EA010036B1

EA010036B1 - Способ фотоотверждения полимерных композиций

Info

Publication number: EA010036B1
Application number: EA200601984A
Authority: EA
Inventors: Йохан Франц Градус Антониус Янсен; Дитрих Винке; Эрвин Йоханнес Элизабет Хаубен; Роберт Симон Адриан Ван Де Ларсхот
Original assignee: ДСМ Ай Пи ЭССЕТС Б.В.
Priority date: 2004-04-26
Filing date: 2005-04-19
Publication date: 2008-06-30
Also published as: WO2005103121A1; ES2574006T3; DK1740646T3; EP1591470A1; EA200601984A1; EP1740646B1; PL1740646T3; CN100591712C; EP1740646A1; CN1946775A

Abstract

Изобретение относится к способам отверждения с помощью светоизлучающих диодов (LED) отверждаемой полимерной композиции, содержащей фотоинициирующую систему, в которой наибольшая длина волны, при которой наблюдается максимум поглощения фотоинициирующей системы (λ), находится по меньшей мере на 20 нм ниже, а чаще всего на 100 нм ниже длины волны, при которой наблюдается максимум испускания LED (λ). Изобретение также относится к использованию отверждения с помощью LED для целей строительства, в частности, в применениях, связанных с футеровкой или перефутеровкой объектов, а также к объектам, содержащим отвержденную полимерную композицию, полученную путем отверждения с помощью LED.

Description

Настоящее изобретение относится к способам отверждения отверждаемой полимерной композиции, содержащей фотоинициирующую систему с помощью ЬЕИ (т.е. отверждения с помощью светоизлучающего диода). Фотоинициирующая система будет в дальнейшем в этом документе называться ΡΙ8. Отверждаемые полимерные композиции, как это подразумевается в этом документе, включают в себя отверждаемые полимерные компоненты и, при желании, реакционноспособные разбавители, присутствующие при этом (причем суммарную массу полимерных компонентов и реакционноспособного разбавителя используют в качестве основы для расчета массового процентного содержания всех других компонентов), а также всех видов других компонентов, включающих ΡΙ8, и любых других компонентов и добавок, которые обычно используют в отверждаемых полимерных композициях. Настоящее изобретение также относится к использованию отверждения с помощью ЬЕИ для целей строительства, в частности, в применениях для футеровки или перефутеровки объектов, а также к объектам, содержащим отвержденную полимерную композицию, получаемую посредством отверждения с помощью ЬЕИ.

В дополнительном конкретном способе осуществления изобретение относится к отверждаемой полимерной композиции для использования при (пере)футеровке, содержащей отверждаемый полимер, растворенный в способном к сополимеризации свободном мономере, к которому добавляют инициатор и, при желании, другие добавки. Изобретение поэтому также относится к использованию такой отверждаемой полимерной композиции в гибких рукавообразных объектах для применения при (пере)футеровке. Изобретение дополнительно относится к процессу (пере)футеровки трубы, бака или резервуара при использовании такого гибкого, рукавообразного объекта.

В рамках настоящего изобретения под (пере)футеровкой понимают размещение на внутренней поверхности полого объекта или системы, такой как система трубопроводных линий (например, канализационная система, промышленная сеть трубопроводов или транспортная сеть трубопроводов), резервуара или бака и им подобных, подходящего покрытия с толщиной по меньшей мере 2 мм, но обычно более 6 мм и даже до 30-40 мм. Как правило, слой покрытия предназначен способствовать повышению механической прочности и обеспечению устойчивости полого объекта или системы по отношению к действию химических реагентов, коррозии и т.д., а также предотвращению утечек. Следует отметить, что, когда полый объект или систему покрывают изнутри футеровочным материалом (также известным как внутреннее покрытие) в первый раз, то это называют футеровкой. Перефутеровкой называют каждый последующий раз, когда полый объект или систему, которые уже зафутеровали изнутри, покрывают внутренним покрытием. Поэтому термин (пере)футеровка относят ко всем ситуациям, когда футеровочный материал либо наносят в первый раз, либо при каждом последующем разе.

Отверждение с помощью ЬЕИ отверждаемых полимерных композиций (для использования для нанесения покрытий) известно из докладов, представленных на выставке и конференции 2003 РаФссН Еигоре ЕхЫЬйюп & СопГсгспсс Гог ΡαάίαΙίοη Сиппд (3-5 ноября, 2003, Берлин, Германия). Смотри, например, доклад авторов К. Иакс с! а1. (СопГсгспсс ргосссФпдк, радск 135-140), ЬЕИ Сиппд усгкик СопуспИопа1 υν Сиппд 8ук1стк: Ргорсйу Сотрапкопк оГ Лсгу1а1ск апб ЕрохМск, а также доклад автора 8.В. 81сдс1 (СопГсгспсс ргосссбшдк, радск 149-157), Тйс υν ЬЕИ Силпд - Лбуапсск ш а Исте Тссйпо1оду.

Эти работы хорошо осведомленных в области отверждения полимерных материалов авторов сообщают об отверждении полимерных композиций с помощью ЬЕИ, способных к отверждению под действием УФсвета, в частности, для использования в системах покрытий, адгезивах и печатных красках. Согласно этим сообщениям наибольшая длина волны, при которой наблюдается максимум поглощения фотоинициирующей системы (эта длина волны, в нм, будет в дальнейшем в этом документе называться Х_{тах РВ}), соответствует длине волны, в нм, при которой наблюдается максимум испускания ЬЕИ (которая будет в дальнейшем в этом документе называться Х_ЪЕ0) или, если такое соответствие длин волн является недостаточным, принимают меры (посредством использования подходящих сенсибилизаторов) для обеспечения хорошего соответствия вышеуказанных длин волн. Соответственно, эти работы сообщают, что результаты отверждения являются плохими, когда указанные выше длины волн не соответствуют надлежащим образом. Никакие из этих работ не дают какое-либо указание или рекомендацию относительно отверждения слоев, обладающих толщиной значительно большей толщины слоя покрытия, адгезива или печатной краски (обычно, чаще всего примерно 150 мкм) . Соответственно, эти работы не сообщают или не предлагают никакого способа отверждения объектов, обладающих толщиной, например, более примерно 0,5 мм, таких, которые бы являлись подходящими для практических применений, связанных с конструкционными материалами, например, для (пере)футеровки объектов, таких как трубы, особенно трубы большого диаметра. Следует дополнительно отметить, что авторы 81сдс1 с! а1., в частности, сообщают, что решетки из ЬЕИ, в которых длина волны, при которой наблюдается максимум испускания (Х_ЪЕС), равна 415 нм или больше, нельзя использовать для инициации отверждения отверждаемых полимерных композиций.

