DE841175C - Verfahren zur Herstellung von Selen-Wechselstromgleichrichtern - Google Patents
Verfahren zur Herstellung von Selen-WechselstromgleichrichternInfo
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- DE841175C DE841175C DEW3508A DEW0003508A DE841175C DE 841175 C DE841175 C DE 841175C DE W3508 A DEW3508 A DE W3508A DE W0003508 A DEW0003508 A DE W0003508A DE 841175 C DE841175 C DE 841175C
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/06—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising selenium or tellurium in uncombined form other than as impurities in semiconductor bodies of other materials
- H01L21/10—Preliminary treatment of the selenium or tellurium, its application to the foundation plate, or the subsequent treatment of the combination
-
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- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
- Y10T428/31678—Of metal
Description
(WiGBl. S. 175)
AUSGEGEBEN AM 13. JUNI 1952
W 3:08 VIII c/ 21 g
ist in Anspruch genommen
Die Erfindung bezieht sich auf die Herstellung von Selen-Wechselstromgleichrichtern mit einer
Grund- oder Trägerplatte, die mit einer Selen und andere Stoffe enthaltenden Schicht oder mit einem
entsprechenden Überzug versehen ist, und mit einer auf die Oberfläche dieser Schicht aufgebrachten
Gegenelektrode.
Insbesondere bezieht sich die Erfindung auf die Herstellung von Gleichrichtern derjenigen Art, bei
denen die Schicht oder der Überzug, zusätzlich zu dem Selen, Selendioxyd und ein Halogensalz,
wie z. B. Natriumchlorid, enthält.
Bei der Herstellung von Gleichrichtern der genannten Art wird ein elektrisches Formierungsverfahren
angewendet, welches darin besteht, daß, nachdem die Gegenelektrode auf die Schicht oder
den Überzug aufgebracht worden ist, an den Gleichrichter in der umgekehrten Richtung eine Spannung
angelegt wird, die im Vergleich zu der normalen Betriebsspannung des Gleichrichters hoch ist und ao
ausreicht, um einen Strom von 50 bis 200 mA in der umgekehrten Richtung durch den Gleichrichter
hindurchzuschicken. Dadurch steigt der Widerstand in der umgekehrten Richtung ziemlich plötzlich
auf einen Wert an, der beträchtlich höher liegt as als der Rückwiderstand zu Beginn des Formierungsvorgangs,
und die Erfindung bezweckt, zu gewährleisten, daß als Ergebnis des vorstehend beschriebenen Formierungsverfahrens ein genügend
hoher endgültiger Rückwiderstand erhalten wird.
Gemäß der Erfindung wird der das Halogensalz enthaltenden Selenmischung ein kleiner Prozentsatz
Wasser zugesetzt, bevor die Mischung auf die Grund- oder Trägerplatte aufgebracht wird, wobei
das Wasser entweder unmittelbar oder in Form von seleniger Säure zugesetzt wird, welche Selendioxyd
bildet und damit den Zusatz einer entsprechenden Menge Selendioxyd selbst unnötig
macht. Es wird angenommen, daß der Einfhiß des
ίο Wasserzusatzes darin besteht, die Wirkung des
Chlor- oder sonstigen Halogengehalts der Mischung zu ändern. Auf jeden Fall hat sich aber gezeigt, daß
der Einfluß in einer beträchtlichen Erhöhung des endgültigen Rückwiderstandes de,s Gleichrichters
besteht.
Es hat sich aus Versuchen ergeben, daß die für den genannten Zweck erwünschte Menge an zuzusetzendem
Wasser etwas kritisch ist, um die allgemeinen Eigenschaften des Gleichrichters zu verbessern.
Während z. B. bei Verwendung von Selendioxyd, das völlig frei von Feuchtigkeit ist, den
endgültige Rückwiderstand so niedrig war, daß eine Spannung von nur 2 bis 3 V anzulegen war,
um die obengenannte Stromstärke zu erhalten, steigert der Zusatz von 0,050/0 Wasser diese Spannung
auf 7 bis 8 V und der Zusatz von 0,30/0 Wasser auf 17 bis 18 V. Höhere Prozentsätze an zugesetztem
Wasser v vergrößern den Rückwiderstand nicht wesentlich über diesen Wert hinaus, während
andererseits die Vorwärtswiderstandscharakteristik des Gleichrichters rasch wenig günstig wird, so
daß der Zusatz von ungefähr 0,30/0 Wasser die vorzugsweise anzuwendende Menge an zuzusetzendem
Wasser darstellt.
Zufriedenstellende Ergebnisse werden auch erhalten,·
wenn die Mischung 1,50/0 selenige Säure
und 1,5% Selendioxyd enthält, und diese Werte entsprechen dem äquivalenten Zusatz von 0,30/0
Wasser.
Die Erfindung ist jedoch nicht auf die beispielsweise genannten Werte beschränkt; diese können
vielmehr je nach der besonderen Zusammensetzung der verwendeten Selenmischung abgeändert werden.
Claims (3)
1. Verfahren zur Herstellung von Wechselstromgleichrichtern
mit einer Grund- oder Trägerplatte, die mit einer Schicht aus einer Selendioxyd und ein Halogensalz enthaltenden
Selenmischung versehen ist, dadurch gekennzeichnet, daß der Selenmischung vor ihrer Aufbringung
auf die Grund- oder Trägerplatte ein kleiner Prozentsatz Wasser zugesetzt wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß das Wasser in Form von seleniger Säure zugesetzt wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß der Selenmischung ungefähr 0,30/0 Wasser oder eine äquivalente Menge seleniger Säure zugesetzt wird.
© 5044 6.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| GB87042A GB554892A (en) | 1942-01-21 | 1942-01-21 | Improvements relating to the manufacture of alternating current rectifiers of the selenium type |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE841175C true DE841175C (de) | 1952-06-13 |
Family
ID=26236239
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DEW3508A Expired DE841175C (de) | 1942-01-21 | 1950-09-07 | Verfahren zur Herstellung von Selen-Wechselstromgleichrichtern |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US2361156A (de) |
| DE (1) | DE841175C (de) |
| FR (1) | FR932503A (de) |
| GB (1) | GB554892A (de) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2889500A (en) * | 1954-12-15 | 1959-06-02 | Itt | Selenium rectifier |
| US3022190A (en) * | 1960-02-15 | 1962-02-20 | Emerson Electric Mfg Co | Process of and composition for controlling temperatures |
-
1942
- 1942-01-21 GB GB87042A patent/GB554892A/en not_active Expired
-
1943
- 1943-01-08 US US47173643 patent/US2361156A/en not_active Expired - Lifetime
-
1946
- 1946-08-21 FR FR932503D patent/FR932503A/fr not_active Expired
-
1950
- 1950-09-07 DE DEW3508A patent/DE841175C/de not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB554892A (en) | 1943-07-23 |
| FR932503A (fr) | 1948-03-24 |
| US2361156A (en) | 1944-10-24 |
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