DE69829108T2 - Herstellungsverfahren und Struktur eines Tintenstrahldruckkopfes - Google Patents
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Description
- GEBIET DER ERFINDUNG
- Die vorliegende Erfindung betrifft einen Herstellungsprozess und eine Struktur von einem Tintenstrahl-Druckkopf sowie insbesondere einen verbesserten Herstellungsprozess und eine Struktur von einem Tintenstrahl-Druckkopf mit höherer Qualität, einem höheren Wirkungsgrad und einer besseren Leistungsfähigkeit.
- HINTERGRUND DER ERFINDUNG
- Allgemein stößt der Bubble-Tintenstrahl-Druckkopf Tinte durch eine Düse aus, und zwar unter Verwendung einer Widerstandsvorrichtung, um die Tinte zum Kochen zu bringen. Beim Prozess zur Herstellung des herkömmlichen Tintenstrahl-Druckkopfes wird giftiges Gas erzeugt, und einige funktionale Schwierigkeiten vermindern den Wirkungsgrad. Außerdem hat der herkömmliche Tintenstrahl-Druckkopf eine kürzere Lebensdauer, was sich aus dem gesamten strukturellen Problem ergibt.
- Um den herkömmlichen Prozess zur Herstellung des herkömmlichen Tintenstrahl-Druckkopfes zu verstehen, wird auf
1 Bezug genommen. Eine Siliziumdioxid-Schicht12 wird auf einem Silizium-Substrat11 durch thermische Oxidation ausgebildet, und ein Widerstand13 (z.B. Tantal-Aluminium-Legierung) wird auf der Siliziumdioxid-Schicht12 durch einen Sputter-Prozess ausgebildet. Anschließend wird eine leitfähige Aluminiumschicht14 durch einen Sputter-Prozess auf einem Teil des Widerstands13 ausgebildet, und dann wird eine Passivierung15 über der leitfähigen Schicht12 und dem Widerstand13 ausgebildet, der nicht von der leitfähigen Schicht14 überdeckt ist, und zwar durch verbesserte Plasma-Chemical-Vapour-Deposition (PECVD). Die Passivierung15 ist eine Siliziumnitrit (Si3N4)/Siliziumcarbid (SiC) Schicht. Schließlich wird ein Isolator16 auf der Passivierung15 ausgebildet, und dann wird eine Düsenplatte17 mit Hilfe eines Klebstoffs auf dem Isolator16 befestigt. - Bei dem herkömmlichen Verfahren ist der Widerstand
13 üblicherweise aus Tantal-Aluminium-Legierung hergestellt. Da die Tantal-Aluminium-Legierung ein Material mit hohem Widerstand ist, kann ein Phänomen der Elektronen-Migration erzeugt werden, wenn ein Strom durch den Widerstand strömt und akkumuliert wird, um zu bewirken, dass der Widerstand eine hohe Temperatur annimmt, so dass die praktische Lebenszeit des Tintenstrahl-Druckkopfes reduziert wird. Außerdem gibt es toxische Gase, die während des Prozesses zum Ausbilden der Siliziumnitrit (Si3N4)/Siliziumcarbid (SiC) Schicht durch PECVD ausgebildet wird. Daher besteht eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung darin, ein verbessertes Verfahren zur Herstellung des Tintenstrahl-Druckkopfes zur Verfügung zu stellen, um die vorstehend beschriebenen Nachteile des herkömmlichen Verfahrens zu überwinden. - Die US-A-5,635,968 offenbart einen thermischen Tintenstrahldrucker-Druckkopf mit versetzten Heizwiderständen. Jedoch beschreibt dieses Dokument nicht die Ausbildung eines Widerstandes, der aus Tantalnitrit hergestellt ist, über einer dielektrischen Schicht, die über einem Substrat ausgebildet ist, das Ausbilden einer Dotierungsschicht über dem Widerstand und das Dotieren des Widerstands durch ein Drive-in-Dotierungsprozedur unter Verwendung eines Elements mit einem Atomradius, der 10–30% von dem von Tantal als eine Dotierungsmittelquelle beträgt.
