EP3123500A1 - Träger und clip jeweils mit sinterbarer, verfestigter paste zur verbindung mit einem halbleiterelement, entsprechende sinterpaste und entsprechendes herstellungsverfahren und verwendung - Google Patents

Träger und clip jeweils mit sinterbarer, verfestigter paste zur verbindung mit einem halbleiterelement, entsprechende sinterpaste und entsprechendes herstellungsverfahren und verwendung

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EP3123500A1
EP3123500A1 EP15713177.2A EP15713177A EP3123500A1 EP 3123500 A1 EP3123500 A1 EP 3123500A1 EP 15713177 A EP15713177 A EP 15713177A EP 3123500 A1 EP3123500 A1 EP 3123500A1
Authority
EP
European Patent Office
Prior art keywords
clip
carrier
semiconductor element
paste
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
EP15713177.2A
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Michael Benedikt
Thomas Krebs
Michael Schäfer
Wolfgang Schmitt
Andreas Hinrich
Andreas Klein
Alexander Brand
Martin Bleifuss
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Heraeus Deutschland GmbH and Co KG
Original Assignee
Heraeus Deutschland GmbH and Co KG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
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    • H01L24/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L24/33Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of a plurality of layer connectors
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    • H01L24/36Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process
    • H01L24/37Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process of an individual strap connector
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    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation

