DE69936221T2 - Optischer ausleger für rastermikroskop und dessen herstellungsverfahren - Google Patents

Optischer ausleger für rastermikroskop und dessen herstellungsverfahren Download PDF

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Description

  • Technisches Gebiet
  • Die vorliegende Erfindung betrifft einen optischen Ausleger zum Beobachten einer Form einer Probe unter Verwendung der Atomkraft zwischen Substanzen und zum Messen der optischen Eigenschaften in einer sehr kleinen Fläche, und ein Verfahren zu dessen Herstellung.
  • Hintergrund der Erfindung
  • Gegenwärtig werden gemäß einem Nahfeldmikroskop vom Rastertyp (in der Folge mit SNOM abgekürzt) optische Eigenschaften oder eine Form einer Probe gemessen, indem eine Sonde, die ein optisches Medium umfasst, dessen vorderes Ende zugespitzt ist, an eine Probe angenähert wird, die durch eine Wellenlänge von Licht oder kleiner gemessen werden soll. Als eine Vorrichtung wurde eine Vorrichtung vorgeschlagen, in der ein vorderes Ende der optischen Fasersonde in linearer Form, die vertikal relativ zu einer Probe gehalten wird, horizontal relativ zu einer Oberfläche der Probe vibriert wird, die Erfassung einer Änderung in einer Amplitude der Vibration, die durch Scherkraft zwischen der Oberfläche der Probe und dem vorderen Ende der Sonde verursacht wird, durch Ausstrahlen eines Laserstrahls zu dem vorderen Ende der Sonde und die Erfassung einer Änderung in deren Schatten durchgeführt wird, und ein Intervall zwischen dem vorderen Ende der Sonde und der Oberfläche der Probe konstant gehalten wird, indem die Probe durch einen Feinbewegungsmechanismus so bewegt wird, dass die Amplitude konstant wird, wodurch eine Form der Oberfläche aus einer Stärke eines Signals erfasst wird, das in den Feinbewegungsmechanismus eingegeben wird, und die optischen Eigenschaften der Probe gemessen werden.
  • Ferner wurde ein Nahfeldatomkraftmikroskop vom Rastertyp vorgeschlagen, das eine optische Fasersonde in der Form eines Hakens als Ausleger eines Atomkraftmikroskops (in der Folge mit AFM abgekürzt) verwendet, um dadurch einen AFM-Betrieb auszuführen, und gleichzeitig einen Laserstrahl von einem vorderen Ende der optischen Fasersonde auf eine Probe strahlt, um dadurch eine Form einer. Oberfläche der Probe zu erfassen und deren optische Eigenschaften zu messen (Japanische Patentauslegeschrift Nr. 174542/1995). 10 ist eine Konstruktionsansicht, die eine optische Fasersonde eines herkömmlichen Beispiels zeigt.
  • Gemäß der optischen Fasersonde wird eine optische Faser 501 verwendet und die optische Faser 501 ist von einer Metallfilmbeschichtung 502 umgeben. Ferner ist ein Nadelabschnitt 503 zugespitzt und ein vorderes Ende des Nadelabschnitts 503 ist mit einer Apertur 504 versehen.
  • Übrigens wird gemäß dem AFM, das als Mittel zum Beobachten einer Form einer sehr kleinen Fläche verwendet wird, allgemein ein Mikroausleger aus Silizium oder Siliziumnitrid verwendet, der durch einen Siliziumprozess hergestellt wird. Der Mikroausleger, der im AFM verwendet wird, ist mit hoher Resonanzfrequenz, ausgezeichneter Massenproduktionsleistung und geringer Formdispersion bereitgestellt, und daher ist der Mikroausleger dadurch gekennzeichnet, dass mechanische Eigenschaften, wie Federkonstante, Resonanzfrequenz und dergleichen, gleichförmig sind.
  • Bei Beobachtungen durch SNOM und AFM muss zur Ausführung einer Rasterkontrolle bei hoher Geschwindigkeit die Resonanzfrequenz der optischen Fasersonde hoch sein, während zur Messung einer weichen Probe, wie einer Probe eines Organismus, der eines der Beobachtungsobjekte eines SNOM ist, ohne die Probe zu beschädigen, die Federkonstante der optischen Fasersonde verringert werden muss. Gemäß der optischen Fasersonde jedoch wird die optische Fasersonde an sich als Federmaterial des Auslegers verwendet und daher ist es schwierig, gleichzeitig die Resonanzfrequenz zu erhöhen und die Federkonstante zu verringern, und es stellt sich das Problem, dass es schwierig ist, eine weiche Probe bei hoher Geschwindigkeit zu beobachten, ohne die Probe zu beschädigen.
  • Ferner wird die optische Fasersonde durch einen manuellen Vorgang in vielen Schritten mit der optischen Faser als Material hergestellt, und es stellt sich das Problem, dass die Massenproduktionsleistung gering ist und es schwierig ist, ihre Form gleichförmig zu machen, wie zum Beispiel einen Durchmesser des vorderen Endes oder einen Winkel des vorderen Endes.
  • Somit wurde die Erfindung angesichts des Vorhergesagten ausgeführt, und es ist eine ihrer Aufgaben, einen optischen Ausleger bereitzustellen, der ein optischer Ausleger für ein SNOM ist, das Licht auf eine sehr kleine Apertur ausstrahlt und/oder von dieser erfasst, eine ausgezeichnete Massenproduktionsleistung und Gleichförmigkeit aufweist, und imstande ist, sogar eine weiche Probe bei hoher Geschwindigkeit zu beobachten, ohne die Probe zu beschädigen, sowie ein Verfahren zu dessen Herstellung.
  • JP 08 334 521 beschreibt einen optischen Ausleger mit einer Sondenspitze, die aus Siliziumnitrid besteht, die in einem Loch gebildet ist, das den Auslegerabschnitt durchdringt. Ein lichtabschirmender Film ist an dem zugespitzten vorderen Ende der Sondenspitze angebracht, das von dem Auslegerabschnitt wegweist. Eine Apertur ist in dem lichtabschirmenden Film an dem zugespitzten vorderen Ende der Sondenspitze gebildet. Die Fläche der Sondenspitze, die dem zugespitzten vorderen Ende gegenüberliegt, ist flach und liegt in einer Ebene mit der Oberfläche des Auslegers.
