotorreceptores criptocromos [1]. Además, los fotorreceptores sensibles a la luz azul (por ejemplo, flavinas y carotenoides) son sensibles también a la radiación del ultravioleta cercano, donde puede encontrarse un pico de sensibilidad localizado a aproximadamente 370 nm [1]. Los criptocromos no son únicamente comunes a todas las especies de plantas. Los criptocromos median una diversidad de respuestas de luz, incluyendo la incorporación de los ritmos circadianos en las plantas de floración tales como Arabidopsis [1]. Aunque la radiación de las longitudes de onda por debajo de 300 nm puede ser altamente perjudicial para los enlaces químicos de las moléculas y para la estructura del ADN, las plantas también absorben radiación en esta región [1]. La calidad de la radiación en la región de PAR puede ser importante para reducir los efectos destructivos de la radiación UV [1]. Estos fotorreceptores son los más investigados y, por lo tanto, su papel en el control de la fotosíntesis y el crecimiento se conoce razonablemente bien [1]. Sin embargo, existen pruebas de la existencia de otros fotorreceptores, cuya actividad puede tener un papel importante en la mediación de respuestas fisiológicas importantes en la planta [1]. Adicionalmente, la interacción y la naturaleza de la interdependencia entre determinados grupos de receptores no se entiende bien [1].
La fotosíntesis es quizás uno de los procesos bioquímicos más antiguo, más conocido y más importante en el mundo [1]. El uso de luz artificial para sustituir o compensar la baja disponibilidad de luz diurna es una práctica común, especialmente en los países del norte durante la estación de invierno, para la producción de verduras y cultivos ornamentales [1].
El momento de la iluminación eléctrica artificial empezó con el desarrollo por Thomas Edison en 1879 de la bombilla de Edison, comúnmente conocida hoy como la lámpara incandescente [1]. Debido a su característica térmica, la incandescencia está caracterizada por una gran cantidad de emisión de rojo lejano, que puede alcanzar aproximadamente el 60 % de la PAR total [1]. A pesar de los desarrollos que han tenido lugar durante más de un siglo, la eficacia eléctrica de las lámparas incandescentes, dada mediante la eficacia de conversión entre la energía eléctrica consumida (entrada) y energía óptica emitida (salida) en la región espectral visible, es aún muy pobre [1]. Típicamente, es aproximadamente del 10 %. Las fuentes de luz incandescentes sufren también de bajos rendimientos de vida útil, típicamente, la vida útil no es mayor de 1000 horas. En aplicaciones de crecimiento de plantas su uso es limitado.
El crecimiento de plantas ornamentales es una de las aplicaciones donde las lámparas incandescentes se pueden seguir usando [1]. El inicio de la floración puede conseguirse con especies que responden a largas jornadas usando exposición durante la noche a bajas tasas de fluencia de fotones usando lámparas incandescentes [1]. La alta cantidad de radiación de rojo lejano emitida se usa para controlar las respuestas fotomorfogenéticas a través de toda la mediación de los fitocromos [1].
Las lámparas fluorescentes se utilizan más comúnmente en aplicaciones de crecimiento de plantas que las lámparas incandescentes [1]. La conversión de energía electro-óptica es más eficaz en comparación con las lámparas incandescentes [1]. Las lámparas fluorescentes de tipo tubular pueden conseguir valores de eficacia eléctrica típicamente de aproximadamente el 20 % al 30 %, donde más del 90 % de los fotones emitidos están dentro de la región de PAR con periodos de vida útil típicos de aproximadamente 10000 horas. Sin embargo, las lámparas fluorescentes de larga vida útil especialmente diseñadas pueden alcanzar una vida útil de entre 30000 horas. Además de su eficacia de energía y vida útil razonables, otra ventaja de las lámparas fluorescentes en el crecimiento de plantas es la cantidad de radiación azul emitida. Esta puede alcanzar más del 10 % de la emisión de fotones total dentro de la PAR, dependiendo de la temperatura de color correlacionada (CCT) de la lámpara [1]. Por esta razón, las lámparas fluorescentes se usan frecuentemente para la sustitución total de la radiación de luz diurna natural en salas y cámaras de crecimiento cerrado [1]. La radiación de luz azul emitida es indispensable para lograr una morfología equilibrada de la mayoría de las plantas de cultivo a través de la mediación de la familia de fotorreceptores criptocromo [1].
La lámpara de haluro de metal pertenece al grupo de lámparas de descarga de alta intensidad [1]. La emisión de radiación visible está basada en el efecto luminiscente [1]. La inclusión de haluros de metal durante la fabricación permite hasta cierto punto la optimización de la calidad espectral de la radiación emitida [1]. Las lámparas de haluros metálicos pueden utilizarse en el crecimiento de las plantas para sustituir totalmente la luz diurna o para complementarla parcialmente durante el periodo de menor disponibilidad [1]. La alta salida de PAR por lámpara, el porcentaje relativamente alto de radiación azul de aproximadamente el 20 % y la eficacia eléctrica de aproximadamente el 25 %, hace que las lámparas de haluros de metal sean una opción para los cultivos durante todo el año [1]. Sus tiempos operativos son típicamente de 5.000 a 6.000 horas. La lámpara de sodio de alta presión (HPS) ha sido la fuente de luz preferida para la producción de cultivos durante todo el año en invernaderos [1]. Las principales razones han sido la alta emisión radiante, bajo precio, larga vida útil, alta emisión de PAR y alta eficacia eléctrica [1]. Estos factores han permitido el uso de lámparas de sodio de alta presión como fuentes de iluminación complementarias que soportan el crecimiento de vegetales de una manera rentable durante el invierno en latitudes del norte [1].
Sin embargo, la calidad espectral en las lámparas de HPS no es óptima para promover la fotosíntesis y la fotomorfogénesis, dando como resultado alargamiento foliar y tallo excesivo [1]. Esto es debido a la emisión espectral desequilibrada en relación con los picos de absorción de pigmentos fotosintéticos importantes tales como clorofila a, clorofila b y betacaroteno [1]. La baja relación de R/FR y la baja emisión de luz azul en comparación con otras fuentes inducen el alargamiento de tallo excesivo en la mayoría de los cultivos que crecen bajo iluminación de HPS [1]. Las eficacias eléctricas de las lámparas de sodio de alta presión están típicamente entre el 30 % y el 40 %, que las hace las fuentes de luz más eficaces de energía usadas hoy en día en el crecimiento de plantas [1]. Aproximadamente el 40 % de la energía de entrada se convierte en fotones dentro de la región de PAR y casi del 25 % al 30 % en el rojo lejano y en el infrarrojo [1]. Los tiempos operativos de las lámparas de sodio de alta presión están en el intervalo de aproximadamente 10.000 a 24.000 horas [1].
La baja disponibilidad de luz diurna en latitudes del norte y la demanda de los consumidores de productos hortícolas de calidad a precios asequibles durante todo el año establece demandas de nuevas tecnologías de iluminación y biológicas [1]. También los rendimientos de producción pueden aumentarse significativamente de manera global si la luz diurna está disponible hasta 20 a 24 horas al día. Por lo tanto, son necesarios enfoques que puedan reducir los costes de producción, aumentar los rendimientos y la calidad de los cultivos [1]. La iluminación es simplemente uno de los aspectos implicados que pueden optimizarse [1]. Sin embargo, su importancia no puede subestimarse [1]. El aumento en los precios de la electricidad y la necesidad de reducir las emisiones de CO2 son razones adicionales para hacer uso eficaz de la energía [1]. En la producción de cultivos durante todo el año en invernaderos, la contribución del coste de electricidad para costes generales puede alcanzar en algunos cultivos aproximadamente el 30 % [1].
Aunque las fuentes de luz existentes comúnmente usadas para crecimiento de plantas pueden tener eficacias eléctricas cercanas al 40 %, la eficacia del sistema global (es decir, incluyendo pérdidas en controladores, reflectores y óptica) puede ser significativamente inferior [1]. La calidad espectral de la radiación desempeña un papel importante en el crecimiento saludable del cultivo [1]. Las fuentes de luz convencionales no pueden controlarse espectralmente durante su utilización sin la utilización ineficaz y limitada de filtros adicionales [1]. Además, el control de la cantidad de radiación está también limitado, reduciendo la posibilitad de regímenes de iluminación versátiles tales como la operación pulsada [1].
