DE968427C - Stabilisierter gleichstromgekoppelter Transistorverstaerker - Google Patents

Description

AUSGEGEBEN AM 13. FEBRUAR 1958

G 13450 VIIIa 12i a²

ist als Erfinder genannt worden

Die Erfindung liegt auf dem Gebiet der gleichstromgekoppelten Verstärker und bezieht sich auf Maßnahmen, um bei gleichstromgekoppelten Tran^ sistorverstärkern den Arbeitspunkt gegenüber Änderingen der Umgebungstemperatur zu stabilisieren. Verstärkerschaltungen unter Benutzung von steuerbaren Halbleiterelementen, nämlich von Transistoren, sind an sich bekannt und werden gelegentlich für ■ ähnliche Aufgaben wie Vakuumröhrenverstärker beip nutzt, um -die 1 bei Vakuumröhren vorhandenen Schwierigkeiten der kurzen Lebensdauer, der Zerbrechlichkeit der Röhren usw. zu vermeiden. Die Wirkungsweise von Transistoren und Vakuumröhren ist jedoch grundsätzlich verschieden, und ein Transistor ist somit einer Vakuumröhre nicht analog./

Vakuumröhren sind bereits zur Verstärkung von ^ Signalen sehr niedriger Frequenz und von Gleichstromsignalen verwendet worden. Ein für diese Zwecke bestimmter Verstärker erfordert eine Gleichstromkopplung zwischen aufeinanderfolgenden Stu₇ fen ohne die Benutzung von Kopplungskondensatoren, da diese für niedrige Frequenzen einen hohen Widerstand besitzen und für Gleichströme ganz undurch- · lässig sind. Sie wurden daher ein Niederfrequenz- oder ein Gleichstromsignal nicht hindurchlassen^ In den meisten gleichstromgekoppelten Verstärkern unter

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Benutzung von Vakuumröhren beobachtet man eine Verschiebung der Ausgangsspannung, selbst wenn die Eingangsspannung konstant gehalten wird. Dies bedeutet, daß Schwankungen der Ausgangsspannung unabhängig von Schwankungen der Eingangsspannung stattfinden, und zwar infolge von Anodenspannungsschwankungen und Temperaturschwankungen der Kathoden.

Gleichstromgekoppelte Verstärker unter Benutzung ίο von Flächentransistoren (im Gegensatz zu Punkt-.kontakttransistoren) zeigen ebenfalls unkontrollierbare Verschiebungen und Schwankungen des Ausgangsstroms, selbst wenn der Eingangsstrom konstant gehalten wird. Durch Gegenkopplung eines Teils der Ausgangsspannung auf die Eingangsseite kann diese Schwierigkeit bei Röhrenverstärkern und bei Transistorverstärkern teilweise, aber nicht' ganz ausgeglichen werden. Bei gleichstromgekoppelten Verstärkern mit Flächentransistoren wird eine uner-■20 wünschte Verschiebung des Ausgangsstromes haupt-. sächlich durch Temperaturänderungen hervorgerufen. Zwei Größen des Flächentransistors, die besonders von Temperaturänderungen .abhängen, sind der-Kollektorwiderstand und der Kollektorstrom beim Emittorstrom Null, der gewöhnlich als Diodenrückstrom bezeichnet wird.

Daher besteht der Hauptzweck der Erfindung darin, gleichstromgekoppelte Schaltungen für Flächentransistoren anzugeben, bei denen eine' gute Stabilisierung der Betriebseigenschaften gegenüber Temperaturänderungen mit einem geringen Verlust an Verstärkung erreicht wird und somit Änderungen des Ausgangsstroms infolge von Temperaturänderungen kompensiert werden. Dies läßt sich durch Verwendung eines nichtlinearen Schaltungselementes, z. B. einer Flächenhalbleiterdiode, erreichen, welche so in die Schaltung eines gleichstromgekoppelten Transistorverstärkers eingefügt wird, daß eine Kompensation der Schwankungen des Ausgangsstroms bei Änderangen der Umgebungstemperatur erreicht und somit ein stabiler gleichstromgekoppelter Transistorverstärker für einen weiten Temperaturbereich geschaffen wird.

