EP0340275B1 - Procede et appareil de traitement en phase vapeur - Google Patents

Procede et appareil de traitement en phase vapeur Download PDF

Info

Publication number
EP0340275B1
EP0340275B1 EP88909752A EP88909752A EP0340275B1 EP 0340275 B1 EP0340275 B1 EP 0340275B1 EP 88909752 A EP88909752 A EP 88909752A EP 88909752 A EP88909752 A EP 88909752A EP 0340275 B1 EP0340275 B1 EP 0340275B1
Authority
EP
European Patent Office
Prior art keywords
chamber
treatment
vapour
treatment chamber
atmosphere
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
EP88909752A
Other languages
German (de)
English (en)
Other versions
EP0340275A1 (fr
Inventor
Armin Rahn
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Individual
Original Assignee
Individual
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Individual filed Critical Individual
Publication of EP0340275A1 publication Critical patent/EP0340275A1/fr
Application granted granted Critical
Publication of EP0340275B1 publication Critical patent/EP0340275B1/fr
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K1/00Soldering, e.g. brazing, or unsoldering
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K1/00Soldering, e.g. brazing, or unsoldering
    • B23K1/012Soldering with the use of hot gas
    • B23K1/015Vapour-condensation soldering
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23GCLEANING OR DE-GREASING OF METALLIC MATERIAL BY CHEMICAL METHODS OTHER THAN ELECTROLYSIS
    • C23G5/00Cleaning or de-greasing metallic material by other methods; Apparatus for cleaning or de-greasing metallic material with organic solvents
    • C23G5/02Cleaning or de-greasing metallic material by other methods; Apparatus for cleaning or de-greasing metallic material with organic solvents using organic solvents
    • C23G5/04Apparatus
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S134/00Cleaning and liquid contact with solids
    • Y10S134/902Semiconductor wafer

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)

Abstract

Procédé de traitement de pièces d'usinage (61) dans une chambre de traitement fermée (5). Le procédé consiste à assurer dans la chambre une pression qui soit inférieure à la pression atmosphérique, et à assurer une vapeur de traitement non saturée à l'intérieur de ladite chambre. On déplace ensuite dans la chambre la pièce d'usinage à traiter au moyen de la vapeur non saturée. Le procédé est particulièrement adapté pour le soudage en phase vapeur de plaquettes de circuits imprimés. Dans ce cas la vapeur non saturée se trouvant dans la chambre est chauffée à une température supérieure au point de fusion du métal d'apport de brasage utilisé, et on fait passer les plaquettes de circuits, sur lesquelles se trouve du métal d'apport de brasage, à travers la vapeur dans la chambre afin de refondre ledit métal de brasage. L'invention concerne également appareil permettant d'exécuter le procédé.

Claims (24)

