DE69837319T2 - Gedruckte leiterplatte und verfahren zur herstellung - Google Patents

Gedruckte leiterplatte und verfahren zur herstellung Download PDF

Info

Publication number
DE69837319T2
DE69837319T2 DE69837319T DE69837319T DE69837319T2 DE 69837319 T2 DE69837319 T2 DE 69837319T2 DE 69837319 T DE69837319 T DE 69837319T DE 69837319 T DE69837319 T DE 69837319T DE 69837319 T2 DE69837319 T2 DE 69837319T2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
hole
circuit board
connecting pin
ball
section
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
DE69837319T
Other languages
English (en)
Other versions
DE69837319D1 (de
Inventor
Naoto Ogaki-shi ISHIDA
Kouji Ogaki-shi ASANO
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ibiden Co Ltd
Original Assignee
Ibiden Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP9340723A external-priority patent/JPH10275966A/ja
Application filed by Ibiden Co Ltd filed Critical Ibiden Co Ltd
Publication of DE69837319D1 publication Critical patent/DE69837319D1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE69837319T2 publication Critical patent/DE69837319T2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49805—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers the leads being also applied on the sidewalls or the bottom of the substrate, e.g. leadless packages for surface mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/14—Structural association of two or more printed circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49811—Additional leads joined to the metallisation on the insulating substrate, e.g. pins, bumps, wires, flat leads
    • H01L23/49816—Spherical bumps on the substrate for external connection, e.g. ball grid arrays [BGA]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49827—Via connections through the substrates, e.g. pins going through the substrate, coaxial cables
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49833—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers the chip support structure consisting of a plurality of insulating substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
    • H05K3/341—Surface mounted components
    • H05K3/3421—Leaded components
    • H05K3/3426—Leaded components characterised by the leads
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
    • H05K3/341—Surface mounted components
    • H05K3/3431—Leadless components
    • H05K3/3436—Leadless components having an array of bottom contacts, e.g. pad grid array or ball grid array components
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/36—Assembling printed circuits with other printed circuits
    • H05K3/368—Assembling printed circuits with other printed circuits parallel to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/49105—Connecting at different heights
    • H01L2224/49109—Connecting at different heights outside the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L24/10, H01L24/18, H01L24/26, H01L24/34, H01L24/42, H01L24/50, H01L24/63, H01L24/71
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01077—Iridium [Ir]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01078—Platinum [Pt]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/1515—Shape
    • H01L2924/15153—Shape the die mounting substrate comprising a recess for hosting the device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/1517—Multilayer substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/1517—Multilayer substrate
    • H01L2924/15172—Fan-out arrangement of the internal vias
    • H01L2924/15173—Fan-out arrangement of the internal vias in a single layer of the multilayer substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/153—Connection portion
    • H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
    • H01L2924/15311—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/153—Connection portion
    • H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
    • H01L2924/15312—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a pin array, e.g. PGA
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/153—Connection portion
    • H01L2924/1532—Connection portion the connection portion being formed on the die mounting surface of the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10227—Other objects, e.g. metallic pieces
    • H05K2201/10234—Metallic balls
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10227—Other objects, e.g. metallic pieces
    • H05K2201/1031—Surface mounted metallic connector elements
    • H05K2201/10318—Surface mounted metallic pins
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10613—Details of electrical connections of non-printed components, e.g. special leads
    • H05K2201/10621—Components characterised by their electrical contacts
    • H05K2201/10666—Plated through-hole for surface mounting on PCB
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Combinations Of Printed Boards (AREA)
  • Coupling Device And Connection With Printed Circuit (AREA)
  • Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
  • Multi-Conductor Connections (AREA)