ЬЕИ рассматривают как относительно безопасные (в том смысле, что риск поражения глаз является относительно низким) благодаря отсутствию излучения в УФ-области. Это обусловлено тем, что длина волны, при которой наблюдается максимум их испускания, достаточно большая. Однако согласно процитированным выше работам такие безопасные ЬЕИ неизвестны для инициирования отверждения отверждаемых полимерных композиций для применения в строительстве.

- 1 010036

Тем не менее в области (фото)отверждения отверждаемых полимерных композиций существует давно испытываемая потребность найти безопасные и надежные способы для производства отвержденных конструктивных элементов, т.е. частей и полимерных объектов, обладающих толщиной по меньшей мере 0,5 мм и имеющих надлежащие механические свойства, такие как твердость и химическая устойчивость. Соображения безопасности также играют основную роль при отверждении отверждаемого полимера, растворенного в способном к (со)полимеризации свободном мономере, т.е. в реакционноспособном разбавителе.

Реакционноспособные разбавители, в основном, представляют собой относительно летучие соединения, которые могут быть опасными из-за рисков взрывов при случайно возникающих высоких температурах, а также из-за аспектов токсичности при получении отвержденных материалов.

Вышеупомянутые проблемы были преодолены согласно настоящему изобретению посредством предоставления способа отверждения с помощью БЕЭ (т.е. отверждения с помощью светоизлучающего диода) отверждаемой полимерной композиции, содержащей фотоинициирующую систему, в которой наибольшая длина волны, при которой наблюдается максимум поглощения фотоинициирующей системы (Утах из), является по меньшей мере на 20 нм меньше, а чаще всего на 100 нм меньше длины волны, при которой наблюдается максимум испускания БЕЭ (У_ЪЕС). Длины волн выражены в нм.

В дальнейшем в этом документе любое различие между У_ЬЕЕ и /_{тах И8} на 20 нм или более будет называться несоответствием. В формульном виде несоответствие (ММ) можно представить как ММ = /_ЬЕ0 - /_{тах Р13}(в нм) ; ММ > 20 нм.

Светоизлучающие диоды (БЕЭ), которые можно использовать, должны таким образом иметь несоответствие между длиной волны, при которой наблюдается максимум испускания БЕЭ (У_ЬЕС), и наибольшей длиной волны, при которой наблюдается максимум поглощения фотоинициирующей системы (/_тах и»)· Следует отметить, что спектр поглощения Р13 обычно показывает различные интенсивности максимумов поглощения при различных длинах волн, но, что только один при наибольшей длине волны должен быть принят во внимание при определении требуемого несоответствия согласно настоящему изобретению.

Способы и оборудование для определения длины волны, при которой наблюдается максимум испускания БЕЭ. и наибольшая длина волны, при которой наблюдается максимум поглощения фотоинициирующей системы, хорошо известны специалисту в данной области техники. Следует отметить, однако, что наибольший максимум поглощения Р13 не обязательно наблюдают в виде явного изолированного пика поглощения, но он может также присутствовать в спектре поглощения Р13 в виде так называемого плеча с правой (т. е. наиболее длинноволновой) стороны пика.

В контексте настоящего изобретения термин БЕЭ используют для обозначения либо одиночного БЕЭ (т.е. одного светоизлучающего диода, обладающего конкретной длиной волны, при которой наблюдается длина волны испускания, У_ЬЕС), либо решетки из БЕЭ (состоящей из ряда одиночных БЕЭ, которые могут быть идентичными, каждый с такой же /._ЕЕ|_Р либо могут быть различными, обладая различными /._ЕЕЕ) в диапазоне длин волн). В последнем случае для решетки из БЕЭ в качестве «длины волны, при которой наблюдается максимум испускания», выбирают наименьшую длину волны, при которой наблюдается максимум испускания в индивидуальных БЕЭ (У_ЕЕС).

Термин несоответствие, как он подразумевается в этом документе, применим к решеткам из БЕЭ даже в том случае, когда для некоторых индивидуальных светоизлучающих диодов в решетке существует соответствие между длиной волны, при которой наблюдается максимум испускания БЕЭ, и наибольшей длиной волны, при которой наблюдается максимум поглощения Р13. Для целей настоящего изобретения, соответственно, в случае решетки из БЕЭ, состоящей из ряда индивидуальных БЕЭ, предполагают, что несоответствие между /._ЕЕЕ и /_{тах Р13} существует в том случае, когда по меньшей мере 10% индивидуальных БЕЭ обладают несоответствием с У_{тах Р13}. Эффект несоответствия для решетки из БЕЭ тем больше, чем выше процентное содержание несоответствующих индивидуальных БЕЭ. Таким образом, эффект несоответствия увеличивается в ряду 10, 20, 30, 40 ...... 100% несоответствующих БЕЭ от общего количества индивидуальных БЕЭ. В случае решеток из БЕЭ наилучших результатов достигают тогда, когда 100% от общего числа индивидуальных БЕЭ имеют несоответствие с Р13.

Неожиданно авторы настоящего изобретения обнаружили, что отличных результатов по отверждению отверждаемых объектов, обладающих толщиной более 0,5 мм, например 1 или 2 см, и даже примерно до 20 см или более, можно достичь по всей толщине отвержденного объекта, что до настоящего времени не могли достичь посредством фотоотверждения, в течение нескольких минут, например в течение от 5 до 10 мин. Этих отличных результатов достигают благодаря несоответствию между /._ЕЕЕ) и /_{тах Р13}.

Отверждаемые полимерные композиции, которые можно использовать в способах согласно изобретению, можно выбирать из очень широкого ряда полимерных композиций, как будет более подробно объяснено в дальнейшем в этом документе. Достаточно здесь отметить, что способы по изобретению, в общих чертах, можно применить для отверждения полимерных композиций, которые способны отверждаться под действием катионов, а также полимерных композиций, которые способны отверждаться под действием радикалов. Конечно, в каждом таком случае важно в соответствии с указаниями, представлен

- 2 010036 ными в дальнейшем в этом документе, сделать подходящий выбор фотоинициирующей системы (при желании, включающей сенсибилизатор) и ЬЕО, который необходимо использовать.