Fig. ΐ ist ein Schaltbild eines erfindungsgemäßen gleichstromgekoppelten Transistorverstärkers;

Fig. 2 ist ein Ersatzschaltbild des Verstärkers nach Fig. χ und dient zur Erläuterung seiner Wirkungsweise;

Fig. 3 ist eine andere Ausführungsform des Verstärkers nach Fig. 1;

Fig. 4 ist ein Schaltbild einer weiteren Ausführungsförna des Verstärkers nach Fig. 1 und

Fig. 5 ein Schaltbild einer dritten Ausführungsform eines solchen Verstärkers.

In Fig. ι ist ein gleichstromgekoppelter Transistorverstärker dargestellt, in welchem ein erster Flächentransistor 11 über eine Leitung 13 unmittelbar mit einem zweiten Flächentransistor 12 verbunden ist. Beide Transistoren sind P-N-P-Transistoren, die zwei Inversions-6q schichten innerhalb eines einzigen Kristalls derart enthalten, daß die beiden P-Gebiete durch ein N-Gebiet voneinander getrennt sind. An jedem" dieser Gebiete sind Anschlußleitungen für die Basiselektrode 14, den Emittor 16 und den Kollektor 17 bzw. für die Basiselektrode 19, den Emittor 20 und den Kollektor 2Γ vorgesehen. Eine Spannungsquelle 15 liefert die Vorspannung für beide Transistoren und den zwischen den Elektroden in der noch zu beschreibenden Weise fließenden Strom.

An Stelle der in Fig. 1 dargestellten P-N-P-Transistören können auch N-P-N-Transistoren verwendet werden, wobei dann die Polarität der Spannungsquelle 15 umgekehrt werden muß. Die Ausbildung der Transistoren selbst bildet keinen Teil der Erfindung. .

In der Schaltung nach Fig. 1 dient der Emittor 16 des Transistors 11 als Eingangselektrode, der Kollektor 17 als Ausgangselektrode und die Basiselektrode 14 als gemeinsame Elektrode. Die Basiselektrode 19 des Transistors 12 dient als Eingangselektrode, der Emittor 20 als gemeinsame Elektrode und der Kollektor 21 als Ausgangselektrode. Diese Schaltung mit zwei Transistoren arbeitet also einerseits mit geerdeter Basiselektrode und andererseits mit geerdetem Emittor, kann aber grundsätzlich, auch durch andere 8g bekannte Schaltungen mit zwei geerdeten Emittoren ersetzt werden.-

Zur Stabilisierung des gleichstromgekoppelten Transistorverstärkers wird erfindungsgemäß eine Flächenhalbleiterdiode 22 in Reihe mit einem verstellbaren Widerstand 23 in die Basiselektrodenzuleitung des Transistors 11 eingeschaltet. Die Diode 22 kann von geeigneter bekannter Art sein. Der Sperrwiderstand der Diode 22, d. h. der Widerstand in ihrer Sperrrichtung, hängt normalerweise von ihrer Temperatur ab. Die Größenordnung dieses Widerstandes ist 200 000 Ohm. Der Flußwiderstand liegt in der Größenordnung von 10 Ohm und ist nicht stark temperaturabhängig. Die Diode 22 ist so geschaltet, daß sie dem normalen Stromfluß ihren hohen Sperrwiderstand entgegensetzt. Der Strom durch die Diode 22 unterliegt also Änderungen infolge von Temperaturschwankungen.

Eine ' zu verstärkende Signalspannung wird den Eingangsklemmen 25 zugeführt und tritt somit als Eingangsspannung an dem Eingangswiderstand 27 auf. Diese Eingangsspannung liegt über die Leitung 29 unmittelbar an dem Emittor 16. Der Kollektor Vj des Transistors 11 ist über einen Lastwiderstand 31 an die negative Klemme der Spannungsquelle 15 angeschlossen, deren positive Klemme geerdet ist. Diese Schaltung liefert die notwendige Vorspannung zur Verstärkung des gegebenen Signals. Die notwendige Vorspannung für den Emittor 16 wird durch den Strom geliefert, welcher über den Widerstand 27, die Leitung 29, den Emittor 16, die Basiselektrode 14, den Widerstand 23, die Diode 22 und Erde fließt.

