DE4431466C1 - Spannungsregler - Google Patents

Spannungsregler

Info

Publication number
DE4431466C1
DE4431466C1 DE4431466A DE4431466A DE4431466C1 DE 4431466 C1 DE4431466 C1 DE 4431466C1 DE 4431466 A DE4431466 A DE 4431466A DE 4431466 A DE4431466 A DE 4431466A DE 4431466 C1 DE4431466 C1 DE 4431466C1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
channel transistor
output
voltage regulator
channel
current mirror
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE4431466A
Other languages
English (en)
Inventor
Ulrich Dr Ing Theus
Mario Dipl Ing Motz
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TDK Micronas GmbH
Original Assignee
Deutsche ITT Industries GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Deutsche ITT Industries GmbH filed Critical Deutsche ITT Industries GmbH
Priority to DE4431466A priority Critical patent/DE4431466C1/de
Priority to US08/449,494 priority patent/US5510699A/en
Priority to EP95108202A priority patent/EP0685782B1/de
Priority to DE59509702T priority patent/DE59509702D1/de
Priority to JP7133044A priority patent/JPH08161066A/ja
Priority to KR1019950014053A priority patent/KR950034972A/ko
Application granted granted Critical
Publication of DE4431466C1 publication Critical patent/DE4431466C1/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
    • H01L27/08—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind
    • H01L27/085—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind including field-effect components only
    • H01L27/088—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind including field-effect components only the components being field-effect transistors with insulated gate
    • H01L27/092—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind including field-effect components only the components being field-effect transistors with insulated gate complementary MIS field-effect transistors
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02J—CIRCUIT ARRANGEMENTS OR SYSTEMS FOR SUPPLYING OR DISTRIBUTING ELECTRIC POWER; SYSTEMS FOR STORING ELECTRIC ENERGY
    • H02J7/00—Circuit arrangements for charging or depolarising batteries or for supplying loads from batteries
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
    • G05F1/00—Automatic systems in which deviations of an electric quantity from one or more predetermined values are detected at the output of the system and fed back to a device within the system to restore the detected quantity to its predetermined value or values, i.e. retroactive systems
    • G05F1/10—Regulating voltage or current
    • G05F1/46—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc
    • G05F1/56—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc using semiconductor devices in series with the load as final control devices
    • G05F1/563—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc using semiconductor devices in series with the load as final control devices including two stages of regulation at least one of which is output level responsive, e.g. coarse and fine regulation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Radar, Positioning & Navigation (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Amplifiers (AREA)
  • Continuous-Control Power Sources That Use Transistors (AREA)

