DE909975C - Kupferoxydulgleichrichter und Verfahren zu seiner Herstellung - Google Patents

Kupferoxydulgleichrichter und Verfahren zu seiner Herstellung

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DE909975C DEI5560A DEI0005560A DE909975C DE 909975 C DE909975 C DE 909975C DE I5560 A DEI5560 A DE I5560A DE I0005560 A DEI0005560 A DE I0005560A DE 909975 C DE909975 C DE 909975C
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Description

Die Erfindung bezieht sich auf Trockengleichrichter und insbesondere auf Kupferoxydgleichrichter sowie auf Verfahren zu deren Herstellung.
Eine Kupferoxydgleichrichterzelle oder ein Kupferoxydgleichrichterelement besteht im wesentlichen aus einer Kupferscheibe, die wenigstens einseitig mit einer Schicht von Cuprooxyd überzogen und oberhall) dieser Schicht mit einer Kontaktschicht, ζ. B. aus Nickel od. dgl., versehen ist. Es ist bekannt, daß eine derartige Gleichrichterzelle eine Sperrschicht zwischen der Kupferunterlage und der Cuprooxydschicht besitzt, die sich dadurch bemerkbar macht, daß die Zelle senkrecht zur Ebene der Kupferplatte in der einen Richtung eine viel bessere elektrische Leitfähigkeit aufweist als in der umgekehrten Richtung. Dies bedeutet natürlich, daß der elektrische Widerstand der Zelle in der einen Richtung, die als die Durchlaßrichtung bezeichnet wird, erheblich kleiner ist als der elektrische Widerstand in der anderen, d. h. in der sogenannten Sperrichtung. Wegen dieses starken Unterschiedes zwischen dem Vorwärtswiderstand und dem Sperrwiderstand zeigen diese Zellen einen Gleichrichtereffekt beim Anlegen einer Wechselspannung. Der sogenannte Vorwärtsstrom in einer derartigen Zelle ist der Strom, welcher aus der Oxydschicht in die Kupferplatte übergeht. Bisher hat man bei der Herstellung von Kupferoxydgleichrichtern die Kupferplatten von handelsüblicher Reinheit zuerst gründlich gesäubert und vorzugsweise auch durch Eintauchen in Salpetersäure geätzt. Die Platten werden sodann in einer oxydierenden Atmosphäre in einem Ofen bei ungefähr 982 bis 1038'0 C gebrannt, und zwar für eine Dauer von etwa 14 Minuten. Anschließend werden die Platten ungefähr 2V2 Minuten lang in einer
Kühlkammer des Ofens, die sich auf etwa 466 bis etwa 4990 C befindet, abgekühlt. Die Platten werden sodann etwa 9 Minuten lang bei einer Temperatur von etwa 482 bis 5930C ausgeglüht. Nach dem Ausglühen dieser Platten wurde bisher sofort ein sogenanntes Löschen in kaltem Wasser vorgenommen, und danach wurden die Platten getrocknet und für die Aufbringung einer metallischen Kontaktschicht über der Cuprooxydschicht, die sich während des Brennvorganges auf dem Kupfer bildet, vorbereitet. Zur Aufbringung dieser Kontaktschicht wird die oberste Haut des Cuprooxyds, d. h. die schwarze Oberfläche des roten Cuprooxyds, zuerst entfernt, und zwar vorzugsweise durch elektrolytische Reduktion. Sodann wird eine Metallschicht, beispielsweise Nickel, auf der verbleibenden Cuprooxydschicht z. B. durch Erzeugung eines elektrolytischen Niederschlags angebracht.
