EP1425762A2 - Elektrisches vielschichtbauelement - Google Patents

Elektrisches vielschichtbauelement

Info

Publication number
EP1425762A2
EP1425762A2 EP02754524A EP02754524A EP1425762A2 EP 1425762 A2 EP1425762 A2 EP 1425762A2 EP 02754524 A EP02754524 A EP 02754524A EP 02754524 A EP02754524 A EP 02754524A EP 1425762 A2 EP1425762 A2 EP 1425762A2
Authority
EP
European Patent Office
Prior art keywords
component according
resistor
resistance
base body
component
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
EP02754524A
Other languages
English (en)
French (fr)
Other versions
EP1425762B1 (de
Inventor
Robert Krumphals
Axel Pecina
Günther GREIER
Harald KÖPPEL
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TDK Electronics AG
Original Assignee
Epcos AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Epcos AG filed Critical Epcos AG
Publication of EP1425762A2 publication Critical patent/EP1425762A2/de
Application granted granted Critical
Publication of EP1425762B1 publication Critical patent/EP1425762B1/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01C—RESISTORS
    • H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
    • H01C7/18—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material comprising a plurality of layers stacked between terminals

Definitions

  • the invention relates to an electrical multilayer component which contains a base body with a stack of ceramic dielectric layers lying one above the other.
  • external contacts are arranged on the outside of the base body.
  • a resistor is arranged in the interior of the base body and is connected to the external contacts.
  • Multilayer components of the type mentioned at the outset are usually produced using what is known as multilayer technology.
  • This technology can be used, for example, to manufacture multilayer varistors or ceramic capacitors.
  • a resistor can be used, for example, to change properties such as the frequency response, the insertion loss or the profile of the terminal voltage in a positive manner when an electrical pulse is coupled into a varistor.
  • the known ceramic components also contain electrically conductive electrode layers and thus form a stack of overlying electrode layers separated from one another by dielectric layers. Such stacks can form capacitors or varistors, for example.
  • US Pat. No. 5,889,445 discloses multilayer components of the type mentioned at the outset, in which an external contact is arranged on each of the two end faces and on two longitudinal sides of the base body. These components are also known to the person skilled in the art under the name "feedthrough components".
  • feedthrough components In the known component resistors are integrated, which are printed in the form of a resistance paste between two ceramic layers along a rectangular path are integrated. They connect an external contact of the component with an electrode layer that belongs to a capacitor that is also integrated in the component. The resistance structure is on the same level as the internal electrodes required to build up a capacitance.
  • series connections of capacitors and resistors are integrated into a multilayer component.
  • the known resistor has the disadvantage that the material forming the resistor is printed on a dielectric layer along a wide path. This makes it difficult to realize large resistance values as would normally be desired. According to the prior art, the realization of large resistance values is made possible by using special resistance pastes. However, these special resistance pastes have the disadvantage that they cannot withstand the high sintering temperatures> 1000 ° C. which usually occur in the production of ceramic components. Accordingly, according to the prior art, the multilayer component is limited to ceramic materials that can be sintered using the so-called "LTCC sintering process". These are ceramic materials that can be sintered at low temperatures ⁇ 800 ° C. Naturally, the selection of ceramic materials is severely restricted in accordance with this requirement, which means a further disadvantage of the known multilayer component.
  • the aim of the present invention is therefore to provide a multilayer component which enables a high degree of flexibility in the integration of resistors in multilayer components.
  • the invention specifies an electrical multilayer component which comprises a base body which contains a stack of ceramic dielectric layers lying one above the other. At least two external contacts are arranged on the outside of the base body. A resistor, which is connected to two of the external contacts, is arranged in the interior of the base body between two dielectric layers. The resistor is in the form of a structured layer, which forms at least one multi-curved path as a current path between the external contacts.
  • the multilayer component according to the invention has the advantage that, due to the structuring of the layer forming the resistor, there is a larger selection of the resistance values to be realized and that relatively large resistance values can be achieved in particular.
  • the ratio of the length of the track to the width of the track is particularly important. The longer the track, the greater its resistance. Conversely, the resistance increases as the width of the web decreases. A large length / width ratio is therefore favorable for realizing a large resistance.
  • the space available between the two external contacts in particular in the case of small component sizes, can now be used optimally to form a large resistor.
  • a non-curved resistance path which runs only in a straight line between the two external contacts, would only allow very little resistance. It would be possible to lower the resistance by changing the web width, in particular by reducing the web width.
  • a path width which is too small would mean that the current carrying capacity of the resistor is also low, so that the resistance at one would melt according to the application of the multilayer component occurring pulse-like high current load or even with permanent direct current load.
  • the resistor is arranged in a plane of the multilayer component which is free of electrically conductive electrode layers. This means that the entire surface of one level of the multilayer component is available for the formation of the resistance. Together with the multi-curved path, an optimally large area can be made available for realizing a particularly high resistance.
  • the multilayer component according to the invention allows the dielectric layers to be sintered together with the resistor in a single step due to the structured layer for the resistor.
  • a monolithic body can be formed, as is customary for use in multilayer technology and which has the usual advantages.
  • the resistance between the external contacts runs in the form of a track whose length is at least ten times greater than its width.
  • the resistor can be formed from a closed resistance layer which is subsequently provided with cutouts.
  • the rectilinear current path between the external contacts can be interrupted and the current can be forced onto tracks that are curved several times. This allows a high resistance to be achieved.
  • the resistor can also be designed as a meandering path.
  • a meandering path with a large number of turns allows the realization of a very long current path along the longitudinal direction of the meander.
  • a large amount of resistance can be achieved by a large number of successive curvatures which are designed in opposite directions.
  • the resistance material can contain, for example, an alloy of silver and palladium, with palladium having a weight fraction of 15 to ⁇ 100% of the alloy. Pure palladium can also be used.
  • Such materials are known in multilayer technology in the production of multilayer components. So far, however, only electrode layers that require good conductivity have been made from these materials. These materials have the advantage that they can be sintered together with a large number of ceramic materials. Although they do not have a particularly high resistance, the resistance can be increased sufficiently by the structuring according to the invention.
  • the resistance material contains an alloy of silver and palladium, palladium having a weight fraction of between 50 and 70% of the alloy. Due to the high proportion of palladium, the resistance of palladium, which is poorer than that of silver, can increase the resistance by a factor of three.
  • the resistance can be increased in that the resistance is formed from a resistance material which has a surface resistance of at least 0.1 ohm in the structured layer.
  • the resistance of the resistance material can be increased, for example, by adding additives of up to 70% by volume to the resistance material in addition to an electrically conductive component.
  • additives can have a resistivity that is at least ten times greater than the resistivity of the conductive component. Care must be taken to ensure that the conductive components are not isolated in a matrix of insulating additives, since then there would be no conductivity at all.
  • Aluminum oxide (Al2O3) for example, can be considered as an additive.
  • the sheet resistance is the specific resistance of the material divided by the thickness of a layer to be considered in the form of a rectangle.
  • the resistance of the layer is then obtained by multiplying the surface resistance by the layer length and then dividing it by the layer width.
  • ceramic materials based on barium titanate come into consideration for the dielectric layers. With the help of such ceramic materials, for example, capacitors can be realized. Furthermore, it is possible to use a so-called "COG" ceramic for the dielectric layers. Such a material would be, for example, a (Sm, Ba) NdTiC> 3 ceramic. In addition to these class 1 dielectrics, so-called class 2 dielectrics, such as X7R ceramics, are also suitable.
  • Zinc oxide is particularly suitable for the production of a varistor, optionally with doping of praseodymium or bismuth oxide.
  • the multilayer component can be designed in such a way that two multilayer varistors lying next to one another are contained therein.
  • a 7r filter can be realized with such a component.
  • Such 7r filters are based on the fact that, in addition to their varistor properties, multilayer varistors naturally also have a not inconsiderable capacitance which is responsible for the damping behavior of such a filter.
