EP1525613A1 - VERWENDUNG VON MASKEN AUS METALLOXIDEN ZUR BEARBEITUNG VON OBERFLäCHEN BEI DER HERSTELLUNG VON MIKROCHIPS - Google Patents

VERWENDUNG VON MASKEN AUS METALLOXIDEN ZUR BEARBEITUNG VON OBERFLäCHEN BEI DER HERSTELLUNG VON MIKROCHIPS

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EP1525613A1
EP1525613A1 EP03787667A EP03787667A EP1525613A1 EP 1525613 A1 EP1525613 A1 EP 1525613A1 EP 03787667 A EP03787667 A EP 03787667A EP 03787667 A EP03787667 A EP 03787667A EP 1525613 A1 EP1525613 A1 EP 1525613A1
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EP
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semiconductor
metal oxide
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silicon
layer
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Withdrawn
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EP03787667A
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Stefan Jakschik
Thomas Hecht
Uwe Schröder
Matthias Goldbach
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Infineon Technologies AG
Original Assignee
Infineon Technologies AG
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Publication date
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Definitions

  • the capacitor is connected to a transistor in memory chips, via which the charge state of the capacitor can be controlled.
  • the transistor is usually arranged above the capacitor.
  • the uppermost section of the trench, to which the transistor connects is not doped.
  • the trench is therefore only filled up to the limit with a solid form of the dopant, for example an arsenic glass, within which the walls of the trench are to be doped in order to produce the bottom electrode.
  • the trench is first completely filled with the arsenic glass and the filling is then etched back to the limit up to which the semiconductor is to be doped.
  • the dopant can also be introduced into the semiconductor from the gas phase. Since a sufficiently high concentration of the dopant is constantly available in the gas phase, a high doping of the sections of the semiconductor which form the bottom electrode in the finished capacitor is achieved, it being possible in particular to set a high concentration of the dopant at the interface between the semiconductor and the dielectric , However, this requires that those areas of the semiconductor which are to remain undoped are covered with a diffusion barrier. In the manufacture of deep trench capacitors, a collar made of silicon nitride is therefore first built up in the upper section of the trench, which then acts as a diffusion barrier in gas phase doping.
  • the processing can only affect the surface, but it is also possible to modify regions of the semiconductor substrate which are close to the surface and which are preferably composed of silicon.
  • the method according to the invention is used particularly advantageously for the selective doping of the semiconductor. Even with thin layers, metal oxides show a strong barrier effect against the diffusion of the dopant. This makes it possible, for example in trenches for deep trench capacitors which have a very small diameter, to achieve a reliable blocking effect against doping in the first sections which are covered by the metal oxide. No doping takes place in these sections, whereas a high doping of the semiconductor is achieved in the second sections, in which the semiconductor is exposed.
  • the method can be used in particular for the production of bottom electrodes of deep trench capacitors.
  • a trench is first introduced in the semiconductor, the trench having a wall which is partially covered with the metal oxide, so that first and second sections are obtained on the wall, the first sections being formed from the deposited metal oxide and the second sections correspond to the areas of the wall in which the semiconductor is exposed.
  • the metal oxide is generally applied as a collar in the upper region of the trench, that is to say subsequently for opening the trench to the surface of the semiconductor substrate.
  • the semiconductor can then be selectively doped in the exposed sections by means of gas phase doping in order to produce a bottom electrode.
  • the wafer prepared in this way was examined with SIMS (secondary ion mass spectroscopy), so that a depth profile of the arsenic concentration was obtained.

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Abstract

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum abschnittsweisen Modifizieren eines Halbleiters. Zum Dotieren werden diejenigen Abschnitte, die beispielsweise frei von einer Dotierung bleiben sollen, mit einem Metalloxid, z.B. Aluminiumoxid (6), abgedeckt. Anschließend wird der Halbleiter z.B. aus der Gasphase in den Abschnitten (7) dotiert, welche nicht von dem Aluminiumoxid bedeckt sind. Abschließend wird das Aluminiumoxid selektiv wieder entfernt, beispielsweise mit heißer Phosphorsäure. Abschnitte der Halbleiteroberfläche, die aus Silizium, Siliziumoxid oder Siliziumnitrid gebildet sind, verbleiben dabei auf dem Wafer.

Description

Beschreibung
Verwendung von Masken aus Metalloxiden zur Bearbeitung von Oberflächen bei der Herstellung von Mikrochips
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum abschnittsweisen Bearbeiten einer Oberfläche.
