DE856664C - Gleichrichter fuer Wechselstrom - Google Patents

Gleichrichter fuer Wechselstrom

Info

Publication number
DE856664C
DE856664C DEW3256D DEW0003256D DE856664C DE 856664 C DE856664 C DE 856664C DE W3256 D DEW3256 D DE W3256D DE W0003256 D DEW0003256 D DE W0003256D DE 856664 C DE856664 C DE 856664C
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
rectifying
selenium
layer
resistance
rectifying body
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
DEW3256D
Other languages
English (en)
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens Mobility Ltd
Original Assignee
Westinghouse Brake and Signal Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Westinghouse Brake and Signal Co Ltd filed Critical Westinghouse Brake and Signal Co Ltd
Application granted granted Critical
Publication of DE856664C publication Critical patent/DE856664C/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/06Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising selenium or tellurium in uncombined form other than as impurities in semiconductor bodies of other materials
    • H01L21/10Preliminary treatment of the selenium or tellurium, its application to the foundation plate, or the subsequent treatment of the combination
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F02COMBUSTION ENGINES; HOT-GAS OR COMBUSTION-PRODUCT ENGINE PLANTS
    • F02KJET-PROPULSION PLANTS
    • F02K9/00Rocket-engine plants, i.e. plants carrying both fuel and oxidant therefor; Control thereof
    • F02K9/08Rocket-engine plants, i.e. plants carrying both fuel and oxidant therefor; Control thereof using solid propellants
    • F02K9/10Shape or structure of solid propellant charges
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F02COMBUSTION ENGINES; HOT-GAS OR COMBUSTION-PRODUCT ENGINE PLANTS
    • F02KJET-PROPULSION PLANTS
    • F02K9/00Rocket-engine plants, i.e. plants carrying both fuel and oxidant therefor; Control thereof
    • F02K9/08Rocket-engine plants, i.e. plants carrying both fuel and oxidant therefor; Control thereof using solid propellants
    • F02K9/32Constructional parts; Details not otherwise provided for
    • F02K9/34Casings; Combustion chambers; Liners thereof
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/06Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising selenium or tellurium in uncombined form other than as impurities in semiconductor bodies of other materials
    • H01L21/10Preliminary treatment of the selenium or tellurium, its application to the foundation plate, or the subsequent treatment of the combination
    • H01L21/105Treatment of the surface of the selenium or tellurium layer after having been made conductive

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Combustion & Propulsion (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Motor Or Generator Current Collectors (AREA)
  • Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
  • Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)