1. Procédé de traitement de pièces, dans une chambre de traitement (5 ; 305) normalement fermée, qui comprend : la production d'une vapeur de traitement insaturée à l'intérieur de ladite chambre de traitement, ladite vapeur de traitement ayant une température de traitement désirée au-dessus du point d'ébullition du liquide respectif ; la réalisation, à l'intérieur de la chambre de traitement, d'une pression qui est inférieure à la pression atmosphérique, de façon à ce que de l'atmosphère puisse s'écouler dans la chambre de traitement lorsqu'elle est ouverte à l'atmosphère ; et le déplacement des pièces (61 ; 361) dans la chambre de traitement et à travers la vapeur présente dans celle-ci, pour qu'elles soient ainsi traitées par ladite vapeur de traitement insaturée.
2. Procédé selon la revendication 1, dans lequel ladite vapeur de traitement insaturée est produite par vaporisation complète du liquide respectif à l'intérieur de la chambre de traitement (5 ; 305) et chauffage de la vapeur ainsi produite à l'intérieur de la chambre de traitement à ladite température de traitement désirée.
3. Procédé selon la revendication 2, dans lequel une quantité limitée dudit liquide est appliquée sur une surface chauffée (67) à l'intérieur de la chambre de traitement (5 ; 305), la température de la surface étant suffisante pour vaporiser instantanément ledit liquide et pour chauffer la vapeur résultante à ladite température de traitement désirée.
4. Procédé selon la revendication 3, comprenant l'étape de contrôle de la température de la surface chauffée (67), afin de contrôler la température de la vapeur de traitement produite.
5. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, comprenant une étape de recyclage de l'atmosphère en provenance de la chambre de traitement (5 ; 305), afin de controler la quantité de vapeur de traitement présente dans celle-ci.
6. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, comprenant une étape de contrôle de la température de ladite vapeur de traitement pour qu'elle se situe à n'importe quelle valeur désirée entre la température d'ébullition du liquide formant la vapeur et une température juste au-dessous de sa température de décomposition.
7. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, comprenant une étape d'ajustement de la pression dans la chambre de traitement (5 ; 305), pour abaisser le point d'ébullition du liquide utilisé pour la formation de la vapeur.
8. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel la vapeur de traitement utilisée forme une partie seulement de l'atmosphère dans la chambre de traitement (5 ; 305).
9. Procédé selon la revendication 8, comprenant une étape consistant à prévoir un gaz inerte dans la chambre de traitement (5 ; 305), pour former une partie de l'atmosphère présente dans celle-ci.
10. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel au moins une chambre de passage (11, 33 ; 311) normalement fermée est disposée de manière adjacente à la chambre de traitement (5 : 305), le procédé comprenant en outre : la réalisation, à l'intérieur de la chambre de passage, d'une pression inférieure à la pression atmosphérique, de façon à amener de l'atmosphère à s'écouler dans la chambre de passage lorsque celle-ci est ouverte à l'atmosphère : la réalisation, à l'intérieur de la chambre de traitement, d'une pression inférieure à la pression régnant à l'intérieur de la chambre de passage, de façon à amener de l'atmosphère à s'écouler dans la chambre de traitement lorsque celle-ci est ouverte sur la chambre de passage ; et le deplacement des pièces (61 ; 361) dans la chambre de passage avant et(ou après avoir fait passer celles-ci dans la chambre de traitement.
11. Procédé selon la revendication 10, dans lequel il y a deux chambres de passage respectives (11, 33) adjacentes à la chambre de traitement (5), l'une de ces chambres de passage étant une chambre d'entrée (11), et l'autre étant une chambre de sortie (33), le procédé comprenant le déplacement des pièces (61), de façon successive, dans la chambre d'entrée, dans la chambre de traitement, dans la chambre de sortie, et hors de la chambre de sortie.
12. Procédé selon l'une des revendications 10 ou 11, comprenant une étape de chauffage de l'atmosphère dans la chambre de passage (311) ou, respectivement, au moins la chambre d'entrée (11), afin de chauffer les pièces (361) lorsqu'elles sont présentes dans celle(s)-ci.
13. Procédé selon l'une quelconque des revendications 10 à 12, comprenant une étape de réduction de la pression dans la chambre de passage (311) ou, respectivement, la chambre de sortie (33 ; 311), au-dessous de 13 pression qui règne normalement dans celles-ci, pour aider à retirer du condensat des pièces (61 ; 361), lorsque celles-ci passent à travers ladite chambre avant de quitter l'appareil.
14. Procédé selon l'une quelconque des revendications 10 à 13, comprenant une étape de recyclage et de traitement de l'atmosphère provenant de ladite chambre ou, respectivement, lesdites chambres de passage (11, 33 ; 311) pour recapturer toute vapeur s'échappant de la chambre de traitement (5 ; 305).
15. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel les pièces sont déplacées dans ladite chambre de traitement (5 ; 305), alors que ladite vapeur de traitement est déjà présente dans la chambre de traitement.
16. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel les pièces (61 ; 361) sont des plaquettes de circuits imprimés, sur lesquelles se trouve de la soudure pour le soudage en phase vapeur par le traitement respectif, et la température de la vapeur de traitement utilisée est supérieure au point de fusion de la soudure.
17. Appareil pour le traitement de pièces, en particulier par la mise en oeuvre du procédé tel que défini dans l'une quelconque des revendications précédentes, l'appareil comprenant une enceinte (3 ; 303) formant une chambre de traitement (5 ; 305), normalement fermée, des moyens (65, 91 -97) pour fournir une vapeur de traitement à l'intérieur de ladite chambre de traitement, et des moyens (103 - 107) pour fournir une pression à l'intérieur de la chambre de traitement qui est inférieure à la pression atmosphérique, de façon à amener de l'atmosphère à s'écouler dans la chambre de traitement lorsqu'elle est ouverte à l'atmosphère, ledit appareil étant caractérisé par le fait que lesdits moyens pour fournir la vapeur de traitement comprennent des moyens de chauffage (65) comprenant une surface chaude (67) au fond de la chambre de traitement (5 ; 305), et des moyens d'alimentation de liquide (91 - 97), adaptés pour amener une quantité limitée du liquide respectif sur ladite surface chaude en vue d'une vaporisation instantanée, lesdits moyens de chauffage étant à température contrôlée pour maintenir une température au-dessus du point d'ébullition du liquide appropriée pour produire une vapeur de traitement insaturée à une température de traitement désirée et que des moyens (57 ; 357) sont prévus pour transporter les pièces (61 ; 361) dans la chambre de traitement et à travers la vapeur dans celle-ci.
18. Appareil selon la revendication 17, dans lequel ladite surface chaude (67) est inclinée et qu'une cuve (71) de collecte de liquide en excès est disposée à son extrémité inférieure et est reliée à une source (93) d'alimentation de liquide à partir de laquelle le liquide est introduit dans la chambre de traitement (5 ; 305).
19. Appareil selon la revendication 17 ou 18, dans lequel lesdits moyens de chauffage (65) comprennent une plaque forte (69) conductrice de la chaleur disposée à l'intérieur de la chambre de traitement (5; 305) et chauffé par des dispositifs de chauffage (79) situés au-dessous de la plaque en dehors de la chambre de traitement et espacés de la plaque.
20. Appareil selon l'une quelconque des revendications 17 à 19, comprenant en outre au moins une enceinte (7, 29; 307), formant une chambre de passage (11, 33; 311) normalement fermée, adjacente à ladite chambre de traitement (5; 305) ; des moyens (23, 21, 45, 43; 323, 321) fournissant une communication sélective entre lesdites chambres de traitement et de passage et, respectivement, entre la (ou les) chambre(s) de passage et l'atmosphère ; des moyens (141) fournissant une pression à l'intérieur de la (ou des) chambre(s) de passage qui est inférieure à la pression atmosphérique, de façon à amener de l'atmosphère à s'écouler dans la (ou les) chambre(s) de passage lorsque celle(s)-ci est (ou sont) en communication avec l'atmosphère ; dans lequel les moyens (103 - 107) pour fournir une pression inférieure à la pression atmosphérique à l'intérieur de la chambre de traitement sont agencés pour fournir une pression qui est inférieure à la pression à l'intérieur de la (ou des) chambre(s) de passage, de façon à amener de l'atmosphère à s'écouler dans la chambre de traitement lorsque celle-ci est en communication avec la (ou les) chambre(s) de passage, et dans lequel lesdits moyens de transport (57; 357) des pièces sont agencés pour déplacer les pièces (61; 361) à travers la (ou les) chambre(s) de passage avant et/ou après avoir fait passer celles-ci dans la chambre de traitement.
21. Appareil selon la revendication 20, dans lequel deux chambres de passage respectives sont prévus, l'une d'elles formant une chambre d'entrée (11) et l'autre formant une chambre de sortie (33), et lesdits moyens de transport (57) des pièces sont agencés pour faire passer les pièces (61) de façon successive à travers la chambre d'entrée, la chambre de traitement et la chambre de sortie.
22. Appareil selon l'une des revendications 20 ou 21, comprenant des moyens (177, 181) pour chauffer l'atmosphère dans ladite chambre de passage ou, respectivement, d'entrée (311, 11), afin de préchauffer les pièces (61, 361) que l'on fait passer à travers cette chambre dans la chambre de traitement (5; 305).
23. Appareil selon la revendication 22, dans lequel la chaleur consommée pour chauffer l'atmosphère dans cette chambre de passage ou, respectivement, d'entrée (11; 311) est au moins partiellement issue de l'atmosphère extraite de la chambre de traitement (5; 305).
24. Appareil selon l'une quelconque des revendications 17 à 23 incluant des moyens de condensation (109, 149) pour condenser la vapeur de traitement provenant de l'atmosphère extraite de la chambre de traitement (5; 305) et/ou de la (ou des) chambre(s) de passage (11, 33; 311), et des moyens (113, 151) pour recycler le liquide récupéré par ces moyens de condensation, à une source (93) d'alimentation de liquide à partir de laquelle le liquide est amené dans la chambre de traitement.
EP88909752A 1987-11-12 1988-11-11 Procede et appareil de traitement en phase vapeur Expired - Lifetime EP0340275B1 (fr)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US119567 1987-11-12
US07/119,567 US4838476A (en) 1987-11-12 1987-11-12 Vapour phase treatment process and apparatus

