EP1321843A1 - Stromquellenschaltung - Google Patents

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EP1321843A1
EP1321843A1 EP02102824A EP02102824A EP1321843A1 EP 1321843 A1 EP1321843 A1 EP 1321843A1 EP 02102824 A EP02102824 A EP 02102824A EP 02102824 A EP02102824 A EP 02102824A EP 1321843 A1 EP1321843 A1 EP 1321843A1
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    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
    • G05F3/00—Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
    • G05F3/02—Regulating voltage or current
    • G05F3/08—Regulating voltage or current wherein the variable is dc
    • G05F3/10—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics
    • G05F3/16—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices
    • G05F3/20—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations
    • G05F3/26—Current mirrors
    • G05F3/262—Current mirrors using field-effect transistors only

Definitions

  • the invention relates to a current source circuit in which a first and a second MOS field effect transistor form a current mirror circuit, the first MOS field effect transistor via a third MOS field-effect transistor connected in cascode a reference current can be supplied and the drain electrode with the second MOS field-effect transistor fourth MOS field-effect transistor connected in cascode has an output forms.
  • a simple current mirror circuit consists of two transistors, in particular MOS field-effect transistors, whose source and gate electrodes are connected to each other are. Furthermore, the gate electrode and the drain electrode of the one transistor are together connected and are acted upon by a reference current. The drain electrode of the other MOS field effect transistor can then the desired output current be removed. However, this is different from that on the other MOS field-effect transistor following also called output transistor - depending on the applied voltage, since its Parameters are voltage dependent.
  • the object of the invention is to provide a current source circuit which is large Output voltage range has a high output impedance.
  • This object is achieved in that the source electrodes of the third and the fourth MOS field effect transistor connected to inputs of a control amplifier are, the output with the gate electrode of the fourth MOS field effect transistor is connected that the fourth MOS field effect transistor is an extended drain MOS field effect transistor and that the drain electrode and the gate electrode of the fourth MOS field effect transistor connected to one another via a further MOS field effect transistor are whose gate electrode is supplied with an operating voltage for the circuit is.
  • an embodiment of the invention is particularly advantageous, that the extended drain MOS field effect transistor is an extended drain n well MOS field effect transistor and that the further MOS field-effect transistor is a p-channel MOS field-effect transistor is.
  • the current source circuit according to the invention has the advantage of a high output impedance over a very wide output voltage range, with the output voltage may exceed the operating voltage allowed for this technology. To reach these properties are no additional mask steps for special high-voltage transistors needed. Furthermore, the current source circuit according to the invention can also be operated at an output voltage that is higher than the operating voltage of the rest Circuit is. In addition, the current source circuit according to the invention has a high accuracy of the current mirror ratio in the operating voltage, output voltage and temperature range.
  • the current source circuit according to the invention serves as a current mirror when the reference current is fed from the outside.
  • the invention provides Power source switching is also a highly accurate power source.
  • the current source circuit according to the invention has the advantage that, in contrast to other known circuits is not destroyed if one at the output transistor Voltage is present while the circuit itself, i.e. the control amplifier and others Circuit elements are not yet supplied with an operating voltage.
  • the current source circuit according to the invention has the advantage that it is highly integrated Standard CMOS technologies can be used. By avoiding the hot carrier effect at high output voltages, the lifespan of the power source circuit also increases.
  • Another advantageous embodiment is designed such that the output of the control amplifier via a resistor to the gate electrode of the fourth MOS field effect transistor is connected, wherein it is preferably provided that the control amplifier is formed by an operational transconductance amplifier.
  • Extended-drain MOS field-effect transistors which are also lightly doped drain n-well transistors or lightly doped drift region transistor are described, for example in: Y.Q. Li, C.A.T. Salama, M. Seufert, M. King “Submicron BiCMOS compatible highvoltage MOS transistors ", ISPSD Proc., 1994, pp. 355-359.
  • the transistors are designed as n-channel MOS field-effect transistors.
  • a first MOS field effect transistor 1 and a second MOS field effect transistor 2 represents the actual current mirror, to which a reference current Iin is fed via an input 5 can be.
  • a current mirror circuit is known per se and needs context not to be explained in more detail with the present invention. However, it is briefly mentioned that the current Iout that can be taken from the output 6 in one pass Transistor geometries certain ratio to the reference current Iin is.
  • the MOS field-effect transistor 4 hereinafter also referred to as the output transistor.
  • an OTA (operational transconductance amplifier) 7 the two source voltages of the cascode transistors 3, 4 compared with each other, whereby a control signal arises, which is fed via a resistor 8 to the gate electrode of the output transistor 4 becomes.
  • a MOS field effect transistor is used to dampen the tendency to oscillate in the control loop 9 connected as a capacitance between the output of the OTA 7 and ground potential.
  • the n-well drift region achieves a long service life up to the maximum output voltage.
  • a gate oxide breakdown is achieved under all conditions by the transistor combination 10, 11, 12 prevented.
  • Embodiment protects the series circuit from a p-channel MOS field effect transistor 10 and the two n- or p-channel MOS field-effect transistors connected as diodes 11 and 12 the output transistor 4 in the event that a voltage at the output 6 is already present, while the operating voltage supplied at 13 is not (yet) present is.
  • the transistor 10 receives 0V as the gate potential and switches via the MOS field-effect transistors 11, 12 the gate-drain voltage of the output transistor 4 a value that is below the gate oxide breakdown voltage.
  • the resistance serves 8 for decoupling the OTA output. After starting the operating voltage at 13 the MOS field-effect transistor 10 switches off, so that the function of the cascode control is no longer influenced.