Description

Die Erfindung betrifft die Herstellung von Gleichrichtern für elektrischen Wechselstrom, die einen Gleichrichterkörper oder eine Gleichrichterschicht enthalten, welche aus Selen bestehen oder dieses enthalten und im Ijesonderen Verbesserungen in der Herstellung von Gleichrichtern dieser Art.
In der üblichen Bauart umfaßt das Gleichrichterelement eine Metallgrundplatte oder Elektrode, auf
ίο deren Oberfläche in irgendeiner geeigneten Weise eine verhältnismäßig dünne Schicht gebildet ist, die aus Selen besteht oder Selen in kristallinischem oder sogenanntem metallischem Zustand enthält, in dem es ein verhältnismäßig guter Elektrizitätsleiter ist; ferner umfaßt der Gleichrichter eine Gegenelektrode, die in inniger Berührung mit der Oberfläche der Schicht vorgesehen ist und beispielsweise aus einem Metallfilm gebildet wird, der durch irgendein geeignetes Verfahren, wie Spritzverfahren oder Galvanisierung, hergestellt ist.
Es ist wünschenswert, daß bei diesen wie bei anderen Kontaktgleichrichtern mit trocknen Oberflächen der dem Stromdurchgang zwischen der Grundplatte oder Elektrode und der Gegenelektrode gebotene Widerstand in einer Richtung, die mit Vorwärtsrichtung bezeichnet werden soll, so gering wie möglich und in der anderen oder Rückwärtsrichtung so hoch wie möglich sei.
Mit Bezug auf das Fließen des Stromes in Rückwärtsrichtung besitzt das Gleichrichterelement eine kritische zugeführte Spannung, oberhalb welcher der Rückwärtsstrom danach trachtet, im Betrieb über seinen ursprünglichen Wert schnell anzuwachsen, bis der Gleichrichter unbrauchbar wird,
und es ist offenbar wünschenswert, daß diese kritische Spannung so hoch wie möglich sei. In Gleichrichtern dieser Art, wie sie bisher gebaut wurden, sind die beiden Widerstandseigenschaften de Gleichrichterelements in Vorwärts- und Rückwärtsrichtung durch das Herstellungsverfahren und die Zusammensetzung der gleichrichtenden Schicht bestimmt, und die Widerstandseigenschaft in der Vorwärtsrichtung kann nicht verändert werden, ίο ohne daß die Widerstandseigenschaft in Rückwärtsrichtung sich nicht auch ptVtert, und umgekehrt.
Nach der vorliegenden Erfindung jedoch wird die Widerstandseigenschaft des Gleichrichterelements in der Rückwärtsrichtung und die oben- »5 erwähnte zugeführte kritische Spannung wesentlich erhöht, ohne daß die Widerstandseigenschaft in der Vorwärtsrichtung im wesentlichen eine entsprechende Änderung erfährt. Dieses geschieht dadurch, daß das Element während einer Stufe seiner Herao stellung einer zusätzlichen Behandlung unterworfen wird, die darin besteht, daß das Element in ein flüssiges oder gasförmiges Bad oder Mittel getaucht wird, das so geartet ist, daß es eine alkalische Reaktion hervorruft.
Man nimmt an, daß das alkalische Bad mit dem Selenoxyd oder anderen im Selen enthaltenen oder diesem zugesetzten Substanzen reagiert, um diese Substanzen unaktiv zu machen und durch diese Wirkung den Widerstand in Rüclkwärtsrichtung und die obenerwähnte kritische Spannung zu vergrößern, ohne den Widerstand in Vorwärtsrichtung nennenswert zu vergrößern.
Auf diese Weise ermöglicht die Erfindung den Zusatz verschiedener den Widerstand der gleichrichtenden Schicht vermindernder Stoffe zum Selen, ohne den Widerstand des gleichrichtenden Elements ι in umgekehrter Richtung entsprechend zu vermindern.
Bei Durchführung der Erfindung in der Praxis kann das Bad, das im Falle eines Gleichrichterelements, das aus einer Schicht verhältnismäßig reinen Selens besteht oder zusätzlich nur Selenoxyd enthält, Natrium- oder Kaliumhydroxyd, Calcium-, Barium- oder Lithiumoxyd oder -carbonat, ein Alkalisulfid, -seleiiid oder -cyanid oder ein Alkaliphosphat, -silicat oder borat enthalten. Gleicherweise können auch Ammoniak- oder Aminosalze benutzt werden.
Unter anderen Stoffen, die zum obenerwähnten Zwecke dem Selen mit oder ohne Selenoxyd zugesetzt werden können, seien genannt Fluor, Chlor, Brom und Jod oder Oxyde oder Oxyhalogenverbindungen des Schwefels oder Selens, wobei außerordentlich kleine Prozentsätze dieser Stoffe als wirksam befunden werden. Wenn die gleichrichtenden Elemente aus Schichten bestehen, die diese Zusatzstoffe enthalten, muß das Flüssigkeitsbad mehr alkalischen Charakter haben, als wenn die gleichrichtenden Elemente Selen mit oder ohne zugesetzten oder gelbildeten Selenoxyd allein enthalten. Das Gleichrichterelement nach der Erfindung kann ferner durch eine Behandlungsstufe verbessert werden, die im Hindurchschicken eines angemessenen elektrischen Stromes durch das Element besteht.
Aus der vorstehenden Beschreibung wird klar, daß die Erfindung im wesentlichen darin besteht, das gleichrichtende Element während seiner Herstellung der Wirkung eines alkalisch reagierenden Flüssigkeitsbades zu unterwerfen, Diese Behändlung dient nicht nur zur Verstärkung des Widerstandes in Rückwärtsrichtung und der kritischen Spannung des Elements, sondern gestattet auch das Einverleiben verschiedener Stoffe in die gleichrichtende Schicht, deren Zusatz sonst aus den vorstehend erklärten Gründen unzulässig wäre.
Die Erfindung ist nicht auf irgendeine besondere Zusammensetzung des benutzten Bades beschränkt, noch auf den Zusatz der beispielsweise erwähnten Stoffe, und es können augenscheinlich Abänderungen in dieser oder anderer Hinsicht vorgenommen werden, ohne das Ziel der Erfindung zu überschreiten.

