DE909975C - Kupferoxydulgleichrichter und Verfahren zu seiner Herstellung - Google Patents
Kupferoxydulgleichrichter und Verfahren zu seiner HerstellungInfo
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- DE909975C DE909975C DEI5560A DEI0005560A DE909975C DE 909975 C DE909975 C DE 909975C DE I5560 A DEI5560 A DE I5560A DE I0005560 A DEI0005560 A DE I0005560A DE 909975 C DE909975 C DE 909975C
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 25
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 21
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 title claims description 17
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 title claims description 17
- 230000008569 process Effects 0.000 title claims description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 11
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 32
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 32
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 32
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims description 27
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 27
- BERDEBHAJNAUOM-UHFFFAOYSA-N copper(I) oxide Inorganic materials [Cu]O[Cu] BERDEBHAJNAUOM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- KRFJLUBVMFXRPN-UHFFFAOYSA-N cuprous oxide Chemical compound [O-2].[Cu+].[Cu+] KRFJLUBVMFXRPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 229940112669 cuprous oxide Drugs 0.000 claims description 14
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 12
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 12
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 238000010791 quenching Methods 0.000 claims description 10
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 claims description 9
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 claims description 6
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910021591 Copper(I) chloride Inorganic materials 0.000 claims description 5
- FAPDDOBMIUGHIN-UHFFFAOYSA-K antimony trichloride Chemical compound Cl[Sb](Cl)Cl FAPDDOBMIUGHIN-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 5
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims description 5
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 5
- OXBLHERUFWYNTN-UHFFFAOYSA-M copper(I) chloride Chemical compound [Cu]Cl OXBLHERUFWYNTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 5
- 229940045803 cuprous chloride Drugs 0.000 claims description 5
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910002651 NO3 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N Nitrate Chemical compound [O-][N+]([O-])=O NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 4
- MVFCKEFYUDZOCX-UHFFFAOYSA-N iron(2+);dinitrate Chemical compound [Fe+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O MVFCKEFYUDZOCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 4
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims description 3
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims description 2
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 claims description 2
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011572 manganese Substances 0.000 claims description 2
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N perchloric acid Chemical compound OCl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 2
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-M perchlorate Inorganic materials [O-]Cl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 19
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 14
- 229960004643 cupric oxide Drugs 0.000 description 13
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 13
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 12
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 9
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 7
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 5
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 3
- 150000001462 antimony Chemical class 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- GDTSJMKGXGJFGQ-UHFFFAOYSA-N 3,7-dioxido-2,4,6,8,9-pentaoxa-1,3,5,7-tetraborabicyclo[3.3.1]nonane Chemical compound O1B([O-])OB2OB([O-])OB1O2 GDTSJMKGXGJFGQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N Tartaric acid Natural products [H+].[H+].[O-]C(=O)C(O)C(O)C([O-])=O FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021538 borax Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L copper(II) chloride Chemical compound Cl[Cu]Cl ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- UQGFMSUEHSUPRD-UHFFFAOYSA-N disodium;3,7-dioxido-2,4,6,8,9-pentaoxa-1,3,5,7-tetraborabicyclo[3.3.1]nonane Chemical compound [Na+].[Na+].O1B([O-])OB2OB([O-])OB1O2 UQGFMSUEHSUPRD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 2
- 239000012266 salt solution Substances 0.000 description 2
- 235000010339 sodium tetraborate Nutrition 0.000 description 2
- 239000004328 sodium tetraborate Substances 0.000 description 2
- 235000002906 tartaric acid Nutrition 0.000 description 2
- 239000011975 tartaric acid Substances 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000003679 aging effect Effects 0.000 description 1
- 150000003842 bromide salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 150000001805 chlorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 1
- 229960003280 cupric chloride Drugs 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 150000004673 fluoride salts Chemical class 0.000 description 1
- 150000004694 iodide salts Chemical class 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 150000002823 nitrates Chemical class 0.000 description 1
- 238000013021 overheating Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02367—Substrates
- H01L21/0237—Materials
- H01L21/02425—Conductive materials, e.g. metallic silicides
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02565—Oxide semiconducting materials not being Group 12/16 materials, e.g. ternary compounds
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02614—Transformation of metal, e.g. oxidation, nitridation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/16—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising cuprous oxide or cuprous iodide
- H01L21/161—Preparation of the foundation plate, preliminary treatment oxidation of the foundation plate, reduction treatment
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/16—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising cuprous oxide or cuprous iodide
- H01L21/161—Preparation of the foundation plate, preliminary treatment oxidation of the foundation plate, reduction treatment
- H01L21/164—Oxidation and subsequent heat treatment of the foundation plate
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
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- Y10S205/00—Electrolysis: processes, compositions used therein, and methods of preparing the compositions
- Y10S205/917—Treatment of workpiece between coating steps
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Power Engineering (AREA)
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- Materials Engineering (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf Trockengleichrichter und insbesondere auf Kupferoxydgleichrichter
sowie auf Verfahren zu deren Herstellung.