Катионоотверждаемые полимерные композиции обычно включают в себя отверждаемые полимерные компоненты, выбираемые из группы, состоящей из полимерных компонентов, содержащих гидроксильные группы, эпокси- или окситановые группы или их комбинации, и виниловые сложноэфирные полимерные компоненты, а также виниловые простоэфирные полимерные компоненты или смеси любых упомянутых выше компонентов. Подходящие примеры катионоотверждаемых полимерных композиций описаны в голландском патенте №Шег1аиЙ8 ра1сШ ΝΕ-1007205.

Радикальноотверждаемые полимерные композиции обычно включают в себя полимерные компоненты, выбираемые из групп, состоящих из (1) способных к гомополимеризации полимерных компонентов, содержащих одну или несколько обедненных электронами реакционноспособных ненасыщенных связей, (ίί) способных к сополимеризации полимерных компонентов, содержащих одну или несколько обедненных электронами реакционноспособных ненасыщенных связей, а также (ίίί) комбинации полимерных компонентов, состоящих, по меньшей мере, из компонента, содержащего по меньшей мере две реакционноспособные ненасыщенные связи в молекуле, и компонента, содержащего по меньшей мере две ХН-группы в молекуле, причем ХН представляет собой лабильную Х-Н связь и X не является О или С. Подходящие примеры радикальноотверждаемых полимерных композиций из групп (ί) и (ίί) описаны, например, в патенте ^0-00/07746. Подходящие примеры радикальноотверждаемых полимерных композиций из группы (ίίί) описаны, например, в патентах ^0-88/020902, ЕР-А-0156493 или авторами Ν. В. Сгатег е1 а1. в публикации Масгото1. 36, р. 7964-7969 (2003) .

Фотоинициирующие системы, которые можно использовать в контексте настоящего изобретения, можно выбирать из большой группы ΡΙ8, известной специалисту в данной области техники. Обширный ряд подходящих фотоинициирующих систем можно найти, например, в работе Уо1ите 3 оГ Сйет181гу апй Тес1то1оду оГ ИУ аий ЕВ Рогти1а1юп8, 2'¹ Еййюи, Ьу К. 01е111кег аий 1. V. Спуе11о (8ΙΤΑ Тес1то1оду. Ьопйоп; 1998).

Как подразумевается в этом документе, фотоинициирующая система представляет собой любую систему, которая способна инициировать отверждение при облучении. ΡΙ8 может состоять из фотоинициатора как такового или может являться комбинацией фотоинициатора и сенсибилизатора или может представлять собой смесь фотоинициаторов, при желании, в сочетании с одним или несколькими сенсибилизаторами.

Как было упомянуто ранее, в принципе, необходимо различать два основных типа фотоотверждения: катионное и радикальное отверждение. В случае катионного отверждения отверждаемая полимерная композиция содержит катионный фотоинициатор и, при желании, сенсибилизатор. Сенсибилизатор может представлять собой любое соединение, которое способно поглощать свет при некоторой длине волны (превышающей длину волны фотоинициатора) и передавать вышеуказанную поглощенную энергию фотоинициатору, который обычно поглощает свет при более короткой длине волны (по сравнению с сенсибилизатором), отверждение затем инициируется посредством инициатора как такового.

Подходящие катионные фотоинициаторы можно выбирать из длинного списка известных соединений, состоящих, например, из диарилиодониевых солей, таких как дифенилиодоний тетрафторборат, дип-алкилоксифенилиодонийтетракиспентафторфенил борат, и триарилсульфониевых солей, таких как триарилсульфонийгексафторарсенат.

Подходящие сенсибилизаторы для катионных фотоинициирующих систем представляют собой, например, фенотиазин, ксантоны, тиоксантоны, перилен и их производные.

В случае радикального отверждения также можно использовать большое число фотоинициирующих систем. Вообще говоря, такие радикальноотверждаемые ΡΙ8 подразделяют на два класса: (ί) системы типа №гп511 Туре I (т.е. вызывающие α-расщепление), при желании, также включающие в себя сенсибилизатор, (ίί) системы типа №гп511 Туре II (функционирующие с помощью переноса электронов).

Подходящие фотоинициаторы типа №гп511 Туре I можно, например, выбирать из группы, состоящей из производных бензоина, бензилкеталей, таких как 2,2-диметокси-2-фенилацетофенон, а также диметоксиацетофенон, α-гидроксиалкилфенонов, таких как 1-гидроксициклогексилфенилкетон, а также 2гидрокси-2-метил-1-фенилпропанон, α-аминоалкилфенонов, таких как 2-метил-1-[4-(метилтио) фенил]2-морфолинпропан-2-он, а также 2-бензаил-2-диметиламино-1-(4-морфолинфенил)бутан-1-он, фосфоросодержащих соединений, таких как оксиды моноацилфосфина, например оксид 2,4,6триметилбензоилдифенилфосфина, а также оксиды диацилфосфина, например оксид ди(2,4,6триметилбензоил)фенилфосфина и оксид ди(2,6-диметоксибензоил)-2,4,4-триметилпентилфосфина. Подходящими сенсибилизаторами являются, например, ксантоны, тиоксантоны, бензофеноны и их производные. Также можно использовать смеси этих фотоинициаторов и/или сенсибилизаторов.

Подходящие системы типа №гп511 Туре II обычно основаны на комбинациях ароматического кетона и восстанавливающего соединения. В качестве ароматических кетонов можно использовать ксантоны, тиоксантоны, бензофеноны и их производные. В качестве восстанавливающих соединений соответственно можно использовать спирты, простые эфиры и амины. Подходящими аминами являются, например,

- 3 010036 ароматические амины, такие как этил-4-диметиламинобензоат, диметиланилин и алифатические амины, такие как Ν,Ν-диметилэтаноламин, Ν-метилдиэтаноламин, триэтаноламин. Как правило, системы типа Νοιτίδΐι Туре II не требуют использования дополнительного сенсибилизатора.

Следует отметить, что обычно в катионных инициирующих системах также образуются радикалы и что такие радикалы, образованные в катионных инициирующих системах, также можно применять для радикального отверждения.

Более того, все виды комбинаций фотоинициаторов, а также фотоинициирующих систем можно использовать в контексте настоящего изобретения. Например, комбинирование катионной фотоинициирующей системы с системой типа Νοιτίδΐι Туре II может легко привести к очень эффективной фотоинициирующей системе. Например, комбинация пентафторбората дифенилиодония с этил-4диметиламинобензоатом и изопропилтиоксантоном представляет собой очень хорошую фотоинициирующую систему, которую можно с таким же успехом использовать как для радикального отверждения, так и для катионного отверждения согласно настоящему изобретению.