Der Widerstand 23 ist vorzugsweise einstellbar und liegt mit der Diode 22 in Reihe, um das Ausmaß der Kompensation durch die Diode 22 einzuregeln. Die iao Wirkung der Kompensation ist umgekehrt der Größe des mit der Diode in Reihe liegenden Widerstandes. Wenn nämlich der veränderliche Widerstand der Diode 22 nur einen kleinen Teil des gesamten Widerstandes in diesem Zweige ausmacht, ist ihre Wirkung auf den Rest der Schaltung gering,

während, wenn ihr veränderlicher Widerstand einen großen Teil des Widerstandes in diesem Zweige ausmacht, das Umgekehrte gilt.

Der Kollektor 17 ist unmittelbar mit der Basiselektrode 19 über die Leitung 13 verbunden, und das verstärkte Signal liegt somit ohne Zwischenschaltung von Kondensatoren oder Transformatoren an dieser Basiselektrode. Der Kollektor 21 des Transistors 12 wird durch die Spannungsquelle 15 vorgespannt. Das im Transistor 12 verstärkte Signal gelangt über die Leitung 32 zu einem Ausgangswiderstand 33, an den ein beliebiger Verbraucher angeschlossen werden kann.

Die Wirkung der Diode 22 auf den Verstärker läßt

sich am besten an Hand des in Fig. 2 dargestellten Ersatzschaltbildes verstehen. Die Ersatzschaltung des Transistors ix enthält einen Emittorwiderstand Re₁₁, einen Basiselektrodenwiderstand Rb₁₁ und einen Kollektorwiderstand Rc₁₁. Ebenso enthält die Ersatzschaltung des Transistors 12, dessen Emitter geerdet ist, einen Basiswiderstand Rb₁₂, einen Emittorwiderstand Re₁₂ und einen Widerstand Rcm₁₂ in der Kollektorzuleitung, der gleich der Differenz Rc₁₂ — Rm₁₂ ist. Dabei bedeutet Rc₁₂ den Kollektorwiderstand des Transistors 12, und Rm₁₂

.25 ist ein fiktiver Widerstand, welcher bedeutet, daß eine elektromotorische Kraft in dem Kollektorzweig des Transistors 12 auftritt, deren Größe proportional dem Emittorstrom ist. Die Größe Rm₁₂ ist eine Proportionalitätskonstante mit der Dimension eines Widerstandes und wird Gegenwiderstand genannt, da im Kollektorkreis eine dem Emittorstrom proportionale Wirkung auftritt. Dieser Widerstand kann folgendermaßen ausgedrückt werden:

„ —. Ry χ Rxv
worin R_xv das Verhältnis der Signalspannung zwischen

₁₁- ArIb₁₁) +

Die Änderung des Basiselektrodenstroms, welche durch eine Temperaturänderung hervorgerufen wird, ist jedoch gleich der Änderung des durch die Diode 22 fließenden Stromes, der aus einer Änderung des Diodenwiderstandes R_ä bei derselben Temperaturänderung resultiert. Dies gilt deshalb, weil der Sperrwiderstand R_a der Diode 22 temperaturabhänEmittor und Basis und dem Signalstrom im Kollektorkreis bei offenem Emittorkreis zu ist und R_yx das Verhältnis der Signalspannung zwischen dem Kollektor und der Basiselektrode zum Signalstrom im Emittorkreis ist, wenn der Kollektorkreis offen ist.

Die Widerstände R_e, R₁, R₂ und R_L im Ersatzschaltbild nach Fig. 2 entsprechen den Widerständen 27, 23, 31 und 33 in Fig. 1., Der Widerstand R_a stellt den Rückwärtswiderstand der Diode 22 dar. Die Ströme . in ' den verschiedenen Zweigen sollen die in Fig. 2 durch Pfeile angedeuteten Richtungen haben und sind mit I und einem entsprechenden Index bezeichnet.

Aus der Theorie von Flächentransistpren kann nun abgeleitet werden, daß sich die Änderung im Kollektorstrom des Transistors 11 für eine Änderung der Temperatur folgendermaßen ausdrücken läßt:

AtIc₁₁ = Ct₁₁ AIe₁₁ -{- AtIcO₁₁ , (ι)

worin Δ_νΙ einen Stromzuwachs infolge einer Temperaturänderung bedeutet, α den Stromverstärkungsfaktor eines Transistors bedeutet, der gewöhnlich als die Änderung des Kollektorstroms mit dem Emittorstrom- bei konstanter Spannung zwischen Kollektor- und Basiselektrode definiert wird, d. h.