Publications (2)

Publication Number Publication Date
EP0340275A1 EP0340275A1 (fr) 1989-11-08
EP0340275B1 true EP0340275B1 (fr) 1992-07-29

Family

ID=22385103

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
EP88909752A Expired - Lifetime EP0340275B1 (fr) 1987-11-12 1988-11-11 Procede et appareil de traitement en phase vapeur

Country Status (8)

Country Link
US (1) US4838476A (fr)
EP (1) EP0340275B1 (fr)
JP (1) JPH02502200A (fr)
KR (1) KR890701272A (fr)
AU (1) AU2786289A (fr)
DE (1) DE3873321T2 (fr)
RU (1) RU2014975C1 (fr)
WO (1) WO1989004234A1 (fr)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE202009014590U1 (de) 2009-10-29 2010-02-04 Asscon Systemtechnik-Elektronik Gmbh Dampfphasen-Lötanlage

Families Citing this family (96)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AU625442B2 (en) * 1988-11-28 1992-07-09 Furukawa Aluminum Co., Ltd. Gaseous phase brazing method of al or al alloy
US5288333A (en) * 1989-05-06 1994-02-22 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Wafer cleaning method and apparatus therefore
US5158100A (en) * 1989-05-06 1992-10-27 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Wafer cleaning method and apparatus therefor
NL8901598A (nl) * 1989-06-23 1991-01-16 Soltec Bv Met een beschermgas werkende soldeermachine, voorzien van automatisch werkende sluisdeuren.
DE8913226U1 (fr) * 1989-11-08 1989-12-21 Leicht, Helmut Walter, 8900 Augsburg, De
US5054210A (en) * 1990-02-23 1991-10-08 S&K Products International, Inc. Isopropyl alcohol vapor dryer system
US5593507A (en) * 1990-08-22 1997-01-14 Kabushiki Kaisha Toshiba Cleaning method and cleaning apparatus
US5188282A (en) * 1991-01-28 1993-02-23 Hughes Aircraft Company Vapor phase flash fusing of printed wiring boards
US5118357A (en) * 1991-03-20 1992-06-02 Finishing Equipment, Inc. Treatment fluid application and recovery apparatus and method
GB9121003D0 (en) * 1991-10-03 1991-11-13 Boc Group Plc Soldering
JP2709365B2 (ja) * 1992-03-16 1998-02-04 日立テクノエンジニアリング株式会社 ベーパーリフローはんだ付け装置
US5313965A (en) * 1992-06-01 1994-05-24 Hughes Aircraft Company Continuous operation supercritical fluid treatment process and system
US5415193A (en) * 1992-11-13 1995-05-16 Taricco; Todd Pressure controlled cleaning system
JP3074366B2 (ja) * 1993-02-22 2000-08-07 東京エレクトロン株式会社 処理装置
DE4329178B4 (de) * 1993-08-30 2006-11-09 EMO Oberflächentechnik GmbH Dampfphasenreinigung
US5539995A (en) * 1994-03-16 1996-07-30 Verteq, Inc. Continuous flow vapor dryer system
ATE172231T1 (de) * 1994-03-18 1998-10-15 Ald Vacuum Techn Gmbh Verfahren und vorrichtung zum thermischen behandeln von materialien mit anteilen an verdampfbaren stoffen
US5542596A (en) * 1994-12-20 1996-08-06 United Technologies Corp. Vapor phase soldering machine having a tertiary cooling vapor
US6051421A (en) * 1996-09-09 2000-04-18 Air Liquide America Corporation Continuous processing apparatus and method for cleaning articles with liquified compressed gaseous solvents
DE29704629U1 (de) * 1997-03-14 1998-07-09 Asscon Systech Elektronik Gmbh Vorrichtung zur Wärmebehandlung von Werkstücken mit heißem Dampf
TW539918B (en) 1997-05-27 2003-07-01 Tokyo Electron Ltd Removal of photoresist and photoresist residue from semiconductors using supercritical carbon dioxide process
US6500605B1 (en) 1997-05-27 2002-12-31 Tokyo Electron Limited Removal of photoresist and residue from substrate using supercritical carbon dioxide process
US6306564B1 (en) 1997-05-27 2001-10-23 Tokyo Electron Limited Removal of resist or residue from semiconductors using supercritical carbon dioxide
JP3737604B2 (ja) * 1997-06-03 2006-01-18 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
FR2774013B1 (fr) * 1998-01-23 2000-04-07 Jean Paul Garidel Procede de traitement thermique d'une piece a l'aide d'au moins un liquide de transfert thermique et four a condensation pour sa mise en oeuvre
US6277753B1 (en) 1998-09-28 2001-08-21 Supercritical Systems Inc. Removal of CMP residue from semiconductors using supercritical carbon dioxide process
US7064070B2 (en) * 1998-09-28 2006-06-20 Tokyo Electron Limited Removal of CMP and post-CMP residue from semiconductors using supercritical carbon dioxide process
US6315189B1 (en) * 1998-10-13 2001-11-13 Texas Instruments Incorporated Semiconductor package lead plating method and apparatus
DE19911887C1 (de) * 1999-03-17 2000-12-21 Asscon Systech Elektronik Gmbh Verfahren zum Reflow-Löten in einer Dampfphasenvakuumlötanlage