Description

Die Erfindung betrifft einen Spannungsregler mit einem ersten p-Kanal-MOS-Transistor und einem dazu parallelgeschalteten ersten n-Kanal-MOS-Transistor, deren Gate- Anschlüsse mit einem Ausgang eines Regelverstärkers gekoppelt sind, wobei der Source- Anschluß des ersten p-Kanal-Transistors mit einem ersten und der Source-Anschluß des ersten n-Kanal-Transistors mit einem zweiten Festpunkt verbunden ist, und mit einer Schalteinrichtung, die den Strom des ersten p-Kanal-Transistors und den Strom des ersten n-Kanal-Transistors zur Differenzbildung in einen mit einer Ausgangsleitung verbundenen Knotenpunkt koppelt.
Ein solcher Spannungsregler ist aus DE 42 42 989 C1 bekannt. Er wird für zu regelnde IC-interne Referenz- bzw. Versorgungsspannungen, z. B. für die Versorgungsspannung und den Betrieb von Hallelementen, verwendet. Er hat den wesentlichen Vorteil, daß keine externen Bauelemente erforderlich sind, und somit die Anzahl der Anschlußbeine eines Chips und das Einfangen äußerer elektromagnetischer Strahlung verringert werden kann. Dies ist bei der Verwendung des Spannungsreglers in der Automobiltechnik wesentlich. Durch die beschriebene Anordnung des ersten p- Kanal-Transistors und des ersten n-Kanal-Transistors wird eine lineare Übertragungskennlinie der Ausgangsstufe des Spannungsreglers erzielt. Diese kommt durch die Überlagerung der Ausgangsströme der beiden Transistoren mit quadratischen Kennlinien in dem Knotenpunkt zustande. Durch die lineare Übertragungskennlinie wird vermieden, daß bei hochfrequenten Störeinstrahlungen die geregelte Spannung des ICs moduliert wird. Dies ist insbesondere wichtig, wenn HF-Störstrahlung mit großen Amplituden auftreten kann, wie dies z. B. beim Einsatz in der Automobiltechnik der Fall ist. Der Treibertransistor für die Ausgangsleitung ist ein als Source-Stufe ausgebildeter n- Kanal-Transistor.
Ein Nachteil des bekannten Spannungsreglers besteht darin, daß der dynamische Ausgangswiderstand, insbesondere bei hohen Frequenzen groß ist. Dadurch wird die Unterdrückung des Einflusses von HF-Störstrahlung begrenzt.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen Spannungsregler zu schaffen, bei dem HF-Störeinflüsse besser unterdrückt werden.
Diese Aufgabe wird durch einen gattungsgemäßen Spannungsregler gelöst, bei dem der erste Festpunkt der Knotenpunkt ist. Die Festpunkte haben ein bezüglich der geregelten Ausgangsspannung festes Potential.
Bei dem erfindungsgemäßen Spannungsregler ist der Source-Anschluß des ersten p- Kanal-Transistors mit der Ausgangsleitung gekoppelt. Dieser p-Kanal-Transistor ist dabei als Sourcefolgerstufe geschaltet. Er hat über den gesamten Frequenzbereich einen relativ niedrigen dynamischen Ausgangswiderstand, auch ohne Rückkopplung. Der dynamische Ausgangswiderstand ohne Rückkopplung ist über den gesamten Frequenzbereich insbesonders niedriger als der mit einem als Sourcestufe geschalteten n-Kanal-Transitor gemäß dem oben erwähnten Stand der Technik erzielte Ausgangswiderstand. Als Folge wird eine HF-Störstrahlung bei dem erfindungsgemäßen Spannungsregler besser unterdrückt und das EMV(Elektromagnetische Verträglichkeit)-Verhalten des Spannungsreglers verbessert. Durch Schaltung des p-Kanal-Transistors als Sourcefolgestufe wird eine unmittelbare Wirkung der ansteuernden Spannung der Endstufe (von dem Ausgang des Regelverstärker bzw. der Vorstufe kommende Spannung) auf die Ausgangsspannung