Eine Kupferoxydgleichrichterzelle oder ein Kupferoxydgleichrichterelement besteht im wesentlichen
aus einer Kupferscheibe, die wenigstens einseitig mit einer Schicht von Cuprooxyd überzogen
und oberhall) dieser Schicht mit einer Kontaktschicht, ζ. B. aus Nickel od. dgl., versehen ist. Es
ist bekannt, daß eine derartige Gleichrichterzelle eine Sperrschicht zwischen der Kupferunterlage
und der Cuprooxydschicht besitzt, die sich dadurch bemerkbar macht, daß die Zelle senkrecht
zur Ebene der Kupferplatte in der einen Richtung eine viel bessere elektrische Leitfähigkeit aufweist
als in der umgekehrten Richtung. Dies bedeutet natürlich, daß der elektrische Widerstand der Zelle
in der einen Richtung, die als die Durchlaßrichtung bezeichnet wird, erheblich kleiner ist als der
elektrische Widerstand in der anderen, d. h. in der sogenannten Sperrichtung. Wegen dieses starken
Unterschiedes zwischen dem Vorwärtswiderstand und dem Sperrwiderstand zeigen diese Zellen
einen Gleichrichtereffekt beim Anlegen einer Wechselspannung. Der sogenannte Vorwärtsstrom
in einer derartigen Zelle ist der Strom, welcher aus der Oxydschicht in die Kupferplatte übergeht.
Bisher hat man bei der Herstellung von Kupferoxydgleichrichtern die Kupferplatten von handelsüblicher
Reinheit zuerst gründlich gesäubert und vorzugsweise auch durch Eintauchen in Salpetersäure
geätzt. Die Platten werden sodann in einer oxydierenden Atmosphäre in einem Ofen bei ungefähr
982 bis 1038'0 C gebrannt, und zwar für eine
Dauer von etwa 14 Minuten. Anschließend werden die Platten ungefähr 2V2 Minuten lang in einer
Kühlkammer des Ofens, die sich auf etwa 466 bis etwa 4990 C befindet, abgekühlt. Die Platten werden
sodann etwa 9 Minuten lang bei einer Temperatur von etwa 482 bis 5930C ausgeglüht. Nach dem
Ausglühen dieser Platten wurde bisher sofort ein sogenanntes Löschen in kaltem Wasser vorgenommen,
und danach wurden die Platten getrocknet und für die Aufbringung einer metallischen Kontaktschicht
über der Cuprooxydschicht, die sich während des Brennvorganges auf dem Kupfer bildet, vorbereitet. Zur Aufbringung dieser Kontaktschicht
wird die oberste Haut des Cuprooxyds, d. h. die schwarze Oberfläche des roten Cuprooxyds,
zuerst entfernt, und zwar vorzugsweise durch elektrolytische Reduktion. Sodann wird eine
Metallschicht, beispielsweise Nickel, auf der verbleibenden Cuprooxydschicht z. B. durch Erzeugung
eines elektrolytischen Niederschlags angebracht.
Die elektrischen Eigenschaften einer gegebenen Kupferoxydgleichrichterzelle sind nicht unveränderlich,
sondern verändern sich vielmehr während der normalen Lebensdauer der Zelle. Dies gilt insbesondere
für die ersten Tage der Benutzung der Zelle. Danach nehmen die elektrischen Eigenschaften
einer annehmbaren Zelle allmählich einen so gut wie festen Wert an. Die graphischen Darstellungen
dieser elektrischen Eigenschaften in Abhängigkeit von der Zeit werden als die Alterungskennlinien
der Zellen bezeichnet. Diese Alterungskennlinien, die im allgemeinen zur Bestimmung
der Güte der Zelle dienen, stellen den Strom in der Sperrichtung bei konstanter Spannung und
den Spannungsabfall in der Durchlaßrichtung bei konstantem Strom dar. Diese Kennlinien geben
also an, wie der Widerstand in der Sperrichtung bzw. in der Durchlaßrichtung sich im Laufe der
Benutzung der Zelle ändert.