Die elektrischen Eigenschaften einer gegebenen Kupferoxydgleichrichterzelle sind nicht unveränderlich, sondern verändern sich vielmehr während der normalen Lebensdauer der Zelle. Dies gilt insbesondere für die ersten Tage der Benutzung der Zelle. Danach nehmen die elektrischen Eigenschaften einer annehmbaren Zelle allmählich einen so gut wie festen Wert an. Die graphischen Darstellungen dieser elektrischen Eigenschaften in Abhängigkeit von der Zeit werden als die Alterungskennlinien der Zellen bezeichnet. Diese Alterungskennlinien, die im allgemeinen zur Bestimmung der Güte der Zelle dienen, stellen den Strom in der Sperrichtung bei konstanter Spannung und den Spannungsabfall in der Durchlaßrichtung bei konstantem Strom dar. Diese Kennlinien geben also an, wie der Widerstand in der Sperrichtung bzw. in der Durchlaßrichtung sich im Laufe der Benutzung der Zelle ändert.
Es liegt natürlich auf der Hand, daß man im allgemeinen Zellen zu erhalten wünscht, deren Strom in der Sperrichtung gering ist (d. h. deren Sperrwiderstand hoch ist)" und deren Widerstand in der Durchlaßrichtung verhältnismäßig klein ist. Ferner wird gewünscht, daß die normale Zunahme des Widerstandes in der Durchlaßrichtung und die Abnahme des Widerstandes in der Sperrichtung, die bei der ersten Inbetriebnahme einer neuen Zelle auftreten, zeitlich verhältnismäßig eng begrenzt sind und bestimmte Grenzwerte nicht überschreiten, so daß die Zelle nicht durch Überhitzung zerstört wird. Die Maximalspannung, welche betriebsmäßig normalerweise in der Sperrichtung an der Zelle auftreten darf, ist gewöhnlich nicht durch die anfängliche Neigung der Zelle zum elektrischen Durchbruch bestimmt, wie er bei einem Dielektrikum auftritt, sondern vielmehr durch die Tatsache, daß oberhalb einer bestimmten Spannung eine betrachtete Zelle so unvorteilhafte Alterungseigenschaften in der Sperrichtung zeigt, daß sie bei der Benutzung als Gleichrichter bei Überhitzung dielektrisch durchschlägt.
Es wird angenommen, daß die Gleichrichtung des Stromes unter kristallinen und chemischen Verhältnissen auftritt, bei welchen der Elektronenübergang in der einen Richtung durch eine Energieschwelle zwischen der Kupferunterlage und der Cuprooxydschicht begrenzt ist. Die Energieschwelle rührt von einem Unterschied in der Wirksamkeit der Stoffe auf den beiden Seiten der Schwelle her, und zwar bezüglich der Eigenschäften dieser Stoffe als Elektronenspender und als Elektronenakzeptor. Die Wirksamkeit der Schwelle hängt von der chemischen Zusammensetzung der Zelle und außerdem von ihrer physikalischen Behandlung während des Herstellungs- \~erfahrens ab.
Der allgemeine Zweck der Erfindung besteht daher darin, die normale Betriebsspannung einer Kupferoxydgleichrichterzelle erheblich unter denjenigen Wert abzusenken, der sich bisher erreichen ließ, so daß für eine gegebene Spannung die Zahl der Gleichrichterzellen oder Gleichrichterelemente in einer Gleichrichtersäule nennenswert verkleinert werden kann.
Außerdem bezweckt die Erfindung, die normale Betriebsspannung einer Gleichrichterzelle erhöhen zu können, ohne den Strom in der Sperrichtung ungünstig zu beeinflussen.
Im einzelnen bezweckt die Erfindung noch die Schaffung einer Kupferoxydzelle, welche eine wenigstens zwei- bis dreimal größere Betriebsspannung verträgt, als sie bisher zulässig war, ohne den Strom in der Sperrichtung oder die Alterungskennlinien ungünstig zu beeinflussen und ohne die Alterungskennlinie, welche die Spannung in der Durchlaßrichtung bei konstantem Strom angibt, nennenswert zu verändern.