US6193135B1 (en) * 1999-09-13 2001-02-27 Lucent Technologies Inc. System for providing back-lighting of components during fluxless soldering
CA2387373A1 (fr) 1999-11-02 2001-06-28 Tokyo Electron Limited Procede et dispositif servant a effectuer le traitement supercritique d'une piece
US6748960B1 (en) 1999-11-02 2004-06-15 Tokyo Electron Limited Apparatus for supercritical processing of multiple workpieces
EP1277233A2 (fr) * 2000-04-25 2003-01-22 Tokyo Electron Corporation Procede de depot de film metallique et outil combine de depot metallique comprenant un module de sechage/nettoyage supercritique
DE10025472C2 (de) * 2000-05-23 2003-04-24 Rehm Anlagenbau Gmbh Dampfphasenlötanlage mit überhitztem Dampf
US6921456B2 (en) * 2000-07-26 2005-07-26 Tokyo Electron Limited High pressure processing chamber for semiconductor substrate
KR100777892B1 (ko) * 2001-04-10 2007-11-21 동경 엘렉트론 주식회사 반도체 기판 처리용 고압 챔버
US20040040660A1 (en) * 2001-10-03 2004-03-04 Biberger Maximilian Albert High pressure processing chamber for multiple semiconductor substrates
WO2003064065A1 (fr) * 2002-01-25 2003-08-07 Supercritical Systems Inc. Methode pouvant reduire la formation de contaminants au cours de procedes supercritiques au gaz carbonique
WO2003070846A2 (fr) * 2002-02-15 2003-08-28 Supercritical Systems Inc. Sechage d'une photoresine au moyen d'un bain aux solvants et d'un co2 supercritique
AU2003215238A1 (en) * 2002-02-15 2003-09-09 Supercritical Systems Inc. Pressure enchanced diaphragm valve
US7001468B1 (en) 2002-02-15 2006-02-21 Tokyo Electron Limited Pressure energized pressure vessel opening and closing device and method of providing therefor
US6924086B1 (en) * 2002-02-15 2005-08-02 Tokyo Electron Limited Developing photoresist with supercritical fluid and developer
US20050227187A1 (en) * 2002-03-04 2005-10-13 Supercritical Systems Inc. Ionic fluid in supercritical fluid for semiconductor processing
US7387868B2 (en) * 2002-03-04 2008-06-17 Tokyo Electron Limited Treatment of a dielectric layer using supercritical CO2
US7270941B2 (en) * 2002-03-04 2007-09-18 Tokyo Electron Limited Method of passivating of low dielectric materials in wafer processing
CN1642665A (zh) * 2002-03-22 2005-07-20 东京毅力科创株式会社 用超临界工艺清除杂质
US7169540B2 (en) * 2002-04-12 2007-01-30 Tokyo Electron Limited Method of treatment of porous dielectric films to reduce damage during cleaning
WO2003106093A2 (fr) * 2002-06-14 2003-12-24 Vapour Phase Technology Aps Procede et dispositif de brasage en phase vapeur
US20040177867A1 (en) * 2002-12-16 2004-09-16 Supercritical Systems, Inc. Tetra-organic ammonium fluoride and HF in supercritical fluid for photoresist and residue removal
US20040112409A1 (en) * 2002-12-16 2004-06-17 Supercritical Sysems, Inc. Fluoride in supercritical fluid for photoresist and residue removal
US7021635B2 (en) * 2003-02-06 2006-04-04 Tokyo Electron Limited Vacuum chuck utilizing sintered material and method of providing thereof
US20040154647A1 (en) * 2003-02-07 2004-08-12 Supercritical Systems, Inc. Method and apparatus of utilizing a coating for enhanced holding of a semiconductor substrate during high pressure processing
US7225820B2 (en) * 2003-02-10 2007-06-05 Tokyo Electron Limited High-pressure processing chamber for a semiconductor wafer
US7077917B2 (en) * 2003-02-10 2006-07-18 Tokyo Electric Limited High-pressure processing chamber for a semiconductor wafer
US7270137B2 (en) 2003-04-28 2007-09-18 Tokyo Electron Limited Apparatus and method of securing a workpiece during high-pressure processing
US20040231707A1 (en) * 2003-05-20 2004-11-25 Paul Schilling Decontamination of supercritical wafer processing equipment
US7163380B2 (en) * 2003-07-29 2007-01-16 Tokyo Electron Limited Control of fluid flow in the processing of an object with a fluid
US20050035514A1 (en) * 2003-08-11 2005-02-17 Supercritical Systems, Inc. Vacuum chuck apparatus and method for holding a wafer during high pressure processing
US20050034660A1 (en) * 2003-08-11 2005-02-17 Supercritical Systems, Inc. Alignment means for chamber closure to reduce wear on surfaces
US20050067002A1 (en) * 2003-09-25 2005-03-31 Supercritical Systems, Inc. Processing chamber including a circulation loop integrally formed in a chamber housing
US7186093B2 (en) * 2004-10-05 2007-03-06 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for cooling motor bearings of a high pressure pump