Description

  • Technisches Gebiet der Erfindung
  • Die Erfindung betrifft eine Leiterplatte und ihr Herstellungsverfahren und betrifft insbesondere die Verbindung der Leiterplatte und einer Grundplatine bzw. Mutterleiterplatte.
  • Technischer Hintergrund der Erfindung
  • Herkömmlicherweise gibt es zum Beispiel, wie in 27 dargestellt, eine Leiterplatte mit einem Schaltkreissubstrat 96, das einen Montageabschnitt 97 zur Montage eines Elektronikteils 970, eine Leiterschaltung 95, die auf einer Oberfläche des Schaltkreissubstrats 96 und außerdem innerhalb dieses Schaltkreissubstrats 96 angeordnet ist, sowie ein durch das Schaltkreissubstrat 96 hindurchgehendes Durchkontaktloch 93 aufweist.
  • Der Elektronikteil 970 ist durch einen Bonddraht 971 elektrisch mit der Leiterschaltung 95 verbunden. Wie in den 27 und 28 dargestellt, ist an einer Endspitze der Leiterschaltung 95 an einer Rückseite des Schaltkreissubstrats 96 eine Bondinsel 92 zur Montage einer Kugel angeordnet. Mit einer Oberfläche dieser Bondinsel 92 wird eine Lötkugel 91 verbunden.
  • Die obige herkömmliche Leiterplatte 9 wird durch Erhitzen und Schmelzen der obigen Lötkugel 91 mit einer Gegenbondinsel 981 verbunden, die auf der Oberfläche einer Grundplatine 98 angeordnet ist.
  • Die Leiterplatte hat die Funktion, aus der obigen Struktur elektrische Informationen des elektrischen Teils zu einem Partnerelement zu übertragen, wie z. B. der Grundplatine usw.
  • Die obige herkömmliche Leiterplatte weist jedoch die folgenden Probleme auf. Insbesondere ist die Leiterplatte 9, wie in den 27 und 28 dargestellt, durch die Lötkugel 91 fest mit der Grundplatine 98 verbunden. Daher muß die Bondinsel 92 zur Montage der Lötkugel in der Leiterplatte 9 angeordnet werden.
  • Ferner ist es notwendig, die Leiterschaltung 95 zwischen der Bondinsel 92 zur Montage der Kugel und dem Durchkontaktloch 93 anzuordnen und die Bondinsel 92 und das Durchkontaktloch 93 elektrisch zu verbinden. Daher wird, wie in 28 dargestellt, die Rückseite des Schaltkreissubstrats 96 durch die Bondinsel 92 zur Montage der Kugel und die mit dem Durchkontaktloch 93 verbundene Leiterschaltung 95 sowie durch das Durchkontaktloch 93 besetzt. Als Ergebnis ist es schwierig, genügend Platz für die Anordnung einer weiteren Leiterschaltung auf der Rückseite des Schaltkreissubstrats 96 sicherzustellen, so daß eine hohe Verdrahtungsdichte verhindert wird.
  • Beim Verbinden der Lötkugel 91 mit der Gegenbondinsel 981 ist die Kontrolle eines Schmelzzustands der Lötkugel 91 schwierig. Insbesondere wird die Lötkugel 91 durch Erhitzen dieser Lötkugel 91 geschmolzen und mit der Gegenbondinsel 981 auf der Grundplatine 98 verbunden. Dabei ist der Schmelzzustand der Lötkugel 91 entsprechend der Erhitzungstemperatur, dem angelegten Druck, der Lötzusammensetzung usw. unterschiedlich. Daher gibt es einen Fall, wie in 27 dargestellt, in dem ein Schmelzgrad der Lötkugel 91 auf einer Seite (z. B. der rechten Seite von 27) der Leiterplatte 9 erhöht ist und der Schmelzgrad der Lötkugel 91 auf der anderen Seite (z. B. der linken Seite von 27) vermindert ist. In diesem Fall wird die Leiterplatte 9 schief mit der Grundplatine 98 verbunden. Dementsprechend ist es schwierig, die herkömmliche Leiterplatte 9 parallel mit der Grundplatine 98 zu verbinden.
  • Außerdem ist, wie in 29 dargestellt, die Bondinsel 92 zur Montage der Kugel und zum Verbinden der Lötkugel 91 im allgemeinen mit einer Goldplattierungsschicht 921 überzogen. Ein Goldbestandteil der Goldplattierungsschicht 921 dringt beim Erhitzen und Schmelzen der Lötkugel 91 ins Innere der Lötkugel 91 ein und bildet eine Zwischenschicht 90 zwischen der Metallplattierungsschicht 921 und der Lötkugel 91.
  • Diese Zwischenschicht 90 hat eine Eigenschaft, die sich durch Hitze verschlechtert. Daher vermindert sich bei der Bildung der Zwischenschicht 90 die Bindungsfestigkeit der Bondinsel 92 zur Montage der Kugel und der Lötkugel 91 von 1,0 auf 1,4 kg/cm2.
  • Ferner vergrößert sich die Dicke der Zwischenschicht 90 mit zunehmender Dicke der die Bondinsel 92 zur Montage der Kugel bedeckenden Goldplattierungsschicht 921. Daher wird mit zunehmender Dicke der Goldplattierungsschicht 921 die Bindungsfestigkeit der Bondinsel 92 zur Montage der Kugel und der Lötkugel 91 weiter vermindert. Dementsprechend gibt es einen Fall, in dem die Bindungsfestigkeit auf einen Wert kleiner oder gleich 1,0 kg/cm2 vermindert wird.
  • In Anbetracht derartiger herkömmlicher Probleme stellt die vorliegende Erfindung eine Leiterplatte bereit, mit der eine Verdrahtung mit hoher Dichte auf einer Substratoberfläche ausgeführt werden kann und die parallel mit einem Partnerelement verbunden werden kann, das eine hervorragende Bindungsfestigkeit aufweist, und stellt außerdem ein Herstellungsverfahren für die Leiterplatte bereit.
  • AT 401 704 B offenbart eine Trägerplatte für einen integrierten Schaltkreis. JP 2 239 577 offenbart einen integrierten Hybridschaltkreis für Oberflächenmontage. JP 2 144 945 offenbart eine Leiterplatte für Halbleitermontage und deren Herstellung. FR 257 1547 offenbart einen Hybridschaltkreis, der auf einen Träger übertragen werden kann, der ein hochintegriertes Verbindungsnetzwerk enthält. JP 6 045 722 offenbart ein mit Anschlußstiften montiertes Leiterplattensubstrat.
  • Offenbarung der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung ist durch die Merkmale der Ansprüche definiert. Wie in Anspruch 1 beschrieben, weist die vorliegende Erfindung eine Leiterplatte mit einem Schaltkreissubstrat und einem Durchkontaktloch sowie einem in das Durchkontaktloch eingesetzten Verbindungsstift auf; wobei die Leiterplatte dadurch gekennzeichnet ist, daß der Verbindungsstift unter Verwendung eines Materials hergestellt wird, das bei einer Erhitzungstemperatur beim Verbinden des Verbindungsstifts mit einer Gegenbondinsel nicht geschmolzen wird, und durch einen Verbindungskopfabschnitt, der größer ist als ein Öffnungsdurchmesser des Durchkontaktlochs und einen Verbindungsabschnitt mit der Gegenbondinsel 981 bildet, und einen Schenkelabschnitt von einer Größe aufgebaut wird, die das Einsetzen dieses Schenkelabschnitts in das Durchkontaktloch ermöglicht, und daß der Schenkelabschnitt in das Durchkontaktloch eingesetzt und durch ein leitfähiges Material mit dem Durchkontaktloch verbunden wird.
  • Nachstehend werden die Funktionsweise und die Auswirkungen der vorliegenden Erfindung erläutert.
  • Bei der erfindungsgemäßen Leiterplatte wird der Verbindungsstift in das Durchkontaktloch eingesetzt. Der Verbindungsstift weist den Verbindungskopfabschnitt zum Verbinden des Verbindungsstifts mit der Gegenbondinsel auf. Daher können das Durchkontaktloch und die Gegenbondinsel von dem Verbindungsstift aus elektrisch miteinander verbunden werden, indem der Verbindungskopfabschnitt mit der Gegenbondinsel verbunden wird.
  • Da ferner das Durchkontaktloch und die Gegenbondinsel von dem Verbindungsstift aus in einem einander gegenüberliegenden Zustand miteinander verbunden werden können, ist es unnötig, wie im herkömmlichen Fall zusätzlich zu dem Durchkontaktloch eine Bondinsel für die Montage einer Lötkugel anzuordnen. Außerdem ist es unnötig, wie im herkömmlichen Fall eine Leiterschaltung zum Verbinden des Durchkontaktlochs und der Bondinsel zur Montage der Kugel zu bilden. Daher entsteht auf einer Oberfläche des Schaltkreissubstrats in einem Abschnitt mit Ausnahme eines Öffnungsabschnitts des Durchkontaktlochs ein überschüssiger Raum. Dementsprechend kann eine Verdrahtungsstruktur hoher Dichte auf der Substratoberfläche realisiert werden, indem in diesem Raum viele andere Leiterschaltungen gebildet werden.
  • Der Verbindungsstift wird unter Verwendung eines Materials hergestellt, das bei der Erhitzungstemperatur beim Verbinden des Verbindungsstifts mit der Gegenbondinsel nicht geschmolzen wird. Daher wird ein konstante Höhe des Verbindungskopfabschnitts ohne Schmelzverformung in der obigen Verbindung eingehalten. Dementsprechend funktioniert der Verbindungskopfabschnitt als Stütze der Leiterplatte zum Verbindungszeitpunkt.
  • Ein derartiger, als Stütze funktionierender Verbindungskopfabschnitt ist größer als der Öffnungsdurchmesser des Durchkontaktlochs. Wenn daher der Schenkelabschnitt des Verbindungsstifts in das Durchkontaktloch eingesetzt wird, kommt der Verbindungskopfabschnitt in Eingriff mit dem Öffnungsabschnitt des Durchkontaktlochs und tritt nicht ins Innere des Durchkontaktlochs ein. Dementsprechend kann der Verbindungskopfabschnitt um die gleiche Höhe von einer Oberfläche des Schaltkreissubstrats hervorstehen.
  • Wenn daher der Verbindungskopfabschnitt und die Gegenbondinsel miteinander verbunden werden, wird der Abstand zwischen der Leiterplatte und einem Partnerelement, wie zum Beispiel der Grundplatine mit der obigen Gegenbondinsel usw., durch den obigen Verbindungskopfabschnitt ständig sichergestellt. Folglich kann die Leiterplatte mit dem Partnerelement in parallel angeordnetem Zustand verbunden werden.
  • Da bei der Erhitzungstemperatur beim Verbinden kein Verbindungsstift geschmolzen und verformt wird, braucht der Schmelzzustand des leitfähigen Materials zum Verbinden nicht kontrolliert zu werden. Dementsprechend können der Verbindungsstift und die Gegenbondinsel leicht miteinander verbunden werden.
  • Bei der vorliegenden Erfindung wird der Schenkelabschnitt des Verbindungsstifts in das Durchkontaktloch eingesetzt, und der Schenkelabschnitt und das Durchkontaktloch werden durch das leitfähige Material miteinander verbunden. Da die erfindungsgemäße Leiterplatte ferner nicht wie im herkömmlichen Beispiel eine Struktur zum Verbinden einer Lötkugel mit der Bondinsel zur Montage der Kugel aufweist, ist nicht zu befürchten, daß zwischen der Lötkugel und der Bondinsel zur Montage der Kugel eine Zwischenschicht gebildet wird, die eine Verminderung der Bindungsfestigkeit verursacht. Folglich kann der Verbindungsstift fest an dem Durchkontaktloch befestigt werden.
  • Der Verbindungskopfabschnitt des obigen Verbindungsstifts wird vorzugsweise mit dem leitfähigen Material überzogen, wie in Anspruch 2 beschrieben. Wenn dieser Verbindungskopfabschnitt auf der Gegenbondinsel am Partnerelement angeordnet und erhitzt wird, dann wird das leitfähige Material geschmolzen, das eine Oberfläche des Verbindungskopfabschnitts bedeckt, so daß der Verbindungskopfabschnitt und die Gegenbondinsel miteinander verbunden werden. Folglich können der Verbindungskopfabschnitt und die Gegenbondinsel zuverlässig miteinander verbunden werden, so daß die Leiterplatte leicht an dem Partnerelement montiert werden kann.
  • Der obige Schenkelabschnitt weist in mehreren Richtungen vorstehende Teile auf. In diesem Fall entsteht innerhalb des Durchkontaktlochs ein Zwischenraum mit wellenförmiger Querschnittsform zwischen den mehreren vorstehenden Teilen im Schenkelabschnitt. Der Schenkelabschnitt wird durch das leitfähige Material in diesem wellenförmigen Zwischenraum zuverlässig mit einer Innenwand des Durchkontaktlochs verbunden. Folglich kann der Verbindungsstift fest an dem Durchkontaktloch fixiert werden.
  • Der obige Verbindungskopfabschnitt wird vorzugsweise aus einem kugelförmigen Körper aufgebaut, wie in Anspruch 3 beschrieben. In diesem Fall kann der Verbindungskopfabschnitt des Verbindungsstifts stabil mit der Gegenbondinsel verbunden werden.
  • Zum Beispiel gibt es ein Leiterplattenherstellungsverfahren, wie in Anspruch 4 beschrieben, als Verfahren zur Herstellung der Leiterplatte mit dem obigen Verbindungsstift. Dieses Leiterplattenherstellungsverfahren ist dadurch gekennzeichnet, daß das Herstellungsverfahren aufweist:
    ein Verfahren zur Herstellung eines Schaltkreissubstrats mit einer Leiterschaltung und einem Durchkontaktlochs
    ein Verfahren zur Herstellung eines Verbindungsstifts, der durch ein Material gebildet wird, das bei einer Erhitzungstemperatur beim Verbinden des Verbindungsstifts mit einer Gegenbondinsel nicht geschmolzen wird, und der durch einen Schenkelabschnitt und einen Verbindungskopfabschnitt gebildet wird, der größer ist als ein Öffnungsdurchmesser des Durchkontaktlochs und einen Verbindungsabschnitt zu der Gegenbondinsel bildet;
    ein Verfahren zum Einsetzen des Schenkelabschnitts des Verbindungsstifts in das Durchkontaktloch; und