Die Erreichung dieser und anderer Ziele wird bei einer Ausführungsform der Erfindung dadurch gewährleistet, daß Kupferoxydgleichrichterelemente aus Kupferplatten hergestellt werden, auf denen vor dem Brennen oder der Oxydation eine Legierung von Kupfer mit einem anderen Metall, z. B. mit Antimon, erzeugt wird. Eine derartige Legierung läßt sich in geeigneter Weise dadurch herstellen, daß man die Kupferoberfläche mit einem dünnen Film aus Antimon überzieht, so daß das Antimon eine Legierung mit dem Kupfer eingeht, wenn die überzogene Platte bei erhöhter Temperatur einer oxydierenden Atmosphäre ausgesetzt wird. \ror dem Brennprozeß wird jedoch die mit Antimon überzogene Kupferplatte in eine ungesättigte Lösung bestimmter Salze eingetaucht. Diese Lösung soll vorzugsweise ein lösliches Antimonsalz, ein Tetraborat, ein Nitrat eines Schwermetalls oder eine organische Säure sein. Nach dem Brennen, der Abkühlung und dem Ausglühen der Platte, die in gewöhnlicher Weise vorgenommen werden, wird die oxydierte Platte für eine bestimmte Zeit der kalten Luft ausgesetzt und lao sodann in kaltem Wasser abgelöscht. Die oxydierte Platte wird sodann in der üblichen Weise für die Aufbringung einer Plattierung aus Nickel od. dgl. über der Kupferoberfläche vorbereitet.
Fig. ι zeigt eine schematische Darstellung der wichtigsten einzelnen Arbeitsgänge bei einem
bevorzugten Herstellungsverfahren für die erfindungsgemäßen Gleichrichter;
Fig. 2 enthält eine Darstellung des Stromes in
der Sperrichtung eines Gleichrichters, d. h. eine Darstellung einer Alterungskennlinie, in welche auch die entsprechenden Alterungskennlinien der bisher benutzten Gleichrichter eingetragen sind;
Fig. 3 schließlich zeigt den Spannungsabfall in der Durchlaßrichtung bei konstantem Strom, d. h.
ίο eine Alterungskennlinie für die Durchlaßrichtung eines erfindungsgemäßen Gleichrichters.
Wie in Fig. i, welche ein bevorzugtes Herstellungsverfahren für die erfindungsgemäßen Kupferoxydgleichrichter enthält, dargestellt ist, wird zunächst eine Unterlageplatte aus Kupfer von handelsüblicher Reinheit gründlich gesäubert und vorzugsweise auch durch Eintauchen in Salpetersäure geätzt. Die derart gesäuberten Kupferplatten werden dann mit einer dünnen Antimonschicht, deren Dicke der Größenordnung nach 0,00000762 bis 0,0000127 cm beträgt, überzogen. Ein derartiger Antimonüberzug wird vorzugsweise durch Elektroplattierung mittels einer elektrischen Entladung z. B. unter Verwendung eines Stromes von
a5 6 Ampere während 10 Sekunden oder von gleichwertigen Strom- und Zeitwerten hergestellt. Neben der bevorzugten Herstellung eines Überzuges aus Antimon kann man auch andere Metalle, nämlich Wismut, Blei, Cadmium, Eisen oder Mangan, zur Herstellung eines Überzuges auf der Kupferplatte benutzen.
Nach Bildung des Antimonüberzuges der Kupferplatte wird diese Platte in eine ungesättigte Lösung eines löslichen Antimonsalzes (beispielsweise in eine Lösung von weniger als 1 % Konzentration) eingetaucht. Vorzugsweise soll diese Lösung auch eine geringe Menge eines Tetraborats, einen gewissen Bestandteil eines Nitrats eines Schwermetalls und eine organische Säure enthalten, um das Antimonsalz zu stabilisieren und in Lösung zu halten. Eine besonders bewährte Lösung bestand aus 0,5 Gewichtsprozent Antimonchlorid, 0,05 Gewichtsprozent Natriumtetraborat, 0,1 Gewichtsprozent Eisennitrat, etwa 3 Gewichtsprozent Weinsäure und der Rest aus Wasser. Auch bestimmte andere Salze haben sich als Eintauchmittel vor dem Brennvorgang bewährt. Im allgemeinen haben die Nitrate und Perchlorate ebenso wie die Chloride und andere Halogenide (nämlich Fluoride, Bromide oder Jodide) von Antimon, Wismut oder Eisen ähnlich günstige Resultate ergeben. Vorzugsweise wird jedoch die genannte Lösung von Antimonchlorid und Eisennitrat verwendet, wobei die Konzentration der Lösung so stark wie möglich gemacht wird. Die Weinsäure in der genannten, vorzugsweise zu benutzenden Lösung dient hauptsächlich zur Erhöhung der in der Lösung gehaltenen Menge des Antimonchlorids. Das Natriumtetraborat dient hauptsächlich zur Reinigung.
