DES0033971MA - - Google Patents
Info
- Publication number
- DES0033971MA DES0033971MA DES0033971MA DE S0033971M A DES0033971M A DE S0033971MA DE S0033971M A DES0033971M A DE S0033971MA
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- germanium
- melt
- conductivity type
- semiconductor
- impurity
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 89
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 89
- 239000000155 melt Substances 0.000 claims description 34
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 29
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 26
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 26
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 17
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 17
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 17
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical group [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 16
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 16
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 12
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 12
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 11
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 claims description 10
- 238000007654 immersion Methods 0.000 claims description 8
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 claims description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 2
- 239000013589 supplement Substances 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 21
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 19
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 4
- 239000000047 product Substances 0.000 description 4
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 3
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 3
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012768 molten material Substances 0.000 description 3
- 238000010587 phase diagram Methods 0.000 description 3
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241000947853 Vibrionales Species 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- CBJZJSBVCUZYMQ-UHFFFAOYSA-N antimony germanium Chemical compound [Ge].[Sb] CBJZJSBVCUZYMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 1
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000000994 depressogenic effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- IWTIUUVUEKAHRM-UHFFFAOYSA-N germanium tin Chemical compound [Ge].[Sn] IWTIUUVUEKAHRM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052756 noble gas Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002835 noble gases Chemical class 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Family
ID=
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE112015003943B4 (de) | Halbleiterelement und kristalline Laminatstruktur | |
DE69717531T2 (de) | Verfahren zur Herstellung III-V Verbindungshalbleiterkristallen | |
DE1223951B (de) | Verfahren zur Herstellung von Halbleiter-bauelementen mit einem oder mehreren PN-UEbergaengen | |
DE2005271C3 (de) | Epitaxialverfahren zum Aufwachsen von Halbleitermaterial auf einem dotierten Halbleitersubstrat | |
DE974364C (de) | Verfahren zur Herstellung von P-N-Schichten in Halbleiterkoerpern durch Eintauchen in eine Schmelze | |
DE1185293B (de) | Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung | |
DE2251938C2 (de) | Legierung aus einer festen Lösung zur thermoelektrischen Energieumwandlung | |
DE2154386C3 (de) | Verfahren zum Herstellen einer epitaktischen Halbleiterschicht auf einem Halbleitersubstrat durch Abscheiden aus einem Reaktionsgas/Trägergas-Gemisch | |
DE2832153C2 (de) | Verfahren zur Herstellung von Halbleitervorrichtungen | |
DE2544286C3 (de) | Verfahren zum epitaktischen Abscheiden einer III-V-Halbleiterkristallschicht auf einem Substrat | |
DE960373C (de) | Halbleitendes Material | |
DE1019013B (de) | Verfahren zur Bildung einer Inversionsschicht in Flaechenhalbleitern nach dem Rueckschmelz-Verfahren | |
DES0033971MA (GUID-C5D7CC26-194C-43D0-91A1-9AE8C70A9BFF.html) | ||
DE69304130T2 (de) | Verfahren zur Abscheidung eines ohmischen Kontaktes auf einer ZnSe-Schicht | |
DE1131808B (de) | Verfahren zum Herstellen von n-leitenden Halbleiterkoerpern von Transistoren od. dgl. aus Elementen der IV. Gruppe des Periodischen Systems, insbesondere Germanium oder Silizium | |
DE1161036B (de) | Verfahren zur Herstellung von hochdotierten AB-Halbleiterverbindungen | |
DE1208819B (de) | Esakidiode und Verfahren zum Herstellen | |
AT222702B (de) | Verfahren zur Herstellen einer Halbleiteranordnung | |
DE2420741C2 (de) | Herstellungsverfahren für eine Leuchtdiode | |
DE1544305C (de) | Verfahren zum Aufwachsen mindestens einer dotierten Halbleiterkristallschicht | |
DE1037015B (de) | Stoerstellenhalbleiter vom N-Typ fuer Transistoren od. dgl. | |
DE1267198C2 (de) | Verfahren zum Herstellen einer halbleitenden Verbindung | |
DE2214996A1 (de) | Verfahren zum Herabsetzen der Wirkungen der Ausdiffusion bei der Herstellung einer epitaktischen Halbleiterschicht | |
DE2825299C2 (de) | Verfahren zum Abändern des die Leitfähigkeit bestimmenden Anteils einer Komponente bei binären bzw. pseudobinären Halbleitern | |
DE1039135B (de) | Verfahren zur Herstellung von Halbleiterkoerpern aus Zinkarsenid |