Definitions

  • the invention relates to a carrier for at least one semiconductor element which has at least one functional surface for connection to the semiconductor element.
  • the invention further relates to a clip for at least one semiconductor element having at least one functional surface for connection to the semiconductor element.
  • the invention further relates to a method for producing such a carrier or such a clip, and the
  • a carrier of the aforementioned type is known for example from DE 10 2009 017 853 AI. In the production of the known carrier is first the
  • Sintered paste applied to the underside of the semiconductor element is brought into contact with the functional surface of the carrier and provisionally fixed.
  • the actual connection is then carried out by sintering the carrier with the semiconductor element through the paste. This will be a
  • the carrier may be a so-called leadframe and the semiconductor element may be a chip.
  • the sintered material or solder is applied in a separate process.
  • solder in particular is complex and increases the process and material costs.
  • the invention has for its object to provide a carrier or clip respectively for a semiconductor element, each of the production of a
  • the invention has for its object to provide a manufacturing method for such a carrier or clip and a use and a sintering paste. According to the invention, this object is achieved by looking at the carrier
  • the invention is based on the idea of a carrier for at least one
  • the material of the carrier comprises a metal.
  • a layer of a sinterable, solidified paste is arranged, the silver and / or a
  • Silver compound and 0, 1% - 2% fatty acids or organic binder form an intermediate product which is connectable to the semiconductor element.
  • the solidified paste contains silver and / or a silver compound.
  • the paste contains 0, 1% - 2% fatty acids or organic binders.
  • the paste contains in addition to silver and / or a silver compound additionally 0, 1% - 2% fatty acids or organic binders.
  • the solidified paste contains silver and / or a silver compound as well as 0, 1% - 2%
  • fatty acids it may, for. B. caprylic acid (octanoic acid) and / or
  • Capric acid decanoic acid and / or lauric acid (dodecanoic acid) and / or myristic acid (tetradecanoic acid) and / or palmitic acid (hexadecanoic acid) and / or margaric acid (heptadecanoic acid) and / or stearic acid
  • the solidified paste preferably contains caprylic acid (octanoic acid) and / or lauric acid (dodecanoic acid) and / or myristic acid (tetradecanoic acid) and / or palmitic acid (hexadecanoic acid) and / or margaric acid (heptadecanoic acid) and / or stearic acid (octadecanoic acid).
  • caprylic acid octanoic acid
  • lauric acid diodecanoic acid
  • myristic acid tetradecanoic acid
  • palmitic acid hexadecanoic acid
  • margaric acid heptadecanoic acid
  • stearic acid octadecanoic acid
  • the organic binder is preferably a polymer such as cellulose derivatives, for example methylcellulose and / or ethylcellulose and / or ethylmethylcellulose and / or carboxycellulose and / or hydroxypropylcellulose.
  • the invention has the advantage that the carrier and the layer can be produced together and form a sinterable intermediate.
  • the sinterable intermediate can be used by another manufacturer to equip the carrier with the semiconductor element, so that then only the compound by sintering between the carrier and the
  • the carrier forms an intermediate product which can be handled independently and can be further processed in a temporally or spatially separate process.
  • the carrier has at least one connection, wherein on the connection on the side of the functional surface, a further layer of sinterable, solidified paste is arranged, the silver and / or a
  • Silver compound and 0.1% - contains 2% fatty acids or organic binder.
  • the layer can be connected to a clip, in particular a clip according to claim 5.
  • This embodiment has the advantage that not only the functional surface but also the connection or a plurality of connections can be provided with the sinterable layer in one operation
  • the thickness of the layer from 5 ⁇ to 100 ⁇ , in particular from 5 ⁇ to 50 ⁇ .
  • the layer may contain silver particles with a particle size of 200 nm to 20 ⁇ .
  • a clip for connection to a
  • the clip has the same features as the carrier, ie at least one functional surface for connection to the semiconductor element, wherein the material of the clip comprises a metal.
  • a layer of a sinterable, solidified paste is arranged, which contains silver and / or a silver compound and 0, 1% - 2% fatty acids or organic binders. The clip and the layer form an intermediate with the
  • the paste contains silver and / or a silver compound.
  • the paste contains 0.1% - 2% fatty acids or organic binders.
  • the paste contains in addition to silver and / or a silver compound additionally 0, 1% - 2% fatty acids or organic binders.
  • the solidified paste contains silver and / or a silver compound and 0, 1% - 2% fatty acids or organic binders.
  • fatty acids it may, for. B. caprylic acid (octanoic acid) and / or
  • Capric acid decanoic acid and / or lauric acid (dodecanoic acid) and / or myristic acid (tetradecanoic acid) and / or palmitic acid (hexadecanoic acid) and / or margaric acid (heptadecanoic acid) and / or stearic acid
