DE19904725A1 - Hochspannungsmehrschichtkondensator - Google Patents
HochspannungsmehrschichtkondensatorInfo
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims description 41
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 60
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 7
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 5
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 4
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920002545 silicone oil Polymers 0.000 description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 2
- 241000158147 Sator Species 0.000 description 1
- 229910002367 SrTiO Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/43—Electric condenser making
- Y10T29/435—Solid dielectric type
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- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
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Description
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf einen Hochspan
nungsmehrschichtkondensator, der für eine Verwendung geeig
net ist, bei der eine hohe Spannung, wie z. B. 250 V Wech
selspannung oder 500 V Gleichspannung, angelegt ist, und
insbesondere auf einen Hochspannungsmehrschichtkondensator,
bei dem ein Keramiksinterformteil und eine interne Elektrode
modifiziert sind, um den Spannungswiderstand zu erhöhen und
einen unerwünschten Überschlag zu verhindern.
Von einem Kondensator, der bei Anwendungen verwendet wird,
bei denen eine hohe Spannung angelegt ist, wird eindringlich
gefordert, daß derselbe einen hohen Spannungswiderstand auf
weist und einen Überschlag auf den Außenoberflächen dessel
ben unterdrückt.
Folglich wurden Kondensatoren mit verschiedenen Strukturen
als Mehrschichtkondensator, der einer hohen Spannung wider
steht, vorgeschlagen (beispielsweise die japanische unge
prüfte Gebrauchsmusteranmeldung Nr. 60-76028, 62-120333 und
58-56431 und die japanische ungeprüfte Patentanmeldung
62-210612).
Fig. 3 und 4 sind eine Schnitt-Vorderansicht bzw. eine
Schnitt-Draufsicht, die ein Beispiel für herkömmliche Hoch
spannungsmehrschichtkondensatoren darstellen.
Es wird nun auf Fig. 3 und 4 Bezug genommen. Ein Mehr
schichtkondensator 31 weist ein Keramiksinterformteil 32
auf, das dielektrische Keramiken aufweist. Das Keramiksin
terformteil 32 weist eine erste externe Elektrode 33, die
auf der Endoberfläche 32a gebildet ist, und eine zweite
externe Elektrode 34 auf, die auf der Endoberfläche 32b
gebildet ist. Obwohl eine Kapazität durch die erste und
zweite externe Elektrode 33 und 34 herausführt werden kann,
ist eine Mehrzahl von Kapazitätsherausführungsabschnitten in
dem Keramiksinterformteil 32 vorgesehen, um in der Richtung
von der ersten Endoberfläche 32a zu der zweiten Endoberflä
che 32b seriell geschaltet zu sein.
Erste interne Elektroden 35a bis 35c sind nämlich an unter
schiedlichen Höhen gebildet, um aus der Endoberfläche 32a
herausgeführt zu werden. Ferner sind zweite interne Elek
troden 36a, 36b und 36c an unterschiedlichen Höhen gebildet,
um aus der Endoberfläche 32b herausgeführt zu werden. Zu
sätzlich sind nicht verbundene interne Elektroden 37a bis
37c, 38a bis 38c und 39a bis 39c zwischen den ersten und den
zweiten internen Elektroden 35a und 36a, zwischen den zwei
ten internen Elektroden 35b und 36b bzw. zwischen der ersten
und der zweiten internen Elektrode 35c und 36c gebildet.
Für diese internen Elektroden sind nicht verbundene interne
Elektroden 40a bis 40d und 41a bis 41d gebildet, um mit den
benachbarten internen Elektroden über die Keramikschichten
in der Dickenrichtung zu überlappen.
Bei der im vorhergehenden beschriebenen internen Elektroden
struktur sind die Strukturen, die jeweils acht Kapazitäts
herausführungsabschnitte aufweisen, die in der Richtung von
der Endoberfläche 32a zu der Endoberfläche 32b seriell ge
schaltet sind, zwischen der ersten und der zweiten externen
Elektrode 33 und 34 parallel geschaltet.
Der Mehrschichtkondensator 31 weist nämlich eine Struktur
auf, bei der acht Kapazitätsherausführungsabschnitte seriell
geschaltet sind, wie es im vorhergehenden beschrieben wurde,
so daß der Spannungswiderstand erhöht wird.
Andererseits offenbart die ungeprüfte Japanische Patent
anmeldung Nr. 62-210612 einen Mehrschichtkondensator, der
eine Struktur aufweist, bei der Keramikschichten mit einer
relativ niedrigen Dielektrizitätskonstante über und unter
den Kapazitätsherausführungsabschnitten angeordnet sind, die
interne Elektroden aufweisen, wodurch ein Überschlag auf den
oberen und unteren Seiten eines Sinterformteils unterdrückt
wird.
Bei dem im vorhergehenden erwähnten Mehrschichtkondensator
31 ist die Mehrzahl der Kapazitätsherausführungsabschnitte
jedoch zwischen der ersten und der zweiten externen Elektro
de 33 und 34 seriell angeordnet, um den Spannungswiderstand
zu erhöhen, wobei aber ein Überschlag auf den Oberflächen
des Keramiksinterformteils 32 nicht verhindert werden kann.