Por lo tanto, y por razones relacionadas con los aspectos descritos previamente, el diodo emisor de luz y la iluminación de estado sólido (SSL) relacionada han surgido como herramientas potencialmente viables y prometedoras para usarse en iluminación hortícola [1]. La eficacia cuántica interna de los LED es una medida para el porcentaje de fotones generados mediante cada electrón inyectado en la región activa. De hecho, los mejores HB-LED AlInGaP de rojo y AlInGaN de verde y de azul pueden tener eficacias cuánticas internas mejores del 50 % [1]; aún siguen existiendo desafíos para extraer toda la luz generada fuera del dispositivo semiconductor y el accesorio de luz.
En la iluminación hortícola las ventajas prácticas principales de las fuentes de luz basadas en LED en relación con las fuentes de luz convencionales son la direccionalidad y la capacidad de control completa de la radiación emitida [1]. Los LED no requieren necesariamente reflectores, ya que son emisores naturalmente semi-isotrópicos [1]. Los LED como emisores direccionales evitan la mayoría de las pérdidas asociadas con la óptica [1]. Adicionalmente, la característica de ancho de banda espectral estrecho de los LED con color es otra ventaja importante en relación con las fuentes de luz de banda de onda amplia [1]. La principal ventaja de usar LED como fuentes de radiación fotosintética es resultado de la posibilidad de seleccionar la emisión de longitud de onda pico que coincida más estrechamente con el pico de absorción de un fotorreceptor seleccionado [1]. De hecho, esta posibilidad les proporciona ventajas adicionales [1]. El uso eficaz de la energía radiante mediante el fotorreceptor en la mediación de una respuesta fisiológica de la planta es una de las ventajas [1]. Otra ventaja es la capacidad de control de la respuesta controlando completamente la intensidad de radiación [1].
Las ventajas mencionadas previamente pueden extenderse adicionalmente al nivel de la luminaria [1]. Una solución podría ser incluir LED con diferentes picos de emisión en una luminaria y controlarlos para proporcionar una emisión espectral deseable para lograr un resultado de crecimiento determinado o una respuesta fisiológica [1]. De esta manera, el sistema de iluminación permitiría un control versátil de la intensidad y el espectro de iluminación [1]. Por último, el control de otros parámetros abióticos tal como la concentración de CO2, la temperatura, la disponibilidad de luz diurna y la humedad podrían integrarse dentro del mismo sistema de control junto con la iluminación, optimizando la productividad del cultivo y la gestión general del invernadero [1]. El inventor conoce una luminaria con un LED azul y un LED rojo. La emisión espectral de los LED AlInGaN con color actualmente está disponible desde el UV en la región del verde del espectro visible [1]. Estos dispositivos pueden emitir en la región del azul y del UV-A donde se localizan los picos de absorción de los criptocromos y los carotenoides [1].
La clorofila a y la forma isomérica roja de los fitocromos (Pr) tienen un fuerte pico de absorción localizado aproximadamente a 660 nm [1]. Los LED AlGaAs emiten en la misma región pero, de manera parcial debido a la baja demanda del mercado y la tecnología de producción obsoleta, son dispositivos caros si se comparan con LED basados en fosfuro o incluso en nitruro [1]. Los l Ed AlGaAs pueden usarse también para controlar la forma del rojo lejano de los fitocromos (Pfr), que tienen un pico de absorción importante a 730 nm [1].
Los LED AlInGaP se basan en tecnología de material bien establecida con el rendimiento óptico y eléctrico relativamente alto [1]. Típicamente, la región de emisión espectral característica de los LED de rojo AlInGaP cubre la región donde la clorofila b tiene su pico de absorción, aproximadamente a 640 nm [1]. Por lo tanto, los LED AlInGaP son útiles también en promover la fotosíntesis [1].
Los novedosos LED de alto brillo comerciales no son adecuados para cultivo de invernadero ya que su pico de emisión principal se encuentra en el intervalo de las longitudes de onda del verde que se extienden de 500 a 600 nm y, por lo tanto, no responden al proceso de la fotosíntesis. Sin embargo, en principio, según la técnica puede construirse una luz LED a la que responde la fotosíntesis combinando diversos tipos de LED semiconductores tales como AlInGaP y AlInGaN, para colores de rojo y de azul.
Existen varios problemas relacionados con la combinación de LED con colores individualizados. Por lo tanto, diferentes tipos de dispositivos semiconductores envejecerán a diferentes velocidades y por esta razón la relación de color de rojo a color de azul variará con el tiempo, dando como resultado adicionalmente anomalías en un proceso de crecimiento de plantas. Un segundo problema importante es que los LED de color único individuales tienen cobertura espectral relativamente estrecha, típicamente de menos de 25 nm, que es insuficiente para proporcionar buena eficacia de la fotosíntesis sin utilizar muy alto número de diferentes LED de color e individuales y causar un alto coste de la implementación.
Se conoce a partir de los documentos EP 2056364 A1 y US 2009/0231832 que un número mejorado de colores puede generarse a partir de LED usando materiales de conversión de longitud de onda, tales como fósforo, para volver a emitir diferentes colores de luz. Supuestamente, pueden usarse los diferentes colores que replican la luz del sol para tratar la depresión o la enfermedad estacional según el documento US 2009/0231832. Estos documentos se citan aquí como referencia.
Estas luces tienen muchas desventajas, incluso si se usaran como luces hortícolas, por ejemplo, debido a la sencilla razón que el espectro de la luz del sol es subóptimo para el crecimiento de plantas. La luz del documento US 2009/0231832 que tiene por objeto replicar la luz del sol contiene muchas longitudes de onda superfluas que no se usan eficazmente por las plantas en su crecimiento. Por ejemplo, la banda de 500-600 nm (luz verde) se usa de manera deficiente por las plantas ya que las plantas verdes reflejan esta longitud de onda. Esto conduce a la energía desperdiciada en aplicaciones hortícolas.
Adicionalmente, las luces de la técnica anterior omiten también longitudes de onda esenciales, que serían muy útiles para el crecimiento de plantas. Por ejemplo, estas luces no alcanzan el rojo lejano entre 700 nm-800 nm, que es importante para el cultivo de plantas. El documento EP 1374665 A1 se refiere a un método y un iluminador para cultivar plantas.
Resumen de la invención
Es un objetivo de la presente invención eliminar al menos una parte de los problemas en relación con la técnica y proporcionar una nueva manera de facilitar el crecimiento de plantas usando LED. El objeto de la presente invención se logra mediante una luz hortícola que está caracterizada por lo que se afirma en la reivindicación independiente. Las realizaciones preferidas de la invención se describen en las reivindicaciones dependientes. La presente descripción también describe diversas realizaciones de referencia en vista de los objetivos de referencia útiles para comprender la invención, por ejemplo, como se indica a continuación.
Es un primer objetivo de la presente descripción proporcionar un dispositivo LED basado en una única fuente de emisión de luz al que responda bien el proceso de la fotosíntesis.
Es un segundo objetivo de la presente descripción proporcionar un accesorio de iluminación para cultivo de invernadero basado en un dispositivo LED optimizado de flujo de fotones de fotosíntesis (PPF).
Es un tercer objetivo de la presente descripción conseguir un dispositivo LED que proporcione al menos dos picos de emisión en el intervalo de longitud de onda de 300 a 800 nm y al menos uno de los picos de emisión tenga una anchura a media altura (FWHM) de al menos 50 nm o más.
Es un cuarto objetivo de la presente descripción proporcionar un accesorio de iluminación de cultivo de invernadero basado en LED en donde la relación de intensidad de emisión de dos frecuencias de emisión, 300-500 nm y 600­ 800 nm, se reduce en menos del 20 % durante las 10.000 horas de operación.
Es un quinto objetivo de la presente descripción proporcionar una solución técnica que proporcione un mejor valor de PPF por vatio (es decir, PPF frente a vatios de potencia usada) que el logrado mediante lámparas de sodio de alta presión convencionales usadas normalmente en cultivo de invernadero y que proporcione, por lo tanto, una fuente de luz eficaz de energía para el proceso de cultivo de invernadero e iluminación artificial usada en el mismo.
Es un sexto objetivo de la presente descripción proporcionar una única fuente de emisión de luz en donde la emisión a una frecuencia de 300-500 nm se genere mediante el chip LED semiconductor y la emisión a una frecuencia de 600­ 800 nm se genere usando una conversión ascendente de la longitud de onda parcial de la potencia de radiación del chip LED. El inventor ha descubierto que, por ejemplo, las plantas de pepino y lechuga alcanzan mayor longitud y/o masa cuando se iluminan con la luz hortícola inventiva que incluye luz de rojo lejano (700-800 nm).