WO2005087422A1 (fr) * 2004-03-11 2005-09-22 IBl Löttechnik GmbH Procede et dispositif pour souder avec une depression en phase vapeur
US7250374B2 (en) 2004-06-30 2007-07-31 Tokyo Electron Limited System and method for processing a substrate using supercritical carbon dioxide processing
US7307019B2 (en) 2004-09-29 2007-12-11 Tokyo Electron Limited Method for supercritical carbon dioxide processing of fluoro-carbon films
US20060065288A1 (en) * 2004-09-30 2006-03-30 Darko Babic Supercritical fluid processing system having a coating on internal members and a method of using
US20060065189A1 (en) * 2004-09-30 2006-03-30 Darko Babic Method and system for homogenization of supercritical fluid in a high pressure processing system
US7491036B2 (en) 2004-11-12 2009-02-17 Tokyo Electron Limited Method and system for cooling a pump
US7140393B2 (en) * 2004-12-22 2006-11-28 Tokyo Electron Limited Non-contact shuttle valve for flow diversion in high pressure systems
US20060135047A1 (en) * 2004-12-22 2006-06-22 Alexei Sheydayi Method and apparatus for clamping a substrate in a high pressure processing system
US20060134332A1 (en) * 2004-12-22 2006-06-22 Darko Babic Precompressed coating of internal members in a supercritical fluid processing system
US7434590B2 (en) * 2004-12-22 2008-10-14 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for clamping a substrate in a high pressure processing system
US7291565B2 (en) 2005-02-15 2007-11-06 Tokyo Electron Limited Method and system for treating a substrate with a high pressure fluid using fluorosilicic acid
US7435447B2 (en) * 2005-02-15 2008-10-14 Tokyo Electron Limited Method and system for determining flow conditions in a high pressure processing system
US20060185694A1 (en) * 2005-02-23 2006-08-24 Richard Brown Rinsing step in supercritical processing
US20060186088A1 (en) * 2005-02-23 2006-08-24 Gunilla Jacobson Etching and cleaning BPSG material using supercritical processing
US20060185693A1 (en) * 2005-02-23 2006-08-24 Richard Brown Cleaning step in supercritical processing
US7562853B2 (en) * 2005-03-11 2009-07-21 Christopher Mazzola Container support and mounting bracket
US7550075B2 (en) 2005-03-23 2009-06-23 Tokyo Electron Ltd. Removal of contaminants from a fluid
US7380984B2 (en) * 2005-03-28 2008-06-03 Tokyo Electron Limited Process flow thermocouple
US7767145B2 (en) * 2005-03-28 2010-08-03 Toyko Electron Limited High pressure fourier transform infrared cell
US20060225772A1 (en) * 2005-03-29 2006-10-12 Jones William D Controlled pressure differential in a high-pressure processing chamber
US20060223899A1 (en) * 2005-03-30 2006-10-05 Hillman Joseph T Removal of porogens and porogen residues using supercritical CO2
US7399708B2 (en) * 2005-03-30 2008-07-15 Tokyo Electron Limited Method of treating a composite spin-on glass/anti-reflective material prior to cleaning
US20060219268A1 (en) * 2005-03-30 2006-10-05 Gunilla Jacobson Neutralization of systemic poisoning in wafer processing
US7494107B2 (en) * 2005-03-30 2009-02-24 Supercritical Systems, Inc. Gate valve for plus-atmospheric pressure semiconductor process vessels
US7442636B2 (en) * 2005-03-30 2008-10-28 Tokyo Electron Limited Method of inhibiting copper corrosion during supercritical CO2 cleaning
US7789971B2 (en) 2005-05-13 2010-09-07 Tokyo Electron Limited Treatment of substrate using functionalizing agent in supercritical carbon dioxide
US7524383B2 (en) * 2005-05-25 2009-04-28 Tokyo Electron Limited Method and system for passivating a processing chamber
US20070000519A1 (en) * 2005-06-30 2007-01-04 Gunilla Jacobson Removal of residues for low-k dielectric materials in wafer processing
DE102006025184B4 (de) * 2006-05-30 2008-02-21 IBL-Löttechnik GmbH Vorrichtung zum Löten in der Dampfphase
US20080145038A1 (en) * 2006-12-15 2008-06-19 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for heating a substrate
DE102007005345B4 (de) * 2007-02-02 2014-06-18 Seho Systemtechnik Gmbh Verfahren zum Reflow-Löten sowie Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens
US9166139B2 (en) * 2009-05-14 2015-10-20 The Neothermal Energy Company Method for thermally cycling an object including a polarizable material
US20100308103A1 (en) * 2009-06-08 2010-12-09 Tyco Electronics Corporation System and method for vapor phase reflow of a conductive coating
JP6188671B2 (ja) * 2014-12-12 2017-08-30 株式会社Ssテクノ 水蒸気リフロー装置及び水蒸気リフロー方法
JP6909999B2 (ja) 2018-11-07 2021-07-28 パナソニックIpマネジメント株式会社 気相式加熱方法及び気相式加熱装置