Andererseits sind bei dem Mehrschichtkondensator, der in der
ungeprüften Japanischen Patentanmeldung Nr. 62-210612 offen
bart ist, die Schichten mit einer relativ niedrigen Dielek
trizitätskonstante auf der oberen und der unteren Seite des
Abschnitts angeordnet, der interne Elektroden aufweist, um
einen Überschlag auf der oberen und der unteren Seite des
Keramiksinterformteils zu unterdrücken, wie es im vorher
gehenden beschrieben wurde, wobei aber ein Überschlag auf
der Seite des Keramiksinterformteils nicht wirksam unter
drückt werden kann. Da die Schichten mit einer niedrigen
Dielektrizitätskonstante einfach vorgesehen sind, kann zu
sätzlich der Spannungswiderstand nicht erhöht werden.
Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, einen
Mehrschichtkondensator mit einem hervorragenden Spannungs
widerstand zu schaffen, der in der Lage ist, einen Über
schlag auf den externen Oberflächen zuverlässig zu verhin
dern.
Diese Aufgabe wird durch einen Hochspannungsmehrschichtkon
densator gemäß Anspruch 1 gelöst.
Gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung
wird ein Hochspannungsmehrschichtkondensator geschaffen, der
folgende Merkmale aufweist: ein Keramiksinterformteil mit
einer ersten und einer zweiten Endoberfläche, die einander
gegenüberliegen; einer ersten und einer zweiten internen
Elektrode, die in dem Keramiksinterformteil angeordnet sind,
um aus der ersten bzw. der zweiten Endoberfläche herausge
führt zu sein; einer Mehrzahl von dritten internen Elektro
den, die zwischen der ersten und der zweiten internen Elek
trode angeordnet sind, um eine Mehrzahl von Kapazitäts
herausführungsabschnitten zu bilden, die in der Richtung von
der ersten internen Elektrode zu der zweiten internen Elek
trode seriell geschaltet sind; und einer ersten und einer
zweiten externen Elektrode, die auf der ersten bzw. der
zweiten Endoberfläche gebildet sind, um mit der ersten bzw.
der zweiten internen Elektrode verbunden zu sein. Die Mehr
zahl der dritten internen Elektroden ist zwischen der ersten
und der zweiten internen Elektrode angeordnet, um zumindest
vier Kapazitätsherausführungsabschnitte zu bilden, die se
riell geschaltet sind. Die Schichten mit einer niedrigen
Dielektrizitätskonstante, die eine Keramik aufweisen, die
eine relativ zu dem Abschnitt, der die ersten bis dritten
internen Elektroden aufweist, niedrigere Dielektrizitäts
konstante aufweist, sind auf den oberen und der unteren
Seite des Abschnitts gebildet, der die ersten bis dritten
internen Elektroden des Keramiksinterformteils aufweist. Die
Ecken der dritten internen Elektroden auf den Seiten der
internen Elektroden, die der ersten und der zweiten internen
Elektrode in der Richtung einer Linie, die die erste und die
zweite Endoberfläche verbindet, gegenüberliegen, sind abge
rundet.
Eine Mehrzahl von Strukturen, von denen jede zumindest vier
Kapazitätsherausführungsabschnitte aufweist, die mittels der
ersten bis dritten internen Elektroden gebildet sind, und
die seriell geschaltet sind, ist in dem Keramiksinterform
teil in der Dickenrichtung desselben gebildet.
Die Schichten mit niedriger Dielektrizitätskonstante sind in
den Schichten, die bezüglich der vertikalen Richtung des Ke
ramiksinterformteils am weitesten außen liegen, angeordnet.
Die Mehrzahl der dritten internen Elektroden weist eine
Mehrzahl von ersten nicht verbunden internen Elektroden, die
in der Richtung einer Linie, die die erste und die zweite
Endoberfläche verbindet, auf derselben Höhe wie die ersten
und zweiten internen Elektroden beabstandet sind, und eine
Mehrzahl zweiter nicht verbundener interner Elektroden auf,
die angeordnet sind, um mit den benachbarten internen Elek
troden der ersten internen Elektrode, der Mehrzahl der er
sten internen nicht verbundenen Elektroden und der zweiten
internen Elektrode über die Keramiksinterformteilschicht zu
überlappen.
Bevorzugte Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung
werden nachfolgend bezugnehmend auf die bei liegenden Zeich
nungen näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 eine Schnitt-Vorderansicht, die einen Hochspan
nungsmehrschichtkondensator gemäß einem Ausfüh
rungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zeigt;
Fig. 2 eine Schnitt-Draufsicht des Hochspannungsmehr
schichtkondensators, der in Fig. 1 gezeigt ist;
Fig. 3 eine Schnitt-Vorderansicht, die ein Beispiel für
einen herkömmlichen Hochspannungsmehrschichtkon
densator zeigt; und
Fig. 4 eine Schnitt-Draufsicht des Hochspannungsmehr
schichtkondensators, der in Fig. 3 gezeigt ist.