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Abstract

Bei einer Stromquellenschaltung, bei welcher ein erster und ein zweiter MOS-Feldeffekttransistor eine Stromspiegelschaltung bilden, wobei dem ersten MOS-Feldeffekttransistor über einen in Kaskode geschalteten dritten MOS-Feldeffekttransistor ein Referenzstrom zuführbar ist und die Drain-Elektrode eines mit dem zweiten MOS-Feldeffekttransistor in Kaskode geschalteten vierten MOS-Feldeffekttransistor einen Ausgang bildet, sind die Source-Elektroden des dritten und des vierten MOS-Feldeffekttransistors an Eingänge eines Regelverstärkers angeschlossen, dessen Ausgang mit der Gate-Elektrode des vierten MOS-Feldeffekttransistors verbunden ist. Der vierte MOS-Feldeffekttransistor ist ein Extended-drain-MOS-Feldeffekttransistor. Die Drain-Elektrode und die Gate-Elektrode des vierten MOS-Feldeffekttransistors sind über einen weiteren MOS-Feldeffekttransistor miteinander verbunden, dessen Gate-Elektrode mit einer Betriebsspannung für die Schaltung beaufschlagt ist. <IMAGE>

Description

Die Erfindung betrifft eine Stromquellenschaltung, bei welcher ein erster und ein zweiter MOS-Feldeffekttransistor eine Stromspiegelschaltung bilden, wobei dem ersten MOS-Feldeffekttransistor über einen in Kaskode geschalteten dritten MOS-Feldeffekttransistor ein Referenzstrom zuführbar ist und die Drain-Elektrode eines mit dem zweiten MOS-Feldeffekttransistor in Kaskode geschalteten vierten MOS-Feldeffekttransistors einen Ausgang bildet.
Für verschiedene schaltungstechnische Zwecke werden Stromquellen benötigt, die eine möglichst hohe Ausgangsimpedanz aufweisen sollten. Je höher die Ausgangsimpedanz, desto geringer ist die Abhängigkeit des Ausgangsstroms von der anliegenden Spannung.
Eine einfache Stromspiegelschaltung besteht aus zwei Transistoren, insbesondere MOS-Feldeffekttransistoren, deren Source- und Gate-Elektroden jeweils miteinander verbunden sind. Ferner sind die Gate-Elektrode und die Drain-Elektrode des einen Transistors miteinander verbunden und werden von einem Referenzstrom beaufschlagt. Der Drain-Elektrode des anderen MOS-Feldeffekttransistors kann dann der gewünschte Ausgangsstrom entnommen werden. Dieser ist jedoch von der am anderen MOS-Feldeffekttransistor - im folgenden auch Ausgangstransistor genannt - anliegenden Spannung abhängig, da dessen Parameter spannungsabhängig sind.
Eine Verminderung dieser Abhängigkeiten ist mit Kaskode-Schaltungen möglich, wie sie beispielsweise in US 5,844,434 dargestellt sind. Zur weiteren Stabilisierung des Stroms ist es beispielsweise aus JP 0060061859 AA bekanntgeworden, die Source-Elektrode des Ausgangstransistors durch Steuerung der Gate-Elektrode auf konstantes Potential zu regeln. Damit wird die Ausgangsimpedanz gegenüber einer einfachen Kaskode-Schaltung um die Schleifenverstärkung erhöht.
Diese hohe Ausgangsimpedanz steht bei Realisierung in einem Sub-micron-Prozess jedoch nur in einem begrenzten Ausgangsspannungsbereich zur Verfügung. Bei höheren Ausgangsspannungen fließt aufgrund des Hot-carrier-Effekts ein Substratstrom direkt vom Drain des Kaskode-Transistors zum Substrat. Dieser Substratstrom wird durch die Regelung nicht beeinflußt und führt zu einer drastischen Verringerung der Ausgangsimpedanz. Selbst durch höhere Kanallänge des Ausgangstransistors läßt sich die Reduktion der Ausgangsimpedanz nur geringfügig kompensieren.
