DEP0040076DA - Verfahren zur Herstellung von Organohalogensilanen - Google Patents
Verfahren zur Herstellung von OrganohalogensilanenInfo
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 38
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 16
- 150000001502 aryl halides Chemical class 0.000 claims description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 9
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 5
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 10
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 10
- NEHMKBQYUWJMIP-UHFFFAOYSA-N chloromethane Chemical compound ClC NEHMKBQYUWJMIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 4
- 229940050176 methyl chloride Drugs 0.000 description 4
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- WCCJDBZJUYKDBF-UHFFFAOYSA-N copper silicon Chemical compound [Si].[Cu] WCCJDBZJUYKDBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 3
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 1
- 239000003610 charcoal Substances 0.000 description 1
- NEHMKBQYUWJMIP-NJFSPNSNSA-N chloro(114C)methane Chemical compound [14CH3]Cl NEHMKBQYUWJMIP-NJFSPNSNSA-N 0.000 description 1
- YGZSVWMBUCGDCV-UHFFFAOYSA-N chloro(methyl)silane Chemical class C[SiH2]Cl YGZSVWMBUCGDCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- LIKFHECYJZWXFJ-UHFFFAOYSA-N dimethyldichlorosilane Chemical compound C[Si](C)(Cl)Cl LIKFHECYJZWXFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000007717 exclusion Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009997 thermal pre-treatment Methods 0.000 description 1
Description
Es ist bekannt, dass bei der Umsetzung von Alkyl- bzw. Arylhalogeniden mit Kontaktmassen aus Silizium und Kupfer, wobei
Organonalogensilane entstehen, die Temperatur im Laufe der Umsetzung ständig gesteigert werden muss, wenn erträgliche
Umsetzungsgeschwindigkeiten aufrecht erhalten werden sollen. Zum Beispiel beginnt die Umsetzung von Methylchlorid mit Silizium-Kupfer-Kontaktmassen bei etwa 260 - 300°.
Me Temperatur muss jedoch aus dem genannten Grunde im Verlaufe der Umsetzung bis auf 400° oder gar darüber gesteigert werden.
Sie Polge dieser Temperaturerhöhung 1st eine ständige Veränderung der Zusammensetzung der Heaktionsprodukte in dem Sinne,
das8 sie immer halogenreicher werdenj das bedeutet, da sie Gemische verschiedener Organohalο gensilane sind,eine zunehmende
Verschiebung nach der Seite der Organotrlhalogensilane, während zum mindesten am Anfang der Eeaktion überwiegend Diorganodihalogensilane entstehen. Da letztere das wichtigste Ausgangsprodukt für die Herstellung linearpolymerisierter Silikone
sind, während erstere als vernetzende Komponenten in Silikonen in geringfügiger Menge benötigt werden, ist im Hinblick auf
die technische Verwendung der Organohalogensilane zur Weiterverarbeitung auf Silikone eine solche Verschiebung der Zusammensetzung der Reaktionsprodukte unerwünscht.
*e A 142
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Auch von anderer Seite aus gesehen erscheint es als das erstrebenswerte Sei, die Beaktion so zu leiten, dass von Anfang
his Side gleichmässig zusammengesetzte, und zwar nur oder überwiegend ßrganodihalogensilane enthaltende Produlcte entstehen. Auf
Grundlage der allgemeinen Reaktionsgleichung
2 RX + Si = Si R2X2 (1)
ist leicht einzusehen, dass die besten Gasausbeuten dann erreicht werden, wenn die Reaktion zu Diorganodihalogensilanen führt,
während die Umsetzung zu Organotrihalogensilanen nach
5 SX + Si ^— SiRX5 + 2 R (2)
unter partieller thermischer Zersetzung des Alkyl- bzw. Arylhalogenids durch Kohlenstoffab sehe i dung aus den R-Radikalen
verläuft und damit zwangsläufig eine geringere Ausbeute aus den Alkyl- bzw« Arylhalogeniden zur Folge hat.
Die Realttion (2) wird unter anderem begünstigt durch hohe Temperaturen. Bs war daher bereits ein Fortschritt, als es gelang
die Reaktionsbedingungen derart auszuwählen, dass die Umsetzimg bei verhältnismässig niedrigen Temperaturen ablaufen]®jm; z.B.
konnte gemäss Patent (p 40075 IVe/l 2 o) erreicht werden,
dass die Umsetzung von MethylChlorid mit gesinterten Silizium-Kupfer-Mischungen
bei der relativ niedrigen Anspringtemperatur, die im Bereich von 280 - 325° liegt, bis zum Ende durchgeführt
werden kann.
Dies wurde im wesentlichen dadurch erreicht, dass jede thermische Vorbehandlung des Silizivuns und des Katalysators oder ihrer
Gemische vor der Reale tion, sowie die Umsetzung mit dem Alkyl- bzw. Arylhalogenid selbst unter Ausschluss auch von Spuren von
Sauerstoff vorgenommen wird.