Nach dem Eintauchen der mit Antimon überzogenen Platte in die genannte Lösung wird die Platte in der üblichen Weise in einer oxydierenden Atmosphäre bei einer Temperatur von etwa 982 bis 10380C, vorzugsweise bei 10160C, für eine Dauer von etwa 14 Minuten gebrannt, während etwa 2V2 Minuten in einer Kühlkammer bei etwa 466 bis etwa 4990 C gehalten und dann während etwa 9 Minuten bei einer Temperatur von etwa 482 bis 593°'C, vorzugsweise bei 5660C, ausgeglüht.
Nach Abschrecken der oxydierten Platte wird die Platte bei etwa 260 bis 3160C luftgekühlt, z. B. dadurch, daß man sie der kalten Luft, beispielsweise bei Zimmertemperatur, für eine Zeitspanne von etwa V2 bis 2 Minuten aussetzt und sie dann in kaltem Wasser ablöscht.
Wenn die Platten oder Zellen aus dem kalten Wasser herausgenommen werden, so werden sie anschließend getrocknet und für die Aufbringung einer metallischen Kontaktschicht oder Gegenelektrode über der während des Brennprozesses gebildeten Cuprooxydschicht vorbereitet. Die Zellen besitzen nach der Entnahme aus dem Löschbad gewöhnlich auf der Cuprooxydschicht eine dünne Haut von Cuprioxyd oder schwarzem Oxyd, welche auf die Lufteinwirkung zurückzuführen ist. Diese Cuprioxydschicht wird zunächst entfernt, und zwar vorzugsweise durch elektrolytische Reduktion zu metallischem Kupfer. Sodann wird 9" eine Kontaktschicht eines Metalls, z. B. aus Nickel, auf dem Cuprooxyd angebracht, beispielsweise durch Erzeugung eines elektrolytischen Niederschlags. Schließlich wird eine Randfläche der Zelle wieder von Nickel gereinigt und dadurch das rote Oxyd freigelegt, und zwar z. B. dadurch, daß man die Zelle in einer Schwefelsäurelösung od. dgl. behandelt, und sodann werden die so hergestellten Gleichrichterzellen geeigneten Prüfvorgängen unterworfen.
Die Ergebnisse des erfmdungsgemäßen Herstellungsverfahrens lassen sich am besten an Hand der Kennlinien in Fig. 2 und 3 erkennen. Als Grundlage des Vergleichs sei bemerkt, daß eine normale Kupferoxydzelle der bisher bekannten Art, 1OS mit einer normalen Wechselspannung von etwa 6 Volt betrieben, eine Alterungskennlinie A in Fig. 2 für den Strom in der Sperrichtung ergibt und eine für die Durchlaßrichtung geltende Kennlinie A1 in Fig. 3. Die Fig. 2 zeigt in der Kurve A die Abhängigkeit des in der Sperrichtung fließenden Stroms eines solchen Gleichrichters im Verlauf des Betriebes von einigen Tagen, während die Fig. 3 in der Kurve A1 den in der Durchlaßrichtung der Gleichrichterzelle zu beobachtenden Spannungsabfall bei konstantem Strom während einer Reihe von Tagen angibt. Dieser Spannungsabfall nimmt, wie zu erkennen, nur wenig zu. Der Betrieb einer solchen 6-Volt-Gleichrichterzelle bei etwa dem doppelten ihrer normalen Spannung, z. B. bei 12 Volt, ist durch die Kurve B in Fig. 2 dargestellt. Die Kurve B zeigt, daß der Strom in der Sperrichtung, wenn man die Spannung auf das Doppelte steigert, außerordentlich stark ansteigt, so daß das Element sich bald aufheizt und als Gleichrichter nicht mehr verwendbar ist.
