EP2010964A1 - Projektionsbelichtungssystem und verwendung desselben - Google Patents

Projektionsbelichtungssystem und verwendung desselben

Info

Publication number
EP2010964A1
EP2010964A1 EP07724535A EP07724535A EP2010964A1 EP 2010964 A1 EP2010964 A1 EP 2010964A1 EP 07724535 A EP07724535 A EP 07724535A EP 07724535 A EP07724535 A EP 07724535A EP 2010964 A1 EP2010964 A1 EP 2010964A1
Authority
EP
European Patent Office
Prior art keywords
mask
mirror
substrate
projection exposure
exposure system
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
EP07724535A
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Rolf Freimann
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Carl Zeiss SMT GmbH
Original Assignee
Carl Zeiss SMT GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Carl Zeiss SMT GmbH filed Critical Carl Zeiss SMT GmbH
Publication of EP2010964A1 publication Critical patent/EP2010964A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70308—Optical correction elements, filters or phase plates for manipulating imaging light, e.g. intensity, wavelength, polarisation, phase or image shift
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
    • G02B27/18—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00 for optical projection, e.g. combination of mirror and condenser and objective
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70233—Optical aspects of catoptric systems, i.e. comprising only reflective elements, e.g. extreme ultraviolet [EUV] projection systems

