DE903970C - Photowiderstand - Google Patents
PhotowiderstandInfo
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- DE903970C DE903970C DET2979D DET0002979D DE903970C DE 903970 C DE903970 C DE 903970C DE T2979 D DET2979 D DE T2979D DE T0002979 D DET0002979 D DE T0002979D DE 903970 C DE903970 C DE 903970C
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- Germany
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- potassium
- photoresistor
- secondary emission
- oxides
- selenate
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- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/02—Electrodes; Screens; Mounting, supporting, spacing or insulating thereof
- H01J29/10—Screens on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted or stored
- H01J29/36—Photoelectric screens; Charge-storage screens
- H01J29/39—Charge-storage screens
- H01J29/45—Charge-storage screens exhibiting internal electric effects caused by electromagnetic radiation, e.g. photoconductive screen, photodielectric screen, photovoltaic screen
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
Description
- Photowiderstand Die Übertragung von Fernsehbildern mittels Photowiderständen und Sekundäremission erfolgt üblicherweise derart, daß der fernzusendende Gegenstand auf eine Halbleiterschicht abgebildet wird, die sich auf einer metallischen Elektrode befindet und auf welcher Mosaikelemente mit einem sekundäremittierenden Werkstoff vorhanden sind. Diese Halbleiterschicht ist so ausgewählt, daß sie ihren Widerstand bei Belichtung ändert und daß ihre Oberfläche eine erhebliche Sekundäremision auf weist. Der die Schicht abtastende Elektronenstrahl wird dann je nach der Nachlieferung von Elektronen, d. h. je nach zudem durch Belichtung eingestellten Widerstandswert der getroffenen Schichtteilchen eine verschiedene und der Belichtung entsprechende Sekundäremission auslösen. Diese von der Belichtung abhängigen Sekundäremissionsströme werden zur Steuerung der Bildwendung benutzt. Als Werkstoff für die Halbleiterschicht wurde bereits Kupferoxydul (Cu2 0) vorgeschlagen.
- Die Verwendung von Kupferoxydul hatte jedoch den Nachteil, daß es nur in einem beschränkten spektralen Empfindlichkeitsbereich benutzt werden kann und daß zusätzlich sekundäremittierende Mosaikelemente aufgebracht werden müssen. Außerdem entstehen bei der Bildung der Kupferoxydulschichten auf Kupferplatten Kristallkörner sehr unterschiedlicherGröße und Empfindlichkeit. Unter diesen Umständen war es schwer, die Sekundäremissionsfähigkeit und die Speicherdauer den praktischen Bedürfnissen anzupassen und die gewünschte Einstellung bei verschiedenen Röhren in gleicher Weise zu reproduzieren. Durch die vorliegende Erfindung werden die genannten Schwierigkeiten überwunden.
- Gemäß der Erfindung werden die aktivierten Oxyde von Zink, Cadmium und/oder Mangan für Photowiderstände benutzt. Man kann sowohl alle drei Oxyde als auch zwei dieser Oxyde gleichzeitig anwenden oder eines der Oxyde allein benutzen.
- Die Oxyde könnten durch verschiedene Schwermetalle aktiviert werden. Besonders bewährte sich Kupfer, das z. B. als Kupferchlorid eingebracht werden kann. Im allgemeinen wird es zweckmäßig sein, zur Herstellung Schmelzzusätze zu benutzen.
- Als solche Schmelzzusätze kommen beispielsweise Kaliumchlorid, Kaliumchlorat, Kaliumselenid, Kaliumselenat und Kaliumseleniat in Betracht. Da es im allgemeinen zweckmäßig ist, wenn das Schwermetall als sauerstoffarmes Oxyd vorliegt, z. B. also als Kupferoxydul, wird man vorzugsweise sauerstoffhaltige Schmelzmittel verwenden. Wenn man den Wunsch hat, statt des Schwermetalloxyds ein Schwermetallselenid zu verwenden, dann bevorzugt man als Schmelzmittel ein Selenid oder Seleniat.
- Auch die Halogenide der Metalle der ersten und zweiten Gruppe des periodischen Systems haben sich bewährt.
- Die Mengenverhältnisse können beispielsweise so gewählt werden, daß die Menge 5 O/b des Schmelzmittels und 0,5 01o der Schwermetallverbindung enthält.
- Die erfindungsgemäßen Schichten können in Widerstandsikonoskopen verwendet werden. Es ist auch möglich. sie in Bildwandlerröhren und/oder Bildspeicherröhren anzuwenden. Sie ergeben einen ausgezeichneten Wirkungsgrad und sind infolge ihres Relaiseffektes und der Steilheit ihrer Sekundäremissionskennlinie bekannten Vorrichtungen überlegen. Der Gegenstand der Erfindung kann aber auch für reine Photowiderstände verwendet werden, da die Widerstandsplatten gemäß der Erfindung mit einer zweiten lichtdurchlässigen Elektrode, beispielsweise einem Netz oder einer durchscheinenden Metallschicht, versehen werden können.
- Außer bei der Fernsehübertragung mit Licht können sie auch zur Bildübertragung bei Röntgenstrahl anregung für medizinische Zwecke verwendet werden, da dort infolge der Erregung der gesamten Schichtdicke eine noch größere Empfindlichkeit hervorgerufen wird.
- Die spektrale Empfindlichkeif der erfindungsgemäßen Photowiderstände liegt zwischen grün und rot.
Claims (2)
- PATENTANsPRÜcHE: I. Photowiderstand, beispielsweise zur Verwendung als Bildelektrode in Fernsehsenderöhren, bei der seine Sekundäremission ausgenutzt wird, dadurch gekennzeichnet, daß als Werkstoff nach Art eines Leuchtstoffes aktivierte Oxyde von Zink, Cadmium und/oder Mangan verwendet werden.
- 2. Photowiderstand nach Anspruch I, gekennzeichnet durch einen Sauerstoff enthaltenden Schmelzzusatz, wie z. B. Kaliumchlorat, Kaliumselenat oder Kaliumseleniat undloder Halogenide der Metalle der ersten und zweiten Gruppe des periodischen Systems.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DET2979D DE903970C (de) | 1941-10-29 | 1941-10-29 | Photowiderstand |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DET2979D DE903970C (de) | 1941-10-29 | 1941-10-29 | Photowiderstand |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE903970C true DE903970C (de) | 1954-02-11 |
Family
ID=7544143
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DET2979D Expired DE903970C (de) | 1941-10-29 | 1941-10-29 | Photowiderstand |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE903970C (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1209666B (de) * | 1959-09-28 | 1966-01-27 | Western Electric Co | Kathode, die aus einem Halbleiterkoerper mit einem pn-UEbergang besteht, und Sekundaerelektronenvervielfacher und Magnetron mit einer solchen Kathode |
-
1941
- 1941-10-29 DE DET2979D patent/DE903970C/de not_active Expired
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1209666B (de) * | 1959-09-28 | 1966-01-27 | Western Electric Co | Kathode, die aus einem Halbleiterkoerper mit einem pn-UEbergang besteht, und Sekundaerelektronenvervielfacher und Magnetron mit einer solchen Kathode |
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