EA021273B1 - Способ и устройство анализа материалов с помощью сфокусированного пучка электронов с использованием характеристического рентгеновского излучения и обратноотраженных электронов - Google Patents

Способ и устройство анализа материалов с помощью сфокусированного пучка электронов с использованием характеристического рентгеновского излучения и обратноотраженных электронов Download PDF

Info

Publication number
EA021273B1
EA021273B1 EA201270260A EA201270260A EA021273B1 EA 021273 B1 EA021273 B1 EA 021273B1 EA 201270260 A EA201270260 A EA 201270260A EA 201270260 A EA201270260 A EA 201270260A EA 021273 B1 EA021273 B1 EA 021273B1
Authority
EA
Eurasian Patent Office
Prior art keywords
input
output
map
unit
ray
Prior art date
Application number
EA201270260A
Other languages
English (en)
Other versions
EA201270260A1 (ru
Inventor
Давид Мотль
Сильвиэ Докулилова
Войтех Филип
Original Assignee
Тескан Орсэй Холдинг, А.С.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Тескан Орсэй Холдинг, А.С. filed Critical Тескан Орсэй Холдинг, А.С.
Publication of EA201270260A1 publication Critical patent/EA201270260A1/ru
Publication of EA021273B1 publication Critical patent/EA021273B1/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
    • H01J37/28—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes with scanning beams
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
    • G01N23/22—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material
    • G01N23/2206—Combination of two or more measurements, at least one measurement being that of secondary emission, e.g. combination of secondary electron [SE] measurement and back-scattered electron [BSE] measurement
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
    • G01N23/22—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material
    • G01N23/225—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material using electron or ion
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H01J37/22—Optical or photographic arrangements associated with the tube
    • H01J37/222—Image processing arrangements associated with the tube
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H01J37/244—Detectors; Associated components or circuits therefor
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N2223/00—Investigating materials by wave or particle radiation
    • G01N2223/40—Imaging
    • G01N2223/402—Imaging mapping distribution of elements
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N2223/00—Investigating materials by wave or particle radiation
    • G01N2223/60—Specific applications or type of materials
    • G01N2223/616—Specific applications or type of materials earth materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/244—Detection characterized by the detecting means
    • H01J2237/2441—Semiconductor detectors, e.g. diodes
    • H01J2237/24415—X-ray
    • H01J2237/2442—Energy-dispersive (Si-Li type) spectrometer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/244—Detection characterized by the detecting means
    • H01J2237/24475—Scattered electron detectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/245—Detection characterised by the variable being measured
    • H01J2237/24571—Measurements of non-electric or non-magnetic variables
    • H01J2237/24585—Other variables, e.g. energy, mass, velocity, time, temperature

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)

Abstract

В изобретении представлен способ анализа материалов с помощью сфокусированного пучка электронов и устройство для его реализации, где создаются электронная карта В, где отображается активность эмиссии обратноотраженных электронов в различных точках образца, и спектральная карта S, где отображается активность эмиссии рентгеновского излучения в точках образца в зависимости от энергии излучения. Для выбранных химических элементов создают рентгеновские карты M, где отражена активность рентгеновского излучения, характерная для данных элементов. Рентгеновские карты Mи электронная карта В конвертируются в дифференциальные рентгеновские карты D, которые затем объединятся в итоговую дифференциальную карту D. Итоговая дифференциальная карта D затем используется для обнаружения частиц. Затем для каждой частицы рассчитывается аккумулированный спектр Xрентгеновского излучения, причем точки образца, расположенные на краю частицы, имеют меньший вес, чем точки, расположенные внутри частицы. Затем из аккумулированного спектра Xв ходе количественного спектроскопического анализа определяется концентрация химических элементов в данной частице.

Description

(57) В изобретении представлен способ анализа материалов с помощью сфокусированного пучка электронов и устройство для его реализации, где создаются электронная карта В, где отображается активность эмиссии обратноотраженных электронов в различных точках образца, и спектральная карта 8, где отображается активность эмиссии рентгеновского излучения в точках образца в зависимости от энергии излучения. Для выбранных химических элементов создают рентгеновские карты Μ,, где отражена активность рентгеновского излучения, характерная для данных элементов. Рентгеновские карты М, и электронная карта В конвертируются в дифференциальные рентгеновские карты Э,. которые затем объединятся в итоговую дифференциальную карту Э. Итоговая дифференциальная карта И затем используется для обнаружения частиц. Затем для каждой частицы рассчитывается аккумулированный спектр Х^ рентгеновского излучения, причем точки образца, расположенные на краю частицы, имеют меньший вес, чем точки, расположенные внутри частицы. Затем из аккумулированного спектра X, в ходе количественного спектроскопического анализа определяется концентрация химических элементов в данной частице.
Область техники