Der wirtschaftliche Erfolg in der Halbleiterindustrie wird wesentlich von einer weiteren Reduzierung der minimalen
Strukturgröße beeinflusst, die sich auf einem Mikrochip darstellen lässt. Eine Reduzierung der minimalen Strukturgröße ermöglicht eine Erhöhung der Integrationsdichte der elektronischen Bauelemente, wie Transistoren oder Kondensatoren auf dem Mikrochip und damit eine Steigerung der Rechengeschwindigkeit von Prozessoren sowie eine Steigerung der Speicherkapazität von Speicherbausteinen. Um den Flächenbedarf der Bauelemente auf der Chipoberfläche gering zu halten, nutzt man bei Kondensatoren auch die Tiefe des Substrats. Dazu wird zunächst ein Graben in den Wafer eingebracht. Anschließend wird eine Bottomelektrode erzeugt, indem beispielsweise die Bereiche des Wafers, welche sich an die Wandung des Grabens anschließen, zur Erhöhung der elektrischen Leitfähigkeit dotiert werden. Auf die Bottomelektrode wird dann eine dünne Schicht eines Dielektrikums aufgebracht. Zuletzt wird der Graben mit einem elektrisch leitfähigen Material aufgefüllt, um eine Gegenelektrode zu erhalten. Diese Elektrode wird auch als Topelektrode bezeichnet. Durch diese Anordnung von Elektroden und Dielektrikum wird der Kondensator quasi gefaltet. Bei gleich bleibend großen Elektrodenflächen, also gleicher Kapazität, kann die laterale Ausdehnung des Kondensators auf der Chipoberfläche minimiert werden. Derartige Kondensatoren werden auch als "Deep-Trench"-Kondensatoren bezeichnet .
In Speicherchips entspricht der geladene bzw. entladene Zustand des Kondensators den beiden binären Zuständen 0 bzw. 1. Um den Ladungszustand des Kondensators und damit die im Kondensator gespeicherte Information sicher bestimmen zu können, muss dieser eine bestimmte minimale Kapazität aufweisen. Sinkt die Kapazität bzw. bei teilentladenem Kondensator die Ladung unter diesen Wert, verschwindet das Signal im Rauschen, das heißt die Information über den Ladungszustand des Kondensators geht verloren. Nach dem Beschreiben entlädt sich der Kondensator durch Leckströme, welche einen Ladungsausgleich zwischen den beiden Elektroden des Kondensators bewirken. Um einem Informationsverlust durch die Ent- ladung des Kondensators entgegenzuwirken, wird bei DRAMs der Ladungszustand des Kondensators in regelmäßigen Abständen überprüft und gegebenenfalls aufgefrischt, das heißt ein teilweise entladener Kondensator wird wieder bis zu seinem- ursprünglichen Zustand aufgeladen. Diesen so genannten "Refreshing"-Zeiten sind jedoch technische Grenzen gesetzt, das heißt, sie könne nicht beliebig verkürzt werden. Während der Periode der Refreshing-Zeit darf die Ladung des Kondensators daher nur so weit abnehmen, dass eine sichere Bestimmung des Ladungszustandes möglich ist. Bei einem gegebenen Leckstrom muss der Kondensator zu Beginn der Refreshing-Zeit daher eine bestimmte minimale Ladung aufweisen, so dass zum Ende der Refreshing-Zeit der Ladungszustand noch ausreichend hoch über dem Rauschen liegt, um die im Kondensator gespeicherte Information sicher auslesen zu können. Mit abnehmen- den Abmessungen nehmen die Leckströme zu, da Tunneleffekte an Bedeutung gewinnen. Um auch bei fortschreitender Miniaturisierung eine sichere Speicherung von Information gewährleisten zu können, muss der Kondensator eine ausreichende Kapazität aufweisen. Um trotz abnehmender Baugröße die ge- wünschte hohe Kapazität zu erhalten, werden eine Vielzahl von Lösungsansätzen verfolgt. So wird beispielsweise die Oberfläche der Elektroden mit einer Struktur versehen, um bei abnehmender Länge und Breite der Elektroden deren Oberfläche möglichst groß zu gestalten. Ferner werden neue Mate- rialien verwendet. So versucht man, das bisher als Dielektrikum verwendete Siliziumdioxid durch Materialien mit höherer Dielektrizitätskonstante zu ersetzen. Um bei einer gegebenen Größe eines Kondensators eine möglichst hohe Kapazität zu erreichen, versucht man ferner, den unmittelbar an das Dielektrikum anschließenden Bereich des Halbleiters möglichst hoch zu dotieren, um so in unmittelba- rer Nachbarschaft zum Dielektrikum eine möglichst hohe Ladungsdichte in der Elektrode zu erzeugen.