  • Such a ⁇ r filter can be formed in the form of a component in which two stacks of electrode layers, one above the other and separated by dielectric layers, are arranged side by side in the base body.
  • the electrode layers of the first stack are alternately contacted with the first and the second external contact of a first pair of external contacts.
  • interdigitated electrode structures can be realized which, for example, targeting high capacities are required.
  • the electrode layers of the second stack are also contacted alternately with the first and the second external contact of a second pair of external contacts.
  • connection of the two multilayer components formed in this way by a resistor corresponding to a ⁇ filter, is realized in that external contacts belonging to different pairs and lying on opposite side surfaces of the base body are connected by a resistor.
  • the outer contacts of each pair lie opposite side faces of the base body.
  • two external contacts are thus arranged on two opposite side surfaces of the base body. This corresponds to the so-called "feedthrough" embodiment of components.
  • each of the stacks of electrode layers is part of a multilayer varistor. Due to the resistance connecting two external contacts, a ⁇ filter can be formed from the two varistors.
  • such a ⁇ r filter Due to the increased coupling resistance, such a ⁇ r filter has an improved damping behavior, whereby an entire frequency band that runs between the two damping frequencies defined by the capacitances of the varistors can be damped.
  • the component is formed symmetrically to a plane that runs parallel to a dielectric layer. This requires that a resistor is arranged, for example, above and below the stack. These resistors would then have to be connected in parallel.
  • a symmetrical embodiment of the component has the advantage that it is in the assembly of the component elements on a circuit board, in particular in the case of high-frequency applications, no longer depends on whether the layer stack of the component rests on the circuit board with the underside or with the top side.
  • the component according to the invention can be produced particularly advantageously by sintering a stack of ceramic green foils lying one above the other. This creates a monolithic, compact component that can be manufactured very quickly and easily in large quantities.
  • the component according to the invention can in particular be designed in a miniaturized form, the base area of the base body being less than 2.5 mm 2 .
  • a base area could be realized, for example, by a design of the base body in which the length is 1.25 mm and the width is 1.0 mm. This design is also known under the name "0405".
  • FIG. 1 shows the section D-D from FIG. 2.
  • FIG. 2 shows a longitudinal section through a component according to the invention.
  • FIG. 3 shows the section E-E from FIG. 2.
  • FIG. 4 shows a top view of the component from FIG. 2.
  • FIG. 5 shows a side view of the component from FIG. 2.
  • FIG. 6 shows an equivalent circuit diagram for the component from FIG. 2.
  • FIG. 7 shows a further possible embodiment for the resistor shown in FIG. 1.
  • FIG. 8 shows a further possible embodiment for the resistor shown in FIGS. 1 and 7.
  • FIG. 9 schematically shows the damping behavior of a component according to FIG. 2.
  • FIG. 2 shows a multilayer component according to the invention in a schematic longitudinal section. It comprises a base body 1 which contains dielectric layers 2 lying one above the other in the form of a stack. The dielectric layers 2 contain a ceramic material. They are indicated in Figure 2 by the dotted lines.
  • the base body 1 also contains stacks 7, 8 of electrode layers 9 lying one above the other. These stacks 7, 8 each form a varistor VDR1, VDR2.
  • a resistor 41, 42 is arranged above and below the varistors VDR1, VDR2.
  • the resistors 41, 42 are formed from a structured layer 5, the shape of which can be seen in particular from FIG. 1. In Figure 2, only individual sections of a meander in cross section can be seen.
  • the component 2 is formed symmetrically to a plane 14 that runs parallel to the dielectric layers 2. Due to the symmetry, the component has particular advantages for applications in the high-frequency range, where the orientation of the components on the printed circuit board is important. A symmetrical design of the component means that no attention needs to be paid to the position of the component with respect to the plane of symmetry.
  • FIG. 1 shows the section DD of the component in FIG. 2.
  • FIG. 1 shows the shape of the resistor 41. It has the shape of a meander.
  • the meander is formed by a path that has the width b. In the example shown in FIG. 1, the width b is 50 ⁇ m.
  • the length of the meander shown in Figure 1 is approximately 4000 microns. The length is determined by adding the lengths of the individual rectangles from which the meander can be thought of. Accordingly, the embodiment of the invention according to FIG. 1 has a ratio L / B of 80 with respect to resistance. This makes it possible to produce large resistances.
  • the resistance shown in Figure 1 is approximately 3 ohms.
  • the resistance shown in FIG. 1 is formed from a material which contains a silver-palladium alloy, wherein palladium has a weight fraction of 30% in the alloy.
  • the starting material of the resistor also contains an organic substance and a solvent. These last-mentioned additives are only contained in the resistance material in order to be able to apply the resistance in the form of a screen printing paste to a ceramic layer using a screen printing process. These components are removed by burning out during the sintering. These are organic components.
  • FIG. 1 also shows that the resistor 41 connects two external contacts 3 of the component to one another.
  • FIG. 1 also shows that in the plane shown in FIG. 1, apart from the resistor 41, there are no electrode layers which belong to a capacitor or to a varistor. Accordingly, the entire area shown in FIG. 1 is available for filling with the meander forming a resistance.
  • FIG. 3 shows the section EE of the component from FIG. 2.
  • an electrode layer 9 is shown on the left side. Nes stack 7 of electrode layers 9 and on the right side an electrode layer 9 of a stack 8 of electrode layers 9 can be seen.
  • Several similar electrode layers 9 of this type are stacked one above the other in the component. Because of the varistor material arranged between the electrode layers 9, they each form a varistor VDR1, VDR2, which, however, also has a high capacitive component due to the large-area electrode layers 9 which face each other.
  • VDR1, VDR2 which, however, also has a high capacitive component due to the large-area electrode layers 9 which face each other.
  • a pair of external contacts 10, 11 and 12, 13, respectively, is assigned to each stack 7, 8 of electrode layers 9.
  • the electrode layers 9 are contacted alternately with the external contacts 10, 11 and 12, 13, respectively.
  • the varistors formed by the stacks 7, 8 are coupled in terms of circuitry by the resistor 41 or 42, as can be seen from FIG. 1 or FIG. 2.
  • Figures 4 and 5 show the position of the external contacts 3. They are arranged on two opposite side surfaces of the base body 1.
  • the top view of FIG. 4 shows that the external contacts 3 also encompass the upper side or correspondingly the lower side of the base body 1.
  • the component can be electrically conductively connected to a printed circuit board on the upper side or on the lower side by means of a surface mounting technique.
  • FIG. 6 shows an equivalent circuit diagram of the component according to the invention shown in FIGS. 1 to 3. It can be seen that the two varistors VDR1, VDR2 are coupled to one another by a circuit resistance R to form a 7r filter.
  • the circuit resistance R results from a parallel connection of the two resistors 41, 42 from FIG. 2. This results from the fact that the resistor the state 42 in FIG. 2 looks exactly like the resistor 41 corresponding to FIG. 1.
  • the external contacts 3 of the component are also identified in detail with reference numerals, so that the physical external contacts of the component can be assigned in terms of circuitry.
  • FIGS. 7 and 8 show further embodiments for a resistor 4 which could be used instead of the resistor 41 shown in FIG. 1.
  • FIG. 7 shows a further meander structure for the resistor 4.
  • the layer 5 forming the resistor 4 is structured in the form of a meander.
  • the meander is formed by a path with the width b, which can correspond to the width b from FIG. 1.
  • the meander in FIG. 7 does not run in the longitudinal direction of the base body 1, but in the transverse direction.
  • FIG. 8 shows a resistor 4, which is formed from a rectangular, closed layer 5 by arranging recesses 6 in the layer 5.
  • These recesses 6 can be circular, but they can also have other shapes, such as rectangles .
  • the resistance of the originally rectangular layer 5 can be significantly increased by uniformly distributing a large number of cutouts 6.
  • the effect of the recesses 6 is a multiplicity of multiply curved current paths between the external contacts 3, which have a high resistance.
  • FIG. 9 shows the insertion loss of the component shown in FIG. 2 or in FIG. 6.
  • the insertion loss S is plotted in dB over frequency f [MHz].
  • Resonance frequencies f j _, f 2 are formed by the two capacitors C1, C2 contained in the varistors VDR1, VDR2.
  • the component exhibits increased damping at the points of the resonance frequencies f ⁇ , f2.
  • the component also has between the resonance frequencies f] _, f 2 due to the ⁇ circuit realizing resistance R a very good attenuation, which is better than -20 dB in the frequency interval between 740 MHz and 2.7 GHz.
  • the component is suitable for suppressing a frequency band which lies between the resonance frequencies f ⁇ (belongs to Cl) and the resonance frequency f2 (belongs to C2).
  • the resistance R is 1.8 ⁇ in the exemplary embodiment shown in the figures.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Thermistors And Varistors (AREA)
  • Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
  • Details Of Resistors (AREA)
  • Coils Or Transformers For Communication (AREA)
  • Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)