В особенности предпочтительно, чтобы фотоинициирующие системы, используемые в контексте настоящего изобретения, являлись так называемыми фотоотбеливающими инициирующими системами. В таких фотоотбеливающих системах облучение Р18 приводит к образованию соединений, получаемых из образованных в Р18 радикалов, которые обладают максимумом поглощения при более короткой длине волны, чем исходные Р18, но сами по себе не являются активными как фотоинициаторы.

Предпочтительно, чтобы в способах согласно изобретению Х_ЬЕС была равна по меньшей мере 420 нм. Еще более предпочтительно, в целях понижения риска повреждения глаз и т.п., чтобы λ_ΕΕϋ была равна по меньшей мере 440 нм.

В способах отверждения с помощью ΕΕΌ согласно настоящему изобретению в особенности предпочтительно, чтобы разница длин волн между λ_ΕΕϋ и λ^ _Р18 (в нм) составляла по меньшей мере 30 нм и не более 90 нм. Более предпочтительно, чтобы разница длин волн между λ_ΕΕϋ и λ^ _И8 (в нм) составляла по меньшей мере 40 нм и не более 80 нм. Наиболее предпочтительно, чтобы разница длин волн между λ_ΕΕϋ и _И8 (в нм) составляла по меньшей мере 50 нм и не более 70 нм.

Отличных результатов отверждения согласно изобретению достигают, когда λ_ΜΗ, _Р18 находится в интервале между 350 и 420 нм. Когда λ_η|Η,. _Р18 превышает 420 нм, полимерные композиции слишком чувствительны к нежелательным эффектам (например, преждевременному отверждению под действием дневного света, обесцвечиванию), когда их подвергают воздействию видимого света до отверждения. Соответственно, Р18, обладающие λ,,,,,, _И8 выше 420 нм, не являются подходящими для любых видов использования в строительстве, включая применения, связанные с (пере)футеровкой. В том случае, когда /шзх _Р18 находится ниже 350 нм, факторы риска, присущие УФ-излучению, становятся более резко выраженными, а поглощение другими компонентами, присутствующими в полимере, например наполнителями, как правило, слишком высоким, так что отверждение является намного менее эффективным.

Фотоинициирующая система, используемая в способах по настоящему изобретению, предпочтительно содержит фотоинициирующую систему типа Νοιτίδΐι Туре I. Примеры Р18 типа Νοιτίδΐι Туре I представлены в упомянутом выше тексте. Наиболее предпочтительно, когда фотоинициирующая система, используемая в способах по настоящему изобретению, является фотоинициирующей системой типа ΝοΓΓίδΙι Туре I. Из группы Р18 типа Νοιτίδΐι Туре I фосфорсодержащие фотоинициирующие системы являются наиболее предпочтительными. Однако Р18 типа Νοιτίδΐι Туре II можно соответственно также использовать. Фосфорсодержащие фотоинициирующие системы типа Νοιτίδΐι Туре I являются наиболее предпочтительными.

Содержание Р18 в отверждаемых полимерных композициях, которые необходимо использовать в способах по настоящему изобретению, можно изменять в широком диапазоне, но, как правило, в диапазоне от 0,001 до 5 мас.%, предпочтительно от 0,05 до 3 мас.%, наиболее желательно от 0,1 до 1 мас.%. Эти массовые процентные доли рассчитывают по отношению к общей массе отверждаемой полимерной композиции, за исключением наполнителей и т.п. (другими словами, в качестве основы для расчета массовых процентных долей всех других компонентов используют суммарную массу полимерных компонентов и реакционноспособного разбавителя).

В способах отверждения с помощью ΕΕΌ согласно изобретению полимерный компонент отверждаемой полимерной композиции предпочтительно выбирают из групп, состоящих из (а) катионоотверждаемых полимерных компонентов, в частности, полимерных компонентов, выбираемых из группы, состоящей из полимерных компонентов, содержащих гидроксильные группы, эпоксигруппы или окситановые группы или их комбинации, и виниловых сложноэфирных полимерных компонентов, а также виниловых простоэфирных полимерных компонентов или смесей любых упомянутых выше компонентов, (б) радикальноотверждаемых полимерных компонентов, в частности, полимерных компонентов, выбираемых из групп, состоящих из (ί) способных к гомополимеризации полимерных компонентов, содержащих одну или несколько обедненных электронами реакционноспособных ненасыщенных связей, и

- 4 010036 (ίί) способных к сополимеризации полимерных компонентов, содержащих одну или несколько обедненных электронами реакционноспособных ненасыщенных связей, и (ΐϊϊ) комбинаций полимерных компонентов, состоящих, по меньшей мере, из компонента, содержащего по меньшей мере две реакционноспособных ненасыщенных связи в молекуле, и компонента, содержащего по меньшей мере две ХН группы в молекуле, причем ХН представляет собой лабильную Х-Н связь и X не является О или С.

Полимерный компонент отверждаемых полимерных композиций, как его используют в способах по настоящему изобретению, может обладать средней молекулярной массой в пределах широкого интервала молекулярных масс, но предпочтительно имеет среднюю молекулярную массу в диапазоне от 500 до 10000 Да (Дальтон), более желательно от 1000 до 5000 Да, а наиболее предпочтительно от 2500 до 4000 Да.

Особенно предпочтительно, чтобы полимерный компонент используемой отверждаемой полимерной композиции содержал одну или несколько обедненных электронами реакционноспособных ненасыщенных связей. Реакционноспособные ненасыщенные связи в дальнейшем в этом документе сокращенно обозначены как КП. Как это подразумевается в настоящей патентной заявке, термин полимерный компонент соответственно означает любой полимер, обладающий реакционноспособными ненасыщенными связями, а также может включать любой присутствующий в композиции реакционноспособный разбавитель. Ки, присутствующие в полимерных композициях, используемых в способах по настоящему изобретению, являются, наиболее предпочтительно, обедненными электронами КИ, соединенными с вышеуказанным полимером. Наиболее предпочтительно, когда эти полимеры, содержащие КИ, представляют собой полиэфиры (т.е. полимеры, содержащие многочисленные сложноэфирные группы). Примерами таких (ненасыщенных) полимерных сложных эфиров являются полимерные сложные эфиры фумаровой или малеиновой кислот. Обычно такие полимерные сложные эфиры фумаровой или малеиновой кислот также включают в себя реакционноспособный разбавитель, такой как, например, стирол или бутандиолдиметакрилат (ΒΌΌΜΑ). Другие подходящие реакционноспособные разбавители можно выбирать из группы, состоящей из винилтолуола, α-метилстирола, трет-бутилстирола, метилметакрилата (ΜΜΑ), гидроксиэтилметакрилата (НЕМА), гидроксипропилметакрилата (ΗΡΜΑ), виниловых простых эфиров, виниловых сложных эфиров, триэтиленгликольдиметакрилата (ΤΕΟΌΜΑ), триметилолпропантриметакрилата (ΤΜΡΤΜΑ), а также феноксиэтилметакрилата (РЕМА).