Definitions

  • the invention relates to a projection exposure system for imaging an object field arranged in an object plane into an image field of an image plane and to a use of such a projection exposure system.
  • the miniaturized devices and structures include, for example, integrated circuits, liquid crystal elements, micromechanical components, and the like.
  • a radiation-sensitive substrate such as a wafer provided with a radiation-sensitive layer (resist)
  • a mask reticle
  • the exposed radiation-sensitive layer is then developed and peeled off at the exposed or unexposed areas of the underlying wafer. In the areas where the layer is peeled off, the surface of the wafer is accessible for subsequent process steps, while the surface of the wafer in the areas where the layer is not detached is protected from the subsequent process steps.
  • the subsequent process steps include, for example, etching, oxidizing, implanting, depositing other layers, and the like.
  • NA the image - side numerical aperture of the
  • Imaging optics ⁇ is the wavelength of light used for imaging, and k is a parameter given by the process.
  • imaging optics having a larger numerical aperture are being developed to increase the resolution, and shorter wavelengths of light have been used for imaging.
  • the invention proposes a projection exposure system for imaging an object field arranged in an object plane into an image field of an image plane, wherein the projection exposure system has a mask holder for selectively holding a mask of a plurality of masks in an object plane, and a catoptric Imaging optics for transmitting a pattern defined by the arranged in the object plane mask in an image plane of the imaging optics, wherein the imaging optics comprises a plurality of mirrors.
  • the projection exposure system is characterized in that at least one of the mirrors is a phase mask formed mirror comprising a substrate having a surface on which a plurality of dielectric layers are mounted, the surface of the substrate comprising contiguous regions which are parallel extend to a layer direction of the dielectric layer mounted thereon, wherein adjacent regions are separated by flanks extending transversely to the layer direction.
  • a catoptric imaging optics contains only mirrors for imaging an object with light.
  • a catoptric imaging optics is especially advantageous if for Figure light of very short wavelength is used, such as ultraviolet light or extreme ultraviolet light (EUV). Light of such short wavelengths is strongly absorbed by transmissive optical elements and at the same time only weakly refracted.
  • EUV extreme ultraviolet light
  • the use of very short wavelength light over the use of longer wavelength light in a lithography system with imaging optics for imaging a mask on a semiconductor has the advantage of reducing a smallest feature size that can be produced by the lithography system.
  • a mirror designed as a phase mask is integrated in a lithography system with catoptric imaging optics according to the first aspect of the present invention, then the maximum of the point image function resulting in the imaging optics with aperture-limited resolution can be narrowed.
  • phase mask designates a structure having different partial regions which influence the phase of the imaging radiation interacting with the partial regions differently.
  • the amplitudes of the imaging radiation interacting with the different partial areas are also influenced differently.
  • the mirror designed as a phase mask can be produced on the basis of its simple structure using conventional lithographic techniques known to the person skilled in the art.
  • an equal number of dielectric layers are provided on a plurality of contiguous regions of the surface of the substrate of the at least one phase mask mirror Layers attached.
  • a structuring of the applied layers results according to a structuring of the contiguous regions of the surface of the substrate.
  • the areas of the surface of the at least one mirror formed as a phase mask are alternately projecting on the substrate and lowered areas in the substrate.
  • a lowered area of the surface in this application is understood to mean a region which is at least partially surrounded by one or more other surfaces of the substrate in such a way that at least some of the other surfaces project from the middle surface of the substrate.
  • a protruding area is complementary to a lowered area.
  • the invention proposes a projection exposure system for imaging an object field arranged in an object plane into an image field of an image plane, wherein the projection exposure system has a mask holder for selectively holding a mask of a plurality of masks in an object plane, and a catoptric Imaging optics for transmitting a pattern defined by the arranged in the object plane mask in an image plane of the imaging optics, wherein the imaging optics comprises a plurality of mirrors.
  • the projection exposure system is characterized in that at least one of the mirrors is a mirror formed as a phase mask, which comprises a substrate having a surface on which a plurality of dielectric layers is mounted, wherein the mirror has contiguous contiguous regions which face each other a number of dielectric layers mounted on the substrate.
  • the at least one phase mask formed mirror obtains a structured reflective surface by arranging various different dielectric layers on a substantially unstructured substrate. This can further simplify production of the mirror formed as a phase mask.
  • juxtaposed portions of the at least one mirror mask formed as a phase mask alternately have a larger and a smaller number of dielectric layers mounted on the substrate.
  • the portions of the mirror mask formed as a phase mask have a shape of elongated strips.
  • the regions can extend along circular lines around an optical axis of the imaging optics. This embodiment is particularly suitable for rotationally symmetrical imaging optics.
  • a number of the different regions of the mirror can be greater than 50, in particular greater than 100.
  • the materials of the dielectric layers of the at least one phase mask mirror comprise MoSi layers.
  • MoSi layers in the context of this application comprise layers of Mo, Si, MoSi 2 and Mo 5 Si 3 . These layers may be arranged alternately or comprising further intermediate layers.
  • protective or intermediate layers can be binary compounds of Mo and Si with B, C, N, O, F, in particular C, N and O are used. In particular, C can be used as the intermediate layer.
  • the portions of the phase mask formed mirror are configured to increase an axial dot image dimension (DOF) of the imaging optics image and / or to reduce a lateral dot image dimension of the imaging optics image.
  • DOE axial dot image dimension
  • the mirror designed as a phase mask it is possible to minimize secondary maxima of the dot image function so that the exposure threshold value of the resist is exceeded only in the area of the main maximum when an wafer is exposed, which is then narrower in the case of an inserted mirror formed as a phase mask the maximum at aperture-related resolution limit. Consequently, a suitable mirror formed as a phase mask can contribute to an increase in the resolution achievable with the lithographic process.
  • the mirror formed as a phase mask is arranged in the vicinity of a pupil of the imaging optics.
  • Near the pupil in the context of the present invention means that a distance along the beam path between the pupil and the pupil-shaped mirror arranged as a phase mask is smaller than a 0.3-fold, in particular a 0.2-fold, spacing between the pupil Pupil and one of the pupil next to the arranged field level.
  • distance along the beam path in a catoptric system means that the beam path running between mirrors is unfolded in order to obtain a folded, unidirectional beam path. In this unfolded beam path, a distance between elements of the system is then measured.
  • a lithography method using the above-explained projection exposure system is proposed.
  • multiple masks are used to expose the substrate to several different predetermined radiation intensity distributions.
  • a plurality of different mirrors formed as phase masks are provided, wherein each mask is associated with a mirror formed as a phase mask, so that during the illumination of a first mask for the exposure of the substrate having a first predetermined radiation intensity distribution, a first formed as a phase mask mirror is inserted into the imaging beam path and during the exposure of a second mask for exposing the substrate to a second predetermined radiation intensity distribution, a second mirror formed as a phase mask is inserted in the imaging beam path. Due to the association between the masks and the mirrors formed as phase masks, it is possible to configure the respective mirror formed as a phase mask in such a way that the result of a desired radiation intensity distribution is best achieved according to the circumstances of the respective mask.
  • Exposure to the various predetermined radiation intensity distributions may be made on a same radiation sensitive layer (resist) of the substrate, i. a multiple exposure of the radiation-sensitive layer with different predetermined radiation intensity distributions can take place.
  • the different radiation intensity distributions can also be exposed to different radiation-sensitive layers in successive process steps of the lithography process.
  • a lithography method using one of the above-explained projection exposure systems is proposed, in which a same radiation-sensitive layer of the substrate is exposed successively with different radiation intensity distributions, ie a multiple exposure is performed.
  • different masks are arranged in the object plane, wherein, however, the same phase mirror formed in all the exposures in the imaging beam path is arranged.
  • two, three or more different radiation intensity distributions are successively exposed to the same radiation-sensitive layer.
  • FIG. 1 shows schematically a view of an embodiment of a projection exposure system according to the invention, which comprises mirrors as optical elements,
  • FIG. 2 schematically shows a partial view of the embodiment of an inventive device shown in FIG.
  • Projection exposure system comprising a mirror formed as a phase mask
  • FIG. 3 schematically shows a view of an embodiment of a mirror designed as a phase mask in a projection exposure system according to the invention
  • FIG. 4 schematically shows steps of a manufacturing method of a mirror mask in a projection exposure system according to a first aspect of the present invention
  • FIG. 5 schematically shows steps of a manufacturing method of a mirror designed as a phase mask in FIG a projection exposure system according to a second aspect of the present invention
