DEP0004189BA - Verfahren zum elektrolytischen Polieren der Oberfläche von Halbleiterkristallen. - Google Patents

Description

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der GleiohBpannungsqaelle in Verbindung ötehsüdeß BaO einzutauchen ö&s lui'c einem Oxalsäure and Äthyl englykol im Ver-

hältnis 1 ι 2, vorzugsweise 50 oar Oxalsäure und 100 em Äthylenglykol, enthaltenden Elektrolyten, gefüllt ist» Die zweckmässige Badepannuag bei Benutsiiang des erfinftangsgemässen Ele3rtrolyten beträgt dabei ungefähr 20 VoIt₁ während die Stromdichte eintn Wert von 6«e,_e„iQ a/ob?, vor» sugswei&e 8 A/oar, 4.©r au behandelnden GerraanlueskrieÄaXlbesitzt·

Ss ist sster "oeJsanntp ©etallisohe Körper, s;J. nioJatrostend© Stähl© und Schamo?i^'sr_iaa_i elektrolytisch au poXieren* Die hierbei fegnutsten JBlektrolyte halien sich aber nicht wie zahlreiche andara für sonstige ©lektrolytlsehe Bades verwendete Elektrolyt® für das. elektrolyti&chö Polieren von GermaniiaakristalXen ale geeignet er?#iesen_e Ergt durch die auf einen to@sonä@rf gliicküehefö Griff surücIcaiufUhrende Wahl der &in&elt>estandteUe 4®s Elektrolyten aus der 2ahl der vorhandea@n und seine besonder© ist die Möglichkeit gegeben worden, auefe kristalle elektrolytiecfc iu polieren und so dieses weekmägedge und seitppareniSe Vgrfsbxen sur O1)©rfläob.@ßglättung auoh S13X Verbesserung de& H'iriucge&radee von, Sermaiiiiim«=' kristallen ansuw®B.d®n_e Xi&feei hat si oh aueh die erwähnte Badspannuag und Stromdiohte ala geeignet erwiesen* da auoh die richtige Wahl dieser Werte für den guten ele&trolytisehen Poliervorg&&5 aunsehlaggetjend ist» Wie näalieh die in der Figur 1 gegeigte Kurve erkennen las st» erfolgt be±— spielsweise bei einer Badepannvng uater 20 Volt und eiaer Stromdiehte₈ die imter β A/om^ der zu "behändeladen Oberfläche liegt, im ZngB de© Kurventeiles a ein Galvanisieren und bei Bem&tsung einer Baägpannung ü"ber 20 VoI¹S und einer Stromdichtt über 10 A/om im Zuge am Kurvsnteilee ο eins Oxydation €er Oberfläehe* Weist fiae elektrolj'tisohe Bad dagegen ©ine Spannung von 20 V®lt oel einer Stromdichte auf, dia sehen 6*«·10 A/em liegt» so wird im Zuge des Kurventeiles

