DE909468C - Verfahren zur Erzielung geringer Streuungen des spezifischen Widerstandswertes von Halbleiterwiderstaenden - Google Patents

Description

• Zierfahren zur Erzielung geringer Streuungen des spezifischen Widerstandswertes von Halbleiterwiderständen In dem Patent 757 999 ist ein Verfahren angegeben, um bei der Herstellung von Halbleiterwiderständen, deren Leitfähigkeit vom Sauerstoffüberschuß abhängt, geringe Streuungen in den Sollwerten bei Einstellung eines bestimmten spezifischen Widerstandswertes und gleichzeitig geringe Kaltleitwiderstände bei Beibehaltung des Temperaturbeiwertes zu erhalten. Die Maßnahme, dieses Ziel zu erreichen, besteht darin, den Ausgangsstoffen, aus denen der Widerstandskörper zusammengesintert wird, keine Sauerstoff abgebenden Alkaliverbindungen von Bruchteilen eines Prozentes bis zu einigen wenigen, höchstens fünf Prozent beizufügen.
• Mit besonders gutem Erfolg wurde als Zusatz Natriumkarbonat oder Natriumhydroxyd verwendet. Es zeigte sich nun, daß die mechanische Festigkeit der in dieser Weise hergestellten Sinterkörper zum Teil sehr verschieden und zu einem großen Teil sogar völlig unzureichend war, so daß bei der geringsten mechanischen Beanspruchung, wie sie allein bei der Weiterverarbeitung der Widerstandskörper in Erscheinung trat, die Stäbe zerbrochen wurden. Der dadurch entstehende Ausschuß verteuert die Fabrikation ungemein.
• Aus anderen Gründen vorgenommene Untersuchungen hatten nun die Vermutung ergehen, daß die mechanische Festigkeit von Sinterkörpern vergrößert werden kann, wenn man dafür sorgt, daß der Sinterkörper Silizium enthält. Diese Vermutung wurde Veranlassung zu einer Untersuchung, ob auch bei den in Rede stehenden HeißleiterkÖrpern, die, wie erwähnt, eine teilweise sehr geringe mechanische Festigkeit zeigen, eine besserung durch Siliziumzusatz erzielt wird. Die Untersuchungen bestätigten diese Vermutung, so daß erfindungsgemäß vorgeschlagen wird, den im Hauptpatent beschriebenen Zusatz von Alkaliverbindungen in Form von Siliziumverbindungen zu geben.
• Da im wesentlichen Natriumverbindungen benutzt wurden, wird nunmehr eine Verbindung von Natrium mit Silizium, nämlich Natriumsilikat, hinzugefügt, wodurch nicht nur die Lösung der Aufgabe des Hauptpatents gegeben wird, wonach nämlich geringe Streuungen in den Sollwerten der Fabrikate auftreten und darüber hinaus eine wesentliche Herabsetzung des Kaltwiderstandes bei Beibehaltung des Temperaturbeiwertes erzielt wird, sondern wodurch außerdem auch durch den Siliziumanteil die mechanische Festigkeit der Sinterkörper ganz wesentlich heraufgesetzt wird, so daß eine in dieser Beziehung fast ausschußfreie Fertigung möglich ist.

Claims (1)

1. PATENTANSPRÜCHE: i. Verfahren zur Erzielung geringer Streuungen in den Sollwerten bei gleichzeitiger Einstellung eines bestimmten Widerstandswertes von thermisch behandelten, in der Leitfähigkeit vom Sauerstoffüberschuß abhängigen Halbleiterwiderständen, deren Ausgangsstoffen keine Sauerstoff abgebenden Alkaliverbindungen von Bruchteilen eines Prozentes bis zu einigen wenigen, höchstens fünf Prozent beigemengt werden, nach Patent 757 999. dadurch gekennzeichnet, daß die Zusätze in Form von Siliziumverbin:dungen gegeben werden. a. Verfahren nach Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, daß als Zusatz :\7 atriumslilikat zugefügt wird.