Die vorliegende Erfindung wird im folgenden bezüglich eines
unbestimmten Ausführungsbeispiels der vorliegenden Erfindung
detailliert beschrieben.
Fig. 1 ist eine Schnitt-Vorderansicht, die einen Hochspan
nungsmehrschichtkondensator gemäß einem Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung zeigt, und Fig. 2 ist eine
Schnitt-Draufsicht desselben.
Ein Mehrschichtkondensator 1 weist ein Keramiksinterformteil
2 auf, das die Gestalt eines rechteckigen Parallelepipeds
aufweist. Das Keramiksinterformteil 2 ist aus einer geeigne
ten dielektrischen Keramik hergestellt und weist Schichten
mit niedriger Dielektrizitätskonstante 2b und 2c auf, die
eine relativ zu dem mittleren Abschnitt 2a niedrigere Di
elektrizitätskonstante aufweisen und auf den äußersten
Schichten gebildet sind, d. h. auf dem obersten und unter
sten Abschnitt.
Bei der Mehrschichtkeramikintegralsintertechnik zum Erhalten
des Keramiksinterformteils 2, die im folgenden beschrieben
wird, können der mittlere Abschnitt 2a und die Schichten mit
niedriger Dielektrizitätskonstante 2b und 2c gebildet wer
den, indem eine Keramikgrünschicht verwendet wird, die ein
Keramikpulver mit einer relativ hohen relativen Dielektri
zitätskonstante aufweist, um den mittleren Abschnitt 2a zu
bilden, und indem eine Keramikgrünschicht verwendet wird,
die ein Keramikpulver mit einer relativ niedrigen relativen
Dielektrizitätskonstante aufweist, um die Schichten mit
niedriger Dielektrizitätskonstante 2b und 2c zu bilden.
Das Keramiksinterformteil 2 weist eine erste und zweite
Endoberfläche 2d und 2e auf, die einander gegenüberliegen.
Eine erste externe Elektrode 3 ist gebildet, um die End
oberfläche 2d zu bedecken und sich zu der oberen und unteren
Seite 2f und 2g und den Seiten 2h und 2i des Keramiksinter
formteils zu erstrecken. Entsprechend ist eine zweite
externe Elektrode 4 gebildet, um die Endoberfläche 2e zu
bedecken und sich zu der oberen und unteren Seite 2f und 2g
und den Seiten 2h und 2i zu erstrecken.
Die erste und zweite externe Elektrode 3 und 4 werden
gebildet, indem das Keramiksinterformteil 2 durch eine
leitfähige Paste, wie z. B. eine Ag-Pd-, Ag- oder Cu-Paste,
beschichtet wird, wonach die Paste gebrannt wird. Natürlich
können die externen Elektroden 3 und 4 durch ein
Dünnfilmbildungsverfahren gebildet werden, beispielsweise
durch Dampfabscheiden, Plattieren, Sputtern oder derglei
chen.
In dem Keramiksinterformteil 2 ist eine Mehrzahl von in
ternen Elektroden angeordnet, um acht Kapazitätsheraus
führungsabschnitte zu bilden, die zwischen den externen
Elektroden 3 und 4 seriell geschaltet sind.
Bei dieser Interne-Elektrode-Struktur sind erste interne
Elektroden 5a, 5b und 5c auf unterschiedlichen Höhen
gebildet, um aus der ersten Endoberfläche 2d herausgeführt
zu werden. Ferner sind zweite interne Elektroden 6a, 6b und
6c auf unterschiedlichen Höhen gebildet, um aus der zweiten
Endoberfläche 2e herausgeführt zu werden.
Die erste interne Elektrode 5a und die zweite interne Elek
trode 6a sind in derselben Ebene angeordnet. Dies trifft
auch auf die erste interne Elektrode 5b und die zweite in
terne Elektrode 6b und die erste interne Elektrode 5c und
die zweite interne Elektrode 6c zu.
Auf der Höhe, auf der die erste und die zweite interne Elek
trode 5a und 6a gebildet sind, sind erste nicht verbundene
interne Elektroden 7a, 7b und 7c zwischen der ersten und der
zweiten internen Elektrode 5a und 6a angeordnet. Entspre
chend sind auf der Höhe, auf der die erste und die zweite
interne Elektrode 5b und 6b gebildet sind, erste nicht ver
bundene interne Elektroden 8a, 8b und 8c zwischen der ersten
und der zweiten internen Elektrode 5b und 6b angeordnet.
Ferner sind erste nicht verbundene interne Elektroden 9a, 9b
und 9c zwischen der ersten und der zweiten internen Elektro
de 5c und 6c angeordnet.
Darüberhinaus sind zweite nicht verbundene interne Elektro
den 10a bis 10d auf einer Höhe zwischen der Höhe der ersten
und der zweiten internen Elektrode 5a und 6a und der nicht
verbundenen internen Elektroden 7a bis 7c und der Höhe der
ersten und der zweiten internen Elektrode 5b und 6b und der
nicht verbundenen internen Elektroden 8a bis 8c angeordnet.