  • FIG. 6 shows an explanation of process steps of the lithography method according to an embodiment of the present invention
  • Figure 7 is an illustration of process steps of the lithography process according to an embodiment of the invention, wherein a multiple exposure is carried out with three different radiation intensity distributions.
  • FIG. 1 shows in a highly schematic representation a projection exposure system 1 for reducing the size of an object plane 3, in which a mask 7 is arranged, into an image plane 5, in which a surface 15 of a semiconductor wafer 13 is arranged.
  • a mask 7 is held on a mask carrier 9 in such a way that pattern-forming structures of the mask 7 are arranged in the object plane 3.
  • a semiconductor wafer 13 is held so that a surface 15 of the wafer provided with a radiation-sensitive layer (resist) is arranged in the image plane 5.
  • a radiation-sensitive layer resist
  • a catoptric imaging optics 17 comprises a plurality of mirrors for providing an imaging beam path, which is shown in FIG. 1 by three exemplary beams 21. The rays emanate at different angles from an exemplary point 23 in the object plane 3 and form this point 23 onto a point 25 in the image plane 5.
  • a pupil plane of the imaging optics 17 is provided with the reference numeral 27 in FIG.
  • the imaging optics 3 comprises six mirrors M1, M2, M3, M4, M5 and M6, at which the imaging beam path 21 starting from the object plane 3 is reflected successively to project into the image plane 5 a defined by the mask 7 pattern.
  • the imaging optics 3 is configured such that an intermediate image is generated between the object plane 3 and the image plane 5, wherein a point 41 shown by way of example in FIG. 1 lies in the corresponding intermediate image plane.
  • the mirror surfaces of the mirrors M1, M2,... M6 are each designed to be rotationally symmetrical with respect to a common optical axis 43, although the beam path itself is not rotationally symmetrical with respect to the common axis 43. Accordingly, the individual mirrors are "Off-
  • Axis mirrors " which are so trimmed that the parts of the beam path not reflected on a respective mirror can pass this mirror and are not blocked by the mirrors.
  • FIG. 2 is a partial view of the projection exposure system of FIG. 1, which comprises a schematic sectional view of the mirror M2 of FIG.
  • the mirror M2 is a mirror formed with a phase mask 33.
  • the mirror M2 formed as a phase mask comprises juxtaposed reflective areas which cause in the imaging beam path the beams 21 reflected from different areas of the mirror to travel through different optical path lengths, so that beams emerging from different areas of the laser beam Phase mask trained mirror M2 are reflected, experienced phase shifts relative to each other.
  • the phase mask 33 of the mirror M2 formed as a phase mask is arranged close to the pupil plane 27.
  • the mirror M2 formed as a phase mask is substantially less far away from a pupil 27 arranged between the object plane 3 and the intermediate image plane 41 than the pupil itself is removed from the object plane 3 or from the intermediate image plane 41.
  • a distance d between the pupil plane and the mirror M2 formed as a phase mask is substantially none other than a distance (the sum of the Stretching Sl and S2 in Figure 2) from the pupil plane 27 along the beam path 21 to the object plane 3rd
  • a mirror surface 45 of the mirror M2 has a shape that is rotationally symmetric with respect to the axis 43. However, the mirror M2 is cut along an edge 47 in order not to block the beam path. The beam path strikes the same in a region 49 of the mirror surface 45 and is reflected by the mirror surface 45 in this region 49. In the region 49, a phase mask 33, which is likewise shown schematically in FIG. 2, is applied to the mirror surface 45.
  • the phase mask 33 arranged on the mirror M2 constructed as a phase mask is configured in such a way that an axial point image dimension of the image is greater due to the presence of the phase mask 33 in the beam path compared to a situation in which the phase mask would not be arranged in the imaging beam path. Additionally or alternatively, the phase mask may also be configured such that a lateral dot image dimension of the image due to the presence of the phase mask in the imaging beam path is smaller than compared to a situation in which the phase mask is not arranged in the imaging beam path.
  • FIG. 3 shows an embodiment of the mirror M2 embodied as a phase mask in a plan view along the optical axis 43.
  • the contiguous regions (69, 71), from which incident light rays can be reflected after passing through different optical path lengths, extend in a striped manner adjacent to each other.
  • the regions extend along circular lines having their center in the optical axis 43.
  • FIGS. 4a to 4d schematically show steps of a manufacturing method of a mirror mask in a projection exposure system according to a first aspect of the present invention.
  • the formed as a phase mask mirror M2 is shown in side view, i. in use of the mirror M2 in a projection exposure system, there is a direction of light incidence in the plane of drawing of FIGS. 4a to 4d.
  • a resist 66 is applied to a substrate 65 in a pattern.
  • parts of the substrate 65 which are not covered by resist 66 are partially etched out to form regions 71 of a surface of the substrate 65. Adjacent areas 71 are separated from one another by flanks 75. Thereafter, the resist pattern as illustrated in Fig. 4c is removed.
  • a plurality of dielectric layers 73 are applied to the areas 71 of the surface of the substrate.
  • the dielectric layers 73 comprise two materials 73a and 73b having different dielectric properties, and thus different optical refractive indices.
  • a multiple layer 73 is formed by alternately applying the two different materials to the areas 71 of the surface of the substrate 65.
  • layers of Mo, Si, MoSi 2 and Mo 5 Si 3 may be used as materials having different dielectric properties.
  • Si Y or Be can also be used.
  • These layers may be arranged alternately or comprising further intermediate layers.
  • protection or Interlayers may be binary compounds of Mo and Si with B, C, N, O, F, in particular C, N and 0 are used.
  • C can be used as the intermediate layer.
  • a total of 40 layers are applied, with each layer having a thickness of 3 to 4 nm.
  • FIGS. 5a to 5d schematically show steps of a manufacturing method of a phase mask mirror M2 'in a projection exposure system according to a second aspect of the present invention.
  • the orientation of the mirror M2 ' is like that of the mirror M2 of FIGS. 4a to 4d.
  • FIG. 5 a first of all a multilayer 67, which is composed of alternating dielectric layers 67 a and 67 b of two materials with different dielectric properties, is applied to a surface 65 a of a substrate 65.
  • FIG. 5b shows a step after application of a resist 66 in a pattern onto the multilayer 67.
  • FIG. 5c illustrates a state after partial etching away of the multilayer 67 in regions of the multilayer which are not covered by resist 66.
  • a mirror M2 'formed as a phase mask is obtained.
  • the mirror M2 ' has juxtaposed regions 69 which differ with respect to a number of the dielectric layers 67 mounted on the substrate 65. Materials and thicknesses of the dielectric layers may be selected as described with respect to the embodiment described in FIG.
  • phase mask 33 may also be mounted on a surface of the mirror M5 which is also close to a further pupil of the imaging beam path arranged between the intermediate image plane 41 and the image plane 5 is arranged.
  • FIGS. 6a and 6b serve to illustrate a lithography method according to an embodiment of the invention.
  • FIG. 6a schematically shows, in the upper diagram by a line 51, a structure of a mask arranged in an object plane of a lithography system.
  • a transmission T of the mask is applied at the top and a lateral position coordinate of the mask, which is formed as an absorption mask, is applied to the right.
  • the mask could be formed as a phase mask, which generates a phase offset ⁇ with a corresponding course.
  • dashed line 53 shows a radiation intensity profile which would result in the object plane if no phase mask were arranged on a mirror in the vicinity of the pupil in the imaging beam path
  • a solid line 55 represents a radiation intensity distribution which results in the object plane in the form of a phase mask mirror arranged in the beam path.
  • a line 57 in the middle graph of FIG. 6a represents an exposure threshold value of a resist applied to the wafer surface, after which the resist is then exposed when the radiation intensity directed thereto exceeds the threshold value 57. It can be seen that a width of the regions in which the exposure intensity 55 exceeds the threshold value 57 with a phase mask arranged in the beam path on a mirror at a predefined exposure time is substantially smaller than a corresponding width of the exposure intensity 53 when not arranged in the beam path on a mirror phase mask.
  • structures symbolized by solid lines 61 which can be produced in the wafer after exposure with a phase mask arranged on a mirror, are substantially smaller than by dashed lines 63 symbolized structures after exposure without a phase mask arranged on a mirror.
  • the exposure by the phase mask disposed in the imaging optics results in a reduction of the smallest possible structures 61 that can be generated with a given mask.
  • a given mask structure 51 it is not possible to further reduce a distance between adjacent structures 61.
  • FIG. 6b shows schematically in FIG. 6b.
  • the line 51 ' represents a structure of a second mask, which is offset in the lateral direction compared to the structure 51 of FIG. 4a.
  • the mask structure 51 'generates in the object plane an intensity distribution 55' shown in the middle graph of FIG.
  • FIGS. 7a, 7b and 7c illustrate schematically, in analogy to FIGS. 6a and 6b, a lithography process in which successive exposures of a same resist are carried out in order to further increase a density of the fabricated structures.
  • the invention proposes a lithography method which uses a projection exposure system with catoptric imaging optics, which comprises a mirror formed as a phase mask in the imaging beam path, which has contiguous areas with dielectric layers attached thereto.
  • the areas of the mirror formed as a phase mask are configured such that an axial dot image dimension (DOF) of the image is increased or / and a lateral dot image dimension of the image is reduced.
  • DOF axial dot image dimension
  • a multiple exposure of a same radiation-sensitive substrate is made in order to achieve an increase in the resolution or reduction of the finished web structures.