Der Kondensator ist in Speicherchips mit einem Transistor verbunden, über den der Ladungszustand des Kondensators ge- steuert werden kann. Bei Deep-Trench-Kondensatoren ist der Transistor meist oberhalb des Kondensators angeordnet. Um eine ausreichende elektrische Isolation zwischen-Kondensator und Transistor erreichen zu können, wird daher der oberste Abschnitt des Grabens, an den sich der Transistor an- schließt, nicht dotiert. Bei der Herstellung von Deep- Trench-Kondensatoren wird daher zur Herstellung der Bottomelektrode der Graben nur bis zu der Grenze mit einer festen Form des Dotiermittels aufgefüllt, zum Beispiel ein Arsenglas, innerhalb welcher eine Dotierung der Wände des Grabens erfolgen soll. Dazu wird der Graben zunächst vollständig mit dem Arsenglas ausgefüllt und die Füllung anschließend bis zu der Grenze zurückgeätzt, bis zu der eine Dotierung des Halbleiters erfolgen soll. Anschließend wird das Halbleitersubstrat erhitzt, so dass das Dotiermittel, zum Beispiel Arse- nionen, durch die thermische Energie aus dem Arsenglas in den dieses umgebenden Halbleiter diffundiert. Zu Beginn des Temperschritts diffundiert eine relativ hohe Menge an Arsenionen in den Halbleiter ein, wobei gleichzeitig das Arsenglas kontinuierlich an Arsenionen verarmt. Während der Do- tierung stellt sich daher ein Gradient für den Übergang der Arsenionen in den Halbleiter ein, wobei sich zu Beginn ein Maximum der Konzentration an einwandernden Ionen einstellt und die Konzentration der einwandernden Ionen bei fortschreitender Dotierung durch die Verarmung des Arsenglases kontinuierlich abnimmt. Im weiteren Verlauf des Temperns diffundieren die Arsenionen weiter in den Halbleiter ein, so dass sich durch die Verarmung des Arsenglases ein Maximum der Arsenionenkonzentration ausbildet, das allmählich von der Wandung des Grabens weg in den Halbleiter hinein verschoben wird. Dadurch ist auch das Maximum der Ladungsverteilung in der Elektrode des fertig gestellten Kondensators nicht unmittelbar an der Grenze zwischen Dielektrikum und Halbleiter angeordnet. Der Kondensator erhält deshalb eine geringere Kapazität als dies bei einer hohen Dotierung an der Grenzfläche zwischen Dielektrikum und Halbleiter möglich wäre. Durch die Verringerung der Baugröße des Kondensators kann ferner im Innenraum des Grabens nicht mehr eine genü- gend hohe Menge an Arsenglas zur Verfügung gestellt werden, um eine ausreichend hohe Dotierung der an die Grabenwandung angrenzenden Bereiche des Halbleiters zu erreichen.
Um auch bei geringen Abmessungen der Gräben eine ausreichend hohe Dotierung zu erreichen, kann das Dotiermittel auch aus der Gasphase in den Halbleiter eingebracht werden. Da in der Gasphase ständig eine ausreichend hohe Konzentration des Dotiermittels zur Verfügung steht, wird eine hohe Dotierung der Abschnitte des Halbleiters erreicht, die im fertigen Kondensator die Bottomelektrode bilden, wobei insbesondere an der Grenzfläche zwischen Halbleiter und Dielektrikum eine hohe Konzentration des Dotiermittels eingestellt werden kann. Dazu ist jedoch erforderlich, dass diejenigen Bereiche des Halbleiters, welche undotiert bleiben sollen, mit einer Diffusionsbarriere abgedeckt werden. Bei der Herstellung von Deep-Trench-Kondensatoren wird daher zunächst im oberen Abschnitt des Grabens ein Kragen aus Ξiliziumnitrid aufgebaut, welcher dann bei der Gasphasendotierung als Diffusionsbarriere wirkt. Dazu kann der Graben beispielsweise zunächst teilweise mit Polysilizium aufgefüllt werden. Anschließend wird auf den freiliegenden Wandungen im oberen Abschnitt des Grabens eine dünne Schicht aus Siliziumnitrid abgeschieden. Das Polysilizium wird dann aus dem unteren Abschnitt des Grabens wieder entfernt, so dass die Wandung des Grabens im unteren Abschnitt wieder feigelegt wird. Diese Abschnitte, welche der Bottomelektrode im fertig gestellten Deep-Trench- Kondensator entsprechen, können nun aus der Gasphase mit einem Dotiermittel dotiert werden. Nach der Dotierung muss der Kragen aus Siliziumnitrid wieder entfernt werden. Die Prozessführung bei der Entfernung des Siliziumnitridkragens ist jedoch schwierig. Vor der Prozessierung eines Silizium- wafers wird nämlich die Oberseite des Wafers mit einer dün- nen Schicht aus Siliziumnitrid abgedeckt. Diese verleiht der Waferoberfläche eine hohe chemische und mechanische Beständigkeit. Beispielsweise beim chemisch-mechanischen Planari- sieren wird die Oberseite des Wafers dann nicht abgetragen, so dass eine ebene Oberfläche erhalten wird. Beim Entfernen des Siliziumnitridkragens nach der Gasphasendotierung müssen daher die Prozessbedingungen sehr genau eingehalten werden. Es erfolgt sonst ein Überätzen, bei welchem die auf der 0- berfläche des Siliziumwafers abgeschiedene Siliziumnitridschicht mit abgetragen wird.
Schwierigkeiten bei der Entfernung einer temporären Schutzschicht treten nicht nur im oben aufgeführten Beispiel der Herstellung eines Deep-Trench-Kondensators auf. So ist es beispielsweise sehr schwierig, selektiv Abschnitte aus Sili- ziumnitrid, Siliziumdioxid oder Silizium zu entfernen, wenn zumindest zwei dieser Materialien auf der Oberfläche eines Wafers angeordnet sind. Dies stellt ein großes Hemmnis bei der Herstellung hochintegrierter elektronischer Bauelemente dar.
Aufgabe der Erfindung ist es daher, ein Verfahren zur abschnittsweisen Bearbeitung einer Oberfläche zur Verfügung zu stellen, das eine vereinfachte Herstellung hochintegrierter elektronischer Bauelemente ermöglicht.