Die zweiten nicht verbundenen internen Elektroden 10a bis
10d sind angeordnet, um sich durch die Keramikschicht mit
den benachbarten Elektroden der ersten internen Elektrode
5a, der ersten nicht verbundenen internen Elektroden 7a bis
7c und der zweiten internen Elektrode 6a zu überlappen.
Die nicht verbundene interne Elektrode 10a wird beispiels
weise als ein Beispiel beschrieben. Die nicht verbundene
interne Elektrode 10a ist angeordnet, um mit der ersten
internen Elektrode 5a und der nicht verbundenen internen
Elektrode 7a mit der Keramikschicht zwischen denselben zu
überlappen. Entsprechend ist die nicht verbundene interne
Elektrode 10b angeordnet, um mit den nicht verbundenen in
ternen Elektroden 7a und 7b mit der Keramikschicht zwischen
denselben zu überlappen. Zwischen der ersten und der zweiten
internen Elektrode 5a und 6a sind daher jeweils Kapazitäts
herausführungsabschnitte zwischen der ersten internen Elek
trode 5a und der nicht verbundenen internen Elektrode 10a,
zwischen den nicht verbundenen internen Elektroden 10a und
7a, zwischen den nicht verbundenen internen Elektroden 7a
und 10b, zwischen den nicht verbundenen internen Elektroden
10b und 7b, zwischen den nicht verbundenen internen Elek
troden 7b und 10c, zwischen den nicht verbundenen internen
Elektroden 10c und 7c, zwischen den nicht verbundenen inter
nen Elektroden 7c und 10b und zwischen der nicht verbundenen
internen Elektrode 10d und der zweiten internen Elektrode 6a
gebildet. Die acht Kapazitätsherausführungsabschnitte sind
nämlich zwischen der ersten und der zweiten internen Elek
trode 5a und 6a seriell geschaltet.
Entsprechend sind die zweiten nicht verbundenen internen
Elektroden 10a bis 10d in derselben Positionsbeziehung zu
der ersten internen Elektrode 5b, den ersten nicht verbun
denen internen Elektroden 8a bis 8d und der zweiten internen
Elektrode 6b, wie es im vorhergehenden beschrieben wurde,
angeordnet, um acht Kapazitätsherausführungsabschnitte zu
bilden.
Ferner sind zweite nicht verbundene interne Elektroden 11a
bis 11d auf einer Höhe zwischen der Höhe der ersten und der
zweiten internen Elektrode 5b und 6b und der ersten nicht
verbundenen internen Elektroden 8a bis 8c und der Höhe der
ersten und zweiten internen Elektrode 5c und 6c und den
ersten nicht verbundenen internen Elektroden 9a bis 9c an
geordnet. Wie die nicht verbundenen internen Elektroden 10a
bis 10d sind die zweiten nicht verbundenen internen Elek
troden 11a bis 11d ferner angeordnet, um acht Kapazitäts
herausführungsabschnitte, die seriell geschaltet sind, zwi
schen der ersten und der zweiten internen Elektrode 5b und
6b und den ersten nicht verbundenen internen Elektroden 8a
bis 8c und acht Kapazitätsherausführungsabschnitte, die se
riell geschaltet sind, zwischen der ersten und der zweiten
internen Elektrode 5c und 6c und den ersten nicht verbun
denen internen Elektroden 9a bis 9c zu bilden.
Die Strukturen, die die acht Kapazitätsherausführungsab
schnitte aufweisen, die seriell geschaltet sind, sind folg
lich zwischen der ersten und der zweiten externen Elektrode
3 und 4 parallel geschaltet, wodurch der Spannungswiderstand
wirksam erhöht wird.
Bei der vorliegenden Erfindung sind zumindest vier Kapazi
tätsherausführungsabschnitte vorzugsweise gebildet, um se
riell geschaltet zu sein, wie es im vorhergehenden beschrie
ben wurde, um den Spannungswiderstand wirksam zu erhöhen.
Das Material zum Bilden der internen Elektroden 5a bis 11d
ist nicht beschränkt und es kann ein geeignetes Metall oder
eine Legierung, wie z. B. Ag, Ag-Pd, Cu, Ni oder derglei
chen, verwendet werden.
Bei diesem Ausführungsbeispiel ist die Mehrzahl der Kapazi
tätsherausführungsabschnitte seriell geschaltet, um den
Spannungswiderstand zu verbessern. Zusätzlich sind die
Schichten niedriger Dielektrizitätskonstante 2b und 2c vor
gesehen und die Gestalt der nicht verbundenen internen Elek
troden 7a, 7c, 8a, 8c, 9a und 9c ist modifiziert, um einen
Überschlag wirksam zu unterdrücken.