Aufgabe der Erfindung ist es, eine Stromquellenschaltung anzugeben, die in einem großen Ausgangsspannungsbereich eine hohe Ausgangsimpedanz aufweist.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, dass die Source-Elektroden des dritten und des vierten MOS-Feldeffekttransistors an Eingänge eines Regelverstärkers angeschlossen sind, dessen Ausgang mit der Gate-Elektrode des vierten MOS-Feldeffekttransistors verbunden ist, dass der vierte MOS-Feldeffekttransistor ein Extended-drain-MOS-Feldeffekttransistor ist und dass die Drain-Elektrode und die Gate-Elektrode des vierten MOS-Feldeffekttransistors über einen weiteren MOS-Feldeffekttransistor miteinander verbunden sind, dessen Gate-Elektrode mit einer Betriebsspannung für die Schaltung beaufschlagt ist.
Da die eingangs genannten Probleme bei n-Kanal-MOS-Feldeffekttransistoren wesentlich gravierender auftreten, ist eine Ausgestaltung der Erfindung derart besonders vorteilhaft, dass der Extended-drain-MOS-Feldeffekttransistor ein Extended-drain-n-well-MOS-Feldeffekttransistor ist und dass der weitere MOS-Feldeffekttransistor ein p-Kanal-MOS-Feldeffekttransistor ist.
Die erfindungsgemäße Stromquellenschaltung weist den Vorteil einer hohen Ausgangsimpedanz über einen sehr großen Ausgangsspannungsbereich auf, wobei die Ausgangsspannung die für diese Technologie zulässige Betriebsspannung überschreiten kann. Zum Erreichen dieser Eigenschaften werden keine zusätzlichen Maskenschritte für spezielle Hochvolttransistoren benötigt. Ferner kann die erfindungsgemäße Stromquellenschaltung auch bei einer Ausgangsspannung betrieben werden, die höher als die Betriebsspannung der übrigen Schaltung ist. Außerdem weist die erfindungsgemäße Stromquellenschaltung eine hohe Genauigkeit des Stromspiegelverhältnisses im Betriebsspannungs-, Ausgangsspannungs- und Temperaturbereich auf.
Die erfindungsgemäße Stromquellenschaltung dient als Stromspiegel, wenn der Referenzstrom von außen zugeführt wird. Mit einer internen Referenzstromquelle stellt die erfindungsgemäße Stromquellenschaltung auch eine hochgenaue Stromquelle dar.
Neben der hohen Ausgangsimpedanz in einem großen Ausgangsspannungsbereich weist die erfindungsgemäße Stromquellenschaltung den Vorteil auf, dass sie im Gegensatz zu anderen bekannten Schaltungen nicht zerstört wird, wenn am Ausgangstransistor eine Spannung anliegt, während die Schaltung selbst, also der Regelverstärker und weitere Schaltungselemente noch nicht mit einer Betriebsspannung versorgt werden. Schließlich hat die erfindungsgemäße Stromquellenschaltung den Vorteil, dass sie in hochintegrierten Standard-CMOS-Technologien einsetzbar ist. Durch die Vermeidung des Hot-carrier-Effekts bei hohen Ausgangsspannungen erhöht sich außerdem die Lebensdauer der Stromquellenschaltung.
Eine vorteilhafte Ausgestaltung der erfindungsgemäßen Stromquellenschaltung besteht darin, dass mit dem weiteren MOS-Feldeffekttransistor mindestens ein als Diode geschalteter MOS-Feldeffekttransistor in Reihe geschaltet ist.
Eine andere vorteilhafte Ausgestaltung ist derart ausgebildet, dass der Ausgang des Regelverstärkers über einen Widerstand mit der Gate-Elektrode des vierten MOS-Feldeffekttransistors verbunden ist, wobei vorzugsweise vorgesehen ist, dass der Regelverstärker von einem Operational-transconductance-amplifier gebildet ist. Bei dieser Ausgestaltung wird vermieden, dass für den Fall einer Spannung am Ausgangstransistor, die höher als die Betriebsspannung ist, der von dem weiteren MOS-Feldeffekttransistor zur Gate-Elektrode geleitete Strom durch ausgangsseitig im Regelverstärker befindliche Dioden kurzgeschlossen wird.
Extended-drain-MOS-Feldeffekttransistoren, die auch lightly doped drain n-well transistor oder lightly doped drift region transistor genannt werden, sind beispielsweise beschrieben in: Y.Q. Li, C.A.T. Salama, M. Seufert, M. King "Submicron BiCMOS compatible highvoltage MOS transistors", ISPSD Proc., 1994, pp. 355-359.
Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung ist in der Zeichnung dargestellt und in der nachfolgenden Beschreibung näher erläutert. Dabei sind - von näher angegebenen Ausnahmen abgesehen, die Transistoren als n-Kanal-MOS-Feldeffekttransistoren ausgebildet.
Ein erster MOS-Feldeffekttransistor 1 und ein zweiter MOS-Feldeffekttransistor 2 stellen den eigentlichen Stromspiegel dar, dem über einen Eingang 5 ein Referenzstrom Iin zugeführt werden kann. Eine Stromspiegelschaltung ist an sich bekannt und braucht im Zusammenhang mit der vorliegenden Erfindung nicht näher erläutert zu werden. Es sei jedoch kurz erwähnt, dass der dem Ausgang 6 entnehmbare Strom Iout in einem durch Transistorgeometrien bestimmten Verhältnis zum Referenzstrom Iin steht. Um die Wirkung verschieden hoher Spannungen am Eingang 5 und am Ausgang 6 zu vermindern, ist ein dritter Transistor 3 mit einer bei 14 zugeführten Vorspannung und ein vierter Transistor dem ersten und zweiten Transistor jeweils in Kaskode zugeschaltet, wobei der MOS-Feldeffekttransistor 4 im folgenden auch Ausgangstransistor genannt wird. Außerdem werden in einem OTA (Operational-transconductance-amplifier) 7 die beiden Source-Spannungen der Kaskode-Transistoren 3, 4 miteinander verglichen, wodurch ein Steuersignal entsteht, das über einen Widerstand 8 der Gate-Elektrode des Ausgangstransistors 4 zugeführt wird. Zur Dämpfung der Schwingneigung der Regelschleife ist ein MOS-Feldeffekttransistor 9 als Kapazität zwischen den Ausgang des OTA 7 und Massepotential geschaltet.
Der Trend moderner CMOS-Technologien geht zu weiterer Verringerung der Transistorabmessungen und Verringerung der Gate-oxide-Dicke der Transistoren. Damit verbunden ist eine Reduzierung der Versorgungsspannung solcher in Deep-submicron-Technologie gefertigter Chips. In bestimmten Applikationen, wie zum Beispiel Interface mit Chips höherer Versorgungsspannung oder Ansteuerung von Leistungstreibern, ist es erforderlich, dass die Ausgangsstufe eine höhere Spannung als die eigene, für diese Technologie zulässige Versorgungsspannung annehmen kann. Für solche "High-voltage"-Applikationen stellt dabei die Lebensdauer der in der Ausgangsstufe zum Einsatz kommenden Transistoren das Hauptproblem dar.
Durch den Einsatz eines Extended-drain-Transistors wird bei geeigneter Dimensionierung der n-Well-drift-region eine hohe Lebensdauer bis zur maximalen Ausgangsspannung erzielt. Ein Gate-oxide-breakdown wird unter allen Bedingungen durch die Transistorkombination 10, 11, 12 verhindert.
In Schaltungssystemen mit unterschiedlichen Spannungsversorgungen kann es vorkommen, dass die Spannungsversorgung nach dem Starten bereits den maximalen Spannungswert erreicht hat, eine andere Spannungsversorgung aber noch nicht vorhanden ist. Für diesen Betriebszustand ist ein sogenannter Fail-save-mode erforderlich. Bei dem dargestellten Ausführungsbeispiel schützt die Reihenschaltung aus einem p-Kanal-MOS-Feldeffekttransistor 10 und den beiden als Dioden geschalteten n- bzw. p-Kanal-MOS-Feldeffekttransistoren 11 und 12 den Ausgangstransistor 4 für den Fall, dass eine Spannung am Ausgang 6 bereits anliegt, während die bei 13 zugeführte Betriebsspannung (noch) nicht vorhanden ist. Der Transistor 10 erhält dabei als Gate-Potential 0V und schaltet über die MOS-Feldeffekttransistoren 11, 12 die Gate-drain-Spannung des Ausgangstransistors 4 auf einen Wert, der unter der Gate-oxide-Durchbruchsspannung liegt. Dabei dient der Widerstand 8 zur Entkopplung des OTA-Ausgangs. Nach dem Aufstarten der Betriebsspannung bei 13 schaltet der MOS-Feldeffekttransistor 10 ab, so dass die Funktion der Kaskode-Regelung nicht mehr beeinflußt wird.