Die Aufgabe wird gelöst mit einem Verfahren zum abschnittsweisen Bearbeiten einer Oberfläche, wobei auf der Oberfläche erste Abschnitte mit einem Metalloxid abgedeckt werden und zweite Abschnitte erhalten werden, in denen die Oberfläche freiliegt, und die in den zweiten Abschnitten freiliegende Oberfläche modifiziert wird. Bei erfindungsgemäßen Verfahren wird zur Bearbeitung der Oberfläche eine Maske aufgebracht, die aus Metalloxiden aufgebaut ist. Metalloxide zeigen im Vergleich zu Siliziumnitrid bereits bei geringen Schichtdicken einen hohen Wirkungs- grad als Diffusionssperre. Die Maske kann daher sehr dünn ausgeführt werden. Dies ist insbesondere bei der Bearbeitung von Reliefs von Vorteil, die Strukturen mit einem hohen Aspektverhältnis umfassen. Für die Herstellung von Deep- Trench-Kondensatoren mit einem geringen Platzbedarf an der Oberfläche des Chips werden Gräben in das Halbleitersubstrat eingebracht, die ein großes Aspektverhältnis aufweisen. Die Gräben besitzen daher an der Waferoberseite eine- Öffnung, die nur einen sehr geringen Durchmesser aufweist. Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren reicht bereits eine geringe Schichtdicke des Metalloxids aus, um eine Diffusion des Dotiermittels in den Halbleiter zu unterdrücken. Die Öffnung des Grabens wird daher nicht übermäßig verengt, so dass beim Gasphasendotieren eine ausreichend große Menge des Dotiermittels in die unteren Abschnitte des Grabens diffundieren kann. Auf diese Weise kann auch in die tiefer im Halbleiter angeordneten Abschnitte des Grabens eine ausreichende Menge an Dotiermittel eingebracht werden, um in für eine industrielle Anwendung geeigneten Prozesszeiten eine ausreichende Dotierung des Halbleiters zu erreichen.
Beim erfindungsgemäßen Verfahren kann das Metalloxid, das bei der Modifikation der zweiten Abschnitte als Maske dient, nach der Modifikation dieser Abschnitte auf der Oberfläche verbleiben und beispielsweise als Isolator oder Dielektrikum in einem aufzubauenden elektronischen Bauelement genutzt werden.
In einer besonders bevorzugten Ausführungsform des Verfahrens können die aus dem Metalloxid gebildeten ersten Abschnitte jedoch auch selektiv wieder entfernt werden. Me- talloxide lassen sich neben siliziumhaltigen Verbindungen, wie Silizium, Siliziumdioxid und Siliziumnitrid, die gewöhnlich als Dielektrikum oder Schutzschichten bei der Herstellung von Mikrochips verwendet werden, selektiv entfernen. Damit wird eine höhere Freiheit in der Gestaltung und der Herstellung von mikroelektronischen Bauelementen, wie Transistoren oder Kondensatoren, erreicht, da nebeneinander zumindest zwei Materialien verwendet werden können, wobei ei- nes der Materialien, nämlich das Metalloxid, selektiv neben dem anderen Material entfernt werden kann. Als Materialien, die neben den Metalloxiden verwendet werden, eignen sich beispielsweise Silizium, Siliziumdioxid und Siliziumnitrid. Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren lassen sich daher bei- spielsweise selektiv Abschnitte auf einem Halbleiter erzeugen, die aus Siliziumdioxid oder Siliziumnitrid aufgebaut sind. In den nach der Entfernung des Metalloxids-freigelegten Abschnitten kann dann eine weitere Bearbeitung des Halbleiters erfolgen. Beispielsweise kann der Halbleiter weiter strukturiert werden, um einen Transistor bzw. elektrisch leitfähige Verbindungen zu diesem Transistor herzustellen, wobei der Transistor zur Steuerung des Ladungszustandes des Kondensators dient .
Die Oberfläche, welche mit dem erfindungsgemäßen Verfahren modifiziert wird, kann an sich beliebig gewählt werden. Die Oberfläche kann beispielsweise von einer Schicht aus Siliziumoxid oder Siliziumnitrid bereitgestellt werden. Diese Schicht kann in den zweiten Abschnitten, in welchen das Si- liziumoxid oder das Siliziumnitrid freiliegt, zunächst modifiziert werden, beispielsweise geätzt werden. Nach der Bearbeitung kann das Metalloxid selektiv entfernt werden, so dass die unter den ersten Abschnitten angeordneten Abschnitte der Schicht aus Siliziumoxid bzw. Siliziumnitrid wieder freigelegt werden. Auf diese Wese lassen sich beispielsweise Schichtstrukturen erzeugen. Das erfindungsgemäße Verfahren eignet sich jedoch besonders für die Bearbeitung eines Halbleitersubstrats, beispielsweise eines Siliziumwafers . Die zu bearbeitende Oberfläche wird dann von der Fläche des Halbei- tersubstrats gebildet. Die Bearbeitung kann lediglich die Oberfläche betreffen, es können bei der Bearbeitung aber auch oberflächennahe Bereiche des Halbleitersubstrats, das bevorzugt aus Silizium aufgebaut ist, modifiziert werden. Besonders vorteilhaft wird das erfindungsgemäße Verfahren zur selektiven Dotierung des Halbleiters verwendet. Metalloxide zeigen bereits bei geringen Schichtdicken eine starke Sperrwirkung gegenüber der Diffusion des Dotiermittels. Dies ermöglicht es, beispielsweise auch in Gräben für Deep- Trench-Kondensatoren, welche einen sehr geringen Durchmesser aufweisen, in den ersten Abschnitten, welche vom Metalloxid abgedeckt sind eine zuverlässige Sperrwirkung gegenüber ei- ner Dotierung zu erreichen. In diesen Abschnitten findet also keine Dotierung statt, während in den zweiten Abschnitten, in denen der Halbleiter frei liegt, eine hohe Dotierung des Halbleiters erreicht wird.