Claims (6)

1. Способ анализа материалов с помощью сфокусированного электронного пучка при использовании характеристического рентгеновского излучения и обратноотраженных электронов, где сначала при экспертной оценке формируют достаточно большой набор Р химических элементов, которые могут присутствовать в исследуемом образце, и для каждого элемента р1 из набора Р определяют интервал 11 энергии рентгеновских фотонов в соответствии с одной эмиссионной линией данного элемента, затем сфокусированный электронный пучок последовательно отклоняют к точкам исследуемого образца и в данных точках определяют активность обратноотраженнных электронов с целью создания электронной карты В, а также с целью создания спектральной карты δ определяют гистограмму энергии рентгеновского излучения, эмитированного в данной точке, отличающийся тем, что для каждого элемента р1 из набора Р создают карту М1 рентгеновского излучения, где показатели М1(х, у), находящиеся на карте М1, распространяются на точки образца с координатами (х, у) и привязываются к активности эмитированного в данных точках рентгеновского излучения с энергией в интервале 11, и затем карты рентгеновского излучения М1 преобразуют в дифференциальные карты И1 рентгеновского излучения, где показатели И/х, у), находящиеся на карте И1, распространяются на точки образца с координатами (х, у) и привязываются к модулю градиента активности рентгеновского излучения в данных точках, имеющего энергию в интервале 11, и одновременно электронную карту В преобразуют в дифференциальную электронную карту Ив, где показатели Ив(х, у), находящиеся на карте Ив, распространяются на точки образца с координатами (х, у) и привязываются к модулю градиента активности обратноотраженных электронов в данных точках, и дифференциальные карты И1 рентгеновского излучения и дифференциальную электронную карту Ив объединяют в окончательную дифференциальную карту И, что сопровождается сегментацией изображения при трансформации по методу водораздела окончательной дифференциальной карты И, выполняемой для обнаружения частиц, где результатом данной операции является получение набора О частиц, далее набора О. где каждой частице присваивают порядковый номер р и карта К распределения частиц, где показатели К(х, у), находящиеся на карте К, распространяются на точки образца с координатами (х, у) и привязываются к порядковому номеру частицы; затем при экспертной оценке устанавливается значение коэффициента а и для каждой частицы из набора О определяют спектр X, рентгеновского излучения по спектральной карте δ с использованием коэффициента а, где показатели Х,(Е) из спектра X, являются аккумулированными показателями активности рентгеновского излучения с энергией Е, и, наконец, в ходе количественного спектроскопического анализа спектра Х_) определяют концентрацию химических элементов, содержащихся в месте нахождения частицы на исследуемом образце.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что при экспертной оценке определяют значения коэффициентов Ьтт и Ьтах, после чего для каждой частицы набора О на основании карты К распределения частиц и электронной карты В с использованием средней величины определяют средний уровень активности обратноотраженных электронов Ь^ причем, если значение Ь находится в закрытом интервале между показателями Ьтш и Ьтах, частицу вводят в новый набор О', затем для каждой частицы нового набора Р' по спектральной карте δ через коэффициент а определяют спектр X, рентгеновского излучения и затем посредством количественного спектроскопического анализа спектра Χ_ί определяют концентрацию химических элементов, содержащихся в месте нахождения частицы на исследуемом образце.
- 10 021273
3. Способ по п.1 или 2, отличающийся тем, что посредством экспертной оценки определяют набор Ζ правил для классификации материалов, где набор Ζ является набором пар (ск, ук), и каждому классу ск присваивают логическое выражение ук, состоящее из отождествителей переменных, арифметических операторов, логических операторов, операторов сравнения и цифровых констант, затем определяют набор переменных, встречающихся в выражениях из набора Ζ, причем переменным каждой частицы из набора О присваивают идентифицированные концентрации химических элементов и затем производят оценку логического значения каждого выражения ук для создания набора С где набор С содержит такие классы ск из набора С, где С является набором всех классов из набора Ζ, для которых имеет смысл соответствующее выражение ук.