Abstract

Die Erfindung betrifft ein elektrisches Vielschichtbauelement mit einem Grundkörper (1), der einen Stapel von übereinanderliegenden keramischen Dielektrikumschichten (2) enthält, mit zwei aussen am Grundkörper (1) angeordneten Aussenkontakten (3), mit einem im Innern des Grundkörpers (1) zwischen zwei Dielektrikumschichten (3) angeordneten Widerstand (4, 41, 42), der mit den Aussenkontakten (3) verbunden ist und der die Form einer strukturierten Schicht (5) aufweist, welche wenigstens eine mehrfach gekrümmte Bahn zwischen den Aussenkontakten (3) bildet. Die Dielektrikumschichten (2) und die Widerstände (4, 41, 42) sind in einem einzigen Sinterschritt miteinander verbunden. Durch die mehrfach gekrümmte Bahn der Schicht (5) können besonders hohe Widerstandswerte erzielt werden.

Description

Beschreibung
Elektrisches VielSchichtbauelement
Die Erfindung betrifft ein elektrisches Vielschichtbauele- ent, was einen Grundkörper mit einem Stapel von übereinan- derliegenden keramischen Dielektrikumschichten enthält. Darüber hinaus sind außen am Grundkörper Außenkontakte angeordnet . Im Innern des Grundkörpers ist ein Widerstand angeord- net, der mit den Außenkontakten verbunden ist.
Vielschichtbauelemente der eingangs genannten Art werden üblicherweise in der sogenannten Multilayer-Technologie hergestellt. Mit Hilfe dieser Technologie lassen sich beispiels- weise Vielschichtvaristoren oder auch keramische Kondensatoren herstellen. Um diesen Bauelementen hinsichtlich ihrer Anwendung spezifische Eigenschaften zu verleihen, ist oftmals die Integration eines Widerstandes notwendig. Mittels eines solchen Widerstandes können beispielsweise Eigenschaften, wie das Frequenzverhalten, die Einfügedämpfung oder auch der Verlauf der Klemmenspannung bei einem in einen Varistor eingekoppelten elektrischen Puls in positiver Weise verändert werden. Die bekannten keramischen Bauelemente enthalten zusätzlich zu den Dielektrikumschichten noch elektrisch leitende Elektrodenschichten und bilden so einen Stapel von durch Dielektrikumschichten voneinander getrennten übereinanderliegen- den Elektrodenschichten. Solche Stapel können beispielsweise Kondensatoren oder auch Varistoren bilden.
Aus der Druckschrift US 5,889,445 sind Vielschichtbauelemente der eingangs genannten Art bekannt, bei denen an den beiden Stirnseiten und an zwei Längsseiten des Grundkörpers jeweils ein Außenkontakt angeordnet ist. Diese Bauelemente sind dem Fachmann auch bekannt unter dem Namen "Feedthrough-Bauelemen- te" . Bei dem bekannten Bauelement sind Widerstände integriert, die in Form einer entlang einer rechteckförmigen Bahn aufgedruckten Widerstandspaste zwischen zwei Keramikschichten integriert sind. Sie verbinden einen Außenkontakt des Bauelements mit einer Elektrodenschicht, die zu einem im Bauelement ebenfalls integrierten Kondensator gehört. Die Widerstandsstruktur befindet sich in derselben Ebene wie die zum Aufbau einer Kapazität benötigten Innenelektroden. Dadurch werden gemäß dem Stand der Technik Reihenschaltungen von Kondensatoren und Widerständen in ein Vielschichtbauelement integriert.
Der bekannte Widerstand hat den Nachteil, daß das den Wider- stand bildende Material entlang einer breiten Bahn auf eine Dielektrikumschicht aufgedruckt ist. Dadurch ist es schwierig, große Widerstandswerte, wie sie normalerweise gewünscht werden, zu realisieren. Die Realisierung großer Widerstandswerte wird gemäß dem Stand der Technik dadurch ermöglicht, daß spezielle Widerstandspasten zur Anwendung gelangen. Diese speziellen Widerstandspasten haben jedoch den Nachteil, daß sie die üblicherweise bei der Herstellung von keramischen Bauelementen auftretenden hohen Sintertemperaturen > 1000°C nicht aushalten. Demnach ist gemäß dem Stand der Technik das Vielschichtbauelement eingeschränkt auf Keramikmaterialien, die mittels des sogenannten "LTCC-Sinterprozesses" gesintert werden können. Dabei handelt es sich um Keramikmaterialien, die bei niedrigen Temperaturen < 800 °C gesintert werden können. Naturgemäß ist entsprechend dieser Anforderung die Aus- wähl an Keramikmaterialien stark eingeschränkt, was einen weiteren Nachteil des bekannten Vielschichtbauelements bedeutet.
Ziel der vorliegenden Erfindung ist es daher, ein Viel- schichtbauelement anzugeben, das eine hohe Flexibilität bei der Integration von Widerständen in Vielschichtbauelemente ermöglicht .
Dieses Ziel wird erfindungsgemäß durch ein elektrisches Viel- schichtbauelement nach Patentanspruch 1 erreicht. Weitere Ausgestaltungen der Erfindung sind den abhängigen Patentansprüchen zu entnehmen. Die Erfindung gibt ein elektrisches Vielschichtbauelement an, das einen Grundkörper umfaßt, welcher einen Stapel von über- einanderliegenden keramischen Dielektrikumschichten enthält. Außen am Grundkörper sind wenigstens zwei Außenkontakte angeordnet. Im Innern des Grundkörpers ist zwischen zwei Dielektrikumschichten ein Widerstand angeordnet, der mit zwei der Außenkontakte verbunden ist. Der Widerstand hat die Form einer strukturierten Schicht, welche wenigstens eine mehrfach gekrümmte Bahn als Strompfad zwischen den Außenkontakten bildet.
Das erfindungsgemäße Vielschichtbauelement hat den Vorteil, daß aufgrund der Strukturierung der den Widerstand bildenden Schicht eine größere Auswahl bei den zu realisierenden Widerstandswerten besteht und daß insbesondere relativ große Widerstandswerte erzielt werden können.
Bei in Form von gedruckten Bahnen entsprechend der Leiterbah- nen-Technologie hergestellten Widerständen kommt es insbesondere auf das Verhältnis von Länge der Bahn zu Breite der Bahn an. Je länger die Bahn ist, desto größer ist auch ihr Widerstand. Umgekehrt gilt, daß mit sinkender Breite der Bahn der Widerstand ansteigt. Ein großes Verhältnis Länge/Breite ist also günstig für die Realisierung eines großen Widerstands. Durch die Ausführung des Widerstands in Form einer strukturierten Schicht kann nun der - insbesondere bei kleinen Bauelement-Größen - zwischen den beiden Außenkontakten nur begrenzt zur Verfügung stehende Platz optimal zur Bildung eines großen Widerstands benutzt werden. Demgegenüber würde eine nicht gekrümmte, lediglich geradlinig zwischen den beiden Außenkontakten verlaufende Widerstandsbahn nur einen sehr kleinen Widerstand erlauben. Zwar wäre es möglich, durch Verändern der Bahnbreite, insbesondere durch Verringerung der Bahnbreite, den Widerstand abzusenken. Jedoch würde eine zu geringe Bahnbreite bedeuten, daß auch die Stromtragfähigkeit des Widerstands gering ist, so daß der Widerstand bei einer entsprechend der Anwendung des Vielschichtbauelements auftretenden pulsartigen Hochstrombelastung oder auch bei dauerhafter Gleichstrombelastung durchschmelzen würde.