Die Dotierung kann dabei mit herkömmlichen Verfahren durchgeführt werden, indem beispielsweise das Dotiermittel in fester Form auf die zweiten Abschnitte aufgebracht wird, in welchen der Halbleiter freiliegt. Dies kann beispielsweise durchgeführt werden, indem, wie oben beschrieben, ein Arsen- glas aufgetragen wird und der Halbleiter anschließend erhitzt wird, so dass das Arsen aus dem Arsenglas in den nicht vom Metalloxid abgedeckten zweiten Abschnitten in den Halbleiter eindiffundieren kann. Bei der Dotierung von Gräben für Deep-Trench-Kondensatoren entfällt das Rückätzen des festen Dotiermittels, da durch das Metalloxid diejenigen
Bereiche, die frei von der Dotierung verbleiben sollen, vor einem Eindiffundieren der Dotiersubstanz geschützt sind, also ein scharfes Dotierprofil erhalten wird. Besonders vorteilhaft wird jedoch die Dotierung aus der Gasphase durchge- führt. Wie bereits weiter oben erläutert, zeigen Metalloxide bereits bei einer geringen Schichtdicke eine hohe Sperrwirkung gegenüber der Diffusion eines Dotiermittels, weshalb auch die Herstellung von Grabenkondensatoren mit einem sehr geringen Durchmesser möglich ist. Bei der Gasphasendotierung kann das Dotiermittel nun ohne weiteres in die unteren, zweiten Abschnitte des Grabens vordringen und dort eine o- berflächennahe hohe Dotierung des Halbleiters bewirken. Bei gleicher Kapazität können daher die Abmessungen des Deep- Trench-Kondensators weiter verringert werden, da in der Bottomelektrode nahe der Schicht des Dielektrikums eine hohe Ladungsdichte erzeugt werden kann.
Besonders bevorzugt wird die Dotierung mit Arsen durchgeführt. Wird die Dotierung in fester Phase durchgeführt, wird bevorzugt ein Arsenglas als Quelle für das Dotiermittel verwendet. Als gasförmiges Dotiermittel kann beispielsweise Arsin verwendet werden. Neben den genannten Quellen für das Dotiermittel Arsen können auch andere, dem Fachmann bekannte Arsen-Dotiermittel verwendet werden.
Arsen wird zwar bevorzugt als Dotiermittel verwendet, es ist jedoch auch möglich, andere Elemente als Dotiermittel zu verwenden, durch welche eine ausreichend hohe Anzahl an Ladungsträgern nahe der Grenzfläche zwischen Bottomelektrode und Dielektrikum erzeugt werden kann. Für Siliziumhalbleiter eignet sich beispielsweise eine Dotierung mit Phosphor oder Bor. Das Dotiermittel sollte bevorzugt in gasförmigem Zu- stand vorliegen.
Die hohe Sperrwirkung des Metalloxids gegen ein Eindiffundieren von Substanzen in die unter dem Metalloxid angeordneten Abschnitte des Halbleiters kann auch dazu genutzt wer- den, den Halbleiter selektiv in den zweiten Abschnitten zu oxidieren und/oder zu nitridieren. Zum Oxidieren kann beispielsweise Sauerstoffgas verwendet werden. Zum Nitridieren eignen sich beispielsweise Stickstoffgas oder stickstoffhaltige Verbindungen, wie Ammoniak.
Ein wesentlicher Vorteil des erfindungsgemäßen Verfahrens liegt in der Möglichkeit, das Metalloxid selektiv neben anderen Materialien entfernen zu können. Das Metalloxid kann trockenchemisch oder auch nasschemisch entfernt werden. Be- sonders bevorzugt wird für die selektive Entfernung von Metalloxiden heiße Phosphorsäure verwendet. Silizium und Siliziumdioxid werden von heißer Phosphorsäure nur in vernachlässigbar geringen Mengen abgelöst. Bei Siliziumnitrid ist die Ätzrate stark von der Temperatur der heißen Phosphorsäure abhängig. Durch eine geschickte Temperaturwahl kann die Ätzrate so eingestellt werden, dass das Metalloxid bereits entfernt ist, während das Siliziumnitrid weitgehend auf der Halbleiteroberfläche verbleibt. Die Temperatur wird dazu geeignet in einem Bereich von 20 °C bis 200 °C, vorzugsweise 50 °C bis 150 °C gewählt.