Ein Überschlag auf den äußeren Oberflächen des Keramiksin
terformteils 2 ist nämlich ein Phänomen, das aufgrund der
Entladung zwischen Elektroden auftritt, die mit unterschied
lichen Potentialen verbunden sind. Ein Überschlag bewirkt
Sprünge in den äußeren Oberflächen des Keramiksinterform
teils 2, wodurch die Charakteristika verschlechtert werden
und in extremem Fällen der Bruch eines Elements bewirkt
wird.
Ein Überschlag auf den Seiten 2h und 2i des Keramiksinter
formteils 2 tritt hauptsächlich zwischen den Enden 3a und 4a
der externen Elektroden 3 und 4, die auf den Seiten 2h und
2i positioniert sind, und den internen Elektroden 7a, 7c, 9a
und 9c auf, die den Enden 3a und 4a am nächsten gelegen sind
und mit unterschiedlichen Potentialen verbunden sind.
Bei dem Mehrschichtkondensator 1 dieses Ausführungsbeispiels
sind bei den nicht verbundenen internen Elektroden 7a und
7c, d. h. den nicht verbundenen internen Elektroden 7a und
7c, die in der Richtung einer Linie, die die Endoberflächen
2d und 2e verbindet, der ersten bzw. der zweiten internen
Elektrode 5a und 6a gegenüberliegen, die Ecken an den Seiten
derselben, die der ersten und der zweiten internen Elektrode
jeweils gegenüberliegen, abgerundet, um den Überschlag zu
unterdrücken, wie es durch einen Pfeil A in Fig. 2 gezeigt
ist. Durch Bilden der abgerundeten Abstände A vergrößern
sich die Abschnitte zwischen den internen Elektroden 7a und
7c und den Enden 3a und 4a der externen Elektroden 3 und 4,
die an den Seiten 2h und 2i des Keramiksinterformteils 2
positioniert sind, wodurch die Konzentration eines elektri
schen Felds zwischen den internen Elektroden 7a und 7c und
den Enden 3a und 4a verringert wird, und ein Überschlag
wirksam unterdrückt wird.
Obwohl es in den Zeichnungen nicht gezeigt ist, sind bei den
nicht verbundenen internen Elektroden 8a, 8c, 9a und 9c die
Ecken auf den Seiten, die den ersten und den zweiten inter
nen Elektroden 5b, 5c, 6b und 6c gegenüberliegen, ebenfalls
abgerundet, um einen Überschlag auf den Seiten 2h und 2i der
Keramiksinterformteils 2 wirksam zu unterdrücken.
Da die Schichten niedriger Dielektrizitätskonstante 2b und
2c vorgesehen sind, ist es bei dem Mehrschichtkondensator 1
möglich, einen Überschlag auf der oberen und der unteren
Seite 2f und 2g des Keramiksinterformteils 2 zu unter
drücken. Der Überschlag auf der oberen und unteren Seite 2f
und 2g des Keramiksinterformteils 2 tritt nämlich zwischen
den Enden 3b und 4b der externen Elektroden 3 und 4, die auf
der oberen und unteren Seite 2f und 2g positioniert sind,
und den nicht verbundenen internen Elektroden 7a, 7c, 9a und
9c auf.
Da die Schichten niedriger Dielektrizitätskonstante 2b und
2c zwischen den Enden 3b und 4b und den nicht verbundenen
internen Elektroden 7a, 7c, 9a und 9c vorgesehen sind, wird
bei diesem Ausführungsbeispiel die Konzentration des elek
trischen Felds beispielsweise zwischen den Enden 3b der ex
ternen Elektrode 3 und den nicht verbundenen internen Elek
troden 7a und 9a verringert, wodurch ein Überschlag auf der
oberen und unteren Seite 2f und 2g des Sinterformteils 2
wirksam unterdrückt wird. Da die Schichten niedriger Dielek
trizitätskonstante 2b und 2c jeweils zwischen den Enden 4b
der externen Elektrode 4 und den nicht verbunden internen
Elektroden 7c und 9c vorgesehen sind, wird entsprechend die
Konzentration eines elektrischen Felds verringert, wodurch
ein Überschlag auf der oberen und unteren Seite 2f und 2g
des Sinterformteils 2 wirksam unterdrückt wird.
Aufgrund des Bildens der abgerundeten Abschnitte A an den
Ecken der nicht verbundenen internen Elektroden 7a, 7c, 8a,
8c, 9a und 9c ist es daher bei dem Mehrschichtkondensator 1
dieses Ausführungsbeispiels möglich, einen Überschlag auf
den Seiten 2h und 2i des Keramiksinterformteils 2 zu unter
drücken. Zusätzlich unterdrückt die Anordnung der Schichten
niedriger Dielektrizitätskonstante 2b und 2c einen Über
schlag auf der oberen und der unteren Seite.
Es wird nun eine Beschreibung des Mehrschichtkondensators 1
bezüglich einer Zunahme des Spannungswiderstands und einer
Abnahme des Überschlags basierend auf experimentellen Bei
spielen geliefert.