  • the solidified paste preferably contains caprylic acid (octanoic acid) and / or lauric acid (dodecanoic acid) and / or myristic acid (tetradecanoic acid) and / or palmitic acid (hexadecanoic acid) and / or margaric acid (heptadecanoic acid) and / or stearic acid (octadecanoic acid).
  • caprylic acid octanoic acid
  • lauric acid diodecanoic acid
  • myristic acid tetradecanoic acid
  • palmitic acid hexadecanoic acid
  • margaric acid heptadecanoic acid
  • stearic acid octadecanoic acid
  • the organic binder is preferably a polymer such as cellulose derivatives, for example methylcellulose and / or ethylcellulose and / or ethylmethylcellulose and / or carboxycellulose and / or
  • the inventive method for producing the carrier for at least one semiconductor element or the clip for connection to a semiconductor element based on the fact that the carrier or the clip structured, in particular stamped and having a functional surface for connection to the semiconductor element.
  • a sintering paste, in particular a silver-containing sintering paste is applied to the functional surface and heated to dry out and solidify. As a result, a solidified and sinterable layer on the
  • the functional surface is coated before the application of the sintering paste with a bonding agent, in particular with silver or a silver compound.
  • the sintering paste can be applied by a stencil printing method, in particular by a spraying method or a dispensing method.
  • the use of the carrier according to claim 1 and / or of the clip according to claim 5 for the production of a leadframe package is disclosed and claimed within the scope of the invention.
  • a sintering paste for application to a carrier and / or on a clip is disclosed and claimed, which is characterized in that it can be applied to the carrier according to claim 1 to 4 and / or on the clip according to claim 5 to 8.
  • FIG. 1 shows a side view of a carrier or leadframes with applied
  • Figure 2 is a side view of a clip with applied sinterable layer
  • FIG. 3 shows a semiconductor component with a leadframe and a clip according to FIGS. 1, 2.
  • Figure 1 shows a side view of a carrier or leadframes according to an embodiment of the invention.
  • the carrier is a Punching or etching part, which is produced by methods known per se.
  • the carrier forms an intermediate, which in another separate
  • Process step with a semiconductor element for example.
  • a chip is connected.
  • the carrier has a functional surface 10, on which the semiconductor element is placed.
  • a layer 12 is applied to the functional surface 10, which consists of a sinterable, solidified paste.
  • the layer 12 contains silver and / or a silver compound and 0.1% -0.2% fatty acid or organic binder.
  • a sintering paste is applied to the functional surface 10 in a preliminary process.
  • the sintering paste is then dried. In this case, the liquid at room temperature components are removed.
  • the solidification, i. the drying of the paste takes place in such a way that the paste does not completely sinter. Therefore, the solidified paste or the layer 12 has a residual reactivity for the subsequent sintering process.
  • the drying of the paste is preferably carried out at a temperature, a pressure, a humidity and for a duration which are suitable for removing the solvents from the paste as far as possible, but without the sintering processes within the paste having been completed after drying.
  • the drying can be carried out, for example, at temperatures below 200 ° C., and more preferably below 150 ° C., for example at about 120 ° C. for a period of preferably 3 to 60 minutes.
  • For drying can usual
  • Drying equipment can be used.
  • the carrier with the layer 12 of Figure 1 thus forms a preform, which is supplied as an intermediate product to the further manufacturing process, for example.
  • the intermediate product is stable overall and so manageable that it can be transported for further processing. This is because the originally moist sintering paste solidifies and is dimensionally stable at ambient temperature.
  • FIG. 2 shows a clip which, like the carrier according to FIG. 1, is provided with a solidified, sinterable paste or a corresponding layer 12.
  • FIG. 3 shows the leadframe package after processing.
  • the leadframe according to FIG. 1 and the clip according to FIG. 2 are each further processed as an intermediate product to the package according to FIG. 3, specifically in a separate step.
  • the chip according to FIG. 3 is connected to the leadframe and the clip in the manner shown in FIG. 3 and sintered.
  • Sintering is understood to mean the joining of two components by heating, bypassing the liquid phase.
  • the leadframe has at least one connection which is connected to a corresponding connection of the clip.
  • the invention is carried out by a solidified sintered paste, as in the
  • Sintering paste or the solidified layer 12 may be applied either on the terminal 11 of the lead frame or the terminal 11 of the clip and thus form part of the respective intermediate product.
  • the layer arrangement of clip, chip or semiconductor element and leadframe or carrier is potted in a further step with a so-called mold compound, so that the complete
  • Lead package is produced.
  • the invention or the embodiments described above have the advantage that the process and material costs are reduced.