4. Устройство для реализации способа по п.1, где анализ проводят при использовании электронного микроскопа (13), оснащенного детектором (8) обратноотраженных электронов, соединенным с входом аналогово-цифрового преобразователя (9), и энергодисперсионным детектором (10) рентгеновского излучения, соединенным с входом импульсного процессора (11), отличающееся тем, что выход аналоговоцифрового преобразователя (9) и выход импульсного процессора (11) соединены с процессорным блоком (20), где выход аналогово-цифрового преобразователя (9) соединен через блок первой памяти (21), второй блок (29) деривации и блок седьмой памяти (30) - с одним входом блока (31) объединения и выход импульсного процессора (11) соединен с одним входом блока второй памяти (22), выход которого подключен к одному входу первого блока (25) интеграции, второй вход которого подключен к выходу блока четвертой памяти (24), подключенного через свой вход к выходу блока третьей памяти (23), и выход первого блока (25) интеграции через блок пятой памяти (26), первый блок (27) деривации и блок шестой памяти (28) соединен со вторым входом блока (31) объединения, выход которого подключен через блок восьмой памяти (32) к входу блока (33) трансформации, один выход которого через блок девятой памяти (34) соединен с одним входом второго блока (36), а его второй выход через блок десятой памяти (35) соединен со вторым входом второго блока (36) интеграции, третий вход которого подключен к выходу блока одиннадцатой памяти (37), а его четвертый вход подключен ко второму выходу блока второй памяти (22), причем выход второго блока (36) интеграции подключен через спектральный анализатор (38), блок двенадцатой памяти (39) и контроллер (40) отображающего устройства подключены к входу отображающего устройства (41), и процессорный блок (20) имеет устройство (44) ввода для ввода входных величин, подключенное через контроллер (45) устройства ввода к блоку третьей памяти (23), блоку четвертой памяти (24) и блоку одиннадцатой памяти (37), причем устройство (42) позиционирования через контроллер (40) отображающего устройства подключено к данному отображающему устройству (41).
5. Устройство по п.4, отличающееся тем, что при реализации способа согласно п.2 выход блока первой памяти (21) одновременно подключен к одному входу третьего блока (50) интеграции, второй вход которого подключен к выходу блока девятой памяти (34), и выход третьего блока (50) интеграции подключен к одному входу блока (51) сравнения, второй вход которого подключен к выходу блока тринадцатой памяти (52), вход которой через контроллер (45) устройства ввода соединен с выходом данного устройства (44) ввода, и выход блока (51) сравнения через блок четырнадцатой памяти (53) подключен ко второму входу второго блока (36) интеграции.
6. Устройство по п.5, отличающееся тем, что при реализации способа по п.2 или 3 спектральный анализатор (38) имеет второй выход, который соединяется с одним входом классификатора (60), второй вход которого соединяется с выходом блока пятнадцатой памяти (61), подключенного через контроллер (45) устройства ввода к данному устройству (44), а выход классификатора (60) через блок шестнадцатой памяти (62) и контроллер (40) отображающего устройства подключен к данному отображающему устройству (41).
EA201270260A 2011-03-23 2012-03-06 Способ и устройство анализа материалов с помощью сфокусированного пучка электронов с использованием характеристического рентгеновского излучения и обратноотраженных электронов EA021273B1 (ru)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CZ20110154A CZ2011154A3 (cs) 2011-03-23 2011-03-23 Zpusob analýzy materiálu fokusovaným elektronovým svazkem s využitím charakteristického rentgenového zárení a zpetne odražených elektronu a zarízení k jeho provádení