Claims (4)

  1. Patentansprüche:
    i. Verfahren zur Herstellung von Wechselstromglcichrichtern, die eine Grundplatte enthalten, welche mit einem gleichrichtenden Körper oder einer gleichrichtenden Schicht versehen ist, die aus Selen besteht oder Selen enthält, dadurch gekennzeichnet, daß das gleichrichtende Element, welches den gleichrichtenden Körper oder die gleichrichtende Schicht umfaßt, während einer Stufe seiner Herstellung einer zusätzlichen Behandlung unterworfen wird, die darin besteht, daß das Element in ein Flüssigkeits- oder Gasbad oder -mittel getaucht wird, das eine alkalische Reaktion mit dem Stoff des gleichrichtenden Körpers oder der gleichrichtenden Schicht hervorruft zwecks Erhöhung des Widerstandes des Elements in Rückwärtsrichtung sowie der kritischen Spannung, die diesem zugeführt werden kann, ohne daß eine wesentliche entsprechende Änderung des Widerstandes in Vorwärtsrichtung eintritt.
  2. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die den Widerstand des gleichrichtenden Körpers oder der gleichrichtenden Schicht oder der kritischen Spannung, die dem gleichrichtenden Element dauernd zu- no geführt werden kann, vermindernden Stoffe vorher dem Werkstoff des gleichrichtenden Körpers oder der gleichrichtenden Schicht einverleibt werden.
  3. 3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Bad Natriumoder Kaliumhydroxyd, Calcium-, Barium- oder Lithiumoxyd oder -carbonat, ein Alkalisulfid, -selenid oder cyanid oder ein Alkaliphosphat, -silicat oder -borat enthält.
  4. 4. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die dem Selen mit oder ohne Selenoxyd hinzugefügten Stoffe äußerst kleine Mengen von Fluor, Chlor, Brom und Jod oder Oxyde oder Oxyhalogenverbindungen des Schwefels oder Selens sind.
    Q 5498 11.52
DEW3256D 1938-09-21 1939-08-01 Gleichrichter fuer Wechselstrom Expired DE856664C (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR532961T 1938-09-21

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE856664C true DE856664C (de) 1952-11-24

Family

ID=8924756

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DEW3256D Expired DE856664C (de) 1938-09-21 1939-08-01 Gleichrichter fuer Wechselstrom

Country Status (4)

Country Link
US (1) US2227827A (de)
DE (1) DE856664C (de)
FR (1) FR851651A (de)
GB (1) GB532961A (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7802592B2 (en) 2006-04-18 2010-09-28 Fisher Controls International, Llc Fluid pressure reduction devices