Es liegt natürlich auf der Hand, daß man im allgemeinen Zellen zu erhalten wünscht, deren
Strom in der Sperrichtung gering ist (d. h. deren Sperrwiderstand hoch ist)" und deren Widerstand
in der Durchlaßrichtung verhältnismäßig klein ist. Ferner wird gewünscht, daß die normale Zunahme
des Widerstandes in der Durchlaßrichtung und die Abnahme des Widerstandes in der Sperrichtung,
die bei der ersten Inbetriebnahme einer neuen Zelle auftreten, zeitlich verhältnismäßig eng begrenzt
sind und bestimmte Grenzwerte nicht überschreiten, so daß die Zelle nicht durch Überhitzung zerstört
wird. Die Maximalspannung, welche betriebsmäßig normalerweise in der Sperrichtung an der Zelle
auftreten darf, ist gewöhnlich nicht durch die anfängliche Neigung der Zelle zum elektrischen
Durchbruch bestimmt, wie er bei einem Dielektrikum auftritt, sondern vielmehr durch die Tatsache,
daß oberhalb einer bestimmten Spannung eine betrachtete Zelle so unvorteilhafte Alterungseigenschaften in der Sperrichtung zeigt, daß sie
bei der Benutzung als Gleichrichter bei Überhitzung dielektrisch durchschlägt.
Es wird angenommen, daß die Gleichrichtung des Stromes unter kristallinen und chemischen
Verhältnissen auftritt, bei welchen der Elektronenübergang in der einen Richtung durch eine Energieschwelle
zwischen der Kupferunterlage und der Cuprooxydschicht begrenzt ist. Die Energieschwelle
rührt von einem Unterschied in der Wirksamkeit der Stoffe auf den beiden Seiten der
Schwelle her, und zwar bezüglich der Eigenschäften dieser Stoffe als Elektronenspender und
als Elektronenakzeptor. Die Wirksamkeit der Schwelle hängt von der chemischen Zusammensetzung
der Zelle und außerdem von ihrer physikalischen Behandlung während des Herstellungs-
\~erfahrens ab.
Der allgemeine Zweck der Erfindung besteht daher darin, die normale Betriebsspannung einer
Kupferoxydgleichrichterzelle erheblich unter denjenigen Wert abzusenken, der sich bisher erreichen
ließ, so daß für eine gegebene Spannung die Zahl der Gleichrichterzellen oder Gleichrichterelemente
in einer Gleichrichtersäule nennenswert verkleinert werden kann.
Außerdem bezweckt die Erfindung, die normale Betriebsspannung einer Gleichrichterzelle erhöhen
zu können, ohne den Strom in der Sperrichtung ungünstig zu beeinflussen.
Im einzelnen bezweckt die Erfindung noch die Schaffung einer Kupferoxydzelle, welche eine
wenigstens zwei- bis dreimal größere Betriebsspannung verträgt, als sie bisher zulässig war,
ohne den Strom in der Sperrichtung oder die Alterungskennlinien ungünstig zu beeinflussen und
ohne die Alterungskennlinie, welche die Spannung in der Durchlaßrichtung bei konstantem Strom
angibt, nennenswert zu verändern.
Die Erreichung dieser und anderer Ziele wird bei einer Ausführungsform der Erfindung dadurch
gewährleistet, daß Kupferoxydgleichrichterelemente aus Kupferplatten hergestellt werden, auf
denen vor dem Brennen oder der Oxydation eine Legierung von Kupfer mit einem anderen Metall,
z. B. mit Antimon, erzeugt wird. Eine derartige Legierung läßt sich in geeigneter Weise dadurch
herstellen, daß man die Kupferoberfläche mit einem dünnen Film aus Antimon überzieht, so daß das
Antimon eine Legierung mit dem Kupfer eingeht, wenn die überzogene Platte bei erhöhter Temperatur
einer oxydierenden Atmosphäre ausgesetzt wird. \ror dem Brennprozeß wird jedoch die mit
Antimon überzogene Kupferplatte in eine ungesättigte Lösung bestimmter Salze eingetaucht.