Es un séptimo objetivo de la presente descripción proporcionar una única fuente de emisión de luz donde la emisión a una frecuencia de 300-500 nm se genera mediante el chip LED semiconductor y la emisión a una frecuencia de 600­ 800 nm se genera usando una conversión ascendente de la longitud de onda parcial de la potencia de radiación del chip LED. La conversión ascendente de la longitud de onda para producir una radiación de 600-800 nm se consigue usando uno o más materiales de conversión ascendente de longitud de onda en proximidad con la fuente de emisión de LED.
En esta solicitud “ conversión ascendente” se interpreta como un cambio de la longitud de onda de luz absorbida entrante con respecto a la luz emitida de longitudes de onda más largas.
Es un octavo objetivo de la presente descripción proporcionar 400-500 nm, 600-800 nm o ambos intervalos de frecuencia de la conversión ascendente de longitud de onda parcial o completa de radiación de chip LED semiconductor, teniendo el chip una emisión a 300-500 nm de intervalo de emisión. La conversión ascendente de longitud de onda se realiza usando materiales orgánicos, inorgánicos o una combinación de ambos tipos.
Es un noveno objetivo de la presente descripción proporcionar la conversión ascendente de longitud de onda usando un material de partícula nano-dimensionado para la conversión ascendente.
Es un décimo objetivo de la presente descripción proporcionar la conversión ascendente de longitud de onda usando un material de tipo molecular para la conversión ascendente.
Es un undécimo objetivo de la presente descripción proporcionar la conversión ascendente de longitud de onda usando un material polimérico en donde el material de conversión ascendente está unido covalentemente a la matriz polimérica que proporciona la conversión ascendente de longitud de onda.
Es un duodécimo objetivo de la presente descripción presentar un accesorio de iluminación basado en LED donde se suprime la banda espectral de 500-600 nm. En esta banda suprimida difícilmente existe alguna o ninguna emisión en absoluto, o en cualquier caso menos emisión que en cualquiera de las bandas de 400-500 nm, 600-700 nm adyacentes. La supresión puede conseguirse según la presente descripción no teniendo ninguna o únicamente una pequeña cantidad de emisión primaria en la banda de 400-500 nm, y asegurando que cualquier conversión ascendente produzca un desplazamiento de longitud de onda que desplace la longitud de onda por encima de 600 nm. Se conoce en general que las plantas verdes no pueden utilizar la radiación de luz verde (500-600 nm), así como la radiación en las bandas adyacentes, ya que esta radiación simplemente se refleja desde la planta en lugar de que se absorba por conversión fotosintética.
Es un decimotercer objetivo de la presente descripción presentar un accesorio de iluminación basado en LED que maximice el crecimiento anabólico de las plantas proporcionando luz de rojo lejano deseada, mientras que minimiza la luz de verde que, desde la perspectiva del cultivo de plantas, es radiación que desperdicia energía. Este objetivo se realiza en un aspecto de la presente descripción mediante un LED azul con un dispositivo de conversión ascendente de longitud de onda que convierte de forma ascendente parte de la luz azul emitida (300-500) nm en un componente de espectro del rojo amplio (600-800 nm) que tiene un componente de rojo lejano, pero omite y/o minimiza el componente de verde (500-600 nm).
La presente descripción proporciona un diodo emisor de luz y un accesorio de luz relacionado adecuados para cultivo de invernadero. Según la presente descripción, el diodo emisor de luz tiene un patrón de frecuencia de emisión específico, es decir, tiene al menos dos características espectrales; un pico de emisión con una anchura a media altura de al menos 50 nm o más y que tiene una longitud de onda pico en el intervalo de 600 a 700 nm, y unas segundas características espectrales que tienen una longitud de onda pico por debajo del intervalo de 500 nm. Los picos de emisión del LED coinciden bien con un espectro de respuesta de la fotosíntesis de la planta y, por lo tanto, son particularmente adecuados para alta eficacia de iluminación artificial.
Un componente de emisión de luz adecuado para facilitar el crecimiento de las plantas comprende un chip semiconductor compuesto de emisión de luz; y un fósforo de conversión ascendente de longitud de onda de la luz que se deposita en proximidad directa del chip LED. Dicho componente puede emitir dos picos de emisión de luz característicos.
Un accesorio de iluminación para facilitar el crecimiento de las plantas según la presente descripción comprende al menos un diodo emisor de luz (LED) que tiene
a) primeras características espectrales que incluyen un pico en el intervalo de longitud de onda de 600 a 700 nm y dispuestas para mostrar una anchura a media altura de al menos 50 nm o más; y
b) segundas características espectrales con un máximo de 50 nm de anchura a media altura y dispuestas para mostrar una longitud de onda pico en el intervalo de 440 a 500 nm.
Un accesorio de iluminación hortícola según la presente descripción comprende al menos un diodo emisor de luz (LED) que tiene
a) primeras características espectrales que incluyen un pico en el intervalo de longitud de onda de 600 a 700 nm y dispuestas para mostrar una anchura a media altura de al menos 50 nm o más;
b) segundas características espectrales con un máximo de 50 nm de anchura a media altura y dispuestas para mostrar una longitud de onda pico en el intervalo de 440 a 500 nm, y
c) la totalidad o parte de la emisión a una frecuencia de 600-800 nm se genera utilizando una conversión ascendente de longitud de onda total o parcial de la potencia de radiación del chip LED.
Un accesorio de iluminación hortícola según la presente descripción comprende al menos un diodo emisor de luz (LED) que tiene
a) primeras características espectrales que incluyen un pico en el intervalo de longitud de onda de 600 a 700 nm y dispuestas para mostrar una anchura a media altura de al menos 50 nm o más;
b) segundas características espectrales con un máximo de 50 nm de anchura a media altura y dispuestas para mostrar una longitud de onda pico en el intervalo de 440 a 500 nm, y
c) al menos una parte o la totalidad de la emisión a longitudes de onda de 500-600 nm se dispone para minimizarse y/u omitirse y/o reducirse por debajo de la intensidad en la banda de 400-500 nm y por debajo de la intensidad en la banda de 600-700 nm.
Un accesorio de iluminación para facilitar el crecimiento de las plantas según la presente descripción comprende un LED UV luminiscente, opcionalmente con características de emisión externa, dicho LED dispuesto para mostrar a) primeras características espectrales fosforescentes con una longitud de onda pico en el intervalo de 350 a 550 nm;
b) segundas características espectrales fosforescentes opcionales con una longitud de onda pico en el intervalo de 600 a 800 nm;
c) terceras características espectrales fosforescentes opcionales con una longitud de onda pico libremente ajustable entre 350 y 800 nm;
d) pudiendo ajustarse las intensidades de emisión fosforescentes de las características espectrales primeras, segundas opcionales y terceras opcionales en cualquier relación.
Un componente emisor de luz para facilitar el crecimiento de las plantas según la presente descripción, comprende; un chip semiconductor compuesto para emisión de luz; y
un fósforo de conversión ascendente de longitud de onda de la luz que se deposita en proximidad directa del chip LED; siendo dicho componente capaz de emitir dos picos de emisión de luz característicos.
Un componente emisor de luz para una luz hortícola según la presente descripción comprende;
un chip semiconductor compuesto para emisión de luz; y
un fósforo de conversión ascendente de longitud de onda de la luz que se deposita en proximidad directa del chip LED; siendo dicho componente capaz de emitir dos picos de emisión de luz característicos, y la totalidad o parte de la emisión a una frecuencia de 600-800 nm se genera utilizando una conversión ascendente de longitud de onda completa o parcial de la potencia de radiación del chip LED.
Un componente emisor de luz para una luz hortícola según la presente descripción comprende;
un chip semiconductor compuesto para emisión de luz; y
un fósforo de conversión ascendente de longitud de onda de la luz que se deposita en proximidad directa del chip LED; siendo dicho componente capaz de emitir dos picos de emisión de luz característicos, y al menos una parte o la totalidad de la emisión a longitudes de onda de 500-600 nm se dispone para minimizarse y/u omitirse y/o reducirse por debajo de la intensidad en la banda de 400-500 nm y por debajo de la intensidad en la banda de 600-700 nm. Se considera que el mejor modo de la presente descripción implica una pluralidad de LED en el intervalo de longitud de onda de 380-850 nm dispuestos con espectros de emisión que están dispuestos para coincidir con la respuesta fotosintética de una planta al cultivo con la iluminación de dichos LED. El mejor modo caracterizará la conversión ascendente de longitud de onda mediante fósforo desde la emisión de LED azul.
