DE818654C - Punktkontaktsystem fuer Kristalldioden - Google Patents

Punktkontaktsystem fuer Kristalldioden

Info

Publication number
DE818654C
DE818654C DEP23304A DEP0023304A DE818654C DE 818654 C DE818654 C DE 818654C DE P23304 A DEP23304 A DE P23304A DE P0023304 A DEP0023304 A DE P0023304A DE 818654 C DE818654 C DE 818654C
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
cup
crystal diode
diode according
crystal
contact
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
DEP23304A
Other languages
German (de)
English (en)
Inventor
Herbert Francois Matare
Andre Poilleaux
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Compagnie des Freins et Signaux Westinghouse SA
Original Assignee
Compagnie des Freins et Signaux Westinghouse SA
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Compagnie des Freins et Signaux Westinghouse SA filed Critical Compagnie des Freins et Signaux Westinghouse SA
Application granted granted Critical
Publication of DE818654C publication Critical patent/DE818654C/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the groups H01L21/18 - H01L21/326 or H10D48/04 - H10D48/07
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D64/00—Electrodes of devices having potential barriers
    • H10D64/20—Electrodes characterised by their shapes, relative sizes or dispositions 
    • H10D64/23—Electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched, e.g. sources, drains, anodes or cathodes

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Springs (AREA)
  • Measuring Leads Or Probes (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Recrystallisation Techniques (AREA)
DEP23304A 1948-02-18 1948-12-02 Punktkontaktsystem fuer Kristalldioden Expired DE818654C (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR660382X 1948-02-18

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE818654C true DE818654C (de) 1951-10-25

Family

ID=9010217

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DEP23304A Expired DE818654C (de) 1948-02-18 1948-12-02 Punktkontaktsystem fuer Kristalldioden

Country Status (4)

Country Link
US (1) US2569570A (enExample)
DE (1) DE818654C (enExample)
GB (1) GB660382A (enExample)
NL (2) NL139559C (enExample)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1021490B (de) * 1953-12-31 1957-12-27 Ibm Deutschland Transistor mit elastisch angeordneten und dicht benachbarten Spitzenelektroden
DE1113718B (de) * 1959-05-15 1961-09-14 Telefunken Patent Halbleiteranordnung mit kleiner Zuleitungsinduktivitaet
DE976651C (de) * 1951-12-05 1964-02-20 Siemens Ag Kristalldiode fuer sehr hohe Frequenzen

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1051341B (de) * 1952-03-03 1959-02-26 Ericsson Telefon Ab L M Kristalldiode fuer Zentimeter- oder Dezimeterwellen
US2928031A (en) * 1958-09-04 1960-03-08 Bell Telephone Labor Inc Contact member for semiconductor translating device
US3223903A (en) * 1961-02-24 1965-12-14 Hughes Aircraft Co Point contact semiconductor device with a lead having low effective ratio of length to diameter
US3308355A (en) * 1962-07-30 1967-03-07 Texas Instruments Inc Point contact diode
US3231795A (en) * 1962-10-18 1966-01-25 Bendix Corp Low inductance and capacitance electrical cartridge and method of manufacture

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US689199A (en) * 1901-05-02 1901-12-17 Thomas B Kinraide Electrode.
AT78069B (de) * 1916-12-14 1919-09-10 Lorenz C Ag Kontaktdetektor für die Zwecke der drahtlosen Telegraphie.

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE976651C (de) * 1951-12-05 1964-02-20 Siemens Ag Kristalldiode fuer sehr hohe Frequenzen
DE1021490B (de) * 1953-12-31 1957-12-27 Ibm Deutschland Transistor mit elastisch angeordneten und dicht benachbarten Spitzenelektroden
DE1113718B (de) * 1959-05-15 1961-09-14 Telefunken Patent Halbleiteranordnung mit kleiner Zuleitungsinduktivitaet

Also Published As

Publication number Publication date
NL139559C (enExample)
US2569570A (en) 1951-10-02
NL69303C (enExample)
GB660382A (en) 1951-11-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE629301C (de) Eisenkern fuer elektrische Maschinen
DE2454567B2 (de) Signalabnahmesystem für elektrische Kdrpersignale
DE1913309A1 (de) Verfahren zum Herstellen eines Stators fuer einen Generator
DE102014207206A1 (de) Elektrischer Draht-Verbindungsstruktur und elektrischer Draht Verbindungsverfahren
DE818654C (de) Punktkontaktsystem fuer Kristalldioden
DE1514304A1 (de) Halbleiteranordnung und Herstellungsverfahren hierfuer
DE4013509C2 (de) Verfahren zur Herstellung von Steckern mit einem Kunststoff-Gehäuse und eingebetteten Kontaktzungen
DE3213330A1 (de) Elektrodenspitze fuer einen herzschrittmacher und verfahren zum herstellen derselben
DE102011015219B4 (de) Verlötbare Elektrode und Verfahren zur Herstellung einer verlötbaren Elektrode
WO2020020918A1 (de) Batteriezelle umfassend mehrere elektroden und verfahren zum herstellen einer batteriezelle
DE4125088C1 (enExample)
DE869511C (de) Verfahren zur Herstellung von elektrischen Kondensatoren
DE69204550T2 (de) Verfahren zum Verbinden eines metallischen Ableiters an eine ein Schaumgerüst als Trägerteil enthaltende Elektrode für einen elektrochemischen Generator und bei diesem Verfahren erhaltene Elektrode.
DEP0023304DA (de) Punktkontaktsystem für Kristalldioden
DE913450C (de) Verfahren zur Herstellung von elektrischen Kondensatoren
DE2402122A1 (de) Fester elektrolytkondensator
DE1018123B (de) Verfahren zum Herstellen einer mechanischen und elektrischen Verbindung zwischen einem Aluminiumhohlniet oder Aluminiumhohlzapfen und einem in den Hohlniet oder Hohlzapfen hineingesteckten Anschlussdraht
DE871931C (de) Magnetron-Anode, bestehend aus einer Anzahl von Blechschnitten
DE639325C (de) Verfahren zur Herstellung einer Vakuumroehre
DE1033790B (de) Verfahren zur Herstellung von Gittern mit straff gespannten Draehten fuer elektrische Entladungsroehren und nach diesem Verfahren hergestelltes Gitter
DE1113477B (de) In seiner XY-Ebene schwingender piezoelektrischer Bieger und Verfahren zu seiner Herstellung
DE2816041A1 (de) Stimmgabel und verfahren zu deren herstellung
DE859590C (de) Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung einer vieleckigen Spiraldrahtarmierung
DE373664C (de) Biegsame Verbindung fuer Kettenisolatoren
DE2030064A1 (de) Ablenkspule