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Lenses (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

Es wird ein Lithographieverfahren vorgeschlagen, welches ein Projektionsbelichtungssystem mit katoptrischer Abbildungsoptik einsetzt, welches einen als Phasenmaske ausgebildeten Spiegel im Abbildungs strahlengang umfasst, welcher zusammenhängende Bereiche mit darauf angebrachten dielektrischen Schichten aufweist. Vorzugsweise sind die Bereiche des als Phasenmaske ausgebildeten Spiegels derart konfiguriert, daß eine axiale Punktbildabmessung (DOF) der Abbildung vergrößert ist oder/und eine laterale Punktbildabmessung der Abbildung verkleinert ist. Vorzugsweise wird eine Mehrfachbelichtung eines gleichen strahlungsempfindlichen Substrats vorgenommen, um eine Erhöhung der Auflösung bzw. Verkleinerung der Fertigbahnstrukturen (61, 61' ) zu erreichen.

Description

ProjektionsbelichtungsSystem und Verwendung desselben
Die Erfindung betrifft ein Projektionsbelichtungssystem zur Abbildung eines in einer Objektebene angeordneten Objektfeldes in ein Bildfeld einer Bildebene und eine Verwendung eines solchen Proj ektionsbelichtungssystems .
Bei der Herstellung miniaturisierter Strukturen und Bauelemente werden herkömmlicherweise lithographische Verfahren eingesetzt. Die miniaturisierten Bauelemente und Strukturen umfassen beispielsweise integrierte Schaltkreise, Flüssigkristallelemente, mikromechanische Komponenten und dergleichen. Hierbei werden auf einer Maske (Retikel) vorgegebene Muster bzw. Strukturen auf ein strahlungsempfindliches Substrat, wie beispielsweise einen mit einer strahlungsempfindlichen Schicht (Resist) versehenen Wafer, durch eine Abbildungsoptik eines Proj ektionsbelichtungssystems abgebildet. Die belichtete strahlungsempfindliche Schicht wird sodann entwickelt und an den belichteten oder den unbelichteten Bereichen von dem zugrunde liegenden Wafer abgelöst. In den Bereichen, in denen die Schicht abgelöst ist, ist die Oberfläche des Wafers für nachfolgende Prozeßschritte zugänglich, während die Oberfläche des Wafers in den Bereichen, in denen die Schicht nicht abgelöst ist, vor den nachfolgenden Prozeßschritten geschützt ist. Die nachfolgenden Prozeßschritte umfassen beispielsweise ein Ätzen, Oxidieren, Implantieren, Aufbringen anderer Schichten und dergleichen.
Unter dem ständigen Trend einer zunehmenden Miniaturisierung der herzustellenden Bauelemente werden immer höhere Anforderungen an die Abbildungsqualität von Projektionsbelichtungssystemen sowie an die Definition und Reproduzierbarkeit der beschriebenen Prozeßschritte gestellt.
Die in einem solchen Lithographieverfahren herstellbare kleinste Strukturgröße wird durch die allgemein bekannte Formel k • λ/NA charakterisiert. Hierbei bezeichnet NA die bildseitige numerische Apertur der
Abbildungsoptik, λ die zur Abbildung verwendete Lichtwellenlänge, und k einen durch den Prozeß gegebenen Parameter.
Herkömmlicherweise werden zur Erhöhung der Auflösung ständig Abbildungsoptiken mit größerer numerischer Apertur entwickelt und kürzere Lichtwellenlängen zur Abbildung eingesetzt.
Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Auflösungsvermögen eines Projektionsbelichtungssystems zu erhöhen und hierbei insbesondere den Prozeßparameter k der oben angegebenen Formel zu verkleinern.
Unter einem ersten Aspekt schlägt die Erfindung ein Projek- tionsbelichtungssystem zur Abbildung eines in einer Objektebene angeordneten Objektfeldes in ein Bildfeld einer Bildebene vor, wobei das Projektionsbelichtungssystem eine Maskenhaiterung, um wahlweise eine Maske aus einer Mehrzahl von Masken in einer Objektebene zu haltern, und eine katoptrische Abbildungsoptik zur Übertragung eines durch die in der Objektebene angeordnete Maske definierten Musters in eine Bildebene der Abbildungsoptik umfaßt, wobei die Abbildungsoptik eine Mehrzahl von Spiegeln umfasst. Das Projektionsbelichtungssystem zeichnet sich hierbei dadurch aus, dass wenigstens einer der Spiegel ein als Phasenmaske ausgebildeter Spiegel ist, welcher ein Substrat mit einer Oberfläche umfaßt, auf welcher eine Mehrzahl von dielektrischen Schichten angebracht ist, wobei die Oberfläche des Substrats zusammenhängende Bereiche umfaßt, welche sich parallel zu einer Schichtrichtung der darauf angebrachten dielektrischen Schicht erstrecken, wobei benachbarte Bereiche durch quer zu der Schichtrichtung sich erstreckende Flanken voneinander getrennt sind.
Eine katoptrische Abbbildungsoptik enthält zur Abbildung eines Objektes mit Licht lediglich Spiegel. Eine katoptrische Abbildungsoptik ist vor allem dann vorteilhaft, wenn zur Abbildung Licht sehr kurzer Wellenlänge verwendet wird, wie etwa ultraviolettes Licht oder extrem ultraviolettes Licht (EUV) . Licht solch kurzer Wellenlängen wird nämlich von transmissiven optischen Elementen stark absorbiert und gleichzeitig nur schwach gebrochen. Eine Verwendung von sehr kurzwelligem Licht gegenüber der Verwendung von Licht größerer Wellenlänge in einem Lithographiesystem mit einer Abbildungsoptik zur Abbildung einer Maske auf einen Halbleiter hat wiederum den Vorteil, eine kleinste durch das Lithographiesystem herstellbare Strukturgröße zu verkleinern. Wird zusätzlich in einem Lithographiesys.tem mit katoptrischer Abbildungsoptik gemäß des ersten Aspektes der vorliegenden Erfindung ein als Phasenmaske ausgebildeter Spiegel integriert, so lässt sich das in der Abbildungsoptik mit aperturbegrenzter Auflösung ergebende Maximum der Punktbildfunktion verschmälern.
Der Begriff Phasenmaske bezeichnet im Rahmen der vorliegenden Anmeldung eine Struktur mit unterschiedlichen Teilbereichen, welche die Phase der mit den Teilbereichen wechselwirkenden AbbildungsStrahlung unterschiedlich beeinflussen. Es ist jedoch nicht ausgeschlossen, daß auch die Amplituden der mit den verschiedenen Teilbereichen wechselwirkenden Abbildungsstrahlung unterschiedlich beeinflußt werden. Es ist hierbei auch möglich, die einzelnen Teilbereiche derart zu konfigurieren, daß neben der Wirkung auf die Phase der mit den Teilbereichen wechselwirkenden Strahlung gezielt auch deren Amplituden so beeinflußt werden, daß das Abbildungsergebnis insgesamt noch verbessert wird und insbesondere die axiale Punktbildabmessung weiter vergrößert wird oder/und die laterale Punktbildabmessung weiter verkleinert wird.
Der als Phasenmaske ausgebildete Spiegel lässt sich aufgrund seines einfachen Aufbaus mit dem Fachmann bekannten üblichen lithographischen Techniken herstellen.
Gemäß einer Ausführungsform des ersten Aspektes der Erfindung ist auf mehreren der zusammenhängenden Bereiche der Oberfläche des Substrates des mindestens einen als Phasenmaske ausgebildeten Spiegels eine gleiche Anzahl von dielektrischen Schichten angebracht. Durch die gleiche Anzahl an Schichten, die auf die zusammenhängenden Bereiche der Oberfläche des Substrates aufgebracht sind, ergibt sich eine Strukturierung der aufgebrachten Schichten entsprechend einer Strukturierung der zusammenhängenden Bereiche der Oberfläche des Substrates.
Gemäß einer Ausführungsform des ersten Aspektes der Erfindung sind die Bereiche der Oberfläche des mindestens einen als Phasenmaske ausgebildeten Spiegels abwechselnd an dem Substrat vorstehende und in dem Substrat abgesenkte Bereiche. Unter einem abgesenkten Bereich der Oberfläche wird in dieser Anmeldung ein Bereich verstanden, welcher zumindest teilweise von einer oder mehreren anderen Oberflächen des Substrats derart umgeben ist, daß mindestens einige der anderen Oberflächen von mittleren Oberfläche des Substrates hervorragen. Ein hervorstehender Bereich ist komplementär zu einem abgesenkten Bereich. Durch diese Anordnung ergibt sich eine einfache Struktur, die einfach herzustellen ist.
Unter einem zweiten Aspekt schlägt die Erfindung ein Projek- tionsbelichtungssystem zur Abbildung eines in einer Objektebene angeordneten Objektfeldes in ein Bildfeld einer Bildebene vor, wobei das Projektionsbelichtungssystem eine Maskenhaiterung, um wahlweise eine Maske aus einer Mehrzahl von Masken in einer Objektebene zu haltern, und eine katoptrische Abbildungsoptik zur Übertragung eines durch die in der Objektebene angeordnete Maske definierten Musters in eine Bildebene der Abbildungsoptik umfaßt, wobei die Abbildungsoptik eine Mehrzahl von Spiegeln umfasst. Das Projektionsbelichtungssystem zeichnet sich hierbei dadurch aus, dass wenigstens einer der Spiegel ein als Phasenmaske ausgebildeter Spiegel ist, welcher ein Substrat mit einer Oberfläche umfaßt, auf welcher eine Mehrzahl von dielektrischen Schichten angebracht ist, wobei der Spiegel nebeneinander angeordnete zusammenhängende Bereiche aufweist, welche sich hinsichtlich einer Anzahl der auf dem Substrat angebrachten dielektrischen Schichten unterscheiden.
Die Vorteile der Vorrichtung gemäß des ersten Aspektes der vorliegenden Erfindung hinsichtlich einer Verbesserung der Abbildungsgenauigkeit treffen auch auf den zweiten Aspekt der Erfindung zu. Im Unterschied zum ersten Aspekt der Erfindung erhält jedoch der mindestens eine als Phasenmaske ausgebildete Spiegel eine strukturierte reflektive Oberfläche durch Anordnen verschieden vieler dielektrischer Schichten auf ein im wesentlichen unstrukturiertes Substrat. Dies kann eine Herstellung des als Phasenmaske ausgebildeten Spiegels weiter vereinfachen.
Gemäß einer Ausführungsform des zweiten Aspektes der vorliegenden Erfindung weisen nebeneinander angeordnete Bereiche des mindestens einen als Phasenmaske ausgebildeten Spiegels abwechselnd eine größere und eine kleinere Zahl von auf dem Substrat angebrachten dielektrischen Schichten auf. Damit ist ein einfaches reflektives diffraktives Element gegeben, was beispielsweise durch lithographische Verfahren hergestellt werden kann.
Gemäß einer Ausführungsform des ersten und zweiten Aspektes der vorliegenden Erfindung weisen die Bereiche des als Phasenmaske ausgebildeten Spiegels eine Gestalt von langgestreckten Streifen auf. Die Bereiche können sich dabei entlang von Kreislinien um eine optische Achse der Abbildungsoptik erstrecken. Diese Ausführungsform ist besonders für rotationssymmetrische Abbildungsoptiken geeignet.
Eine Anzahl der verschiedenen Bereiche des Spiegels kann dabei größer als 50, insbesondere größer als 100 sein.
Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der ersten beiden Aspekte der vorliegenden Erfindung umfassen die Materialien der dielektrischen Schichten des mindestens einen als Phasenmaske ausgebildeten Spiegels MoSi-Schichten. MoSi-Schichten im Sinne dieser Anmeldung umfassen Schichten von Mo, Si, MoSi2 und Mo5Si3. Diese Schichten können alternierend oder weitere Zwischenschichten umfassend angeordnet sein. Als Schutz- oder Zwischenschichten können binäre Verbindungen von Mo und Si mit B, C, N, O, F, insbesondere C, N und O zum Einsatz kommen. Als Zwischenschicht kann insbesondere C zum Einsatz kommen.
Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der ersten beiden Aspekte der vorliegenden Erfindung sind die Bereiche des als Phasenmaske ausgebildeten Spiegels dazu konfiguriert, um eine axiale Punktbildabmessung (DOF) der Abbildung der Abbildungsoptik zu erhöhen und/oder eine laterale Punktbildabmessung der Abbildung der Abbildungsoptik zu verringern. Bei geeigneter Konfigurierung des als Phasenmaske ausgebildeten Spiegels ist es hierbei möglich, Nebenmaxima der Punktbildfunktion soweit gering zu halten, daß bei einer Belichtung eines Wafers der Belichtungsschwellenwert des Resist nur im Bereich des Hauptmaximums überschritten wird, welches bei als Phasenmaske ausgebildeten eingefügtem Spiegels dann schmäler ist als das Maximum bei aperturbedingter Auflösungsgrenze. Folglich kann ein geeigneter als Phasenmaske ausgebildeter Spiegel zu einer Erhöhung der mit dem lithographischen Prozeß erreichbaren Auflösung beitragen.
Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der beiden ersten Aspekte der vorliegenden Erfindung ist der als Phasenmaske ausgebildete Spiegel in der Nähe einer Pupille der Abbildungsoptik angeordnet. "Nahe der Pupille" bedeutet im Kontext der vorliegenden Erfindung, daß ein Abstand entlang des Strahlengangs zwischen der Pupille und dem pupillennah angeordneten als Phasenmaske ausgebildeten Spiegel kleiner ist als ein 0,3-faches, insbesondere ein 0,2-faches eines Abstandes zwischen der Pupille und einer der Pupille am nächsten ange- ordneten Feldebene. Dabei bedeutet "Abstand entlang des Strahlenganges" bei einem katoptrischen System, dass der zwischen Spiegeln hin und her laufende Strahlengang aufgefaltet wird, um einen aufgefalteten, in einer Richtung verlaufenden Strahlengang zu erhalten. In diesem aufgefalteten Strahlengang wird sodann ein Abstand zwischen Elementen des System gemessen. Bei in der Nähe der Pupille angeordnetem als Phasenmaske ausgebildeten Spiegel fallen Strahlen des Strahlengangs weitgehend parallel auf den als Phasenmaske ausgebildeten Spiegel ein, so daß der als Phasenmaske ausgebildete Spiegel eine Wirkung auf die Punktabbildüng hat, welche weitgehend unabhängig von einem Ort des abgebildeten Punktes im Objekt bzw. Bildfeld ist.
Gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung wird ein Lithographieverfahren unter Verwendung des vorangehend erläuterten Projektionsbelichtungssystems vorgeschlagen. Hierbei werden mehrere Masken verwendet, um das Substrat mit mehreren verschiedenen vorbestimmten Strahlungsintensitätsverteilungen zu belichten. Ebenso sind mehrere verschiedene als Phasenmasken ausgebildete Spiegel vorgesehen, wobei jeder Maske ein als Phasenmaske ausgebildeter Spiegel zugeordnet ist, so daß während des Beleuchtens einer ersten Maske für die Belichtung des Substrats mit einer ersten vorbestimmten Strahlungsintensitätsverteilung ein erster als Phasenmaske ausgebildeter Spiegel in den Abbildungsstrahlengang eingefügt ist und während des Belichtens einer zweiten Maske zur Belichtung des Substrats mit einer zweiten vorbestimmten Strahlungsintensitätsverteilung ein zweiter als Phasenmaske ausgebildeter Spiegel in den Abbildungsstrahlengang eingefügt ist. Aufgrund der Zuordnung zwischen den Masken und den als Phasenmasken ausgebildeten Spiegeln ist es möglich, den jeweiligen als Phasenmaske ausgebildeten Spiegel derart zu konfigurieren, daß das Ergebnis einer gewünschten Strahlungsintensitätsverteilung nach den Gegebenheiten der jeweiligen Maske bestmöglich erreicht wird.
Die Belichtung mit den verschiedenen vorbestimmten Strahlungsintensitätsverteilungen kann auf eine gleiche strah- lungsempfindliche Schicht (Resist) des Substrats erfolgen, d.h. es kann eine Mehrfachbelichtung der strahlungsempfindlichen Schicht mit verschiedenen vorbestimmten Strahlungsintensitätsverteilungen erfolgen .
Umgekehrt können die verschiedenen Strahlungsintensitätsverteilungen auch auf verschiedene strahlungsempfindliche Schichten in aufeinanderfolgenden Prozeßschritten des Lithographieverfahrens belichtet werden. Gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung wird ein Lithographieverfahren unter Verwendung eines der vorangehend erläuterten Projektionsbelichtungssysteme vorgeschlagen, bei welchem eine gleiche strahlungsempfindliche Schicht des Sub- strats nacheinander mit verschiedenen Strahlungsintensitätsverteilungen belichtet wird, also eine Mehrfachbelichtung durchgeführt wird. Hierbei werden verschiedene Masken in der Objektebene angeordnet, wobei allerdings bei allen Belichtungen der gleiche als Phasenmaske ausgebildete Spiegel in dem Abbildungsstrahlengang angeordnet ist.
Gemäß Ausführungsformen der Erfindung werden zwei, drei oder mehrere verschiedene Strahlungsintensitätsverteilungen nacheinander auf die gleiche strahlungsempfindliche Schicht belichtet.
Nachfolgend werden Ausführungsformen der Erfindung anhand von Figuren erläutert. Hierbei zeigt:
Figur 1 schematisch eine Ansicht einer Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Proj ektionsbelichtungssystems , welches als optische Elemente Spiegel umfaßt,
Figur 2 schematisch eine Teilansicht der in Figur 1 gezeigten Ausführungsform eines erfindungsgemäßen
Projektionsbelichtungssystems, welches einen als Phasenmaske ausgebildeten Spiegel umfasst,
Figur 3 schematisch eine Ansicht einer Ausführungsform eines als Phasenmaske ausgebildeten Spiegels in einem erfindungsgemäßen Projektionsbelichtungssystem,
Figur 4 schematisch Schritte eines Herstellungsverfahrens eines als Phasenmaske ausgebildeten Spiegels in einem Projektionsbelichtungssystem gemäß eines ersten Aspektes der vorliegenden Erfindung,
Figur 5 schematisch Schritte eines Herstellungsverfahrens eines als Phasenmaske ausgebildeten Spiegels in einem Projektionsbelichtungssystem gemäß eines zweiten Aspektes der vorliegenden Erfindung,
Figur 6 eine Erläuterung von Prozeßschritten des Litho- graphieverfahrens gemäß einer Ausführungsform der
Erfindung, wobei eine Mehrfachbelichtung mit zwei verschiedenen Strahlungsintensitätsverteilungen erfolgt, und
Figur 7 eine Erläuterung von Prozeßschritten des Lithographieverfahrens gemäß einer Ausführungsform der Erfindung, wobei eine Mehrfachbelichtung mit drei verschiedenen Strahlungsintensitätsverteilungen erfolgt .
Figur 1 zeigt in stark schematischer Darstellung ein Projektionsbelichtungssystem 1 zur verkleinernden Abbildung einer Objektebene 3, in welcher eine Maske 7 angeordnet ist, in eine Bildebene 5, in welcher eine Oberfläche 15 eines Halbleiterwafers 13 angeordnet ist. In dem Objektfeld 3 ist eine Maske 7 an einem Maskenträger 9 so gehaltert, daß Muster bildende Strukturen der Maske 7 in der Objektebene 3 angeordnet sind. Auf einem Wafertisch 11 ist ein Halbleiterwafer 13 so ge- haltert, daß eine mit einer strahlungsempfindlichen Schicht (Resist) versehene Oberfläche 15 des Wafers in der Bildebene 5 angeordnet ist.
Eine katoptrische Abbildungsoptik 17 umfaßt eine Mehrzahl von Spiegeln zur Bereitstellung eines Abbildungsstrahlenganges, welcher in Figur 1 durch drei exemplarische Strahlen 21 dargestellt ist. Die Strahlen gehen unter verschiedenen Winkeln von einem exemplarischen Punkt 23 in der Objektebene 3 aus und bilden diesen Punkt 23 auf einen Punkt 25 in der Bildebene 5 ab. Eine Pupillenebene der Abbildungsoptik 17 ist in Figur 1 mit dem Bezugszeichen 27 versehen.
Die Abbildungsoptik 3 umfaßt sechs Spiegel Ml, M2 , M3 , M4 , M5 und M6 , an welchen der Abbildungsstrahlengang 21 ausgehend von der Objektebene 3 nacheinander reflektiert wird, um in die Bildebene 5 ein durch die Maske 7 definiertes Muster zu projizieren. Hierbei ist die Abbildungsoptik 3 derart konfiguriert, daß zwischen der Objektebene 3 und der Bildebene 5 ein Zwischenbild erzeugt wird, wobei ein in Figur 1 exemplarisch eingezeichneter Punkt 41 in der entsprechenden Zwischenbildebene liegt .
Die Spiegelflächen der Spiegel Ml, M2, ... M6 sind jeweils rotationssymmetrisch zu einer gemeinsamen optischen Achse 43 ausgebildet, wobei allerdings der Strahlengang selbst nicht bezüglich der gemeinsamen Achse 43 rotationssymmetrisch ausgebildet ist. Entsprechend sind die einzelnen Spiegel "Off-
Axis-Spiegel" , welche so beschnitten sind, daß die an einem jeweiligen Spiegel nicht reflektierten Teile des Strahlenganges an diesem Spiegel vorbei passieren können und von den Spiegeln nicht blockiert werden.
Figur 2 ist eine Teilansicht des Projektionsbelichtungssystems der Figur 1, welche eine schematische Schnittdarstellung des Spiegels M2 der Figur 1 umfasst. Der Spiegel M2 ist ein mit einer Phasenmaske 33 ausgebildeter Spiegel. Mit Bezug auf Figuren 1 und 2 umfaßt der als Phasenmaske ausgebildete Spiegel M2 nebeneinander angeordnete reflektive Bereiche, welche in dem Abbildungsstrahlengang dazu führen, das von verschiedenen Bereichen des Spiegels reflektierte Strahlen 21 unterschiedliche optische Weglängen durchlaufen, so daß Strahlen, welche von verschiedene Bereichen des als Phasenmaske ausgebildeten Spiegels M2 reflektiert werden, Phasenverschiebungen relativ zueinander erfahren. Die Phasenmaske 33 des als Phasenmaske ausgebildeten Spiegels M2 ist nahe der Pupillenebene 27 angeordnet. Gesehen in Richtung des Abbildungsstrahlenganges ist der als Phasenmaske ausgebildete Spiegel M2 von einer zwischen der Objektebene 3 und der Zwischenbildebene 41 angeordneten Pupille 27 wesentlich weniger weit entfernt als die Pupille selbst von der Objektebene 3 oder von der Zwischenbildebene 41 entfernt ist. Dies ist daraus ersichtlich, dass ein Abstand d zwischen der Pupillenebene und dem als Phasenmaske ausgebildeten Spiegel M2 wesentlich keiner ist als ein Abstand (die Summe der Strecken Sl und S2 in Figur 2) von der Pupillenebene 27 entlang des Strahlenganges 21 zu der Objektebene 3.