- Die JP-A-04086267 (Zusammenfassung) betrifft die Herstellung von einem hitzeerzeugenden Element für einen thermischen Kopf. Um die Widerstandswertvariationen des hitzeerzeugenden Elements zu minimieren, wird eine Polysiliziumschicht verwendet, die durch Feststoffphasen-Wachstum einer amorphen Siliziumschicht als eine mit Bor dotierte Polysiliziumschicht nach Zuführen von Phosphor-Ionen oder Bor-Ionen erhalten wird.
- ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
- Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein Herstellungsverfahren und eine Struktur von einem Tintenstrahl-Druckkopf zur Verfügung zu stellen, der einen geringen Widerstand hat, um die Lebensdauer von dem Tintenstrahl-Druckkopf zu verlängern und um die Erzeugung toxischer Gase bei der Herstellung zu vermeiden. Diese Aufgabe wird durch das Verfahren gemäß der Ansprüche 1 und 13 und durch die Vorrichtung nach Anspruch 18 gelöst. Das Verfahren beinhaltet folgende Schritte: a) Bereitstellen von einem Substrat; b) Ausbilden einer dielektrischen Schicht über dem Substrat; c) Ausbilden von einem Widerstand über der dielektrischen Schicht und Ausbilden einer dotierenden Widerstandsschicht, nachdem der Widerstand durch eine Drive-in-Dotierungsprozedur dotiert ist; d) Ausbilden einer leitenden Schicht über einem Bereich des Widerstands; e) Ausbilden einer Passivierung über einen Bereich der leitenden Schicht und einem anderen Bereich des Widerstands, der nicht durch die leitende Schicht überdeckt ist; f) Ausbilden von einem Loch über der Passivierung zum Speichern von Tinte; und g) Ausbilden einer Düse über dem Loch, um durch dieses die Tinte auszuspritzen.
- Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung wird die dielektrische Schicht durch thermische Oxidation hergestellt.
- Gemäß einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung ist die dielektrische Schicht eine Siliziumdioxid-Schicht.
- Gemäß der vorliegenden Erfindung ist der Widerstand eine Schicht aus Tantalnitrit (TaN).
- Gemäß der vorliegenden Erfindung ist die Drive-in-Dotierungsprozedur ein Diffusionsverfahren oder eine Ionen-Implantation.
- Gemäß der vorliegenden Erfindung wird bei der Drive-in-Dotierungsprozedur ein Element mit einem Atomradius verwendet, der 10–30% von dem von Tantal als eine Dotierungsquelle beträgt.
- Gemäß einem weiteres Aspekt der vorliegenden Erfindung ist die Dotierungswiderstandsschicht eine Metallschicht, die ein Element enthält, das aus einer Gruppe ausgewählt ist, die Tantal (Ta), Indium (In), Blei (Pb), Praseodym (Pr) und Samarium (Sm) beinhaltet.
- Gemäß einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung ist die leitende Schicht durch einen Sputter-Prozess, durch Fotolithographie oder durch Ätztechniken hergestellt.
- Gemäß einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung ist die leitende Schicht eine Aluminiummetallschicht.
- Gemäß einem weiteren Aspekt gemäß der Erfindung ist die Passivierung durch verbesserte Plasma-Chemical-Vapour-Deposition (PEVD) oder Sputter-Technik unter Verwendung von Gleichstrom (DC) hergestellt.
- Gemäß einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung ist die Passivierung eine Siliziumnitritschicht.
- Gemäß einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung beinhaltet das Verfahren nach Schritt (e) außerdem einen Schritt zum Ausbilden einer Metallschicht über einem anderen Bereich der leitenden Schicht, die nicht durch die Passivierung überdeckt ist.
- Gemäß einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung ist die Metallschicht eine Goldmetallschicht (Au), die durch einen Sputter-Prozess hergestellt ist.
- Gemäß einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung ist das Loch durch Ausbilden von einem Photoresist über einem Bereich der Passivierung definiert.
- Gemäß einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung ist die Düse unter Verwendung einer Düsenplatte ausgebildet, die an dem Photoresist angebracht ist.
- Eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein bevorzugtes Verfahren für die Herstellung eines Tintenstrahl-Druckkopfes zur Verfügung zu stellen.