α =

öle

und IcO₁₁ der Kollektorstrom des Transistors 11 beim Emittorstrom Null ist.
Für die Ströme im Punkte M in Fig. 2 gilt folgendes:

AtIc₁₁ = ArIe₁₁ — ArIb₁₁. (2)

Wenn man Gleichung (2) in Gleichung (1) einsetzt, so erhält man

«11

A τ I co

ι—α.

ι —α

11

(3)

gig ist und sich bei Temperaturänderungen stark ändert. Dies kann man folgendermaßen ausdrücken:

ArIb₁₁^ArId. (4)

Wenn man Gleichung (4) in Gleichung (3) einsetzt, so erhält man

AtIc₁₁ = —

«11

1-(X₁ (5)

Um die Ausgangsseite des Transistors 11 zu stabilisieren, ist es notwendig, daß die Änderung des Kollektorstroms infolge einer Änderung der Temperatur, also die Größe A TIc₁₁, gleich Null wird, d. h. daß die folgende Gleichung besteht:

Arie-,-, = O.

Eine notwendige Bedingung für die Stabilisierung besteht darin, daß die Änderung des Stromes durch die Diode 22, welche von der Änderung ihres Wider-Standes bei einer Temperaturschwankung herrührt, multipliziert mit dem Stromverstärkungsfaktor a_n gleich der Änderung des Diodenrückstromes des Transistors 11 bei derselben Temperaturänderung ist. iao Diese Bedingung läßt sich folgendermaßen ausdrücken:

Ci₁₁Ar Id = ArIcO₁₁. (.7)

Wenn nun in einem mehrstufigen Verstärker nur die Ausgangsgröße der ersten Stufe bezüglich Tempe-

raturschwankungen kompensiert wird, ist die Aus-. gangsgröße der letzten Stufe und daher der gesamte Verstärker noch nicht kompensiert.

Daher wird gemäß der Erfindung die zweite Stufe und somit der gesamte Verstärker durch Unterkompensation der ersten Stufe kompensiert, d.h. dadurch, daß die Diode 22 so gewählt wird, daß die Größe CL_nA ?Id kleiner als A τIcO₁₁ wird, und zwar um einen Betrag, bei dem der Ausgangsstrom des Verstärkers praktisch unabhängig von Temperaturänderungen wird. Daher wird der Ausgangsstrom des Verstärkers, wie sich durch eine Rechnung ähnlich der für Gleichung (5) verwendeten Rechnung zeigen läßt:

(O₁₁ZIrJo-ZIrIcO₁₁) + A_vIco₁₂ (B₁₂ + ι),

(8)

worin

B₁₂ =

i —a₁₂

(9) Wenn man dann annimmt, daß B₁₂ ρ> ι ist, und wenn man Gleichung (4) in Gleichung (8) einsetzt, so gewinnt man

— B

₁₂

— ^ah — A_TIco_n) +

Um den Ausgang des Verstärkers gegen Temperaturschwankungen zu stabilisieren, muß die Änderung des Laststromes AtIl bei einer Änderung der'Temperatur gleich Null sein, d. h.

Wenn man Gleichung (ii) in Gleichung (io) einsetzt,, wird die Bedingung für eine vollständige Kompensation am Ausgang des Verstärkers zu

((X₁₁ATId —

^x~^%1 · da)

Die Gleichung (12) gibt die zwischen den Schaltelementen herrschende Beziehung für eine Stabilisierung des Ausgangsstromes an. Für zwei jeweils gewählte Transistoren sind die Glieder. <z₁₂, AtIcO₁₁ und ZItJcO₁₂ der Gleichung (12) feste Größen. Die Größe von A τId hängt von der Temperaturstromkennlinie der Diode 22 ab und kann durch Wahl dieser Diode geändert werden. Somit wird zur Stabilisierung des Ausgangsstromes des Verstärkers die Diode 22 so gewählt, daß die Gleichung (12) erfüllt wird. Durch Änderung des Widerstandes 23 wird dasselbe Ergebnis wie durch Auswahl der geeigneten Kennlinie der Diode 22 erreicht, da von dem Widerstand 23 das Ausmaß der Wirkung einer Änderung des Diodenwiderstandes abhängt.

