DE2261249C3 - Mehrschichtiges Trägermaterial für gedruckte Schaltungen mit einer Widerstandsschicht - Google Patents
Mehrschichtiges Trägermaterial für gedruckte Schaltungen mit einer WiderstandsschichtInfo
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Description
Die Erfindung betrifft ein mehrschichtiges Trägermaterial für gedruckte Schaltungen, mit einer Leitschicht,
einer auf der Leitschicht ^.ilvanisch aufgebrachten,
Nickel enthaltenden Widerstandsschicht und einer auf der Widerstandsschicht befir ilichen Isolierstoffschicht
Ein derartiges Trägermaterial ist aus der GB-PS 6 90 691 bekannt Bei diesem bekannten Trägermaterial
besteht die Widerstandsschicht aus einer Nickel-Chrom-Legierung. Der spezifische Widerstund
solcher Legierungen ist verhältnismäßig niedrig und daher muß die Widerstandsschicht, um einen vorgegebenen
Widerstand zu erreichen, verhältnismäßig dünn sein, was Schwierigkeiten beim galvanischen Aufbringen
nach sich zieht.
Nach der DE-OS 16 90 507 ist es bekannt, auf eine Isolierstoffschicht chemisch eine Nickel-Phosphor-Legierung
abzuscheiden, die 5 bis 20 Gew.-% Phosphor enthält Derart chemisch niedergeschlagene
Schichten sind meist ungleichmäßig und nur mit erheblichem Aufwand reproduzierbar.
Nach der »Technischen Rundschau«, Nr. 37, vom 3.9. 1971, 63. Jahrgang, Seite 19 ist es bekannt galvanisch
Nickel abzuscheiden, das mit Phosphor stark übersättigt ist
lim die Haftung einer galvanisch erzeugten Nickelschicht
auf einer isolierenden Unterlage zu verbessern, ist es nach der GB-PS 1197126 und der GB-PS
11 37 960 bekannt die der Unterlage zugewandte Seite
der Schicht als Kathode galvanisch mit einem Elektrolyten zu behandeln, der Niekelionen und
Ammoniumionen enthält Durch die galvanische !Behandlung soll eine rauhe und dadurch großflächige
nickelhaltige Beschichtung erzielt werden, von der vermutet wird, daß sie Nickeloxide oder Nicl:eU
hydroxide einschließt öder umschließt
Nach der DE*ÄS Ϊ1 93 764 ist ein mehrschichtijjes
Trägermaterial für gedruckte Schaltungen bekannt bei dem auf eine Isolierstoffplatte eine Schicht aufgebracht
ist, die aus Nickel und 5 bis 11 % Phosphor besteht Auf
dieser Schicht kann noch eine Schicht aus Kupfer aufgebracht sein. Die Vernickelung erfolgt in einem
chemischen Vernickelungsbad,
Nach der DE-PS 8 78 236 ist es bekannt, zur Herstellung eines hochohmigen Widerstands auf eine
isolierende Kunststoffunterlage im Vakuum eine sehr dünne Schicht eines beständigen Oxids, insbesondere
Siliciummonoxid, aufzudampfen und auf diese Schicht eine dünne Metall- oder Halbleiterschicht aufzudampfen.
Nach der AT-PS 2 51112 ist ein elektrischer
!5 Widerstand bekannt der auf einem Grundkörper eine
untere Schicht aus einem Metall der Tantal-Niobium-Gruppe, eine mittlere Schicht aus einem Metalloxid der
Aluminium-Silicium-Gruppe und eine obere Schicht aus einem Metalloxid der Tantal-Niobium-Gruppe aufweist
Nach der DE-OS 18 13 537 ist es zur Herstellung eines Dünnschichtwiderstands bekannt auf einen
isolierenden Träger eine Schicht aus Tantal aufzubringen und diese Schicht mit stark konzentrierter
Phosphorsäure elektrolytisch zu formieren, so daß an Stelle von Sauerstoffionen Phosphationen in von der
Oberfläche des Tantaloxids bis zur Grenzschicht Tantaloxid-Tantalmetall stetig abnehmender Konzentration
eingelagert werden.