Breve descripción de los dibujos
La Figura 1 muestra espectros de absorción relativos de los fotorreceptores fotosintéticos y fotomorfogenéticos más comunes en las plantas verdes;
la Figura 2 muestra los picos de emisión de un primer dispositivo LED de una única fuente de emisión de luz según la presente descripción;
la Figura 3 muestra los picos de emisión de un segundo dispositivo LED de una única fuente de emisión de luz según la presente descripción;
la Figura 4 muestra los picos de emisión de un tercer dispositivo LED de una única fuente de emisión de luz según la presente descripción;
la Figura 5 muestra los picos de emisión de un cuarto dispositivo LED de una única fuente de emisión de luz según la presente descripción; y
las Figuras 6a a 6c muestran de manera esquemática las diversas etapas de proceso de un método para producir un dispositivo LED modificado según una realización preferida de la presente descripción.
Descripción detallada de realizaciones preferidas
Como ya se ha analizado anteriormente, la presente descripción se refiere en general a un dispositivo LED de fuente de emisión de luz única que tiene propiedades óptimas para usarse como fuente de luz de cultivo de invernadero. Específicamente este enfoque para construir las fuentes de luz tiene propiedades óptimas y flexibilidad para coincidir con las frecuencias de la fotosíntesis en el cultivo de plantas. Usando este enfoque, las fuentes de luz pueden diseñarse para alcanzar PPF y PPF superiores por eficacia y rendimiento de vatio y muy bajo consumo de potencia y una vida útil operativa muy larga cuando se compara con las tecnologías existentes.
En particular, el dispositivo LED de fuente de emisión de luz única proporciona al menos dos picos de emisión en el intervalo de longitud de onda de 300-800 nm y al menos uno de los picos de emisión tiene una anchura a media altura (FWHM) al menos de 50 nm o superior. Los picos de emisión e intensidades relativas se seleccionan para coincidir con las frecuencias de la fotosíntesis para la planta. Además, la cantidad de PPF requerida para la fuente de luz se optimiza para cumplir los requisitos de la planta.
La emisión a una frecuencia de 300-500 nm se genera mediante el chip LED semiconductor y la emisión a una frecuencia de 400-800 nm se genera usando una conversión ascendente de longitud de onda completa o parcial de la potencia de radiación del chip LED. La conversión ascendente de longitud de onda parcial puede seleccionarse para que esté en el intervalo del 5-95 %, preferiblemente del 35-65 %, de la radiación del chip LED semiconductor. La conversión ascendente de la longitud de onda para producir la radiación de 400-800 nm se consigue usando uno o más materiales de conversión ascendente en proximidad con la fuente de emisión de LED. La conversión ascendente de longitud de onda se realiza usando materiales orgánicos, inorgánicos o una combinación de ambos tipos. Estos materiales pueden ser materiales particulares (nanopartículas u otro tamaño de partículas), moleculares o poliméricos. Adicionalmente los materiales pueden tener una disposición estructural que da como resultado una conversión ascendente de longitud de onda de la fuente de emisión.
Según una realización particular, un accesorio de iluminación para facilitar el crecimiento de plantas comprende un LED UV, opcionalmente con características de emisión luminiscentes externas. El LED muestra típicamente
a) primeras características espectrales fosforescentes con una longitud de onda pico en el intervalo de 350 a 550 nm;
b) segundas características espectrales fosforescentes opcionales con una longitud de onda pico en el intervalo de 600 a 800 nm; y
c) terceras características espectrales fosforescentes opcionales con una longitud de onda pico libremente ajustable entre 350 y 800 nm.
En esta solicitud, longitud de onda pico “ ajustable” como anteriormente se interpreta como una longitud onda pico que puede ajustarse durante el ensamblaje del accesorio de iluminación en la fábrica, y/o también “ ajustable” como en un selector ajustable en el accesorio de iluminación para ajuste de longitud de onda pico in situ. Además, el ajuste de las longitudes de onda pico del LED durante el proceso de fabricación del LED es también según la presente descripción, y “ ajustable” debería interpretarse que incluye también ajustes realizados durante el proceso de fabricación del LED. Todas las realizaciones mencionadas anteriormente de una longitud de onda pico ajustable, o cualquier otra variable de fuente de luz ajustable o LED están dentro del alcance de esta solicitud de patente.
Preferiblemente, las intensidades de emisión fosforescentes de las características espectrales primeras, segundas opcionales y terceras opcionales pueden ajustarse en cualquier relación.
Las Figuras 2 a 5 ilustran algunos ejemplos de los picos de emisión de los dispositivos LED de fuente de emisión de luz única.
En la Figura 2, la frecuencia de emisión del chip LED semiconductor alcanza el pico a una longitud de onda de 457 nm con picos de emisión de anchura a media altura (FWHM) de 25 nm. En este caso la conversión ascendente de longitud de onda se hace usando dos materiales de conversión ascendente. Estos dos materiales de conversión ascendente de longitud de onda tienen picos de emisión individuales a 660 nm y 604 nm. La Figura 2 muestra el pico de emisión combinada desde estos dos materiales de conversión ascendente de longitud de onda alcanzando el pico a una longitud de onda de 651 nm con picos de emisión de FWHM de 101 nm. En este caso aproximadamente el 40 % (calculado a partir de las intensidades máximas) de la emisión del chip LED semiconductor, se convierte de forma ascendente en una emisión de 651 nm mediante dos materiales de conversión ascendente individuales.
En la Figura 3, la frecuencia de emisión del chip LED semiconductor alcanza el pico a una longitud de onda de 470 nm con picos de emisión de anchura a media altura (FWHM) de 30 nm. En este caso, la conversión ascendente de longitud de onda se hace usando dos materiales de conversión ascendente. Estos dos materiales de conversión ascendente de longitud de onda tienen picos de emisión individuales a 660 nm y 604 nm. La Figura 2 muestra el pico de emisión combinada desde estos dos materiales de conversión ascendente de longitud de onda alcanzando el pico a una longitud de onda de 660 nm con picos de emisión de FWHM de 105 nm. En este caso aproximadamente el 60 % (calculado a partir de las intensidades máximas) de la emisión del chip LED semiconductor, se convierte de forma ascendente en una emisión de 660 nm mediante dos materiales de conversión ascendente individuales.
En la Figura 4, la frecuencia de emisión del chip LED semiconductor alcanza el pico a una longitud de onda de 452 nm con picos de emisión de anchura a media altura (FWHM) de 25 nm (no se muestra en la figura). En este caso, la conversión ascendente de longitud de onda se hace usando un material de conversión ascendente. La Figura 3 muestra el pico de emisión de este material de conversión ascendente que alcanza máximos a longitud de onda de 658 nm con picos de emisión de FWHM de 80 nm. En este caso aproximadamente el 100 % (calculado a partir de las intensidades máximas) de la emisión del chip LED semiconductor, se convierte de forma ascendente en una emisión de 658 nm mediante el material de “ conversión ascendente” . Esto puede apreciarse a partir de la Figura 4, ya que no hay una emisión de 452 nm que salga del dispositivo LED.
En la Figura 5, la frecuencia de emisión del chip LED semiconductor alcanza el pico a una longitud de onda de 452 nm con picos de emisión de anchura a media altura (FWHM) de 25 nm. En este caso, la conversión ascendente de longitud de onda se hace usando un material de conversión ascendente. La Figura 5 muestra el pico de emisión de este material de conversión ascendente que alcanza máximos a longitudes de onda de 602 nm con picos de emisión de FWHM de 78 nm. En este caso aproximadamente el 95 % (calculado a partir de las intensidades máximas) de la emisión del chip LED semiconductor, se convierte de forma ascendente en una emisión de 602 nm mediante el material de “ conversión ascendente” de longitud de onda.
Para el espectro mencionado anteriormente, el dispositivo puede construirse como se explica en detalle a continuación. La frecuencia de emisión del chip LED semiconductor debería seleccionarse de la manera que sea adecuada para excitar las moléculas de fósforo usadas en el dispositivo. La emisión del chip LED puede estar entre 400 nm y 470 nm.
La molécula o moléculas de fósforo usadas deberían seleccionarse de manera que se consigan unos espectros de emisión deseados a partir del LED.
A continuación, se describirá un procedimiento para usar dos materiales de fósforo (materiales de conversión ascendente de longitud de onda) en el dispositivo LED para conseguir los espectros deseados (véanse las Figuras 6a a 6c).