Mit Bezug auf Figur 2 hat eine Spiegeloberfläche 45 des Spiegels M2 eine Gestalt, welche bezüglich der Achse 43 rotationssymmetrisch ist. Allerdings ist der Spiegel M2 entlang einer Kante 47 abgeschnitten, um den Strahlengang nicht zu blockieren. Der Strahlengang trifft in einem Bereich 49 der Spiegeloberfläche 45 auf dieselbe und wird in diesem Bereich 49 von der Spiegeloberfläche 45 reflektiert. In dem Bereich 49 ist auf der Spiegeloberfläche 45 eine in Figur 2 ebenfalls schematisch dargestellte Phasenmaske 33 aufgebracht. Die auf dem als Phasenmaske ausgebildeten Spiegel M2 angeordnete Phasenmaske 33 ist derart konfiguriert, daß eine axiale Punktbildabmessung der Abbildung durch das Vorhandensein der Phasenmaske 33 im Strahlengang größer ist als im Vergleich zu einer Situation, in welcher die Phasenmaske nicht im Abbildungsstrahlengang angeordnet wäre. Ergänzend oder alternativ hierzu kann die Phasenmaske auch derart konfiguriert sein, daß eine laterale Punktbildabmessung der Abbildung aufgrund des Vorhandenseins der Phasenmaske im Abbildungsstrahlengang kleiner ist als im Vergleich zu einer Situation, in der die Phasenmaske nicht im Abbildungsstrahlengang angeordnet ist.
Figur 3 zeigt eine Ausführungsform des als Phasenmaske ausgebildeten Spiegels M2 in einer Draufsicht entlang der optischen Achse 43 gesehen. Bei dieser Ausführungsform verlaufen die zusammenhängenden Bereiche (69, 71), von denen einfallende Lichtstrahlen nach Durchlaufen unterschiedlicher optischer Weglängen reflektiert werden können, streifenförmig benachbart zueinander. Insbesondere erstrecken sich die Bereiche entlang von Kreislinien, welche ihren Mittelpunkt in der optischen Achse 43 haben.
Rechenverfahren zum Design eines derart konfigurierten als Phasenmaske ausgebildeten Spiegels und Herstellverfahren zur Erzeugung eines derart konfigurierten als Phasenmaske ausgebildeten Spiegels sind dem Fachmann aus anderen Bereichen der Optik bekannt, so daß der Fachmann diese Kenntnisse einsetzen kann, um für die vorliegende Anwendung im Bereich der Lithographieoptiken geeignete als Phasenmasken ausgebildete Spiegel zu erzeugen. Exemplarisch wird hierzu auf den Artikel von V. F. Canales et al . , "Three-dimensional control of the focal light intensity distribution by analytically designed phase masks", Optics Communications 247 (2005) 11-18, sowie auf die Patentanmeldung US 2003/0,081,316 Al und das US-Patent US 5,917,854 verwiesen.
Figuren 4a bis 4d zeigen schematisch Schritte eines Herstellungsverfahrens eines als Phasenmaske ausgebildeten Spiegels in einem Projektionsbelichtungssystem gemäß eines ersten Aspektes der vorliegenden Erfindung. Hierbei ist der herzustellende als Phasenmaske ausgebildete Spiegel M2 in Seitenansicht dargestellt, d.h. in Benutzung des Spiegels M2 in einem Projektionsbelichtungssystem liegt eine Lichteinfallsrichtung in der Zeichenebene der Figuren 4a bis 4d.
In Figur 4a wird auf ein Substrat 65 in einem Muster ein Resist 66 aufgebracht. Im folgenden in Fig. 4b gezeigten Schritt werden Teile des Substrates 65, welche nicht von Resist 66 abgedeckt sind, teilweise herausgeätzt, um Bereiche 71 einer Oberfläche des Substrates 65 zu bilden. Benachbarte Bereiche 71 sind dabei durch Flanken 75 voneinander getrennt. Danach wird das Resistmuster, wie in Fig. 4c illustriert, entfernt. In einem abschließenden in Fig. 4d illustrierten Schritt werden eine Mehrzahl an dielektrischen Schichten 73 auf die Bereiche 71 der Oberfläche des Substrates aufgebracht. In dem dargestellten Beispiel umfassen die dielektrischen Schichten 73 zwei Materialien 73a und 73b mit unterschiedlichen dielektrischen Eigenschaften, und somit unterschiedlichen optischen Brechungsindizes. Eine Vielfachschicht 73 wird dabei durch alternierendes Aufbringen der zwei verschiedenen Materialien auf die Bereiche 71 der Oberfläche des Substrates 65 gebildet. Insbesondere können als Materialien mit unterschiedlichen dielektrischen Eigenschaften Schichten von Mo, Si, MoSi2 und Mo5Si3 verwendet sein. Anstatt Si kann auch Y oder Be zum Einsatz kommen. Diese Schichten können alternierend oder weitere Zwischenschichten umfassend angeordnet sein. Als Schutz- oder Zwischenschichten können binäre Verbindungen von Mo und Si mit B, C, N, O, F, insbesondere C, N und 0 zum Einsatz kommen. Als Zwischenschicht kann insbesondere C zum Einsatz kommen. Insgesamt werden in der Größenordnung 40 Schichten aufgebracht, wobei jede Schicht eine Dicke von 3 bis 4 nm hat.
Figuren 5a bis 5d zeigen schematisch Schritte eines Herstellungsverfahrens eines als Phasenmaske ausgebildeten Spiegels M2 ' in einem Projektionsbelichtungssystem gemäß eines zweiten Aspektes der vorliegenden Erfindung. Dabei ist die Orientierung des Spiegels M2 ' wie die des Spiegels M2 der Figuren 4a bis 4d.
Wie in Figur 5a illustriert, wird zunächst auf eine Oberfläche 65a eines Substrats 65 eine Vielfachschicht 67 aufgebracht, welche aus alternierenden dielektrischen Schichten 67a und 67b zweier Materialien mit unterschiedlichen dielektrischen Eigenschaften aufgebaut ist. Figur 5b zeigt einen Schritt nach Aufbringen eines Resist 66 in einem Muster auf die Vielfachschicht 67. Figur 5c illustriert einen Zustand nach teilweisem Wegätzen der Vielfachschicht 67 in Bereichen der Vielfachschicht, welche nicht von Resist 66 abgedeckt sind. Nach Entfernen des Resist wird ein als Phasenmaske ausgebildeter Spiegel M2 ' erhalten. Der Spiegel M2 ' weist nebeneinander angeordnete Bereiche 69 auf, welche sich hinsichtlich einer Anzahl der auf dem Substrat 65 angebrachten dielektrischen Schichten 67 unterscheiden. Materialien und Dicken der dielektrischen Schichten können gewählt werden, wie in Bezug auf die in Figur 4 beschriebene Ausführungsform beschrieben.
Wieder mit Bezug auf Figur 1 kann in Ergänzung oder alternativ zu der auf der Spiegeloberfläche 45 angeordneten Phasenmaske 33 eine Phasenmaske auch auf einer Oberfläche des Spiegels M5 angebracht sein, welche ebenfalls nahe an einer zwischen der Zwischenbildebene 41 und der Bildebene 5 angeordneten weiteren Pupille des AbbildungsStrahlengangs angeordnet ist.
Die Figuren 6a und 6b dienen zur Erläuterung eines Lithographieverfahrens gemäß einer Ausführungsform der Erfindung. Figur 6a zeigt in dem oberen Diagramm durch eine Linie 51 schematisch eine Struktur einer in einer Objektebene eines Lithographiesystems angeordneten Maske. In dem Graphen des gewählten Beispiels ist nach oben eine Transmission T der Maske und nach rechts eine laterale Ortskoordinate der Maske aufgetragen, welche als Absorptionsmaske ausgebildet ist. Ebenso könnte die Maske als Phasenmaske ausgebildet sein, welche einen Phasenversatz Φ mit einem entsprechenden Verlauf erzeugt.
In dem mittleren Graphen der Figur 6a ist mit gestrichelter Linie 53 ein Strahlungsintensitätsverlauf dargestellt, welcher sich in der Objektebene ergeben würde, wenn keine Phasenmaske auf einem Spiegel in der Nähe der Pupille im Abbildungs- strahlengang angeordnet wäre, während eine durchgezogene Linie 55 eine Strahlungsintensitätsverteilung repräsentiert, welche sich bei im Strahlengang angeordnetem als Phasenmaske ausgebildeten Spiegel in der Objektebene ergibt. Bei der Darstellung der Figur 6a ist eine in der Praxis eingesetzte Verkleinerung der Abbildung der Objektebene in die Bildebene aus Gründen der anschaulicheren Darstellung nicht berücksichtigt, so daß bei der Abbildung einander entsprechende Punkte der Objektebene und der Bildebene in Figur 4a senkrecht untereinander angeordnet sind.
Eine Linie 57 in dem mittleren Graphen der Figur 6a repräsentiert einen Belichtungsschwellwert eines auf die Wafer- oberflache aufgebrachten Resist, wonach der Resist dann durchbelichtet ist, wenn die darauf gerichtete Strahlungsintensität den Schwellwert 57 übersteigt. Es ist ersichtlich, daß eine Breite der Bereiche, in denen bei vorgegebener Belichtungszeit die Belichtungsintensität 55 bei im Strahlengang auf einem Spiegel angeordneter Phasenmaske den Schwellwert 57 übersteigt, wesentlich kleiner ist, als eine entsprechende Breite der Belichtungsintensität 53 bei nicht im Strahlengang auf einem Spiegel angeordneter Phasenmaske. Infolgedessen sind im unteren Graphen der Figur 6a mit durchgezogenen Linien 61 symbolisierte Strukturen, welche nach Belichtung mit auf einem Spiegel angeordneter Phasenmaske im Wafer gefertigt werden können, wesentlich kleiner als durch gestrichelte Linien 63 symbolisierte Strukturen nach einer Belichtung ohne auf einem Spiegel angeordneter Phasenmaske.
Somit führt die Belichtung durch die in der Abbildungsoptik angeordnete Phasenmaske zu einer Verkleinerung der mit einer gegebenen Maske erzeugbaren kleinstmöglichen Strukturen 61. Bei einer solchen gegebenen Maskenstruktur 51 ist es allerdings nicht möglich, einen Abstand zwischen benachbarten Strukturen 61 weiter zu verkleinern. Es ist allerdings möglich, im Rahmen einer zweiten Belichtung mit einer von der Maskenstruktur 51 verschiedenen Maskenstruktur 51' zwischen den in der ersten Belichtung erzeugten Strukturen 61 weitere Strukturen 61' einzufügen. Dies ist in Figur 6b schematisch dargestellt. Darin repräsentiert im oberen Graphen die Linie 51 ' eine Struktur einer zweiten Maske, welche im Vergleich zu der Struktur 51 der Figur 4a in lateraler Richtung versetzt ist. Die Maskenstruktur 51' erzeugt in der Objektebene eine im mittleren Graphen der Figur 6b dargestellte Intensitätsverteilung 55 ' , welche an ihren Maxima den Schwellenwert 57 des Resists übersteigt, so daß an entsprechenden Orten auf dem Wafer Strukturen 61' in einem nachfolgenden Prozeß auf dem Wafer erzeugt werden können, welche zwischen den Strukturen 61 angeordnet sind, die auf eine Belichtung in dem in Figur 6a dargestellten ersten Belichtungsschritt zurückgehen.
Somit ist es möglich, durch die Kombination aus der Anordnung des als Phasenmaske ausgebildeten Spiegels in dem Abbildungsstrahlengang und der Durchführung von zwei Belichtungsschritten eine deutliche Erhöhung der Auflösung bzw. Verkleinerung der fertigbaren Strukturen zu erreichen.
Dieses Verfahren ist nicht auf die Durchführung von zwei aufeinanderfolgenden Belichtungen mit verschiedenen Masken beschränkt. Die Figuren 7a, 7b und 7c stellen in Analogie zu den Figuren 6a und 6b schematisch ein Lithographieverfahren dar, in welchem nacheinander drei Belichtungen eines gleichen Resists durchgeführt werden, um eine Dichte der gefertigten Strukturen weiter zu erhöhen. Zusammenfassend schlägt die Erfindung ein Lithographieverfahren vor, welches ein Projektionsbelichtungssystem mit katoptrischer Abbildungsoptik einsetzt, welches einen als Phasenmaske ausgebildeten Spiegel im Abbildungsstrahlengang umfasst, welcher zusammenhängende Bereiche mit darauf angebrachten dielektrischen Schichten aufweist. Vorzugsweise sind die Bereiche des als Phasenmaske ausgebildeten Spiegels derart konfiguriert, daß eine axiale Punktbildabmessung (DOF) der Abbildung vergrößert ist oder/und eine laterale Punktbildabmessung der Abbildung verkleinert ist. Vorzugsweise wird eine Mehrfachbelichtung eines gleichen strahlungsempfindlichen Substrats vorgenommen, um eine Erhöhung der Auflösung bzw. Verkleinerung der Fertigbahnstrukturen zu erreichen.