Термин (ненасыщенные) сложные полиэфиры, в том виде, как он используется в этом документе, при этом также включает (мет)акрилаты, обычно такие (мет)акрилатфункциональные полимеры также включают в себя реакционноспособный разбавитель, причем очень подходящим реакционноспособным разбавителем является ΒΌΌΜΑ.

Подходящие полимерные сложные эфиры малеиновой или фумаровой кислот, которые можно использовать в полимерной композиции согласно изобретению, представляют собой сложные полиэфиры, получаемые посредством реакции органических соединений, которые содержат карбоксильные и/или спиртовые группы. По меньшей мере одно из исходных соединений содержит ненасыщенные соединения. Примерами являются полимерные эфиры малеиновой кислоты, изофталевые смоляные кислоты, изофталевая кислота/неопентилгликоль полимеры, ортофталевые смоляные кислоты, ортофталевая кислота/неопентилгликоль полимеры, терефталевые смоляные кислоты, дициклопентадиеновые полимеры (ΌΟΡΩ). Примерами коммерчески доступных полимеров, относящихся к этой категории полимеров, являются полимеры 8ΥΝΟΕΠΈ™ и полимеры ΡΑΕΑΤΑΕ™, производимые фирмой Ό8Μ СотрозИе Кезтз (ЗсйаЕЕйаизеп, 8\\'Ц/ег1апб).

Подходящие (мет)акрилатные смолы, также известные под именем эпокси(мет)акрилатов, которые можно использовать в полимерной композиции согласно изобретению, являются продуктами соединения полиэпоксидов и ненасыщенных карбоновых кислот, предпочтительно акриловой кислоты и метакриловой кислоты. Подходящие полиэпоксиды представляют собой эпоксиноволаковые смолы и, в частности, полиэпоксиды на основе бисфенола А. Группа полимерных сложных виниловых эфиров, которые также являются подходящими, образована продуктами эстерификации алкоксилированного бисфенола А (мет)акриловой кислотой. Примерами коммерчески доступных полимеров, относящихся к этой категории полимеров, являются, например, полимеры ΑΤΓΑΟ™. производимые фирмой Ό8Μ СотрозИе Кезтз (ЗсйаЕГйаизеп, 8\уЦ/ег1апб). Способ приготовления полимерных ненасыщенных сложных эфиров и (мет)акрилатфункциональных полимеров известны специалисту в данной области техники, например, по работе Кип8181о£Е-НапбЬисй Ьанб VIII: Ро1уез1ег (У|е\\'ед ннб Соегбеп, Ι8ΒΝ 3-446-10108-2, 1973), часть II, главы с 1 по 3 включительно.

Подходящие (мет)акрилатуретановые полимеры можно получить путем реакции полифункционального изоционата с многоатомным спиртом и/или поливалентным амином и с гидроксиалкил(мет)акрилатом. Примеры известны из патентов υδ-Α-3297745, υδ-Α-3772404, υδ-Α-4618658, СВ-Α2217722, ΌΕ-Α-3744390, а также ЕР-А-534197. (Мет)акрилированные акриловые полимеры, т.е. поли(мет)акрилаты с одной или несколькими (мет)акрилатными группами, связанными с ними как боковая(ые) цепь(и), можно соответственно использовать также.

- 5 010036

В зависимости от области применения, в которой необходимо использовать отвержденные с помощью БЕЭ полимерные композиции, квалифицированный в данной области техники специалист может легко определить, на основе своего общего знания о свойствах полимеров, какой тип полимеров является наиболее пригодным для указанного выше применения.

Полимерные композиции, используемые в способе отверждения с помощью БЕЭ согласно изобретению, могут также содержать наполнители и другие добавки, которые являются подходящими в полимерных композициях (такие как снижающие объемные усадки добавки, разделительные смазки и т.д.), для обеспечения хороших технологических и надлежащих механических свойств.

Соответственно, полимерная композиция включает в себя один или несколько наполнителей, которые предпочтительно выбирают из групп, состоящих из прозрачных наполнителей и полупрозрачных наполнителей. Прозрачные наполнители и полупрозрачные наполнители чаще всего обладают очень низким поглощением света, падающего на поверхность полимерной композиции, соответственно значения их пропускания являются высокими.

Подходящие наполнители для полимерной композиции, которые можно использовать в способах согласно изобретению, представляют собой, например, тригидрат алюминия, карбонат кальция, слюду, микрокристаллический диоксид кремния, порошок кварца, барит и/или тальк.

Для улучшения технологических свойств используемых в способах согласно изобретению полимерных композиций дополнительно предпочтительно, чтобы полимерная композиция включала по меньшей мере одно вещество, обладающее тиксотропными свойствами. Присутствие такого тиксотропного вещества может быть независимым от присутствия или отсутствия наполнителей в полимерной композиции. В особенности, для применений, связанных с (пере)футеровкой, использование тиксотропных веществ является желательным.

Кроме того, в предпочтительном способе осуществления изобретения используемая полимерная композиция дополнительно включает в себя по меньшей мере один армирующий материал. В применениях, связанных с (пере)футеровкой, армирующий материал может присутствовать в полимерной композиции сам по себе, но его также можно применять в контексте настоящего изобретения в виде вспомогательного материала. Часто в случае применений, связанных с (пере)футеровкой, полимерную композицию наносят в форме гибких рукавообразных объектов.

Вспомогательный или армирующий материал таких гибких, рукавообразных объектов для (пере)футеровки представляет собой, например, собранное из волокон полотно или нетканый материал из стекловолокна, волокон диоксида кремния, кварцевых волокон, углеродных волокон, волокон бора, металлических волокон, асбестовых волокон, полиамидных волокон (например, волокон Кеу1аг® фирмы Эи Ροηΐ), волокон сложных полиэфиров, хлопковых волокон, шелковых волокон, полиэтиленовых волокон и джутовых волокон. Квалифицированный в данной области техники специалист может легко определить подходящие волокна для конкретного применения или желаемого свойства конструктивного элемента, который необходимо сформировать. Углеродные волокна используют, например, для применений, в которых требуются малая масса и высокая жесткость.

