DEP0009740DA - Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern - Google Patents

Description

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Terfahrea zur Herstellung von ^elengleiehrichtsrn_e

Bie bekannten Selengleichrichter umfassen-als Hauptteile eine - Grund- " elektrode-, eine auf diese aufgebrachte Selenschicht'- 'und eine sich, an die Selenschicht, anschließende' Gegenelektrode.*' Zwischea der Grund«. elektrode und-der Selenschicht muß ein guter elektrischer Sontakt Destehen₉ Tis sind verschiedene Maßnahmen, belcannt geworden, um einen aolchen guten Kontakt au schaffen». Bei Terweaduag von Aluminium für die Grundelektrode hat sich eine dünne uissiutschicht zwischen der Gruadelektrode und- der Seleaschieht als vorteilhaft' eMiesen_s wan- · rend inaa bei Grundelektrd'den aus Hisen für den gleichen Sweck eine dünne Hiokelschicht benutzt.« Iia laufe der Entwicklung -wurde, erkannt, daß die genannte» Schienten unter gewisse» Bedingungea,'_:. die -".bei be-" stismtea Fertigungsverfahren eintreten,- eins Terbiadung ßdt der Selenschicht eingehen, daß-also hierbei zwischen der' Gruudelektrode und der eigentlichen Selenschicht eins sehr dünne Selenidschicht entsteht.

Durch die Arbeiten, der Amaelcerin wurde Sicherheit darüber gewönne a, : daß es für den guten Stromubergang zwischen der Grundelektrode und I der Selenschicht in der PluSrichtung vor allem auf die Seleaidschicht eakommt. Auf dieser neuen Iarkeantnis beruhend ist Gegenstand der Lrfiadung ein Terfahrea zur Herstellimg von Selengleiehrlchtern₉ bei der die Selenidsehicht eine besonders -gute-, zuverlässige; ',Ausbilduag-erfährt und zugleich unabhängig von den übrigen,Stufen de.'s. Gesamt-.' ,. fertiguagsverf ahrens -wird* Hiersu wird erfiadungsgemäß die 'Gruad— elektrode vor Aufbriaguag- der eigentlichen Seieasohicat '-mit einer

Schicht gut ;:leiteadelSj^^3ieaidß-: überzogene ·. -

Einige Beispiele für'die Ausführung des aeuen Terfahreas sind im-, folgenden beschriebe».

Terweadet maa, wie das bisher schon häufig geschehe»' ist,, für die Gruadelektrode Sisen mit einem Bickelüberaug-, · so' wird vorzugsweise die Selenidschicht als lickelselenidsehicht unter Mitbenutzung des auf der Mseaplatte bereits befindlichen Sicke !Überzugs, gebildet* gin einfaches Terfahren 2ur Herstellung dieser ■Seleaidschieht besteht daria, daß auf die als Grundelekfcrode' benutzte- und auf der betreffenden Seite t&t einem 'Hiekeliiberzug versehene Siseaplatte eine geringe Menge Selen möglichst in Staubform' oder durch Auf-

dampfen aufgebracht wird und alsdann die Sisenplatte auf etwse über 30U°C erhitzt wird. Hierbei verdampft das oelen, die entstehenden Se Ie a dämpfe gehen rrdt dem I^vIickeluberzug ein© Yerbindung ein? es entsteht die gewünschte Selenidsehieht.

Ji·ine andere Möglichkeit besteht darin, die auf etisss über 300°C erhitzte vernickelte Eisenplatte in eine Kaimer Mt Selendämpfen einzubringen, wobei sieh durch Reaktion der Selendilinpfe in der Kickeischicht eine Hickeleelenidschicht bildet,

Mzzl kann die Urzeugung der Seleaidschieht und die Aufbriagung der eigentlichen Selenschicht unmittelbar aufeinander folgen lassen, indem z.B. die vernickelte iässnplatte in einer lakamskammv auf etwas über 3Ü0 C erhitzt wird und in der Kammer ßelendäiapfe erzeugt werden. Hierbei bildet sich zunächst die gewünschte Seleaidschieht* Läßt man. anschliefiead^die Eisenplatte in der Vakuuakaismer erkalt a, so schlägt sieb auf ⁱWkwQgIenidschicht die eigentliche Selenschicht nieder.