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Abstract

Die Erfindung bezieht sich auf einen Träger (z.B. Stanzgitter) und einen Clip für wenigstens ein Halbleiterelement, der wenigstens eine Funktionsfläche (10) zur Verbindung mit dem Halbleiterelement und mehrere Anschlüsse (11) aufweist. Sie zeichnet sich dadurch aus, dass das Material des Trägers bzw. Clips ein Metall umfasst und auf der Funktionsfläche (10) eine Schicht (12) aus einer verfestigten (getrockneten) Sinterpaste, insbesondere einer Silber und/oder eine Silberverbindung enthaltenden Sinterpaste angeordnet ist, wobei der Träger bzw. Clip und die Schicht (12) aus Sinterpaste ein Zwischenprodukt bilden, das mit dem Halbleiterelement verbindbar ist. Der Träger und der Clip werden zur Herstellung einer Verpackung mit Stanzgitter (Leadframe Package) durch Verbindung mit dem Clip mittels Sintern der verfestigten Sinterpasten in einem Arbeitsgang verwendet.

Description

TRÄGER UND CLIP JEWEILS MIT SINTERBARER, VERFESTIGTER PASTE ZUR VERBINDUNG MIT EINEM HALBLEITERELEMENT, ENTSPRECHENDE SINTERPASTE UND ENTSPRECHENDES HERSTELLUNGSVERFAHREN UND VERWENDUNG
Beschreibung
Die Erfindung bezieht sich auf einen Träger für wenigstens ein Halbleiterelement, der wenigstens eine Funktionsfläche zur Verbindung mit dem Halbleiterelement aufweist. Die Erfindung bezieht sich ferner auf einen Clip für wenigstens ein Halbleiterelement, der wenigstens eine Funktionsfläche zur Verbindung mit dem Halbleiterelement aufweist. Die Erfindung bezieht sich ferner auf ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Trägers bzw. eines solchen Clips, sowie die
Verwendung des Trägers bzw. des Clips und auf eine Sinterpaste.
Ein Träger der eingangs genannten Art ist beispielsweise aus DE 10 2009 017 853 AI bekannt. Bei der Herstellung des bekannten Trägers wird zunächst die
Sinterpaste auf die Unterseite des Halbleiterelements aufgetragen. Dann wird das Halbleiterelement mit der Funktionsfläche des Trägers in Kontakt gebracht und vorläufig fixiert. Die eigentliche Verbindung erfolgt dann durch Versintern des Trägers mit dem Halbleiterelement durch die Paste. Dadurch wird ein
Schichtsystem hergestellt, das als Halbleiterbauelement weiterverarbeitet wird.
Bei dem Träger kann es sich beispielsweise um einen sogenannten Leadframe und bei dem Halbleiterelement um einen Chip handeln.
Bei dem bekannten Verfahren wird das Sintermaterial oder auch Lot in einem separaten Prozess aufgebracht. Gerade der Einsatz von Lot ist aufwändig und erhöht die Prozess- und Materialkosten.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen Träger bzw. Clip jeweils für ein Halbleiterelement anzugeben, der jeweils die Herstellung eines
Halbleiterbauelements vereinfacht. Ferner liegt der Erfindung die Aufgabe zugrunde, ein Herstellungsverfahren für einen derartigen Träger bzw. Clip sowie eine Verwendung und eine Sinterpaste anzugeben. Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe mit Blick auf den Träger durch den
Gegenstand des Anspruchs 1 und mit Blick auf den Clip durch den Gegenstand des Anspruchs 5 gelöst. Mit Blick auf das Verfahren wird die Aufgabe durch den Gegenstand des Anspruchs 9, mit Blick auf die Verwendung durch den
Gegenstand des Anspruchs 12 und mit Blick auf die Sinterpaste durch den Gegenstand des Anspruchs 13 gelöst.
Die Erfindung beruht auf dem Gedanken, einen Träger für wenigstens ein
Halbleiterelement anzugeben, der wenigstens eine Funktionsfläche zur
Verbindung mit dem Halbleiterelement aufweist. Erfindungsgemäß umfasst das Material des Trägers ein Metall . Auf der Funktionsfläche ist eine Schicht aus einer sinterbaren, verfestigten Paste angeordnet, die Silber und/oder eine
Silberverbindung und 0, 1 % - 2 % Fettsäuren bzw. organische Bindemittel enthält. Der Träger und die Schicht bilden ein Zwischenprodukt, das mit dem Halbleiterelement verbindbar ist.
Die verfestigte Paste enthält Silber und/oder eine Silberverbindung . Außerdem enthält die Paste 0, 1 % - 2 % Fettsäuren bzw. organische Bindemittel . Mit anderen Worten enthält die Paste neben Silber und/oder einer Silberverbindung zusätzlich 0, 1 % - 2 % Fettsäuren bzw. organische Bindemittel. Die verfestigte Paste enthält Silber und/oder eine Silberverbindung sowie 0, 1 % - 2 %
Fettsäuren bzw. organische Bindemittel.
Bei den Fettsäuren kann es z. B. um Caprylsäure (Octansäure) und/oder
Caprinsäure (Decansäure) und/oder Laurinsäure (Dodecansäure) und/oder Myristinsäure (Tetradecansäure) und/oder Palmitinsäure (Hexadecansäure) und/oder Margarinsäure (Heptadecansäure) und/oder Stearinsäure
(Octadecansäure) und/oder Arachinsäure (Eicosansäure/Icosansäure) und/oder Behensäure (Docosansäure) und/oder Lignocerinsäure (Tetracosansäure).
Bevorzugt enthält die verfestigte Paste Caprylsäure (Octansäure) und/oder Laurinsäure (Dodecansäure) und/oder Myristinsäure (Tetradecansäure) und/oder Palmitinsäure (Hexadecansäure) und/oder Margarinsäure (Heptadecansäure) und/oder Stearinsäure (Octadecansäure).