Aufgabe der Erfindung ist es, bei einem mehrschichtigen Trägermaterial eingangs genannter Art die Bindung der Widerstandsschicht an die Unterlage zu verbessern und gleichzeitig den Widerstandswert pro Flächeneinheit der Widerstandsschicht zu erhöhen und ihre Stabilität gegenüber hohen Temperaturen zu verbessern sowie ein Herstellungsverfahren für die Widerstandsschicht anzugeben.
Aufgabe der Erfindung ist es, bei einem mehrschichtigen Trägermaterial eingangs genannter Art die Bindung der Widerstandsschicht an die Unterlage zu verbessern und gleichzeitig den Widerstandswert pro Flächeneinheit der Widerstandsschicht zu erhöhen und ihre Stabilität gegenüber hohen Temperaturen zu verbessern sowie ein Herstellungsverfahren für die Widerstandsschicht anzugeben.
Zur Lösung dieser Aufgabe ist das mehrschichtige Trägermaterial eingangs genannter Art gekennzeichnet
durch die Gesamtheit der folgenden Merkmale: a) daß die Widerstandsschicht aus Nickelphosphor mit 8 bis 30
Gew.-% Phosphor besteht, b) dau das Nickel der Widerstandsschicht auf der der Isolierstoffschicht
zugewandten Seite zumindest 50 Gew.-% in Oxide, Hydroxide und/oder Peroxide des Nickels umgewandelt
ist.
Ein bevorzugtes Verfahren zur Herstellung der Widerstandsschicht des Trägermaterials ist dadurch
gekennzeichnet daß die Widerstandsschicht auf die Leitschicht galvanisch aus einem Bad aufgebracht wird,
das Phosphor in Form von Phosphorsäure und phosphoriger Säure enthält, und daß dann zur
Erzeugung der Oxide, Hydroxide und/oder Peroxide auf der Widerstandsschicht die Widerstandsschicht als
Anode galvanisch mit einer starken alkalischen Base behandelt wird.
In der Zeichnung ist ein Ausführungsbeispiel des mehrschichtigen Trägermaterial dargestellt Das
Trägermaterial nach der Zeichnung weist eine Leitschicht 2, eine auf der Leitschicht 2 galvanisch
aufgebrachte Nickel enthaltende Widerstandsschicht 4 und eine auf der Widerstandsschicht befindliche
Isolierschicht 6 auf. Die Widerstandsschicht 4 besteht aus Nickelphosphor mit 8 bis 30.Gew.i0/o Phosphor, Das
Nickel der Widerstandsschicht 4 ist — wie ails der
Zeichnung allerdings nicht erkennbar ist — auf der der isolierstoffschicht 6 zugewandtem Seite zumindest 50
GeW.-% in Oxide, Hydroxide Und/oder Peroxide des Nickels Umgewandelt.
E/I | M/l | |
Nickelsulfathexahydrat | 37,50 | 0,143 |
Nicktlchloridhexahydrat | 11,25 | 0,048 |
Nickelcarbonat | 7,12 | 0,060 |
Phosphorsäure (100%) | 12£5 | 0,125 |
Phosphorige Säure | 7,50 | 0,092 |
Dodecylphenyläthersulfonat | 0,11ml | — |
Wasser | Auffüllen bis | 1 Liter |
Nickelionenkonzentration | ||
in Mol pro Liter | — | 0,25 |
Verfahren zur Herstellung der Widerstandsschicht werden im folgenden an Ausführungsbeispielen erläutert
1. Beispiel
Ein bevorzugtes galvanisches Bad zum Aufbringen der Schicht des Widerstandsmaterials auf der Schicht
des elektrisch leitfähigen Materials hat folgende Zusammensetzung:
10
15
20
Die Anteile der Phosphorsäure und der phosphorigen Säure v/erden so eingestellt, daß sich ein Anteil von S bis