    ein Verfahren, um das Innere des Durchkontaktlochs mit einem leitfähigen Material zu füllen und das Durchkontaktloch und den Schenkelabschnitt durch das leitfähige Material miteinander zu verbinden.
  • Bei der vorliegenden Erfindung wird der Schenkelabschnitt des Verbindungsstifts in das Durchkontaktloch eingesetzt. Der Verbindungsstift weist den Verbindungskopfabschnitt auf, um den Verbindungsstift mit der Gegenbondinsel zu verbinden. Daher kann man nach dem erfindungsgemäßen Herstellungsverfahren eine Leiterplatte zum elektrischen Verbinden des Durchkontaktlochs und der Gegenbondinsel durch den Verbindungsstift erhalten. Daher ist es nicht notwendig, wie im herkömmlichen Fall die Bondinsel zur Montage einer Kugel usw. anzuordnen. Dementsprechend kann ferner in einem auf der Oberfläche des Schaltkreissubstrats ausgebildeten überschüssigen Raum eine weitere Leiterschaltung ausgebildet werden, so daß eine Verdrahtung mit hoher Dichte ausgeführt werden kann.
  • Der Verbindungsstift wird unter Verwendung eines Materials hergestellt, das beim Verbinden des Verbindungsstifts mit der Gegenbondinsel nicht geschmolzen wird. Daher kann man eine Leiterplatte erhalten, die parallel mit einem Partnerelement usw. verbunden werden kann. Da ferner durch Einsetzen des Verbindungskopfabschnitts des Verbindungsstifts in das Durchkontaktloch der Verbindungsstift mit dem Durchkontaktloch verbunden wird, wird eine hohe Verbindungsfestigkeit mit der Gegenbondinsel erreicht.
  • Wie in Anspruch 5 beschrieben, ist es vorzuziehen, den Verbindungskopfabschnitt des obigen Verbindungsstifts vor dem Einsetzen des Verbindungskopfabschnitts in das Durchkontaktloch mit dem leitfähigen Material zu überziehen. In diesem Fall kann, ähnlich wie bei der Erfindung gemäß Anspruch 2, die Leiterplatte zuverlässig und leicht an dem Partnerelement montiert werden.
  • Wie in den Ansprüchen 6 und 8 beschrieben, ist das obige leitfähige Element vorzugsweise ein Lötelement. In diesem Fall kann der Schenkelabschnitt des Verbindungsstifts zuverlässig mit dem Durchkontaktloch verbunden werden, und zwischen dem Schenkelabschnitt und dem Durchkontaktloch wird eine bessere elektrische Leitfähigkeit erreicht.
  • Das obige leitfähige Material kann ebenso wie bei der Erfindung gemäß den Ansprüchen 7 und 9 aus einem Epoxidharz bestehen, das mit einem Silberfüllstoff imprägniert ist. In diesem Fall kann der Schenkelabschnitt des Verbindungsstifts zuverlässig mit dem Durchkontaktloch verbunden werden, und zwischen dem Schenkelabschnitt und dem Durchkontaktloch wird eine bessere elektrische Leitfähigkeit erreicht.
  • Als nächstes wird ein typisches Beispiel einer Leiterplatte erläutert, die durch Verbinden einer Verbindungskugel anstelle des obigen Verbindungsstifts mit dem Durchkontaktloch aufgebaut wird.
  • Ein derartiges Beispiel ist eine Leiterplatte mit einem Schaltkreissubstrat, das eine Leiterschaltung und ein Durchkontaktloch sowie eine Verbindungskugel aufweist, die mit dem Durchkontaktloch verbunden wird;
    wobei die Leiterplatte dadurch gekennzeichnet ist, daß die Verbindungskugel unter Verwendung eines Materials hergestellt wird, das bei einer Erhitzungstemperatur beim Verbinden der Verbindungskugel mit einer Gegenbondinsel nicht geschmolzen wird, und durch einen Verbindungskopfabschnitt, der größer ist als ein Öffnungsabschnitt des Durchkontaktlochs und einen Verbindungsabschnitt mit der Gegenbondinsel bildet, und einen unteren Abschnitt gebildet wird, der dem Öffnungsabschnitt des Durchkontaktlochs gegenüberliegt, und daß der untere Abschnitt in dem Öffnungsabschnitt des Durchkontaktlochs angeordnet und durch ein leitfähiges Material, welches das Innere des Durchkontaktlochs füllt, mit dem Durchkontaktloch verbunden wird.
  • Besonders bemerkenswert ist, daß die Verbindungskugel, die den Verbindungskopfabschnitt aufweist, mit dem Durchkontaktloch verbunden wird, und der untere Abschnitt der Verbindungskugel durch das leitfähige Material, welches das Innere des Durchkontaktlochs füllt, mit dem Durchkontaktloch verbunden wird.
  • Die obige Verbindungskugel weist den Verbindungskopfabschnitt zum Verbinden der Verbindungskugel mit der Gegenbondinsel und außerdem den unteren Abschnitt auf, der dem Öffnungsabschnitt des Durchkontaktlochs gegenüberliegt. Der Verbindungskopfabschnitt ist größer als der Durchmesser des Öffnungsabschnitts des Durchkontaktlochs und steht aus dem Durchkontaktloch hervor. Der Bodenabschnitt ist ein Abschnitt, der dem Öffnungsabschnitt gegenüberliegt und durch das leitfähige Material mit dem Durchkontaktloch verbunden wird.
  • Nachstehend werden die Funktionsweise und Auswirkungen der Erfindung beschrieben.
  • In der Leiterplatte des Beispiels wird die Verbindungskugel mit dem Durchkontaktloch verbunden. Die Verbindungskugel weist den Verbindungskopfabschnitt zum Verbinden der Verbindungskugel mit der Gegenbondinsel auf. Daher können das Kontaktloch und die Gegenbondinsel durch die Verbindungskugel elektrisch miteinander verbunden werden, indem der Verbindungskopfabschnitt mit der Gegenbondinsel verbunden wird.
  • Ferner wird die Verbindungskugel mit dem Öffnungsabschnitt des Durchkontaktlochs verbunden. Daher können das Durchkontaktloch und die Gegenbondinsel in einander gegenüberliegendem Zustand elektrisch miteinander verbunden werden. Dementsprechend ist es unnötig, wie im herkömmlichen Fall zusätzlich zu dem Durchkontaktloch eine Bondinsel zur Montage einer Lötkugel anzuordnen.
  • Außerdem ist es unnötig, wie im herkömmlichen Fall eine Leiterschaltung zur Verbindung des Durchkontaktlochs und der Bondinsel zur Montage der Kugel zu bilden.
  • Daher entsteht auf einer Oberfläche des Schaltkreissubstrats in einem Abschnitt mit Ausnahme des Öffnungsabschnitts des Durchkontaktlochs ein überschüssiger Raum. Folglich können in diesem Raum viele weitere Leiterschaltungen ausgebildet werden, so daß auf der Substratoberfläche eine Verdrahtungsstruktur mit hoher Dichte realisiert werden kann.
  • Die Verbindungskugel wird unter Verwendung eines Materials hergestellt, das bei der Erhitzungstemperatur beim Ver binden der Verbindungskugel mit der Gegenbondinsel nicht geschmolzen wird. Daher wird eine konstante Höhe der Verbindungskugel ohne Schmelzverformung in der obigen Verbindung aufrechterhalten. Dementsprechend funktioniert die Verbindungskugel zum Zeitpunkt der Verbindung als Stütze der Leiterplatte.
  • Der Verbindungskopfabschnitt einer derartigen Verbindungskugel, die als Stütze funktioniert, ist größer als der Öffnungsabschnitt des Durchkontaktlochs. Wenn daher die Verbindungskugel wie im herkömmlichen Beispiel mit dem Durchkontaktloch verbunden wird, kommt der Verbindungskopfabschnitt mit dem Öffnungsabschnitt des Durchkontaktlochs in Eingriff und tritt nicht ins Innere des Durchkontaktlochs ein. Dementsprechend kann der Verbindungskopfabschnitt um die gleiche Höhe von einer Oberfläche des Schaltkreissubstrats hervorstehen.
  • Wenn der Verbindungskopfabschnitt und die Gegenbondinsel miteinander verbunden werden, wird daher der Abstand zwischen der Leiterplatte und einem Partnerelement, wie z. B. einer Grundplatine mit der obigen Gegenbondinsel usw., durch den obigen Verbindungskopfabschnitt ständig gesichert. Dementsprechend kann die Leiterplatte in paralleler Anordnung mit dem Partnerelement verbunden werden.
  • Da bei der Erhitzungstemperatur beim Verbinden keine Verbindungskugel geschmolzen und deformiert wird, ist die Kontrolle eines Schmelzzustands des leitfähigen Materials für die Verbindung nicht notwendig. Dementsprechend können die Verbindungskugel und die Gegenbondinsel leicht miteinander verbunden werden.
  • Die Verbindungskugel wird im Öffnungsabschnitt des Durchkontaktlochs angeordnet, und die Verbindungskugel und das Durchkontaktloch werden durch das leitfähige Material miteinander verbunden. Da ferner die Leiterplatte gemäß der vorliegenden Erfindung keine Struktur aufweist, um wie im herkömmlichen Beispiel eine Lötkugel mit der Bondinsel zur Montage der Kugel zu verbinden, ist nicht zu befürchten, daß zwischen der Lötkugel und der Bondinsel zur Montage der Kugel eine Zwischenschicht entsteht, die eine Verminderung der Bindungsfes tigkeit verursacht. Dementsprechend kann die Verbindungskugel fest an dem Durchkontaktloch fixiert werden.
  • Vorzugsweise wird der Verbindungskopfabschnitt der obigen Verbindungskugel mit dem leitfähigen Material überzogen.
  • In diesem Fall wird, wenn der Verbindungskopfabschnitt auf der Gegenbondinsel auf der Grundplatine angeordnet und erhitzt wird, das leitfähige Material geschmolzen, das eine Oberfläche des Verbindungskopfabschnitts bedeckt, so daß der Verbindungskopfabschnitt und die Gegenbondinsel leicht miteinander verbunden werden. Dementsprechend können der Verbindungskopfabschnitt und die Gegenbondinsel zuverlässig miteinander verbunden werden, so daß die Leiterplatte leicht an dem Partnerelement usw. montiert werden kann.
  • Der obige Verbindungskopfabschnitt wird vorzugsweise als kugelförmiger Körper eingerichtet. In diesem Fall kann der Verbindungskopfabschnitt der Verbindungskugel stabil mit der Gegenbondinsel auf der Grundplatine verbunden werden.
  • Der untere Abschnitt der Verbindungskugel kann auch durch eine ebene Fläche, einen Kugelflächenabschnitt oder eine konvexe Form gebildet werden. Der untere Abschnitt wird im Hinblick auf eine leichte Montage vorzugsweise durch eine ebene Fläche gebildet.
  • Zum Beispiel gibt es ein Leiterplattenherstellungsverfahren, das die obige Verbindungskugel aufweist. Dieses Leiterplattenherstellungsverfahren ist dadurch gekennzeichnet, daß das Herstellungsverfahren aufweist:
    ein Verfahren zur Herstellung eines Schaltkreissubstrats mit einer Leiterschaltung und einem Durchkontaktloch;
    ein Verfahren zur Herstellung einer Verbindungskugel, die durch ein Material gebildet wird, das bei einer Erhitzungstemperatur beim Verbinden der Verbindungskugel mit einer Gegenbondinsel nicht geschmolzen wird, und die aus einem unteren Abschnitt und einem Verbindungskopfabschnitt besteht, der größer ist als ein Öffnungsabschnitt des Durchkontaktlochs und einen Verbindungsabschnitt mit der Gegenbondinsel bildet;
    ein Verfahren zum Anordnen der Verbindungskugel in einem Zustand, in dem der untere Abschnitt dem Öffnungsabschnitt des Durchkontaktlochs gegenüberliegt; und
    ein Verfahren zum Füllen des Inneren des Durchkontaktlochs mit einem leitfähigen Material und zum Verbinden des Durchkontaktlochs und des unteren Abschnitts miteinander durch das leitfähige Material.
  • Die Verbindungskugel mit dem Verbindungskopfabschnitt wird in dem Öffnungsabschnitt des Durchkontaktlochs angeordnet und mit dem Durchkontaktloch verbunden, indem das Innere des Durchkontaktlochs mit dem leitfähigen Material gefüllt wird. Daher kann man nach dem erfindungsgemäßen Herstellungsverfahren eine Leiterplatte zum elektrischen Verbinden des Durchkontaktlochs und der Gegenbondinsel von der Verbindungskugel aus erhalten.
  • Daher ist es unnötig, wie im herkömmlichen Fall die Bondinsel zur Montage der Kugel usw. anzuordnen. Dementsprechend kann ferner in einem überschüssigen Raum, der auf einer Oberfläche des Schaltkreissubstrats entsteht, eine weitere Leiterschaltung ausgebildet werden, so daß eine Verdrahtung mit hoher Dichte ausgeführt werden kann.
  • Die Verbindungskugel wird unter Verwendung eines Materials hergestellt, das beim Verbinden der Verbindungskugel mit der Gegenbondinsel nicht geschmolzen wird. Daher ist es möglich, eine Leiterplatte zu erhalten, die mit einem Partnerelement usw. parallel zu diesem Partnerelement verbunden werden kann. Da ferner der untere Abschnitt der Verbindungskugel dem Öffnungsabschnitt des Durchkontaktlochs gegenüberliegt und die Verbindungskugel durch das leitfähige Material mit dem Durchkontaktloch verbunden wird, wird eine hohe Verbindungsfestigkeit zu der Gegenbondinsel erreicht.
  • Vorzugsweise wird der Verbindungskopfabschnitt der obigen Verbindungskugel mit dem leitfähigen Material beschichtet, bevor der Verbindungskopfabschnitt in dem Durchkontaktloch angeordnet wird. In diesem Fall kann die Leiterplatte zuverlässig und leicht an dem Partnerelement montiert werden.
  • Die Verfahren zum Anordnen der obigen Verbindungskugel und zum Füllen des Inneren des Durchkontaktlochs mit dem leit fähigen Material werden vorzugsweise in einem Zustand ausgeführt, in dem der Verbindungskopfabschnitt der obigen Verbindungskugel in eine Ansaugöffnung einer Saugvorrichtung aufgenommen wird. In diesem Fall kann die Verbindungskugel leicht mit dem Durchkontaktloch verbunden werden.