- In dem bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung beinhaltet das Verfahren die folgenden Schritte: a) Bereitstellen von einem Substrat; b) Ausbilden einer dielektrischen Schicht über dem Substrat; c) Ausbilden von einem aus Tantalnitrit hergestellten ersten Widerstand über der dielektrischen Schicht; d) Ausbilden einer Dotierungsschicht über dem ersten Widerstand, wobei die Dotierungsschicht ein Element mit einem Atomradius enthält, der 10–30% von dem von Tantal beträgt; e) Ausbilden von einem zweiten Widerstand über der Dotierungsschicht; f) Ausbilden einer Widerstandsschicht, nachdem die Dotierungsschicht unter in den ersten und zweiten Widerstand diffundiert ist; g) Ausbilden einer leitenden Schicht über einem Bereich der Widerstandsschicht; h) Ausbilden einer Passivierung über einem Bereich der leitenden Schicht und einem anderen Bereich der Widerstandsschicht, der nicht durch die leitende Schicht überdeckt ist; i) Ausbilden von einem Loch über der Passivierung zum Speichern von Tinte; und j) Ausbilden einer Düse über dem Loch, um durch dieses die Tinte auszuspritzen.
- Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung ist der erste Widerstand durch eine Sputter-Technik unter Verwendung von Gleichstrom (DC) hergestellt.
- Gemäß einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung ist die Dotierungsschicht durch eine Sputter-Technik unter Verwendung von Gleichstrom (DC) hergestellt.
- Gemäß einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung ist die Dotierungsschicht eine Metallschicht, die ein Element enthält, das aus einer Gruppe ausgewählt ist, die Indium (In), Blei (Pb), Praseodym (Pr) und Samarium (Sm) beinhaltet.
- Gemäß einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung ist der zweite Widerstand eine Tantalnitrit-Schicht (TaN), die durch eine Sputter-Technik unter Verwendung von Gleichstrom (DC) hergestellt ist.
- Gemäß einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung ist die Widerstandsschicht durch einen schnellen thermischen Prozess (RTP) hergestellt. Eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, eine Struktur von einem Tintenstrahl-Druckkopf zur Verfügung zu stellen.
- Die Struktur gemäß der vorliegenden Erfindung ist durch Anspruch 18 definiert.
- Die vorliegende Erfindung kann am besten anhand der nachfolgenden Beschreibung unter Bezugnahme auf die beiliegenden Zeichnungen verstanden werden, in denen:
- KURZBESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
-
1 eine schematische Darstellung ist, die den herkömmlichen Tintenstrahl-Druckkopf zeigt; -
2(a) –(f) schematische Darstellungen sind, die ein bevorzugtes Ausführungsbeispiel von den Verfahren zur Herstellung eines Tintenstrahl-Druckkopfes gemäß der vorliegenden Erfindung zeigen; und -
3(a) –(e) schematische Darstellungen sind, die ein weiteres bevorzugten Ausführungsbeispiel von dem Verfahren zum Ausbilden eines Widerstandes des Tintenstrahl-Druckkopfes der vorliegenden Erfindung zeigen. - DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DES BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSBEISPIELS
- Es wird nun auf
2(a) –(f) Bezug genommen, die ein bevorzugtes Ausführungsbeispiel des Verfahrens zur Herstellung eines Tintenstrahl-Druckkopfes gemäß der vorliegenden Erfindung zeigen. Die detaillierten Herstellungsverfahren sind wie folgt beschrieben. - In
2(a) ist eine dielektrische Schicht22 über einem Silizium-Substrat21 durch thermische Oxidation ausgebildet. Die dielektrische Schicht22 kann eine Siliziumdioxid-Schicht22 sein. - Wie in