Bei dem organischen Bindemittel handelt es sich vorzugsweise um ein Polymer wie Cellulosederivate, beispielsweise Methylcellulose und/oder Ethylcellulose und/oder Ethylmethylcellulose und/oder Carboxycellulose und/oder Hydroxypropylcellulose.
Die Erfindung hat den Vorteil, dass der Träger und die Schicht zusammen hergestellt werden können und ein sinterbares Zwischenprodukt bilden. Das sinterbare Zwischenprodukt kann von einem weiteren Hersteller verwendet werden, um den Träger mit dem Halbleiterelement zu bestücken, so dass dann nur die Verbindung durch Sintern zwischen dem Träger und dem
Halbleiterelement durchgeführt wird. Es hat sich gezeigt, dass es weniger aufwendig ist, wenn der Träger bzw. der Leadframe, zusammen mit der sinterbaren Schicht hergestellt wird und dann anschließend mit dem
Halbleiterelement verbunden wird.
Der Träger bildet mit der aus der sinterbaren, verfestigten Paste gebildeten Schicht ein Zwischenprodukt, das selbstständig handhabbar ist und in einem zeitlich bzw. räumlich getrennten Vorgang weiterverarbeitet werden kann.
Vorzugsweise weist der Träger wenigstens einen Anschluss auf, wobei auf dem Anschluss auf der Seite der Funktionsfläche eine weitere Schicht aus einer sinterbaren, verfestigten Paste angeordnet ist, die Silber und/oder eine
Silberverbindung und 0,1 % - 2 % Fettsäuren bzw. organische Bindemittel enthält. Die Schicht ist mit einem Clip, insbesondere einem Clip nach Anspruch 5 verbindbar. Diese Ausführung hat den Vorteil, dass nicht nur die Funktionsfläche, sondern in einem Arbeitsgang auch der Anschluss bzw. mehrere Anschlüsse mit der sinterbaren Schicht versehen werden können, wodurch der
Herstellungsprozess weiter vereinfacht wird.
Es hat sich als vorteilhaft erwiesen, wenn die Dicke der Schicht von 5 μιτι bis 100 μιτι, insbesondere von 5 μιτι bis 50 μιτι beträgt.
Die Schicht kann Silberpartikel mit einer Partikelgröße von 200 nm bis 20 μιτι enthalten.
Im Rahmen der Erfindung wird ein Clip zur Verbindung mit einem
Halbleiterelement und einem Träger, insbesondere einem Träger nach Anspruch 1 offenbart und beansprucht. Der Clip weist dieselben Merkmale wie der Träger auf, d.h. wenigstens eine Funktionsfläche zur Verbindung mit dem Halbleiterelement, wobei das Material des Clips ein Metall umfasst. Auf der Funktionsfläche ist eine Schicht aus einer sinterbaren, verfestigten Paste angeordnet, die Silber und/oder eine Silberverbindung und 0, 1 % - 2 % Fettsäuren bzw. organische Bindemittel enthält. Der Clip und die Schicht bilden ein Zwischenprodukt, das mit dem
Halbleiterelement verbindbar ist. Die im Zusammenhang mit dem Träger erläuterten Vorteile gelten auch für den Clip.
Die Paste enthält Silber und/oder eine Silberverbindung. Außerdem enthält die Paste 0,1 % - 2 % Fettsäuren bzw. organische Bindemittel . Mit anderen Worten enthält die Paste neben Silber und/oder einer Silberverbindung zusätzlich 0, 1 % - 2 % Fettsäuren bzw. organische Bindemittel. Die verfestigte Paste enthält Silber und/oder eine Silberverbindung sowie 0, 1 % - 2 % Fettsäuren bzw. organische Bindemittel.
Bei den Fettsäuren kann es z. B. um Caprylsäure (Octansäure) und/oder
Caprinsäure (Decansäure) und/oder Laurinsäure (Dodecansäure) und/oder Myristinsäure (Tetradecansäure) und/oder Palmitinsäure (Hexadecansäure) und/oder Margarinsäure (Heptadecansäure) und/oder Stearinsäure
(Octadecansäure) und/oder Arachinsäure (Eicosansäure/Icosansäure) und/oder Behensäure (Docosansäure) und/oder Lignocerinsäure (Tetracosansäure).
Bevorzugt enthält die verfestigte Paste Caprylsäure (Octansäure) und/oder Laurinsäure (Dodecansäure) und/oder Myristinsäure (Tetradecansäure) und/oder Palmitinsäure (Hexadecansäure) und/oder Margarinsäure (Heptadecansäure) und/oder Stearinsäure (Octadecansäure).
Bei dem organischen Bindemittel handelt es sich vorzugsweise um ein Polymer wie Cellulosederivate, beispielsweise Methylcellulose und/oder Ethylcellulose und/oder Ethylmethylcellulose und/oder Carboxycellulose und/oder
Hydroxypropylcellulose.
Zu den Vorteilen der Ausführungsformen des Clips wird auf die im
Zusammenhang mit dem Träger offenbarten und beschriebenen Vorteile verwiesen.
Das erfindungsgemäße Verfahren zur Herstellung des Trägers für wenigstens ein Halbleiterelement oder des Clips zur Verbindung mit einem Halbleiterelement beruht darauf, dass der Träger bzw. der Clip strukturiert, insbesondere gestanzt wird, und eine Funktionsfläche zur Verbindung mit dem Halbleiterelement aufweist. Eine Sinterpaste, insbesondere eine Silber enthaltende Sinterpaste wird auf die Funktionsfläche aufgebracht und zum Austrocknen und Verfestigen erwärmt. Dadurch wird eine verfestigte und sinterbare Schicht auf der
Funktionsfläche des Trägers bzw. des Clips gebildet. Das so hergestellte
Zwischenprodukt wird in einem gesonderten Prozess mit dem Halbleiterelement verbunden.
Vorzugsweise wird die Funktionsfläche vor dem Aufbringen der Sinterpaste mit einem Haftvermittler, insbesondere mit Silber oder einer Silberverbindung beschichtet. Die Sinterpaste kann durch ein Schablonendruckverfahren, insbesondere durch ein Sprühverfahren oder ein Dispensverfahren aufgebracht werden.