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3025533A (en) * 1959-06-01 1962-03-20 Kenneth E Hair Steam bath apparatus
US4077467A (en) * 1976-01-28 1978-03-07 Spigarelli Donald J Method and apparatus for soldering, fusing or brazing
GB2058335B (en) * 1979-05-18 1983-09-01 Atomic Energy Authority Uk Soldering apparatus
EP0023107B1 (fr) * 1979-07-09 1983-09-07 Electrovert Ltd. Procédé et appareil pour le soudage en phase vapeur
US4264299A (en) * 1980-03-12 1981-04-28 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Process and apparatus for controlling losses in volatile working fluid systems
FR2481431A1 (fr) * 1980-04-23 1981-10-30 Inst Ochistke T Four de chauffage de produits
FR2499228B1 (fr) * 1981-01-30 1985-10-25 Carreras Michelle Procede de chauffage d'objets a haute temperature par vapeur sous pression et appareil de mise en oeuvre
JPS60108162A (ja) * 1983-11-16 1985-06-13 Hitachi Ltd 蒸気槽
FR2579737B1 (fr) * 1985-04-02 1987-11-20 Inf Milit Spatiale Aeronaut Limitation de la corrosion en machine de refusion en phase-vapeur
JPS61238464A (ja) * 1985-04-13 1986-10-23 Eiichi Miyake 物品加熱装置
US4698915A (en) * 1986-08-04 1987-10-13 American Telephone And Telegraph Company Method and apparatus for condensation heating