Claims

Patentansprüche
1. Projektionsbelichtungssystem zur Abbildung eines in einer Objektebene angeordneten Objektfeldes in ein Bildfeld einer Bildebene, wobei das Projektionsbelichtungssystem umfaßt:
eine Maskenhaiterung, um eine Maske in einer Objektebene zu haltern, und
eine katoptrische Abbildungsoptik zur Übertragung eines durch die in der Objektebene angeordnete Maske definierten Musters in eine Bildebene der Abbildungsoptik, wobei die Abbildungsoptik eine Mehrzahl von Spiegeln umfaßt,
wobei wenigstens einer der Spiegel ein als Phasenmaske ausgebildeter Spiegel ist,
dadurch gekennzeichnet, daß der als Phasenmaske ausgebildete Spiegel ein Substrat mit einer Oberfläche umfaßt, auf welcher eine Mehrzahl von dielektrischen Schichten angebracht ist, wobei die Oberfläche des Substrats zusammenhängende Bereiche umfaßt, welche sich parallel zu einer Schichtrichtung der darauf angebrachten dielektrischen Schicht erstrecken, wobei benachbarte Bereiche durch quer zu der Schichtrichtung sich erstreckende Flanken voneinander getrennt sind.
2. Projektionsbelichtungssystem nach Anspruch 1, wobei auf mehreren der zusammenhängenden Bereiche der Oberfläche eine gleiche Anzahl von dielektrischen Schichten angebracht ist.
3. Projektionsbelichtungssystem nach einem der Ansprüche 1 bis 2, wobei die Bereiche der Oberfläche abwechselnd an dem Substrat vorstehende und in dem Substrat abgesenkte Bereiche sind.
4. Projektionsbelichtungssystem zur Abbildung eines in einer Objektebene angeordneten Objektfeldes in ein Bildfeld einer Bildebene, wobei das Projektionsbelichtungssystem umfaßt: eine Maskenhaiterung, um eine Maske in einer Objektebene zu haltern, und
eine katoptrische Abbildungsoptik zur Übertragung eines durch die in der Objektebene angeordnete Maske definierten Musters in eine Bildebene der Abbildungsoptik, wobei die Abbildungsoptik eine Mehrzahl von Spiegeln umfaßt,
wobei wenigstens einer der Spiegel ein als Phasenmaske ausgebildeter Spiegel ist,
dadurch gekennzeichnet, daß der als Phasenmaske ausgebildete Spiegel ein Substrat mit einer Oberfläche umfaßt, auf welcher eine Mehrzahl von dielektrischen Schichten angebracht ist, wobei der Spiegel nebeneinander angeordnete zusammenhängende Bereiche aufweist, welche sich hinsichtlich einer Anzahl der auf dem Substrat angebrachten dielektrischen Schichten unterscheiden.
5. Projektionsbelichtungssystem nach Anspruch 4, wobei nebeneinander angeordnete Bereiche abwechselnd eine größere und eine kleinere Zahl von auf dem Substrat angebrachten dielektrischen Schichten aufweisen.
6. Projektionsbelichtungssystem nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei die Bereiche eine Gestalt von langgestreckten Streifen aufweisen.
7. Projektionsbelichtungssystem nach Anspruch 6, wobei die Bereiche sich entlang von Kreislinien um eine optische Achse der Abbildungsoptik erstrecken.
8. Projektionsbelichtungssystem nach einem der Ansprüche 6 bis 7, wobei eine Anzahl der verschiedenen Bereiche des Spiegels größer als 50, insbesondere größer als 100 ist.
9. Projektionsbelichtungssystem nach einem der Ansprüche 1 bis
8, wobei die Materialien der dielektrischen MoSi-Schichten umfassen.
10. Projektionsbelichtungssystem nach einem der Ansprüche 1 bis
9, wobei die Bereiche des als Phasenmaske ausgebildeten Spiegels dazu konfiguriert sind, um eine axiale Punktbildabmessung (DOF) der Abbildung der Abbildungsoptik zu erhöhen.
11. Projektionsbelichtungssystem nach einem der Ansprüche 1 bis
10, wobei die Bereiche des als Phasenmaske ausgebildeten Spiegels dazu konfiguriert sind, eine laterale Punktbildabmessung der Abbildung der Abbildungsoptik zu verringern.
12. Projektionsbelichtungssystem nach einem der Ansprüche 1 bis
11, wobei der als Phasenmaske ausgebildete Spiegel pupillennah angeordnet ist und von einer Pupillenebene des Abbildungsstrahlenganges entlang einer optischen Achse des Abbildungssystems einen Abstand aufweist, der kleiner ist als ein 0,3-faches, insbesondere 0,2-faches, eines Abstands zwischen der Pupillenebene und einer der Pupillenebene am nächsten angeordneten Feldebene.
13. Lithographieverfahren zum Belichten eines Substrats mit vorbestimmten Strahlungsintensitätsverteilungen, umfassend:
Verwenden des Projektionsbelichtungssystems nach einem der Ansprüche 1 bis 12,
Auswählen einer ersten Maske und Anordnen der ersten Maske in der Objektebene,
Auswählen eines der ersten Maske zugeordneten ersten als Phasenmaske ausgebildeten Spiegels und Anordnen des ersten als Phasenmaske ausgebildeten Spiegels in dem Abbildungsstrahlengang, und Beleuchten der ersten Maske, um das Substrat mit einer vorbestimmten ersten Strahlungsintensitätsverteilung zu belichten,
dadurch gekennzeichnet, daß das Verfahren nachfolgend ferner umfaßt :
Auswählen einer von der ersten Maske verschiedenen zweiten Maske und Anordnen der zweiten Maske in der Objektebene,
Auswählen eines der zweiten Maske zugeordneten und von dem ersten als Phasenmaske ausgebildeten Spiegel verschiedenen zweiten als Phasenmaske ausgebildeten Spiegels und Anordnen des zweiten als Phasenmaske ausgebildeten Spiegels in dem Abbildungsstrahlengang, und
Beleuchten der zweiten Maske, um das Substrat mit einer zweiten vorbestimmten Strahlungsintensitätsverteilung zu belichten.
14. Lithographieverfahren nach Anspruch 13, ferner umfassend Entwickeln einer belichteten strahlungsempfindlichen Schicht des Substrats nach dem Belichten mit der ersten Strahlungsintensitätsverteilung, Prozessieren des Substrats, und Aufbringen einer weiteren strahlungsempfindlichen Schicht auf das Substrat vor dem Belichten mit der zweiten Strahlungsintensitätsverteilung.
15. Lithographieverfahren zum Belichten eines Substrats mit vorbestimmten Strahlungsintensitätsverteilungen, umfassend:
Verwenden des Projektionsbelichtungssystems nach einem der Ansprüche 1 bis 12,
Auswählen einer ersten Maske und Anordnen der ersten Maske in der Objektebene, Beleuchten der ersten Maske, um das Substrat mit einer vorbestimmten ersten Strahlungsintensitätsverteilung zu belichten,
dadurch gekennzeichnet, daß das Verfahren nachfolgend ferner umfaßt :
Auswählen einer von der ersten Maske verschiedenen zweiten Maske und Anordnen der zweiten Maske in der Objektebene, und
Beleuchten der zweiten Maske, um das Substrat mit einer zweiten vorbestimmten Strahlungsintensitätsverteilung zu belichten, wobei eine gleiche strahlungsempfindliche Schicht des Substrats sowohl mit der ersten Strahlungsintensitätsverteilung als auch mit der zweiten Strahlungsintensitätsverteilung belichtet wird.
16. Lithographieverfahren nach Anspruch 15, ferner umfassend:
Auswählen einer von der ersten und der zweiten Maske verschiedenen dritten Maske aus der Mehrzahl von Masken und Anordnen der dritten Maske in der Objektebene, und
Beleuchten der dritten Maske, um die gleiche strahlungs- empfindliche Schicht des Substrats ferner mit einer dritten vorbestimmten Strahlungsintensitätsverteilung zu belichten.
EP07724535A 2006-04-24 2007-04-24 Projektionsbelichtungssystem und verwendung desselben Withdrawn EP2010964A1 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102006018928A DE102006018928A1 (de) 2006-04-24 2006-04-24 Projektionsbelichtungssystem und Verwendung desselben
PCT/EP2007/003605 WO2007121990A1 (de) 2006-04-24 2007-04-24 Projektionsbelichtungssystem und verwendung desselben

Publications (1)

Publication Number Publication Date
EP2010964A1 true EP2010964A1 (de) 2009-01-07

Family

ID=38180354

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
EP07724535A Withdrawn EP2010964A1 (de) 2006-04-24 2007-04-24 Projektionsbelichtungssystem und verwendung desselben

Country Status (6)

Country Link
US (1) US8908149B2 (de)
EP (1) EP2010964A1 (de)
JP (1) JP5429937B2 (de)
KR (1) KR101362497B1 (de)
DE (1) DE102006018928A1 (de)
WO (1) WO2007121990A1 (de)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102009017952B4 (de) 2009-04-17 2021-08-12 Advanced Mask Technology Center Gmbh & Co. Kg Lithographische Maske und Verfahren zur Herstellung der lithographischen Maske
CN103348503A (zh) * 2011-03-03 2013-10-09 正交公司 薄膜器件的材料图案化工艺
EP3631533A4 (de) 2017-05-24 2021-03-24 The Trustees of Columbia University in the City of New York Breitbandige achromatische flache optische komponenten durch dispersionskonstruierte dielektrische metaoberflächen
KR102718309B1 (ko) 2017-08-31 2024-10-15 메탈렌츠 인코포레이티드 투과성 메타표면 렌즈 통합
WO2019147828A1 (en) 2018-01-24 2019-08-01 President And Fellows Of Harvard College Polarization state generation with a metasurface
CN113168022B (zh) 2018-07-02 2024-07-30 梅特兰兹股份有限公司 用于激光散斑减少的超表面
DE102019121624A1 (de) * 2018-08-17 2020-02-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Fotolithografieverfahren und -vorrichtung
EP4004608A4 (de) 2019-07-26 2023-08-30 Metalenz, Inc. Aperturmetafläche und hybride refraktive metaflächenbildgebungssysteme
US11578968B1 (en) 2019-10-31 2023-02-14 President And Fellows Of Harvard College Compact metalens depth sensors
US12548980B2 (en) 2021-05-25 2026-02-10 Metalenz, Inc. Single element dot pattern projector
KR20240163162A (ko) 2022-03-31 2024-11-18 메탈렌츠 인코포레이티드 편광 분류 메타표면 마이크로렌즈 어레이 디바이스