des Spannungsreglers erreicht, auch ohne Rückkopplung. Die Kopplung des Source-Anschlusses des p-Kanal-Transistors mit der Ausgangsleitung hat ferner den Vorteil, daß die Steuerspannung am Gate ein niedrigeres Potential aufweist als bei einer vergleichbaren Source-Folgerschaltung eines n-Kanal Enhancement-Transistors. Damit kann der Regelverstärker auch bei einer niedrigen Betriebsspannung ohne Beeinträchtigung den p-Kanal-Transistor ansteuern. Für die Transistoren können MOS-Enhancement-Transistoren verwendet werden.
Vorteilhafterweise ist der erste p-Kanal-Transistor der Treibertransistor für die Ausgangsleitung. In diesem Fall erfolgt die Unterdrückung der Störstrahlung besonders wirkungsvoll.
Gemäß einem vorteilhaften Ausführungsbeispiel der Erfindung kann die Schalteinrichtung einen p-Kanal-Stromspiegel umfassen, dessen Eingang mit dem Drain- Anschluß des ersten n-Kanal-Transistors gekoppelt ist und dessen erster Ausgang mit dem ersten Festpunkt verbunden ist. Der p-Kanal-Stromspiegel überlagert die Ausgangsströme des ersten p-Kanal-Transistors und des ersten n-Kanal-Transistors mit entgegengesetzten quadratischen Kennlinien auf einfache Weise in dem Knotenpunkt. Es kann in dem Stromspiegel eine Steilheitsanpassung des ersten n-Kanal-Transistors an den ersten p-Kanal-Transistor erfolgen. Die Source-Anschlüsse des p-Kanal-Stromspiegels können mit einer ersten Versorgungsleitung verbunden sein. Auf diese Versorgungsleitung kann eine postive Betriebsspannung VDD gelegt werden. Ferner kann ein zweiter Ausgang des p-Kanal-Stromspiegels mit einem Eingang eines ersten n- Kanal-Stromspiegels gekoppelt sein, dessen Ausgang mit dem zweiten Festpunkt gekoppelt ist. Hierdurch wird eine zuverlässige Stabilisierung des zweiten Festpunktes und damit des Source-Anschlusses des ersten n-Kanal-Transistors und des durch diesen fließenden Stromes bewirkt.
Die Source-Anschlüsse des ersten n-Kanal-Stromspiegels und der Drain-Anschluß des ersten p-Kanal-Transistors können an einer zweiten Versorgungsleitung liegen, die negativ gegenüber der ersten Versorgungsleitung ist. Für die zweite Versorgungsleitung kann das Massepotential gewählt werden. Hierdurch wird eine gute Stabilisierung dieser Komponenten und eine Unterdrückung der Einflüsse von Störstrahlung bewirkt.
Es ist vorteilhaft, wenn zwischen der Ausgangsleitung und der zweiten Versorgungsleitung ein zweiter p-Kanal-Transistor, ein zweiter n-Kanal-Transistor und eine Quelle in Reihe geschaltet sind, wobei ein Anschluß der Stromquelle mit der zweiten Versorgungsleitung und der andere Anschluß mit dem zweiten Festpunkt verbunden ist. Liegt die zweite Versorgungsleitung auf Masse, so ist die Stromquelle geerdet und stellt einen von der Betriebsspannung unabhängigen Arbeitsstrom für den zweiten -Kanal- Transistor und den zweiten n-Kanal-Transistor zur Verfügung. Über letztere wird dann eine von der Betriebsspannung unabhängige Arbeitsspannung eingestellt, in welche die Steilheit der zweiten Transistoren eingeht. Es ist vorteilhaft, wenn die Steilheit dieser beiden Transistoren der Steilheit des ersten p- und des ersten n-Kanal-Transistors angepaßt ist, wobei der Strom der Stromquelle in die Steilheitsbetrachtung einzubeziehen ist. Aufgrund dieser Anordnung wird ein Referenzspannungswert an dem zweiten Festpunkt und damit an den Source-Anschluß des ersten n-Kanal-Transistors zur Verfügung gestellt. Aufgrund einer Kompensationsschaltung die den ersten n-Kanal- Stromspiegel enthält, wird der Innenwiderstand am 2. Festpunkt erniedrigt, so daß die Stabilität der dort anliegenden Referenzspannung im Betrieb voll gewährleistet ist.