In einer weiteren vorteilhaften Ausführungsform der Erfindung ist der Widerstand in einer Ebene des Vielschichtbauelements angeordnet, die frei von elektrisch leitenden Elektrodenschichten ist. Dies bedeutet, daß die gesamte Fläche einer Ebene des Vielschichtbauelements für die Ausbildung des Wi- derstands zur Verfügung steht. Zusammen mit der mehrfach gekrümmten Bahn kann somit eine optimal große Fläche für die Realisierung eines besonders hohen Widerstands zur Verfügung gestellt werden.
Das erfindungsgemäße Vielschichtbauelement erlaubt aufgrund der strukturierten Schicht für den Widerstand das Gemeinsamsintern der Dielektrikumschichten mit dem Widerstand in einem einzigen Schritt. Dadurch kann ein monolithischer Körper gebildet werden, wie er für die Verwendung in der Multilayer- Technologie üblich ist und welcher die üblichen Vorteile aufweist .
In Bezug auf die Erzielung besonders großer Widerstände ist es desweiteren vorteilhaft, wenn der Widerstand zwischen den Außenkontakten in Form einer Bahn verläuft, deren Länge mindestens zehnmal größer ist als deren Breite.
Der Widerstand kann in einer Ausführungsform der Erfindung aus einer geschlossenen Widerstandsschicht gebildet sein, die nachträglich mit Aussparungen versehen ist. Dadurch kann der geradlinige Strompfad zwischen den Außenkontakten unterbrochen werden und der Strom auf mehrmals gekrümmte Bahnen gezwungen werden. Dadurch läßt sich ein hoher Widerstand erzielen.
In einer weiteren Ausführungsform der Erfindung kann der Widerstand auch als mäanderförmige Bahn ausgeführt sein. Eine mäanderförmige Bahn mit einer Vielzahl von Windungen erlaubt die Realisierung eines sehr langen Strompfads entlang der Längsrichtung des Mäanders . Insbesondere kann durch eine Vielzahl von aufeinanderfolgenden, in entgegengesetzte Rich- tungen ausgeführte Krümmungen ein großer Widerstand realisiert werden.
Das Widerstandsmaterial kann beispielsweise eine Legierung aus Silber und Palladium enthalten, wobei Palladium einen Ge- wichtsanteil von 15 bis zu < 100 % an der Legierung aufweist. Es kann auch reines Palladium verwendet werden. Solche Materialien sind in der Multilayer-Technologie bei der Herstellung von Vielschichtbauelementen bekannt. Bislang wurden aus diesen Materialien jedoch lediglich Elektrodenschichten her- gestellt, bei denen es auf eine gute Leitfähigkeit ankommt. Diese Materialien haben den Vorteil, daß sie mit einer Vielzahl von Keramikmaterialien gemeinsam sinterbar sind. Sie weisen zwar keinen ausgesprochen hohen Widerstand auf, durch die erfindungsgemäße Strukturierung kann jedoch der Wider- stand hinreichend erhöht werden.
Besonders vorteilhaft ist es, wenn das Widerstandsmaterial eine Legierung aus Silber und Palladium enthält, wobei Palladium einen Gewichtsanteil zwischen 50 und 70 % an der Legie- rung aufweist. Durch den hohen Palladiumanteil kann aufgrund der gegenüber Silber schlechteren Leitfähigkeit von Palladium der Widerstand etwa um den Faktor drei erhöht werden.
Desweiteren kann der Widerstand dadurch erhöht werden, daß der Widerstand aus einem Widerstandsmaterial gebildet ist, das in der strukturierten Schicht einen Flächenwiderstand von mindestens 0,1 Ohm aufweist.
Der Widerstand des Widerstandsmaterials kann zum Beispiel er- höht werden, indem das Widerstandsmaterial neben einer elektrisch leitenden Komponente noch Zusatzstoffe in einem Anteil von bis zu 70 Vol.-% beigefügt werden. Solche Zusatzstoffe können einen spezifischen Widerstand haben, der wenigstens zehnmal größer ist als der spezifische Widerstand der leitenden Komponente. Dabei ist darauf zu achten, daß die leitenden Bestandteile nicht isoliert in einer Matrix von isolierenden Zusatzstoffen liegen, da dann überhaupt keine Leitfähigkeit mehr vorhanden wäre .
Als Zusatzstoff kommt beispielsweise Aluminiumoxid (AI2O3) in Betracht.
Eine Legierung von Silber und Palladium mit einem Gewichtsverhältnis Ag/Pd = 70/30 weist für eine Schicht der Dicke 2 μm einen Flächenwiderstand von 0,04 Ω auf. Der Flächenwiderstand ist dabei der spezifische Widerstand des Material divi- diert durch die Dicke einer zu betrachtenden Schicht in Form eines Rechtecks. Der Widerstand der Schicht ergibt sich dann durch Multiplikation des Flächenwiderstands mit der Schicht - länge und anschließende Division durch die Schichtbreite. Durch das Herstellen eines Widerstandsmaterials, das 70 Vol . - % AI2O3 und 30 Vol.-% der genannten Legierung enthält, kann der Flächenwiderstand von 0,04 auf 0,12 Ω erhöht werden.
Bei der Verwendung eines geeigneten Widerstandsmaterials, ist es möglich, für das Keramikmaterial der Dielektrikumschichten Materialien zu verwenden, deren Sintertemperatur zwischen 950 und 1200°C liegt. Dies hat den Vorteil, daß für das erfindungsgemäße Vielschichtbauelement eine Vielzahl von Keramikmaterialien zur Verfügung steht, wodurch es ermöglicht wird, Bauelemente mit optimalen keramischen Eigenschaften herzu- stellen.
Beispielsweise kommen für die Dielektrikumschichten Keramikmaterialien auf der Basis von Bariumtitanat in Betracht. Mit Hilfe solcher Keramikmaterialien können beispielsweise Kon- densatoren realisiert werden. Desweiteren kommt es in Betracht, für die Dielektrikumschichten eine sogenannte "COG" -Keramik zu verwenden. Ein solches Material wäre beispielsweise eine (Sm, Ba) NdTiC>3 -Keramik. Neben diesen Klasse 1 Dielektrika kommen auch sog. Klasse 2 Dielektrika, wie z.B. X7R-Keramiken in Betracht.
Für die Herstellung eines Varistors ist insbesondere Zinkoxid geeignet, gegebenenfalls mit Dotierungen von Praseodym oder Wismutoxid.
Es besteht desweiteren der Bedarf, die genannten keramischen Bauelemente mit sehr kleinen äußeren Abmessungen herzustellen. Dies erschwert die Realisierung großer Widerstände zusätzlich, da nur sehr kurze geradlinige Widerstandsbahnen da- durch ermöglicht werden. Durch die erfindungsgemäßen Struktur des Widerstands können jedoch hinreichend hohe Werte erzielt werden .
