DE8908382U1 - Ofen zur Wärmebehandlung von Halbleiterscheiben - Google Patents

Ofen zur Wärmebehandlung von Halbleiterscheiben

Info

Publication number
DE8908382U1
DE8908382U1 DE8908382U DE8908382U DE8908382U1 DE 8908382 U1 DE8908382 U1 DE 8908382U1 DE 8908382 U DE8908382 U DE 8908382U DE 8908382 U DE8908382 U DE 8908382U DE 8908382 U1 DE8908382 U1 DE 8908382U1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
semiconductor wafers
reaction chamber
furnace
heat treatment
treated
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
DE8908382U
Other languages
German (de)
English (en)
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Individual
Original Assignee
Individual
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Individual filed Critical Individual
Priority to DE8908382U priority Critical patent/DE8908382U1/de
Priority to DE3922833A priority patent/DE3922833A1/de
Publication of DE8908382U1 publication Critical patent/DE8908382U1/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
    • H10P72/0431—Apparatus for thermal treatment
    • H10P72/0436—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/14—Feed and outlet means for the gases; Modifying the flow of the reactive gases
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B31/00—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor
    • C30B31/06—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor by contacting with diffusion material in the gaseous state
    • C30B31/16—Feed and outlet means for the gases; Modifying the flow of the gases
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
    • F27B—FURNACES, KILNS, OVENS OR RETORTS IN GENERAL; OPEN SINTERING OR LIKE APPARATUS
    • F27B17/00—Furnaces of a kind not covered by any of groups F27B1/00 - F27B15/00
    • F27B17/0016—Chamber type furnaces
    • F27B17/0025—Chamber type furnaces specially adapted for treating semiconductor wafers

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
DE8908382U 1989-07-09 1989-07-09 Ofen zur Wärmebehandlung von Halbleiterscheiben Expired - Lifetime DE8908382U1 (de)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE8908382U DE8908382U1 (de) 1989-07-09 1989-07-09 Ofen zur Wärmebehandlung von Halbleiterscheiben
DE3922833A DE3922833A1 (de) 1989-07-09 1989-07-09 Ofen zur waermebehandlung von halbleiterscheiben und verfahren zum betrieb desselben

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE8908382U DE8908382U1 (de) 1989-07-09 1989-07-09 Ofen zur Wärmebehandlung von Halbleiterscheiben

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE8908382U1 true DE8908382U1 (de) 1990-11-08

Family

ID=6840939

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE8908382U Expired - Lifetime DE8908382U1 (de) 1989-07-09 1989-07-09 Ofen zur Wärmebehandlung von Halbleiterscheiben
DE3922833A Granted DE3922833A1 (de) 1989-07-09 1989-07-09 Ofen zur waermebehandlung von halbleiterscheiben und verfahren zum betrieb desselben

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE3922833A Granted DE3922833A1 (de) 1989-07-09 1989-07-09 Ofen zur waermebehandlung von halbleiterscheiben und verfahren zum betrieb desselben

Country Status (1)

Country Link
DE (2) DE8908382U1 (https=)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4338506A1 (de) * 1993-11-11 1995-05-18 Daimler Benz Ag Anordnung zur thermischen Behandlung von Halbleitersubstraten

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1159567B (de) * 1960-10-14 1963-12-19 Telefunken Patent Vorrichtung zum gleichzeitigen Herstellen ebener Diffusionsfronten in mehreren Halbleiterkoerpern, insbesondere fuer Transistoren oder Dioden
FR2487926B2 (fr) * 1980-07-31 1986-04-25 Verbiese Perfectionnement au dispositif permettant l'etablissement d'une loi de repartition determinee du debit dans une veine liquide
DE3544812A1 (de) * 1985-12-18 1987-06-25 Heraeus Schott Quarzschmelze Doppelwand-quarzglasrohr fuer die durchfuehrung halbleitertechnologischer prozesse
DE8801785U1 (de) * 1988-02-11 1988-11-10 Söhlbrand, Heinrich, Dr. Dipl.-Chem., 8027 Neuried Vorrichtung zur Temperaturbehandlung von Halbleitermaterialien
DE8902307U1 (de) * 1989-02-27 1989-08-31 Söhlbrand, Heinrich, Dr. Dipl.-Chem., 8027 Neuried Vorrichtung zur thermischen Behandlung von Halbleitermaterialien
DE3906075A1 (de) * 1989-02-27 1990-08-30 Soehlbrand Heinrich Dr Dipl Ch Verfahren zur thermischen behandlung von halbleitermaterialien und vorrichtung zur durchfuehrung desselben

Also Published As

Publication number Publication date
DE3922833A1 (de) 1991-01-10
DE3922833C2 (https=) 1992-05-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE68909817T2 (de) Epitaxiereaktor mit einer gegen Beschlag geschützten Wand.
CH657632A5 (de) Verfahren zur chemischdampfablagerung von filmen und einrichtung zur durchfuehrung des verfahrens.
DE2332116C3 (de) Gerät zur Bestrahlung von bewegten aus einem mit einem fotohärtbaren Kunststoffilm beschichteten Substrat bestehenden Produkten während des Herstellungsprozesses
DE2329367C2 (de) Brennkammer für Gasturbine
DE60302214T2 (de) Pumpenanschlusstück für prozesskammer für einzelne halbleiterscheiben frei von emissivitätsänderungen
DE1949767A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Niederschlagen einer gleichmaessigen Schicht eines Stoffes auf einem Gegenstand
DE10234710B4 (de) System zum Trocknen von Halbleitersubstraten
DE19628851A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines Einkristalls
DE1621394A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Erhitzen und/oder Beschichten von Werkstuecken
DE2028193A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Stabih sierung des im Innern eines länglichen Flus sigkeitswirbels brennenden elektrischen Lichtbogens
DE3017397C2 (de) Luftauslaß
DE1286682B (de) Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Fasern aus thermoplastischem, anorganischem oder organischem Material mittels Einwirkung von Gasstrahlen auf einen Strom des Materials
DE4015785C2 (https=)
DE3906075C2 (https=)
DE69022437T2 (de) Vorrichtung und Verfahren zur epitaktischen Abscheidung.
DE8908382U1 (de) Ofen zur Wärmebehandlung von Halbleiterscheiben
DE112004002277T5 (de) Anlage zur raschen thermischen Bearbeitung
DE2714734C2 (de) Mit flüssigem Brennstoff beheiztes Kochgerät
DE4317733A1 (de) Verfahren zum Einstellen der Zufuhr eines einem Schmelzofen zuzuführenden Reaktionsgases und ein Vielzweckbrenner zur Durchführung des Verfahrens
WO2021115904A1 (de) Verfahren und vorrichtung zur herstellung eines einkristalls aus silizium, der mit dotierstoff vom n-typ dotiert ist
DE761420C (de) Verfahren und Einrichtung zum Herstellen von Tafelglas durch fortlaufendes Ausheben eines endlosen Glasbandes
DE3735186C1 (de) Vakuum-Kammerofen
DE102010035593B4 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Behandeln eines Substrats mittels eines Plasmas
DE3744498C1 (de) Vorrichtung zum Aufheizen eines Gasstroms
DE3415058C2 (https=)