Diese Lösung soll vorzugsweise ein lösliches Antimonsalz, ein Tetraborat, ein Nitrat eines
Schwermetalls oder eine organische Säure sein. Nach dem Brennen, der Abkühlung und dem Ausglühen
der Platte, die in gewöhnlicher Weise vorgenommen werden, wird die oxydierte Platte für
eine bestimmte Zeit der kalten Luft ausgesetzt und lao
sodann in kaltem Wasser abgelöscht. Die oxydierte Platte wird sodann in der üblichen Weise für die
Aufbringung einer Plattierung aus Nickel od. dgl. über der Kupferoberfläche vorbereitet.
Fig. ι zeigt eine schematische Darstellung der wichtigsten einzelnen Arbeitsgänge bei einem
bevorzugten Herstellungsverfahren für die erfindungsgemäßen Gleichrichter;
Fig. 2 enthält eine Darstellung des Stromes in
der Sperrichtung eines Gleichrichters, d. h. eine Darstellung einer Alterungskennlinie, in welche
auch die entsprechenden Alterungskennlinien der bisher benutzten Gleichrichter eingetragen sind;
Fig. 3 schließlich zeigt den Spannungsabfall in der Durchlaßrichtung bei konstantem Strom, d. h.
ίο eine Alterungskennlinie für die Durchlaßrichtung
eines erfindungsgemäßen Gleichrichters.
Wie in Fig. i, welche ein bevorzugtes Herstellungsverfahren
für die erfindungsgemäßen Kupferoxydgleichrichter enthält, dargestellt ist, wird zunächst
eine Unterlageplatte aus Kupfer von handelsüblicher Reinheit gründlich gesäubert und
vorzugsweise auch durch Eintauchen in Salpetersäure geätzt. Die derart gesäuberten Kupferplatten
werden dann mit einer dünnen Antimonschicht, deren Dicke der Größenordnung nach 0,00000762
bis 0,0000127 cm beträgt, überzogen. Ein derartiger Antimonüberzug wird vorzugsweise durch
Elektroplattierung mittels einer elektrischen Entladung z. B. unter Verwendung eines Stromes von
a5 6 Ampere während 10 Sekunden oder von gleichwertigen
Strom- und Zeitwerten hergestellt. Neben der bevorzugten Herstellung eines Überzuges aus
Antimon kann man auch andere Metalle, nämlich Wismut, Blei, Cadmium, Eisen oder Mangan, zur
Herstellung eines Überzuges auf der Kupferplatte benutzen.
Nach Bildung des Antimonüberzuges der Kupferplatte wird diese Platte in eine ungesättigte
Lösung eines löslichen Antimonsalzes (beispielsweise in eine Lösung von weniger als 1 % Konzentration)
eingetaucht. Vorzugsweise soll diese Lösung auch eine geringe Menge eines Tetraborats,
einen gewissen Bestandteil eines Nitrats eines Schwermetalls und eine organische Säure enthalten,
um das Antimonsalz zu stabilisieren und in Lösung zu halten. Eine besonders bewährte
Lösung bestand aus 0,5 Gewichtsprozent Antimonchlorid, 0,05 Gewichtsprozent Natriumtetraborat,
0,1 Gewichtsprozent Eisennitrat, etwa 3 Gewichtsprozent Weinsäure und der Rest aus
Wasser. Auch bestimmte andere Salze haben sich als Eintauchmittel vor dem Brennvorgang bewährt.
Im allgemeinen haben die Nitrate und Perchlorate ebenso wie die Chloride und andere
Halogenide (nämlich Fluoride, Bromide oder Jodide) von Antimon, Wismut oder Eisen ähnlich
günstige Resultate ergeben. Vorzugsweise wird jedoch die genannte Lösung von Antimonchlorid
und Eisennitrat verwendet, wobei die Konzentration der Lösung so stark wie möglich gemacht
wird. Die Weinsäure in der genannten, vorzugsweise zu benutzenden Lösung dient hauptsächlich
zur Erhöhung der in der Lösung gehaltenen Menge des Antimonchlorids. Das Natriumtetraborat dient
hauptsächlich zur Reinigung.
Nach dem Eintauchen der mit Antimon überzogenen Platte in die genannte Lösung wird die
Platte in der üblichen Weise in einer oxydierenden Atmosphäre bei einer Temperatur von etwa
982 bis 10380C, vorzugsweise bei 10160C, für
eine Dauer von etwa 14 Minuten gebrannt, während etwa 2V2 Minuten in einer Kühlkammer bei etwa
466 bis etwa 4990 C gehalten und dann während etwa 9 Minuten bei einer Temperatur von etwa
482 bis 593°'C, vorzugsweise bei 5660C, ausgeglüht.