  • JP 08 166 390 beschreibt einen weiteren optischen Ausleger. Die Sondenspitze wird durch eine Materialschicht gebildet, die an einer Seite eines Auslegermaterials aufgetragen wird. Ein Loch in dem Auslegermaterial wird somit mit dem Sondenspitzenmaterial gefüllt, so dass die Sondenspitze in einem Loch gebildet ist, das den Auslegerabschnitt durchdringt. Ein lichtabschirmender Film wird auf das zugespitzte vordere Ende der Sondenspitze aufgebracht, das von dem Auslegerabschnitt wegweist. Eine Apertur wird gebildet, die den lichtabschirmenden Film und die Sondenspitze durchdringt. Die Fläche der Sondenspitze, die dem zugespitzten vorderen Ende gegenüberliegt, hat die Form eines Trichters, wobei dieser Trichter auch in der Schicht vorhanden ist, die aus dem Material der Sondenspitze besteht.
  • Offenbarung der Erfindung
  • Zum Lösen der zuvor beschriebenen Aufgabe wird gemäß einem Aspekt der Erfindung ein optischer Ausleger bereitgestellt, umfassend:
    einen Basisabschnitt,
    einen ersten Auslegerabschnitt, der vom Basisabschnitt absteht und ein Loch aufweist, das den ersten Auslegerabschnitt durchdringt;
    ein dielektrisches Element, das in dem Loch gebildet ist, das den ersten Auslegerabschnitt durchdringt, und von dem ersten Auslegerabschnitt an einer Seite absteht, die dem Basisabschnitt gegenüberliegt, wobei das dielektrische Element ein zugespitztes vorderes Ende aufweist;
    einen lichtabschirmenden Film, der eine Außenfläche des vorstehenden dielektrischen Elements bedeckt; und
    eine sehr kleine Apertur, die in dem lichtabschirmenden Film an dem zugespitzten vorderen Ende des vorstehenden dielektrischen Elements gebildet ist.
  • Eine Oberfläche des dielektrischen Elements an einer Seite, die dem zugespitzten vorderen Ende des dielektrischen Elements gegenüberliegt, ist mit einer vertieften Form bereitgestellt, wobei sich die vertiefte Form vollständig in dem Loch befindet.
  • Daher kann gemäß dem optischen Ausleger des Aspekts der Erfindung Licht von der sehr kleinen Apertur auf die Probe gestrahlt werden, indem das Licht von der Seite einfällt, die dem zugespitzten vorderen Ende des dielektrischen Elements gegenüberliegt. Ferner kann Licht durch die sehr kleine Apertur erfasst werden. Ferner können gemäß dem optischen Ausleger des Aspekts der Erfindung die Resonanzfrequenz und Federkonstante durch Dimensionen des Auslegerabschnitts eingestellt werden, und daher kann eine hohe Resonanzfrequenz und kleine Federkonstante bereitgestellt werden, und eine weiche Probe kann bei hoher Geschwindigkeit beobachtet werden, ohne die Probe zu beschädigen. Ferner ist der optische Ausleger gemäß dem Aspekt der Erfindung mit einer ähnlichen Form wie ein Ausleger eines AFM bereitgestellt, mit einem Basisabschnitt und einem Auslegerabschnitt, der von dem Basisabschnitt absteht, und daher kann die gesamte Technologie des AFM effektiv angewendet werden, und es ist einfach, damit umzugehen.
  • Ferner wird gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung ein Verfahren zur Herstellung eines optischen Auslegers bereitgestellt, umfassend:
    einen Schritt zum Bilden eines Auslegerabschnitts in einem Substrat,
    einen Schritt zum Bilden eines Lochs, so dass es den Auslegerabschnitt durchdringt;
    einen Schritt zum Abscheiden eines dielektrischen Elements in dem Loch;
    einen Schritt zum Bilden eines zugespitzten vorderen Endes in dem dielektrischen Element;
    einen Schritt zum Abscheiden eines lichtabschirmenden Films auf dem zugespitzten dielektrischen Element und zum Bilden einer sehr kleinen Apertur an dem zugespitzten vorderen Ende; und
    gekennzeichnet durch:
    einen Schritt zum Bilden einer Vertiefung in dem dielektrischen Element an einer Seite, die dem zugespitzten vorderen Ende gegenüberliegt, so dass sich die Vertiefung vollständig in dem Loch befindet.
  • Daher kann der optische Ausleger der Erfindung durch einen Siliziumprozess gebildet werden, und die herkömmliche Halbleiterherstellungstechnologie und die Technologie zur Herstellung des Auslegers des AFM können effektiv angewandt werden, die in der Massenproduktionsleistung und Gleichförmigkeit ausgezeichnet sind.
  • Mit der Vertiefung in dem dielektrischen Element, die an einer Seite gegenüber dem zugespitzten vorderen Ende gebildet ist, tritt eingeleitetes Licht, das von dem dielektrischen Element an der Seite gegenüber dem zugespitzten vorderen Ende des dielektrischen Elements reflektiert wird, nicht aus, und das S/N-Verhältnis in der Messung durch das SNOM kann erhöht werden.
  • Ferner wird gemäß dem optischen Ausleger der Erfindung in einem Verfahren zur Herstellung des optischen Auslegers ein Schritt zum Einstellen einer Dicke des Auslegerabschnitts durch Ausdünnen des Auslegerabschnitts von einer Abscheidungsrichtung des dielektrischen Elements bereitgestellt, wodurch die Höhe des dielektrischen Elements mit dem zuge spitzten vorderen Ende vergrößert werden kann, und die Bobachtung einer Probe mit einer großen stufenförmigen Differenz und die Beobachtung in einer Lösung können leicht ausgeführt werden.