Eine rechteckige Keramikgrünschicht wurde durch Verwenden
eines Breis, der ein BaTiO3-Pulver mit einer relativ hohen
Dielektrizitätskonstante aufweist, gebildet. Die im vorher
gehenden beschriebene interne Elektrodenstruktur wurde auf
der Keramikgrünschicht gebildet. Eine Mehrzahl solcher Ke
ramikgrünschichten wurde laminiert und eine Mehrzahl der
selben Keramikgrünschichten ohne eine Elektrodenstruktur
wurden auf der oberen und unteren Seite des resultierenden
Laminats laminiert. Eine rechteckige Keramikgrünschicht, die
durch Verwenden eines Breis, der ein SrTiO3-Pulver mit einer
relativ niedrigen Dielektrizitätskonstante aufweist, gebil
det wird, wurde ferner auf der oberen und der unteren Seiten
laminiert, gefolgt von einem Drücken in der Dickenrichtung,
um ein Laminat zu erhalten. Das so erhaltene Laminat wurde
gesintert, um das Keramiksinterformteil 2 zu erhalten, das
in Fig. 1 gezeigt ist. Das so erhaltene Keramiksinterform
teil 2 weist Abmessungen von 5,7 mm (L) × 5,0 mm (W) × 1,8
mm (T) auf, wobei der mittlere Abschnitt 2a eine relative
Dielektrizitätskonstante von 2300 und die Schichten niedri
ger Dielektrizitätskonstante 2b und 2c eine relative Dielek
trizitätskonstante von 300 aufwiesen. Die Schichten niedri
ger Dielektrizitätskonstante 2b und 2c wiesen eine Dicke von
100 µm und der mittlere Abschnitt 2a eine Dicke von 1,6 mm
auf (die Dicke des Mehrschichtelektrodenabschnitts betrug
jedoch 1,2 mm).
Daraufhin wurden die Endoberflächen 2d und 2e des so erhal
tenen Keramiksinterformteils 2 mit einer Ag-Paste beschich
tet, wonach dasselbe gebrannt wurde, um die externen Elek
troden 3 und 4 zu bilden, um den Mehrschichtkondensator 1
als Beispiel zu erhalten.
Zum Vergleich wurde ein Mehrschichtkondensator als Ver
gleichsbeispiel 1 durch das selbe Verfahren gebildet wie der
vorhergehende Kondensator, jedoch mit der Ausnahme, daß die
Schichten niedriger Dielektrizitätskonstante 2b und 2c nicht
gebildet wurden und die Ecken der nicht verbundenen internen
Elektroden 7a, 7c, 8a, 8c, 9a und 9c nicht abgerundet wur
den.
Darüberhinaus wurde als Vergleichsbeispiel 2 ein Mehr
schichtkondensator mit dem selben Verfahren wie der vorher
gehende Kondensator gebildet, jedoch mit der Ausnahme, daß
die Ecken der nicht verbundenen internen Elektroden 7a, 7c,
8a, 8c, 9a und 9c nicht abgerundet wurden.
Für die Mehrschichtkondensatoren des Beispiels und der Ver
gleichsbeispiele 1 und 2 wurde die Wechselstromdurchbruch
spannung durch einen Wechselstromdurchbruchspannungstest in
Luft und in Silikonöl gemessen. Die Ergebnisse der Messung
sind im folgenden zusammen mit den Schwankungen X3CV der
Durchbruchspannung bei einer Messung von 20 Tests in Tabelle
1 gezeigt.
Die folgende Tabelle 1 zeigt ferner das Auftreten eines
Überschlags jedes Mehrschichtkondensators.
Tabelle 1 zeigt an, daß bei dem Mehrschichtkondensator des
Vergleichsbeispiels 1 die Durchbruchspannung in Luft 2,5
kVAC, die Durchbruchspannung in Silikonöl 4,5 kVAC und das
Auftreten eines Überschlags in Luft 100% ist, während bei
dem Vergleichsbeispiel 2 die Durchbruchspannung in Luft auf
3,3 kVAC erhöht und ferner die Schwankung X3CV auf 20%
verringert ist. Dies ist aufgrund der Schichten niedriger
Dielektrizitätskonstante möglich, die bei dem Vergleichs
beispiel 2 vorgesehen sind. Doch selbst bei dem Vergleichs
beispiel 2 beträgt das Auftreten eines Überschlags 100%.
Andererseits liegt bei dem Mehrschichtkondensator des Bei
spiels die Durchbruchspannung in Luft sogar bei 4.5 kVAC,
wobei ferner die Schwankung X3CV auf 14% verringert ist.
Zusätzlich tritt kein Überschlag in Luft auf.
