DE892328C - Verfahren zum Legieren von metallischen oder halbleitenden Oberflaechen - Google Patents

Verfahren zum Legieren von metallischen oder halbleitenden Oberflaechen

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DE892328C
DE892328C DEL10129A DEL0010129A DE892328C DE 892328 C DE892328 C DE 892328C DE L10129 A DEL10129 A DE L10129A DE L0010129 A DEL0010129 A DE L0010129A DE 892328 C DE892328 C DE 892328C
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metallic
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DEL10129A
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Werner Dr Phil Koch
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Licentia Patent Verwaltungs GmbH
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Licentia Patent Verwaltungs GmbH
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    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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Description

  • Verfahren zum Legieren von metallischen oder halbleitenden Oberflächen Es war bisher mit großen Umständen verbunden, Metall- oder Halbleiterteile, die gemäß ihrem Verwendungszweck mit einer anders gearteten Oberfläche versehen sein mußten, an ihrer Oberfläche mit einer anderen Komponente in definierter Weise zu legieren, ohne den ,#-,usgangskörper der Gefahr el el, des Niederschmelzens auszusetzen. Auch war es schwierig, di-c Stärke der legierten Oberfläche ein-Ileitlich zu halten.
  • Die vorliegende Erfindung betrifft nun ein Verfahren zum Legieren von metallischen oder halbleitenden Oberflächen, das sich von den bisher bekannten dadurch unterscheidet, daß die eine Komponente der Legierung in fester Form auf die andere aufgebracht wird !und sodann durch Einwirkung eines oder mehrerer Elektronenstrahlen mit der anderen Komponente ganz oder teilweise zum Legieren gebracht wird. Z,#%,eckmäßi,-er,.veise wird.man. die eine Komponente beispielsweise in Pulverform auf die andere aufbringen oder aber aufdampfen.
  • Als ganz besonders vorteilhaft erweist sich das Verfahren bei der Herstellung von oberflächlichen Legierungen mit mehr als zwei Komponenten, wobei diese nacheinander aufgebracht werden können.
  • Beispielsweise kann man auf diese* Art Eisen an seiner Oberfläche mit Aluminium legieren oder Germanium mit Wismutstörstellen versehen.

Claims (2)

  1. PATENTANSPRÜCHE-i. Verfahren zum Legieren von metallischen el oder halbleitenden Oberflächen, insbesondere zum Plattieren von Trägerelektroden für Trockengleichrichter, dadurch gekennzeichnet, daß die eine Komponente der Legierung in fester Form auf die andere aufgebracht wird und sodann durch Eintwirken eines oder mehrerer Elektronenstrahlen mit der anderen Komponente gam older teilweise zum Legieren gebracht wird.
  2. 2. Verfahren nach Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, daß die eine Legierungskompoz# nente in Pulverform auf die andere aufgebracht wird. 3. Verfahren nach Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, daß die eine Legierungskomponente auf die andere aufgedampft wird.
DEL10129A 1951-09-17 1951-09-18 Verfahren zum Legieren von metallischen oder halbleitenden Oberflaechen Expired DE892328C (de)

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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1034774B (de) * 1955-10-06 1958-07-24 Telefunken Gmbh Halbleiteranordnung mit einem mit n- und/oder p-Dopmaterial versetzten Halbleiter
DE1040133B (de) * 1955-05-27 1958-10-02 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung von Flaechengleichrichtern mit einem Halbleiter aus einer Zweistoff-Verbindung
DE1040693B (de) * 1955-02-07 1958-10-09 Licentia Gmbh Verfahren zur Herstellung einer halbleitenden stoechiometrischen Verbindung aus Komponenten hoechster Reinheit fuer Halbleiteranordnungen
DE1046739B (de) * 1954-07-30 1958-12-18 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung duenner Halbleiterschichten, insbesondere fuer Hallspannungs-Generatoren
DE1198458B (de) * 1963-07-18 1965-08-12 Plessey Uk Ltd Halbleiterdotierungsverfahren mit Photomaskierung
DE1228339B (de) * 1962-08-31 1966-11-10 Hitachi Ltd Verfahren zur selektiven Diffusion von Dotierungsmaterial in Halbleiterkoerpern zur Herstellung von pn-UEbergaengen

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