30 Gew.-% Phosphor in dem Widerstandsmaterial ergibt.
Auf der freien Oberfläche der so erzeugten Schicht aus Widerstandsmaterial wird Nickeloxid, -hydroxid
und/oder -peroxid in einem gesonderten galvanischen Verfahren gebildet Das Nickel oder der Nickelphosphor
innerhalb der Schicht wird durch dieses Verfahren ^o
chemisch nicht geändert. Der erste Schritt zur Bildung des Nickeloxids, -hydroxids oder -peraxids kann
folgendermaßen beschrieben werden:
Ni + 2OH" -» Ni(OH)2 + 2e~ + 0,66V (1)
Die Hydroxidionen werden durch eine starke alkalische Base gebildet, vorzugsweise durch Kaliumhydroxid.
In einem zweiten Schritt treten die folgenden Reaktionen auf:
Ni(OH)2 + 2OH"
- NiO2 + 2H2O + 2e~ - 0,49 V (2)
und
und
Ni(OH)2 + OH" ^ NiOOH + H2O + e"
Es entsteht also eine Mischung von Ni+2und Ni+4.
Die Anode beim galvanischen Aufbringen der Schicht aus WiderstandsmaterisJ ist vorzugsweise eine Nickelfolie
mit 3,05 g/dm2 Gewicht, die elektrolytisch auf eine Epoxy-Fiherglastafel aufgebracht ist Die Anode kann
jedoch auch aus einem neutralen Material, wie z. B. Kohlenstoff oder Graphit, bestehen; in diesem Fall ist
kein Nickel in dem Anodenmaterial. Die Kathode ist vorzugsweise eine Folie aus Elektrolytkupfer oder aus
einem anderen Material, das sich als leitfähige Schicht eignet
Nach der galvanischen Erzeugung c!es Nickeloxids, -hydroxids und/oder -peroxids wird die Ireie Oberfläche
der Schicht aus Nickelphosphor mit einigen Lagen eines Fiberglasgewebes belegt, das mit einem aushärtbaren
organischen Harz vorimprägniert ist so daß eine Tafel entsteht Danach wird die freie Oberfläche der Schicht
aus leitendem Material, also insbesondere des Kupfers, zur Herstellung einer gedrückten Schaltung mit einer
Schicht aus sein versehen. Diese Schicht wird mittels eines fotografischen Negativs belichtet, welches das
Negativbild eines kombinierten Widerstands-Leitermusters wiedergibt Die belichtete Schicht wird
entwickelt, der nicht belichtete Teil abgewaschen. Das
entwickelte Bild wird dann geätzt wozu beispielsweise ein Alkali-Ätzmittel oder Chloreisen verwendet wird,
das mit Salzsäure versetzt ist Die Ätzung erfolgt bis zur Entfernung des Kupfers. Die Tafel wird dann in Wasser
gespült und in ein saures Ätzmittel eingetaucht bis das freiliegende Nickelphosphormaterial entfernt ist Die
verbleibende belichtete Ätzschutzschicht wird dann abgelöst und die Tafel mit einer neuen Schicht
Ätzschutzmaterial versehen. Diese Schicht wird durch ein fotografisches Negativ belichtet das das Negativbild
des Leitermusters wiedergibt Die belichtete Ätzschutzschicht wird entwickelt der nicht belichtete Teil
abgewaschen. Die Tafel mit dem entwickelten Bild wird dann in einem Chromsäure-Ätzmittel geätzt bis das
freiliegende Kupfer entfernt ist Die Tafel wird dann in Wasser gewaschen und getrocknet Zu diesem Zeitpunkt
sind die aus Leitermaterial und aus Widerstandsmaterial bestehenden Muster fertig and stehen in dem
gewünschten elektrischen Kontakt mite Jiander.
Das vorstehend beschriebene Verfahren arbeitet mit fotografischen Negativen und in negativem Sinne
arbeitenden Ätzschutzmaterialien. Es können aber auch fotografische Positivbilder in Kombination mit positiv
arbeitenden Ätzschutzmaterialien verwendet werden. Ferner können auch Siebdruckverfahren in Verbindung
mit einem Ätzschutzmaterial angewendet werden.