Es kann eine erste Kapazität zur Arbeitspunktstabilisierung bei hohen Frequenzen parallel zu dem zweiten p-Kanal-Transistor und dem zweiten n-Kanal-Transistor geschaltet sein. Eine zweite Kapazität kann zwischen die Ausgangsleitung und ein Festpotential, insbesondere das Massepotential, geschaltet sein. Diese dient zum Abblocken der Versorgungsspannung des IC gegen Masse und stellt einen Strompuffer für Störspannungsspitzen dar. Hierdurch wird die Auswirkung der Änderung der Betriebsspannung, z. B. auf die Ausgangsspannung insbesondere bei sehr hohen Frequenzen weiter verbessert. Die erfindungsgemäße Anordnung der zweiten Kapazität ist besonders aufgrund der Anordnung des ersten p-Kanal-Transistors als Source-Folge- Stufe möglich, da bei einer vergleichbaren Source-Schaltung störende Schwingungen auftreten könnten. Es ist besonders vorteilhaft, wenn eine dritte Kapazität als Kompensationskapazität zwischen dem Ausgang des Regelverstärkers und der zweiten Versorgungsleitung geschaltet ist. Diese dient zur Frequenzkompensation des Spannungsreglers. Sie verbessert das dynamische Verhalten des Spannungsreglers bei mittleren und hohen Frequenzen, da sie bewirkt, daß das Gate des ersten p-Kanal- Transistors konstant gehalten wird.
Gemäß einer vorteilhaften Weiterbildung der Erfindung kann eine Detektorschaltung vorgesehen sein, die einen Unterspannungsbereich der Versorgungsspannung erkennt und in dem Unterspannungsbereich das Ausgangssignal des Regelverstärkers in eine vorgegebene Richtung ändert. Aufgrund dieser Detektorschaltung funktioniert der Spannungsregler auch dann noch zuverlässig, wenn eine relativ niedrige Versorgungsspannung an der ersten Versorgungsleitung anliegt. Dies kann beim Absinken einer Batteriespannung erforderlich sein. Stellt die Detektorschaltung fest, daß die Betriebsspannung, z. B. VDD in den Unterspannungsbereich abgesunken ist,so ändert sie das Ausgangssignal des Regelverstärkers in eine vorgegebene Richtung. In dem Fall einer positiven Betriebsspannung an der ersten Versorgungsleitung und der Masse an der zweiten Versorgungsleitung ist die vorgegebene Richtung so gewählt, daß der erste Festpunkt und damit der mit der Ausgangsleitung verbundene Knotenpunkt auf ein niedrigeres Potential im Vergleich zu seinem eigentlichen Regelwert gezogen wird. Somit ist auch noch eine zuverlässige Regelung des Potential des Knotenpunktes bei einer niedrigeren Betriebsspannung möglich.
Die Detektorschaltung kann einen dritten p-Kanal-Transistor umfassen, dessen Gate- Anschluß mit den Gate-Anschlüssen des p-Kanal-Stromspiegels zusammengeschaltet ist, dessen Source-Anschluß mit dem ersten Ausgang des p-Kanal-Stromspiegels gekoppelt ist, und dessen Drain-Anschluß mit dem Ausgang des Regelverstärkers gekoppelt ist. Wenn die Versorgungsspannung in den Unterspannungsbereich gelangt, wird der dritte p-Kanal-Transistor leitend und zieht das Potential des Ausgangs des Regelverstärkers zur zweiten Versorgungsleitung. Letzteres kann auf einfache Weise durch einen zweiten n- Kanal-Stromspiegel der Detektorschaltung erreicht werden, dessen Eingang mit dem Drain-Anschluß des dritten p-Kanal-Transistors gekoppelt ist und dessen Ausgang mit dem Ausgang des Regelverstärkers gekoppelt ist. Günstigerweise sind die Source- Anschlüsse des zweiten n-Kanal-Stromspiegels mit der zweiten Versorgungsleitung verbunden. Ist die zweite Versorgungsleitung die Masse, so wird auch hier für eine weitere Spannungsstabilisierung gesorgt.
