DE859916C - Aus Metalloxyd bestehender Halbleiter - Google Patents
Aus Metalloxyd bestehender HalbleiterInfo
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- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 title claims description 8
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 title claims description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 8
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 4
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 claims description 3
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 3
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 2
- 238000010405 reoxidation reaction Methods 0.000 claims 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 7
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000009931 harmful effect Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
- H01C7/04—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having negative temperature coefficient
- H01C7/042—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having negative temperature coefficient mainly consisting of inorganic non-metallic substances
- H01C7/043—Oxides or oxidic compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/16—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising cuprous oxide or cuprous iodide
- H01L21/161—Preparation of the foundation plate, preliminary treatment oxidation of the foundation plate, reduction treatment
- H01L21/165—Reduction of the copper oxide, treatment of the oxide layer
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
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Description
- Aus Metalloxyd bestehender Halbleiter Bekanntlich macht die Herstellung eines einwandfreien Kontaktes auf Halbleitern, insbesondere Heißleitern, recht erhebliche Schwierigkeiten, @ und es ist eine Reihe von Verfahren, die alle mehr oder weniger große Nachteile haben, bekannt.
- Die Erfindung geht einen neuen Weg und schlägt vor, bei aus Metalloxyden bestehenden Halbleitern, insbesondere Kupferoxydheißleitern, den Rohkörper: oberflächlich zu reduzieren und auf der so entstehenden Metallschicht die Anschlußlrähte anzubringen. Hierdurch werden die bei anderen Kontaktierverfahren erforderlichen hohen Temperaturen mit ihren unerwünschten Rückwirkungen auf den Halbleiter vermieden. Um eine erneute Oxydierung der so gewon- nenen Metallschicht zu verhindern, empfiehlt sich, vor der Anbringung der Kotakte die Metallschicht mit einem Überzug, z. B. aus Silber, zu versehen. Die Aufbringung dieser Schutzschicht kann z. B. galvanisch oder in anderer geeigneter Weise erfolgen. Die Anwendung eines solchen Verfahrens ließ* zu-' nächst das Auftreten ausgeprägter Sperrschichten zwischen dem Metalloxyd und der reduzierten Metallschicht befürchten. Die Versuche zeigten jedoch, daß die Spannungsabhängigkeit nicht so groß ist, daß derartig hergestellte Kontakte unbrauchbar sind. Die Sperrwirkung selbst ist zudem im weiten Maße abhängig von der Art, wie die Reduktion des Oxyds durchgeführt wird. Insbesondere ergab sich die Möglichkeit, praktisch sperrwirkungsfreie Elektroden herzustellen wenn die Reduktion bei niederer Temperatur, z. B. Zimmertemperatur, in einer Säure bei Anwe-senheit eines_ unedlen _Metalls, wie__Zink _k_ _oder_ Aluminium, vorgenommen wird.
- Während jedoch die zunächst erforderliche Aufbringung der Metallschicht hohe Temperaturen erfordert, wenn man z. B. eine Silberschicht auf einen Kupferoxydheißleiter aufbringt, wird bei der Reduzierung des Metalloxyds gemäß der Erfindung die Anwendung hoher Temperaturen und damit die schädliche Rückwirkung dieser Temperaturen auf den Heißleiter vermieden.
Claims (1)
- PATENTANSPRÜCHE: i. Aus Metalloxyd bestehender Halbleiter, insbesopdere Kupferoxydheißleiter, dadurch gekennzeich :et, däß.die Oberfläche des Metalloxydkörpers an der zu ko ntaktierenden'Stelle reduziert ist, insbesondere so reduziert ist; daß- zwischen Metalloxydoberfläche und der reduzierten Metallschicht keine'öder nur eine geringe Sperrwirkung auftritt und auf der reduzierten Metallschicht der Kontakt in an sich bekannter Weise angebracht, z. B. angelötet, ist. a. Halbleiter nach Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, daß auf die reduzierte Metallschicht ein die erneute Oxydation verhindernder Überzug, z. B. aus Silber, vorzugsweise galvanisch aufgebracht ist. 3. Verfahren zur Herstellung einer möglichst sperrwirkungsfreien reduzierten Schicht bei einem Halbleiter nach Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, daß die Reduzierung bei niederer Temperatur, z. B. Zimmertemperatur, in einer Säure bei Anwesenheit eines une31e:i Metalls, wie Zink oder Aluminium, vorgenommen wird.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DEP0013417 | 1948-10-01 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE859916C true DE859916C (de) | 1952-10-30 |
Family
ID=7364610
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DENDAT859916D Expired DE859916C (de) | 1948-10-01 | Aus Metalloxyd bestehender Halbleiter |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE859916C (de) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1415406B1 (de) * | 1958-04-30 | 1970-08-20 | Siemens Ag | Keramischer Widerstand mit hohem positiven Temperaturkoeffizienten seines Gesamtwiderstandswertes |
| DE3004736A1 (de) * | 1979-02-09 | 1980-08-21 | Tdk Electronics Co Ltd | Nicht-lineare widerstandselemente und verfahren zu deren herstellung |
-
0
- DE DENDAT859916D patent/DE859916C/de not_active Expired
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1415406B1 (de) * | 1958-04-30 | 1970-08-20 | Siemens Ag | Keramischer Widerstand mit hohem positiven Temperaturkoeffizienten seines Gesamtwiderstandswertes |
| DE3004736A1 (de) * | 1979-02-09 | 1980-08-21 | Tdk Electronics Co Ltd | Nicht-lineare widerstandselemente und verfahren zu deren herstellung |
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