Das folgende Beispiel dient der weiteren Erläuterung der Erfindung, soll diese jedoch in keiner Weise
einschränken.
2. Beispiel
Die glänzende oder »Trommelseite« einer Kupferfolie wird mit einer abziehbaren Vinylschicht versehen
und auf Größe geschnitten. Das galvanische Bad, das eine Zusammensetzung gemäß dem 1. Beispiel hat wird
unter laufendem Umrühren auf 77°C erwärmt Dabei ist eine Anode aus Nickel vertikal in einer Halterung
befestigt und mit der Stromquelle verbunden. Die Kupferfolie wird vor dem Eintauchen in das Bad
3 Minuten lang in 20%iger Salzsäure und dann zweimal mit destilliertem Wasser gespült Dann wird die
Kupferfolie an einer Kathodenplatte befestigt und mit dieser vertikal im Bad gehaltert Dann wird das Rühren
unterbrochen, die Stromquelle an die Kupferfolie angeschlossen und die Kathodenanordnung 2 Minuten
lang zum Temperaturausgleich mit dem Bad gebracht. Die Stromquelle, die auf einen gewünschten Strom und
eine gewünschte Spannung voreingestellt ist wird für die gewünschte Galvanisierungszeit eingeschaltet und
dann wieder ausgeschaltet. Im vorliegenden Falle ergibt sim. Stromdichte von 1,08 Ampere pro dm2 in 60
Sekunden einen spezifischen Widerstand der aufgebrachten Nickelpiiosphorschicht von 50 Ohm pro dm2.
Das Bad wird vor der Entfernung der Kathodenanordnung eine Minute lang stehengelassen. Die Kathodenanordnung
wird dann herausgenommen und die beschichtete Kupferfolie von der Kathodenplatte
abgetrennt Die beschichtete Kupferfolie wird zunächst mit Leitungswasser gewaschen, dann bsi 88° C in
destilliertem Wasser gespült und in einer Warmluft-Strömung getrocknet Dann wird sie in ein galvanisches
Bad eingetaucht, Has eine 30°/oige Lösung von KOH
enthält Die Folie wird anschließend mit der beschichteten Seite nach unten auf einige Schichten Fiberglas-
gewebe aufgelegt, die mit einer Epoxyharzmischung vorimpragniert sind. Der so entstandene Verbundkörper
wird in einer mit Dampf erhitzten hydraulischen Presse einer Wärme- und Druckeinwirkung ausgesetzt.
Es entsteht eine Tafel. Die freie Kupferfläche dieser Platte wird mit Ätzschutzmaterial beschichtet. Dieses
Ätzschutzmaterial wird dann durch ein fotografisches
Negativbild des Leiter- und Widerstandsmusters belichtet.
Das Ätzschutzmaterial wird entwickelt, die nicht belichteten Teile werden abgewaschen. Die Tafel wird
dann in ein Alkali-Ätzmittel eingetaucht, um das Kupfer in den nicht durch das Ätzschützmaterial bedeckten
Bereichen zu entfernen. Die Tafel wird dann in ein saures Ätzmittel eingetaucht, um das freiliegende
Widerstandsmaterial zu entfernen. Dieses Ätzmittel hat folgende Zusammensetzung:
die folgende Zusammensetzung:
Chromsäure {CtÖj)
Konzentrierte H2SO4
H2O
Konzentrierte H2SO4
H2O
30Og
35 ml
bis 1 Liter
auffüllen
35 ml
bis 1 Liter
auffüllen
10
Fe2(SO4J3 · η H2O mit einem | 535 g |
Anteil Von 75 Gcw.'vu | 200 ml |
wasserfreiem Fe2(SO4)S | bis 1 Liter |
Konzentriertes H2SO4 | aufgefüllt |
H2O | |
20
Dieses Ätzmittel greift zwar das Nickelphosphor an, verhält sich aber gegenüber Kupfer im wesentlichen
passiv.
Die Tafel wird anschließend in Wasser abgewaschen, das verbleibende Ätzschutzmaterial abgezogen, und es
wird eine neue Ätzschutzschicht aufgebracht Diese wird durch ein fotografisches Negativbild des Leitermusters
belichtet Das Ätzschutzmaterial wird entwikkelt, die nicht belichteten Bereiche werden abgewaschen.