  • Das Innere des obigen Durchkontaktlochs wird von dem Öffnungsabschnitt auf einer Anordnungsseite der Verbindungskugel aus mit dem leitfähigen Material gefüllt und wird außerdem von einem Öffnungsabschnitt auf einer Seite, die dem Öffnungsabschnitt auf der Anordnungsseite der Verbindungskugel gegenüberliegt, mit dem leitfähigen Material gefüllt. Das Innere des Durchkontaktlochs kann mit dem leitfähigen Material gefüllt werden, bevor die Verbindungskugel in dem Öffnungsabschnitt angeordnet wird. Ferner kann das Innere des Durchkontaktlochs mit dem leitfähigen Material gefüllt werden, nachdem die Verbindungskugel in dem Öffnungsabschnitt angeordnet wird. Zum Beispiel wird das Innere des Durchkontaktlochs durch ein Verfahren zum Drucken des pastenförmigen leitfähigen Materials in dem Öffnungsabschnitt des Durchkontaktlochs und zum Erhitzen und Aufschmelzen dieses leitfähigen Materials, ein Verfahren zum Eintauchen des Öffnungsabschnitts des Durchkontaktlochs in das geschmolzene leitfähige Material, ein Schwall-Lötverfahren usw. mit dem leitfähigen Material gefüllt.
  • Ähnlich wie bei der Erfindung in Bezug auf den obigen Verbindungsstift wird auch bei der vorliegenden Erfindung bezüglich der Verbindungskugel vorzugsweise ein Lötmaterial aus Epoxidharz, das mit einem Silberfüllstoff usw. imprägniert ist, als das obige leitfähige Material eingesetzt. Die vorliegende Erfindung ist jedoch nicht auf diesen Fall beschränkt.
  • Das Innere des Durchkontaktlochs wird unter Anwendung eines Verfahrens, das demjenigen im Fall der Erfindung bezüglich des obigen Verbindungsstifts ähnlich ist, mit dem leitfähigen Material gefüllt.
  • Kurze Beschreibung der Zeichnungen
  • 1 zeigt eine teilweise geschnittene Ansicht einer Leiterplatte in einer Ausführungsform gemäß Beispiel 1.
  • 2 zeigt eine Schnittansicht eines Verbindungsstifts in der Ausführungsform gemäß Beispiel 1.
  • 3 zeigt eine erläuternde Darstellung eines Schaltkreissubstrats in der Ausführungsform gemäß Beispiel 1, in der mehrere Harzsubstrate laminiert, gepreßt und aneinander befestigt werden.
  • 4 zeigt eine erläuternde Darstellung des Sehaltkreissubstrats, das ein Durchkontaktloch bildet, in der Ausführungsform gemäß Beispiel 1.
  • 5 zeigt eine erläuternde Darstellung, die ein Verfahren zum Einsetzen des Verbindungsstifts in das Durchkontaktloch in der Ausführungsform gemäß Beispiel 1 darstellt.
  • 6 zeigt eine erläuternde Darstellung, die einen Zustand, in dem ein Lötmaterial auf einem Öffnungsabschnitt des Durchkontaktlochs angeordnet ist, in der Ausführungsform gemäß Beispiel 1 darstellt.
  • 7 zeigt eine erläuternde Darstellung, die einen Zustand, in dem das Durchkontaktloch und der Verbindungsstift gelötet und miteinander verbunden sind, in der Ausführungsform gemäß Beispiel 1 darstellt.
  • 8 zeigt eine erläuternde Darstellung, die einen Zustand, in dem die Leiterplatte auf einer Grundplatine angeordnet ist, in der Ausführungsform gemäß Beispiel 1 darstellt.
  • 9 zeigt eine erläuternde Darstellung, die einen Zustand, in dem die Leiterplatte an der Grundplatine befestigt ist, in der Ausführungsform gemäß Beispiel 1 darstellt.
  • 10 zeigt eine erläuternde Draufsicht der Leiterplatte in der Ausführungsform gemäß Beispiel 1.
  • 11 zeigt eine erläuternde Schnittansicht einer Leiterplatte in einer Ausführungsform gemäß Beispiel 2.
  • 12 zeigt eine Schnittansicht, gesehen in Richtung einer Pfeillinie C-C von 11.
  • 13 zeigt eine Vorderansicht eines Verbindungsstifts in einer Ausführungsform gemäß Beispiel 3.
  • 14 zeigt eine erläuternde Schnittansicht eines Durchkontaktlochs, in das ein Schenkelabschnitt des Verbindungsstifts eingesetzt wird, in der Ausführungsform gemäß Beispiel 3.
  • 15 zeigt eine Schnittansicht, gesehen in Richtung einer Pfeillinie A-A von 14 in der Ausführungsform gemäß Beispiel 3.
  • 16 zeigt eine Schnittansicht, gesehen in Richtung einer Pfeillinie B-B von 14 in der Ausführungsform gemäß Beispiel 3.
  • 17 zeigt eine Schnittansicht einer Leiterplatte in einer Ausführungsform gemäß Beispiel 4.
  • 18 zeigt eine teilweise geschnittene Darstellung einer Leiterplatte in einer Ausführungsform gemäß Beispiel 5.
  • 19 zeigt eine perspektivische Ansicht eines unteren Abschnitts einer Verbindungskugel in der Ausführungsform gemäß Beispiel 5.
  • 20 zeigt eine erläuternde Darstellung, die ein Verfahren zum Ansaugen der Verbindungskugel an eine Saugvorrichtung in der Ausführungsform gemäß Beispiel 5 darstellt.
  • 21 zeigt eine erläuternde Darstellung, die ein Verfahren zur Montage der Verbindungskugel an einem Öffnungsabschnitt eines Durchkontaktlochs in der Ausführungsform gemäß Beispiel 5 darstellt.
  • 22 zeigt eine erläuternde Darstellung, die ein Verfahren zum Füllen des Inneren des Durchkontaktlochs mit einem Lötmaterial in der Ausführungsform gemäß Beispiel 5 darstellt.
  • 23 zeigt eine erläuternde Darstellung, die einen Zustand, in dem die Leiterplatte auf einer Grundplatine angeordnet ist, in der Ausführungsform gemäß Beispiel 5 darstellt.
  • 24 zeigt eine erläuternde Darstellung, die einen Zustand, in dem die Leiterplatte an der Grundplatine befestigt ist, in der Ausführungsform gemäß Beispiel 5 darstellt.
  • 25 zeigt eine erläuternde Schnittdarstellung einer Leiterplatte in einer Ausführungsform gemäß Beispiel 6.
  • 26 zeigt eine erläuternde Schnittdarstellung einer Leiterplatte in einer Ausführungsform gemäß Beispiel 7.
  • 27 zeigt eine Schnittansicht einer Leiterplatte in einem herkömmlichen Beispiel
  • 28 zeigt eine Rückansicht der Leiterplatte in dem herkömmlichen Beispiel.
  • 29 zeigt eine erläuternde Darstellung, die ein Problem einer Lötkugel in dem herkömmlichen Beispiel darstellt.
    • 1
    Verbindungsstift
    11
    Verbindungskopfabschnitt
    12
    Schenkelabschnitt
    111
    unterer Abschnitt
    112
    Nut
    121
    Endspitzenabschnitt
    122
    mittlerer Abschnitt
    125
    vorstehender Abschnitt
    2
    Lot
    20
    Lötmaterial
    100
    Leiterplatte
    3
    Verbindungskugel
    31
    Verbindungskopfabschnitt
    32
    unterer Abschnitt
    39
    Saugvorrichtung
    4
    Wärmestrahlungsplatte
    5
    Leiterschaltung
    6
    Schaltkreissubstrat
    60
    Durchkontaktloch
    61
    Harzsubstrat
    7
    Montageabschnitt
    8
    Grundplatine
    81
    Gegenbondinsel
  • Beste Ausführungsarten der Erfindung
  • Ausführungsbeispiel 1
  • Als nächstes wird unter Verwendung der 1 bis 10 ein Beispiel einer Leiterplatte in einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung erläutert.
  • Wie in 1 darstellt, weist die Leiterplatte 100 in diesem Beispiel ein Schaltkreissubstrat 6 mit einer Leiter schaltung 5 und einem Durchkontaktloch 60 sowie einen in das Durchkontaktloch 60 eingesetzten Verbindungsstift 1 auf.
  • Der Verbindungsstift 1 wird unter Verwendung eines Materials hergestellt, das bei einer Erhitzungstemperatur beim Löten und Verbinden des Verbindungsstifts 1 mit einer Gegenbondinsel 81 auf einer Grundplatine 8 nicht geschmolzen wird. Zum Beispiel wird der Verbindungsstift 1 unter Verwendung von Covar, Phosphorbronze usw. hergestellt. Der Verbindungsstift 1 besteht aus einem Verbindungskopfabschnitt 11 und einem Schenkelabschnitt 12. Der Verbindungskopfabschnitt 11 ist größer als ein Öffnungsdurchmesser des Durchkontaktlochs 60 und bildet einen Verbindungsabschnitt zur Gegenbondinsel 81. Der Schenkelabschnitt 12 weist eine Größe auf, die das Einsetzen dieses Schenkelabschnitts 12 in das Durchkontaktloch 60 ermöglicht. Der Schenkelabschnitt 12 wird in das Durchkontaktloch 60 eingesetzt und durch ein Lötmaterial 20 mit einer Wandfläche des Durchkontaktlochs 60 verbunden.
  • Wie in 2 dargestellt, werden der Verbindungskopfabschnitt 11 und der Schenkelabschnitt 12 des Verbindungsstifts 1 mit Lot 2 überzogen, das eine Dicke von 10 μm aufweist.
  • Der Verbindungskopfabschnitt 11 wird in Form eines kugelförmigen Körpers mit einem Durchmesser von 0,75 mm und einer Höhe von 0,6 mm ausgebildet. Ein unterer Abschnitt 111 des Verbindungskopfabschnitts 11, d. h. ein Abschnitt in dem Verbindungskopfabschnitt 11, der dem Schaltkreissubstrat 6 gegenüberliegt, bildet eine ebene Fläche. Ein mittlerer Abschnitt 122 des Schenkelabschnitts 12 ist kleiner als ein Endspitzenabschnitt 121 des Schenkelabschnitts 12. Ein größter Durchmesser des Endspitzenabschnitts 121 des Schenkelabschnitts 12 wird auf 0,35 mm festgesetzt. Ein Mindestdurchmesser des Mittelabschnitts 122 des Schenkelabschnitts 12 wird auf 0,2 mm festgesetzt. Der Schenkelabschnitt 12 hat eine Länge von 1,6 mm.
  • Ein Öffnungsdurchmesser des Durchkontaktlochs 60 wird auf 0,32 mm festgesetzt. Das Durchkontaktloch 60 hat eine Länge von 1,8 mm.
  • Wie in 1 dargestellt, wird das Schaltkreissubstrat 6 geformt, indem mehrere Harzsubstrate 61 laminiert und durch einen Klebstoff 43 unter Druck miteinander verbunden werden. Eine Oberfläche jedes Harzsubstrats 61 wird mit einer Resistschicht 69 überzogen. Ein konkaver Montageabschnitt 7 für die Montage eines Elektronikteils 70 ist in dem Schaltkreissubstrat 6 ausgebildet. Eine Unterseite des Montageabschnitts 7 wird durch eine Wärmestrahlungsplatte 4 gebildet, die an das Schaltkreissubstrat 6 angeklebt ist. Die Wärmestrahlungsplatte 4 wird durch einen Klebstoff 91 an das Schaltkreissubstrat 6 angeklebt.
  • Wie in den 1 und 10 dargestellt, ist die Leiterschaltung 5 auf einer Oberfläche des Schaltkreissubstrats 6 und außerdem innerhalb dieses Schaltkreissubstrats 6 angeordnet. Die Leiterschaltung 5 weist in der Nähe des Montageabschnitts 7 einen Bondinselabschnitt 51 auf. Ein mit dem Elektronikteil 70 verbundener Bonddraht 71 wird durch Lot mit dem Bondinselabschnitt 51 verbunden.
  • Die Leiterplatte 100 in diesem Beispiel ist ein Substrat vom Typ mit der Chipkontaktseite nach unten zur Montage von Elektronikteilen. In dieser Leiterplatte 100 liegt der Montageabschnitt 7 zur Montage des Elektronikteils 70 gegenüber der Grundplatine 8.
  • Bei der Herstellung der obigen Leiterplatte wird das Schaltkreissubstrat 6 geformt (3), der Verbindungsstift 1 wird eingesetzt (5), und der Verbindungsstift 1 wird durch das Lötmaterial 20 verbunden (6). Als nächstes wird ein Herstellungsverfahren der Leiterplatte ausführlich erläutert.
  • Zunächst wird eine Kupferfolie an mehrere Harzsubstrate angeklebt, und ein Durchkontaktloch zur Ausbildung eines Montageabschnitts wird gebohrt. Die Kupferfolie wird geätzt, und eine Leiterschaltung 5 wird auf einer Oberfläche jedes Harzsubstrats 61 ausgebildet, wie in 3 dargestellt. Als nächstes wird die Leiterschaltung 5 auch durch ein Metallisierungsverfahren in der Innenwand eines Durchkontaktlochs 79 ausgebildet.
  • Als nächstes wird die Oberfläche jedes Harzsubstrats 61 mit einer Resistschicht 69 überzogen, mit Ausnahme des Durchkontaktlochs 79 und eines Abschnitts in der Nähe eines Durchkontaktlochbildungsabschnitts. Anschließend werden diese Harzsubstrate 61 laminiert und unter Wärme- und Druckeinwirkung durch einen Epoxidklebstoff 43 miteinander verbunden. Auf diese Weise erhält man ein Schaltkreissubstrat 6 mit der mehrschichtigen Leiterschaltung 5.
  • Als nächstes wird, wie in 4 dargestellt, ein Durchkontaktloch 60 gebohrt, das durch das Schaltkreissubstrat 6 hindurchgeht. Anschließend wird eine aus Kupfer aufgebaute Metallisierungsschicht 600 durch ein stromloses Abscheidungsverfahren und ein elektrolytisches Abscheidungsverfahren auf einer Wandfläche des Durchkontaktlochs 60 ausgebildet.
  • Als nächstes wird, wie in 5 dargestellt, der oben erwähnte Verbindungsstift 1 von einem Öffnungsabschnitt 601 des Durchkontaktlochs 60 aus im Preßsitz in das Durchkontaktloch 60 eingesetzt. Die Oberfläche des Verbindungsstifts 1 ist mit Lot 2 überzogen. Da dabei ein Endspitzenabschnitt 121 eines Schenkelabschnitts 12 des Verbindungsstifts 1, wie in 2 dargestellt, etwas größer ist als ein Durchmesser des Durchkontaktlochs 60, wird der Verbindungsstift 1 in das Durchkontaktloch 60 eingesetzt und drückt dabei gegen eine Wandfläche des Durchkontaktlochs 60. Wenn der Schenkelabschnitt annähernd fehlerfrei in das Durchkontaktloch 60 eingesetzt wird, kommt eine Unterseite 111 eines Verbindungskopfabschnitts 11 in Eingriff mit einem Öffnungsabschnitt 601 des Durchkontaktlochs 60, so daß das Einsetzen des Verbindungsstifts 1 gestoppt wird.