2(b) gezeigt, ist ein Widerstand23 über der Siliziumdioxid-Schicht22 durch eine Sputter-Technik unter Verwendung von Gleichstrom (DC) ausgebildet. Der Widerstand23 kann eine Schicht aus Tantalnitrit (TaN) sein. Im Vergleich mit dem herkömmlichen Tintenstrahl-Druckkopf hat die TaN-Schicht einen geringeren Widerstand im Vergleich mit Tantal-Aluminium-Legierung, so dass die Lebensdauer des Tintenstrahl-Druckkopfes der vorliegenden Erfindung verlängert werden kann. - Der in
2(c) gezeigte Schritt dient der Ausbildung einer leitenden Schicht24 über einem Bereich des Widerstands23 durch einen Sputter-Prozess, durch Lithographie oder durch eine Ätztechnik. Die leitende Schicht24 kann eine Aluminiummetallschicht sein. - In
2(d) ist eine Passivierung25 über einem Bereich der leitenden Schicht24 und einem anderen Bereich des Widerstandes23 gebildet, der nicht von der leitenden Schicht24 überdeckt ist, und zwar durch verbesserte Plasma-Chemical-Vapour-Deposition (PECVD) oder eine Sputter-Technik unter Verwendung von Gleichstrom (DC). Die Passivierung25 kann eine Siliziumnitrit-Schicht25 sein. Wenn die Siliziumnitrit-Schicht25 durch eine Sputter-Technik unter Verwendung von Gleichstrom (DC) gebildet ist, kann verhindert werden, dass während des Herstellungsverfahrens der vorliegenden Erfindung toxische Gase entstehen. Außerdem, wenn die Siliziumnitrit-Schicht25 durch eine Sputter-Technik unter Verwendung von Gleichstrom (DC) gebildet wird, kann das Verfahren auf einfache Weise durchgeführt werden, indem lediglich Stickstoffgas (N2) eingeleitet wird. Daher wird das Verfahren zur Herstellung des Tintenstrahl-Druckkopfes wesentlich verbessert. - Wie in
2(e) gezeigt, ist eine Metallschicht26 über einem weiteren Bereich der leitenden Schicht24 ausgebildet, der nicht durch die Passivierung25 überdeckt ist, und zwar durch einen Sputter-Prozess. Die Metallschicht26 ist eine Metallschicht aus Gold (Au). Danach wird ein Photoresist27 über einem Bereich der Passivierung ausgebildet, um darin ein Loch zur Speicherung von Tinte zu bilden. - In
2(f) ist eine Düsenplatte28 an dem Photoresist27 angebracht, um zumindest eine Düse zur Verfügung zu stellen, um durch diese Tinte auszustoßen. - In einem bevorzugten Ausführungsbeispiel des Verfahrens der vorliegenden Erfindung (nicht gezeigt) kann der Widerstand
23 durch eine Drive-in-Dotierungsprozedur dotiert werden, um eine Widerstands-Dotierungsschicht zu bilden. Die Drive-in-Dotierungsprozedur kann durch ein Diffusionsverfahren oder durch Ionen-Implantation durchgeführt werden. Der Widerstand23 ist eine Schicht23 aus Tantalnitrit (TaN). Bei der Drive-in-Dotierungsprozedur wird ein Element mit einem Atomradius verwendet, der 10–30% von dem von Tantal als Dotierungsquelle beträgt. - Vorzugsweise kann die Widerstands-Dotierungsschicht eine Metallschicht sein, die Tantal (Ta), Indium (In), Blei (Pb) Praseodym (Pr) oder Samarium (Sm) enthält.
- Die weiteren Schritte zur Herstellung des Tintenstrahl-Druckkopfes der vorliegenden Erfindung sind die gleichen wie vorstehend beschrieben.
- Bei einem weiteren bevorzugten Ausführungsbeispiel des Verfahrens der vorliegenden Erfindung wird eine dielektrische Schicht
22 über einem Silizium-Substrat21 durch thermische Oxidation ausgebildet, und ein Widerstand23 wird durch Verfahren ausgebildet, wie in3(a) –(e) gezeigt. Zuerst wird ein erster Widerstand231 über der dielektrischen Schicht22 durch eine Sputter-Technik unter Verwendung von Gleichstrom (DC) ausgebildet, wobei der erste Widerstand231 eine Schicht aus Tantalnitrit (TaN) ist. Danach wird über dem ersten Widerstand231 eine Dotierungsschicht232 durch eine Sputter-Technik unter Verwendung von Gleichstrom (DC) ausgebildet. Die Dotierungsschicht232 ist mit einem Element dotiert, das einen Atomradius hat, der 10–30% von dem von Tantal beträgt. Vorzugsweise kann die Dotierungsschicht232 eine Metallschicht sein, die Indium (In), Blei (Pb), Praseodym (Pr) oder Samarium (Sm) enthält. Daher ist ein zweiter Widerstand233 über der