Es ist vorteilhaft, wenn in wenigstens einem Querstromzweig wenigstens eine Kaskodenstufe vorgesehen ist. Über diese kann in dem entsprechenden Querstromzweig eine Entkopplung von der Versorgungsspannung vorgenommen werden.
Im folgenden wird die Erfindung anhand der Figur näher beschrieben.
Die Figur zeigt ein Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen Spannungsreglers.
Der in der Figur gezeigte Spannungsregler enthält eine Referenzspannungsquelle 1 und einen Vorverstärker 2, die eine Vorstufe bilden. Der Ausgang 3 des Regelverstärkers 2 ist mit den Gate-Anschlüssen eines ersten p-Kanal-Transistors 4 und eines n-Kanal- Transistors 5 verbunden. Diese Transistoren sind MOS-Enhancement Transistoren. Der erste p-Kanal-Transistor 4 ist der Treibertransistor für die Ausgangsleitung a. Sein Source-Anschluß ist mit einem auf festem Potential liegenden Knotenpunkt k1 der Ausgangsleitung verbunden. Der Source-Anschluß des ersten n-Kanal-Transistors 5 ist mit einem zweiten auf festem Potential liegenden Festpunkt k2.
Es ist ein p-Stromspiegel 6 vorgesehen, welcher drei weitere p-Kanal-MOS-Enhancement- Transistoren 7, 8, 9 umfaßt. Der Eingang 10 des p-Kanal-Stromspiegels 6 ist mit dem Drain-Anschluß des ersten n-Kanal-Transistors 5 gekoppelt. Ein erster Ausgang 11 des p- Kanal-Stromspiegels 6 ist mit dem Knotenpunkt k1 verbunden. Der Stromspiegel 6 spiegelt den Strom des ersten n-Kanal-Transistors 5 auf den Knotenpunkt k1. In dem Knotenpunkt k1 findet eine Differenzbildung des Stromes des ersten n-Kanal-Transistors 5 und des Stromes des ersten p-Kanal-Transistors 4 statt. Die beiden Transistoren 4, 5 haben eine quadratische Strom-Spannungs-Kenninie. Durch die Differenzbildung dieser Kennlinien in dem Knotenpunkt k1 wird eine lineare Übertragungskennlinie des ersten Spannungsreglers erzielt. Zwischen den ersten n-Kanal-Transistor 5 und den Eingang 10 des p-Kanal-Stromspiegels 6 ist ein Kaskodenverstärker 12 geschaltet, welcher zur Entkopplung von der Versorgungsspannung VDD dient. Die Source-Anschlüsse des p- Kanal-Stromspiegels 6 sind mit der VDD-Versorgungsleitung verbunden.
Ein zweiter Ausgang 13 des p-Kanal-Stromspiegels 6 ist mit einem Eingang 14 eines ersten n-Kanal-Stromspiegels 15 verbunden. Der Ausgang 16 des ersten n-Kanal- Stromspiegels 15 ist mit dem zweiten Festpunkt k2 verbunden. Die Source-Anschlüsse des ersten n-Kanal-Stromspiegels 15 und der Drainanschluß des ersten p-Kanal- Transistors 4 liegen an der Masseleitung.
Zwischen der Ausgangsleitung a und der Masseleitung liegen ein zweiter p-Kanal- Transistor 17, ein zweiter n-Kanal-Transistor 18 und eine Stromquelle 19, die in Reihe geschaltet sind. Die Stromquelle 19 ist mit der Masse und dem zweiten Festpunkt k2 verbunden. Die geerdete Stromquelle stellt einen von der Betriebsspannung unabhängigen Arbeitsstrom für die Reihenschaltung des zweiten p-Kanal-Transistors 17 und des zweiten n-Kanal-Transistors 18 zur Verfügung. Über letztere wird eine Arbeitsspannung eingestellt. Die Transistoren 17, 18 haben hier gleiche Steilheit. Ohne eine Aussteuerung an dem Knotenpunkt k1 stellen sich in dem ersten p-Kanal-Transistor 4 und in dem ersten n-Kanal-Transistor 