  • Als nächstes wird, wie in 6 dargestellt, auf einer der Einführungsrichtung des Verbindungsstifts 1 gegenüberliegenden Seite ein in Pastenform ausgebildetes Lötmaterial 20 auf einem Öffnungsabschnitt 602 des Durchkontaktlochs 60 angeordnet.
  • Als nächstes wird, wie in 7 dargestellt, das Lötmaterial 20 durch IR-Aufschmelzen, Heißluftaufschmelzverfahren usw. geschmolzen, so daß das Innere des Durchkontaktlochs 60 mit dem Lötmaterial 20 gefüllt wird. Auf diese Weise wird der Schenkelabschnitt 12 des Verbindungsstifts 1 durch das Lötmaterial 20 mit dem Durchkontaktloch 60 verbunden.
  • Als nächstes wird, wie in 8 dargestellt, eine Wärmestrahlungsplatte 4 durch einen aus Epoxidharz bestehenden Klebstoff 41 mit dem Schaltkreissubstrat 6 verbunden. Die Wärmestrahlungsplatte 4 wird so an das Schaltkreissubstrat 6 angeklebt, daß sie einen Öffnungsabschnitt des in dem äußersten Harzsubstrat 61 ausgebildeten Durchkontaktlochs 79 bedeckt. Nach dem Ankleben unter Verwendung des obigen Klebstoffs 41 gibt es auch einen Fall, in dem eine Seitenfläche der Wärmestrahlungsplatte 4 und eine Oberfläche des Schaltkreissubstrats 6 durch einen aus Lot bestehenden Klebstoff 42 miteinander verbunden werden.
  • Auf diese Weise erhält man die obige Leiterplatte 100. Wie in 8 dargestellt, wird ein Elektronikteil 70 durch einen Klebstoff 44 an einen Montageabschnitt 7 der obigen Leiterplatte 100 angeklebt. Der Elektronikteil 70 wird durch einen Bonddraht 71 elektrisch mit einem Bondinselabschnitt 51 der Leiterschaltung 5 verbunden. Der Elektronikteil 70 und der Bonddraht 71 werden durch Harz versiegelt.
  • Als nächstes wird der Verbindungsstift 1 der Leiterplatte 100 auf der Oberfläche einer Gegenbondinsel 81 der Grundplatine 8 angeordnet. Als nächstes wird, wie in 9 dargestellt, das Lot 2, das den Verbindungsstift 1 bedeckt, durch Erhitzen des Verbindungsstifts 1 geschmolzen. Auf diese Weise werden der Verbindungskopfabschnitt 11 des Verbindungsstifts 1 und die Gegenbondinsel 81 durch das Lot 2 miteinander verbunden.
  • Als nächstes werden die Funktionsweise und die Auswirkungen dieses Beispiels erläutert.
  • Wie in 1 dargestellt, wird in diesem Beispiel der Verbindungsstift 1 in das Durchkontaktloch 60 in der Leiterplatte 100 eingesetzt. Der Verbindungsstift 1 weist den Verbindungskopfabschnitt 11 zum Verbinden des Verbindungsstifts 1 mit der Gegenbondinsel 81 auf. Als Ergebnis können durch Verbinden des Verbindungskopfabschnitts 11 mit der Gegenbondinsel 81 das Durchkontaktloch 60 und die Gegenbondinsel 81 elektrisch miteinander verbunden werden.
  • Da das Durchkontaktloch 60 und die Gegenbondinsel 81 in einander gegenüberliegendem Zustand durch den Verbindungsstift 1 miteinander verbunden werden können, ist es ferner unnötig, wie im herkömmlichen Fall zusätzlich zu dem Durchkontaktloch 60 eine Bondinsel zur Montage einer Lötkugel anzuordnen. Außerdem ist es unnötig, wie im herkömmlichen Fall eine Leiterschaltung auszubilden, um das Durchkontaktloch 60 und die Bondinsel zur Montage der Kugel miteinander zu verbinden. Daher entsteht, wie in 10 dargestellt, ein überschüssiger Raum auf der Oberfläche des Schaltkreissubstrats 6 in einem Abschnitt mit Ausnahme des Öffnungsabschnitts des Durchkontaktlochs 60. In diesem Raum kann eine weitere Leiterschaltung 50 ausgebildet werden, so daß eine Verdrahtungsstruktur von hoher Dichte realisiert werden kann.
  • Insbesondere ist in der Leiterplatte 100 in diesem Beispiel, wie in 9 dargestellt, der Montageabschnitt 7 auf einer der Grundplatine 8 gegenüberliegenden Seite geöffnet, d. h. auf einer Seite, aus welcher der Verbindungsstift 1 hervorsteht. Wie in 10 dargestellt, sind in der Nähe eines Öffnungsabschnitts des Montageabschnitts 7 viele Bondinselabschnitte 51 angeordnet. Dementsprechend müssen viele Leiterschaltungen 50 ausgebildet werden, um die Bondinselabschnitte 51 und das Durchkontaktloch 60 miteinander zu verbinden. Daher können bei der Ausbildung vieler Leiterschaltungen 50 in dem obigen überschüssigen Raum auf der Oberfläche des Schaltkreissubstrats 6, wie in diesem Beispiel, die Bondinselabschnitte 51 und das Durchkontaktloch 60 mit hoher Dichte verbunden und verdrahtet werden.
  • Bei der Leiterplatte 100 mit nach unten weisender Chipkontaktseite, wie in diesem Beispiel, ist es folglich sehr wichtig, über eine Struktur zu verfügen, in welcher der Verbindungsstift 1 in das Durchkontaktloch 60 eingesetzt und durch den Verbindungskopfabschnitt 11 des Verbindungsstifts 1 mit der Grundplatine 8 verbunden wird.
  • Der Verbindungsstift 1 wird unter Verwendung eines Materials hergestellt, das bei einer Erhitzungstemperatur, bei welcher der Verbindungsstift 1 gelötet und mit der Gegenbondinsel 81 verbunden wird, nicht geschmolzen wird. Daher wird beim Löten und Verbinden eine konstante Höhe des Verbindungskopfabschnitts 11 ohne Schmelzdeformation aufrechterhalten. Dementsprechend funktioniert der Verbindungskopfabschnitt 11 als Stütze der Leiterplatte beim Löten und Verbinden.
  • Wie in 2 dargestellt, ist ein derartiger Verbindungskopfabschnitt 11, der als Stütze funktioniert, größer als ein Öffnungsdurchmesser des Durchkontaktlochs 60. Wenn daher der Schenkelabschnitt 12 des Verbindungsstifts 1 in das Durchkontaktloch 60 eingesetzt wird, kommt der Verbindungskopfabschnitt 11 in Eingriff mit dem Öffnungsabschnitt 601 des Durchkontaktlochs 60 und tritt nicht ins Innere des Durchkontaktlochs 60 ein. Folglich kann der Verbindungskopfabschnitt 11 um die gleiche Höhe aus der Oberfläche des Schaltkreissubstrats 6 hervorstehen.
  • Daher wird, wie in 9 dargestellt, wenn der Verbindungskopfabschnitt 11 und die Gegenbondinsel 81 miteinander verlötet und verbunden werden, der Abstand zwischen der Grundplatine 8 und der Leiterplatte 100 ständig durch den Verbindungskopfabschnitt 11 sichergestellt. Folglich kann die Leiterplatte 100 in paralleler Anordnung mit der Grundplatine 8 verbunden werden.
  • Da bei der Erhitzungstemperatur beim Löten und Verbinden der Verbindungsstift 1 nicht geschmolzen und deformiert wird, braucht der Schmelzzustand des zum Verbinden verwendeten Lots nicht kontrolliert zu werden. Folglich können der Verbindungsstift 1 und die Gegenbondinsel 81 leicht miteinander verlötet und verbunden werden.
  • Ferner wird der Schenkelabschnitt 12 des Verbindungsstifts 1 in das Durchkontaktloch 60 eingesetzt, und der Schenkelabschnitt 12 und das Durchkontaktloch 60 werden durch das Lötmaterial 20 miteinander verbunden. Daher kann in der Leiterplatte 100 in diesem Beispiel eine Struktur (siehe 29) zum Verbinden einer Lötkugel mit einer Bondinsel zur Montage der Kugel, wie in dem herkömmlichen Beispiel, vermieden werden. Folglich ist nicht zu befürchten, daß zwischen der Lötkugel und der Bondinsel zur Montage der Kugel eine Zwischenschicht gebildet wird. Daher kann der Verbindungsstift 1 fest an dem Durchkontaktloch 60 fixiert werden.
  • Wie in 2 dargestellt, ist der Endspitzenabschnitt 121 des Schenkelabschnitts 12 des Verbindungsstifts 1 etwas größer als der Durchmesser des Durchkontaktlochs 60. Beim Einsetzen des Schenkelabschnitts 12 in das Durchkontaktloch 60 drückt daher der Schenkelabschnitt 12 gegen eine Wandfläche des Durchkontaktlochs 60 und verformt diese Wandfläche. Dementsprechend wird der Verbindungsstift 1 an dem Durchkontaktloch 60 fixiert und fällt nicht ab, bevor das Durchkontaktloch 60 mit Lot gefüllt wird. Ferner kann das Einfüllen des Lötmaterials 20 leicht durchgeführt werden.
  • Ausführungsbeispiel 2
  • In diesem Beispiel wird, wie in den 11 und 12 dargestellt, in einem unteren Abschnitt 111 des Verbindungskopfabschnitts 11 des Verbindungsstifts 1 eine Nut 112 zum Absaugen der Luft ausgebildet.
  • Wie in 12 dargestellt, werden vier Nuten 112 ausgebildet, die von einem Mittelabschnitt des unteren Abschnitts 111 strahlenförmig nach außen verlaufen. Jede der Nuten 112 hat eine Breite von 0,1 mm und eine Tiefe von 0,05 mm.
  • Eine Oberfläche des Verbindungsstifts in diesem Beispiel ist mit einem nicht dargestellten Lot überzogen.
  • Die anderen Konstruktionen sind ähnlich denjenigen im Ausführungsbeispiel 1.
  • In diesem Beispiel wird, wie in 11 dargestellt, beim Einfließen eines schmelzflüssigen Lötmaterials 20 in das Durchkontaktloch 60 die im Durchkontaktloch 60 vorhandene Luft durch einen Abschnitt zwischen einem Öffnungsabschnitt 601 des obigen Durchkontaktlochs 60 und den jeweiligen Nuten 112 nach außen befördert. Daher wird keine Luft in dem Durchkontaktloch 60 eingeschlossen. Folglich kann der gesamte Innenraum des Durchkontaktlochs 60 ohne Zwischenraum mit dem Lötmaterial 20 gefüllt werden.
  • Ähnliche Auswirkungen wie im Beispiel 1 können auch in diesem Beispiel erzielt werden.
  • In diesem Beispiel wird das Innere des Durchkontaktlochs 60 von einem Öffnungsabschnitt 602 auf einer Seite, die der Einsetzrichtung des Verbindungsstifts 1 entgegengesetzt ist, mit dem Lötmaterial 20 gefüllt. Das Innere des Durchkontaktlochs 60 kann jedoch auch von dem Öffnungsabschnitt 601 in umgekehrter Richtung mit dem Lötmaterial gefüllt werden, d. h. von der gleichen Seite aus, von welcher der Verbindungsstift 1 eingesetzt wird. In diesem Fall wird der Innenraum des Durchkontaktlochs 60 durch ein Verfahren zum Eintauchen des obigen Schaltkreissubstrats in einen Behälter mit geschmolzenem Lot mit dem Lötmaterial 20 gefüllt.
  • Ausführungsbeispiel 3
  • In diesem Beispiel weist, wie in den 13 und 14 dargestellt, ein Schenkelabschnitt 12 des Verbindungsstifts 1 mehrere vorstehende, strahlenförmig verbreiterte Abschnitte 125 auf. Jeder der vorstehenden Abschnitte 125 hat einen größten Durchmesser von 0,35 mm, der etwas größer ist als der Durchmesser des Durchkontaktlochs 60.
  • Ähnlich wie im Ausführungsbeispiel 2 ist im Verbindungskopfabschnitt 11 des Verbindungsstifts 1 eine Nut 112 ausgebildet. Wie in den 15 und 16 dargestellt, ist die Oberfläche des Verbindungsstifts 1 mit Lot 2 überzogen. Im übrigen ist der Aufbau ähnlich dem in Ausführungsbeispiel 1.
  • In diesem Beispiel sind, wie in den 13 und 14 dargestellt, die mehreren vorstehenden Abschnitte 125 im Schenkelabschnitt 12 des Verbindungsstifts 1 ausgebildet. Daher werden, wie in den 15 und 16 dargestellt, beim Einsetzen jedes vorspringenden Abschnitts 125 in das Durchkontaktloch 60 beide Enden des vorspringenden Abschnitts 125 in das Durchkontaktloch 60 eingesetzt, wobei beide Enden des vorspringenden Abschnitts 125 lokal gegen eine Wandfläche des Durchkontaktlochs 60 drücken, da der vorstehende Abschnitt 125 etwas größer ist als der Durchmesser des Durchkontaktlochs 60. Daher kann der Verbindungsstift 1 im Vergleich zu dem Verbindungsstift 1 im Ausführungsbeispiel 1, in dem ein Druck auf die gesamte Innenwand des Durchkontaktlochs 60 wirkt, mit geringer Preßkraft eingesetzt werden.
  • Ferner wird, wie in 16 dargestellt, nach dem Einsetzen des Verbindungsstifts 1 in das Durchkontaktloch 60 ein geschmolzenes Lötmaterial 20 von einem Öffnungsabschnitt 602 auf einer der Einsetzrichtung des Verbindungsstifts 1 gegenüberliegenden Seite eingebracht und füllt das Innere des Durchkontaktlochs 60. Dabei wird, wie in den 14 und 16 dargestellt, die im Durchkontaktloch 60 enthaltene Luft durch einen Zwischenraum 606 zwischen dem Durchkontaktloch 60 und dem Schenkelabschnitt 12 des Verbindungsstifts 1 und der Nut 112 nach außen befördert. Daher kann der Innenraum des Durchkontaktlochs 60 ohne Lufteinschluß mit dem Lötmaterial 20 gefüllt werden.
  • Ausführungsbeispiel 4
  • Wie in 17 dargestellt, bildet in einer Leiterplatte in diesem Beispiel ein konkaver Montageabschnitt 7 zur Montage eines Elektronikteils 70 ein Substrat mit nach oben weisender Chipkontaktseite zur Montage von Elektronikteilen, das auf einer Seite geöffnet ist, die einer Grundplatine 8 gegenüberliegt. Ein Verbindungskopfabschnitt 11 des Verbindungsstifts 1 steht auf einer der Grundplatine 8 gegenüberliegenden Seite im Schaltkreissubstrat 6 aus dem Durchkontaktloch 60 hervor. Die anderen Konstruktionen sind ähnlich denen im Ausführungsbeispiel 1.
  • In diesem Beispiel kann ähnlich wie im Ausführungsbeispiel 1 eine Oberflächenverdrahtung des Schaltkreissubstrats 6 von hoher Dichte ausgeführt werden, und die Leiterplatte kann parallel mit der Grundplatine 8 verbunden werden und weist eine hervorragende Verbindungsfestigkeit auf.