Nach Abschrecken der oxydierten Platte wird die Platte bei etwa 260 bis 3160C luftgekühlt,
z. B. dadurch, daß man sie der kalten Luft, beispielsweise bei Zimmertemperatur, für eine Zeitspanne
von etwa V2 bis 2 Minuten aussetzt und sie dann in kaltem Wasser ablöscht.
Wenn die Platten oder Zellen aus dem kalten Wasser herausgenommen werden, so werden sie
anschließend getrocknet und für die Aufbringung einer metallischen Kontaktschicht oder Gegenelektrode
über der während des Brennprozesses gebildeten Cuprooxydschicht vorbereitet. Die
Zellen besitzen nach der Entnahme aus dem Löschbad gewöhnlich auf der Cuprooxydschicht eine
dünne Haut von Cuprioxyd oder schwarzem Oxyd, welche auf die Lufteinwirkung zurückzuführen
ist. Diese Cuprioxydschicht wird zunächst entfernt, und zwar vorzugsweise durch elektrolytische
Reduktion zu metallischem Kupfer. Sodann wird 9" eine Kontaktschicht eines Metalls, z. B. aus Nickel,
auf dem Cuprooxyd angebracht, beispielsweise durch Erzeugung eines elektrolytischen Niederschlags.
Schließlich wird eine Randfläche der Zelle wieder von Nickel gereinigt und dadurch das rote
Oxyd freigelegt, und zwar z. B. dadurch, daß man die Zelle in einer Schwefelsäurelösung od. dgl. behandelt,
und sodann werden die so hergestellten Gleichrichterzellen geeigneten Prüfvorgängen unterworfen.
Die Ergebnisse des erfmdungsgemäßen Herstellungsverfahrens
lassen sich am besten an Hand der Kennlinien in Fig. 2 und 3 erkennen. Als Grundlage des Vergleichs sei bemerkt, daß eine
normale Kupferoxydzelle der bisher bekannten Art, 1OS
mit einer normalen Wechselspannung von etwa 6 Volt betrieben, eine Alterungskennlinie A in
Fig. 2 für den Strom in der Sperrichtung ergibt und eine für die Durchlaßrichtung geltende Kennlinie
A1 in Fig. 3. Die Fig. 2 zeigt in der Kurve A
die Abhängigkeit des in der Sperrichtung fließenden Stroms eines solchen Gleichrichters im Verlauf
des Betriebes von einigen Tagen, während die Fig. 3 in der Kurve A1 den in der Durchlaßrichtung
der Gleichrichterzelle zu beobachtenden Spannungsabfall bei konstantem Strom während einer
Reihe von Tagen angibt. Dieser Spannungsabfall nimmt, wie zu erkennen, nur wenig zu. Der Betrieb
einer solchen 6-Volt-Gleichrichterzelle bei etwa
dem doppelten ihrer normalen Spannung, z. B. bei 12 Volt, ist durch die Kurve B in Fig. 2 dargestellt.
Die Kurve B zeigt, daß der Strom in der Sperrichtung, wenn man die Spannung auf das
Doppelte steigert, außerordentlich stark ansteigt, so daß das Element sich bald aufheizt und als
Gleichrichter nicht mehr verwendbar ist.
9Ö9
Es wurde festgestellt, daß ein dünner Überzug
bestimmter Metalle und insbesondere von Antimon auf der Kupferunterlage vor dem Brennen eine
sehr ausgesprochene Erhöhung des Widerstandes der Zelle in der Durchlaß- und der Sperrichtung
zur Folge hat. Die Kurve E in Fig. 2 ist die Alterungskennlinie, welche den in der Sperrichtung
fließenden Strom bei 12 Volt Betriebsspannung an einer Zelle angibt, die ebenso wie die Zellen, an
denen die Kennlinien A, A1 und B gemessen
wurden, hergestellt worden ist, lediglich unter Hinzufügung einer Antimonplattierung vor dem
Brennen. Der Unterschied zwischen den Kurven B und E veranschaulicht die Zunahme des Wider-Standes
in der Sperrichtung durch die Antimonplattierung. Ebenso ist die Kurve E1 in Fig. 3 die
Alterungskennlinie für die Durchlaßrichtung einer mit Antimon plattierten Zelle, und die Differenz
zwischen den Kurven A1 und E1, die bei demselben
konstanten Durchlaßstrom aufgenommen wurden, veranschaulicht die Zunahme des Durchlaßwiderstandes
infolge der Antimonplattierung.