El fósforo A y el fósforo B se mezclan en una relación predeterminada para conseguir los espectros de emisión de fósforo deseados a partir del dispositivo LED (véase la Figura 6a). La relación de los fósforos puede ser por ejemplo 99:1 (A:B) a 1:99. Esta mezcla de fósforos A+B se mezcla en un material C (por ejemplo un polímero) a una concentración predeterminada para formar un “ encapsulante” . La concentración de los fósforos en el material C puede ser por ejemplo 99:1 (mezcla de fósforo:material C) a 1:99. Esta mezcla de material C fósforos (A y B) se deposita a continuación en proximidad directa del chip LED (Figura 6b y 6c). Mediante “ proximidad” se refiere a que puede depositarse directamente en la superficie del chip LED o espaciarse con otro material óptico. La concentración de la mezcla de fósforo en el material C determina la cantidad de conversión ascendente de longitud de onda de la frecuencia de emisión del chip LED semiconductor, que significa cuánta de la frecuencia de emisión del chip LED “ original” se observa en la emisión del dispositivo lEd final y cuánta se convierte en la emisión de fósforo en el dispositivo LED.
El espesor del encapsulante (en el que se mezcla el fósforo) típicamente varía de 0,1 um a 20 mm, en particular de 1 um a 10 mm, preferiblemente de 5 um a 10 mm, por ejemplo, de aproximadamente 10 um a 5 mm, dependiendo de la concentración de fósforo.
Típicamente la concentración del fósforo (calculada a partir del peso total del encapsulante) es de aproximadamente el 0,1 al 20 %, preferiblemente de aproximadamente el 1 al 10 %.
La conversión ascendente de longitud de onda puede ser el 100 %, lo que significa que existe únicamente emisión de fósforo observada desde el dispositivo LED o puede ser inferior al 100 %, lo que significa que parte de la emisión del chip LED se transmite fuera del dispositivo LED.
Para resumir, ajustando la relación de fósforo A:B es posible ajustar los espectros de emisión de fósforo deseados desde el dispositivo LED, y ajustando la concentración de fósforo en el material C es posible ajustar la cantidad/valor de emisión del chip LED deseado para el dispositivo LED.
La cantidad (espesor físico) de material C (con una determinada concentración de fósforo) en la parte superior del chip LED afecta también la cantidad de emisión del chip LED que se transmite desde el dispositivo LED. Cuanto más gruesa es la capa del material C en la parte superior del chip LED, menor es la transmisión.
El material C puede ser, por ejemplo, un disolvente, polímero inorgánico u orgánico, polímero de silicio, polímero siloxano u otro polímero donde el fósforo pueda mezclarse. El material C puede tener uno o más componentes que tengan que mezclarse antes de usar junto con el fósforo. El material C puede ser un material curable térmicamente o por UV.
La mezcla del fósforo o fósforos y el material C disolvente (sólido o líquido) puede ser translúcida o transparente, preferiblemente transparente, para permitir el paso de la luz emitida desde el LED.
En una realización que es especialmente preferible se produce la radiación del rojo lejano (700-800 nm) mediante, por ejemplo, fósforos dopados simultáneamente con europio-cerio Ba_x Sr_y ZnS_3 y/o sulfuros de óxido de lantánido dopados con cerio. Estos tipos de fósforos y sulfuros tienen máximo pico de emisión entre 650-700 nm de la región de longitud de onda y muestran también anchura a media altura amplia (50-200 nm) y, por lo tanto, producen también emisión de luz a longitud de onda superior, es decir, por encima del intervalo de longitud de onda de 700 nm.
Además de, o como una alternativa a usar fósforos u otros materiales similares, también es posible realizar la conversión ascendente de longitud de onda por medio de al menos un punto cuántico semiconductor o similares, que se coloca cerca del LED.
Ejemplo
Un accesorio de iluminación LED se construyó para fines de pruebas comparativas basándose en el dispositivo LED único que tiene un espectro de salida idéntico al de la Figura 3. El accesorio de iluminación consistía en 60 unidades LED individuales que tenían un consumo de potencia de 69 W que incluye el consumo de potencia del controlador de corriente constante CA/CC.
Los dispositivos de comparación eran accesorios de iluminación de invernadero de lámpara de HPS (sodio de alta presión) comerciales con un consumo de potencia total de 420 W y un accesorio l Ed de invernadero de LED comercial. El accesorio LED comercial estaba basado en dispositivos LED de azul y de rojo individuales que tenían un consumo de potencia total de 24 W.
El accesorio de iluminación LED según la presente descripción se ensayó frente a los dispositivos LED comerciales mencionados anteriormente usando el siguiente procedimiento y disposición de medición de PPF.
La irradiancia PAR (valor de irradiancia entre 400 nm y 700 nm) y los valores PPF se calcularon midiendo el espectro del accesorio de luz de 300 nm a 800 nm y el valor de irradiancia absoluto en la banda de 385 nm a 715 nm. El espectro de cada lámpara se midió con el espectrorradiómetro ILT700A a una distancia. Los valores de irradiancia absoluta se midieron con un piranómetro de precisión a determinadas distancias y se usaron más tarde para calcular los espectros absolutos a estas distancias. Estos espectros absolutos se usaron para calcular los cálculos de PAR y de PPF. La irradiancia de PAR (W/m2) se calculó integrando el espectro absoluto de 400 nm a 700 nm. Los valores de PPF se calcularon en primer lugar traduciendo el valor de irradiación de cada “ canal” del espectro de W/m2 a microeinsteins y después integrando este espectro en la banda de longitud de onda deseada.
El resultado de la comparación de estos dos accesorios de lámpara de invernadero comercial y el accesorio LED según la innovación se presentan en la tabla a continuación. Los resultados también se normalizaron frente al accesorio de iluminación de HPS comercial.
Figure imgf000011_0001
Como se verá a partir de los resultados de ensayo mostrados, un accesorio de iluminación LED según la presente descripción proporciona 3,27 veces mayor eficiencia de PPF en comparación con HPS, y 1,18 veces mejor eficiencia de PPF en comparación con el accesorio de invernadero LED comercial basado en dispositivos LED de azul y de rojo individuales. Naturalmente todos los LED o accesorios de iluminación están dispuestos para usarse especialmente en invernaderos para el cultivo de plantas como luces de invernadero en muchas realizaciones de la presente descripción.
Los ejemplos anteriores han descrito realizaciones en las que hay un diodo emisor de luz (LED) que tiene las características espectrales indicadas. Naturalmente, los presentes accesorios de iluminación pueden comprender una pluralidad de LED, al menos algunos (es decir, el 10 % o más), o preferiblemente una mayoría (más del 50 %) de los cuales tienen las propiedades y características indicadas. Por lo tanto, es posible tener accesorios que comprendan combinaciones de l Ed convencionales y LED del presente tipo. No hay límites superiores particulares al número de LED. Por lo tanto, los accesorios de iluminación del presente tipo pueden tener aproximadamente de 1 hasta 10.000 LED, típicamente de 1 a 1000 LED, en particular de 1 a 100 LED.
Según la presente descripción se pueden incluir LED con diferentes picos de emisión en una luminaria y controlarlos para proporcionar una emisión espectral deseable para lograr un resultado de crecimiento determinado o una respuesta fisiológica.
Referencias bibliográficas
[1] P. Pinho, Tesis doctoral “ Usage and control of solid-state lighting for plant growth” , Helsinki University of Technology, Department of Electronics, 2008

Claims (6)

REIVINDICACIONES
1. Una luz hortícola configurada para facilitar el crecimiento de las plantas, comprendiendo la luz hortícola un único diodo emisor de luz (LED), teniendo el único LED
a) primeras características espectrales que incluyen un pico en el intervalo de longitud de onda de 600 a 700 nm y dispuestas para mostrar una anchura a media altura de al menos 50 nm o más, en donde las primeras características espectrales se generan utilizando una conversión ascendente de longitud de onda parcial de radiación de un chip semiconductor del único LED con al menos un material de conversión ascendente en proximidad del chip semiconductor del único LED; y
b) segundas características espectrales con un máximo de 50 nm de anchura a media altura y dispuestas para mostrar una longitud de onda pico en el intervalo de 440 a 500 nm, en donde las segundas características espectrales están en forma de radiación del chip semiconductor del único LED.
2. La luz de la reivindicación 1, caracterizada por que la emisión a longitudes de onda de 500-600 nm se dispone para reducirse por debajo de la intensidad en la banda de 400-500 nm y por debajo de la intensidad en la banda de 600-700 nm.
3. La luz de la reivindicación 1, en donde el LED tiene unas características espectrales con un pico libremente ajustable en el intervalo de longitud de onda de 500 a 800 nm y dispuesto para mostrar al menos 30 nm de anchura a media altura.