  • Ferner ist der optische Ausleger der Erfindung durch einen optischen Ausleger dargestellt, der dadurch gekennzeichnet ist, dass er einen Ausleger für einen optischen Hebel aufweist, der mit dem Auslegerabschnitt an der Seite, die dem zugespitzten dielektrischen Element relativ zu einem Hebeldrehpunkt des Auslegerabschnitts gegenüberliegt, integral gebildet ist. Daher können durch Ausstrahlen eines Laserstrahls des optischen Hebels zu dem Ausleger für einen optischen Hebel Licht zum Beobachten der optischen Eigenschaften der Probe und Licht zum Messen der Verschiebung des Auslegers voneinander getrennt werden, und daher kann das S/N-Verhältnis bei der Beobachtung durch das SNOM erhöht werden. Ferner kann, indem die Länge des Auslegers für den optischen Hebel größer als die Länge des Auslegerabschnitts eingestellt wird, die Empfindlichkeit in der Messung der Verschiebung des Auslegers erhöht werden.
  • Kurze Beschreibung der Zeichnungen
  • 1 ist eine Konstruktionsansicht, die eine Konstruktion des optischen Auslegers gemäß Beispiel 1 zeigt, das nicht Teil der vorliegenden Erfindung ist.
  • 2 ist eine Konstruktionsansicht, die eine Konstruktion eines Rastersondenmikroskops zeigt, das mit dem optischen Ausleger gemäß Beispiel 1 montiert ist.
  • 3 ist eine Konstruktionsansicht, die ein anderes Beispiel eines Verfahrens zum Einleiten von Licht in den optischen Ausleger gemäß Beispiel 1 zeigt.
  • 4 ist eine erklärende Ansicht, die ein Verfahren zur Herstellung des optischen Auslegers gemäß Beispiel 1 zeigt.
  • 5 ist eine Konstruktionsansicht, die eine Konstruktion eines optischen Auslegers gemäß einer Ausführungsform der Erfindung zeigt.
  • 6 ist eine Konstruktionsansicht, die eine Konstruktion eines optischen Auslegers gemäß einer weiteren Ausführungsform der Erfindung zeigt.
  • 7 ist eine erklärende Ansicht, die ein Verfahren zur Herstellung des optischen Auslegers gemäß 6 zeigt.
  • 8 ist eine perspektivische Ansicht, die eine Konstruktion eines optischen Auslegers zeigt.
  • 9 ist eine Schnittansicht eines Auslegerabschnitts, die die Konstruktion des optischen Auslegers gemäß 8 zeigt.
  • 10 ist eine Konstruktionsansicht, die eine optische Fasersonde gemäß einem herkömmlichen Beispiel zeigt.
  • 1 bis 4 bilden nicht Teil der vorliegenden Erfindung, sondern dienen nur der Veranschaulichung.
  • Beste Ausführungsform der Erfindung
  • [Beispiel 1]
  • 1 ist eine Konstruktionsansicht, die eine Konstruktion eines optischen Auslegers 1000 gemäß Beispiel 1 zeigt. Der optische Auslegers 1000 ist durch einen Basisabschnitt 1, einen Auslegerabschnitt 2, der von dem Basisabschnitt 2 absteht, einem Lichteinleitungsabschnitt 7a, der in einer Nähe eines vorderen Endes des Auslegerabschnitts 2 gebildet ist, einen Lichtfortpflanzungsabschnitt 5, der den Auslegerabschnitt 2 von dem Lichteinleitungsabschnitt 7a durchdringt, eine Lichtfortpflanzungsspitze 3 in konischer Form und mit einer sehr kleinen Apertur 4, die an einem vorderen Ende der Lichtfortpflanzungsspitze 3 gebildet ist, gebildet. Zumindest die sehr kleinen Apertur 4 und die Lichtfortpflanzungsspitze 3 sind mit einem lichtabschirmenden Film 6 bedeckt.
  • Eine Länge, eine Breite und eine Dicke des Auslegerabschnitts 2 sind zum Beispiel 200 Mikrometer, 50 Mikrometer beziehungsweise 5 Mikrometer. Eine Höhe der Lichtfortpflanzungsspitze 3 ist zum Beispiel 10 Mikrometer. Ferner ist die Lichtfortpflanzungsspitze 3 in einer Form eines kreisförmigen Kegels oder einer Pyramide gebildet, ein Krümmungsradius ihres vorderen Endes ist zum Beispiel mehrere 10 Nanometer, und eine Grö0e der sehr kleinen Apertur 4 ist zum Beispiel 100 Nanometer. Ein Durchmesser des Lichteinleitungsabschnitts 7a ist zum Beispiel 30 Mikrometer. Ein Durchmesser des Lichtfortpflanzungsabschnitts 5 ist derselbe wie der Durchmesser des Lichteinleitungsabschnitts 7a, der zum Beispiel 30 Mikrometer beträgt, und eine Dicke des Lichtfortpflanzungsabschnitts 5 ist dieselbe wie die Dicke des Auslegerabschnitts 2, die zum Beispiel 5 Mikrometer beträgt. Eine Dicke des lichtabschirmenden Films 6 ist zum Beispiel 200 Nanometer. Der Basisabschnitt 1 und der Auslegerabschnitt 2 bestehen zum Beispiel aus Silizium und Quarz. Der Lichtfortpflanzungsabschnitt 5 und die Lichtfortpflanzungsspitze 3 können aus einem dielektrischen Element, wie Siliziumdioxid oder Polymid, gebildet sein, oder können Hohlräume sein. Ferner wird ein Metall reflektierendes Licht, wie Aluminium oder Gold, für den lichtabschirmenden Film 6 verwendet.