Очень выгодным в способах отверждения с помощью БЕЭ согласно изобретению является то, что полимерная композиция дополнительно включает в себя по меньшей мере один ингибитор, предпочтительно по меньшей мере один фенольный ингибитор.

Наиболее желательно, когда фенольный ингибитор представляет собой 2,6-ди-трет-бутил-4метилфенол. Для обеспечения стабильности полимерных композиций, отверждаемых согласно изобретению, предпочтительно, чтобы, по существу, композиции не содержали соединений, способных инициировать отверждение без облучения их светом БЕЭ. Например, желательно, чтобы в полимерных композициях отсутствовали такие соединения, как пероксиды.

Настоящее изобретение также относится к использованию отверждения с помощью БЕЭ для использования в целях строительства, в частности, в применениях, связанных с футеровкой или перефутеровкой объектов, а также к объектам, содержащим отвержденную полимерную композицию, получаемую путем отверждения с помощью БЕЭ. Предпочтительно, чтобы отверждаемая полимерная композиция в ходе отверждения имела толщину в диапазоне от 0,5 мм до 20 см, более желательно от 1 мм до 5 см.

До настоящего времени отверждение в применениях, связанных с (пере)футеровкой, обычно проводили путем термического отверждения (с использованием либо горячей воды, либо пара и, таким образом, испытывая необходимость в сложном в обращении оборудовании и дорогостоящей обработке, при наличии в то же время различных других недостатков, например выделения летучих органических соединений во время процесса отверждения при достигаемых повышенных температурах) или путем отверждения с помощью УФ-света. В последнем случае используемые УФ-лампы создают крайне большое количество тепла, что означает, что в этом случае также невозможно избежать выделения летучих органических соединений. Более того, во всех таких способах известного уровня техники благодаря низкой скорости отверждения в рамках приемлемого времени, составляющего несколько (например, от около 5 до 10) мин, можно достичь только малых глубин отверждения и, таким образом, на внутреннюю стенку труб и цистерн, которые необходимо (пере)футеровать, можно нанести только относительно тонкие слои

- 6 010036 (пере)футеровочного материала. Особенно, в случае, когда диаметр труб, которые необходимо (пере)футеровать становится большим, потребность обеспечить внутренние стенки более толстыми слоями ламинатов становится более необходимой. Для трубы диаметром 15 см, как правило, необходимо наносить ламинатный слой вплоть до 6 мм. УФ-отверждение в случае таких диаметров становится крайне трудоемким, а также почти невозможным из-за выделения тепла используемыми лампами. Однако для труб большого диаметра, например для (пере)футеровки коллекторов сточных вод и т.д., применения, связанные с (пере)футеровкой, также становятся все более и более важными. Такие трубы могут с легкостью обладать диаметром до 200 см, и толщина (пере)футеровочных ламинатных слоев должна в таких случаях составлять по меньшей мере около 20 мм. Для труб с еще большими диаметрами необходимо наносить еще более толстые ламинаты, и для того, чтобы достичь хороших свойств (пере)футеровочного слоя, требуется их полное отверждение.

По этой причине настоящее изобретение дает простой, экологически безопасный и легко контролируемый способ (пере)футеровки труб, цистерн и резервуаров, особенно, таких труб и оборудования, которые обладают большим диаметром, в частности, более 15 см, при отсутствии вышеупомянутых проблем и без требования больших капиталовложений в оборудование для (пере)футеровочных работ.

Квалифицированному в данной области техники специалисту известны различные методики (пере)футеровки. Как правило, использование состоит в применении гибких, рукавообразных объектов, наполненных отверждаемой полимерной композицией, таких размеров, что полый объект или система, которые необходимо футеровать с внутренней стороны, можно удовлетворительно футеровать с их помощью. Этот способ также известен в немецком языке как «ЗсЫаисйгейшпд». Гибкие, рукавообразные объекты, используемые в (пере)футеровке, обычно состоят из по меньшей мере одного водоустойчивого слоя, который непроницаем для неотвержденного полимера (барьерный слой), и вспомогательного или армирующего материала, который наполнен отверждаемой полимерной композицией. Слой, который непроницаем для неотвержденного полимера, обычно до некоторой степени проницаем для растворителя, в который включена полимерная композиция. Вспомогательный материал, как правило, определяет толщину (пере)футеровки. Вспомогательный материал также может обеспечивать механическую прочность и, по существу, при желании, в сочетании с любыми присутствующими наполнителями, может также выполнять функцию армирующего материала. Защитный слой (барьерный слой), при желании, удаляют после отверждения.

В процессе по настоящему изобретению (пере)футеровка труб, цистерн или резервуаров с использованием гибких, рукавообразных объектов предпочтительно осуществляется следующим образом:

(а) гибкий, рукавообразный объект вводят в трубу, цистерну или резервуар и затем (б) создают там повышенное давление с помощью жидкости или газа так, что гибкий, рукавообразный объект прижимается к внутренней стенке трубы, цистерны или резервуара и (с) отверждаемую полимерную композицию, присутствующую в гибком, рукавообразном объекте, отверждают путем отверждения с помощью ЬЕИ.

В способе отверждения с помощью ΕΕΌ согласно настоящему изобретению расстояние между ΕΕΌ и верхним слоем отверждаемой полимерной композиции предпочтительно находится в диапазоне от 2 мм до 30 см, наиболее желательно от 2 мм до 10 см. Конечно, при отверждении больших объектов или, когда, например, необходимо (пере)футеровать трубы, обладающие диаметром более 1 м, расстояние между ЬЕИ и верхним слоем отверждаемой полимерной композиции может составлять более 30 см. При этом в таких случаях для отверждения необходим более значительный подвод энергии.

Отверждение с помощью ЬЕИ согласно изобретению чрезвычайно успешно осуществляют при помощи отверждаемой полимерной композиции, покрываемой в ходе отверждения, по меньшей мере, по ее слою, обращенному к ΕΕΌ, широкой полосой барьерного слоя, который непроницаем для полимерной композиции самой по себе и который предпочтительно состоит из полупрозрачного материала, который является водоустойчивым и проницаемым для летучих веществ.

В применениях, связанных с (пере)футеровкой, барьерный слой, который непроницаем для отверждаемой полимерной композиции и который находится по меньшей мере на одной из поверхностей рукавообразного объекта, предпочтительно представляет собой слой полиэтилена, полипропилена, полиамида и т. д. (или, при желании, может являться широкой полосой стекла или широкой полосой полиуретана) и, наиболее желательно, проницаем для водяных паров и т. д. Как упомянуто выше, защитный слой (барьерный слой), при желании, удаляют после отверждения.