Neben heißer Phosphorsäure können noch andere Ätzmedien ver- wendet werden, wobei jedoch eine sorgfältige Abstimmung der Ätzbedingungen erforderlich ist, wenn eine ausreichende Selektivität des Ätzvorgangs_ erreicht werden soll.~Die Ätzbedingungen werden dann so gewählt, dass das Metalloxid schneller abgetragen wird als beispielsweise Silizium, Sili- ziumoxid oder Siliziumnitrid. Ein geeignetes Ätzmedium ist beispielsweise verdünnte oder konzentrierte Flusssäure. Andere Ätzmedien sind ebenfalls geeignet
Die Metalloxide, welche im erfindungsgemäßen Verfahren ver- wendet werden, können an sich von allen Metallen abgeleitet werden, die sich im Periodensystem links einer diagonalen Trennungslinie beginnend mit dem Element Beryllium (zweite Gruppe) bis hin zum Polonium (sechzehnte Gruppe) befinden. Oxide der Halbmetalle B, Si, Ge, As, und Te bilden daher keine Metalloxide im Sinne der Erfindung. Besonders evorzugt werden Metalloxide verwendet, die eine hohe Dielektrizitätskonstante aufweisen. Die Metalloxidschicht kann dann in mikroelektronischen Bauelementen als Dielektrikum weiter verwendet werden.
Insbesondere bevorzugt werden Metalloxide verwendet, welche ein Metall umfassen, das ausgewählt ist aus der Gruppe, die gebildet ist aus AI, Zr, Hf, Y, Pr, Zr, Ta, W, Ru, Ti, La, Nd, Nb. Unter diesen Metalloxiden ist wiederum Aluminiumoxid besonders bevorzugt. Aluminiumoxid lässt sich auch nach einer Wärmebehandlung zum Beispiel mit heißer Phosphorsäure selektiv neben Silizium, Siliziumdioxid und Siliziumnitrid ätzen. Als Halbleiter wird vorzugsweise Silizium verwendet. Der Halbleiter wird vorzugsweise in Form eines Wafers bereitgestellt, wobei der Wafer auch schon Prozessierungsschritte durchlaufen haben kann und in den Wafer beispielsweise auch bereits elektronische Bauelemente integriert sein können.
Das Verfahren lässt sich insbesondere für die Herstellung von Bottomelektroden von Deep-Trench-Kondensatoren einset- zen. Dabei wird im Halbleiter zunächst ein Graben eingebracht, wobei der Graben eine Wandung aufweist, welche teilweise mit dem Metalloxid bedeckt wird, so dass erste und zweite Abschnitte auf der Wandung erhalten werden, wobei die ersten Abschnitte aus dem abgeschiedenen Metalloxid gebildet werden und die zweiten Abschnitte den Bereichen der Wandung entsprechen, in welchen der Halbleiter freiliegt. Das Metalloxid ist dabei im Allgemeinen als Kragen im oberen Bereich des Grabens angebracht, das heißt anschließend zur Öffnung des Grabens zur Oberfläche des Halbleitersubstrats. Durch Gasphasendotierung kann der Halbleiter dann selektiv in den frei liegenden Abschnitten dotiert werden, um eine Bottomelektrode zu erzeugen.
Wie bereits erwähnt, kann mit Metalloxiden bereits bei ge- ringen Schichtdicken eine Sperrwirkung für die Diffusion von Dotiermitteln erreicht werden. Das Metalloxid wird daher bevorzugt durch ein ALD-Verfahren (ALD = Atomic Layer Deposition) erzeugt. Dieses Verfahren erlaubt die Ablagerung einzelner Atomschichten und damit eine sehr genaue Steuerung der Schichtdicke. Dies ist insbesondere für die Herstellung von Grabenkondensatoren von Vorteil, welche einen sehr geringen Durchmesserbzw. ein sehr hohes Aspektverhältnis aufweisen. Als Precursoren für die Herstellung einer Aluminiumoxidschicht eignen sich beispielsweise Aluminiumalkyle, wie A1(CH3)3, A1(CH3)2(C2H5) oder Al(t-C4H9)3 für Aluminium und Wasser, Sauerstoff oder Ozon für Sauerstoff Die Erfindung wird anhand eines Beispiels sowie unter Bezugnahme auf die beigefügten Figuren näher erläutert. Dabei zeigt:
Fig. 1 einen Querschnitt durch einen Wafer senkrecht zur Oberseite des Wafers, wobei verschiedene Arbei-ts- schritte dargestellt sind, die bei der Herstellung eines Deep-Trench-Kondensators durchlaufen werden;
Fig. 2 ein SIMS-Tiefenspektrum, das mit einem Siliziumwafer erhalten wurde, welcher mit dem erfindungsgemäßen Verfahren dotiert wurde, wobei das Spektrum in den mit A1203 abgedeckten Abschnitten auf- genommen wurde.