  • 2 ist eine Konstruktionsansicht, die ein Rastersondenmikroskop 10000 zeigt, das mit dem optischen Ausleger 1000 gemäß der Ausführungsform 1 montiert ist. In diesem Fall wird der Einfachheit wegen ein Fall erklärt, in dem der optische Ausleger 1000 durch einen Kontaktmodus kontrolliert wird. Das Rastersondenmikroskop 10000 ist mit dem optischen Ausleger 1000 bereitgestellt, der in 1 dargestellt ist, einer Lichtquelle 101 zum Messen optischer Informationen, einer Linse 102, die vor einer Lichtquelle 101 angeordnet ist, einer optischen Faser 103 zum Fortpflanzen von Licht, das durch die Linse 102 fokussiert wird, zu dem optischen Ausleger 1000, einem Prisma 111, das unter einer Probe 110 angeordnet- ist, um fortgepflanztes Licht, das an dem vorderen Ende der Lichtfortpflanzungsspitze erzeugt wird, zu reflektieren, einer Linse 114 zum Fokussieren fortgepflanzten Lichts, das von dem Prisma 111 reflektiert wird, und einem Lichterfassungsabschnitt 109 zum Aufnehmen fokussierten, fortgepflanzten Lichts.
  • Ferner sind über dem optischen Ausleger 1000 ein Laseroszillator 104 zum Ausgeben eines Laserstrahls, ein Spiegel 105 zum Reflektieren eines Laserstrahls, der von dem Auslegerabschnitt 2 des optischen Auslegers 1000 reflektiert wird, und ein photoelektrischer Umwandlungsabschnitt 106, der nach oben und nach unten zweigeteilt ist, zum Aufnehmen und photoelektrischen Umwandeln eines reflektierten Laserstrahls, bereitgestellt. Ferner sind ein Grobbewegungsmechanismus 113 und ein Feinbewegungsmechanismus 112 zur Steuerung der Bewegung der Probe 110 und des Prismas 111 in XYZ-Richtungen, ein Servomechanismus 107 zum Antreiben des Grobbewegungsmechanismus 113 und des Feinbewegungsmechanismus 112 und ein Computer 108 zum Steuern der gesamten Vorrichtung bereitgestellt.
  • Anschließend wird der Betrieb des Rastersondenmikroskops 10000 erklärt. Ein Laserstrahl, der von dem Laseroszillator 104 ausgestrahlt wird, wird von einer oberen Seite des Auslegerabschnitts 2 des optischen Auslegers 1000 reflektiert. Wenn die sehr kleine Apertur 4 und eine Oberfläche der Probe 110 einander näher kommen, wird der Auslegerab schnitt 2 des optischen Auslegers 1000 durch die Anziehungskraft oder Abstoßungskraft zwischen der sehr kleinen Apertur 4 und der Probe 110 gebogen. Daher wird ein optischer Pfad des reflektierten Laserstrahls geändert und die Änderung wird von dem photoelektrischen Umwandlungsabschnitt 106 erfasst.
  • Ein Signal, das von dem photoelektrischen Umwandlungsabschnitt 106 erfasst wird, wird zu dem Servomechanismus 107 geleitet. Der Servomechanismus 107 steuert den Grobbewegungsmechanismus 113 und den Feinbewegungsmechanismus 112 auf der Basis des Signals, das von dem photoelektrischen Umwandlungsabschnitt 106 erfasst wird, so dass eine Annäherung des optischen Auslegers 1000 relativ zu der Probe 110 und die Biegung des optischen Auslegers bei der Beobachtung der Oberfläche konstant werden. Der Computer 108 empfängt Informationen über eine Form der Oberfläche von einem Steuersignal des Servomechanismus 107.
  • Ferner wird Licht, das von der Lichtquelle 101 ausgestrahlt wird, durch die Linse 102 fokussiert und erreicht die optische Faser 103. Licht, das durch die Innenseite der optischen Faser 103 gegangen ist, wird zu dem Lichteinleitungsabschnitt des optischen Auslegers 1000 als einfallendes Licht geleitet und von der sehr kleinen Apertur auf die Probe 110 gestrahlt. Unterdessen werden optischen- Informationen der Probe 110, die von dem Prisma 111 reflektiert werden, durch die Linse 114 fokussiert und in den Lichterfassungsabschnitt 109 geleitet. Ein Signal des Lichterfassungsabschnitts 109 wird über eine analoge Eingabeschnittstelle des Computers 108 ermittelt und von dem Computer 108 als optische Informationen erfasst.
  • Ferner kann gemäß dem Rastersondenmikroskop 10000 als Verfahren zum Steuern einer Distanz zwischen der Probe und der Lichtfortpflanzungsspitze 3 eine Beobachtung auch durch einen dynamischen Modus durchgeführt werden, in dem der optische Ausleger 1000 der Probe in einem erregten Zustand genähert wird und der Feinbewegungsmechanismus 113 und der Feinbewegungsmechanismus 112 durch den Servomechanimus 107 so gesteuert werden, dass eine Amplitude des Auslegers konstant wird.
  • 3 ist eine Konstruktionsansicht, die ein anderes Beispiel eines Verfahrens zum Einleiten von Licht in den optischen Ausleger 1000 gemäß Ausführungsform 1 zeigt. Beim Einleiten von Licht in den optischen Ausleger 1000 kann Licht, anders als bei dem Verfahren, das unter Bezugnahme auf 2 erklärt wurde, wie durch 3 dargestellt ist, direkt in den Lichteinleitungsabschnitt 7a durch die Lichtquelle 101 zum Messen optischer Informationen geleitet werden, wobei die Linse 102 vor der Lichtquelle 101 angeordnet ist.
  • Obwohl gemäß dem Vorhergesagten ein Fall erklärt wurde, dass die Probe durch einen Beleuchtungsmodus beobachtet wird, in dem Licht von der sehr kleinen Apertur 4 ausgestrahlt wird, kann gemäß dem Rastersondenmikroskop 10000 die Probe auch durch einen Sammelmodus zum Erfassen von Licht an der sehr kleinen Apertur des optischen Auslegers 1000 gemessen werden, indem ein optischer Detektor anstelle der Lichtquelle 101 zum Messen optischer Informationen in 2 und 3 angeordnet wird.
  • 4 zeigt Ansichten, die ein Beispiel von Schritten in der Herstellung des optischen Auslegers 1000 gemäß Beispiel 1 zeigen. 4(A) zeigt ein Substrat 11. Ferner ist in der Folge eine obere Fläche des Substrats 11 als deren Oberfläche definiert, und eine untere Fläche desselben ist als Rückfläche definiert. Das Substrat 11 besteht zum Beispiel aus Silizium oder Quarz.