Die Tafel wird in ein Ätzmittej eingetaucht, um das Kupfer in den nicht durch das Ätzschutzmaterial
bedeckten Bereichen zu entfernen. Dieses Ätzmittel hat Dieses Ätzmittel greift zwar das Kupfer an, Verhält
sich aber gegenüber dem Nickelphosphor im wesentlichen passiv.
Die Tafel ,wird in Wasser gewaschen urid das
verbleibende Ätzschutzmaterial abgezogen. Das Widerstands-Leitermuster
ist nun Vollständig.
Die zur Umsetzung des Nickels in das Oxid. Hydroxid und/oder Peroxid bei konstanter Spannung erforderliche
Zeit ist unabhängig von der Fläche der Elektroden und der Stromstärke. Eine größere Umsetzungstiefe
tritt durch zyklische Stromeinwirkung auf die galvanisierte Folie ein. d. h. durch wiederholte Aufladung und
Entladung.
Die leitfähige Schicht besteht vorzugsweise aus einer vorgeformten Metallfolie, insbesondere aus einer
Kupferfolie, einer mit Zinn versehenen Kupferfolie, einer Aluminiumfolie, einer Zinkfolie oder einer
Silberfolie; jede geeignete Dicke kann vorgesehen sein, beispielsweise eine Dicke von 0,05 mm.
Die isolierende Unterlage kann aus einem Polyimid bestehpn, das aus einem organischen Diamin und
Dicarboxyl- oder Tetfacarboxylsäure hergestellt ist. Epoxyharze aus Polyglycidyläthern organischer PoIyphenole
sind gleichfalls vorzugsweise anzuwenden. Die Unterlage kann eine Verstärkungseinlage enthalten,
beispielsweise Fiberglasgewebe. Die Unterlage kann auch ein mit Phenolharz oder Melaminharz imprägniertes
Papier sein oder auch aus einem Polyesterharz bestehen, das Glasteilchen zur Verstärkung enthält
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (2)
1. Mehrschichtiges Trägermaterial für gedruckte Schaltungen, mit einer Leitschicht, einer auf der
Leitschicht galvanisch aufgebrachten, Nickel enthaltenden Widerstandsschicht und einer auf der
Widerstandsschicht befindlichen Isolierschicht, gekennzeichnet durch die Gesamtheit der
folgenden Merkmale:
a) daß die Widerstandsschicht (4) aus Nickelphosphor mit 8 bis 30 Gew.-% Phosphor besteht,
b) daß das Nickel der Widerstandsschicht (4) auf der der Isolierstoffschicht (6) zugewandten
Seite zumindest 50 Gew.-% in Oxide, Hydroxide und/oder Peroxide des Nickels umgewandelt
ist.
2. Verfahren zur Herstellung der Widerstandsschicht des Trägermaterials nach Anspruch I1
dadurch gekennzeichnet, daß die Widerstandsschicht auf die Leitschicht galvanisch aus einem Bad
aufgebracht wird, das Phosphor in Form von Phosphorsäure und phosphoriger Säure enthält, und
daß dann zur Erzeugung der Oxide, Hydroxide und/oder Peroxide auf der Widerstandsschicht die
Widerstandsschicht als Anode galvanisch mit eimer starken alkalischen Base behandelt wird.
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Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
8327 | Change in the person/name/address of the patent owner |
Owner name: OHMEGA TECHNOLOGIES, INC., CULVER CITY, CALIF., US |
|
8328 | Change in the person/name/address of the agent |
Free format text: WEICKMANN, H., DIPL.-ING. FINCKE, K., DIPL.-PHYS. DR. WEICKMANN, F., DIPL.-ING. HUBER, B., DIPL.-CHEM. LISKA, H., DIPL.-ING. DR.-ING. PRECHTEL, J., DIPL.-PHYS. DR.RER.NAT., PAT.-ANW., 8000 MUENCHEN |