4. Uso de la luz de la reivindicación 1 para proporcionar luz para al menos una planta.
5. Un método para mejorar el crecimiento de plantas, en donde al menos una luz de la reivindicación 1 emite luz a al menos una planta.
6. Un accesorio de iluminación hortícola que comprende una luz hortícola según una cualquiera de las reivindicaciones 1 a 3.
ES15158427T 2009-09-18 2010-09-16 Conjunto de iluminación LED hortícola Active ES2707148T5 (es)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US24361309P 2009-09-18 2009-09-18
FI20095967A FI20095967A (fi) 2009-09-18 2009-09-18 Valaisinsovitelma
US12/797,215 US8549787B2 (en) 2009-09-18 2010-06-09 Lighting assembly

Publications (2)

Publication Number Publication Date
ES2707148T3 ES2707148T3 (es) 2019-04-02
ES2707148T5 true ES2707148T5 (es) 2023-05-24

Family

ID=41136428

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
ES10774243.9T Active ES2537384T3 (es) 2009-09-18 2010-09-16 Montaje de iluminación LED hortícola
ES15158427T Active ES2707148T5 (es) 2009-09-18 2010-09-16 Conjunto de iluminación LED hortícola

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
ES10774243.9T Active ES2537384T3 (es) 2009-09-18 2010-09-16 Montaje de iluminación LED hortícola

Country Status (17)

Country Link
US (6) US8549787B2 (es)
EP (3) EP2478285B1 (es)
JP (3) JP5714589B2 (es)
KR (1) KR101783368B1 (es)
CN (3) CN112628619A (es)
AU (2) AU2010297160B2 (es)
CA (4) CA3187493A1 (es)
DE (1) DE10774243T8 (es)
DK (2) DK2963333T4 (es)
ES (2) ES2537384T3 (es)
FI (1) FI20095967A (es)
HK (1) HK1170795A1 (es)
HU (1) HUE042096T2 (es)
PT (1) PT2963333T (es)
RU (1) RU2543979C2 (es)
SG (2) SG10201408102SA (es)
WO (1) WO2011033177A2 (es)

Families Citing this family (88)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
ATE462296T1 (de) * 2007-09-28 2010-04-15 Scheuten S A R L Gewächshaussystem
JP5641472B2 (ja) * 2009-08-26 2014-12-17 パナソニック株式会社 害虫誘引照明方法及び害虫誘引照明システム
FI20095967A (fi) 2009-09-18 2011-03-19 Valoya Oy Valaisinsovitelma
US8983039B2 (en) 2010-05-05 2015-03-17 Suinno Oy Caller ID surfing
US20120054061A1 (en) * 2010-08-26 2012-03-01 Fok Philip E Produce production system and process
JP5450559B2 (ja) * 2010-11-25 2014-03-26 シャープ株式会社 植物栽培用led光源、植物工場及び発光装置
DK2468090T3 (da) * 2010-12-21 2014-04-28 Valoya Oy Fremgangsmåde og midler til akklimatisering af stiklinger til livet udendørs
JP2012155907A (ja) * 2011-01-24 2012-08-16 Panasonic Corp 照明装置
ES2616308T3 (es) * 2011-03-17 2017-06-12 Valoya Oy Método para cámaras de crecimiento oscuras
EP2499900A1 (en) * 2011-03-17 2012-09-19 Valoya Oy Method and means for enhancing greenhouse lights
AU2015213403B2 (en) * 2011-03-17 2017-04-13 Valoya Oy Plant illumination device and method for dark growth chambers
DE11158693T8 (de) 2011-03-17 2013-04-25 Valoya Oy Pflanzenbeleuchtungsvorrichtung und Verfahren
FI20115268A0 (fi) * 2011-03-18 2011-03-18 Lumichip Ltd LED-komponentti
US8847514B1 (en) 2011-05-24 2014-09-30 Aaron Reynoso Programmable lighting with multi-day variations of wavelength and intensity, optimized by crowdsourcing using an online social community network
EP2532224A1 (en) * 2011-06-10 2012-12-12 Valoya Oy Method and means for improving plant productivity through enhancing insect pollination success in plant cultivation
US10257988B2 (en) 2011-12-02 2019-04-16 Biological Illumination, Llc Illumination and grow light system and associated methods
US9137874B2 (en) 2011-12-02 2015-09-15 Biological Illumination, Llc Illumination and grow light system and associated methods
US9408275B2 (en) 2011-12-02 2016-08-02 Biological Illumination, Llc System for optimizing light absorbance and associated methods
CN103199180B (zh) * 2012-01-09 2016-03-30 诠兴开发科技股份有限公司 用于植物成长的发光二极管
KR102049129B1 (ko) * 2012-01-25 2019-11-26 제너럴 하이드로포닉스, 인코포레이티드 광합성에 유효한 방사선을 최적화하기 위한 조성물, 장치 및 방법
KR101782143B1 (ko) * 2012-04-05 2017-09-26 나노코 테크놀로지스 리미티드 광합성 유기체의 성장을 향상시키는 양자점 발광다이오드
WO2014009865A1 (en) * 2012-07-11 2014-01-16 Koninklijke Philips N.V. Lighting device capable of providing horticulture light and method of illuminating horticulture
US20140043787A1 (en) * 2012-08-08 2014-02-13 Wei-Kung Wang Lamp to enhance photosynthesis and pest control and an oxygen generator having the same
US9463075B2 (en) 2012-09-19 2016-10-11 Southern Linac, Llc Replaceable light source and radiation generating device including the same
JP2014090684A (ja) * 2012-11-01 2014-05-19 Sharp Corp 照明装置
KR20140080606A (ko) 2012-12-12 2014-07-01 삼성전자주식회사 유기 금속 착물, 이를 이용한 유기 전계 발광 소자 및 표시 장치
CN103032741A (zh) * 2012-12-26 2013-04-10 杭州纳晶科技有限公司 Led植物助长灯
JP5779604B2 (ja) * 2013-02-04 2015-09-16 昭和電工株式会社 植物栽培方法
JP5723903B2 (ja) * 2013-02-04 2015-05-27 昭和電工株式会社 植物栽培方法
JP6411996B2 (ja) * 2013-02-26 2018-10-24 不二精工株式会社 葉茎菜類育成方法および葉茎菜類育成用光源装置
JP2014167974A (ja) * 2013-02-28 2014-09-11 Toyoda Gosei Co Ltd 蛍光体の選別方法及び発光装置
US9303825B2 (en) 2013-03-05 2016-04-05 Lighting Science Group, Corporation High bay luminaire
US20140268731A1 (en) 2013-03-15 2014-09-18 Lighting Science Group Corpporation Low bay lighting system and associated methods
JP2015033367A (ja) * 2013-08-09 2015-02-19 シャープ株式会社 植物用照明装置、栽培棚、植物工場、及び植物栽培方法
JP6268516B2 (ja) * 2013-11-13 2018-01-31 パナソニックIpマネジメント株式会社 作物育成システム
JP6036728B2 (ja) * 2014-02-28 2016-11-30 信越化学工業株式会社 照明装置
CN106793757B (zh) 2014-08-29 2020-12-29 现特技术有限公司 光子调制管理系统
CN107872952B (zh) 2015-03-31 2021-06-15 昕诺飞控股有限公司 照射植物的系统和方法
US9681515B2 (en) 2015-05-13 2017-06-13 Juha Rantala LED structure with a dynamic spectrum and a method
US9750105B2 (en) 2015-05-13 2017-08-29 Juha Rantala LED structure with quasi-continuous spectrum and method of illumination
US20170035002A1 (en) * 2015-08-09 2017-02-09 Craig Ellins Apparatus for optimizing and enhancing plant growth, development and performance