In einer speziellen Ausführungsform der Erfindung kann das Vielschichtbauelement so gestaltet sein, daß zwei nebeneinanderliegende Vielschichtvaristoren darin enthalten sind. Durch geeignete Anordnung eines oder mehrerer Widerstände kann durch ein solches Bauelement ein 7r-Filter realisiert werden. Solche 7r-Filter beruhen darauf, daß Vielschichtvaristoren na- turgemäß neben ihrer Varistoreigenschaft auch noch eine nicht unerhebliche Kapazität aufweisen, die für das Dämpfungsverhalten eines solchen Filters verantwortlich ist.
Eines solches τr-Filter kann gebildet sein in Form eines Bau- elements, bei dem im Grundkörper nebeneinander zwei Stapel von jeweils übereinanderliegenden durch Dielektrikumschichten voneinander getrennten Elektrodenschichten angeordnet sind. Die Elektrodenschichten des ersten Stapels sind abwechselnd mit dem ersten und dem zweiten Außenkontakt eines ersten Paa- res von Außenkontakten kontaktiert. Durch diese abwechselnde Kontaktierung können kammartig ineinandergreifende Elektrodenstrukturen realisiert werden, die beispielsweise zur Er- zielung von hohen Kapazitäten erforderlich sind. Entsprechend dem ersten Stapel sind auch die Elektrodenschichten des zweiten Stapels abwechselnd mit dem ersten und dem zweiten Außenkontakt eines zweiten Paares von Außenkontakten kontaktiert.
Die einem π-Filter entsprechende Verbindung der beiden so gebildeten Vielschichtbauelemente durch einen Widerstand wird dadurch realisiert, daß zu verschiedenen Paaren gehörende und auf einander gegenüberliegenden Seitenflächen des Grundkör- pers liegende Außenkontakte durch einen Widerstand verbunden sind. Die Außenkontakte eines jeden Paares liegen dabei aufeinander gegenüberliegenden Seitenflächen des Grundkörpers. Insgesamt sind also auf zwei gegenüberliegenden Seitenflächen des Grundkörpers jeweils zwei Außenkontakte angeordnet. Dies entspricht der sogenannten "Feedthrough" -Ausführungsform von Bauelementen .
Indem die Dielektrikumschichten wenigstens teilweise eine Varistorkeramik enthalten, kann dafür gesorgt werden, daß jeder der Stapel von Elektrodenschichten Teil eines Vielschichtva- ristors ist. Durch den zwei Außenkontakte verbindenden Widerstand kann aus den beiden Varistoren ein π-Filter gebildet werden .
Ein solches τr-Filter weist aufgrund des erhöhten Kopplungswiderstands ein verbessertes Dämpfungsverhalten auf, wobei ein ganzes Frequenzband, das zwischen den beiden durch die Kapazitäten der Varistoren definierten Dämpfungsfrequenzen verläuft, bedämpft werden kann.
Desweiteren ist es vorteilhaft, wenn das Bauelement symmetrisch zu einer Ebene ausgebildet ist, die parallel zu einer Dielektrikumschicht verläuft. Dafür ist es erforderlich, daß beispielsweise oberhalb und unterhalb der Stapel jeweils ein Widerstand angeordnet ist. Diese Widerstände wären dann parallel zu schalten. Eine symmetrische Ausführungsform des Bauelements hat den Vorteil, daß es bei der Montage des Bauele- ments auf einer Leiterplatte insbesondere im Fall von Hochfrequenzanwendungen nicht mehr darauf ankommt, ob der Schichtstapel des Bauelements mit der Unterseite oder mit der Oberseite auf der Leiterplatte aufliegt.
Das erfindungsgemäße Bauelement kann besonders vorteilhaft durch Sintern eines Stapels von übereinanderliegenden keramischen Grünfolien hergestellt sein. Dadurch entsteht ein monolithisches, kompaktes Bauelement, das sehr schnell und ein- fach in großen Stückzahlen hergestellt werden kann.
Das erfindungsgemäße Bauelement kann insbesondere in einer miniaturisierten Form ausgeführt sein, wobei die Grundfläche des Grundkörpers weniger als 2,5 mm2 beträgt. Eine solche Grundfläche ließe sich beispielsweise durch eine Bauform des Grundkörpers realisieren, bei der die Länge 1,25 mm und die Breite 1,0 mm beträgt. Diese Bauform ist auch unter dem Namen "0405" bekannt.
Im folgenden wird die Erfindung anhand von Ausführungsbeispielen und den dazugehörigen Figuren näher erläutert :
Figur 1 zeigt den Schnitt D-D aus Figur 2.
Figur 2 zeigt einen Längsschnitt durch ein erfindungsgemäßes Bauelement .
Figur 3 zeigt den Schnitt E-E aus Figur 2.
Figur 4 zeigt eine Draufsicht des Bauelements aus Figur 2.
Figur 5 zeigt eine Seitenansicht des Bauelements aus Figur 2.
Figur 6 zeigt ein Ersatzschaltbild für das Bauelement aus Figur 2. Figur 7 zeigt eine weitere mögliche Ausführungsform für den in Figur 1 dargestellten Widerstand.
Figur 8 zeigt eine weitere mögliche Ausführungsform für den in den Figuren 1 und 7 dargestellten Widerstand.
Figur 9 zeigt schematisch das Dämpfungsverhalten eines Bauelements gemäß Figur 2.
Für alle Figuren gilt, daß gleiche Bezugszeichen auch gleiche Elemente bezeichnen.
Figur 2 zeigt ein erfindungsgemäßes Vielschichtbauelement im schematischen Längsschnitt. Es umfaßt einen Grundkörper 1, der übereinanderliegende Dielektrikumschichten 2 in Form eines Stapels enthält. Die Dielektrikumschichten 2 enthalten ein Keramikmaterial. Sie sind in Figur 2 durch die gepunkteten Linien angedeutet. In dem Grundkörper 1 sind darüber hinaus Stapel 7, 8 von übereinanderliegenden Elektrodenschichten 9 enthalten. Diese Stapel 7, 8 bilden jeweils einen Varistor VDR1, VDR2. Oberhalb und unterhalb der Varistoren VDR1 , VDR2 ist jeweils ein Widerstand 41, 42 angeordnet. Die Widerstände 41, 42 sind aus einer strukturierten Schicht 5 gebildet, deren Form insbesondere aus Figur 1 hervorgeht. In Figur 2 sind lediglich einzelne Streckenabschnitte eines Mäanders im Querschnitt erkennbar. Das in Figur 2 gezeigte Bauelement ist symmetrisch zu einer Ebene 14 ausgebildet, die parallel zu den Dielektrikumschichten 2 verläuft. Durch die Symmetrie hat das Bauelement insbesondere Vorteile für Anwendungen im Hoch- frequenz-Bereich, wo es auf die Orientierung der Bauelemente auf der Leiterplatte ankommt . Eine symmetrische Ausführung des Bauelements bedeutet, daß auf die Lage des Bauelements bezüglich der Symmetrieebene nicht geachtet werden muß.