9Ö9
Es wurde festgestellt, daß ein dünner Überzug bestimmter Metalle und insbesondere von Antimon auf der Kupferunterlage vor dem Brennen eine sehr ausgesprochene Erhöhung des Widerstandes der Zelle in der Durchlaß- und der Sperrichtung zur Folge hat. Die Kurve E in Fig. 2 ist die Alterungskennlinie, welche den in der Sperrichtung fließenden Strom bei 12 Volt Betriebsspannung an einer Zelle angibt, die ebenso wie die Zellen, an denen die Kennlinien A, A1 und B gemessen wurden, hergestellt worden ist, lediglich unter Hinzufügung einer Antimonplattierung vor dem Brennen. Der Unterschied zwischen den Kurven B und E veranschaulicht die Zunahme des Wider-Standes in der Sperrichtung durch die Antimonplattierung. Ebenso ist die Kurve E1 in Fig. 3 die Alterungskennlinie für die Durchlaßrichtung einer mit Antimon plattierten Zelle, und die Differenz zwischen den Kurven A1 und E1, die bei demselben konstanten Durchlaßstrom aufgenommen wurden, veranschaulicht die Zunahme des Durchlaßwiderstandes infolge der Antimonplattierung.
Diese Widerstandszunahme in beiden Richtungen läßt sich dadurch erklären, daß das Antimon, welches an der Kupferseite und an der Cuprooxydseite beiderseitig der Sperrschicht vorhanden ist, ungünstige Bedingungen für den Elektronenübertritt in beiden Richtungen schafft. Beim Brennprozeß legiert sich wahrscheinlich der Antimonüberzug zuerst mit dem Kupfer an der Oberfläche der Unterlage. Nach der Oxydation ist Antimon auf beiden Seiten der Sperrschicht vorhanden. Antimon ist ein guter Elektronenspender, aber ein schlechter Elektronenakzeptor. Bei Verwendung von Wismut, Blei, Cadmium, Eisen oder Mangan vor dem Brennprozeß tritt dasselbe auf, aber je nach dem verwendeten Material in verschiedenem Maße.
Es wurde auch festgestellt, daß durch das Brennen einer mit Antimon überzogenen Kupferplatte, die dann für eine gewisse Pause im Anschluß an den Brennprozeß an Luft gekühlt wurde, bevor eine Ablöschung in kaltem Wasser stattfand, sowohl der Widerstand in der Durchlaßrichtung als der Widerstand in der Sperrichtung sich noch weiter erhöhte. Diese Erscheinungen sind durch die Kurven C und C1 in Fig. 2 bzw. 3 veranschaulicht, wobei die Kurve C bei 12 Volt aufgenommen wurde und die Kurve C1 bei demselben konstanten Strom in der Durchlaßrichtung, der für die anderen Kurven in Fig. 3 gilt. Diese Kurven wurden an einer Zelle aufgenommen, welche nach dem oben beschriebenen bevorzugten Verfahren hergestellt war; jedoch war das Eintauchen in die Salzlösung vor dem Brennprozeß fortgelassen worden. Die Alterungskennlinie für die Durchlaßrichtung, die in Kurve C1 dargestellt ist, ist nicht brauchbar, da sie sich nicht innerhalb einer in Betracht kommenden Zeit stabilisiert; jedoch ist die Kennlinie C für den Strom in der Sperrichtung in hohem Grade brauchbar.