Die Gleichung (12) zeigt, daß, wenn der Ausgangsstrom des Verstärkers.genau kompensiert werden soll,

50· der Kollektorstrom des Transistors π unterkompensiert werden muß. Dies gilt deshalb, weil ein Minuszeichen auf der rechten Seite der Gleichung (12) vorhanden ist. Es muß also auch auf der linken Seite ein negatives Vorzeichen auftreten. Da vor der Klammer eine positive Größe steht, muß die Klam-

." mer selbst negativ werden. Die läßt sich nur dann erreichen, wenn der absolute Betrag von zl^I^ kleiner . ist als der absolute Betrag von AtIcO₁₁, da das letztere Glied negativ und das erstere Glied positiv ist. ■ -Um den Grad der Kompensation des Ausgangsstromes zu veranschaulichen, kann die prozentuelle Änderung des unkompensierten Ausgangsstroms mit der Temperatur mit der Änderung des kompensierten (ίο)-

Ausgangsstromes mit der Temperatur verglichen' werden. Für eine Temperaturänderung von 30 bis 50° C schwankt der Ausgangsstrom eines nicht kompensierten Verstärkers um 70% des ursprünglichen Wertes, während der Ausgangsstrom des kompensierten Verstärkers nur um i°/₀ schwankt.

Fig. 3 bis 5 stellen verschiedene Ausführungsformen der Schaltung nach Fig. 1 dar, welche für bestimmte Zwecke insofern eine Verbesserung der Schaltung nach Fig. 1 sind, als der Eingangswiderstand in Fig. 3 bis 5 verhältnismäßig klein gemacht werden kann. Der kleinere Eingangswiderstand ergibt sich deshalb, weil die Kompensationsdiode an der Kopplungsleitung zwischen den beiden Stufen liegt, statt in der Basiselektrodenzuleitung der Eingangsstufe in Fig. i. Ein geringer Eingangswiderstand ist bekanntlich für Strommeßeinrichtungen u. dgl. erwünscht.

Die Schaltungselemente der Schaltungen in Fig. 3 bis 5, die den Schaltungselementen in Fig. 1 entsprechen, sind mit denselben Bezugszeichen versehen. Jede der Ausführungsformen enthält einen Spannungsteiler 35 (Fig. 3), 36 (Fig. 4) bzw. 37 (Fig. 5) zwischen den Transistoren 11 und 12, um die Vorspannung der Basiselektrode 19 des Transistors 12 gegenüber seinem Emitter 20 einzustellen. Die Schaltungen sind so getroffen, daß eine Änderung der no Vorspannung der Basiselektrode 19 eine Änderung der Größe des Kollektorstromes des Transistors 12 hervorruft. Diese letztere tritt deshalb auf, weil der Arbeitspunkt des Transistors 12 geändert wird, und bei geeigneter Bemessung und Einstellung des Spannungsteüers wird also eine Temperaturstabilisierung des Verstärkers erreicht. In Fig. 3 bis 5 enthält daher jeder Spannungsteiler auch die Diode 22, deren Widerstand sich umgekehrt mit der Temperatur ändert. . .

In Fig. 3 enthält der Spannungsteiler 35 einen verstellbaren· Widerstand 39 zwischen dem Kollektor 17 und der Basiselektrode 19. Der Belastungswiderstand 31 des Transistors 11 liegt zwischen dem Kollektor 17 und der negativen Klemme der Batterie 15. Die Diode 22 liegt in Reihe mit einem Widerstand 40

zwischen der Basiselektrode 19 und der negativen Klemme der Batterie 15. Die Diode 22 ist so gepolt, daß sie dem normalen Strom einen Widerstand entgegensetzt. Wenn die Temperatur steigt, nimmt der Widerstand der Diode 22 .ab, und durch diese Widerstandsabnahme wird eine Zunahme des Stromes über die Diode und den Widerstand· 39 hervorgerufen. Diese Stromzunahme ruft eine Erhöhung des Spannungsabfalls an der Basiselektrode 19 hervor, durch welchen diese Basiselektrode stärker negativ gegenüber dem Emittor 20 wird. Durch diese Änderung der Vorspannung wird der Arbeitspunkt des Transistors 12 in solcher Richtung verschoben, daß der Kollektorstrom sich im umgekehrten Sinne wie durch eine Temperaturänderung ändert und somit eine Stabilisierung erreicht wird.