Figur 1 zeigt den Schnitt D-D des Bauelements in Figur 2. In Figur 1 ist gezeigt, welche Form der Widerstand 41 aufweist . Er weist die Form eines Mäanders auf . Der Mäander wird geformt durch eine Bahn, die die Breite b aufweist. In dem in Figur 1 gezeigten Beispiel beträgt die Breite b 50 μm. Die Länge des in Figur 1 gezeigten Mäanders beträgt zirka 4000 μm. Die Länge wird dabei bestimmt durch Addition der Längen der einzelnen Rechtecke, aus denen der Mäander zusammengesetzt gedacht sein kann. Demnach weist die Ausführungsform der Erfindung gemäß Figur 1 bezüglich des Widerstands ein Verhältnis L/B von 80 auf. Dadurch lassen sich große Widerstände herstellen. Der in Figur 1 gezeigte Widerstand beträgt ca. 3 Ohm. Die in Figur 1 gezeigte Bahn ist in Form einer strukturierten Schicht 5 aufgetragen, wobei die Schichtdicke ca. 2 μ beträgt. Der in Figur 1 gezeigte Widerstand ist ge- bildet aus einem Material, das eine Silber-Palladium- Legierung enthält, wobei Palladium einen Gewichtsanteil von 30 % an der Legierung hat. Zudem enthält das Ausgangsmaterial des Widerstands noch eine organische Substanz und ein Lösungsmittel. Diese letztgenannten Zusätze sind lediglich in dem Widerstandsmaterial enthalten, um den Widerstand in Form einer Siebdruckpaste mit Hilfe eines Siebdruckverfahrens auf eine Keramikschicht aufbringen zu können. Diese Bestandteile werden während des Sinterns durch Ausbrennen entfernt. Es handelt sich dabei um organische Bestandteile.
Figur 1 ist noch zu entnehmen, daß der Widerstand 41 zwei Außenkontakte 3 des Bauelements miteinander verbindet.
Figur 1 ist weiterhin zu entnehmen, daß in der in Figur 1 ge- zeigten Ebene neben dem Widerstand 41 keine Elektrodenschichten, die zu einem Kondensator oder zu einem Varistor gehören, enthalten sind. Demnach steht die gesamte in Figur 1 gezeigte Fläche zur Ausfüllung mit dem einen Widerstand bildenden Mäander zur Verfügung .
Figur 3 zeigt den Schnitt E-E des Bauelements aus Figur 2. In Figur 3 ist auf der linken Seite eine Elektrodenschicht 9 ei- nes Stapels 7 von Elektrodenschichten 9 und auf der rechten Seite eine Elektrodenschicht 9 eines Stapels 8 von Elektrodenschichten 9 zu sehen. Mehrere gleichartige solche Elektrodenschichten 9 sind in dem Bauelement übereinandergestapelt . Sie bilden aufgrund des zwischen den Elektrodenschichten 9 angeordneten Varistormaterials jeweils einen Varistor VDR1, VDR2 , der jedoch aufgrund der großflächigen einander gegenüberstehenden Elektrodenschichten 9 auch einen hohen kapazitiven Anteil aufweist. Aus einer Zusammenschau von Figur 1 und Figur 3 ist ersichtlich, daß das erfindungsgemäße Bauelement gemäß dem speziellen Ausführungsbeispiel als Feedthrough-Bauelement ausgeführt ist. Jedem Stapel 7, 8 von Elektrodenschichten 9 ist ein Paar von Außenkontakten 10, 11 beziehungsweise 12, 13 zugeordnet. Innerhalb eines Stapels 7, 8 von Elektrodenschichten 9 erfolgt die Kontaktierung der Elektrodenschichten 9 mit den Außenkontakten 10, 11 beziehungsweise 12, 13 abwechselnd. Eine schaltungstechnische Kopplung der durch die Stapel 7, 8 gebildeten Varistoren erfolgt durch den Widerstand 41 beziehungsweise 42, wie aus Fi- gur 1 beziehungsweise Figur 2 ersichtlich.
Den Figuren 4 und 5 ist die Lage der Außenkontakte 3 zu entnehmen. Sie sind an zwei gegenüberliegenden Seitenflächen des Grundkörpers 1 angeordnet. Die Draufsicht von Figur 4 zeigt, daß die Außenkontakte 3 auch auf die Oberseite beziehungsweise entsprechend auf die Unterseite des Grundkörpers 1 umgreifen. Dadurch kann das Bauelement auf der Oberseite oder auf der Unterseite durch eine Oberflächenmontagetechnik mit einer Leiterplatte elektrisch leitend verbunden werden.
Figur 6 zeigt ein Ersatzschaltbild des in den Figuren 1 bis 3 gezeigten erfindungsgemäßen Bauelements. Dabei ist ersichtlich, daß die beiden Varistoren VDR1, VDR2 durch einen schaltungstechnischen Widerstand R miteinander zu einem 7r-Filter verkoppelt sind. Der schaltungstechnische Widerstand R ergibt sich dabei durch eine Parallelschaltung der beiden Widerstände 41, 42 aus Figur 2. Dies ergibt sich daraus, daß der Wi- derstand 42 in Figur 2 genauso aussieht, wie der Widerstand 41 entsprechend Figur 1. In Figur 6 sind noch die Außenkontakte 3 des Bauelements im einzelnen mit Bezugszeichen bezeichnet, so daß die schaltungstechnische Zuordnung der phy- sikalischen Außenkontakte des Bauelements erfolgen kann.
Die Figuren 7 und 8 zeigen weitere Ausführungsformen für einen Widerstand 4, wie er anstelle des in Figur 1 gezeigten Widerstandes 41 zum Einsatz kommen könnte. Demnach zeigt Fi- gur 7 eine weitere Mäanderstruktur für den Widerstand 4. Dabei ist die den Widerstand 4 bildende Schicht 5 in der Form eines Mäanders strukturiert. Der Mäander wird gebildet durch eine Bahn mit der Breite b, die der Breite b aus Figur 1 entsprechen kann. Im Unterschied zu Figur 1 verläuft der Mäander in Figur 7 nicht in Längsrichtung des Grundkörpers 1, sondern in Querrichtung.
In Figur 8 ist ein Widerstand 4 gezeigt, der aus einer recht- eckförmigen geschlossenen Schicht 5 gebildet ist durch Anord- nen von Ausnehmungen 6 in der Schicht 5. Diese Ausnehmungen 6 können kreisförmig sein, sie können jedoch auch andere Formen, wie beispielsweise Rechtecke aufweisen. Durch eine gleichmäßige Verteilung einer Vielzahl von Aussparungen 6 kann der Widerstand der ursprünglich rechteckförmigen Schicht 5 deutlich erhöht werden. Als Effekt der Aussparungen 6 ergibt sich eine Vielzahl von mehrfach gekrümmten Strompfaden zwischen den Außenkontakten 3, die einen hohen Widerstand aufweisen.
Figur 9 zeigt die Einfügedämpfung des in Figur 2 beziehungsweise in Figur 6 dargestellten Bauelements. Die Einfügedämpfung S ist in der Einheit dB über der Frequenz f [MHz] aufgetragen. Durch die beiden in den Varistoren VDR1 , VDR2 enthaltenen Kapazitäten Cl, C2 werden Resonanzfrequenzen fj_, f2 ge- bildet. An den Stellen der Resonanzfrequenzen f^, f2 zeigt das Bauelement eine erhöhte Dämpfung. Auch zwischen den Resonanzfrequenzen f]_, f2 weist das Bauelement aufgrund des die π-Schaltung realisierenden Widerstands R eine sehr gute Dämpfung auf, die im Frequenzintervall zwischen 740 MHz und 2,7 GHz besser als -20 dB ist. Dadurch ist das Bauelement zum Entstören eines Frequenzbandes geeignet, welches zwischen den Resonanzfrequenzen f^ (gehört zu Cl) und der Resonanzfrequenz f2 (gehört zu C2) liegt. Die Resonanzfrequenzen f]_ und f2 werden definiert durch die Kapazitäten Cl und C2 der Varistoren VDR1 und VDR2, welche durch Umrechnung der Frequenzen zu Cl = 40 pF und C2 = 20 pF bestimmt werden können. Der Wider- stand R beträgt bei dem in den Figuren gezeigten Ausfuhrungs- beispiel 1,8 Ω.