US10180248B2 (en) 2015-09-02 2019-01-15 ProPhotonix Limited LED lamp with sensing capabilities
CN105202484A (zh) * 2015-09-04 2015-12-30 李欣澄 一种包含促进植物生长的led复合全光谱
CN105405937B (zh) * 2015-12-15 2017-11-07 苏州东善微光光电技术有限公司 用于植物生长的光源及植物培养方法
TWI580890B (zh) 2016-05-25 2017-05-01 國立中正大學 光源模組
JP6481663B2 (ja) 2016-06-29 2019-03-13 日亜化学工業株式会社 発光装置及び植物栽培方法
US10165735B1 (en) * 2016-06-29 2019-01-01 Full Spectrum Industries Corp. Dynamic plant lighting systems and methods
CN106105811A (zh) * 2016-07-08 2016-11-16 周智 一种胡萝卜在半封闭式人工光型植物工厂中的培育方法
WO2018089793A1 (en) * 2016-11-10 2018-05-17 Energy Focus, Inc. An led lamp utilizing optical filtering to counteract effects of color anomalous vision
ES2668977B1 (es) * 2016-11-21 2019-03-01 Saiz Manuel Munoz Sistema y procedimiento de iluminación para invernaderos utilizando energías alternativas
CN107331740B (zh) * 2017-06-09 2019-04-26 广明源光科技股份有限公司 一种具有驱虫效果的led光源用荧光粉、led光源及制备方法
JP6726882B2 (ja) * 2017-01-25 2020-07-22 パナソニックIpマネジメント株式会社 照明装置
EP3276680A1 (de) * 2017-01-25 2018-01-31 Siemens Schweiz AG Optische rauchdetektion nach dem zweifarben-prinzip mittels einer leuchtdiode mit einem led-chip zur lichtemission und mit einem lichtkonverter zum umwandeln eines teils des emittierten lichts in langwelligeres licht
US10197254B2 (en) 2017-02-09 2019-02-05 Walthill Opportunities, L.L.C. Strut light system with integrated light source
US11058889B1 (en) 2017-04-03 2021-07-13 Xiant Technologies, Inc. Method of using photon modulation for regulation of hormones in mammals
CN107135827A (zh) * 2017-04-28 2017-09-08 广东华辉煌光电科技有限公司 一种宽蓝光光谱激发的全光谱植物生长补光灯珠
KR102452484B1 (ko) * 2017-08-11 2022-10-11 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 모듈
KR101908239B1 (ko) * 2017-11-02 2018-12-28 주식회사 지엘비젼 조명장치
CN107907309A (zh) * 2017-11-24 2018-04-13 山西高科华烨电子集团有限公司 一种用2m积分球量测灯珠PPF的方法
US11217725B2 (en) * 2018-02-26 2022-01-04 Biological Innovation And Optimization Systems, Llc Light emitting apparatus with melanopic emission spectrum
JP7185126B2 (ja) * 2018-03-14 2022-12-07 日亜化学工業株式会社 照明装置及び植物栽培方法
WO2019183717A1 (en) * 2018-03-29 2019-10-03 The Royal Institution For The Advancement Of Learning / Mcgill University Method of growing a plant having at least one light absorbing pigment
CN111988986B (zh) * 2018-04-26 2022-12-13 昕诺飞控股有限公司 使用具有高水平远红的光的抽薹控制
RU2695812C1 (ru) * 2018-06-18 2019-07-30 Федеральное государственное бюджетное научное учреждение Федеральный научный агроинженерный центр ВИМ (ФГБНУ ФНАЦ ВИМ) Светодиодный фитооблучатель для выращивания томата
WO2020033127A1 (en) 2018-08-10 2020-02-13 Rosstech, Inc. Tunable led light array for horticulture
US11125405B2 (en) * 2018-08-10 2021-09-21 Seoul Viosys Co., Ltd. Light source for plant cultivation and plant cultivation device
US11129429B2 (en) * 2018-08-21 2021-09-28 Lumia Group, LLC Textile materials with spontaneous emission and methods of UV protection, shading, warming, and other applications using same
CN111200051B (zh) * 2018-11-16 2021-08-17 佛山市国星光电股份有限公司 照明设备
WO2020103671A1 (zh) * 2018-11-22 2020-05-28 杭州汉徽光电科技有限公司 植物补光用led光源及使用该光源的灯具
KR102194453B1 (ko) * 2018-12-06 2020-12-23 경북대학교 산학협력단 전색체 led 파장 변환에 따른 식물생장을 증진하는 방법
CN109863902A (zh) * 2018-12-12 2019-06-11 福建省中科生物股份有限公司 促进植物生长的光照方法和植物灯及其应用
US10440900B1 (en) 2019-01-22 2019-10-15 Calyx Cultivation Tech. Corp. Grow light with adjustable height and emission spectrum
EP3685656A1 (en) * 2019-01-23 2020-07-29 Merck Patent GmbH System for controlling a light-dependent condition of an organism and method of determining a configuration of the system
CN109644721A (zh) * 2019-02-15 2019-04-19 福建省中科生物股份有限公司 一种室内栽培植物的光源
US11477945B2 (en) 2019-03-13 2022-10-25 Current Lighting Solutions, Llc Horticulture lighting device
CN115046146B (zh) * 2019-03-28 2023-05-23 厦门三安光电有限公司 一种照明器材
US11304376B2 (en) * 2019-05-20 2022-04-19 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light source for plant cultivation
US11402089B2 (en) 2019-06-06 2022-08-02 Abundant Lighting Technology, Llc LED growth light
JP7431438B2 (ja) 2020-02-07 2024-02-15 国立大学法人宇都宮大学 緑色葉物野菜の葉の厚さ及び大きさの制御方法
US11499707B2 (en) 2020-04-13 2022-11-15 Calyxpure, Inc. Light fixture having a fan and ultraviolet sterilization functionality
WO2021228732A1 (en) * 2020-05-13 2021-11-18 Merck Patent Gmbh Agricultural medium and agricultural composition comprising phosphorescent material
WO2021262010A1 (en) * 2020-06-25 2021-12-30 Mobile Lighting Rig As A lighting system and a method for improving growth conditions for plants
KR20220029528A (ko) * 2020-08-31 2022-03-08 에스엘 주식회사 발광 모듈 및 이를 포함하는 차량용 램프
KR102604933B1 (ko) 2020-09-17 2023-11-21 재단법인 철원플라즈마 산업기술연구원 식물생장조명장치
CN112856340A (zh) * 2021-01-14 2021-05-28 珠海美光原科技股份有限公司 西红柿种植led光源光谱配方及led光源模组
US11759540B2 (en) 2021-05-11 2023-09-19 Calyxpure, Inc. Portable disinfection unit
WO2023023542A1 (en) * 2021-08-17 2023-02-23 Upward Enterprises Inc. Method for improving yield and height of short-cycle leafy greens using far-red light
US11547063B1 (en) * 2022-05-18 2023-01-10 Creeled, Inc. Light-emitting devices for horticulture applications

Family Cites Families (55)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3544482A (en) 1968-03-15 1970-12-01 Sylvania Electric Prod Europium and manganese activated alkaline earth silicate phosphors
US4055781A (en) * 1974-09-09 1977-10-25 Gte Sylvania Incorporated Special purpose fluorescent lamp
US5012609A (en) * 1988-12-12 1991-05-07 Automated Agriculture Associates, Inc. Method and apparatus for irradiation of plants using optoelectronic devices
JPH08103167A (ja) 1994-10-05 1996-04-23 Kensei Okamoto 植物栽培用光源
ES2299260T5 (es) * 1998-09-28 2011-12-20 Koninklijke Philips Electronics N.V. Sistema de iluminación.