In Fig. 4 ist die Diode 22 parallel zum Belastungswiderstand 41 geschaltet, und zwar mittels eines Anzapfkontaktes 43, und ist für den normalen Strom undurchlässig. Bei Temperaturänderungen ändert sich der Widerstand der Diode 22, so daß eine Widerstandsänderung der Parallelschaltung der Diode 22 und des Widerstandes 41 auftritt. Da die Vorspannung der Basiselektrode 19 sich zum Teil durch

25. den Widerstand der Parallelschaltung bestimmt, ändert sich diese Vorspannung, und zwar in einem solchen Sinne, daß eine Änderung des Diodenrückstroms des Transistors 12 kompensiert wird. Der Einfluß der Änderung des Widerstandes der Diode 22 kann durch Verstellung des Kontaktes 43 verändert werden. Je größer der Teil des Widerstandes 41 ist, welcher parallel zur Diode 22 liegt, desto größer ist der Einfluß einer Änderung des Diodenwiderstandes.

Bei der Ausführungsform nach Fig. 5 enthält der Spannungsteiler 37 die Diode 22 in Reihenschaltung mit einem Widerstand 44, wobei die Diode 22 in der Sperrichtung gepolt ist. Die Serienschaltung der Diode 22 und des Widerstandes 44 hegt parallel zu dem Belastungswiderstand 31 des Transistors 11.

4P Durch geeignete Auswahl der Größen der Widerstände 44 und 31 kann man die nötige Änderung der Vorspannung der Basiselektrode 19 zur Stabilisierung des Verstärkers erreichen. Im übrigen arbeiten die Schaltungen nach Fig. 3 bis 5 ebenso wie die Schaltung nach Fig. 1.

Claims (8)

1. Patentansprüche.·

   i. Stabilisierter gleichstromgekoppelter Transistorverstärker mit wenigstens einem Flächentransistor mit Basiselektrode, Emittor, Kollektor und Einrichtungen, zur Vorspannung der Elektroden sowie zur Erzeugung eines· Stromflusses durch die Elektroden, dadurch gekennzeichnet, daß mit dem Transistor eine Flächenhalbleiter-.

   diode, die eine nichtlineare temperaturabhängige Charakteristik aufweist, derart zusammengeschaltet ist, daß sie Änderungen des die Ausgangselektrode durchfließenden Stromes hervorruft, die den durch Temperaturänderungen normalerweise bedingten Stromänderungen entgegengesetzt sind und somit die durch Änderungen der Umgebungstemperatur hervorgerufenen Änderungen des Ausgangsstromes kompensieren.
2. 2. Verstärker nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die dem normalen Stromfluß ihren Sperrwiderstand entgegensetzende Diode (22) Eigenschaften nach der folgenden Gleichung:

