DE975643C

DE975643C - Gekapseltes Hochspannungsschaltfeld

Info

Publication number: DE975643C
Application number: DES13941D
Authority: DE
Inventors: Albinus Dehn; Erhard Dipl-Ing Gerstner
Original assignee: Siemens AG
Current assignee: Siemens AG
Priority date: 1943-01-05
Filing date: 1943-01-05
Publication date: 1962-03-22

Description

Es ist ein gekapseltes Hochspannungsschaltfeld für Wandanbau vorgeschlagen worden, bei dem alle der gelegentlichen Ausbesserung und Untersuchung unterworfenen Geräte und die Sammelschienen an der Vorderseite des Schaltfeldes angeordnet sind und aus dem Schaltfeld herausgezogen werden können, während die Verbindungsleitungen zwischen den Geräten auf der Rückseite des Schaltfeldes untergebracht sind.
Die Erfindung betrifft ebenfalls ein gekapseltes Hochspannungsschaltfeld für Wandanbau mit herausziehbaren Schalt- und Meßgeräten und in die Kapselung miteingeschlossenen Sammelschienen an der Vorderseite des Schaltfeldes. Die Erfindung besteht darin, daß der Leistungsschalter auf einer Grundplatte angeordnet ist, die außer dem Leistungsschalter auf besonderen Isolatoren auch die Gegenschaltstücke für den Sammelschienentrennschalter trägt.
In der Abbildung ist ein Ausführungsbeispiel der Erfindung dargestellt. Das dargestellte Schaltfeld enthält den Leistungsschalter i, den Sammelschienentrennschalter 2, den Ausgangstrennschalter 3, den Strom- und Spannungswandlerblock 4, die Kabelabgänge 5 und die in einem besonderen Raum innerhalb der Kapselung des Schaltfeldes untergebrachten Sammelschienen 6. Die Sammelschienen 6 werden von Wanddurchführungen 7 getragen, die in einer isolierenden oder aus einer geerdeten Metallplatte bestehenden Wand 8 angeordnet sind. Der Leistungsschalter hat eine Grundplatte 9, die gemäß der Erfindung zum Tragen der Isolatoren j .i der Gegenschaltstücke io des Trennschalters 2 mitbenutzt wird. Auf den Isolatoren i i sind außer den Gegenschaltstücken des Trennmessers auch die Gegenschaltstücke für den oberen Leitungsanschluß sowie an der unteren Seite des Leistungsschalters weitere Schaltstücke für den unteren Leitungsanschluß angeordnet. Im gemeinsamen Sockel ist der Leistungsschalterantrieb angeordnet. Die Wanddurchführungen und die Gegenschaltstücke für die Leitungsanschlüsse zum Leistungsschalter werden entweder in dem Schaltfeld zusammengebaut, oder sie werden als eine konstruktive Einheit außerhalb des Schaltfeldes fertiggestellt und von außen in dieses eingebracht. Hierbei müssen natürlich die Kapselung und die Abschlußtür des Schaltfeldes eine entsprechende Ausbildung haben.
Die Ausbildung des Schaltfeldes gemäß der Erfindung stellt eine so einfache konstruktive Bauform dar, die die Herstellung des Schaltfeldes und die Auswechselung der Innenteile sehr erleichtert.

Claims

PATENTANSPRACHE: i. Gekapseltes Hochspannungsschaltfeld für Wandanbau mit herausziehbaren Schalt- und Meßgeräten und in die Kapselung miteingeschlossenen Sammelschienen an der Vorderseite des Schaltfeldes, dadurch gekennzeichnet, daß der Leistungsschalter auf einer Grundplatte angeordnet ist, die außer dem Leistungsschalter auf besonderen Isolatoren auch die Gegenschaltstücke für den Sammelschienentrennschalter trägt.
2. Gekapseltes Schaltfeld nach Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, daß auf der Grundplatte des Leistungsschalters die Gegenschaltstücke für die an der oberen Seite des Leistungsschalters angebrachte Trennmesser und die Gegenschaltstücke des oberen Leitungsanschlusses und an der unteren Seite des Leistungsschalters weitere Schaltstücke für den unteren Leitungsanschluß angeordnet sind.
3. Gekapseltes Schaltfeld nach Anspruch i oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß im Sockel des Leistungsschalters ein Leistungsschalterantrieb untergebracht ist.
4. Gekapseltes Schaltfeld nach Anspruch i bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Wanddurchführungen und die Gegenschaltstücke für den Leitungsanschluß zum Leistungsschalter so angeordnet sind, daß sie als konstruktive Einheit außerhalb des Schaltfeldes hergestellt und als Ganzes in dieses eingebracht werden können.