Ferner wird im Rahmen der Erfindung die Verwendung des Trägers nach Anspruch 1 und/oder des Clips nach Anspruch 5 zur Herstellung eines Leadframe-Packages offenbart und beansprucht. Außerdem wird eine Sinterpaste für das Aufbringen auf einen Träger und/oder auf einen Clip offenbart und beansprucht, die sich dadurch auszeichnet, dass diese auf den Träger nach Anspruch 1 bis 4 und/oder auf den Clip nach Anspruch 5 bis 8 aufbringbar ist.
Nachfolgend wird die Erfindung anhand eines Ausführungsbeispiels unter Bezug auf die beigefügten Zeichnungen mit weiteren Einzelheiten näher erläutert.
In diesen zeigen:
Figur 1 eine Seitenansicht eines Trägers bzw. Leadframes mit applizierter
Schicht;
Figur 2 eine Seitenansicht eines Clips mit applizierter sinterbarer Schicht;
und
Figur 3 ein Halbleiterbauelement mit einem Leadframe und einem Clip nach den Figuren 1, 2.
Figur 1 zeigt eine Seitenansicht eines Trägers oder auch Leadframes nach einem erfindungsgemäßen Ausführungsbeispiel. Bei dem Träger handelt es sich um ein Stanz- bzw. Ätzteil, das durch an sich bekannte Verfahren hergestellt wird. Der Träger bildet ein Zwischenprodukt, das in einem weiteren gesonderten
Verfahrensschritt mit einem Halbleiterelement, bspw. ein Chip, verbunden wird. Dazu weist der Träger eine Funktionsfläche 10 auf, auf der das Halbleiterelement platziert wird. Zum Verbinden des Halbleiterelements mit der Funktionsfläche 10 des Trägers ist eine Schicht 12 auf der Funktionsfläche 10 appliziert, die aus einer sinterbaren, verfestigten Paste besteht. Die Schicht 12 enthält Silber und/oder eine Silberverbindung sowie 0,1 % - 0,2 % Fettsäure bzw. organische Bindemittel.
Zur Herstellung der Schicht 12 wird in einem Vorprozess eine Sinterpaste auf die Funktionsfläche 10 aufgetragen. Die Sinterpaste wird dann getrocknet. Dabei werden die bei Raumtemperatur flüssigen Bestandteile entfernt. Die Verfestigung, d.h. das Trocknen der Paste erfolgt derart, dass es nicht zu einer vollständigen Versinterung der Paste kommt. Deshalb weist die verfestigte Paste bzw. die Schicht 12 eine Restreaktivität für den später folgenden Sinterprozess auf.
Das Trocknen der Paste erfolgt vorzugsweise bei einer Temperatur, einem Druck, einer Luftfeuchtigkeit und für eine Dauer, die geeignet sind, die Lösungsmittel aus der Paste weitestgehend zu entfernen, ohne dass jedoch nach dem Trocknen die Sinterprozesse innerhalb der Paste bereits vollständig abgelaufen sind. Die Trocknung kann beispielsweise bei Temperaturen unterhalb von 200°C und mehr bevorzugt unterhalb von 150°C, beispielsweise bei etwa 120°C für eine Dauer von vorzugsweise 3 - 60 Minuten erfolgen. Zum Trocknen können übliche
Trocknungsapparaturen eingesetzt werden.
Der Träger mit der Schicht 12 nach Figur 1 bildet somit eine Vorform, die als Zwischenprodukt dem weiteren Herstellungsprozess bspw. durch einen anderen Hersteller zugeführt wird. Das Zwischenprodukt ist insgesamt stabil und so handhabbar, dass dieses für die Weiterverarbeitung transportiert werden kann. Dies liegt daran, dass die ursprünglich feuchte Sinterpaste verfestigt und und damit bei Umgebungstemperatur formstabil ist.
Das C-Ag Verhältnis der Schicht liegt in einem Bereich von C : Ag = 1/1000 - 2/100. Die Partikelgröße der in der Schicht enthaltenen Silberpartikel beträgt von 200 nm bis 20 μιτι. In Figur 2 ist ein Clip dargestellt, der wie der Träger gemäß Figur 1 mit einer verfestigten, sinterbaren Paste bzw. einer entsprechenden Schicht 12 versehen ist. Zum Aufbau und zur Herstellung des Clips wird auf die Ausführungen im Zusammenhang mit Figur 1 verwiesen.
Figur 3 zeigt das Leadframe-Package nach der Verarbeitung. Mit anderen Worten wird der Leadframe gemäß Figur 1 sowie der Clip gemäß Figur 2 jeweils als Zwischenprodukt zu dem Package gemäß Figur 3 weiterverarbeitet und zwar in einem gesonderten Schritt. Dazu wird der Chip gemäß Figur 3 mit dem Leadframe und dem Clip in der in Figur 3 gezeigten Weise verbunden und versintert.
Unter Sintern wird das Verbinden von zwei Bauteilen durch Erwärmen unter Umgehung der flüssigen Phase verstanden.
In Figur 3 ist weiter zu erkennen, dass der Leadframe wenigstens einen Anschluss aufweist, der mit einem entsprechenden Anschluss des Clips verbunden ist. Die Erfindung erfolgt durch eine verfestigte Sinterpaste, die wie bei den
Zwischenprodukten gemäß Figuren 1, 2 aufgebracht ist. Dabei kann die
Sinterpaste bzw. die verfestigte Schicht 12 entweder auf dem Anschluss 11 des Leadframes oder dem Anschluss 11 des Clips aufgebracht sein und so einen Teil des jeweiligen Zwischenproduktes bilden. Die Schichtanordnung aus Clip, Chip bzw. Halbleiterelement und Leadframe bzw. Träger wird in einem weiteren Schritt mit einem sogenannten mold Compound vergossen, so dass das komplette
Leadpackage hergestellt wird.
Die Erfindung bzw. die vorstehend beschriebenen Ausführungsbeispiele haben den Vorteil, dass die Prozess- und Materialkosten verringert werden.