Bei derart geleiteten Versuchen fiel aber auf, dass trotz Konstanthaltung der Temperatur die Halogengehalte der Produlete auch
hier noch im Laufe der 2eit anstiegen, wenn dies auch erst verhältnismässig spät begann; nämlich im allgemeinen wenn etwa
zwei Drittel der Organohalogensilane gewonnen worden waren.
ρ 40076 IVc/12 ο v. 16. April 1949
Pat.Abt. Fi/Str 23.1.1951
Es wurde nun gefunden, dass dieser Anstieg des Halogengenaltes in den Realctionsprodukten dadurch bedingt ist, dass das verbrauchte
Reaktionsprodukt aus Silizium und Kupfer, das im wesentlichen aus Kohlenstoff, Kupfer und etwas Silizium besteht,
im Bereich der Temperatur der Reaktion eine sehr starke katalytisch« Wirkung auf die Zersetzung des Alkyl- bzw. Arylhalogeiiides
ausübt und damit den Ablauf der Reaktion nach Gleichung (2) begünstigt.
Erfindungsgemäss wird nun der störende Einfluss dieser verbrauchten Kontaktmasse dadurch ausgeschaltet, dass eine Berührung des
strömenden Alkyl- bzw. Aryllialogenides mit verbrauchter Kontaktmaese vor oder nach der Umsetzung mit frischer Kontaktmasse im
!temperaturbereich der Reaktion vermieden wird. Das geschieht am einfachsten, indem die verbrauchte Kontalctmasse aus der Reaktionszone
diskontinuierlich oder kontinuierlich abgeführt und das Gas derart eingeleitet wird, dass es, ohne mit der verbrauchten
Kontaktmasse in Berührung zu kommen, sogleich auf frische Kontaktmasse trifft.
Die zersetzende Wirkung der verbrauchten Kontaktmasse auf das Alkyl- bzw. Arylhalogenid ist Überraschend gross. Dies geht
daraus hervor, dass z.B. Methylchlorid beim Durchströmen durch die verbrauchte Kontaktmasse unter sonst gleichen Bedingungen
bei 300° zu ca. 70 % und bei 400° zu ca. 90 ^ zersetzt werden lann. Über Kupfer oder Kohlenstoff (aktive Kohle) als Katalysator
ist die Zersetzung unter sonst gleichen Bedingungen wesentlich schwächer. Kupfer, Kohlenstoff und vielldcht auch
Silizium liegen also in der verbrauchten Kontaktmasse in einer besonders aktiven, die Zersetzung fördernden Porm vor.
Om die erfindungsgemäss festgelegten Massnahmen technisch im einzelnen durchzuführen, kann man z.B. folgende Anordnung
treffen; Die Kontalctmasse wird in Form von Formkörpern in einem turmartigen Reaktionsgefäss aufgestapelt, das von aussen beheizt
ist und in dem sie von unten nach oben von den Gasen oder Dämpfen eines Alkyl- bzw. Arylhalogenidee durchströmt wird. Die
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Reaktion sehreitet dann von -unten nach oben durch die Masse fort. Das von unten einströmende Alkyl- bzw. Aryllialogenid würde also,
wenn die Hontaktmasse in den unteren Schichten verbraucht ist, diese verbrauchte Masse durchströmen müssen, um zu frischer
Kontaktmasse au gelangen, und damit bereits zersetzt sein, wenn es auf letztere trifft. Um das zu verhindern, kann beispielsweise
das Gas durch besondere Gaseinleitungsrohre, die in verschiedenen Höhen zu der Schicht der Kontalctmasse führen, stufenweise
in diese verschiedenen Schichten hineingeleitet werden; zunächst in die unterste, dann in die nächst höhere usf. Bei
einer solchen Anordnung wird also infolge des stufenweisen Umsehal* tens des Gases auf die einzelnen Schichten der Xontaktmasse
diskontinuierlich gearbeitet.
Am zweckmässigsten erweist es sich jedoch, die verbrauchte Kontaktmasse aus der Reaktionszone kontinuierlich auszutragen
und entsprechend ihrem Verbrauche frische Kontaktmasse zuzuführen. Dies kann am einfachsten wiederum in einem turmartigen
Eeaktionsgefäss erfolgen, das von aussen beheizt wird und in dem die Kontaktmasse in Gestalt von Formkörpem einem von unten
nach oben strömenden Alkyl- bzw. Arylhalogenidstrom ausgesetzt wird. Durch eine geeignete Vorrichtung, wie eine Austragschnecke,
eine Zellenschleuse oder dergl.^ am unteren Ende des Reaktionsturmes kann die verbrauchte Masse leicht stossweise oder besser
kontinuierlich abgezogen werden. Das Alkyl- bzw. Arylhalogenid wird von unten in den Turm eingeleitet, in solcher Höhe, dass
es am unteren Ende der auf Seaktionsteiriperatur befindlichen Zone eintritt, und der Entzug der verbrauchten Masse so einreguliert,
dass über die gesamte länge der heiseen Zone des Heaktionsgefässes stets nur frische Kontaktmasse zu liegen kommt. Eine
derartige Anordnung stellt zugleich eine voll kontinuierliche Gestaltung des Prozesses dar.