Dotierungsschicht232 durch eine Sputter-Technik unter Verwendung von Gleichstrom (DC) ausgebildet. Der zweite Widerstand233 kann eine Schicht aus Tantalnitrit (TaN) sein. Schließlich kann der Widerstand23 erhalten werden, nachdem die Dotierungsschicht232 in den ersten und zweiten Widerstand231 und233 durch einen schnellen thermischen Prozess (RTP) diffundiert ist. Die nachfolgenden Schritte zur Fertigstellung des Tintenstrahl-Druckkopfes der vorliegenden Erfindung sind die gleichen, wie sie oben beschrieben sind. - Die vorliegende Erfindung stellt ein schnelles Verfahren zur Herstellung des Tintenstrahl-Druckkopfes zur Verfügung. Der Widerstand
23 kann effektiv frei von der Eigenschaft der Elektronen-Migration sein, so dass der Widerstand infolge einer langen Überhitzungszeit nicht beschädigt wird und die praktische Lebensdauer des Tintenstrahl-Druckkopfes verlängert werden kann. - Zusammenfassend wird durch die vorliegende Erfindung ein verbessertes Herstellungsverfahren und eine Struktur von einem Tintenstrahl-Druckkopf mit einer hohen Qualität, einem guten Wirkungsgrad und einer guten Leistungsfähigkeit zur Verfügung gestellt, um die Nachteile des herkömmlichen Verfahrens zu vermeiden, wie zum Beispiel schwierige Steuerung, Erzeugung toxischer Gase, kurze praktische Lebensdauer usw. Obwohl die Erfindung anhand dessen beschrieben wurde, was derzeit am meisten praktikabel ist, und anhand bevorzugten Ausführungsbeispiele, soll verstanden werden, dass die Erfindung nicht auf das offenbarte Ausführungsbeispiel beschränkt ist. Es ist im Gegensatz beabsichtigt, verschiedene Modifikationen und ähnliche Anordnungen zu umfassen, die in den beigefügten Ansprüchen enthalten sind.
Claims (18)
- Verfahren zum Herstellen von einem Tintenstrahl-Druckkopf, mit den Schritten: a) Bereitstellen von einem Substrat (
21 ); b) Ausbilden einer dielektrischen Schicht (22 ) über dem Substrat; c) Ausbilden von einem aus Tantalnitrit hergestellten Widerstand (23 ) über der dielektrischen Schicht, Ausbilden einer Dotierungsschicht über dem Widerstand, und Dotieren des Widerstands durch eine Drive-in-Dotierungsprozedur unter Verwendung eines Elements mit einem Atomradius, der 10–30% von dem von Tantal als eine Dotierungsquelle beträgt, wobei die Drive-in-Dotierungsprozedur ein Diffusionsverfahren oder eine Ionen-Implantationsprozedur ist; d) Ausbilden einer leitenden Schicht (24 ) über einem Bereich des Widerstands; e) Ausbilden einer Passivierung (25 ) über einem Bereich der leitenden Schicht und einem anderen Bereich des Widerstands, der nicht durch die leitende Schicht überdeckt ist; f) Ausbilden von einem Loch über der Passivierung zum Speichern von Tinte; und g) Ausbilden einer Düse (28 ) über dem Loch, um durch dieses die Tinte auszuspritzen. - Verfahren nach Anspruch 1, bei dem in Schritt (b) die dielektrische Schicht durch thermische Oxidation gebildet ist.
- Verfahren nach Anspruch 1, bei dem in Schritt (b) die dielektrische Schicht eine Siliziumdioxid-Schicht ist.
- Verfahren nach Anspruch 1, bei dem die Dotierungswiderstandsschicht eine Metallschicht ist, die ein Element enthält, das aus einer Gruppe ausgewählt ist, die Tantal (Ta), Indium (In), Blei (Pb), Praseodym (Pr) und Samarium (Sm) beinhaltet.
- Verfahren nach Anspruch 1, bei dem in Schritt (d) die leitende Schicht durch einen Sputter-Prozess, durch Photolithographie und durch Ätztechniken hergestellt ist.
- Verfahren nach Anspruch 1, bei dem die leitende Schicht eine Aluminiummetallschicht ist.
- Verfahren nach Anspruch 1, bei dem in Schritt (e) die Passivierung durch verbesserte Plasma-Chemical-Vapour-Deposition (PECVD) oder Sputter-Technik unter Verwendung von Gleichstrom (DC) hergestellt ist.
- Verfahren nach Anspruch 1, bei dem die Passivierung eine Siliziumnitritschicht ist.