Publications (2)

Publication Number Publication Date
EA201270260A1 EA201270260A1 (ru) 2012-10-30
EA021273B1 true EA021273B1 (ru) 2015-05-29

Family

ID=46160534

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
EA201270260A EA021273B1 (ru) 2011-03-23 2012-03-06 Способ и устройство анализа материалов с помощью сфокусированного пучка электронов с использованием характеристического рентгеновского излучения и обратноотраженных электронов

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20130054153A1 (ru)
AU (1) AU2012201146B2 (ru)
BR (1) BR102012005032A2 (ru)
CZ (1) CZ2011154A3 (ru)
EA (1) EA021273B1 (ru)
ZA (1) ZA201201095B (ru)

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2697631A2 (en) * 2011-04-15 2014-02-19 American Science & Engineering, Inc. Backscatter system with variable size of detector array
US9593982B2 (en) 2012-05-21 2017-03-14 Digimarc Corporation Sensor-synchronized spectrally-structured-light imaging
US9453801B2 (en) * 2012-05-25 2016-09-27 Kla-Tencor Corporation Photoemission monitoring of EUV mirror and mask surface contamination in actinic EUV systems
US9778215B2 (en) * 2012-10-26 2017-10-03 Fei Company Automated mineral classification
US9621760B2 (en) 2013-06-07 2017-04-11 Digimarc Corporation Information coding and decoding in spectral differences
EP2881972B1 (en) 2013-08-09 2017-03-22 Carl Zeiss Microscopy Ltd. Method and data analysis system for semi-automated particle analysis using a charged particle beam
EP2879156A1 (en) * 2013-12-02 2015-06-03 Fei Company Charged-particle microscopy with enhanced electron detection
JP6328456B2 (ja) * 2014-03-20 2018-05-23 株式会社日立ハイテクサイエンス エネルギー分散型ｘ線分析装置及びエネルギー分散型ｘ線分析方法
CZ309309B6 (cs) 2015-09-22 2022-08-17 TESCAN BRNO s.r.o. Způsob analýzy materiálů fokusovaným elektronovým svazkem s využitím charakteristického rentgenového záření a zpětně odražených elektronů a zařízení k jejímu provádění
US20170140538A1 (en) * 2015-11-16 2017-05-18 Le Holdings (Beijing) Co., Ltd. Image preprocessing method and electronic device for image registration
RU2664012C1 (ru) * 2017-05-12 2018-08-14 Борис Никитович Васичев Электронно-лучевой процессор квантового компьютера и способ его осуществления
JP2019191168A (ja) * 2018-04-23 2019-10-31 ブルカー ジェイヴィ イスラエル リミテッドＢｒｕｋｅｒ Ｊｖ Ｉｓｒａｅｌ Ｌｔｄ． 小角ｘ線散乱測定用のｘ線源光学系
EP3614414A1 (en) 2018-08-20 2020-02-26 FEI Company Method of examining a sample using a charged particle microscope
AT524288B1 (de) * 2020-09-16 2024-05-15 Gatan Inc Computergestütztes Verfahren zur Bestimmung eines Elementanteiles eines Bestimmungselementes kleiner Ordnungszahl, insbesondere eines Li-Anteiles, und Vorrichtung zur Datenverarbeitung hierzu
EP4067888A1 (en) * 2021-03-31 2022-10-05 FEI Company Multiple image segmentation and/or multiple dynamic spectral acquisition for material and mineral classification
JP7307770B2 (ja) * 2021-07-20 2023-07-12 日本電子株式会社 分析装置および画像処理方法
GB2621003A (en) * 2023-01-13 2024-01-31 Oxford Instruments Nanotechnology Tools Ltd Live chemical imaging with multiple detectors

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4476386A (en) * 1980-06-11 1984-10-09 Commonwealth Scientific And Industrial Research Organization Method and apparatus for material analysis
SU1570658A3 (ru) * 1979-02-09 1990-06-07 Мартин Мариетта Корпорейшн (Фирма) Портативна установка дл рентгенофлуоресцентного анализа
US5798525A (en) * 1996-06-26 1998-08-25 International Business Machines Corporation X-ray enhanced SEM critical dimension measurement
US20060028643A1 (en) * 2004-08-03 2006-02-09 Intellection Pty Ltd Method and system for spectroscopic data analysis

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2922940B2 (ja) * 1989-11-22 1999-07-26 株式会社日立製作所 エネルギ分散形ｘ線分析装置
WO1994008232A1 (en) * 1992-09-28 1994-04-14 Hitachi, Ltd. Method and apparatus for surface analysis
JP3607023B2 (ja) * 1996-05-10 2005-01-05 株式会社堀場製作所 Ｘ線定量分析装置および方法
US6751287B1 (en) * 1998-05-15 2004-06-15 The Trustees Of The Stevens Institute Of Technology Method and apparatus for x-ray analysis of particle size (XAPS)
US20070114419A1 (en) * 2005-08-29 2007-05-24 Glenn Bastiaans Apparatus and method for detecting a designated group of materials and apparatus and method for determining if a designated group of materials can be distinguished from one or more other materials
JP4851804B2 (ja) * 2006-02-13 2012-01-11 株式会社日立ハイテクノロジーズ 集束イオンビーム加工観察装置、集束イオンビーム加工観察システム及び加工観察方法
JP2008122267A (ja) * 2006-11-14 2008-05-29 Jeol Ltd 試料分析方法及び試料分析装置
US8155270B2 (en) * 2008-08-04 2012-04-10 Thermo Electron Scientific Instruments Llc Synergistic energy-dispersive and wavelength-dispersive X-ray spectrometry
JP5157768B2 (ja) * 2008-09-08 2013-03-06 ソニー株式会社 画像処理装置および方法、並びにプログラム
JP5425482B2 (ja) * 2009-01-16 2014-02-26 日本電子株式会社 エネルギー分散型ｘ線分光器による分析方法及びｘ線分析装置
US8588486B2 (en) * 2009-06-18 2013-11-19 General Electric Company Apparatus and method for isolating a region in an image
EP2284524B1 (en) * 2009-08-10 2014-01-15 FEI Company Microcalorimetry for X-ray spectroscopy
JP5764380B2 (ja) * 2010-04-29 2015-08-19 エフ イー アイ カンパニＦｅｉ Ｃｏｍｐａｎｙ Ｓｅｍ画像化法
EP2605005A1 (en) * 2011-12-14 2013-06-19 FEI Company Clustering of multi-modal data