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2447630A (en) * 1943-11-10 1948-08-24 Westinghouse Electric Corp Method of making selenium rectifiers
NL70500C (de) * 1943-12-15 1900-01-01 Westinghouse Electric Corp
US2422192A (en) * 1944-11-11 1947-06-17 Selenium rectifier disc
US2493241A (en) * 1944-11-11 1950-01-03 Fansteel Metallurgical Corp Dry plate selenium rectifier
US2446237A (en) * 1944-11-11 1948-08-03 Fansteel Metallurgical Corp Selenium rectifier
US2446467A (en) * 1944-11-11 1948-08-03 Fansteel Metallurgical Corp Dry plate rectifier
BE461942A (de) * 1944-11-20
US2450886A (en) * 1944-11-20 1948-10-12 Standard Telephones Cables Ltd Semiconductor
BE476268A (de) * 1945-05-12
US2554237A (en) * 1945-10-29 1951-05-22 Westinghouse Electric Corp Rectifier
US2507782A (en) * 1946-02-23 1950-05-16 Radio Receptor Company Inc Rectifiers
US2766210A (en) * 1949-05-06 1956-10-09 Sylvania Electric Prod Manufacture of selenium elements
US2659846A (en) * 1951-05-15 1953-11-17 Int Rectifier Corp Selenium element and method of making it
BE524399A (de) * 1953-02-03
US3127545A (en) * 1960-12-23 1964-03-31 Gen Telephone & Elect Rectifier
US3226610A (en) * 1962-03-01 1965-12-28 Jr George G Harman Constant-current semiconductor device
WO2004024035A1 (en) * 2002-09-13 2004-03-25 Ocular Sciences, Inc. Devices and methods for improving vision
US20080269119A1 (en) * 2004-08-13 2008-10-30 May Griffith Ophthalmic Device and Related Methods and Compositions

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7802592B2 (en) 2006-04-18 2010-09-28 Fisher Controls International, Llc Fluid pressure reduction devices

Also Published As

Publication number Publication date
FR851651A (fr) 1940-01-12
US2227827A (en) 1941-01-07
GB532961A (en) 1941-02-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE856664C (de) Gleichrichter fuer Wechselstrom
DE616812C (de)
DE921095C (de) Selengleichrichter
DE1517397A1 (de) Verfahren zur Behandlung von waessrigen Fluessigkeiten von erhoehter Temperatur
DE1077024B (de) Verfahren zum elektrolytischen Strahlplattieren von Indium oder Gallium
DE2428380B2 (de) Wässrige Lösung zum Entfernen von Nickelabscheidungen
EP0118480B1 (de) Nachverdichtungsverfahren
DE2062041A1 (de) Verfahren zur Herstellung von Haiblei terubergangen in festen Losungen durch Epitaxie m flussiger Phase, sowie diese Übergänge enthaltende Lichtdetektoren und lichtemittierende Vorrichtungen
EP0008697B1 (de) Verwendung von Alkalichloroferrat (II,III) als Füllstoff in Schleifscheiben und den Füllstoff enthaltende Schleifscheibe
DE974364C (de) Verfahren zur Herstellung von P-N-Schichten in Halbleiterkoerpern durch Eintauchen in eine Schmelze
DE631649C (de) Trockengleichrichter
EP0204189A1 (de) Verfahren zum mechanisch-chemischen Polieren von Siliciumscheiben
DE856663C (de) Verfahren zur Herstellung von Selen-Gleichrichtern
DE1002472B (de) Verfahren zum Anloeten von Elektroden an einen Halbleiter
DE2949883A1 (de) Elektrochrome anzeigeeinheit und verfahren zu ihrer herstellung
DE3143225C2 (de) "Stabiles wäßriges galvanisches Bad und Verfahren zur Schnellabscheidung von Silberüberzügen mit Spiegelglanz"
DE887900C (de) Verfahren zur Herstellung eines Sulfidueberzuges auf Oberflaechen von rostfreien Staehlen
DE392096C (de) Fluessige Leiter fuer elektrische Stroeme und Verfahren zur Herstellung solcher Leiter
DE1194064B (de) Verfahren zum elektrolytischen AEtzen der Ober-flaeche eines mit Legierungselektroden aus einer Bleilegierung versehenen npn-Transistors mit einem Halbleiterkoerper aus Germanium
DE3916083A1 (de) Kombination aus einem kautschukteil und einem aluminiumlegierungsteil
DE841175C (de) Verfahren zur Herstellung von Selen-Wechselstromgleichrichtern
DE755549C (de) Elektrolyt, insbesondere fuer elektrolytische Kondensatoren
DE387072C (de) Galvanisches Element
AT160742B (de) Elektrolytischer Kondensator.
DE1239165B (de) Verfahren und Loesung zum Aufbringen von UEberzuegen auf Aluminium und dessen Legierungen