DEP0009111DA - Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern - Google Patents
Verfahren zur Herstellung von SelengleichrichternInfo
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- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 19
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 title claims description 19
- 239000011669 selenium Substances 0.000 title claims description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 4
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 8
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 6
- -1 halogen ions Chemical class 0.000 claims description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 5
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 4
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 claims description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 4
- 239000004133 Sodium thiosulphate Substances 0.000 claims description 2
- 150000008043 acidic salts Chemical class 0.000 claims description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 2
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 claims description 2
- AKHNMLFCWUSKQB-UHFFFAOYSA-L sodium thiosulfate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]S([O-])(=O)=S AKHNMLFCWUSKQB-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 2
- 235000019345 sodium thiosulphate Nutrition 0.000 claims description 2
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 claims description 2
- YTQVHRVITVLIRD-UHFFFAOYSA-L thallium sulfate Chemical compound [Tl+].[Tl+].[O-]S([O-])(=O)=O YTQVHRVITVLIRD-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 2
- 230000001680 brushing effect Effects 0.000 claims 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 5
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 4
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000001311 chemical methods and process Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 description 1
- BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N thallium Chemical compound [Tl] BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Description
Die bekannten Selengleichrichter bestehen aus einer metallischen Grundplatte, einer hierauf befindlichen Selenschicht und einer Gegenelektrode, die in der Regel als Metallegierung aufgespritzt wird. Im Herstellungsprozeß werden die Gleichrichter nach dem Aufbringen der Gegenelektrode an eine in Sperrichtung angelegte Gleichspannung oder gleichgerichtete Wechselspannung angeschlossen und erhalten erst während dieses Arbeitsganges eine brauchbare Sperrwirkung (Formierungsprozeß).
Das Einstellen dieser Sperrwirkung ist in weiten Grenzen abhängig einmal von den Beimengungen zum Selen, ferner von der Zusammensetzung der Gegenelektrode. So ist z.B. der Halogengehalt im Selen von Einfluß auf die Schnelligkeit, mit der sich während der genannten Spannungsbeanspruchung die Sperrwirkung einstellt. Außerdem ist der Endwert des Rückstromes um so kleiner, je geringer der Halogengehalt besonders in der Berührungsschicht des Selens mit der Gegenelektrode wird.
Ferner hat man der Gegenelektrode solche Stoffe beigegeben, welche die Sperrwirkung erhöhen. So wirkt z.B. Thallium stark rückstromerniedrigend, indem es mit den Halogenbeimengungen zum Selen chemische Verbindungen eingeht und dadurch die Berührungszone halogenarm macht.
Die Erfindung geht davon aus, daß sich eine Sperrschichtbildung
dadurch erreichen läßt, daß die Oberfläche der Selenhalbleiterschicht mit einem Stoff behandelt wird, der die Eigenschaft hat, daß er mit den in der Halbleiterschicht enthaltenen Halogenen eine chemische Bindung eingeht und dadurch die für die Sperrschichtbildung erforderliche Ionenverarmung herbeiführt. Gemäß der Erfindung wird die Oberfläche der Selenhalbleiterschicht zu dem Zweck mit neutralen oder schwach sauren Salzen behandelt, deren Affinität zu den Halogenionen, beispielsweise Chlorionen, groß genug ist, um eine Absorption der Ionen zu erreichen. Die Absorption von Chlorionen bei chlorhaltigem Selen läßt sich beispielsweise durch Behandlung der Selenoberfläche mit einer wässrigen Lösung von Natriumthiosulfat oder durch Behandlung mit Thalliumsulfat, Natriumchlorid oder ähnlichen Stoffen erreichen. Wesentlich ist, daß die zur Behandlung verwendeten Stoffe sowie die bei der Behandlung gebildeten chemischen Verbindungen keinen nachteiligen Einfluß auf die Gleichrichterwirkung der Gleichrichterscheibe ausüben. Vielfach ist es zweckmäßig, die Gleichrichterscheiben zur Beseitigung schädlicher Rückstände nach der Behandlung zu waschen oder zu spülen.
Die Art der Behandlung wird sich nach den verwendeten Stoffen und nach anderen Umständen des Herstellungsverfahrens richten. Man kann eine den Stoff enthaltende Lösung auf die Oberfläche aufbringen, beispielsweise mit Hilfe eines Pinsels, oder die Gleichrichterscheibe in eine solche Lösung eintauchen.
Es kann vorteilhaft sein, die Gleichrichterscheiben während des Aufbringens des sperrschichtbildenden Stoffes zu erhitzen und im Anschluß daran etwaige bei dem Absorptionsvorgang entstehende Rückstände zu beseitigen. Eine den chemischen Prozeß der Absorption der Halogenionen fördernde Erwärmung wird auch dann erreicht, wenn die Gleichrichterscheiben durch Anlegen einer in Sperrichtung wirksame Gleichspannung elektrisch formiert werden. In diesem Fall ist es zweckmäßig, etwaige Rückstände nach dem Formierungsprozeß zu entfernen.
Die Oberflächenbehandlung der Selenhalbleiterschicht kann entweder unmittelbar vor der elektrischen Formierung oder auch schon vor der endgültigen Umwandlung des Selens in die metallisch leitende Form vorgenommen werden.
Claims (9)
1. Verfahren zur Herstellung von Selentrockengleichrichtern, bei dem die Oberfläche der Selenhalbleiterschicht mit einem halogenabsorbierenden Stoff behandelt wird, dadurch gekennzeichnet, daß die Selenoberfläche mit einem neutralen oder schwach sauren Salz genügender Affinität zu den Halogenionen, beispielsweise Chlorionen, der Selenschicht behandelt wird, insbesondere mit einer wässrigen Lösung von Natriumthiosulfat oder mit Thalliumsulfat, Natriumchlorid oder ähnlichen Stoffen.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Aufbringen der Lösung durch Bestreichen mit einem Pinsel geschieht.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Behandlung der Oberfläche durch Eintauchen der Gleichrichter in die Lösung vorgenommen wird.
4. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Scheibe während des Bestreichens erhitzt wird.
5. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß auf der Selenoberfläche verbleibende Rückstände nach der genannten Behandlung durch Spülen in einem geeigneten Lösungsmittel entfernt werden.
6. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß Gleichrichter in Wasser gespült werden.
7. Verfahren nach Anspruch 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß das Entfernen etwaiger Rückstände nach dem Aufbringen der Gegen-
elektrode vorgenommen wird.
8. Verfahren nach Anspruch 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß das Entfernen der Rückstände nach der die eigentliche Sperrwirkung erzeugenden Strombehandlung (Formierungsprozeß) vorgenommen wird.
9. Verfahren nach Anspruch 1 und 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Oberflächenbehandlung vor der endgültigen Umwandlung des Selens in die metallische Form vorgenommen wird.
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