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU1570658A3 (ru) * 1979-02-09 1990-06-07 Мартин Мариетта Корпорейшн (Фирма) Портативна установка дл рентгенофлуоресцентного анализа
US4476386A (en) * 1980-06-11 1984-10-09 Commonwealth Scientific And Industrial Research Organization Method and apparatus for material analysis
US5798525A (en) * 1996-06-26 1998-08-25 International Business Machines Corporation X-ray enhanced SEM critical dimension measurement
US20060028643A1 (en) * 2004-08-03 2006-02-09 Intellection Pty Ltd Method and system for spectroscopic data analysis

Also Published As

Publication number Publication date
AU2012201146A1 (en) 2012-10-11
US20130054153A1 (en) 2013-02-28
CZ303228B6 (cs) 2012-06-06
EA201270260A1 (ru) 2012-10-30
CZ2011154A3 (cs) 2012-06-06
ZA201201095B (en) 2012-10-31
BR102012005032A2 (pt) 2014-02-04
AU2012201146B2 (en) 2013-05-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EA021273B1 (ru) Способ и устройство анализа материалов с помощью сфокусированного пучка электронов с использованием характеристического рентгеновского излучения и обратноотраженных электронов
JP6364150B2 (ja) 自動化された鉱物分類
CN104380088B (zh) 对sem-eds数据集中的未知物的聚类分析
JP2020519901A (ja) 岩石サンプルの分析
CN104956461B (zh) 复合带电粒子检测器、带电粒子束装置以及带电粒子检测器
Longato et al. Post-mortem interval estimation of human skeletal remains by micro-computed tomography, mid-infrared microscopic imaging and energy dispersive X-ray mapping
Jones et al. Preprocessing strategies to improve MCR analyses of hyperspectral images
CN102253066A (zh) Sem成像方法
US10371651B2 (en) Method for analyzing an object by X-ray diffraction
CN114199918A (zh) 使用带电粒子束设备检查样品的方法
JP6144916B2 (ja) 生体組織画像のノイズ低減処理方法及び装置
US7132652B1 (en) Automatic classification of defects using pattern recognition applied to X-ray spectra
US11874240B2 (en) Systems and methods for interpreting high energy interactions
US20230204527A1 (en) Systems and methods for interpreting high energy interactions
KR20170098286A (ko) 하전입자선 장치
JP6795010B2 (ja) Ｘ線分析方法及びｘ線分析装置
WO2017050303A1 (en) A method of analysis of materials by means of a focused electron beam using characteristic x-rays and back-scattered electrons
CN115561270A (zh) 用于从光谱数据确定样品组成的方法及系统
JP6472434B2 (ja) Ｘ線分析装置及びコンピュータプログラム
JP6949034B2 (ja) 信号分析装置、信号分析方法、コンピュータプログラム、測定装置及び測定方法
Celeux et al. Hierarchical clustering of spectral images with spatial constraints for the rapid processing of large and heterogeneous data sets
JP2017181192A (ja) 顕微分光データ測定装置および方法
US20230011964A1 (en) Method for operating a particle beam microscope, particle beam microscope and computer program product
Shipman The extraction of quantitative mineralogical parameters from X-ray micro-tomography data using image processing techniques in three dimensions
Laterza et al. Heuristic data analysis for photon detection in single shot RIXS at a Free Electron Laser

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Lapse of a eurasian patent due to non-payment of renewal fees within the time limit in the following designated state(s)

Designated state(s): AM BY MD TJ TM