  • 4(B) zeigt einen Schritt zum Bilden des Auslegerabschnitts und eines Lochs, das den Auslegerabschnitt durch dringt. Eine Ätzmaske 12 umfasst Siliziumdioxid, ein Photoresist oder dergleichen. Der Auslegerabschnitt und das Loch, das den Auslegerabschnitt durchdringt, können durch Bilden der Ätzmaske 12 unter Verwendung der Photolithographie und anschließende Herstellung des Auslegerabschnitts und des Lochs durch anisotropes Trockenätzen, beginnend mit reaktivem Ionenätzen, gebildet werden.
  • 4(C) zeigt einen Schritt zum Abscheiden eines dielektrischen Elements 13 zur Bildung der Lichtfortpflanzungsspitze.
  • Nach dem Schritt, der durch 4(B) dargestellt ist, wird ein dielektrisches Element, wie Siliziumdioxid, Polyimid oder dergleichen, auf der Oberfläche des Substrats 11 durch einen Plasmagasphasensynthetisierungsprozess oder Rotationsbeschichtung abgeschieden.
  • 4(D) zeigt einen Schritt zur Bildung der Lichtfortpflanzungsspitze. Ein konischer Abschnitt der Lichtfortpflanzungsspitze wird durch Bilden einer Maske an einem Abschnitt auf dem dielektrischen Element gebildet, der durch den vorangehenden Schritt abgeschieden wurde, um die Lichtfortpflanzungsspitze durch Photolithographie und anschließendes isotropes Trockenätzen oder isotropes Nassätzen zu bilden.
  • 4(E) zeigt einen Schritt zum Abscheiden eines lichtabschirmenden Films 14 und Bilden der sehr kleinen Apertur. Der lichtabschirmende Film 14 wird auf der Oberfläche des Substrats 11 durch Sputtern oder Vakuumabscheidung gebildet. Danach wird der lichtabschirmende Film 14 an dem vorderen Ende der Lichtfortpflanzungsspitze durch Trockenätzen oder Nassätzen entfernt und die sehr kleine Apertur gebildet.
  • 4(F) zeigt einen Schritt zum Trennen des optischen Auslegers 1000 von dem Substrat 11. Der optische Ausleger 1000 kann von dem Substrat 11 durch anisotropes Nassätzen oder anisotropes Trockenätzen von der Rückfläche des Substrats 11 getrennt werden und gleichzeitig kann der Lichteinleitungsabschnitt gebildet werden. Wenn ferner der Lichtfortpflanzungsabschnitt und die Lichtfortpflanzungsspitze Hohlräume sind, werden nach dem Schritt 4(F) Abschnitte, die der Lichtfortpflanzungsspitze und dem Lichtfortpflanzungsabschnitt entsprechen, durch Trockenätzen oder Nassätzen entfernt.
  • Der optische Ausleger 1000, der durch die zuvor beschriebenen Schritte hergestellt wurde, kann Licht, das durch die Lichtfortpflanzungsspitze 3 gegangen ist, von der sehr kleinen Apertur 4 zu der Probe ausstrahlen, indem Licht von dem Lichteinleitungsabschnitt 7a, der in 1 und 3 dargestellt ist, eingeleitet wird. Ferner kann der optische Ausleger 1000 als optischer Ausleger des Rastersondenmikroskops betrieben werden, wie in 2 dargestellt ist. Ferner kann durch Bilden der Form des Auslegerabschnitts 2 des optischen Auslegers 1000 mit einer Länge von 100 bis 1000 Mikrometern, einer Breite von 20 bis 100 Mikrometern und einer Dicke von 2 bis 10 Mikrometern die Federkonstante und die Resonanzfrequenz des Auslegerabschnitts 2 in einem Bereich von 0,1 bis 50 N/m (Newton/Meter) beziehungsweise 10 bis 300 kHz (KiloHertz) eingestellt werden, und selbst eine weiche Probe kann bei hoher Geschwindigkeit gemessen werden, ohne die Probe zu beschädigen. Ferner kann der optische Ausleger 1000 unter Verwendung eines Halbleiterprozesses hergestellt werden und daher kann der optische Ausleger 1000 mit einer ausgezeichneten Massenproduktionsleistung und Gleichförmigkeit hergestellt werden. Ferner ist der optische Ausleger 1000 mit einer ähnlichen Form wie jener des herkömmlichen AFM bereitgestellt und ist daher einfach handzuhaben.
  • Wenn ferner der Lichtfortpflanzungsabschnitt 5 und die Lichtfortpflanzungsspitze 3 mit einem dielektrischen Element gefüllt sind, wird das einfallende Licht, abhängig von der Wellenlänge des einfallenden Lichts, von dem dielektrischen Element absorbiert. Wenn jedoch der Lichtfortpflanzungsabschnitt 5 und die Lichtfortpflanzungsspitze 3 Hohlräume sind, kann die Absorption in der Atmosphäre oder im Vakuum vernachlässigt werden und daher kann ein weiter Wellenlängenbereich gewählt werden, der für das einfallende Licht verwendet werden kann.
  • 5 ist eine Konstruktionsansicht, die eine Konstruktion eines optischen Auslegers 3000 gemäß einer Ausführungsform der Erfindung zeigt. Der optische Ausleger 3000 ist dadurch gekennzeichnet, dass ein Lichteinleitungsabschnitt 7c mit einer Form bereitgestellt ist, die von dem Auslegerabschnitt 2 vertieft ist. Eine stufenförmige Differenz an dem vertieften Abschnitt des Lichteinleitungsabschnitts 7c ist zum Beispiel 10 bis 50 Mikrometer. Andere Elemente, die den optischen Ausleger 3000 bilden, sind ähnlich jenen in Beispiel 1.
  • Der optische Ausleger 3000 gemäß dieser Ausführungsform der Erfindung kann ähnlich wie der optische Ausleger 1000 des Rastersondenmikroskops 10000 verwendet werden, der in 2 dargestellt ist.