В одном из предпочтительных способов осуществления настоящего изобретения отверждение с помощью ЬЕИ полимерной композиции проводят, контролируя во время отверждения интенсивность излучения ЬЕИ и/или длины волны, при которой наблюдается максимум испускания ЬЕИ (Х_ЪЕС), предпочтительно, в комбинации с контролем температуры отверждаемого полимера, причем наиболее желательно такой контроль температуры осуществляют посредством неконтактного измерения температуры. Интенсивность излучения ЬЕИ можно, например, контролировать путем попеременного включения и выключения ЬЕИ, при помощи чего можно независимо изменять продолжительность нахождения во «включенном» и «выключенном» состояниях, а также даже в цикле. Интенсивность излучения ЬЕИ можно также контролировать посредством изменения во времени интенсивности падающего света или посредством

- 7 010036 селективного включения и выключения определенных частей решетки ЕЕ1). например ее определенных областей или ее индивидуальных ЕЕ1). имеющих характерную длину волны. при которой наблюдается максимум испускания (Хьеэ).

Способы отверждения с помощью ЕЕ1) согласно настоящему изобретению используют. в частности. в применениях. связанных с футеровкой или перефутеровкой объектов. Настоящее изобретение. в конечном счете. также относится к объектам. содержащим отвержденную полимерную композицию. получаемую путем отверждения с помощью ЕЕ1). как заявлено в этом документе.

Изобретение теперь будет дополнительно проиллюстрировано с помощью ряда примеров и сравнительных примеров. которые. однако. никоим образом не предполагают ограничивать формулу изобретения способами осуществления. показанными в примерах.

Все эксперименты и сравнительные эксперименты по отверждению с помощью ЕЕ1) осуществляли. используя один из следующих типов ЕЕ1). как показано дальше в таблицах:

(A) ЕЕ1) 395 нм (использованный в сравнительных примерах):

Соп1го1 Сиге ЕЛ'-ЕЕ!) (ИУ-Ртосезз 8ирр1у 1пс. СЫсадо. ϋ8Α). смонтированный как решетка ЕЕ1) с выходной мощностью 6.3 мВт/см² (выходную мощность определяли при помощи прибора 8о1а1е1 8о1азсоре 1 на расстоянии 1 см от ЕЕ1));

(B) ЕЕ1) 4 50 нм (использованный в примерах)

8ΑΝΥΟ В1ие 1)1ос1е (Еазег Сошропеп1з СтЬН. О1с1ппц. Сетшапу). сконструированный в виде решетки ЕЕ1) с выходной мощностью 7 мВт/см² (выходную мощность определяли на расстоянии 1 см от ЕЕ1) с помощью прибора 8о1а1е1 8о1азсоре I для определения интенсивности вплоть до длины волны 420 нм в комбинации с экстраполяцией интенсивности в случае диапазона длин волн. превышающих 420 нм. с помощью спектроскопии комбинационного рассеяния).

Все эксперименты и сравнительные эксперименты по отверждению с помощью ЕЕ1) осуществляли. используя стандартную отверждаемую полимерную композицию (называемую в дальнейшем в этом документе СКС1). которую готовили следующим образом:

1.5 г фотоинициатора 1гдасиге® 819 (фотоинициатор фирмы С1Ьа. 8\\-Ц/ег1апс1) добавляли к 500 г полимера 8упо1йе 1035-Х-3 (орто-ΝΡΟ полимер фирмы Ώ8Μ Сотрозйе Кезтз. 8\\-Ц/ег1апс1). В этой Р18 наибольшая длина волны. при которой наблюдается максимум поглощения (λ_{ΜΑΧ Р18}). равна 400 нм (плечо). После перемешивания смеси в течение 30 мин фотоинициатор полностью растворялся. образуя СКС1.

В каждом эксперименте по отверждению и сравнительном эксперименте 10 г СКС1 насыпали в лабораторный стеклянный стакан. создавая таким образом столбик СКС1 высотой 23 мм. Наполненные 10 г СКС1 лабораторные стеклянные стаканы затем закрепляли так. что их нижняя часть оказывалась на расстоянии 1 см выше ЕЕ1). Затем включали свет ЕЕ1) на непрерываемый. заранее определенный период времени и немедленно после завершения вышеуказанного периода облучения получали результаты отверждения. особенно высоту столбика полностью отвержденного вещества (глубину отверждения). а также высоту столбика загустевшего вещества.

Результаты отверждения с помощью ЕЕ1) (А) и (В) показаны в табл. 1. в которой. из соображений удобства. представлены. как показано. все результаты (в мм глубины отверждения) для различных времен облучения (в секундах).

После истечения 60 с облучения в примере 5 все СКС1 содержимое лабораторного стеклянного ста- 8 010036 кана загустело до резиноподобного материала, причем нижняя часть (примерно 7 мм) уже полностью подверглась отверждению и затвердела. Однако отверждение, тем не менее, не являлось полным в верхних частях. Отверждение всего содержимого лабораторного стеклянного стакана являлось вполне завершенным по истечении 240 с, как это можно увидеть из результатов примера 6. Отвержденный материал из примера 6 подвергли испытаниям для определения так называемой твердости по Барколу, как в нижней части столбика СК.С1, так и в ее верхней части. Было обнаружено, что твердость по Барколу находится в диапазоне 55-60 без какого-либо значительного различия значений для верхней и нижней частей.

В сравнительных примерах только нижнюю часть полимерного слоя отверждали до твердой массы, тогда как верхний слой оставался жидким или медленно загустевал. Например, в сравнительном примере Ό нижний слой высотой 10 мм являлся загустевшим, причем самая нижняя часть высотой 5 мм являлась жесткой и твердой. В сравнительном примере Е нижняя часть высотой 21 мм являлась загустевшей, причем самая нижняя часть высотой 10 мм была жесткой и твердой, а верхний слой высотой 7 мм являлся все еще жидким.

Эти примеры и сравнительные примеры ясно демонстрируют, что отверждение происходит более эффективно, когда спектр испускания ΕΕΌ не соответствует наибольшей длине волны, при которой наблюдается максимум поглощения в спектре поглощения ΡΙ8.