Claims

Ansprüche
Träger für wenigstens ein Halbleiterelement, der wenigstens eine
Funktionsfläche (10) zur Verbindung mit dem Halbleiterelement aufweist, dad u rch geken nzeich net, dass
das Material des Trägers ein Metall umfasst und auf der Funktionsfläche (10) eine Schicht (12) aus einer sinterbaren, verfestigten Paste angeordnet ist, die Silber und/oder eine Silberverbindung und 0,1-2% Fettsäuren bzw. organische Bindemittel enthält, wobei der Träger und die Schicht (12) ein Zwischenprodukt bilden, das mit dem Halbleiterelement verbindbar ist.
Träger nach Anspruch 1,
geken nzeich net d u rch
wenigstens einen Anschluss (11), wobei auf dem Anschluss (11) auf der Seite der Funktionsfläche (10) eine weitere Schicht (12) aus einer sinterbaren, verfestigten Paste angeordnet ist, die Silber und/oder eine Silberverbindung und 0,1-2% Fettsäuren bzw. organische Bindemittel enthält, angeordnet ist, die mit einem Clip, insbesondere einem Clip nach Anspruch 5, verbindbar ist.
Träger nach Anspruch 1 oder 2,
dad u rch geken nzeich net, dass
die Dicke der Schicht (12) von 5 μιτι bis 100 μιτι, insbesondere von 5 μιτι bis 50 μιτι beträgt.
Träger nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dad u rch geken nzeich net, dass
die Schicht (12) Silberpartikel mit einer Partikelgröße von 200nm bis 20pm enthält.
Clip zur Verbindung mit einem Halbleiterelement und einem Träger, insbesondere einem Träger nach Anspruch 1, wobei der Clip wenigstens eine Funktionsfläche (10) zur Verbindung mit dem Halbleiterelement aufweist,
dad u rch geken nzeich net, dass
das Material des Clips ein Metall umfasst und auf der Funktionsfläche (10) eine Schicht (12) aus einer sinterbaren, verfestigten Paste angeordnet ist, die Silber und/oder eine Silberverbindung und 0,1-2% Fettsäuren bzw. organische Bindemittel enthält, wobei der Clip und die Schicht (12) ein Zwischenprodukt bilden, das mit dem Halbleiterelement verbindbar ist.
6. Clip nach Anspruch 5,
geken nzeich net d u rch
wenigstens einen Anschluss (11), wobei auf dem Anschluss (11) auf der Seite der Funktionsfläche (10) eine weitere Schicht (12) aus einer sinterbaren, verfestigten Paste angeordnet ist, die Silber und/oder eine Silberverbindung und 0,1-2% Fettsäuren bzw. organische Bindemittel enthält, angeordnet ist, die mit einem Träger, insbesondere einem Träger nach Anspruch 1, verbindbar ist.
7. Clip nach Anspruch 5 oder 6,
dad u rch geken nzeich net, dass
die Dicke der Schicht (12) von 5 μιτι bis 100 μιτι, insbesondere von 5 μιτι bis 50 μιτι beträgt.
8. Clip nach einem der Ansprüche 5 bis 7,
dad u rch geken nzeich net, dass
die Schicht (12) Silberpartikel mit einer Partikelgröße von 200nm bis 20pm enthält.
9. Verfahren zur Herstellung eines Trägers für wenigstens ein
Halbleiterelement oder eines Clips zur Verbindung mit einem
Halbleiterelement, bei dem
- der Träger bzw. der Clip strukturiert und eine Funktionsfläche (10) zur Verbindung mit dem Halbleiterelement gebildet wird,
- eine Sinterpaste, insbesondere eine Silber enthaltende Sinterpaste, auf die Funktionsfläche (10) aufgebracht wird und
- die Sinterpaste zum Austrocknen und Verfestigen erwärmt wird.
10. Verfahren nach Anspruch 5,
dad u rch geken nzeich net, dass
die Funktionsfläche (10) vor dem Aufbringen der Sinterpaste mit einem Haftvermittler, insbesondere mit Silber oder einer Silberverbindung, beschichtet wird.
11. Verfahren nach Anspruch 5 oder 6,
d a d u rch g e ke n n ze i c h n et, dass
die Sinterpaste durch ein Schablonendruckverfahren, insbesondere durch ein Sprühverfahren oder ein Dispensverfahren aufgebracht wird.
12. Verwendung des Trägers nach Anspruch 1 und/oder des Clips nach
Anspruch 5 zur Herstellung eines Leadframe Package.
13. Sinterpaste für das Aufbringen auf einen Träger und/oder auf einen Clip, dadurch gekennzeichnet, dass diese auf den Träger nach Anspruch 1 bis 4 und/oder auf den Clip nach Anspruch 5 bis 8 aufbringbar ist.
EP15713177.2A 2014-03-26 2015-03-26 Träger und clip jeweils mit sinterbarer, verfestigter paste zur verbindung mit einem halbleiterelement, entsprechende sinterpaste und entsprechendes herstellungsverfahren und verwendung Withdrawn EP3123500A1 (de)