- Verfahren nach Anspruch 1, außerdem mit einem Schritt nach Schritt (e): Ausbilden einer Metallschicht über einem anderen Bereich der leitenden Schicht, die nicht durch die Passivierung überdeckt ist.
- Verfahren nach Anspruch 9, bei dem die Metallschicht eine Goldmetallschicht (Au) ist, die durch einen Sputter-Prozess hergestellt ist.
- Verfahren nach Anspruch 1, bei dem in Schritt (f) das Loch durch Ausbilden von einem Photoresist über einem Bereich der Passivierung definiert ist.
- Verfahren nach Anspruch 1, bei dem in Schritt (g) die Düse unter Verwendung einer Düsenplatte gebildet ist, die an dem Photoresist angebracht ist.
- Verfahren zum Herstellen von einem Tintenstrahl-Druckkopf, mit den Schritten: a) Bereitstellen von einem Substrat (
21 ); b) Ausbilden einer dielektrischen Schicht (22 ) über dem Substrat; c) Ausbilden von einem aus Tantalnitrit hergestellten ersten Widerstand (23 ) über der dielektrischen Schicht; d) Ausbilden einer Dotierungsschicht (232 ) über dem ersten Widerstand, wobei die Dotierungsschicht ein Element mit einem Atomradius enthält, der 10–30% von dem von Tantal beträgt; e) Ausbilden von einem zweiten Widerstand (233 ) über der Dotierungsschicht; f) Ausbilden einer Widerstandsschicht (23 ), nachdem die Dotierungsschicht unter Verwendung von einem schnellen thermischen Prozess in den ersten und zweiten Widerstand diffundiert ist; g) Ausbilden einer leitenden Schicht (24 ) über einem Bereich des Widerstands durch eine Gleichstrom-Sputter-Technik; h) Ausbilden einer Passivierung (25 ) über einem Bereich der leitenden Schicht und einem anderen Bereich des Widerstands, der nicht durch die leitende Schicht überdeckt ist; i) Ausbilden von einem Loch über der Passivierung zum Speichern von Tinte; und j) Ausbilden einer Düse (28 ) über dem Loch, um durch dieses die Tinte auszuspritzen. - Verfahren nach Anspruch 13, bei dem der erste Widerstand durch eine Sputter-Technik unter Verwendung von Gleichstrom (DC) hergestellt ist.
- Verfahren nach Anspruch 13, bei dem die Dotierungsschicht durch eine Sputter-Technik unter Verwendung von Gleichstrom (DC) hergestellt ist.
- Verfahren nach Anspruch 13, bei dem die Dotierungsschicht eine Metallschicht ist, die ein Element enthält, das aus einer Gruppe ausgewählt ist, die Indium (In), Blei (Pb), Praseodym (Pr) und Samarium (Sm) beinhaltet.
- Verfahren nach Anspruch 13, bei dem der zweite Widerstand eine Tantalnitrit-Schicht (TaN) ist, die durch eine Sputter-Technik unter Verwendung von Gleichstrom (DC) hergestellt ist.
- Struktur von einem Tintenstrahl-Druckkopf, mit: einem Substrat (
21 ); einer dielektrischen Schicht (22 ), die auf dem Substrat ausgebildet ist; einem Widerstand (23 ), der auf der dielektrischen Schicht ausgebildet ist, wobei der Widerstand (23 ) aus Tantalnitrit hergestellt ist, dotiert mit einem Element als Dotierungsquelle, wobei das Element einen Atomradius hat, der 10–30% von dem von Tantal beträgt; einer leitenden Schicht (24 ), die über einem Bereich des Widerstands ausgebildet ist; einer Passivierung (25 ), die über einem Bereich der leitenden Schicht und einem anderen Bereich des Widerstands ausgebildet ist, der nicht durch die leitende Schicht überdeckt ist; einem Photoresist (27 ), das über einem Bereich der Passivierung ausgebildet ist, um ein Loch vorzusehen, um darin Tinte zu speichern; einer Metallschicht (26 ), die über einem anderen Bereich der leitenden Schicht ausgebildet ist, der nicht durch die Passivierung überdeckt ist; und einer Düsenplatte (28 ), die über der Passivierung angeordnet ist, um zumindest eine Düse vorzusehen, die dem Loch zugehörig ist, um die Tinte auszuspritzen.
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