Fig. 1A zeigt einen Schnitt durch einen Halbleiter 1, beispielsweise einen Siliziumwafer, in welchem zwei Gräben 2 eingebracht sind. Auf der Oberseite des Halbleiters 1 ist zunächst eine dünne Oxidschicht 3 und auf dieser wiederum eine Nitridschicht 4 angeordnet. Zur Herstellung der in Fig. 1A gezeigten Anordnung wird zunächst ein Siliziumwafer durch thermische Oxidation mit einer dünnen Oxidschicht 3 versehen, um zum einen Spannungen im Wafer abzubauen und um zum anderen eine Haftschicht für weitere Schichten bereitzustellen. Auf die Oxidschicht 3 wird anschließend mit einem CVD- Verfahren (CVD = Chemical Vapor Deposition) eine ca. 20 mm starke Siliziumnitridschicht 4 abgeschieden. Für die Strukturierung der Nitridschicht 4 wird nun zunächst eine Schicht aus einem Hartmaskenmaterial abgeschieden, beispielsweise ein Borsilikatglas. Anschließend wird ein Fotolack aufgetragen, mit Hilfe einer Fotomaske abschnittsweise belichtet und mit einem Entwickler entwickelt, um Öffnungen mit einem Durchmesser von ca. 100 nm für die Gräben 2 zu definieren. Die Öffnungen werden nun mit einem Fluorplasma in der
Schicht der Hardmask übertragen, wobei gleichzeitig auch die entsprechenden Bereiche der Nitridschicht 4 abgetragen werden. Nach Entfernen der Fotolackschicht werden mit einem weiteren Fluorkohlenwasserstoffplasma die Gräben 2 bis zu einer Tiefe von ca. 8 μm in das Siliziumsubstrat 4 eingeätzt. Abschließend wird die Hardmask beispielsweise mit Flusssäure entfernt.
Um zu den in Fig. 1B gezeigten Aufbau zu gelangen, wird auf der Wandung der Gräben 2 zunächst wieder eine dünne, ca. 10 nm dicke Oxidschicht erzeugt, indem das freiliegende Silizium thermisch mit Sauerstoff oxidiert wird. Anschließend wird Polysilizium 5 auf dem Wafer abgeschieden, so dass die Gräben 2 vollständig mit Polysilizium ausgefüllt sind. Das Polysilizium 5 wird anisotrop zurückgeätzt, um das Polysilizium wieder von der Oberfläche des Wafers sowie im oberen Abschnitt der Gräben 2 bis zu einer Tiefe von ca. 1 μm zu entfernen. An den im oberen Bereich der Gräben 2 freiliegenden Abschnitten der Grabenwandung kann die freiliegende 0- xidschicht wieder anisotrop weggeätzt werden. Mit einem ALD- Verfahren wird nun eine ca. 2 - 20 nm starke Aluminiumoxidschicht 6 abgeschieden. Als Precursoren für das ALD- Verfahren eignen sich beispielsweise A1(CH3)3 und Wasser.
Andere Precursoren können jedoch ebenfalls verwendet werden.
Um das Polysilizium 5 wieder aus den Gräben 2 entfernen zu können, wird nun zunächst die Aluminiumoxidschicht 6 ani- sotrop geätzt, so dass Aluminiumoxid, das sich auf dem Polysilizium 5 befindet, wieder entfernt wird. Dazu kann beispielsweise ein anisotropes Plasma (C4Ar) verwendet werden. Das in den Gräben 5 noch vorhandene Polysilizium wird durch isotropes Ätzen (CAr) wieder entfernt, so dass die Gräben 2 wieder bis zu ihrer vollen Tiefe freigelegt sind. Abschließend wird auch der unter dem Polysilizium 5 an der Wandung der Gräben 2 erzeugte dünne Oxidfilm durch isotropes Ätzen entfernt, beispielsweise mit Flusssäure. Man erhält die in Fig. IC dargestellte Anordnung. Die Wandung der Gräben 2 ist im oberen Abschnitt kragenförmig mit einer Aluminiumoxidschicht 6 abgedeckt, die bei der Dotierung als Diffusionssperre wirkt. In den unteren Abschnitten der Gräben 2 liegt das Silizium an der Wandung der Gräben 2 frei. Bei der Gasphasendotierung, die beispielsweise mit Arsin durchgeführt wird, kann das Dotiermittel Arsen nun lediglich in diejenigen Bereiche des Halbleiters 1 diffundieren, wel- ehe nicht von der Aluminiumoxidschicht 6 abgedeckt sind. Man erhält angrenzend an den unteren Abschnitt der Wandung der Gräben 2 dotierte Bereiche 7, welche eine höhere elektrische Leitfähigkeit aufweisen und im fertigen Deep-Trench- Kondensator die Bottomelektrode bilden. Vor der weiteren Bearbeitung des Halbleitersubstrats 1 kann nun die Aluminiumoxidschicht 6 selektiv mit heißer Phosphorsäure entfernt werden, ohne dass das Silizium in den Gräben 2 bzw. die Siliziumnitridschicht 4 abgetragen wird. Der Kondensator wird anschließend in bekannter Weise fertig gestellt.