Family Cites Families (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3656849A (en) * 1967-02-20 1972-04-18 Texas Instruments Inc Multiple image systems
JPS5546706A (en) * 1978-09-29 1980-04-02 Canon Inc Phase difference reflecting mirror
US5436114A (en) * 1989-12-06 1995-07-25 Hitachi, Ltd. Method of optical lithography with super resolution and projection printing apparatus
JP3200894B2 (ja) * 1991-03-05 2001-08-20 株式会社日立製作所 露光方法及びその装置
US6404482B1 (en) * 1992-10-01 2002-06-11 Nikon Corporation Projection exposure method and apparatus
US5552856A (en) * 1993-06-14 1996-09-03 Nikon Corporation Projection exposure apparatus
JP3463335B2 (ja) * 1994-02-17 2003-11-05 株式会社ニコン 投影露光装置
JP3291849B2 (ja) * 1993-07-15 2002-06-17 株式会社ニコン 露光方法、デバイス形成方法、及び露光装置
US5563012A (en) * 1994-06-30 1996-10-08 International Business Machines Corporation Multi mask method for selective mask feature enhancement
US5619531A (en) * 1994-11-14 1997-04-08 Research In Motion Limited Wireless radio modem with minimal interdevice RF interference
JPH09199390A (ja) * 1996-01-16 1997-07-31 Hitachi Ltd パターン形成方法、投影露光装置および半導体装置の製造方法
US5917845A (en) * 1996-06-19 1999-06-29 The University Of Rochester Devices that produce a super resolved image for use in optical systems
US5777793A (en) * 1996-07-25 1998-07-07 Northern Telecom Limited Polarization insensitive multilayer planar reflection filters with near ideal spectral response
US5972568A (en) * 1997-04-24 1999-10-26 Nortel Networks Corporation Method of making surface wave devices
JPH11212028A (ja) * 1998-01-26 1999-08-06 Nikon Corp コントラスト改善機能を有する光学装置およびコントラスト改善方法
JPH11354404A (ja) * 1998-06-05 1999-12-24 Hitachi Ltd ブランクスおよび反射型マスクの検査方法および検査装置
US6544721B1 (en) * 1998-06-16 2003-04-08 Canon Kabushiki Kaisha Multiple exposure method
JP3385325B2 (ja) * 1998-11-09 2003-03-10 日本電気株式会社 格子パターンの露光方法および露光装置
KR20010004612A (ko) * 1999-06-29 2001-01-15 김영환 포토 마스크 및 이를 이용한 반도체 소자의 미세패턴 형성방법
US20020171922A1 (en) * 2000-10-20 2002-11-21 Nikon Corporation Multilayer reflective mirrors for EUV, wavefront-aberration-correction methods for same, and EUV optical systems comprising same
EP1342128A2 (de) 2000-12-12 2003-09-10 Carl Zeiss SMT AG Projektionssystem für die euv-lithographie
JP2004526995A (ja) * 2001-01-25 2004-09-02 ジャックス・ホールディングズ・インコーポレイテッド 複数層薄膜光学的フィルタ構成体
US7053988B2 (en) * 2001-05-22 2006-05-30 Carl Zeiss Smt Ag. Optically polarizing retardation arrangement, and microlithography projection exposure machine
US6641959B2 (en) * 2001-08-09 2003-11-04 Intel Corporation Absorberless phase-shifting mask for EUV
EP1291680A2 (de) * 2001-08-27 2003-03-12 Nikon Corporation Multischicht-Spiegel für das ferne UV, und Hertellungsverfahren für solche Spiegel mit verringerten Aberration
US7027226B2 (en) * 2001-09-17 2006-04-11 Euv Llc Diffractive optical element for extreme ultraviolet wavefront control
EP1333323A3 (de) * 2002-02-01 2004-10-06 Nikon Corporation Selbstreinigendes optisches Element für Röntgenstrahlenoptik, sowie ein solches Element enthaltende optische und mikrolithographische Systeme
DE10220324A1 (de) * 2002-04-29 2003-11-13 Zeiss Carl Smt Ag Projektionsverfahren mit Pupillenfilterung und Projektionsobjektiv hierfür
EP1387220A3 (de) * 2002-07-29 2007-01-03 Canon Kabushiki Kaisha Justiermethode und -apparat eines optischen Systems, sowie Belichtungsapparat
JP3958261B2 (ja) * 2002-07-29 2007-08-15 キヤノン株式会社 光学系の調整方法
DE602004022141D1 (de) 2003-02-27 2009-09-03 Univ Hong Kong Mehrfachbelichtungsverfahren zur schaltungsleistungsverbesserung und maskenset
US7499149B2 (en) * 2003-06-24 2009-03-03 Asml Netherlands B.V. Holographic mask for lithographic apparatus and device manufacturing method
SG112034A1 (en) * 2003-11-06 2005-06-29 Asml Netherlands Bv Optical element, lithographic apparatus comprising such optical element and device manufacturing method
US7108946B1 (en) * 2004-01-12 2006-09-19 Advanced Micro Devices, Inc. Method of lithographic image alignment for use with a dual mask exposure technique
JP4522137B2 (ja) * 2004-05-07 2010-08-11 キヤノン株式会社 光学系の調整方法

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
None *
See also references of WO2007121990A1 *

Also Published As

Publication number Publication date
KR20090015028A (ko) 2009-02-11
WO2007121990A1 (de) 2007-11-01
US8908149B2 (en) 2014-12-09
DE102006018928A1 (de) 2007-11-08
KR101362497B1 (ko) 2014-02-21
JP5429937B2 (ja) 2014-02-26
US20090097000A1 (en) 2009-04-16
JP2009534860A (ja) 2009-09-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP2010964A1 (de) Projektionsbelichtungssystem und verwendung desselben
DE602004010249T2 (de) Methode zur Erzeugung eines Musters mittels einer Fotomaske, und Methode zur Erzeugung der entsprechenden Maskendaten
DE60312871T2 (de) Gitter basierter spektraler filter zur unterdrückung von strahlung ausserhalb des nutzbandes in einem extrem-ultraviolett lithographiesystem
DE69224119T2 (de) Herstellung einer Phasenverschiebungsphotomaske mit unterbrochenen Bereichen
DE602004009841T2 (de) Diffusionsplatte und Verfahren zu deren Herstellung
EP3224677B1 (de) Spiegel, insbesondere kollektorspiegel für mikrolithografie
DE4113968A1 (de) Maskenstruktur und verfahren zur herstellung von halbleiterbauelementen unter verwendung der maskenstruktur
DE102005036256B4 (de) Belichtungsvorrichtung mit der Fähigkeit zum räumlichen Vorgeben der Lichtpolarisation und Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung mit der Belichtungsvorrichtung
EP3589989B1 (de) Verfahren zur korrektur eines reflektiven optischen elements für den wellenlängenbereich von 5 nm bis 20 nm
EP1932061A1 (de) Vorrichtung und verfahren zur beeinflussung der polarisationsverteilung in einem optischen system, insbesondere in einer mikrolithographischen projektionsbelichtungsanlage
DE112005002469B4 (de) Festphasenimmersionslinsenlithographie
WO2026008673A1 (de) Element zur verwendung in einem mikro-elektro-mechanischen system und mikro-elektro-mechanisches system
EP4022365B1 (de) Optische beugungskomponente
DE10310137A1 (de) Satz von wenigstens zwei Masken zur Projektion von jeweils auf den Masken gebildeten und aufeinander abgestimmten Strukturmustern und Verfahren zur Herstellung der Masken
EP1251397A2 (de) Herstellung von optisch abgebildeten Strukturen mit einer Phasenschiebung von transmittierten Lichtanteilen
EP3362854B1 (de) Verfahren zur herstellung einer mikrostruktur in einer fotolithographietechnik
DE10305617B4 (de) Maske und Verfahren zum Strukturieren eines Halbleiterwafers
DE102019210450A1 (de) Optische Beugungskomponente zur Unterdrückung mindestens einer Ziel-Wellenlänge durch destruktive Interferenz
DE102020112776B4 (de) Fotolithografische EUV-Maske sowie Verfahren zum Herstellen einer fotolithografischen EUV-Maske
DE102012205790B4 (de) Vorrichtung zur Homogenisierung von Laserstrahlung sowie Verfahren zu ihrer Herstellung
EP1421445B1 (de) Photolithographische maske
DE102013021513B4 (de) Optisches Modul zur Optimierung einer Intensitätsverteilung von Strahlung einer ersten Wellenlänge und zum Transmittieren von Strahlung einer zweiten Wellenlänge
DE112019005885T5 (de) Bildung von dreidimensionalen strukturen mittels graustufenphotolithographie
DE102007021649A1 (de) Verfahren zur Korrektur von optischen Umgebungseffekten, optisches Filter und Verfahren zur Herstellung eines optischen Filters
DE102012209047B4 (de) Lithographievorrichtung und Lithographieverfahren

Legal Events

Date Code Title Description
PUAI Public reference made under article 153(3) epc to a published international application that has entered the european phase

Free format text: ORIGINAL CODE: 0009012

17P Request for examination filed

Effective date: 20081111

AK Designated contracting states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HU IE IS IT LI LT LU LV MC MT NL PL PT RO SE SI SK TR

AX Request for extension of the european patent

Extension state: AL BA HR MK RS

DAX Request for extension of the european patent (deleted)
RBV Designated contracting states (corrected)

Designated state(s): DE NL

17Q First examination report despatched

Effective date: 20100527

RAP1 Party data changed (applicant data changed or rights of an application transferred)

Owner name: CARL ZEISS SMT GMBH

GRAP Despatch of communication of intention to grant a patent

Free format text: ORIGINAL CODE: EPIDOSNIGR1

INTG Intention to grant announced

Effective date: 20180516

STAA Information on the status of an ep patent application or granted ep patent

Free format text: STATUS: THE APPLICATION IS DEEMED TO BE WITHDRAWN

18D Application deemed to be withdrawn

Effective date: 20180927