  • Ausführungsbeispiel 5
  • Nachstehend wird anhand der 18 bis 24 ein Ausführungsbeispiel einer Leiterplatte erläutert.
  • Wie in 18 dargestellt, weist die Leiterplatte 100 in diesem Beispiel ein Schaltkreissubstrat 6 mit einer Leiterschaltung 5 und einem Durchkontaktloch 60 sowie einer mit dem Durchkontaktloch 60 verbundenen Verbindungskugel 3 auf.
  • Die Verbindungskugel 3 wird unter Verwendung eines Materials hergestellt, das bei einer Erhitzungstemperatur beim Löten und Verbinden der Verbindungskugel 3 mit einer Gegenbondinsel 81 auf einer Grundplatine 8 nicht geschmolzen wird. Zum Beispiel wird die Verbindungskugel 3 unter Verwendung von Covar, Phosphorbronze usw. hergestellt. Die Verbindungskugel 3 ist aus einem Verbindungskopfabschnitt 31 und einem unteren Abschnitt 32 aufgebaut. Der Verbindungskopfabschnitt 31 ist größer als der Durchmesser eines Öffnungsabschnitts 601 des Durchkontaktlochs 60 und bildet einen Verbindungsabschnitt zur Gegenbondinsel 81. Der untere Abschnitt 32 liegt dem Öffnungsabschnitt 601 des Durchkontaktlochs 60 gegenüber. Der untere Abschnitt 32 wird im Öffnungsabschnitt 601 des Durchkontaktlochs 60 angeordnet und wird durch ein Lötmaterial 20, das den Innenraum des Durchkontaktlochs 60 füllt, mit dem Durchkontaktloch 60 verbunden.
  • Der Verbindungskopfabschnitt 31 und der untere Abschnitt 32 der Verbindungskugel 3 sind mit Lot 2 mit einer Dicke von 0,01 bis 0,015 mm überzogen.
  • Wie in 19 dargestellt, hat der Verbindungskopfabschnitt 31 der Verbindungskugel 3 die Form eines kugelförmigen Körpers mit einem Durchmesser von 0,75 mm. Der untere Abschnitt 32 ist in Form einer ebenen, kreisförmigen Fläche mit einem Durchmesser von 0,6 mm ausgebildet. Der Öffnungsabschnitt 601 des Durchkontaktlochs 60 hat einen Durchmesser von 0,32 mm.
  • In der Leiterplatte 100 in diesem Beispiel sind die anderen Strukturen der obigen Verbindungskugel 3 ähnlich denjenigen im Ausführungsbeispiel 1.
  • Als nächstes wird ein Herstellungsverfahren für die obige Leiterplatte ausführlich erläutert.
  • Ähnlich dem Ausführungsbeispiel 1 wird zunächst ein mehrschichtiges Schaltkreissubstrat 6 mit einem Durchkontaktloch 60 ausgebildet (Siehe 3 und 4).
  • Als nächstes wird, wie in 20 dargestellt, eine Verbindungskugel 3 auf einer ebenflächigen Unterlage 390 angeordnet. Dabei wird ein unterer Abschnitt 32 der Verbindungskugel 3 so angeordnet, daß er der ebenflächigen Unterlage 390 gegenüberliegt, indem die ebenflächige Unterlage 390 in leichte Schwingung versetzt wird, und der Verbindungskopfabschnitt 31 wird nach oben gerichtet. Als nächstes wird der Verbindungskopfabschnitt 31 der Verbindungskugel 3 durch eine Ansaugöffnung 391 einer Saugvorrichtung 39 angesaugt, indem die Ansaugöffnung 391 an die ebenflächige Unterlage 390 angenähert wird.
  • Als nächstes wird, wie in 21 dargestellt, die Saugvorrichtung 39 über das obige Schaltkreissubstrat 6 angehoben, während die Saugvorrichtung 39 die Verbindungskugel 3 ansaugt und festhält. Die Positionen der Verbindungskugel 3 und des Durchkontaktlochs 60 werden aufeinander ausgerichtet. Als nächstes wird die Saugvorrichtung 39 so eingestellt, daß sie sich dem Schaltkreissubstrat 6 annähert, und die Verbindungskugel 3 wird in dem Öffnungsabschnitt 601 des Durchkontaktlochs 60 angeordnet, das in dem Schaltkreissubstrat 6 angeordnet ist. Da zu diesem Zeitpunkt der Verbindungskopfabschnitt 31 der Verbindungskugel 3 von der Ansaugöffnung 391 angesaugt und darin festgehalten wird, liegt der untere Abschnitt 32 der Verbindungskugel 3 dem Öffnungsabschnitt 601 gegenüber.
  • Als nächstes wird, wie in 22 dargestellt, das Innere des Durchkontaktlochs 60 in einem Zustand, in dem die Saugvorrichtung 39 und das Schaltkreissubstrat 6 fixiert sind, von einem Öffnungsabschnitt 602 auf der Seite, auf der die Verbindungskugel 3 nicht angeordnet ist, mit einem Lötmaterial 20 gefüllt.
  • Wenn zu diesem Zeitpunkt der Öffnungsabschnitt 601 durch den unteren Abschnitt 32 der Verbindungskugel 3 geschlossen wird, ist das Eindringen des Lötmaterials 20 in das Durchkontaktloch 60 schwierig. Daher wird das Innere des Durchkontaktlochs 60 durch ein Verfahren zum Eintauchen des Schaltkreissubstrats in ein Lötbad, ein Verfahren mit Einwirkung einer Ultraschallwelle auf das Lötbad, in welches das Schaltkreissubstrat eingetaucht wird usw., mit dem Lötmaterial 20 gefüllt.
  • Als nächstes wird das Lötmaterial 20 abgekühlt, verfestigt und zum Erstarren gebracht. Auf diese Weise wird die Verbindungskugel 3 durch das Lötmaterial 20 mit dem Durchkontaktloch 60 verbunden. Danach wird die Ansaugöffnung 391 durch Abschwächen der Saugkraft der Saugvorrichtung 39 von der Verbindungskugel 3 abgelöst.
  • Als nächstes wird, wie in 23 dargestellt, eine Wärmestrahlungsplatte 4 durch einen aus Epoxidharz bestehenden Klebstoff 41 an das Schaltkreissubstrat 6 angeklebt. Die Wärmestrahlungsplatte 4 wird so an das Schaltkreissubstrat 6 angeklebt, das sie einen Öffnungsabschnitt eines Durchkontaktlochs 79 bedeckt, das in einem äußersten Harzsubstrat 61 ausgebildet ist. Nach dem Ankleben mit dem Klebstoff 41 gibt es außerdem einen Fall, in dem eine Seitenfläche der Wärmestrahlungsplatte 4 und eine Oberfläche des Schaltkreissubstrats 6 durch einen aus Lot bestehenden Klebstoff 42 miteinander verbunden werden.
  • Auf diese Weise erhält man die obige Leiterplatte 100. Wie in 23 dargestellt, wird ein Elektronikteil 70 durch einen Klebstoff 44 in der obigen Leiterplatte 100 an einen Montageabschnitt 7 angeklebt. Der Elektronikteil 70 und ein Bondinselabschnitt 51 einer Leiterschaltung 5 werden durch einen Bonddraht 71 elektrisch miteinander verbunden. Der Elektronikteil 70 und der Bonddraht 71 werden dann durch Harz versiegelt.
  • Als nächstes wird die Verbindungskugel 3 der Leiterplatte 100 auf der Oberfläche einer Gegenbondinsel 81 auf einer Grundplatine 8 angeordnet. Als nächstes wird, wie in 24 dargestellt, Lot 2, das die Verbindungskugel 3 bedeckt, durch Erhitzen dieser Verbindungskugel 3 geschmolzen. Auf diese Weise werden der Verbindungskopfabschnitt 31 der Verbindungskugel 3 und die Gegenbondinsel 81 durch das Lot 2 miteinander verbunden.
  • Als nächstes werden die Funktion und die Auswirkungen dieses Beispiels erläutert.
  • In der Leiterplatte 100 in diesem Beispiel wird, wie in 18 dargestellt, die Verbindungskugel 3 mit dem Durchkontaktloch 60 verbunden. Die Verbindungskugel 3 weist den Verbindungskopfabschnitt 31 zum Verbinden der Verbindungskugel 3 mit der Gegenbondinsel 81 auf. Daher können das Durchkontaktloch 60 und die Gegenbondinsel 81 durch die Verbindungskugel 3 elektrisch miteinander verbunden werden, indem der Verbindungskopfabschnitt 31 mit der Gegenbondinsel 81 verbunden wird.
  • Die Verbindungskugel 3 wird mit dem Öffnungsabschnitt 601 des Durchkontaktlochs 60 verbunden. Daher können das Durchkontaktloch 60 und die Gegenbondinsel 81 in einem einander gegenüberliegenden Zustand elektrisch miteinander verbunden werden. Folglich ist es unnötig, wie im herkömmlichen Fall zusätzlich zu dem Durchkontaktloch 60 eine Bondinsel zur Montage einer Lötkugel anzuordnen. Außerdem ist es unnötig, wie im herkömmlichen Fall eine Leiterschaltung zum Verbinden des Durchkontaktlochs 60 und der Bondinsel zur Montage der Kugel auszubilden. Daher entsteht auf einer Oberfläche des Schaltkreissubstrats 6 in einem Abschnitt mit Ausnahme des Durchkontaktlochs 60 ein überschüssiger Raum (siehe 10). In diesem Raum kann eine weitere Leiterschaltung 50 ausgebildet werden, so daß eine Verdrahtungsstruktur von hoher Dichte realisiert werden kann.
  • Ähnlich dem Ausführungsbeispiel 1 ist die Leiterplatte 100 besonders in diesem Beispiel vom Typ mit nach unten weisender Chipkontaktseite, wie in 24 dargestellt, daher ist eine Struktur zur festen Verbindung der Verbindungskugel 3 mit dem Durchkontaktloch 60 und zum Verbinden der Leiterplatte 100 mit der Grundplatine 8 durch den Verbindungskopfabschnitt 31 der Verbindungskugel äußerst wichtig, um eine Verdrahtung von hoher Dichte zwischen mehreren Bondinselabschnitten 51 und dem Durchkontaktloch 60 zu erzeugen.
  • Die Verbindungskugel 3 wird unter Verwendung eines Materials hergestellt, das bei einer Erhitzungstemperatur beim Löten und Verbinden der Verbindungskugel 3 mit der Gegenbondinsel 81 nicht geschmolzen wird. Daher wird eine konstante Höhe der Verbindungskugel 3 ohne Schmelzdeformation beim Löten und Verbinden aufrechterhalten. Dementsprechend funktioniert die Verbindungskugel 3 als Stütze der Leiterplatte 100 während des Lötens und Verbindens.
  • Ferner ist der Verbindungskopfabschnitt 31 einer derartigen Verbindungskugel 3 größer als der Öffnungsabschnitt 601 des Durchkontaktlochs 60 und funktioniert als Stütze. Wenn daher die Verbindungskugel 3 mit dem Durchkontaktloch 60 verbunden wird, kommt der Verbindungskopfabschnitt 31 in Eingriff mit dem Öffnungsabschnitt 601 des Durchkontaktlochs 60 und tritt nicht ins Innere des Durchkontaktlochs 60 ein. Dementsprechend kann der Verbindungskopfabschnitt 31 um die gleiche Höhe von der Oberfläche des Schaltkreissubstrats 6 hervorstehen.
  • Daher wird, wie in 24 dargestellt, wenn der Verbindungskopfabschnitt 31 und die Gegenbondinsel 81 gelötet und miteinander verbunden werden, der Abstand zwischen der Grundplatine 8 und der Leiterplatte 100 durch den Verbindungskopfabschnitt 31 ständig sichergestellt. Dementsprechend kann die Leiterplatte 100 in parallel angeordnetem Zustand mit der Grundplatine 8 verbunden werden.
  • Da ferner die Verbindungskugel 3 bei der Erhitzungstemperatur beim Löten und Verbinden nicht geschmolzen und deformiert wird, ist es nicht notwendig, den Schmelzzustand des Lots zum Verbinden zu kontrollieren. Dementsprechend können die Verbindungskugel 3 und die Gegenbondinsel 81 leicht gelötet und miteinander verbunden werden.
  • Der untere Abschnitt 32 der Verbindungskugel 3 wird durch das Lötmaterial 20 mit dem Öffnungsabschnitt 601 des Durchkontaktlochs 60 verbunden. Daher ist ähnlich wie beim Ausführungsbeispiel 1 keine Bildung einer Zwischenschicht zu befürchten, die eine Verminderung der Bindungsfestigkeit verursacht. Dementsprechend kann die Verbindungskugel 3 fest an dem Durchkontaktloch 60 befestigt werden.
  • Ausführungsbeispiel 6
  • In diesem Beispiel bildet, wie in 25 dargestellt, ein unterer Abschnitt 321 der Verbindungskugel 3 einen Abschnitt einer Kugeloberfläche.
  • Konkret ist die gesamte Form der Verbindungskugel 3 einschließlich des Verbindungskopfabschnitts 31 und des unteren Abschnitts 321 als kugelförmiger Körper mit einem Durchmesser von 0,75 mm ausgebildet. Daher vergrößert sich die Verbindungsfläche einer Innenwand des Durchkontaktlochs 60 und eines Lötmaterials 20. Dementsprechend wird die Verbindungskugel 3 zuverlässiger mit dem Durchkontaktloch 60 verbunden. Die anderen Konstruktionen sind ähnlich denjenigen im Ausführungs beispiel 5, und es können ähnliche Wirkungen erzielt werden wie im Ausführungsbeispiel 5.
  • Ausführungsbeispiel 7
  • Wie in 26 dargestellt, ist eine Leiterplatte 100 in diesem Beispiel ein Substrat mit nach oben weisender Chipkontaktseite zur Montage von Elektronikteilen, in dem ein konkaver Montageabschnitt 7 zur Montage eines Elektronikteils 70 auf einer Seite geöffnet ist, die einer Grundplatine 8 gegenüberliegt. Ein Verbindungskopfabschnitt 31 der Verbindungskugel 3 steht auf einer Seite, die der Grundplatine 8 gegenüberliegt, in dem Schaltkreissubstrat 6 aus dem Durchkontaktloch 60 hervor.
  • Die anderen Konstruktionen sind ähnlich denjenigen im Ausführungsbeispiel 5.
  • In diesem Beispiel kann ähnlich wie im Ausführungsbeispiel 5 eine Verdrahtung von hoher Dichte auf einer Oberfläche des Schaltkreissubstrats ausgeführt werden, und die Leiterplatte kann parallel mit der Grundplatine verbunden werden, die eine hervorragende Verbindungsfestigkeit aufweist.
  • Anwendbarkeit in der Industrie
  • Wie oben erwähnt, kann die vorliegende Erfindung eine Leiterplatte und ihr Herstellungsverfahren bereitstellen, bei dem eine Verdrahtung von hoher Dichte auf einer Substratoberfläche ausgeführt werden kann und die Leiterplatte mit einem Partnerelement parallel zu dem Partnerelement verbunden werden kann, das eine hervorragende Verbindungsfestigkeit aufweist.