Beispiel
Auf einen Siliziumwafer wurde durch ein CVD-Verfahren (CVD = Chemical Vapor Deposition) eine Aluminiumoxidschicht mit einer Dicke von 30 _ abgeschieden. Nach der Abscheidung wurde die Aluminiumoxidschicht zum Ausheilen von Kristallfehlern zunächst für 20 s unter Stickstoff auf 1000°C erhitzt und anschließend noch für 4 min unter einer Sauerstoffat o- Sphäre auf 850°C erhitzt. Zur Verdichtung der Aluminiumoxidschicht wurde anschließend noch für 20 min auf 1000°C erhitzt. Der so präparierte Wafer wurde anschließend für 30 Minuten bei 1 Torr und 950 °C mit Arsin aus der Gasphase dotiert. Abschließend wurde das auf den Wafer noch eine dün- ne Schicht aus Polysilizium zur Probenvorbereitung aufgebracht.
Der so präparierte Wafer wurde mit SIMS (Sekundärionenmas- senspektroskopie) untersucht, so dass ein Tiefenprofil der Arsenkonzentration erhalten wurde.
Fig. 2A zeigt schematisch einen Schnitt durch das oben beschriebene Probensubstrat. Auf dem Siliziumwafer 8 ist eine Schicht 9 aus A1203 angeordnet, die als Diffusionssperre ein Eindringen von Arsen in den Siliziumwafer 8 verhindert. Auf der Schicht 9 ist aus messtechnischen Gründen eine Schicht 10 aus Polysilizium angeordnet.
In Fig. 2B ist das mit SIMS gemessene Spektrum abgebildet, wobei die x-Achse (Tiefe) der Ausdehnung des in Fig. 2A dargestellten Probensubstrats entspricht. Dargestellt ist jeweils die Konzentration der Siliziumatome (Kurve 11) , Sauer- stoffatome (Kurve 12), Aluminiumatome (Kurve 13) und Arsenatome (Kurve 14) . Während des Abtrags der Schicht 10 aus Polysilizium erhält man einen Peak 11a, welcher einer hohen Siliziumkonzentration entspricht, während die Kurven 12 bis 14 bei niedrigen Werten verbleiben. Nach Abtrag der Schicht 10 aus Polysilizium sinkt die Kurve 11 der Siliziumkonzentration stark ab, während die Kurve 14 der Arsenionenkonzentration steil ansteigt und eine Peak 14a ausbildet. Dieser Peak ist auf die Ablagerung von Arsenatomen auf die Schicht 9 aus A1203 während des Dotierens zurückzuführen. Während des Abtrags der Schicht 9 aus A1203 steigen die Kurve 12 der Sauerstoffkonzentration und die Kurve 13 der Aluminiumkonzentration an und bilden Peaks 12a und 13a aus. Die Konzentration der Arsenatome sinkt wieder auf den Ausgangswert ab, das heißt, die Arsenatome diffundieren im Wesentli- chen nicht in die Schicht 9 aus A1203 ein. Nach Abtrag der Schicht 9 aus A1203 sinken die Kurven 12 und 13 wieder auf den Ausgangswert ab, während die Konzentration der Siliziumatome wieder zunimmt und die Kurve 11 wieder ein Maximum 11b ausbildet. Die Konzentration der Arsenatome (Kurve 14) ver- bleibt auf einem niedrigen Wert, d.h. es hat keine Dotierung des Siliziumwafers 8 mit Arsenatomen stattgefunden.

Claims

Patentansprüche
1- Verfahren zum abschnittsweisen Bearbeiten einer Oberfläche, mit folgenden Schritten: - teilweise Abdecken der Oberfläche mit einer Metalloxidschicht, um die ersten Abschnitte der Oberfläche zu erhalten;
Einbringen eines Dotierungsmittels in die von der Metalloxidschicht nicht abgedeckten Flächen, so dass die Me- talloxidschicht bei der Dotierung als Diffusionssperre wirkt.
2. Verfahren nach Anspruch 1, wobei nach dem Einbringen eines Dotierungsmittels in die von der Metalloxidschicht nicht abgedeckte Oberfläche die aus dem Metalloxid gebildeten ersten Abschnitte selektiv entfernt werden.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, wobei die Oberfläche von einer Fläche eines HalbleiterSubstrats gebildet wird.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei das Dotiermittel aus der Gasphase in den Halbleiter eingebracht wird.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei das Dotiermittel Arsen enthält.
6. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das Metalloxid zumindest ein Metall umfasst, das ausgewählt ist aus der Gruppe, die gebildet ist aus AI, Zr, Hf, Y, Pr, Ta, W, Ru, Ti, La, Nd, Nb.
7. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das Metalloxid Aluminiumσxid ist.
8. Verfahren nach einem der Ansprüche 3 bis 7, wobei das Halbleitersubstrat im Wesentlichen aus Silizium aufgebaut ist.
9. Verfahren nach einem der Ansprüche 3 bis 8, wobei in das Halbleitersubstrat ein Graben eingebracht wird, der abschnittsweise bearbeitet wird.
10. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das Metalloxid mit einem ALD-Verfahren auf den Halbleiter aufgebracht wird.
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