Um den Widerstand in der Durchlaßrichtung der Zelle ohne nennenswerte Beeinflussung des Sperrwiderstandes zu verbessern, wird die Zelle vor dem Brennprozeß in der oben beschriebenen Weise in eine Salzlösung eingetaucht, und es wird ferner ein verzögertes Ablöschen vorgenommen. Wenn man, wie weiter oben ausführlich beschrieben, eine mit Antimon überzogene Platte in dieser Weise in eine Salzlösung eintaucht und nach einer Pause in kaltem Waser ablöscht, so gelten j die Alterungskennlinien D und D1 in Fig. 2 bzw. 3. Durch Vergleich der Kurven C und C1 erkennt man die Wirkung des Eintauchens in die Salzlösung. Die Kurve D in Fig. 2 zeigt, daß der Widerstand in der Sperrichtung nur wrenig abgenommen, d. h. der Strom in der Sperrichtung nur wenig zugenommen hat Die Kurve D1 zeigt jedoch, daß der Widerstand in der Durchlaßrichtung sehr erheblich verkleinert ist. Wenn der Widerstand in der Durchlaß richtung gemäß Kurve D1 auch höher ist als der einer normalen Zelle (Kurve A1), so bewegt er sich doch bezüglich seines Absolutwertes und seiner Anstiegsteilheit innerhalb annehmbarer Grenzen. Der Absolutwert des Widerstandes in der Durchlaßrichtung ist nicht so wichtig wie seine Anstiegssteilheit, die klein gehalten werden muß.
Die Wirkung des Eintauchens in die Salzlösung auf den Widerstand in der Durchlaßrichtung, der stärker abnimmt als der Sperrwiderstand seinerseits abnimmt, läßt sich durch den Einfluß des Säureradikals, vorzugsweise eines Chlorids, in der Eintauchlösung erklären. Beim Brennprozeß reagiert nämlich das Chloridradikal mit dem Kupfer in der Unterlage der Zelle derart, daß Cuprichlorid und Cuprochlorid entstehen. Ein gebildetes Cuprichlorid wird reduziert, so daß sich Cuprochlorid und freies Chlor bildet, und dieses freie Chlor reagiert dann von neuem, so daß noch 10Q mehr Cuproehlorid gebildet wird. Andererseits wird freies Chlor in der Oxydschicht keine Reaktion eingehen, sondern wird vielmehr in der Oxydschicht gebunden bleiben. Freies Chlor ist ein sehr guter Elektronenakzeptor, und bei dem Vorhandensein eines guten Elektronenakzeptors in der Oxydschicht wird die Leitung in der Durchlaßrichtung verbessert, d. h. der Widerstand in der Durchlaßrichtung verkleinert. Eisennitrat hat wahrscheinlich eine ähnliche Wirkung, indem es freien Sauerstoff in der Oxydschicht liefert; Sauerstoff ist nämlich ebenfalls als guter Elektronenakzeptor bekannt.
Während gemäß dem beschriebenen bevorzugten Herstellungsverfahren drei entscheidend wichtige Verfahrensschritte, nämlich die Herstellung eines Metallüberzuges auf einer Kupferunterlage mit Metall, das Eintauchen der überzogenen Kupferplatte in eine Salzlösung vor dem Brennprozeß und eine verzögerte Ablöschung in kaltem Wasser nach dem Ausglühen, stattfinden sollen, wurde auch festgestellt, daß selbst ohne Aufbringung eines Metallüberzuges vor dem Brennen ein verzögertes Ablöschen den Widerstand der Zelle in der Durchlaß- und in der Sperrichtung erhöht. Wenn die Zelle vor dem Brennen in eine Salzlösung ein-
getaucht wird, um einen annehmbaren Durchlaßwiderstand ohne ungünstige Beeinflussung des Sperrwiderstandes zu erreichen, d. h. wenn ein verzögertes Ablöschen stattfindet, jedoch die Aufbringung des Metallüberzuges vor dem Brennen unterbleibt, erhält man eine für hohe Spannungen geeignete Zelle. Vorzugsweise sollen jedoch alle drei Verfahrensschritte benutzt werden, um Kupferoxydgleichrichterzellen zu verbessern. Es ίο wurde gefunden, daß gemäß diesem Verfahren Zellen mit einer Spannung bis zum Dreifachen der bisher verwendeten Werte einwandfrei betrieben werden können.