Claims

Patentansprüche
1. Elektrisches Vielschichtbauelement
- mit einem Grundkörper (1) , der einen Stapel von übereinan- derliegenden keramischen Dielektrikumschichten (2) enthält,
- mit zwei außen am Grundkörper (1) angeordneten Außenkontakten (3) ,
- mit einem im Innern des Grundkörpers (1) zwischen zwei Dielektrikumschichten (3) angeordneten Widerstand (4, 41, 42), - der mit den Außenkontakten (3) verbunden ist und
- der die Form einer strukturierten Schicht (5) aufweist, welche wenigstens eine mehrfach gekrümmte Bahn zwischen den Außenkontakten (3) bildet.
2. Bauelement nach Anspruch 1, bei dem die Dielektrikumschichten (2) und der Widerstand (4, 41, 42) in einem einzigen Sinterschritt gemeinsam gesintert sind und einen monolithischen Körper bilden.
3. Bauelement nach einem der Ansprüche 1 oder 2, bei dem im Grundkörper (1) Elektrodenschichten (9) angeordnet sind und bei dem die Ebene des Widerstands (4, 41, 42) frei von Elektrodenschichten (9) ist.
4. Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 3, bei dem der Widerstand (4) zwischen den Außenkontakten (3) in Form einer Bahn verläuft, deren Länge wenigstens zehnmal größer ist als deren Breite (b) .
5. Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 4, bei dem der Widerstand (4, 41, 42) aus einer geschlossenen Schicht (5) gebildet ist, die mit Aussparungen (6) versehen ist .
6. Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 4, bei dem der Widerstand (4, 41, 42) die Form eines Mäanders aufweist .
7. Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 6, bei dem der Widerstand (4, 41, 42) aus einem Widerstandsmate- rial gebildet ist, das in der strukturierten Schicht (5) ei- nen Flächenwiderstand von wenigstens 0,1 Ohm aufweist.
8. Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 6, bei dem der Widerstand (4, 41, 42) aus einem Widerstandsmate- rial gebildet ist, welches eine Legierung aus Silber und Pal- ladium enthält, wobei das Palladium einen Anteil von 15 bis < 100 Gew.-% an der Legierung aufweist.
9. Bauelement nach Anspruch 8 , bei dem der Anteil von Palladium zwischen 50 und 70 Gew.-% beträgt.
10. Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 8, bei dem das Widerstandsmaterial zudem bis zu 70 Vol.-% eines Zusatzstoffes enthält, der einen spezifischen Widerstand auf- weist, welcher wenigstens zehnmal größer ist als der spezifische Widerstand der übrigen Bestandteile des Widerstandsmaterials .
11. Bauelement nach Anspruch 10, bei dem der Zusatzstoff AI2O3 enthält.
12. Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 11, bei dem die Dielektrikumschichten (2) ein Keramikmaterial enthalten, dessen Sintertemperatur zwischen 950 und 1200°C beträgt.
13. Bauelement nach Anspruch 12, bei dem die Dielektrikumschichten (2) eine Keramik auf der Basis von BaTiθ3 enthalten.
14. Bauelement nach Anspruch 12, bei dem die Dielektrikumschichten (2) eine Varistorkeramik enthalten.
15. Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 14, - bei dem im Grundkörper (1) nebeneinander zwei Stapel (7, 8) von jeweils übereinander!iegenden durch Dielektrikumschichten (2) voneinander getrennten Elektrodenschichten (9) angeordnet sind,
- bei dem die Elektrodenschichten (9) des ersten Stapels (7) abwechselnd mit einem ersten (10) und einem zweiten (11)
Außenkontakt eines ersten Paares von Außenkontakten kontaktiert sind,
- bei dem die Elektrodenschichten (9) des zweiten Stapels (8) abwechselnd mit einem ersten (12) und einem zweiten (13) Außenkontakt eines zweiten Paares von Außenkontakten kontaktiert sind,
- und bei dem zu verschiedenen Paaren gehörende, auf einander gegenüberliegenden Seitenflächen des Grundkörpers (1) liegende Außenkontakte (10, 13; 11, 12) durch einen im Innern des Grundkörpers angeordneten Widerstand (4) verbunden sind.
16. Bauelement nach Anspruch 15, bei dem die Stapel (7, 8) von Elektrodenschichten (9) jeweils Teil eines Vielschichtvaristors (VDRl, VDR2) sind.
17. Bauelement nach Anspruch 16, bei dem die beiden Varistoren (VDRl, VDR2) und der Widerstand (4) ein τr-Filter bilden.
18. Bauelement nach Anspruch 17, bei dem das Bauelement symmetrisch zu einer Ebene (14) gebildet ist, die parallel zu einer Dielektrikumschicht (2) verläuft und bei dem oberhalb und unterhalb des Stapels (7, 8) von Elektrodenschichten (9) je ein Widerstand (41, 42) angeordnet ist.
EP02754524A 2001-09-10 2002-08-12 Elektrisches vielschichtbauelement Expired - Lifetime EP1425762B1 (de)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10144364 2001-09-10
DE10144364A DE10144364A1 (de) 2001-09-10 2001-09-10 Elektrisches Vielschichtbauelement
PCT/DE2002/002952 WO2003028045A2 (de) 2001-09-10 2002-08-12 Elektrisches vielschichtbauelement

Publications (2)

Publication Number Publication Date
EP1425762A2 true EP1425762A2 (de) 2004-06-09
EP1425762B1 EP1425762B1 (de) 2007-01-24

Family

ID=7698380

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
EP02754524A Expired - Lifetime EP1425762B1 (de) 2001-09-10 2002-08-12 Elektrisches vielschichtbauelement

Country Status (8)

Country Link
US (1) US7012501B2 (de)
EP (1) EP1425762B1 (de)
JP (1) JP4095961B2 (de)
CN (1) CN100490025C (de)
AT (1) ATE352847T1 (de)
DE (2) DE10144364A1 (de)
TW (1) TW569247B (de)
WO (1) WO2003028045A2 (de)

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10356498A1 (de) * 2003-12-03 2005-07-07 Epcos Ag Elektrisches Bauelement und Schaltungsanordnung
DE102004010001A1 (de) * 2004-03-01 2005-09-22 Epcos Ag Elektrisches Bauelement und schaltungsanordnung mit dem Bauelement
US7763833B2 (en) * 2004-03-12 2010-07-27 Goodrich Corp. Foil heating element for an electrothermal deicer
DE102004037588A1 (de) * 2004-08-03 2006-02-23 Epcos Ag Elektrisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines elektrischen Bauelements
JP4715248B2 (ja) * 2005-03-11 2011-07-06 パナソニック株式会社 積層セラミック電子部品
US7923668B2 (en) * 2006-02-24 2011-04-12 Rohr, Inc. Acoustic nacelle inlet lip having composite construction and an integral electric ice protection heater disposed therein
DE102006060634A1 (de) * 2006-12-21 2008-06-26 Robert Bosch Gmbh Verfahren zur Herstellung eines elektrischen Widerstands auf einem Substrat
DE102007046607A1 (de) 2007-09-28 2009-04-02 Epcos Ag Elektrisches Vielschichtbauelement sowie Verfahren zur Herstellung eines elektrischen Vielschichtbauelements
US8264816B2 (en) * 2009-08-24 2012-09-11 Kemet Electronics Corporation Externally fused and resistively loaded safety capacitor
US20130058004A1 (en) * 2011-09-01 2013-03-07 Medtronic, Inc. Feedthrough assembly including underfill access channel and electrically insulating material
EP2793539A4 (de) * 2011-12-16 2016-03-23 Epcos Ag Mehrschichtiges glaskeramiksubstrat mit eingebettetem widerstand
KR20150069901A (ko) * 2013-12-16 2015-06-24 삼성전기주식회사 칩 저항기
WO2018129417A1 (en) * 2017-01-06 2018-07-12 Feldman Benjamin F Operating system for a cooking appliance
CN107393784A (zh) * 2017-09-07 2017-11-24 上海长园维安电子线路保护有限公司 一种可以耐受高压的自控制型保护器及其制备方法
JP7027176B2 (ja) * 2018-01-22 2022-03-01 ラピスセミコンダクタ株式会社 半導体装置

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB570026A (en) 1943-12-14 1945-06-19 Johnson Matthey Co Ltd Improvements in or relating to the manufacture and production of electrical resistors with a low inductance
US3266005A (en) * 1964-04-15 1966-08-09 Western Electric Co Apertured thin-film circuit components
US3846345A (en) * 1969-10-06 1974-11-05 Owens Illinois Inc Electroconductive paste composition and structures formed therefrom
DE3125281A1 (de) 1981-06-26 1983-01-13 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Elektrische bauelementekombination, insbesondere r-c-kombination
DE3336229A1 (de) 1983-10-05 1985-04-25 Resista Fabrik elektrischer Widerstände GmbH, 8300 Landshut Verfahren zur wertjustierung von widerstaenden
US4568908A (en) * 1984-12-24 1986-02-04 General Electric Company Compact resistor assembly
EP0211331A3 (de) * 1985-08-02 1989-10-25 Hitachi, Ltd. Thermischer Druckkopf und Verfahren zu dessen Herstellung
US4811164A (en) 1988-03-28 1989-03-07 American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories Monolithic capacitor-varistor
US4870746A (en) * 1988-11-07 1989-10-03 Litton Systems, Inc. Method of making a multilayer printed circuit board having screened-on resistors
JPH02312203A (ja) * 1989-05-26 1990-12-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 厚膜抵抗体のトリミング方法
EP0428907B1 (de) * 1989-10-26 1995-08-16 Takeshi Ikeda LC-Störfilter
JPH0833327B2 (ja) * 1990-06-11 1996-03-29 株式会社村田製作所 温度センサ
JPH05275958A (ja) * 1992-03-25 1993-10-22 Murata Mfg Co Ltd ノイズフィルタ
JP3097332B2 (ja) * 1992-07-21 2000-10-10 株式会社村田製作所 積層型チップバリスタ
US5430429A (en) * 1992-09-29 1995-07-04 Murata Manufacturing Co., Ltd. Ceramic resistor wherein a resistance film is embedded
US5379016A (en) * 1993-06-03 1995-01-03 E. I. Du Pont De Nemours And Company Chip resistor
US5521576A (en) * 1993-10-06 1996-05-28 Collins; Franklyn M. Fine-line thick film resistors and resistor networks and method of making same
JP3138631B2 (ja) * 1996-01-26 2001-02-26 太陽社電気株式会社 チップ抵抗器及びその製造方法
US5815367A (en) 1996-03-11 1998-09-29 Murata Manufacturing Co., Ltd. Layered capacitors having an internal inductor element
DE19612841A1 (de) * 1996-03-30 1997-10-02 Abb Research Ltd Strombegrenzender Widerstand mit PTC-Verhalten
JP3631341B2 (ja) * 1996-10-18 2005-03-23 Ｔｄｋ株式会社 積層型複合機能素子およびその製造方法
GB9623460D0 (en) * 1996-11-09 1997-01-08 Oxley Dev Co Ltd Electronic components incorporating capacitors
JPH1116703A (ja) * 1997-06-20 1999-01-22 Shoei Chem Ind Co 超低抵抗抵抗器
US5889445A (en) * 1997-07-22 1999-03-30 Avx Corporation Multilayer ceramic RC device
US6362723B1 (en) * 1999-11-18 2002-03-26 Murata Manufacturing Co., Ltd. Chip thermistors
DE10108662A1 (de) * 2000-02-23 2001-08-30 Tyco Electronics Amp Gmbh Leiterbahn auf einem Substrat
DE10064447C2 (de) 2000-12-22 2003-01-02 Epcos Ag Elektrisches Vielschichtbauelement und Entstörschaltung mit dem Bauelement
EP1223591A3 (de) 2001-01-11 2007-06-06 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Vielschichtelektronikbauteil und Kommunikationsgerät