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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3234988A4 (de) * 2014-12-17 2018-09-12 Alpha Assembly Solutions Inc. Verfahren für chip- und klippbefestigung
EP3154079A1 (de) * 2015-10-08 2017-04-12 Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG Verfahren zum verbinden einer substratanordnung mit einem elektronikbauteil mit verwendung eines auf eine kontaktierungsmaterialschicht aufgebrachten vorfixiermittels, entsprechende substratanordnung und verfahren zu ihrem herstellen
US10861775B2 (en) 2018-09-28 2020-12-08 Semiconductor Components Industries, Llc Connecting clip design for pressure sintering
US10964628B2 (en) 2019-02-21 2021-03-30 Infineon Technologies Ag Clip frame assembly, semiconductor package having a lead frame and a clip frame, and method of manufacture
US11515244B2 (en) 2019-02-21 2022-11-29 Infineon Technologies Ag Clip frame assembly, semiconductor package having a lead frame and a clip frame, and method of manufacture
EP3792962A1 (de) * 2019-09-12 2021-03-17 Infineon Technologies AG Verfahren zur kontrolle eines prozesses zur herstellung einer sinterbaren verbindungsschicht mittels photometrischer messungen
JP7404208B2 (ja) 2020-09-24 2023-12-25 株式会社東芝 半導体装置
US11938543B2 (en) * 2021-04-09 2024-03-26 Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG Silver sintering preparation and the use thereof for the connecting of electronic components

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1961381A (zh) * 2004-02-18 2007-05-09 弗吉尼亚科技知识产权公司 用于连接的纳米级金属糊及其使用方法
JP2008153470A (ja) * 2006-12-18 2008-07-03 Renesas Technology Corp 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP5123633B2 (ja) 2007-10-10 2013-01-23 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置および接続材料
US8828804B2 (en) * 2008-04-30 2014-09-09 Infineon Technologies Ag Semiconductor device and method
US7754533B2 (en) 2008-08-28 2010-07-13 Infineon Technologies Ag Method of manufacturing a semiconductor device
JP2010171271A (ja) 2009-01-23 2010-08-05 Renesas Technology Corp 半導体装置およびその製造方法
DE102009008926B4 (de) * 2009-02-13 2022-06-15 Danfoss Silicon Power Gmbh Verfahren zur Schaffung einer hochtemperatur- und temperaturwechselfesten Verbindung eines Halbleiterbausteins mit einem Verbindungspartner und einer Kontaktlasche unter Verwendung eines temperaturbeaufschlagenden Verfahrens
DE102009020733B4 (de) * 2009-05-11 2011-12-08 Danfoss Silicon Power Gmbh Verfahren zur Kontaktsinterung von bandförmigen Kontaktelementen
EP2306796A1 (de) 2009-10-05 2011-04-06 ABB Research Ltd. Verfahren zum Verbinden von Komponenten, Verbund von Komponenten einer elektrischen Schaltung und elektrische Schaltung
US8637379B2 (en) 2009-10-08 2014-01-28 Infineon Technologies Ag Device including a semiconductor chip and a carrier and fabrication method
DE102010044329A1 (de) * 2010-09-03 2012-03-08 Heraeus Materials Technology Gmbh & Co. Kg Kontaktierungsmittel und Verfahren zur Kontaktierung elektrischer Bauteile
JP5812090B2 (ja) * 2011-03-10 2015-11-11 富士電機株式会社 電子部品および電子部品の製造方法
DE102011083911A1 (de) 2011-09-30 2013-04-04 Robert Bosch Gmbh Elektronische Baugruppe mit hochtemperaturstabilem Substratgrundwerkstoff
US10170645B2 (en) 2011-11-04 2019-01-01 Heraeus Precious Metals North America Conshohocken Llc Organic vehicle for electroconductive paste
DE102012207652A1 (de) * 2012-05-08 2013-11-14 Robert Bosch Gmbh Zweistufiges Verfahren zum Fügen eines Halbleiters auf ein Substrat mit Verbindungsmaterial auf Silberbasis
DE102012212249B4 (de) * 2012-07-12 2016-02-25 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Herstellung eines Verbundes und eines Halbleitermoduls

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
None *
See also references of WO2015144833A1 *

Also Published As

Publication number Publication date
JP6445584B2 (ja) 2018-12-26
CN106170856A (zh) 2016-11-30
DE102014104272A1 (de) 2015-10-01
KR20160139006A (ko) 2016-12-06
US10347566B2 (en) 2019-07-09
JP2017511601A (ja) 2017-04-20
US20170117209A1 (en) 2017-04-27
KR102025212B1 (ko) 2019-09-25
WO2015144833A1 (de) 2015-10-01

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