  • Ferner kann der optische Ausleger 3000 gemäß dieser Ausführungsform der Erfindung durch Schritte ähnlich jenen in dem Verfahren zur Herstellung des optischen Auslegers 1000 hergestellt werden, das in 4 dargestellt ist. Der vertiefte Abschnitt an dem Lichteinleitungsabschnitt 7c des optischen Auslegers 2000 wird gebildet, indem ein Abschnitt, der den Lichtfortpflanzungsabschnitt 5 bildet, einer weiteren Trockenätzung von der Seite des Basisabschnitts 1 nach dem Schritt unterzogen wird, der in 4(f) dargestellt ist.
  • Da der Lichteinleitungsabschnitt 7c an einer Position angeordnet ist, die von dem Auslegerabschnitt 2 vertieft ist, kann verhindert werden, dass das reflektierte Licht von Licht, das in den optischen Ausleger 3000 geleitet wird, zu einem anderen Abschnitt austritt, und das S/N-Verhältnis in der Messung kann erhöht werden.
  • 6 ist eine Konstruktionsansicht, die eine Konstruktion eines optischen Ausleger 4000 zeigt. Der optische Ausleger 4000 ist dadurch gekennzeichnet, dass die Höhe der Lichtfortpflanzungsspitze 3 zum Beispiel 20 Mikrometer beträgt, und mit einer ausreichend großen Höhe im Vergleich zu jener des optischen Auslegers der vorangehenden Ausführungsform bereitgestellt ist. Ein Lichteinleitungsabschnitt 7 wird durch die Form der Ausführungsform gebildet. Andere Elemente des optischen Auslegers 4000 sind ähnliche jenen der optische Ausleger von Beispiel 1 und der Ausführungsform.
  • Ferner kann der optische Ausleger ähnlich wie der optische Ausleger 1000 des Rastersondenmikroskops 10000 verwendet werden, der in 2 dargestellt ist.
  • 7 zeigt Ansichten, die ein Beispiel von Schritten zur Herstellung des optischen Auslegers 4000 gemäß Beispiel 4 zeigen. 7(A) zeigt das Substrat 11. Ferner ist in der Folge die obere Fläche des Substrats 11 als die Vorderfläche definiert und die untere Fläche ist als die Rückfläche definiert. Das Substrat 11 besteht zum Beispiel aus Silizium oder Quarz.
  • 7(B) zeigt einen Schritt zum Bilden des Auslegerabschnitts 2 und eines Lochs, das den Auslegerabschnitt 2 durchdringt. Die Ätzmaske 12 umfasst Siliziumdioxid oder ein Photoresist. Der Auslegerabschnitt und das Loch, das den Auslegerabschnitt durchdringt, können durch Bilden der Ätzmaske 12 unter Verwendung der Photolithographie und anschließendes Herstellen des Auslegerabschnitts und des Lochs durch anisotropes Ätzen, beginnen mit reaktivem Ionenätzen, gebildet werden.
  • Eine hergestellte Tiefe ist bei dieser Gelegenheit ausreichend tief im Vergleich zu jener im Fall von Beispiel 1. Wenn ferner ein Lichteinleitungsabschnitt des optischen Auslegers 4000 in einer vorstehenden Form gebildet ist, wird eine Bodenfläche des Lochs, das den Auslegerabschnitt 2 durchdringt, in einer vertieften Form gebildet.
  • 7(C) zeigt einen Schritt zum Abscheiden des dielektrischen Elements 13, das die Lichtfortpflanzungsspitze bildet. Nach dem Schritt, der in 7(B) dargestellt ist, wird ein dielektrisches Element, aus Siliziumdioxid, Polyamid oder dergleichen, auf der Oberfläche des Substrats 11 durch einen Plasmagasphasensynthetisierungsprozess oder Rotationsbeschichtung abgeschieden.
  • 7(D) zeigt einen Schritt zum Bilden der Lichtfortpflanzungsspitze. Die zugespitzte Lichtfortpflanzungsspitze wird durch isotropes Trockenätzen oder isotropes Nassätzen gebildet.
  • 7(E) zeigt einen Schritt zum Zuspitzen der Lichtfortpflanzungsspitze. Die Lichtfortpflanzungsspitze wird durch Bedecken von Abschnitten, die nicht die Abschnitte sind, die den Auslegerabschnitt und den Basisabschnitt bilden, mit einer Maske 16 und Ausdünnen des Substrats 11 durch Trockenätzen oder Nassätzen gebildet. Durch den Schritt kann die Lichtfortpflanzungsspitze mit einer ausreichend großen Höhe im Vergleich zu jener im Fall von Beispiel 1 bereitgestellt werden.
  • Danach sind ein Schritt zum Abscheiden des lichtabschirmenden Films und zum Bilden der sehr kleinen Apertur und ein Schritt zum Trennen des optischen Auslegers 4000 von dem Substrat 11 dieselben wie die Schritte, die unter Bezugnahme auf 4(E) und 4(F) von Beispiel 1 erklärt wurden. Ferner ist ein Schritt zum Bilden des Lichteinleitungsabschnitts des optischen Auslegers 4000 in der vertieften Form derselbe wie der Schritt der in der beschriebenen Ausführungsform erklärt wurde.
  • Gemäß dem optischen Ausleger 4000, der in Beispiel 2 erklärt ist, kann, anders als in Beispiel 1 und der Ausführungsform erklärt ist, eine Probe mit einer großen stufenförmigen Differenz gemessen werden, da die Höhe der Licht fortpflanzungsspitze 3 bis zu 20 bis 200 Mikrometer groß sein kann. Da ferner gemäß dem optischen Ausleger 4000 die Höhe der Lichtfortpflanzungsspitze 3 groß ist, kann bei der Beobachtung in einer Lösung nur die Lichtfortpflanzungsspitze 3 mit einer Form eines Prismas oder eines kreisförmigen Zylinders in die Lösung eindringen, ohne den Auslegerabschnitt 2 in Form einer Platte in die Lösung zu tauchen, und daher wird der Betrieb in der Lösung stabilisiert.