5 Arbeitsströme ein, die durch das Weitenverhältnis des zweiten p-Kanal-Transistors 17 und des zweiten n-Kanal-Transistors 18 bestimmt sind. Die Stabilisierung des Knotenpunktes k1 bei einer Belastung durch einen Verbraucher 20, z. B. ein Hallelement, erfolgt durch eine Stromspiegelung an dem ersten n-Kanal-Stromspiegel 15 und an dem p-Kanal-Stromspiegel 6. Eine erste Kapazität 21 ist in Reihe mit dem zweiten p-Kanal-Transistor 17 und dem zweiten n-Kanal- Transistor 18 geschaltet. Die Kapazität 21 dient zur Stabilisierung des Knotenpunktes k1 bei hohen Frequenzen. Eine zweite Kapazität 22 ist zwischen die Ausgangsleitung a und das Massepotential geschaltet. Sie dient zum Abblocken von Störspannungsspitzen, insbesondere bei hohen Frequenzen. Zwischen den Ausgang 3 des Regelverstärkers 2 und die Masse ist eine dritte Kapazität 23 geschaltet. Sie dient zur Verhinderung von Schwingungen.
Ein dritter p-Kanal-Transistor 24 ist derart angeordnet, daß sein Gate-Anschluß mit den Gate-Anschlüssen des p-Kanal-Stromspiegels 6 zusammengeschaltet ist, sein Source- Anschluß mit dem ersten Ausgang 11 des p-Kanal-Stromspiegels 6 verbunden ist, und sein Drain-Anschluß mit dem Eingang 25 eines zweiten n-Kanal-Stromspiegels 26 verbunden ist. Der Ausgang 27 des zweiten n-Kanal-Stromspiegels 26 ist mit dem Ausgang 3 des Regelverstärkers 2 verbunden. Die Source-Anschlüsse des zweiten n- Kanal-Stromspiegels 26 sind mit der Masseleitung verbunden.
Wenn die Versorgungsspannung VDD abnimmt, geht der Transistor 7 des p-Kanal- Stromspiegels 6 aus seinem Sättigungsbereich. In diesem Fall liegt ein Unterspannungsbereich der Versorgungsspannung VDD vor. In Folge davon ändert sich das Potential an dem Source-Anschluß des dritten p-Kanal-Transistors 24. Dieser ist so ausgelegt, daß er bei einem bestimmten Unterspannungsbereich leitend wird. Der Strom des dritten p-Kanal-Transistors 24 wird von dem zweiten n-Kanal-Stromspiegel 26 gespiegelt und zieht das Potential des Festpunktes k1 nach unten. Damit liegt ein niedrigeres Potential an der Ausgangsleitung a an, welches auch bei einer niedrigeren Betriebsspannung VDD konstant geregelt werden kann.
Die Vorstufe, insbesondere die Referenzspannungsquelle 1 und der Regelverstärker 2, sowie die die Endstufe des Spannungsreglers bildenden, dem Ausgang 3 nachgeschalteten Elemente des Spannungsreglers sind zwischen die Ausgangsleitung a des Spannungsreglers und die Masse geschaltet, so daß von vornherein eine hohe Unterdrückung der Betriebsspannung vorliegt, was wiederum dazu führt, daß Störimpulse aufgrund von äußeren Einstrahlungen oder leitungsgebundene Störimpulse unterdrückt werden. Somit werden alle Arbeitsströme zwischen dem Festpunkt k1 und der Masse mit großer Unterdrückung der Betriebsspannung abgeleitet. Die in der Figur nicht näher dargestellte Vorstufe, die die Referenzspannungsquelle 1 und den Regelverstärker 2 umfaßt, kann z. B. eine Dreifach-Bandgap-Schaltung mit ca. 3×1,25 V = 3,75 V enthalten. Damit weist die Konstantspannung auf der Ausgangsleitung a im einfachsten Fall ebenfalls 3,75 V auf. Die Vorstufe kann aber auch über andere Rückkopplungsnetzwerke und Steuerspannungen geschaltet sein. Die Vorstufe ist vorzugsweise mit Kaskoden versehen, so daß hohe Leerlaufverstärkungen der offenen Schleife aus Vorstufe und Endstufe erreicht werden können. Hierdurch wird die Betriebsspannungsunterdrückung bei niedrigeren Frequenzen erreicht.