Claims (9)

  1. Leiterplatte (100), die ein Schaltkreissubstrat (6) mit einer Leiterschaltung (5) und einem Durchkontaktloch (60) sowie einen in das Durchkontaktloch (60) eingesetzten Verbindungsstift (1) aufweist; wobei der Verbindungsstift (1) aus einem Verbindungskopfabschnitt (11), der größer ist als ein Öffnungsdurchmesser des Durchkontaktlochs (60) und einen Verbindungsabschnitt zum Verbinden mit einer Gegenbondinsel bildet, und einem Schenkelabschnitt (12) mit einer Größe besteht, die das Einsetzen dieses Schenkelabschnitts (12) in das Durchkontaktloch ermöglicht, wobei der Schenkelabschnitt in das Durchkontaktloch (60) eingesetzt und durch ein leitfähiges Material mit dem Durchkontaktloch (60) verbunden wird; wobei die Leiterplatte (100) dadurch gekennzeichnet ist, daß der Verbindungsstift (1) unter Verwendung eines Materials hergestellt wird, das bei einer Erhitzungstemperatur, die zum Verbinden des Verbindungsstifts (1) mit einer Gegenbondinsel geeignet ist, nicht geschmolzen wird, und daß der Verbindungsstift (1) einen Mittelabschnitt (122) aufweist, der kleiner ist als ein Endspitzenabschnitt (121) des Schenkelabschnitts (12), wobei der Schenkelabschnitt (12) vorstehende Abschnitte (125) aufweist, die in mehreren Richtungen vorstehen, so daß ein Zwischenraum mit einer wellenförmigen Querschnittsform entsteht, und wobei der Zwischenraum von wellenförmiger Querschnittsform und der Mittelabschnitt (122) des Schenkelabschnitts (12) mit leitfähigem Material gefüllt werden.
  2. Leiterplatte nach Anspruch 1, wobei der Verbindungskopfabschnitt des Verbindungsstifts mit dem leitfähigen Material überzogen ist.
  3. Leiterplatte nach Anspruch 1 oder 2, wobei der Verbindungskopfabschnitt (11) durch einen kugelförmigen Körper gebildet wird.
  4. Herstellungsverfahren für eine Leiterplatte, dadurch gekennzeichnet, daß das Herstellungsverfahren aufweist: ein Verfahren zur Herstellung eines Schaltkreissubstrats mit einer Leiterschaltung und einem Durchkontaktloch; ein Verfahren zur Herstellung eines Verbindungsstifts, der durch ein Material gebildet wird, das bei einer Erhitzungstemperatur, die sich zum Verbinden des Verbindungsstifts mit einer Gegenbondinsel eignet, nicht geschmolzen wird, und der durch einen Schenkelabschnitt, wobei der Schenkelabschnitt (12) vorstehende Abschnitte (125) aufweist, die in mehreren Richtungen abstehen, so daß ein Zwischenraum von wellenförmiger Querschnittsform gebildet wird, einen mittleren Abschnitt (122), der kleiner ist als ein Endspitzenabschnitt (121) des Schenkelabschnitts (12), und einen Verbindungskopfabschnitt aufgebaut wird, der größer ist als ein Öffnungsdurchmesser des Durchkontaktlochs und einen Verbindungsabschnitt zum Verbinden mit einer Gegenbondinsel bildet; ein Verfahren zum Einsetzen des Schenkelabschnitts des Verbindungsstifts in das Durchkontaktloch; und ein Verfahren zum Füllen des Zwischenraums von wellenförmiger Querschnittsform und des Mittelabschnitts (122) des Schenkelabschnitts (12) in dem Durchkontaktloch mit einem leitfähigen Material und zum Verbinden des Durchkontaktlochs und des Schenkelabschnitts miteinander durch das leitfähige Material.
  5. Herstellungsverfahren der Leiterplatte nach Anspruch 4, wobei der Verbindungskopfabschnitt des Verbindungsstifts vor dem Einsetzen des Verbindungskopfabschnitts in das Durchkontaktloch mit dem leitfähigen Material überzogen wird.
  6. Leiterplatte nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei das leitfähige Material ein Lötmaterial ist.
  7. Leiterplatte nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei das leitfähige Material Epoxidharz ist, das mit einem Silberfüllstoff imprägniert ist.
  8. Herstellungsverfahren der Leiterplatte nach Anspruch 4 oder 5, wobei das leitfähige Material ein Lötmaterial ist.
  9. Herstellungsverfahren der Leiterplatte nach Anspruch 4 oder 5, wobei das leitfähige Material Epoxidharz ist, das mit einem Silberfüllstoff imprägniert ist.
DE69837319T 1997-01-30 1998-01-05 Gedruckte leiterplatte und verfahren zur herstellung Expired - Lifetime DE69837319T2 (de)

