DE826472C

DE826472C - Halbleiter-Verstaerkeranordnung

Info

Publication number: DE826472C
Application number: DES2284A
Authority: DE
Inventors: Dr Karl Thalmayer
Original assignee: Siemens and Halske AG; Siemens AG
Current assignee: Siemens and Halske AG; Siemens AG
Priority date: 1950-03-17
Filing date: 1950-03-17
Publication date: 1952-01-03

Description

Halbleiter -Verstärkeranordnung Bei einer Halbleiter-Verstärkeranordnung, bei welcher eine Signalspannung über eine positiv vor-@espannte Kontaktspitze der Oberfläche eines Halbleiters, z. B. einer Germaniumscheibe, zugeführt ist und über eine weitere in unmittelbarer Nähe der ersten Kontaktspitze angreifende negativ vorgespannte weitere Kontaktspitze die Ausgangsspannung abgenommen ist, sollen nach einem früheren Vorschlag Eingangs- und Ausgangskreis als koaxiale Systeme ausgebildet sein und der Halbleiter zwischen den beiden, einen gemeinsamen Rückleiter aufweisenden Systemen angeordnet und mit dem Rückleiter leitend verbunden sein. Insbesondere soll dabei die konzentrisch angeordnete Halbleiterscheibe cnit dem Rückleiter unmittelbar oder über eine konzentrisch leitende Scheibe leitend verbunden sein und die Kontaktspitzen auf verschiedenen Seiten der Halbleiterscheibe aufsitzen, wobei die Halbleiterscheibe wenigstens an dieser Stelle so dünn gehalten .ist, daß sich die negativ' vorgespannte Kontaktspitze noch innerhalb des Einwirkungsbereiches der positiv vorgespannten Kontaktspitze befindet.
Durch die vorliegende Erfindung wird eine wesentliche Verbesserung und Vereinfachung eines koaxialen Halbleiter-Verstärkers erreicht.
Gemäß der Erfindung ist der Halbleiter in Form einer ringförmigen Scheibe zwischen den Außenleitern des Eingangs- und Ausgangssystems angeordnet und mit dem Innenleiter konzentrisch leitend verbunden.
Die an den Außenleitern vorgesehenen Kontakte können durch eine Vielzahl von Einzelkontakten gebildet sein. Die Lage der Kontaktspitzen wird dabei insbesondere durch Führungen gesichert, so daß die einander zugeordneten Kontaktspitzen sich genau gegenüberstehen und die negativ vorgespannten Kontaktspitzen sich innerhalb des Ein-\virkungsbereiches der positiv vorgespannten Kontaktspitzen befinden. Es können dabei Mittel vorgesehen sein, um die Kontaktpunkte zu verändern, z. 13. kann wenigstens einer der :Außenleiter mit Hilfe eines Feineinstelltriebes o. dgl. um seineAchse drehbar ausgebildet sein. Die Außenleiter können aber auch finit ringförmigen Schneidenkontakten auf der Halbleiterscheibe aufsitzen.
Weitere Einzelheiten der Erfindung werden an Hand der in den Fig. i bis 3 dargestellten Ausführungsbeispiele erläutert.
Bei dem Ausführungsbeispiel nach Fig. i ist die ringförmige Halbleiterscheibe i, z. B. Germanium-Scheibe, zwischen den ringförmigen Schneidenkontakten 2 und 3 der beiden Außenleiter 4 und 5 angeordnet. Die Innenleiter 6, 7 sind mit der Grundelektrode 8 der Halbleiterscheibe durch eine oder mehrere Scheiben 9 leitend verbunden. Die positive Vorspannung des Schneidenkontaktes 2 wird durch die Gleichspannungsquelle io, die negative Vorspannung der Kontaktschneide 3 durch die Gleichspannungaquelle i i bewirkt, die mit einem Pol an der Grundelektrode 8 und mit dem anderen Pol an den entsprechenden Außenleiter geschaltet sind. Ein besonderer Vorzug der Anordnung des Halbleiters zwischen den Außenleitern besteht wie ersichtlich darin, daß die Gleichspannungen nicht in das Innere eingeführt zu werden brauchen und infolgedessen auch keine Hochfrequenzdrosseln und Durchführungskondensatoren erforderlich sind.
Um die Kapazität gering zu halten, empfiehlt es sich, dem Halbleiterring einen kleineren mittleren Durchmesser als den Außenleitern zu geben und diese, insbesondere stetig, auf diesen Durchmesser zu verjüngen, wie es die Fig. 2 z. B. zeigt. Die sich verjüngenden Außenleiterteile 4 und 5' können dabei so ausgebildet sein, daß sie für den reflexionsfreien Abschluß der beiden Systeme ausnutzbar sind. Ebenso oder gleichzeitig damit .ist es auch möglich, innerhalb der so gebildeten Kegelstümpfe Abschlußwiderstände 12, 13 in den Innenleitern 6, 7 anzuordnen, die durch Isolierscheiben 14, 15 o. dgl. abgestützt sind. Die Gleichspannungsquellen sind bei diesem Ausführungsbeispiel nicht dargestellt.
Bei dem Ausführungsbeispiel nach Fig. 3 ist die ringförmige Halbleiterscheibe i so zwischen den Außenleitern 4, 5 angeordnet, daß die Kontaktspitzen oder Schneiden 2, 3 auf der gleichen Halbleiterseite aufsitzen. Der Halbleiter i wird dabei von zwei leitenden Scheiben 16, 17 getragen, die die Verbindung zwischen den Innenleitern 6, 7 und der Grundelektrode 8 des Halbleiters herstellen. Zum Anschluß des Halbleiters an die Gleichspannungsquellen kann in den Außenleiterteilen eine Aussparung in Richtung der Längsachse vorgesehen sein, so daß der Gleichstromanschluß ungehindert von außen erfolgen kann. Zwischen den beiden Kontaktspitzen 2 und 3 kann noch eine weitere nicht dargestellte positiv vorgespannte Kontaktspitze angeordnet sein, die mit einer Trägerstroniquelle in Verbindung steht. Ini- Ausgang der Anordnung erhält man dann eine modulierte Spannung.
Die Scheiben 16, 1; können als Widerstände ausgebildet sein. ti:n den I@ingangs- tinrl den Ausgangskreis für sich reflexionsfrei abzuschließen. Um die Kopplung zwischen Eingangs- tinc1 Ausgangskreis sehr klein zu halten, kann zwischen den Scheiben ein Ferromag:ietikitin an-eordnet seid.