Die Selenidschicht läßt sich auch dadurch erzeugen, daß vorher gebildetes Selenid auf die GrundeIektrode aufgebracht, z.B. Im Vakuum aufgedampft wird. ,Dieses Verfahren ist insbesondere dann mit Vorteil anwendbar, wenn anschließend auch die eigentliche Selenschicht im Vakuum aufgedampft Trird. Wird vorher erzeugtes Selenid zur Bildung der Selenidschicht benutzt, so brauchen die für die Grunde le kfc roden verwendeten Sisenplatten nicht vernickelt zu werden, wenngleich diese Maßnahm® zur weiteren Erhöhung der Wirkung beibehalten werden, kann.

Die S e Ie nid s chi cht kann auch in der Weise erzeugt werden., daß die vernickelte Sisenplatte in eine säurehaltige Selenyerbiaduag₅ z.B. in selenige Säure getaucht und dadurch Selen auf «te*platt© niedergeschlagen vjir&j dieser liederschlag wird dann durch eine nachfolgende 'Ieiape rat urbe hand lung (z.B. durch Erhitzen der Platt® auf et» ν,'as über 300 0) 4» Heaktion lit der Eiekelschicht gebracht , womit die gemaischte SelenidseMcht entsteht, line weitere Möglichkeit besteht aar in, die als Grunde lektrode bestimmte 3§ieenplatte lv£ der vernickelten Seite mit einer Seleaverbinduag, z.B. mit einer ungesättigten Halogen-Se lenverbindung, etwa icit Seleiibroimir, zu überstreichen, lös xrird hierbei Gelen ausgeschieden., Tiiihrend sich der Best verflüchtigt, so gebildete Selenschicht kann dann wieder durch eine T e mp e rat urbe handlung in eine Selenidcchicht umgewandelt werden.

Bie vorgenannten und ähnliche Verfahren lassea sich. Ieickt nach .hj?t der Pließbandverfobren durchführen. So ist es z.B. nicht notwendig , einzelne Platten in eine sit Selendampf gefüllte Eaamer einzubringen, man kann Z₉B₉ statt da ssen auch ein vernickeltes Msehband laufend durch eine solche Kammer hindurchführen, und aa» schließend in. Platten schneiden. I) as ⁱWleiche gilt, wenn das zur Bildung der SelenidscMcht aufzubringende Selen auf ge Stilubt_s auf— gespritzt oder dadurch aufgetragen v/ird, daß die ve mickalten 31-ecnplatten oder das vernickelte Biseafeand durch entsprechende Bäder mit Selen oder Selenverbindungen hinöurchgeführt werden.

AUiier Eisenplatten oder vernickelten Eisenplatten sind auch andere Metalle, wie Aluminium, Zink, Kupfer, Messing und Lsichtffietall-Ziegierungen als Grundelektrode verwendbar,

öoweit es sich id.t Säcksicht auf die Katur des verwendeten, letalis empfiehlt, zur Bildung der Se lenids chi cht die Grunde lektrode zunächst sät einem geeigneten überzug zu versehen, kann statt des oben erwähnten lickelubersiuge auch ein überzug aus anderen geeigneten Metallen, ζ»B* Chrom, Wismut_s Anti&on, oder aus sonstigen geeigneten Stoffen gewählt Vierden. Für die Auswahl ist bestimmend, daß nach der obigen Beschreibung eine Schicht gut leitenden Selenide zu bilden ist, die auch nicht etwa die Eigenschaft einer Sperrschicht haben darf. Dem jeweils für den ⁱJbei ⁱEiug gewählten Stoff oder, falls ein Überzug nicht benutzt wird, dem geweiligen. Stoff der Grundelektrode sind die Temperaturen anzupassen, bei denen das Selen mit dem überzug oder unmittelbar Biit der Grundelektrode eine Selenidverbincung eingeht»