Diese Widerstandszunahme in beiden Richtungen läßt sich dadurch erklären, daß das Antimon,
welches an der Kupferseite und an der Cuprooxydseite beiderseitig der Sperrschicht vorhanden ist,
ungünstige Bedingungen für den Elektronenübertritt in beiden Richtungen schafft. Beim Brennprozeß
legiert sich wahrscheinlich der Antimonüberzug zuerst mit dem Kupfer an der Oberfläche
der Unterlage. Nach der Oxydation ist Antimon auf beiden Seiten der Sperrschicht vorhanden.
Antimon ist ein guter Elektronenspender, aber ein schlechter Elektronenakzeptor. Bei Verwendung
von Wismut, Blei, Cadmium, Eisen oder Mangan vor dem Brennprozeß tritt dasselbe auf, aber je
nach dem verwendeten Material in verschiedenem Maße.
Es wurde auch festgestellt, daß durch das Brennen einer mit Antimon überzogenen Kupferplatte, die dann für eine gewisse Pause im Anschluß
an den Brennprozeß an Luft gekühlt wurde, bevor eine Ablöschung in kaltem Wasser stattfand,
sowohl der Widerstand in der Durchlaßrichtung als der Widerstand in der Sperrichtung sich
noch weiter erhöhte. Diese Erscheinungen sind durch die Kurven C und C1 in Fig. 2 bzw. 3 veranschaulicht,
wobei die Kurve C bei 12 Volt aufgenommen wurde und die Kurve C1 bei demselben
konstanten Strom in der Durchlaßrichtung, der für die anderen Kurven in Fig. 3 gilt. Diese Kurven
wurden an einer Zelle aufgenommen, welche nach dem oben beschriebenen bevorzugten Verfahren
hergestellt war; jedoch war das Eintauchen in die Salzlösung vor dem Brennprozeß fortgelassen
worden. Die Alterungskennlinie für die Durchlaßrichtung, die in Kurve C1 dargestellt ist, ist nicht
brauchbar, da sie sich nicht innerhalb einer in Betracht kommenden Zeit stabilisiert; jedoch ist die
Kennlinie C für den Strom in der Sperrichtung in hohem Grade brauchbar.
Um den Widerstand in der Durchlaßrichtung der Zelle ohne nennenswerte Beeinflussung des
Sperrwiderstandes zu verbessern, wird die Zelle vor dem Brennprozeß in der oben beschriebenen
Weise in eine Salzlösung eingetaucht, und es wird ferner ein verzögertes Ablöschen vorgenommen.
Wenn man, wie weiter oben ausführlich beschrieben, eine mit Antimon überzogene Platte in
dieser Weise in eine Salzlösung eintaucht und nach einer Pause in kaltem Waser ablöscht, so gelten
j die Alterungskennlinien D und D1 in Fig. 2 bzw. 3.
Durch Vergleich der Kurven C und C1 erkennt man die Wirkung des Eintauchens in die Salzlösung.
Die Kurve D in Fig. 2 zeigt, daß der Widerstand in der Sperrichtung nur wrenig abgenommen, d. h. der Strom in der Sperrichtung
nur wenig zugenommen hat Die Kurve D1 zeigt jedoch, daß der Widerstand in der Durchlaßrichtung
sehr erheblich verkleinert ist. Wenn der Widerstand in der Durchlaß richtung gemäß
Kurve D1 auch höher ist als der einer normalen Zelle (Kurve A1), so bewegt er sich doch bezüglich
seines Absolutwertes und seiner Anstiegsteilheit innerhalb annehmbarer Grenzen. Der Absolutwert
des Widerstandes in der Durchlaßrichtung ist nicht so wichtig wie seine Anstiegssteilheit, die klein
gehalten werden muß.
Die Wirkung des Eintauchens in die Salzlösung auf den Widerstand in der Durchlaßrichtung, der
stärker abnimmt als der Sperrwiderstand seinerseits abnimmt, läßt sich durch den Einfluß des
Säureradikals, vorzugsweise eines Chlorids, in der Eintauchlösung erklären. Beim Brennprozeß
reagiert nämlich das Chloridradikal mit dem Kupfer in der Unterlage der Zelle derart, daß
Cuprichlorid und Cuprochlorid entstehen. Ein gebildetes Cuprichlorid wird reduziert, so daß sich
Cuprochlorid und freies Chlor bildet, und dieses freie Chlor reagiert dann von neuem, so daß noch 10Q
mehr Cuproehlorid gebildet wird. Andererseits wird freies Chlor in der Oxydschicht keine
Reaktion eingehen, sondern wird vielmehr in der Oxydschicht gebunden bleiben. Freies Chlor ist
ein sehr guter Elektronenakzeptor, und bei dem Vorhandensein eines guten Elektronenakzeptors in
der Oxydschicht wird die Leitung in der Durchlaßrichtung verbessert, d. h. der Widerstand in der
Durchlaßrichtung verkleinert. Eisennitrat hat wahrscheinlich eine ähnliche Wirkung, indem es
freien Sauerstoff in der Oxydschicht liefert; Sauerstoff ist nämlich ebenfalls als guter Elektronenakzeptor
bekannt.