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See references of WO03028045A3 *

Also Published As

Publication number Publication date
CN1554101A (zh) 2004-12-08
CN100490025C (zh) 2009-05-20
DE10144364A1 (de) 2003-04-03
JP4095961B2 (ja) 2008-06-04
ATE352847T1 (de) 2007-02-15
DE50209370D1 (de) 2007-03-15
EP1425762B1 (de) 2007-01-24
WO2003028045A2 (de) 2003-04-03
TW569247B (en) 2004-01-01
US7012501B2 (en) 2006-03-14
JP2005504438A (ja) 2005-02-10
US20040239476A1 (en) 2004-12-02
WO2003028045A3 (de) 2003-12-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE4008507C2 (de) Laminiertes LC-Filter
DE69318879T2 (de) Keramisches Mehrschicht-Substrat für hohe Frequenzen
EP2143117B1 (de) Elektrisches vielschichtbauelement mit elektrisch nicht kontaktierter abschirmstruktur
DE2805965C2 (de) Interdigital-Bandpaßfilter
EP1606831B1 (de) Elektrisches vielschichtbauelement
EP1425762B1 (de) Elektrisches vielschichtbauelement
EP1350257B1 (de) Elektrisches vielschichtbauelement und entstörschaltung mit dem bauelement
DE19628890A1 (de) Elektronikteile mit eingebauten Induktoren
EP1369880B1 (de) Elektrisches Vielschichtbauelement und Schaltungsanordnung
EP1880399B1 (de) Elektrisches durchführungsbauelement
DE19904725A1 (de) Hochspannungsmehrschichtkondensator
DE2752333A1 (de) Streifenleitungs-kondensator
EP1859459A1 (de) Durchführungsfilter und elektrisches mehrschicht-bauelement
EP1369881B1 (de) Elektrisches Vielschichtbauelement
DE102004010001A1 (de) Elektrisches Bauelement und schaltungsanordnung mit dem Bauelement
DE10064445A1 (de) Elektrisches Vielschichtbauelement und Anordnung mit dem Bauelement
EP2530690B1 (de) Elektrisches Vielschichtbauelement sowie Verfahren zur Herstellung eines elektrischen Vielschichtbauelements
EP1537655B1 (de) Mehrfachresonanzfilter
EP1391898B1 (de) Elektrisches Vielschichtbauelement
EP1560235B1 (de) Elektrisches Vielschichtbauelement
DE102004029411B4 (de) Keramischer Mehrschichtkondensator
DE4410753C2 (de) Kondensator-Array
DE10057084B4 (de) Chip-Thermistoren und Verfahren zum Herstellen derselben

Legal Events

Date Code Title Description
PUAI Public reference made under article 153(3) epc to a published international application that has entered the european phase

Free format text: ORIGINAL CODE: 0009012

17P Request for examination filed

Effective date: 20040123

AK Designated contracting states

Kind code of ref document: A2

Designated state(s): AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR IE IT LI LU MC NL PT SE SK TR

17Q First examination report despatched

Effective date: 20050502

GRAP Despatch of communication of intention to grant a patent

Free format text: ORIGINAL CODE: EPIDOSNIGR1

GRAS Grant fee paid

Free format text: ORIGINAL CODE: EPIDOSNIGR3

GRAA (expected) grant

Free format text: ORIGINAL CODE: 0009210

AK Designated contracting states

Kind code of ref document: B1

Designated state(s): AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR IE IT LI LU MC NL PT SE SK TR

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: FI

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20070124

Ref country code: DK

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20070124

Ref country code: IE

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20070124

Ref country code: NL

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20070124

REG Reference to a national code

Ref country code: GB

Ref legal event code: FG4D

Free format text: NOT ENGLISH

REG Reference to a national code

Ref country code: CH

Ref legal event code: EP

REG Reference to a national code

Ref country code: IE

Ref legal event code: FG4D

Free format text: LANGUAGE OF EP DOCUMENT: GERMAN

REF Corresponds to:

Ref document number: 50209370

Country of ref document: DE

Date of ref document: 20070315

Kind code of ref document: P

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: SE

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20070424

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: BG

Free format text: LAPSE BECAUSE OF THE APPLICANT RENOUNCES

Effective date: 20070425

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: ES

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20070505

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: PT

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20070625

NLV1 Nl: lapsed or annulled due to failure to fulfill the requirements of art. 29p and 29m of the patents act
GBV Gb: ep patent (uk) treated as always having been void in accordance with gb section 77(7)/1977 [no translation filed]

Effective date: 20070124

REG Reference to a national code

Ref country code: IE

Ref legal event code: FD4D

EN Fr: translation not filed
PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: SK

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20070124

Ref country code: GB

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20070124

PLBE No opposition filed within time limit

Free format text: ORIGINAL CODE: 0009261

STAA Information on the status of an ep patent application or granted ep patent

Free format text: STATUS: NO OPPOSITION FILED WITHIN TIME LIMIT

26N No opposition filed

Effective date: 20071025

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: CZ

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20070124

BERE Be: lapsed

Owner name: EPCOS A.G.

Effective date: 20070831

REG Reference to a national code

Ref country code: CH

Ref legal event code: PL

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: LI

Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES

Effective date: 20070831

Ref country code: GR

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20070425

Ref country code: FR

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20070914

Ref country code: MC

Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES

Effective date: 20070831

Ref country code: IT

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20070124

Ref country code: CH

Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES

Effective date: 20070831

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: BE

Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES

Effective date: 20070831

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: AT

Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES

Effective date: 20070812

Ref country code: FR

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20070124

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: EE

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20070124

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: CY

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20070124

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: LU

Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES

Effective date: 20070812

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: TR

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20070124

REG Reference to a national code

Ref country code: DE

Ref legal event code: R082

Ref document number: 50209370

Country of ref document: DE

Representative=s name: EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHA, DE

Ref country code: DE

Ref legal event code: R081

Ref document number: 50209370

Country of ref document: DE

Owner name: TDK ELECTRONICS AG, DE

Free format text: FORMER OWNER: EPCOS AG, 81669 MUENCHEN, DE

PGFP Annual fee paid to national office [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: DE

Payment date: 20210825

Year of fee payment: 20

REG Reference to a national code

Ref country code: DE

Ref legal event code: R071

Ref document number: 50209370

Country of ref document: DE