In Bezug auf die Höhe der Schicht frischer Kontaktmasse bestehen keine Beschränkungen, soweit nicht die Festigkeit der Formkörper
eine Grenze setzt. Besondere Versuche haben gezeigt, dass sowohl die Eealctionsprodukte wie auch die Eeaktionsprodukte
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zusammen mit Alkyl- bzw. Arylhalogenid bei den Bedingungen, wie sie erfindungsgemäss eingestellt werden, durch die Kontaktmasse
keine chemischen Veränderungen erleiden« line nachträgliche Zersetzung der Reaktionsprodukte kann also in der heissen Heaktionszone
selbst bei grösserer Höhe nicht stattfinden.
Die in Patent ... ··. (ρ 40075 IVc/l2 ο) beschriebenen Massnahmen, durch welche die Temperatur im Eeaktionsgefäss konstant auf
der Höhe der Anspringtemperatur gehalten werden, werden sinngemäss auf die erfindungsgemässe Ausgestaltung des Prozesses
angewendet. Durch die Konstanthaltung der Temperatur der Reaktionszone wird die kontinuierliche Ausgestaltung des Verfahrens
ganz wesentlich erleichtert.
Der Erfolg der erfindungsgemässen Arbeitsweise zeigt sich darin, dass die Halogengehalte der Reaktionsprodukte nur noch sehr wenig,
z.B. bei der IImsetzung von Methylchlorid mit Silizium-Kupfer-Kontaktmassen etwa im Bereich von 50 - 55 ^ Cl schwanken. Dementsprechend
ist auch der Anteil an Diorganodihalogensilanen relativ gross und relativ konstant. In dem genannten Beispiel
ist der durchschnittliche Gehalt des Reaktionsproduktes an Dimethyldichlorsilan ca. 80 Der Rest besteht neben anderen
Methylchlorsilanen aus gelöstem Methylchlorid in einer ^enge von etwa 3 - 10 wodurch sich der obengenannte, unter dem
Cl-Gehalt des reinen Dlmethyldiehlorsilans liegende Cl-Wert des Reaktionsproduktes erklärt.
Infolge des ständigen Ab transport e s der verbrauchten Kontaktmasse entfällt nunmehr auch die bei früheren Versuchen im lauf
des Versuchs ständig zunehmende Zersetzung des Alkyl- bzw. Arylhalogenids, so dass im Endeffekt eine wesentlich günstigere
durchschnittliche Ausnutzung des Alkyl- bzw. Arylhalogenids erzielt wird.
An sich ist die kontinuierliche Gestaltung einer Umsetzung von festen Stoffen mit einem Gas im Gegenstromprinzip derart, dass
der feste Stoff kontinuierlich, beispielsweise in einem Reaktionsturm, dem Gas entgegenbewegt wird, eine allgemein bekannte
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technische Massnahme. Im vorliegenden besonderen Fall würde jedoch die Anwendung dieser Massnahme in ihrer allgemeinen Form
nicht den gewünschten Erfolg bringen, weil hei ihr die erfindungsgeaässe Massnahme, dass eine BeriIhrung des Gases mit
verbrauchter Festsubstanz bei den Temperaturen der Reaktion vermieden wird, nicht erfüllt ist. Das hier erstrebte Ziel wird
vielmehr nur erreicht, wenn z.B. in einem turmartigen Reaktionsgefäss durch kontinuierlichen Entzug der verbrauchten Festsubstanz
die Grenzfläche zwischen frischer und verbrauchter Kontaktmasse konstant in derjenigen Zone des auf Reaktionstemperatur
befindlichen Reaktionsraumes gehalten wird, in der das frische Gas eintritt.
Wenn im Vorstehenden bevorzugt solche Beispiele herangezogen wurden, in denen die Beaktion in turmartigen Gefässen durchgeführt
wird, so soll damit keinesfalls eine Beschränkung der erfindungsgemässen Massnahmen auf derartige Aggregate ausgesprochen
sein« Die beschriebenen Massnahmen können vielmehr in den verschiedensten technischen Apparat bei sinngemässer
Anwendung verwirklicht werden.
Claims (2)
1. Verfahren zur Herstellung von Organohalogensilanen, insbesondere Piorganodihalogensilanen, durch Umsetzung von
Alkyl- bzw. Arylhalogeniden mit einer Kontaktmasse aus Silizium und Kupfer, dadurch gekennzeichnet, dass eine
Berührung des strömenden Alkyl- bzw. Arylhalogenids mit verbrauchter Kontaktmasse im Temperaturbereich der Reaktion
vermieden wird, insbesondere indem die verbrauchte Kontaktmasse aus der Reaktionszone abgeführt und das Gas derart
eingeleitet wird, dass es sogleich auf frische Kontakt masse trifft.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die
Temperatur im Reaktionsraum mittels bekannter Massnahmen
patent (p 40075 IVc/12 ojj konstant auf der An-
springtemperatur der Reaktion gehalten wird.
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