   a AtIcL = Ατίοο ,

   besitzt, worin A τ Id die Änderung des Stromes durch die Diode bei einer bestimmten Temperaturänderung, AtIco die Änderung des Diodenrückstromes des Transistors bei der gleichen Temperaturänderung und α der Stromverstärkungsfaktor des Transistors ist.
3. 3. Verstärker nach Ansprüchen 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Diode (22) mit der Basiselektrode des Flächentransistors (11) verbunden ist und ein verstellbarer Widerstand (23) in Reihe mit der Diode liegt (Fig. 1).
4. 4. Verstärker nach Ansprüchen 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß ein zweiter Transistor (12) mit dem ersten gleichstromgekoppelt ist und die Verbindungsleitung zwischen der Kollektorelektrode des ersten Transistors und dem zweiten Transistor die Diode enthält (Fig. 3 bis 5).
5. 5. Verstärker nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Gleichstromweg zwischen der Kollektorelektrode des ersten Transistors und der Basiselektrode des zweiten Transistors einen Spannungsteiler (35, 36, 37) mit der Diode (22) enthält und daß die Diode derart zwischen der Vorspannungsquelle und der Basiselektrode des zweiten Transistors liegt, daß die Vorspannung des zweiten Transistors entsprechend der Schwankung der Durchlaßeigenschaften der Diode im Sinne einer Stabilisierung des Verstärkers geändert wird.
6. 6. Verstärker nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß ein Eingangswiderstand (27) zwischen dem Emittor (16) des ersten Transistors (11) und Erde hegt, daß die Basiselektrode (14) des ersten Transistors über einen festen Widerstand geerdet ist, daß eine einseitig geerdete Gleichspannung (15) vorhanden ist, daß ein Belastungswiderstand (33) zwischen dem Kollektor (21) des zweiten Transistors (12) und der nicht geerdeten Klemme der Gleichspannungsquelle vorhanden ist, daß ein verstellbarer Widerstand (39) zwischen dem Kollektor (17) des ersten Transistors und der Basiselektrode des zweiten Transistors vorhanden ist, daß ein zweiter, fester Widerstand (31) mit seiner einen Klemme an den Kollektor, des ersten Transistors angeschlossen ist, daß ein dritter, fester Widerstand (40) in Reihe mit der Diode (22) liegt und daß diese Serienschaltung (22, 40) einseitig an die Basiselektrode (19) des zweiten Transistors angeschlossen ist, während die andere Klemme des zweiten, festen Widerstandes (31) mit der Serienschaltung und mit der ungeerdeten Klemme der Gleichspannungsquelle (15) verbunden ist. (Fig. 3).
7. 7. Verstärker nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß ein Eingangswiderstand (27) zwischen dem Emittor (16) des ersten Transistors (11) und Erde hegt, daß die Basiselektrode (14) des ersten

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   -Transistors geerdet ist, daß der Emittor (20) des zweiten Transistors (12) ebenfalls geerdet ist, daß eine Gleichspannungsquelle (15) mit ihrer einen Klemme geerdet ist und ein Belastungswiderstand (33) zwischen ihrer ungeerdeten Klemme und dem Kollektor (21) des zweiten Transistors liegt, daß eine Leitung den Kollektor (17) des ersten Transistors mit der Basiselektrode (19) des . zweiten Transistors verbindet, daß ein Widerstand (41) mit einem verschiebbaren Kontakt (43) vorgesehen ist, daß die eine Klemme dieses Widerstandes an die Verbindungsleitung und die ändere Klemme an den ungeerdeten Pol der Spannungsquelle (15) angeschlossen ist und daß die Diode (32) zwischen der Verbindungsleitung und dem verschiebbaren Kontakt liegt (Fig. 4).
8. 8. Verstärker nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß ein Eingangswiderstand (27) zwischen dem Emittor (16) des ersten Transistors (11) und Erde liegt, daß die Basiselektrode· (14) des ersten Transistors geerdet ist, daß der Kollektor (17) des ersten Transistors mit der Basiselektrode (19) des zweiten Transistors (12) verbunden ist, daß eine Gleichspannungsquelle (15) mit einem geerdeten und einem nicht geerdeten Pol vorhanden ist, daß ein erster Widerstand (31) zwischen der Verbindungsleitung und dem nicht geerdeten Pol der Gleichspannungsquelle liegt, daß die Diode (22) in Reihe mit einem zweiten Widerstand (44) liegt, daß diese Reihenschaltung (22, 44) parallel zum ersten Widerstand (31) liegt und daß ein Lastwiderstand (33) zwischen dem Kollektor (21) des zweiten Transistors und der ungeerdeten Klemme der Gleichspannungsquelle Hegt (Fig. 5).

   In Betracht gezogene Druckschriften:
   USA.-Patentschriften Nr. 2 579 336, 2 622 211 ;
   Proc. of the RE., 1952, Nov.-H., S. 1386, 1387,

   S. 1435 bis 1437, 1472 bis Γ476; .
   Bell Syst. Tech. Journ., 1952, Mai-Η., S. 430 bis432/ ZS. für Naturforschung 1950, S. 393 bis 397;
   E, Weise »Techn. Halbleiterwiderstände«, 1949,

   S. 18, 38, 41 bis 48;
   Torrey and Whitmer »Crystal Rectifiers«, 1948,

   S. 374 bis 377.

   Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

   ©«095*77393 6.56 (709881/12 2.58)