Claims (11)

PATENTANSPRÜCHE:
1. Verfahren zur Herstellung von Kupferoxydgleichrichtern, dadurch gekennzeichnet,
ao daß wenigstens eine Seite einer im wesentlichen reinen Kupferplatte mit einem dünnen Überzug aus Antimon, Wismut, Blei, Cadmium, Eisen oder Mangan überzogen wird, daß die so überzogene Kupferplatte in eine ungesättigte
»5 wäßrige Lösung eines Halogenids, Nitrats oder Perchlorats von Antimon, Wismut oder Eisen eingetaucht wird, daß sodann die Platte zur Bildung einer Cuprooxydschicht wenigstens auf der überzogenen Seite derselben erhitzt wird und daß die oxydierte Platte für eine gewisse Zeit nach der Erhitzung der kalten Luft ausgesetzt und schließlich die oxydierte Platte in kaltem Wasser abgelöscht wird.
2. Verfahren nach Anspruch i, gekennzeichnet durch Eintauchen der Kupferplatte in eine ungesättigte wäßrige Lösung eines löslichen Salzes von Antimon und eines Nitrats eines Schwermetalls, durch Oxydieren wenigstens einer Seite der Platte, durch Verbringen der oxydierten Platte an kalte Luft für eine Dauer von etwa V2 bis 2 Minuten und durch anschließende Ablöschung der oxydierten Platte in kaltem Wasser.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, gekennzeichnet durch Kühlung der oxydierten Platte in Luft auf etwa 260 bis 3160C und anschließende Ablöschung der Platte in kaltem Wasser.
4. Verfahren nach Anspruch 1 bis 3, gekennzeichnet durch Heizung der Platte auf etwa 982 bis 10380C zur Bildung einer Schicht von Cuprooxyd auf wenigstens einer Plattenseite, durch Ausglühen der oxydierten Platte bei etwa 482 bis 593° C, durch Kühlung der Platte in Luft nach dem Ausglühen auf etwa 260 bis 3160C und schließlich durch Ablöschung der Platte in kaltem Wasser.
5. Verfahren nach Anspruch 2, gekennzeichnet durch Eintauchen der Kupferplatte in eine ungesättigte wäßrige Lösung, welche weniger als ι Gewichtsprozent von Antimonchlorid und Eisennitrat enthält.
6. Verfahren nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch Eintauchen der überzogenen Platte in eine ungesättigte wäßrige Lösung, die weniger als ι Gewichtsprozent von Antimonchlorid enthält.
7. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Überzug der Kupferplatte durch Elektroplattierung wenigstens einer Seite derselben mit einem dünnen Film von Antimon von einer Dicke von weniger als 0,0000127 cm hergestellt wird.
8. Kupferoxydgleichrichter nach einem Verfahren gemäß Anspruch 1 bis 7, gekennzeichnet durch eine Unterlageplatte aus Kupfer, die wenigstens auf ihrer einen Seite eine Schicht von Cuprooxyd mit einer gewissen Menge von eingefangenem freiem Chlor enthält.
9. Kupferoxydgleichrichter nach Anspruch 8, gekennzeichnet durch eine Unterlageplatte aus Kupfer, die wenigstens auf ihrer einen Seite Cuprochlorid enthält.
10. Kupferoxydgleichrichter nach Anspruch 8, gekennzeichnet durch eine Unterlageplatte aus Kupfer, welche auf ihrer einen Seite Antimon enthält.
11. Kupferoxydgleichrichter nach Anspruch 8 oder 9, gekennzeichnet durch eine zusammenhängende Schicht von Cuprooxyd auf wenigstens einer Seite der Platte, welche Antimon, Cuprochlorid und eingefangenes Chlor enthält.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Q 9511 4.54
DEI5560A 1951-02-23 1952-02-24 Kupferoxydulgleichrichter und Verfahren zu seiner Herstellung Expired DE909975C (de)

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