In diesem Barsieii tenn Polieren &en Haltoleiterkristalls beider sohematisschea Darstellung in Figur 2 foXgen&ermassen vor sieh gthen* Sin Glaegefäse a_s auf dessen Be&tn @ia© beispielsweise aus* Uiokell»Xeoh foestsfteiade Katode Ii liegt? ist mit einem Elektrolyten ο gefüllt, &®r au® Oxalsäure und ÄthylengXykoX Im Verhältnis 1 ι 2 „ vorssuguirels® 50 era'^ öx&Ibsosx® uad 100 ciß^ ÄthyXeaglykoi, "beitehto Inaiesen Elektrolyten wird, der la der figur 2 itark vergröesert darg©steXXts in seinen früger A tingeXiStet® BaXteleiter&xlstall β (Sermaniim·« kristall)s naohdem er tsur SxssieXuag eiaer eiaigermassen planen fläche mechanisch Ul?erg@®ehXiff®n ist, bis au einem Abstand £ β 1 am uiigefähr 1 Mimte lang eingetaucht e Da die ca» 20 YoXt beträgt, ist ein® Stromdicht© von ung@fäto 8 der Kxistallol)erifläehe_y im vorliegenden Fall ©in StroafXuas γόη ca» 60 mA. vorhanden» Offenbar geht hlertei ein l@icfet©r Schleier von Germanic» In Wsumg_P s© da@s !swisohen der Oberfläch® de® HalfeleiterkristalXs un& der Katode Is eine Zone ent« st@ht_s toren 1Ί®ί@ infolge der Unebenheiten der unt@riohi@dli@h@ Widerstandewerte "öesitstc Pa di@ einen kleineren Wideratand@w@rt al@ die ¥erti@fwigen der KristalX©1>@rfXäohe feesltsen«, werden die Erhöhungen ©ffeniöar sohneller und di© Vertiefungen Xangnamer afeg®>aut_s Ua ein GleichgewieatsssuEtand erreicht ist* Der tereh den Elektrolyten fliessend© @l@ktri®3he B tr cm nimmt aln@ von &@m an@di@@h g@©ahaltet@n Halbleiter kristall die uneben® O'berfläehentohieht und ©rs©ugt_c indem er auf die 0%@rflä@hanrauhigkelt

einwirlct^ ein® poliert® Hal!}leiter@%@rflä@h®o Kin elektrolyti@öhar Metalliehiehta^au kann aueh but Entfernung von Clrat dienen und d@mra£olg€ aueh sur Her&telltmg der auf den Ealbleit@rkri@tall aufsusetsenden Eoatalrtspitss Anwendung finden« So kann 1>®i@pi$j^^@i@@ sine au§ Moly'bdäm ^e@t@li@nAe Kontaktgpit@@; deren Winkel ^eim Ah@ohl@if@n mit Sohmirgel noch ^u stumpf ist j al® Anode in eine kaltgeaättigte ÖKaX®aur@ als EXektrolyt ©ingttaueht werden, wodurch bei einer Badapanramg von beispielsweise 100 Volt und einem Strom von oa* 10 mA eine

Claims (1)

1. Spit'® m. te Molyb&äafe&ex gebildet Figuren, 5

   1* !Elektrolytisch©^ Polieren d«r Oberfläüfae von Halbleiter kristallen, dadureh gekennzeichnet, dass der la geeigneter Grriisse in eiser Halterung befestigt©„ mit dem positiven Bsi ei&®r Q-leidiepgu&nsmge^&elXe ^erttmdene GermsÄniaatoistaXX insxüSBeitlg in ein mit dem negativen Pol der GXeicfespimnungaquLeXX® in Verbindung eteheades Sad eingetaucht wixa₉ das mit einem OataXsäure und üthyXengXykoX im Verfeält.iiia 1 §2₉ vorsiigswelse 50 om^ OxaXsäure tand 100 am .Äthyl@ngXykoX₉ enthaltenden Elektrolyten gefüllt let.

   ο Iktöl naoto AÄsprueh l_f dadurch gekean Belohnet» da$9 die Badspannmag ungefähr 20 Volt un& die Stromdichte 6»_e«1G A/öm²» vorsttgewele· 3 a/o»*, der

   GermaniumScrletall©"berfXäeh@ betragen*

   :t ,Eaoh Aiisxjnaoh I₈. dadurch gekenn·« j dass ler HalWeiterkristall Ms rosine^ A'betand von uß,gefähr 1 om«, ca_e eine Miaut« lang In des E.l@ktroljt.sn eiagetaucht wird«

   i» dadureh gekennzeichnet _s dass aucfe sine während des Betriebes ä©s Ealtoieiterkristall© als .Elektrode auf iiieseii aufssttsetsende Kontakt ttiyXxm «!©ktroiytiscjii, foe !spiel »weise 1>ei Molybdän in einer kaltgesättigten Oxalsäure, behandelt

   «^ielm®t_s dass file Badfispasmmg fir tie Befo.aB.dli,sBg der takt ©pits« 100 Volt fesi eiasai Ström Tön es» 10 rsA