Während gemäß dem beschriebenen bevorzugten Herstellungsverfahren drei entscheidend wichtige
Verfahrensschritte, nämlich die Herstellung eines Metallüberzuges auf einer Kupferunterlage mit
Metall, das Eintauchen der überzogenen Kupferplatte in eine Salzlösung vor dem Brennprozeß und
eine verzögerte Ablöschung in kaltem Wasser nach dem Ausglühen, stattfinden sollen, wurde auch festgestellt,
daß selbst ohne Aufbringung eines Metallüberzuges vor dem Brennen ein verzögertes Ablöschen
den Widerstand der Zelle in der Durchlaß- und in der Sperrichtung erhöht. Wenn die
Zelle vor dem Brennen in eine Salzlösung ein-
getaucht wird, um einen annehmbaren Durchlaßwiderstand ohne ungünstige Beeinflussung des
Sperrwiderstandes zu erreichen, d. h. wenn ein verzögertes Ablöschen stattfindet, jedoch die Aufbringung
des Metallüberzuges vor dem Brennen unterbleibt, erhält man eine für hohe Spannungen
geeignete Zelle. Vorzugsweise sollen jedoch alle drei Verfahrensschritte benutzt werden, um
Kupferoxydgleichrichterzellen zu verbessern. Es ίο wurde gefunden, daß gemäß diesem Verfahren
Zellen mit einer Spannung bis zum Dreifachen der bisher verwendeten Werte einwandfrei betrieben
werden können.
Claims (11)
1. Verfahren zur Herstellung von Kupferoxydgleichrichtern,
dadurch gekennzeichnet,
ao daß wenigstens eine Seite einer im wesentlichen reinen Kupferplatte mit einem dünnen
Überzug aus Antimon, Wismut, Blei, Cadmium, Eisen oder Mangan überzogen wird, daß die so
überzogene Kupferplatte in eine ungesättigte
»5 wäßrige Lösung eines Halogenids, Nitrats oder Perchlorats von Antimon, Wismut oder
Eisen eingetaucht wird, daß sodann die Platte zur Bildung einer Cuprooxydschicht wenigstens
auf der überzogenen Seite derselben erhitzt wird und daß die oxydierte Platte für eine gewisse
Zeit nach der Erhitzung der kalten Luft ausgesetzt und schließlich die oxydierte Platte
in kaltem Wasser abgelöscht wird.
2. Verfahren nach Anspruch i, gekennzeichnet durch Eintauchen der Kupferplatte in eine
ungesättigte wäßrige Lösung eines löslichen Salzes von Antimon und eines Nitrats eines
Schwermetalls, durch Oxydieren wenigstens einer Seite der Platte, durch Verbringen der
oxydierten Platte an kalte Luft für eine Dauer von etwa V2 bis 2 Minuten und durch anschließende
Ablöschung der oxydierten Platte in kaltem Wasser.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, gekennzeichnet durch Kühlung der oxydierten
Platte in Luft auf etwa 260 bis 3160C und
anschließende Ablöschung der Platte in kaltem Wasser.
4. Verfahren nach Anspruch 1 bis 3, gekennzeichnet durch Heizung der Platte auf etwa
982 bis 10380C zur Bildung einer Schicht von
Cuprooxyd auf wenigstens einer Plattenseite, durch Ausglühen der oxydierten Platte bei
etwa 482 bis 593° C, durch Kühlung der Platte in Luft nach dem Ausglühen auf etwa 260 bis
3160C und schließlich durch Ablöschung der
Platte in kaltem Wasser.
5. Verfahren nach Anspruch 2, gekennzeichnet durch Eintauchen der Kupferplatte in eine
ungesättigte wäßrige Lösung, welche weniger als ι Gewichtsprozent von Antimonchlorid und
Eisennitrat enthält.