Claims (15)

1. Spannungsregler mit einem ersten p-Kanal-Transistor (4) und einem dazu parallelgeschalteten ersten n-Kanal-Transistor (5), deren Gate-Anschlüsse mit einem Ausgang (3) eines Regelverstärker (2) gekoppelt sind, wobei der Source-Anschluß des ersten p-Kanal- Transistors (4) mit einem ersten (k1) und der Source-Anschluß des ersten n-Kanal-Transistor (5) mit einem zweiten (k2) auf festem Potential liegenden Festpunkt verbunden ist und mit einer Schalteinrichtung, die den Strom des ersten p-Kanal-Transistors (4) und den Strom des ersten (5) n-Kanal-Transistors (5) zur Differenzbildung in einen mit einer Ausgangsleitung verbundenen Knotenpunkt koppelt, dadurch gekennzeichnet, daß der erste Festpunkt (k1) der Knotenpunkt ist.
2. Spannungsregler nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der erste p-Kanal- Transistor (4) der Treibertransistor für die Ausgangsleitung (a) ist.
3. Spannungsregler nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Schalteinrichtung einen p-Kanal-Stromspiegel (6) umfaßt, dessen Eingang (10) mit dem Drain-Anschluß des ersten n-Kanal-Transistors (5) gekoppelt ist und dessen erster Ausgang (11) mit dem Osten Festpunkt (k1) verbunden ist.
4. Spannungsregler nach einem der vorangehenden Patentansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Source-Anschlüsse des p-Kanal-Stromspiegels (6) mit einer ersten Versorgungsleitung (VDD) verbunden sind.
5. Spannungsregier nach einem der vorangehenden Patentansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß ein zweiter Ausgang (13) des p-Kanal-Stromspiegels (6) mit einem Eingang (14) eines ersten n-Kanal-Stromspiegels (15) gekoppelt ist, dessen Ausgang (16) mit dem zweiten Festpunkt (k2) gekoppelt ist.
6. Spannungsregler nach einem der vorangehenden Patentansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Source-Anschlüsse des ersten n-Kanal-Stromspiegels (15) und der Drain-Anschluß des ersten p-Kanal-Transistors (4) an einer zweiten Versorgungsleitung liegen, die negativ gegenüber der ersten Versorgungsleitung (VDD) ist.
7. Spannungsregler nach einem der vorangehenden Patentansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen der Ausgangsleitung (a) und der zweiten Versorgungsleitung ein zweiter p-Kanal-Transistor (17), ein zweiter n-Kanal-Transistor (18) und eine Stromquelle (19) in Reihe geschaltet sind, wobei ein Anschluß der Stromquelle (19) mit der zweiten Versorgungsleitung und der andere Anschluß mit dem zweiten Festpunkte (k2) verbunden ist.
8. Spannungsregler nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß eine erste Kapazität (21) parallel zu den zweiten Transistoren (17, 18) geschaltet ist.
9. Spannungsregler nach einem der vorangehenden Patentansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß eine zweite Kapazität (22) zwischen die Ausgangsleitung und ein Festpotential, insbesondere das Massepotential, geschaltet ist.
10. Spannungsregler nach einem der vorangehenden Patentansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß eine dritte Kapazität (23) zwischen dem Ausgang (3) des Regelverstärkers (2) und die zweite Versorgungsleitung geschaltet ist.
11. Spannungsregler nach einem der vorangehenden Patentansprüche, gekennzeichnet durch eine Detektorschaltung, die einen Unterspannungsbereich der Versorgungsspannung (VDD) erkennt und in dem Unterspannungsbereich das Ausgangssignal des Regelverstärkers (2) in eine vorgegebene Richtung ändert.
12. Spannungsregler nach einem der vorangehenden Patentansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Detektorschaltung einen dritten p-Kanal-Transistor (24) umfaßt, dessen Gate-Anschluß mit den Gate-Anschlüssen des p-Kanal-Stromspiegels (6) zusammengeschaltet ist, dessen Source-Anschluß mit dem ersten Ausgang (11) des p- Kanal-Stromspiegels (6) gekoppelt ist, und dessen Drain-Anschluß mit dem Ausgang (3) des Regelverstärkers (2) gekoppelt ist.
13. Spannungsregler nach einem der vorangehenden Patentansprüche, dadurch gekennzeichnete daß die Detektorschaltung einen zweiten n-Kanal-Stromspiegel (26) umfaßt, dessen Eingang (25) mit dem Drain-Anschluß des dritten p-Kanal-Transistors (24) gekoppelt ist, und dessen Ausgang (26) mit dem Ausgang (3) des Regelverstärkers (2) gekoppelt ist.
14. Spannungsregler nach einem der vorangehenden Patentansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Source-Anschlüsse des zweiten n-Kanal-Stromspiegels (26) mit der zweiten Versorgungsleitung verbunden sind.
15. Spannungsregler nach einem der vorangehenden Patentansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß in wenigstens einem Querstromzweig mindestens eine Kaskodenstufe (12) vorgesehen ist.
DE4431466A 1994-05-31 1994-09-03 Spannungsregler Expired - Fee Related DE4431466C1 (de)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE4431466A DE4431466C1 (de) 1994-05-31 1994-09-03 Spannungsregler
US08/449,494 US5510699A (en) 1994-05-31 1995-05-24 Voltage regulator
EP95108202A EP0685782B1 (de) 1994-05-31 1995-05-30 Spannungsregler
DE59509702T DE59509702D1 (de) 1994-05-31 1995-05-30 Spannungsregler
JP7133044A JPH08161066A (ja) 1994-05-31 1995-05-31 電圧調整装置
KR1019950014053A KR950034972A (ko) 1994-05-31 1995-05-31 전압 조정기