Claims

ФОРМУЛА ИЗОБРЕТЕНИЯ

1. Способ отверждения с помощью светоизлучающего диода (ЬЕИ) отверждаемой полимерной композиции, содержащей фотоинициирующую систему, отличающийся тем, что максимальная длина волны, при которой наблюдается максимум поглощения фотоинициирующей системы (Х_{тах ΡΙ8}) по меньшей мере на 20 нм меньше, но не более чем на 100 нм меньше длины волны, при которой наблюдается максимум излучения ΕΕΌ (λ_ΕΕΕ).
2. Способ отверждения с помощью ΕΕΌ по п.1, отличающийся тем, что λ_ΕΕΕ составляет по меньшей мере 420 нм.
3. Способ отверждения с помощью ΕΕΌ по любому из пп.1 или 2, отличающийся тем, что λ_ΕΕΕ составляет по меньшей мере 440 нм.
4. Способ отверждения с помощью ΕΕΌ по любому из пп.1-3, отличающийся тем, что разница длин волн между λ_ΕΕΕ И Х_{тах ΡΙ8} составляет по меньшей мере 30 нм и максимум 90 нм.
5. Способ отверждения с помощью ΕΕΌ по п.4, отличающийся тем, что разница длин волн между /.и·!, и Х_{тах ΡΙ8} составляет по меньшей мере 40 нм и максимум 80 нм.
6. Способ отверждения с помощью ΕΕΌ по п.5, отличающийся тем, что разница длин волн между λ_ΕΕΕ и /_{тах ΡΙ8} составляет по меньшей мере 50 нм и максимум 70 нм.
7. Способ отверждения с помощью ΕΕΌ по любому из пп.1-6, отличающийся тем, что /_{тах ΡΙ8} лежит в диапазоне между 350 и 420 нм.
8. Способ отверждения с помощью ΕΕΌ по любому из пп.1-7, отличающийся тем, что фотоинициирующая система содержит фотоинициирующую систему типа Νοπϊδίι Туре I.
9. Способ отверждения с помощью ΕΕΌ по п.8, отличающийся тем, что фотоинициирующая система представляет собой фосфорсодержащую фотоинициирующую систему.
10. Способ отверждения с помощью ΕΕΌ по любому из пп.1-9, отличающийся тем, что фотоинициирующая система присутствует в отверждаемой полимерной композиции в количестве в диапазоне от 0,001 до 5 мас.%, предпочтительно от 0,05 до 3 мас.%, наиболее предпочтительно от 0,1 до 1 мас.%.
11. Способ отверждения с помощью ΕΕΌ по любому из пп.1-10, отличающийся тем, что полимерный компонент отверждаемой полимерной композиции выбирают из группы, состоящей из:

(а) катионоотверждаемых полимерных компонентов, в частности, полимерных компонентов, выбираемых из группы, состоящей из полимерных компонентов, содержащих гидроксильные группы, эпоксигруппы или окситановые группы или их сочетания, а также из виниловых сложноэфирных полимерных компонентов и виниловых простых эфирных полимерных компонентов или смесей любых упомянутых выше компонентов;

(б) радикальноотверждаемых полимерных компонентов, в частности, полимерных компонентов, выбранных из группы, состоящей из:

(ί) способных к гомополимеризации полимерных компонентов, содержащих одну или несколько обедненных электронами реакционноспособных ненасыщенных связей, и (ίί) способных к сополимеризации полимерных компонентов, содержащих одну или несколько обедненных электронами реакционноспособных ненасыщенных связей, и (ίίί) полимерные компоненты, содержащие, по меньшей мере, компонент, содержащий по меньшей мере две реакционноспособные ненасыщенные связи в молекуле, и компонент, содержащий по меньшей мере две ХН группы в молекуле, причем ХН представляет собой лабильную Х-Н связь и X не является О или С.
12. Способ отверждения с помощью ΕΕΌ по п.11, отличающийся тем, что полимерный компонент отверждаемой полимерной композиции обладает средней молекулярной массой в диапазоне от 500 до

- 9 010036

10000 Да, предпочтительно от 1000 до 5000 Да и наиболее предпочтительно от 2500 до 4000 Да.
13. Способ отверждения с помощью БЕЭ по п.11 или 12, отличающийся тем, что полимерный компонент отверждаемой полимерной композиции содержит одну или несколько обедненных электронами реакционноспособных ненасыщенных связей.
14. Способ отверждения с помощью БЕЭ по любому из пп.1-13, отличающийся тем, что полимерная композиция дополнительно включает в себя один или несколько наполнителей, причем наполнители предпочтительно выбирают из групп, состоящих из прозрачных наполнителей и полупрозрачных наполнителей.
15. Способ отверждения с помощью БЕЭ по любому из пп.1-14, отличающийся тем, что полимерная композиция дополнительно включает в себя вещество, обладающее тиксотропными свойствами.
16. Способ отверждения с помощью БЕЭ по любому из пп.1-15, отличающийся тем, что полимерная композиция дополнительно включает в себя по меньшей мере один армирующий материал.
17. Способ отверждения с помощью БЕЭ по любому из пп.1-16, отличающийся тем, что полимерная композиция дополнительно включает в себя по меньшей мере один ингибитор, предпочтительно по меньшей мере один фенольный ингибитор.
18. Способ отверждения с помощью БЕЭ по любому из пп.1-17, отличающийся тем, что отверждаемая полимерная композиция в ходе отверждения обладает толщиной в диапазоне от 0,5 мм до 20 см, предпочтительно от 1 мм до 5 см.
19. Способ отверждения с помощью БЕЭ по п.18, отличающийся тем, что расстояние между БЕЭ и верхним слоем отверждаемой полимерной композиции находится в диапазоне от 2 мм до 30 см, желательно от 2 мм до 10 см.
20. Способ отверждения с помощью БЕЭ по п.18 или 19, отличающийся тем, что в ходе отверждения, по меньшей мере, слой отверждаемой полимерной композиции, обращенный к БЕЭ. покрывают широкой полосой барьерного слоя, который непроницаем для полимерной композиции самой по себе и который предпочтительно состоит из полупрозрачного материала, который является водоустойчивым и проницаемым для летучих соединений.
21. Способ отверждения с помощью БЕЭ по любому из пп.18-20, отличающийся тем, что отверждение полимерной композиции с помощью БЕЭ осуществляют при изменении во время отверждения интенсивности излучения БЕЭ и/или длины волны, при которой наблюдается максимум излучения БЕЭ (λι,Βο), предпочтительно в сочетании с контролем температуры отверждаемого полимера, причем наиболее желательно такой контроль температуры осуществлять путем неконтактного измерения температуры.
22. Способ отверждения с помощью БЕЭ по любому из пп.18-21, отличающийся тем, что отверждаемую полимерную композицию используют для футеровки или перефутеровки.
23. Материалы для использования в строительстве, содержащие отвержденную полимерную композицию, полученную путем отверждения с помощью БЕЭ согласно способу по любому из пп.1-22.