Claims

PATENTANSPRÜCHE? r. Koaxial atifgelriute Halbleiter-Verstärkeranordnung, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiter in Forin einer ringförmigen Scheibe -zwischen rleii Außenleitern des Fingangs- und :Lusgangssy stems angeordnet und mit dem Innenleiter leitend verbunden ist.
2. Halbleiter-Verstärkeranordniing nach Anspruch i. dadurch gekennzeichnet, daß die Außenleiter mit einer Vielzahl von Kontakten auf der Hallileiterscbeibe aufsitzen.
3. Halbleiter-Verstärkeranorrlnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, claß Führungen für die einzelnen Kontakte vorgesehen sind.
4. Halbleiter-Verstärkeranordnung nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß Mittel vorgesehen sind. tim rlie Kontaktpunkte zu verändern.
5. Halbleiter-Verstärkeratiordnung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß wenigstens einer derAußenleiter mit Uilfe eines Feineinstelltriebes o. dgl. um seine Achse drehbar ist.
6. Halbleiter-@-erstiirker:intii-rliiung nach Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, daß die Außenleiter mit ring föriiiigeii Schneidenkontakten auf der Halbleiterscheibe aufsitzen.
7. Halbleiter-`-erstzirkeranordntingnacheinem der vorhergehenden Ansprüche. dadurch gekennzeichnet, daß die Kontakte auf der gleichen Halbleiterseite aufsitzen. B.
Halbleiter-Verstärkeranordnungnacheineni der vorhergehenden _\nsprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die zwischen Halbleiter tind Innenleiter vorgesehene leitende Verbindung als reflexionsfrei abschließender \\ iclerstand ausgebildet ist.
9. Halbleiter-Verstärkeranordnung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß Eingangs-und Ausgangskreis für sich reflexionsfrei abgeschlossen sind. io.
Halbleiter-Verstärkeranordnung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen den für den reflexionsfreien Abschluß benutzten Widerstandsscheiben ein Ferromagnetikum angeordnet ist.
11. Halbleiter-Verstärkeranordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterring einen kleineren mittleren Durchmesser als die Außenleiter aufweist und daß sich die Außenleiter, insbesondere stetig, auf diesen Durchmesser verjüngen.
12. HalMeiter-Verstärkeranordnung nach Anspruch i 1, dadurch gekennzeichnet, daß die sich verjüngenden Teile der Außenleiter für den reftetionsfi-eien Anscliluß der Systeme ausgellUt7.t Sind.
13. Halbleiter-`'erstärkeranordnung nach Anspruch i i oder 1z, dadurch gekennzeichnet, daß innerhalb der Kegelstümpfe in den Innenleitern Abschlußwiderstände angeordnet sind.
14. Halbleiter-Verstärkeranordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch eine zusätzlich positiv vorgespannte Kontaktspitze oder Schneide, der eine Trägerfrequenz zugeführt ist.