Wie es im vorhergehenden beschrieben wurde, ist eine Mehr
zahl der dritten internen Elektroden zwischen den ersten und
zweiten internen Elektroden angeordnet, um zumindest vier
Kapazitätsherausführungsabschnitte zu bilden, die seriell
geschaltet sind, wodurch der Spannungswiderstand wirksam
verbessert wird. Ferner sind die Schichten niedriger Di
elektrizitätskonstante, die eine niedrige relative Di
elektrizitätskonstante aufweisen, an der oberen und unteren
Seite des Abschnitts gebildet, der die ersten bis dritten
internen Elektroden aufweist, wodurch ein Überschlag auf der
oberen und unteren Seite der Keramiksinterformteils wirksam
unterdrückt wird. Darüberhinaus sind bei den dritten inter
nen Elektroden, die den ersten und zweiten internen Elek
troden in der Richtung einer Linie, die die erste und die
zweite Endoberfläche verbindet gegenüberliegen, die Ecken an
den Seiten, die den ersten und den zweiten internen Elek
troden gegenüberliegen, abgerundet, wodurch ein Überschlag
auf beiden Seiten des Sinterformteils sicher unterdrückt
wird.
Es ist daher möglich, einen Hochspannungsmehrschichtkonden
sator zu schaffen, der für Hochspannungsanwendungen geeignet
ist und eine hervorragende Zuverlässigkeit aufweist.
Bei der vorliegenden Erfindung ist eine Mehrzahl von Struk
turen, die jeweils zumindest vier Kapazitätsherausführungs
abschnitte aufweisen, die durch die ersten bis dritten in
ternen Elektroden gebildet und seriell geschaltet sind, in
dem Keramiksinterformteil in der Dickenrichtung derselben
gebildet. Es ist folglich möglich, einen Hochspannungsmehr
schichtkondensator mit einem hervorragenden Spannungs
widerstand zu liefern, der weniger Überschläge bewirkt.
Da die Schichten niedriger Dielektrizitätskonstante in den
Schichten, die am weitesten außen in der vertikalen Richtung
des Keramiksinterformteils liegen, angeordnet sind, ist es
möglich, einen Überschlag auf der oberen und unteren Seite
des Keramiksinterformteils sicher zu verhindern.
Darüberhinaus sind die ersten nicht verbundenen internen
Elektroden auf derselben Höhe wie die ersten und die zweiten
internen Elektroden angeordnet, und die zweiten nicht ver
bundenen internen Elektroden sind angeordnet, um über eine
Keramiksinterschicht mit den benachbarten Elektroden der
ersten internen Elektrode, der Mehrzahl der ersten nicht
verbundenen internen Elektroden und der zweiten internen
Elektrode zu überlappen. Beim Herstellen eines Mehrschicht
kondensators durch Verwenden der Mehrschichtkeramikintegral
sintertechnik, die Keramikgrünschichten verwendet, können
die erste und die zweite interne Elektrode und die ersten
nicht verbundenen internen Elektroden folglich auf derselben
Keramikgrünschicht gebildet werden, wodurch das Herstel
lungsverfahren vereinfacht wird.
Claims (4)
1. Hochspannungsmehrschichtkondensator (1) mit:
einem Keramiksinterformteil (2) mit einer ersten und einer zweiten Endoberfläche (2d, 2e), die sich gegen überliegen;
einer ersten und einer zweiten internen Elektrode (5a-5c, 6a-6c), die in dem Keramiksinterformteil (2) an geordnet sind, um aus der ersten bzw. der zweiten End oberfläche (2d, 2e) herausgeführt zu sein;
einer Mehrzahl von dritten internen Elektroden (7a-7c, 8a-8c, 9a-9c), die zwischen der ersten und der zweiten internen Elektrode (5a-5c, 6a-6c) angeord net sind, um eine Mehrzahl von Kapazitätsherausfüh rungsabschnitten zu bilden, die in der Richtung von der ersten internen Elektrode (5a-5c) zu der zweiten internen Elektrode (6a-6c) seriell geschaltet sind;
einer ersten und einer zweiten externen Elektrode (3, 4), die auf der ersten bzw. der zweiten Endoberfläche (2d, 2e) gebildet sind, um mit der ersten bzw. mit der zweiten internen Elektrode (5a-5c, 6a-6c) verbunden zu sein; und
Schichten mit niedriger Dielektrizitätskonstante, die auf der oberen und der unteren Seite des Abschnitts, der die ersten bis dritten internen Elektroden (5a-5c, 6a-6c, 7a-7c, 8a-8c, 9a-9c) des Keramiksinter formteils (2) aufweist, gebildet sind, und die eine niedrigere relative Dielektrizitätskonstante als der Abschnitt, der die ersten bis dritten internen Elek troden (5a-5c, 6a-6c, 7a-7c, 8a-8c, 9a-9c) aufweist, haben;
wobei die Mehrzahl von dritten internen Elektroden (7a- 7c, 8a-8c, 9a-9c) zwischen der ersten und der zweiten internen Elektrode (5a-5c, 6a-6c) angeord net ist, um zumindest vier Kapazitätsherausführungs abschnitte zu bilden, die seriell geschaltet sind; und
wobei bei den dritten internen Elektroden (7a, 7c, 8a, 8c, 9a, 9c), die der ersten und der zweiten internen Elektrode (5a-5c, 6a-6c) in der Richtung einer Li nie, die die erste und die zweite Endoberfläche (2d, 2e) verbindet, gegenüberliegen, die Ecken auf den Sei ten der dritten internen Elektroden (7a, 7c, 8a, 8c, 9a, 9c), die der ersten und der zweiten internen Elek trode (5a-5c, 6a-6c) gegenüberliegen, abgerundet sind.