6. Verfahren nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch Eintauchen der überzogenen Platte in
eine ungesättigte wäßrige Lösung, die weniger als ι Gewichtsprozent von Antimonchlorid enthält.
7. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Überzug der
Kupferplatte durch Elektroplattierung wenigstens einer Seite derselben mit einem dünnen
Film von Antimon von einer Dicke von weniger als 0,0000127 cm hergestellt wird.
8. Kupferoxydgleichrichter nach einem Verfahren gemäß Anspruch 1 bis 7, gekennzeichnet
durch eine Unterlageplatte aus Kupfer, die wenigstens auf ihrer einen Seite eine Schicht
von Cuprooxyd mit einer gewissen Menge von eingefangenem freiem Chlor enthält.
9. Kupferoxydgleichrichter nach Anspruch 8, gekennzeichnet durch eine Unterlageplatte aus
Kupfer, die wenigstens auf ihrer einen Seite Cuprochlorid enthält.
10. Kupferoxydgleichrichter nach Anspruch 8,
gekennzeichnet durch eine Unterlageplatte aus Kupfer, welche auf ihrer einen Seite Antimon
enthält.
11. Kupferoxydgleichrichter nach Anspruch 8
oder 9, gekennzeichnet durch eine zusammenhängende Schicht von Cuprooxyd auf wenigstens
einer Seite der Platte, welche Antimon, Cuprochlorid und eingefangenes Chlor enthält.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Q 9511 4.54
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US212385A US2739276A (en) | 1951-02-23 | 1951-02-23 | Copper oxide rectifier and method of making the same |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE909975C true DE909975C (de) | 1954-04-26 |
Family
ID=22790781
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DEI5560A Expired DE909975C (de) | 1951-02-23 | 1952-02-24 | Kupferoxydulgleichrichter und Verfahren zu seiner Herstellung |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US2739276A (de) |
BE (1) | BE509424A (de) |
CH (1) | CH309016A (de) |
DE (1) | DE909975C (de) |
FR (2) | FR1056334A (de) |
GB (1) | GB701875A (de) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1053046A (de) * | 1963-02-25 | 1900-01-01 | ||
DE2124693B1 (de) * | 1971-05-18 | 1973-01-11 | Ice (Europa) Fibres Gmbh, 7524 Oestringen | Fadenbruchwächter für eine Faserbe- und/oder -Verarbeitungsvorrichtung |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2592975A (en) * | 1952-04-15 | Method of grading copper for use in | ||
US1769852A (en) * | 1927-06-27 | 1930-07-01 | Kodel Radio Corp | Method of producing rectifying units |
AT120771B (de) * | 1928-09-26 | 1931-01-10 | Siemens Ag | Einrichtung zum Umsteuern von aus einem Einphasennetz gespeisten Mehrphasen-Induktionsmotoren. |
US1936792A (en) * | 1929-02-06 | 1933-11-28 | Westinghouse Electric & Mfg Co | Method of making copper oxide rectifiers for high voltage application |
BE373316A (de) * | 1929-09-11 | |||
US1834275A (en) * | 1929-10-09 | 1931-12-01 | Union Switch & Signal Co | Manufacture of copper oxide rectifiers |
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US2172576A (en) * | 1937-05-06 | 1939-09-12 | Manufacture of alternating elec | |
US2213389A (en) * | 1938-03-19 | 1940-09-03 | Union Switch & Signal Co | Manufacture of electrical rectifiers |
FR845071A (fr) * | 1938-04-20 | 1939-08-10 | Westinghouse Freins & Signaux | Perfectionnements au procédé de fabrication d'éléments à conductibilité asymétrique |
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-
0
- BE BE509424D patent/BE509424A/xx unknown
-
1951
- 1951-02-23 US US212385A patent/US2739276A/en not_active Expired - Lifetime
-
1952
- 1952-01-16 CH CH309016D patent/CH309016A/de unknown
- 1952-02-18 GB GB4242/52A patent/GB701875A/en not_active Expired
- 1952-02-22 FR FR1056334D patent/FR1056334A/fr not_active Expired
- 1952-02-24 DE DEI5560A patent/DE909975C/de not_active Expired
-
1955
- 1955-05-27 FR FR68575D patent/FR68575E/fr not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
BE509424A (de) | |
FR68575E (fr) | 1958-05-02 |
US2739276A (en) | 1956-03-20 |
FR1056334A (fr) | 1954-02-25 |
CH309016A (de) | 1955-08-15 |
GB701875A (en) | 1954-01-06 |
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