US6686691B1 (en) * 1999-09-27 2004-02-03 Lumileds Lighting, U.S., Llc Tri-color, white light LED lamps
JP4388664B2 (ja) 2000-03-31 2009-12-24 三菱電機株式会社 植物照明装置
JP2002027831A (ja) 2000-05-11 2002-01-29 Kansai Tlo Kk 植物育成用led光源
JPWO2002067660A1 (ja) * 2001-02-28 2004-09-24 シーシーエス株式会社 植物の栽培方法及び植物の栽培用照明装置
JP2002281830A (ja) 2001-03-26 2002-10-02 Techno Network Shikoku Co Ltd 植物栽培用光源、植物栽培方法および植物栽培用容器
US6554450B2 (en) * 2001-04-19 2003-04-29 Wei Fang Artificial lighting apparatus for young plants using light emitting diodes as light source
JP2004000093A (ja) 2002-05-31 2004-01-08 Toshiba Lighting & Technology Corp 発光装置および照明装置
JP4274843B2 (ja) * 2003-04-21 2009-06-10 シャープ株式会社 Ledデバイスおよびそれを用いた携帯電話機器、デジタルカメラおよびlcd表示装置
US6921182B2 (en) * 2003-05-13 2005-07-26 Solaroasis Efficient LED lamp for enhancing commercial and home plant growth
JP2007504644A (ja) 2003-08-29 2007-03-01 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 色混合照明システム
TW200512949A (en) * 2003-09-17 2005-04-01 Nanya Plastics Corp A method to provide emission of white color light by the principle of secondary excitation and its product
TWI250664B (en) * 2004-01-30 2006-03-01 South Epitaxy Corp White light LED
JP3931239B2 (ja) * 2004-02-18 2007-06-13 独立行政法人物質・材料研究機構 発光素子及び照明器具
US7250715B2 (en) * 2004-02-23 2007-07-31 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Wavelength converted semiconductor light emitting devices
US20060006820A1 (en) 2004-07-07 2006-01-12 Roseman Douglas L Horticultural lighting system
JP4521227B2 (ja) 2004-07-14 2010-08-11 株式会社東芝 窒素を含有する蛍光体の製造方法
WO2006061728A2 (en) * 2004-12-06 2006-06-15 Koninklijke Philips Electronics N.V. Single chip led as compact color variable light source
EP1824944A2 (en) * 2004-12-07 2007-08-29 Philips Intellectual Property & Standards GmbH Illumination system comprising a radiation source and a luminescent material
CN101138278A (zh) * 2005-03-09 2008-03-05 皇家飞利浦电子股份有限公司 包括辐射源和荧光材料的照明系统
KR100799839B1 (ko) * 2005-03-30 2008-01-31 삼성전기주식회사 파장변환용 형광체 혼합물과 이를 이용한 백색 발광장치
EP2402052B1 (en) * 2005-06-02 2019-03-06 Olympus Corporation Balloon catheter
EP2236580A3 (en) * 2005-09-30 2010-11-03 The Regents of the University of California Nitride and oxy-nitride cerium based phosphor materials for solid-state lighting applications
JP2007188799A (ja) * 2006-01-16 2007-07-26 Toshiba Lighting & Technology Corp 照明装置
NL1031185C2 (nl) 2006-02-17 2007-09-03 Lemnis Lighting Ip Gmbh Verlichtingsinrichting en verlichtingssysteem voor het bevorderen van plantengroei en werkwijze voor het vervaardigen en bedrijven van een verlichtingsinrichting.
CN101405385A (zh) * 2006-02-21 2009-04-08 亚利桑那州立大学董事会,代表亚利桑那州立大学法人团体利益 光生物反应器及其用途
KR100875443B1 (ko) 2006-03-31 2008-12-23 서울반도체 주식회사 발광 장치
US20080173886A1 (en) 2006-05-11 2008-07-24 Evident Technologies, Inc. Solid state lighting devices comprising quantum dots
US8348456B2 (en) 2006-08-11 2013-01-08 Mitsubishi Chemical Corporation Illuminating device
WO2008078277A1 (en) 2006-12-20 2008-07-03 Philips Intellectual Property & Standards Gmbh Illuminating device
JP4840776B2 (ja) * 2007-01-25 2011-12-21 独立行政法人物質・材料研究機構 色変換器、これを用いた植物育成装置及び植物育成方法
KR101396588B1 (ko) * 2007-03-19 2014-05-20 서울반도체 주식회사 다양한 색온도를 갖는 발광 장치
JP2008258356A (ja) 2007-04-04 2008-10-23 Sharp Corp 照明光源とそれを備える照明装置
EP2153112B1 (en) 2007-05-08 2016-05-04 Cree, Inc. Lighting device and lighting method
JP2008283155A (ja) * 2007-05-14 2008-11-20 Sharp Corp 発光装置、照明機器および液晶表示装置
US20080302004A1 (en) * 2007-06-07 2008-12-11 Lin Yu-Ho Multifunction plant cultivation led able to control the growing speed of plants
WO2009000282A1 (en) 2007-06-22 2008-12-31 Lioris B.V. High voltage led lighting system
EP2025220A1 (en) 2007-08-15 2009-02-18 Lemnis Lighting Patent Holding B.V. LED lighting device for growing plants
DE102007043355A1 (de) * 2007-09-12 2009-03-19 Lumitech Produktion Und Entwicklung Gmbh LED-Modul, LED-Leuchtmittel und LED Leuchte für die energie-effiziente Wiedergabe von weißem Licht
KR101525274B1 (ko) * 2007-10-26 2015-06-02 크리, 인코포레이티드 하나 이상의 루미퍼를 갖는 조명 장치, 및 이의 제조 방법
US20100232135A1 (en) 2007-11-23 2010-09-16 Kawamura Munehiro Photosynthesis inhibiting light source and illuminating device that uses the same
JP2011508001A (ja) 2007-12-19 2011-03-10 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 赤色発光SiAlONベース材料
US20090231832A1 (en) * 2008-03-15 2009-09-17 Arturas Zukauskas Solid-state lamps with complete conversion in phosphors for rendering an enhanced number of colors
EP2278870B1 (en) 2008-05-22 2018-07-25 Fionia Lighting Aps Method and apparatus for using light emitting diodes in a greenhouse setting
CN201228867Y (zh) 2008-06-06 2009-04-29 宁波永丰园林绿化建设有限公司 Led半导体植物补光灯
CN101661864B (zh) * 2008-08-27 2011-05-18 梁朝巍 智能型杀虫灯
LT5688B (lt) 2008-11-07 2010-09-27 Uab "Hortiled" Konversijos fosfore šviesos diodas, skirtas augalų fotomorfogeneziniams poreikiams tenkinti
CN101496490B (zh) * 2009-03-17 2011-07-06 廖永和 光纳米农用薄膜及其制备方法
EP2462797B1 (en) * 2009-08-07 2019-02-27 Showa Denko K.K. Multicolor LED lamp for use in plant cultivation, illumination appratus and plant cultivation method
FI20095967A (fi) 2009-09-18 2011-03-19 Valoya Oy Valaisinsovitelma
JP2011155948A (ja) 2010-02-03 2011-08-18 Seiwa Electric Mfg Co Ltd 植物育成用発光装置

Also Published As

Publication number Publication date
PT2963333T (pt) 2019-02-04
AU2015203695A1 (en) 2015-08-06
SG10201408102SA (en) 2015-01-29
AU2015203695B2 (en) 2017-03-02
WO2011033177A2 (en) 2011-03-24
CA3062755C (en) 2023-03-07
ES2707148T3 (es) 2019-04-02
HUE042096T2 (hu) 2019-06-28
CN112628619A (zh) 2021-04-09
EP2963333A2 (en) 2016-01-06
EP2963333B1 (en) 2018-12-05
CA3003994C (en) 2020-01-07
HK1170795A1 (en) 2013-03-08
CN107047093A (zh) 2017-08-18
US20200045892A1 (en) 2020-02-13
US20170071135A1 (en) 2017-03-16
US9516818B2 (en) 2016-12-13
US10485183B2 (en) 2019-11-26
EP2478285B1 (en) 2015-04-22
CN102597602B (zh) 2017-04-12
US20120159845A1 (en) 2012-06-28
JP6534695B2 (ja) 2019-06-26
CA2767905A1 (en) 2011-03-24
EP2478285A2 (en) 2012-07-25
JP2015109870A (ja) 2015-06-18
WO2011033177A3 (en) 2011-12-22
RU2543979C2 (ru) 2015-03-10
KR101783368B1 (ko) 2017-10-10
CN107047093B (zh) 2020-12-18
CA2767905C (en) 2018-06-19
US20210386025A1 (en) 2021-12-16
EP2963333A3 (en) 2016-03-30
CA3187493A1 (en) 2011-03-24
US8549787B2 (en) 2013-10-08
CA3062755A1 (en) 2011-03-24
EP3511605A1 (en) 2019-07-17
ES2537384T3 (es) 2015-06-08
JP2017123872A (ja) 2017-07-20
DE10774243T8 (de) 2013-04-25
AU2010297160A1 (en) 2012-02-09
US20100259190A1 (en) 2010-10-14
EP2963333B2 (en) 2023-01-04
RU2012113409A (ru) 2013-10-27
DK2478285T3 (en) 2015-05-11
US20130318869A1 (en) 2013-12-05
KR20120088662A (ko) 2012-08-08
FI20095967A0 (fi) 2009-09-18
CA3003994A1 (en) 2011-03-24
US8850743B2 (en) 2014-10-07
CN102597602A (zh) 2012-07-18
JP2013505009A (ja) 2013-02-14
SG178825A1 (en) 2012-04-27
DE10774243T1 (de) 2012-11-08
DK2963333T4 (da) 2023-03-13
AU2010297160B2 (en) 2015-05-07
JP5714589B2 (ja) 2015-05-07
DK2963333T3 (en) 2019-02-18
WO2011033177A4 (en) 2012-02-16
US11089737B2 (en) 2021-08-17
FI20095967A (fi) 2011-03-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
ES2707148T5 (es) Conjunto de iluminación LED hortícola
ES2894833T3 (es) Dispositivo y método de iluminación de plantas para cámaras de crecimiento oscuras