einem Keramiksinterformteil (2) mit einer ersten und einer zweiten Endoberfläche (2d, 2e), die sich gegen überliegen;
einer ersten und einer zweiten internen Elektrode (5a-5c, 6a-6c), die in dem Keramiksinterformteil (2) an geordnet sind, um aus der ersten bzw. der zweiten End oberfläche (2d, 2e) herausgeführt zu sein;
einer Mehrzahl von dritten internen Elektroden (7a-7c, 8a-8c, 9a-9c), die zwischen der ersten und der zweiten internen Elektrode (5a-5c, 6a-6c) angeord net sind, um eine Mehrzahl von Kapazitätsherausfüh rungsabschnitten zu bilden, die in der Richtung von der ersten internen Elektrode (5a-5c) zu der zweiten internen Elektrode (6a-6c) seriell geschaltet sind;
einer ersten und einer zweiten externen Elektrode (3, 4), die auf der ersten bzw. der zweiten Endoberfläche (2d, 2e) gebildet sind, um mit der ersten bzw. mit der zweiten internen Elektrode (5a-5c, 6a-6c) verbunden zu sein; und
Schichten mit niedriger Dielektrizitätskonstante, die auf der oberen und der unteren Seite des Abschnitts, der die ersten bis dritten internen Elektroden (5a-5c, 6a-6c, 7a-7c, 8a-8c, 9a-9c) des Keramiksinter formteils (2) aufweist, gebildet sind, und die eine niedrigere relative Dielektrizitätskonstante als der Abschnitt, der die ersten bis dritten internen Elek troden (5a-5c, 6a-6c, 7a-7c, 8a-8c, 9a-9c) aufweist, haben;
wobei die Mehrzahl von dritten internen Elektroden (7a- 7c, 8a-8c, 9a-9c) zwischen der ersten und der zweiten internen Elektrode (5a-5c, 6a-6c) angeord net ist, um zumindest vier Kapazitätsherausführungs abschnitte zu bilden, die seriell geschaltet sind; und
wobei bei den dritten internen Elektroden (7a, 7c, 8a, 8c, 9a, 9c), die der ersten und der zweiten internen Elektrode (5a-5c, 6a-6c) in der Richtung einer Li nie, die die erste und die zweite Endoberfläche (2d, 2e) verbindet, gegenüberliegen, die Ecken auf den Sei ten der dritten internen Elektroden (7a, 7c, 8a, 8c, 9a, 9c), die der ersten und der zweiten internen Elek trode (5a-5c, 6a-6c) gegenüberliegen, abgerundet sind.
2. Hochspannungsmehrschichtkondensator (1) gemäß Anspruch
1, bei dem eine Mehrzahl von Strukturen, von denen jede
zumindest vier Kapazitätsherausführungsabschnitte auf
weist, die durch die ersten bis dritten internen Elek
troden (5a-5c, 6a-6c, 7a-7c, 8a-8c, 9a-9c)
gebildet sind, in dem Keramiksinterformteil (2) in der
Dickenrichtung desselben gebildet sind.
3. Hochspannungsmehrschichtkondensator (1) gemäß Anspruch
1 oder 2, bei dem die Schichten (2b, 2c) mit niedriger
Dielektrizitätskonstante in den äußersten Schichten in
der vertikalen Richtung des Keramiksinterformteils (2)
angeordnet sind.
4. Hochspannungsmehrschichtkondensator (1) gemäß einem der
Ansprüche 1 bis 3, bei dem die Mehrzahl von dritten in
ternen Elektroden (7a-7c, 8a-8c, 9a-9c) eine
Mehrzahl von ersten nicht verbundenen internen Elektro
den, die in der Richtung einer Linie, die die erste und
die zweite Endoberfläche (2d, 2e) verbindet, auf der
selben Höhe wie die erste und die zweite interne Elek
trode (5a-5c, 6a-6c) beabstandet sind, und eine
Mehrzahl von zweiten nicht verbundenen internen Elek
troden (10a-10c, 11a-11c) aufweist, die angeordnet
sind, um über einer Keramiksinterformteilschicht mit
den benachbarten Elektroden der ersten internen Elek
troden (5a-5c), der Mehrzahl von ersten nicht verbun
denen internen Elektroden (7a-7c, 8a-8c, 9a-9c)
und der zweiten internen Elektrode (6a-6c) zu über
lappen.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP02594298A JP3233090B2 (ja) | 1998-02-06 | 1998-02-06 | 高圧用積層コンデンサ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE19904725A1 true DE19904725A1 (de) | 1999-08-19 |
Family
ID=12179819
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19904725A Ceased DE19904725A1 (de) | 1998-02-06 | 1999-02-05 | Hochspannungsmehrschichtkondensator |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6134098A (de) |
JP (1) | JP3233090B2 (de) |
DE (1) | DE19904725A1 (de) |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
8131 | Rejection |