Die oelenidierung, d.h. die Erzeugung einer gut leitenden Seienids chi cht auf der Grundelekfcrode, hat neben dem Vorteil des besonders guten Stromiibergangs in der ilußrichtung auch den Vorzug, daß man hinsichtlich des weiteren Iertiguagsverfahrens der .Selengleichrichter sehr viel freier ist als bei den bisherigen Verfahren» Diese sind wohl sämtlich empirisch entstanden; sie waren, da man. sich der Einflüsse im einzelnen nicht bewußt yj&t, recht starr, d, h. man hielt am einmal gefundenen Verfahren in allen Einzelheiten fest^ auch wenn es ferti^ungstechnisch umständlich war* Bei iimvsndung des neuen Verfahrens ist nan Mngegea_s, »ae-ge^^t-^ im Gesantverfafcren freizügiger, da hier eine gute, ausreichende

Claims (4)

1. Selenidsehicht bewußt gebildet wisi_eJ)ie weiteren Stofea des FertigungswrfaIirens brauchen. auf öle Brsielmig eInf s. guten Stromübergangs an der OsuadelektxⁱOde keine •Hiicksioht mehr zu.--nehmen*, Die eigeatlxehe. Selenschicht -kann -v-ielaaebr, in beliebiger Weise_r, Z _eB₉ 9 ■Wie bekannt,:, durchAufdampfen oder durüb ein sonstige s Yerfabren₅ auf gebracht werde»,, bei dem sich nach des, gewöhnlichen Verlauf eine .Seleiadschicht nicht bilden wümLe 4''Dm '-neue ·■■ Terfahresig das sich iron- den bisherigen, durch.die bewußte · Ausbil»"· dung .einer eigenen Selenidschieht abhebt_s .hat.·endlich' -aueh koch -· den Vorteil, daß die so hergestellten Oleiehrichte r 'unter sich ' im sent lieh gleichmäßiger als bisher ausfallen«

   -Sn l^iiiiirrtiifriiiiiBii-niitiiiin .·· "' ^;." ' .· ' · .- .'■>-'■. ,

   ... ψ atent anSpruche:» · ·

   I_e Terfahrea-zur' Herstellung von Belengieichriahtera₉ /die'· aus einer Grxnindelektrode.,. einer Selenschicht und, einer. Gsgc»elektrode be stehen, dadurch gekeaaze icbae ty daß die GrundeIe ktrode "/ or;Inf- "· · .bringung der eigentlichen Selenschicht nit einer Schicht gut leitandeil^SaleEjd%1iber2ogen mi>c &'*^^^^P^^-""ί*c"-" J^r- -^: * ··

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2. 2. Verfahren nach. Ansgruch I₃₁ dadurch gekennzeichnet,. daß. bei AufS^wim^ ■ der eigentlichen .Selenschicht diese/auf die bereits gebildete Selsnidsohieht.'a'ufgedaa^ft' wträ« ,;
3. 3 s Verfahren nach Ansprach 1 oder 2_f dadurch gekennzeichnet j daß die ClTOSdelefctrode mit einer Hickel-SeleMdscMcht./überisegen ^fird, insbesondere Inder Ieise₉ daß die Gruadelefcbrodevernickelt Ä die so_ .gsbildete* liic&elschlcht bei-einer femperatur toü' etwas .über JOO⁰O .!»..Eeaktioa sit Selsn/,gebracht wird» .
4. 4. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gelee nasse Ichnet₉ daß die Selenidsehieht. in der leise.' erzeugt .WirdⁱJ daß. vorher' gehiMe-» · te s Selenid auf die .Grundelektrode aufgebracht wird«

   5* Verfahren nach Anspruch 1, 2 oder 4₉ dadurch -gekanazeichnety daß die • Selenidschicht als Wismut-Selenidschieht· gebildet Wird₉ · indem z.B. das Wissnit vorher-aufgebracht und. Selen <&■ Beaktion · mit der i'ismutsohicht gebracht oder die Grundelektrode iftit" dem vorher gebildetes fisiaut-sSelenid überzogen wird, *·