  • 8 und 9 sind eine perspektivische Ansicht, die eine Konstruktion eines optischen Auslegers 5000 zeigt, und eine Schnittansicht seines Auslegerabschnitts. Der optische Ausleger 5000 ist dadurch gekennzeichnet, dass er einen Ausleger 23 für einen optischen Hebel und einen Hebeldrehpunkt 26 hat. Andere Elemente, die den optischen Ausleger 5000 bilden, sind gleich jenen in Beispiel 1 und 2 und der Ausführungsform. Ferner ist ein Material des Auslegers 23 für den optischen Hebel und den Hebeldrehpunkt 26 dasselbe wie jenes eines Basisabschnitts 21 und eines Auslegerabschnitts 22. Ferner ist eine Länge des Auslegers 23 für einen optischen Hebel zum Beispiel 300 bis 2000 Mikrometer, eine Länge des Auslegerabschnitts 22 ist zum Beispiel 100 bis 1000 Mikrometer und der Ausleger 23 für einen optischen Hebel kann mit der Länge bereitgestellt sein, die größer als jene des Auslegerabschnitts 22 ist.
  • Der optische Ausleger 5000 kann ähnlich wie der optische Ausleger 1000 des Rastersondenmikroskops 10000 verwendet werden, der in 2 dargestellt ist, und kann sowohl im Kontaktmodus, wie auch im dynamischen Modus verwendet werden. Es folgt eine Erklärung seines Betriebs im Falle des Kontaktmodus. Der Laserstrahl, der von dem Laseroszillator 104 ausgestrahlt wird, wird von einem oberen Abschnitt des Auslegers 23 für einen optischen Hebel reflektiert. Wenn der Auslegerabschnitt 22 durch eine Anziehungskraft oder Abstoßungskraft zwischen dem Auslegerabschnitt 22 und einer Probe verschoben wird, wird gleichzeitig der Ausleger 23 für einen optischen Hebel auch mit dem Auslegerdrehpunkt 26 als Basispunkt verschoben. Daher wird ein optischer Pfad des Laserstrahls, der von der oberen Fläche des Auslegers 23 für einen oberen Hebel reflektiert wird, geändert, und die Änderung wird daher von dem photoelektrischen Umwandlungsabschnitt 106 erfasst. Der anschließende Betrieb ist ähnlich jenem von Beispiel 1 und ein Verfahren zum Erhalten eines optischen Bildes ist ähnlich jenem in Beispiel 1.
  • Ferner kann auch im Fall des dynamischen Modus die Form der Oberfläche durch Ausstrahlen eines Laserstrahls des optischen Hebels zu dem Ausleger 23 für den optischen Hebel und Steuern des Grobbewegungsmechanismus 113 und des Feinbewegungsmechanismus 112 durch den Servomechanismus 107 gemessen werden, so dass eine Amplitude des Auslegers für einen optischen Hebel konstant wird.
  • Ein Verfahren zur Herstellung des optischen Auslegers 5000 ist ähnlich jenen in Beispiel 1 und 2 und in der Ausführungsform, mit der Ausnahme, dass die Form des Auslegers unterschiedlich ist.
  • Gemäß dem optischen Ausleger 5000 in Bezug auf 8 und 9 können, anders als in Beispiel 1 und 2 und in der Ausfüh rungsform erklärt, Licht zum Beobachten der optischen Eigenschaften der Probe und der Laserstrahl für den optischen Hebel vollständig voneinander getrennt werden, da der Laserstrahl des optischen Hebels nicht auf den Auslegerabschnitt 22 gestrahlt wird, und daher wird das S/N-Verhältnis bei der Beobachtung durch das SNOM verbessert. Wenn ferner die Länge des Auslegers 23 für den optischen Hebel größer als die Länge des Auslegerabschnitts 22 ist, wird ein Ausmaß der Verschiebung des Ausleger 23 für den optischen Hebel größer als ein Ausmaß der Verschiebung des Auslegerabschnitts 22, und daher wird eine Empfindlichkeit in der Erfassung einer Verschiebung des Auslegers durch den optischen Hebel verbessert.
  • Industrielle Anwendbarkeit
  • Wie zuvor erklärt, kann gemäß der Erfindung in Bezug auf Anspruch 1 der optische Ausleger eine Messung durch SNOM durchführen, und ist mit einer Struktur ähnlich jener eines herkömmlichen Auslegers eines AFM bereitgestellt und daher wird der optische Ausleger mit hoher Resonanzfrequenz und kleiner Federkonstante im Vergleich zu jenen der herkömmlichen optischen Fasersonde bereitgestellt, und es kann selbst eine weiche Probe bei hoher Geschwindigkeit gemessen werden.
  • Ferner ist die Fläche an der Seite gegenüber dem zugespitzten vorderen Ende des dielektrischen Elements an einer Position angeordnet, die von dem Auslegerabschnitt vertieft ist, und daher kann reflektiertes Licht von Licht, das in den optischen Ausleger geleitet wird, am Austreten zu einem anderen Abschnitt gehindert werden, und das S/N-Verhältnis in der Messung kann erhöht werden.
  • Ferner muss ein Laserstrahl des optischen Hebels nicht auf den Auslegerabschnitt gestrahlt werden und daher können Licht zum Beobachten der optischen Eigenschaften der Probe und ein Laserstrahl für den optischen Hebel vollständig voneinander getrennt werden, und daher wird eine Stabilität in der Messung durch SNOM verbessert. Ferner ist die Länge des Auslegers für den optischen Hebel größer als die Länge des Auslegerabschnitts, das Ausmaß der Verschiebung des Auslegers für den optischen Hebel wird größer als das Ausmaß der Verschiebung des Auslegerabschnitts und eine Empfindlichkeit zum Erfassen der Verschiebung des Auslegers durch den optischen Hebel wird verbessert.
  • Ferner kann ein Siliziumprozess verwendet werden und daher kann der optische Ausleger einfach mit ausgezeichneter Massenproduktionsleistung und Gleichförmigkeit hergestellt werden.