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE4418988 1994-05-31
DE4431466A DE4431466C1 (de) 1994-05-31 1994-09-03 Spannungsregler

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE4431466C1 true DE4431466C1 (de) 1995-06-08

Family

ID=6519430

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE4431466A Expired - Fee Related DE4431466C1 (de) 1994-05-31 1994-09-03 Spannungsregler
DE59509702T Expired - Lifetime DE59509702D1 (de) 1994-05-31 1995-05-30 Spannungsregler

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE59509702T Expired - Lifetime DE59509702D1 (de) 1994-05-31 1995-05-30 Spannungsregler

Country Status (2)

Country Link
KR (1) KR950034972A (de)
DE (2) DE4431466C1 (de)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10213515A1 (de) * 2002-03-26 2003-12-18 Infineon Technologies Ag Vorrichtung zur Erzeugung einer Versorgungsspannung mit einem Shuntregler
WO2007030436A1 (en) * 2005-09-07 2007-03-15 Nxp B.V. Voltage regulator with shunt feedback
US11526185B2 (en) 2019-10-09 2022-12-13 Dialog Semiconductor (Uk) Limited Linear regulator with temperature compensated bias current

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4242989C1 (de) * 1992-12-18 1994-05-11 Itt Ind Gmbh Deutsche Spannungsregler

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4242989C1 (de) * 1992-12-18 1994-05-11 Itt Ind Gmbh Deutsche Spannungsregler

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10213515A1 (de) * 2002-03-26 2003-12-18 Infineon Technologies Ag Vorrichtung zur Erzeugung einer Versorgungsspannung mit einem Shuntregler
DE10213515B4 (de) * 2002-03-26 2008-11-27 Infineon Technologies Ag Vorrichtung zur Erzeugung einer Versorgungsspannung mit einem Shuntregler
WO2007030436A1 (en) * 2005-09-07 2007-03-15 Nxp B.V. Voltage regulator with shunt feedback
US7285940B2 (en) 2005-09-07 2007-10-23 Nxp B.V. Voltage regulator with shunt feedback
JP2009507307A (ja) * 2005-09-07 2009-02-19 エヌエックスピー ビー ヴィ シャントフィードバックが行われる電圧調整器
US11526185B2 (en) 2019-10-09 2022-12-13 Dialog Semiconductor (Uk) Limited Linear regulator with temperature compensated bias current

Also Published As

Publication number Publication date
KR950034972A (ko) 1995-12-28
DE59509702D1 (de) 2001-11-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE4034371C1 (de)
WO2007118540A1 (de) Schneller cmos-stromspiegel
DE112005000994B4 (de) Hochpassfilter, welcher isolierte Gate-Feldeffekttransistoren verwendet
DE3736380A1 (de) Schaltungsanordnung zur kontrolle der drain-source-spannung eines mos-transistors
DE2554054A1 (de) Differentialverstaerkerschaltung in cmos-bauweise
EP0685782B1 (de) Spannungsregler
DE10393755T5 (de) Schaltung zur aktiven Self-Bias-Kompensation für einen Hochfrequenzleistungsverstärker
DE3243674C2 (de) Bezugsspannungsschaltung
DE102004027298A1 (de) Auf dem Chip ausgeführter Hochpassfilter mit großer Zeitkonstanten
DE4431466C1 (de) Spannungsregler
DE102019125607A1 (de) Ac-gekoppeltes choppersignal für einen hochwiderstandspuffer
DE102007007806A1 (de) Dämpfungsglied
EP1078460B1 (de) Verfahren und vorrichtung zum umschalten eines feldeffekttransistors
DE3700296A1 (de) Halbleiter-differenzverstaerker
EP0556644A1 (de) Integrierte Schaltungsanordnung
DE2403756A1 (de) Schaltung fuer einen elektronisch steuerbaren widerstand
DE4129334A1 (de) Praezisions-mos-widerstand
EP1435029A2 (de) Verfahren zur erzeugung einer ausgangsspannung
EP0024549A1 (de) TTL-Pegelumsetzer zur Ansteuerung von Feldeffekttransistoren
EP0748047A1 (de) Integrierte Pufferschaltung
DE19719448A1 (de) Inverterschaltung
EP1391035B1 (de) Schaltungsanordnung mit kaskadierten feldeffekttransistoren
DE10060842A1 (de) Stromspiegelschaltung
DE69816719T2 (de) Verstärker
DE10145462A1 (de) Schaltungsanordnung zur Verringerung der Degradation eines Feldeffekt-Transistors

Legal Events

Date Code Title Description
8100 Publication of the examined application without publication of unexamined application
D1 Grant (no unexamined application published) patent law 81
8364 No opposition during term of opposition
8327 Change in the person/name/address of the patent owner

Owner name: MICRONAS INTERMETALL GMBH, 79108 FREIBURG, DE

8327 Change in the person/name/address of the patent owner

Owner name: MICRONAS GMBH, 79108 FREIBURG, DE

8339 Ceased/non-payment of the annual fee