Claims (5)

  1. Stromquellenschaltung, bei welcher ein erster und ein zweiter MOS-Feldeffekttransistor eine Stromspiegelschaltung bilden, wobei dem ersten MOS-Feldeffekttransistor über einen in Kaskode geschalteten dritten MOS-Feldeffekttransistor ein Referenzstrom zuführbar ist und die Drain-Elektrode eines mit dem zweiten MOS-Feldeffekttransistor in Kaskode geschalteten vierten MOS-Feldeffekttransistors einen Ausgang bildet,
    dadurch gekennzeichnet, dass die Source-Elektroden des dritten (3) und des vierten (4) MOS-Feldeffekttransistors an Eingänge eines Regelverstärkers (7) angeschlossen sind, dessen Ausgang mit der Gate-Elektrode des vierten MOS-Feldeffekttransistors (4) verbunden ist, dass der vierte MOS-Feldeffekttransistor (4) ein Extended-drain-MOS-Feldeffekttransistor ist und dass die Drain-Elektrode und die Gate-Elektrode des vierten MOS-Feldeffekttransistors (4) über einen weiteren MOS-Feldeffekttransistor (10) miteinander verbunden sind, dessen Gate-Elektrode mit einer Betriebsspannung für die Schaltung beaufschlagt ist.
  2. Stromquellenschaltung nach Anspruch 1,
    dadurch gekennzeichnet, dass der Extended-drain-MOS-Feldeffekttransistor ein Extended-drain-n-well-MOS-Feldeffekttransistor (4) ist und dass der weitere MOS-Feldeffekttransistor ein p-Kanal-MOS-Feldeffekttransistor (10) ist.
  3. Stromquellenschaltung nach Anspruch 2,
    dadurch gekennzeichnet, dass mit dem weiteren MOS-Feldeffekttransistor (10) mindestens ein als Diode geschalteter MOS-Feldeffekttransistor (11, 12) in Reihe geschaltet ist.
  4. Stromquellenschaltung nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
    dadurch gekennzeichnet, dass der Ausgang des Regelverstärkers (7) über einen Widerstand (8) mit der Gate-Elektrode des vierten MOS-Feldeffekttransistors (4) verbunden ist.
  5. Stromquellenschaltung nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
    dadurch gekennzeichnet, dass der Regelverstärker von einem Operational-transconductance-amplifier (7) gebildet ist.
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