  • Ferner kann die Höhe des zugespitzten dielektrischen Elements bis zu 20 bis 200 Mikrometer groß gestaltet werden und der optische Ausleger, der eine Probe mit einer großen stufenförmigen Differenz messen kann, kann einfach mit ausgezeichneter Massenproduktionsleistung und Gleichförmigkeit hergestellt werden. Ferner ist gemäß dem optischen Ausleger, der durch das Herstellungsverfahren hergestellt wird, die Höhe des zugespitzten dielektrischen Elements groß, und daher tritt bei der Beobachtung in einer Lösung nur die Lichtfortpflanzungsspitze mit einer Form eines Prismas oder eines kreisförmigen Zylinders in die Lösung ein, ohne einen Auslegerabschnitt in Form einer Platte in die Lösung zu tauchen, und daher ist der Betrieb in der Lösung stabilisiert.

Claims (10)

  1. Optischer Ausleger (3000), umfassend: einen Basisabschnitt (1), einen ersten Auslegerabschnitt (2), der vom Basisabschnitt (1) absteht und ein Loch aufweist, das den ersten Auslegerabschnitt (2) durchdringt; ein dielektrisches Element, das in dem Loch gebildet ist, das den ersten Auslegerabschnitt (2) durchdringt, wobei das dielektrische Element von dem ersten Auslegerabschnitt (2) an einer Seite absteht, die dem Basisabschnitt (1) gegenüberliegt, und ein zugespitztes vorderes Ende (3) aufweist; einen lichtabschirmenden Film (6), der eine Außenfläche des vorstehenden dielektrischen Elements bedeckt; und eine sehr kleine Apertur (4), die an dem zugespitzten vorderen Ende (3) des vorstehenden dielektrischen Elements gebildet ist; dadurch gekennzeichnet, dass: eine Oberfläche des dielektrischen Elements an einer Seite, die dem zugespitzten vorderen Ende des dielektrischen Elements gegenüberliegt, mit einer vertieften Form bereitgestellt ist, wobei sich die vertiefte Form vollständig in dem Loch befindet.
  2. Optischer Ausleger nach Anspruch 1, des weiteren umfassend einen zweiten Auslegerabschnitt (23), der sich in den Basisabschnitt (1) erstreckt und von diesem getrennt ist, wobei der erste Auslegerabschnitt (2) und der zweiten Auslegerabschnitt (23) durch einen Hebeldrehpunkt (26) mit dem Basisabschnitt (1) verbunden sind.
  3. Verfahren zur Herstellung eines optischen Auslegers, umfassend: einen Schritt zum Bilden eines Auslegerabschnitts (2) in einem Substrat (11), einen Schritt zum Bilden eines Lochs, so dass es den Auslegerabschnitt (2) durchdringt; einen Schritt zum Abscheiden eines dielektrischen Elements (13) in dem Loch; einen Schritt zum Bilden eines zugespitzten vorderen Endes (3) in dem dielektrischen Element (13); einen Schritt zum Abscheiden eines lichtabschirmenden Films (14) auf dem zugespitzten dielektrischen Element und zum Bilden einer sehr kleinen Apertur (4) an dem zugespitzten vorderen Ende (3); gekennzeichnet durch: einen Schritt zum Bilden einer Vertiefung in dem dielektrischen Element an einer Seite, die dem zugespitzten vorderen Ende (3) gegenüberliegt, so dass sich die Vertiefung vollständig in dem Loch befindet.
  4. Verfahren zur Herstellung eines optischen Auslegers nach Anspruch 3, des Weiteren umfassend: einen Schritt zum Einstellen einer Dicke des Auslegerabschnitts (2) durch Ausdünnen des Auslegerabschnitts (2) von einer Abscheidungsrichtung des dielektrischen Elements (13).
  5. Verfahren zur Herstellung eines optischen Auslegers nach Anspruch 3 oder Anspruch 4, wobei der Schritt zum Bilden des Lochs, so dass es den Auslegerabschnitt (2) durchdringt, ein Trockenätzschritt eines Siliziumsubstrats ist.
  6. Verfahren zur Herstellung eines optischen Auslegers nach Anspruch 3 oder Anspruch 4, wobei der Schritt zum Abscheiden des dielektrischen Elements (13) ein Schritt ist, der durch ein Gasphasensynthetisierungsverfahren oder Rotationsbeschichtung ausgeführt wird.
  7. Verfahren zur Herstellung eines optischen Auslegers nach Anspruch 3 oder Anspruch 4, wobei der Schritt zum Bilden des zugespitzten vorderen Endes (3) in dem dielektrischen Element (13) ein isotroper Trockenätzschritt oder ein isotroper Nassätzschritt nach der Bildung einer Maske auf dem dielektrischen Element (13) ist.
  8. Verfahren zur Herstellung eines optischen Auslegers nach Anspruch 3 oder Anspruch 4, wobei der Schritt zum Abscheiden des lichtabschirmenden Films (14) auf dem zugespitzten dielektrischen Element und zum Bilden der sehr kleinen Apertur (4) ein Schritt zum Bilden der sehr kleinen Apertur (4) durch Abscheiden eines Metalls auf dem zugespitzten dielektrischen Element und anschließenden Entfernen des Metalls an dem zugespitzten vorderen Ende (3) des dielektrischen Elements durch Trockenätzen oder Nassätzen ist.
  9. Verfahren zur Herstellung eines optischen Auslegers nach Anspruch 3 oder Anspruch 4, wobei der Schritt zum Bilden der Vertiefung in der Oberfläche des dielektri schen Elements (13) an der Seite, die dem zugespitzten vorderen Ende (3) des dielektrischen Elements gegenüberliegt, durch Trockenätzen oder Nassätzen von einer Fläche an einer Seite ausgeführt wird, die dem zugespitzten vorderen Ende (3) des dielektrischen Elements gegenüberliegt.
  10. Verfahren zur Herstellung eines optischen Auslegers nach Anspruch 4, wobei der Schritt zum Einstellen der Dicke des Auslegerabschnitts (2) durch Ausdünnen des Auslegerabschnitts (2) von der Abscheidungsrichtung des dielektrischen Elements (13) durch Trockenätzen ausgeführt wird.
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