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE202009014590U1 (de) 2009-10-29 2010-02-04 Asscon Systemtechnik-Elektronik Gmbh Dampfphasen-Lötanlage

Also Published As

Publication number Publication date
JPH02502200A (ja) 1990-07-19
WO1989004234A1 (fr) 1989-05-18
DE3873321D1 (de) 1992-09-03
EP0340275A1 (fr) 1989-11-08
DE3873321T2 (de) 1992-12-03
AU2786289A (en) 1989-06-01
RU2014975C1 (ru) 1994-06-30
KR890701272A (ko) 1989-12-19
US4838476A (en) 1989-06-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0340275B1 (fr) Procede et appareil de traitement en phase vapeur
US5192582A (en) Procedure for processing joints to be soldered
US7380699B2 (en) Method and apparatus for vapour phase soldering
EP0000284B1 (fr) Procédé et appareil pour refondre la matière de soudure de substrats revêtus de matière de soudure et substrats formés au moyen de ceux-ci
US4580716A (en) Apparatus and method for vapor phase solder reflow
JPS586774A (ja) 蒸気処理装置
EP0211563B1 (fr) Appareil à souder
WO2005065877A1 (fr) Four de refusion
US5514414A (en) Solvent-less vapor deposition apparatus and process for application of soldering fluxes
US4264299A (en) Process and apparatus for controlling losses in volatile working fluid systems
US6443356B1 (en) Method for controlling heat transfer to a work piece during condensation soldering
JPH03118962A (ja) ベーパリフロー式はんだ付け装置
JPH0292454A (ja) 雰囲気熱処理方法
JP2751979B2 (ja) ベーパーリフローはんだ付け装置
JPS62182259A (ja) 連続式合金メツキ装置
JP2723449B2 (ja) ベーパーリフローはんだ付け装置
JP3933879B2 (ja) 水蒸気雰囲気による溶融はんだの酸化防止方法
JPS62148083A (ja) ベ−パ−リフロ−式はんだ付け装置
JPS62148085A (ja) ペ−パ−リフロ−式はんだ付け装置
SU664774A1 (ru) Способ пайки изделий с развитыми па емыми поверхност ми
JPH049271A (ja) 気相はんだ付け装置
CA1142454A (fr) Methode et appareil de chauffage par condensation
JPS6397686A (ja) 気相伝熱処理法のためのパーフロロ化ポリプロピレン オキサイド化合物
JPS63204012A (ja) 溶融焼却残渣の連続出滓方法
JPH03146257A (ja) はんだ付け方法およびその装置

Legal Events

Date Code Title Description
PUAI Public reference made under article 153(3) epc to a published international application that has entered the european phase

Free format text: ORIGINAL CODE: 0009012

AK Designated contracting states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): CH DE FR GB IT LI NL SE

17P Request for examination filed

Effective date: 19891120

17Q First examination report despatched

Effective date: 19910325

ITF It: translation for a ep patent filed

Owner name: DE DOMINICIS & MAYER S.R.L.

GRAA (expected) grant

Free format text: ORIGINAL CODE: 0009210

AK Designated contracting states

Kind code of ref document: B1

Designated state(s): CH DE FR GB IT LI NL SE

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: SE

Effective date: 19920729

Ref country code: NL

Effective date: 19920729

REF Corresponds to:

Ref document number: 3873321

Country of ref document: DE

Date of ref document: 19920903

ET Fr: translation filed
PGFP Annual fee paid to national office [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: CH

Payment date: 19921123

Year of fee payment: 5

PGFP Annual fee paid to national office [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: GB

Payment date: 19921124

Year of fee payment: 5

PGFP Annual fee paid to national office [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: FR

Payment date: 19921126

Year of fee payment: 5

NLV1 Nl: lapsed or annulled due to failure to fulfill the requirements of art. 29p and 29m of the patents act
PLBE No opposition filed within time limit

Free format text: ORIGINAL CODE: 0009261

STAA Information on the status of an ep patent application or granted ep patent

Free format text: STATUS: NO OPPOSITION FILED WITHIN TIME LIMIT

26N No opposition filed
PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: GB

Effective date: 19931111

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: LI

Effective date: 19931130

Ref country code: CH

Effective date: 19931130

GBPC Gb: european patent ceased through non-payment of renewal fee

Effective date: 19931111

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: FR

Effective date: 19940729

REG Reference to a national code

Ref country code: CH

Ref legal event code: PL

REG Reference to a national code

Ref country code: FR

Ref legal event code: ST

PGFP Annual fee paid to national office [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: DE

Payment date: 19991230

Year of fee payment: 12

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: DE

Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES

Effective date: 20010801

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: IT

Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES;WARNING: LAPSES OF ITALIAN PATENTS WITH EFFECTIVE DATE BEFORE 2007 MAY HAVE OCCURRED AT ANY TIME BEFORE 2007. THE CORRECT EFFECTIVE DATE MAY BE DIFFERENT FROM THE ONE RECORDED.

Effective date: 20051111