Applications Claiming Priority (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3303397 1997-01-30
JP3303397 1997-01-30
JP3303497 1997-01-30
JP3303497 1997-01-30
JP9340723A JPH10275966A (ja) 1997-01-30 1997-11-25 プリント配線板及びその製造方法
JP34072397 1997-11-25
PCT/JP1998/000006 WO1998034443A1 (fr) 1997-01-30 1998-01-05 Carte imprimee et son procede de production

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE69837319D1 DE69837319D1 (de) 2007-04-26
DE69837319T2 true DE69837319T2 (de) 2007-11-22

Family

ID=37905618

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE69842175T Expired - Lifetime DE69842175D1 (de) 1997-01-30 1998-01-05 Gedruckte Leiterplatte und Verfahren zu deren Herstellung
DE69837319T Expired - Lifetime DE69837319T2 (de) 1997-01-30 1998-01-05 Gedruckte leiterplatte und verfahren zur herstellung

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE69842175T Expired - Lifetime DE69842175D1 (de) 1997-01-30 1998-01-05 Gedruckte Leiterplatte und Verfahren zu deren Herstellung

Country Status (3)

Country Link
EP (1) EP1776001B1 (de)
KR (1) KR20000070519A (de)
DE (2) DE69842175D1 (de)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020048181A (ko) * 2000-12-16 2002-06-22 김광호 인터넷을 기반으로 하는 개별주문 통합형 상품 직거래운용 시스템 및 이를 이용한 상품 직거래 운용 방법

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2571547B1 (fr) * 1984-10-05 1987-07-24 Thomson Csf Circuit hybride reportable sur un support comportant un reseau d'interconnexion a haute densite
JPH0777243B2 (ja) * 1987-03-19 1995-08-16 イビデン株式会社 表面実装用パツケ−ジ
JPH02144945A (ja) * 1988-11-28 1990-06-04 Sumitomo Bakelite Co Ltd 半導体搭載用基板およびその製造方法
JPH02239577A (ja) * 1989-03-14 1990-09-21 Nec Corp 表面実装用混成集積回路
JPH0645722A (ja) * 1992-07-24 1994-02-18 Ibiden Co Ltd ピン立て型プリント回路基板
AT401704B (de) * 1995-01-11 1996-11-25 Mikroelektronik Ges Mit Beschr Trägerplatte für integrierte schaltkreise

Also Published As

Publication number Publication date
EP1776001A2 (de) 2007-04-18
DE69842175D1 (de) 2011-04-21
DE69837319D1 (de) 2007-04-26
EP1776001A3 (de) 2007-06-06
KR20000070519A (ko) 2000-11-25
EP1776001B1 (de) 2011-03-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69935628T2 (de) Hybridmodul
DE69738037T2 (de) Verbinder hoher Packungsdichte mit Kontaktoberflächen vom Kugeltyp
DE69838586T2 (de) Lötelement für gedruckte leiterplatten
DE69531126T2 (de) Trägerelement für Kühlvorrichtung und elektronisches Gehäuse mit einem solchen Element
DE19736962B4 (de) Anordnung, umfassend ein Trägersubstrat für Leistungsbauelemente und einen Kühlkörper sowie Verfahren zur Herstellung derselben
DE102011006489B4 (de) Leiterplatte mit eingebautem Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung derselben
DE10009733B4 (de) Halbleitervorrichtung und Verfahren zum Herstellen derselben
US5950306A (en) Circuit board
DE60032067T2 (de) Mehrschichtige Leiterplatte und Verfahren zu deren Herstellung
DE2840514A1 (de) Leistungssteuergeraet und verfahren zum anbringen desselben
DE102010002050A1 (de) Leiterplatte mit daran befestigtem IC, Leiterplatte und Verfahren zur Fertigung der Leiterplatte mit daran befestigtem IC
DE10037183A1 (de) Verfahren zum Verbinden von Leiterplatten und Verbindungsaufbau
DE19640225A1 (de) Halbleiteranordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE10033977A1 (de) Zwischenverbindungsstruktur zum Einsatz von Halbleiterchips auf Schichtträgern
DE19509441C2 (de) Integrierte Hybrid-Leistungsschaltungsvorrichtung
DE102006003137A1 (de) Elektronikpackung und Packungsverfahren
EP3399546A1 (de) Elektronische baugruppe mit einem zwischen zwei substraten eingebauten bauelement und verfahren zu dessen herstellung
DE19709259B4 (de) Mehrlagiges Bodenanschlussgehäuse
EP2649864A1 (de) Leiterplatte
DE19718093A1 (de) Montagebasisplatte für elektronische Komponenten und Verfahren zur Herstellung einer derartigen Platte
DE60225508T2 (de) Leiterplatte und verfahren zu ihrer herstellung
DE102020125813A1 (de) Verfahren zum herstellen eines chipgehäuses und chipgehäuse
DE102006056793B4 (de) Elektronikvorrichtung und Verfahren zum Herstellen derselben
DE19819217A1 (de) Befestigungsgrundplatte für eine elektronische Komponente
DE4416403C2 (de) Kühlvorrichtung für eine Leiterplatte und Verfahren zum Herstellen einer solchen Kühlvorrichtung

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition