DE69827912T2

DE69827912T2 - Mehrband-HF-Schaltmodul

Info

Publication number: DE69827912T2
Application number: DE69827912T
Authority: DE
Inventors: Shigeru Tottori-shi Kemmochi; Mitsuhiro Tottori-shi Watanabe; Hiroyuki Tottori-shi Tai; Tsuyoshi Iwami-gun Taketa; Toshihiko Tottori-shi Tanaka
Original assignee: Hitachi Metals Ltd
Current assignee: Proterial Ltd
Priority date: 1997-12-03
Filing date: 1998-12-01
Publication date: 2005-08-04
Anticipated expiration: 2018-12-02
Also published as: DE69835378D1; DE69827912D1; EP0921642A3; EP1473846A3; DE69835468T2; DE69831360D1; EP1315305B1; EP1315305A1; ES2268505T3; EP1473846A2; DE69835378T2; EP1418679A1; ES2232909T3; EP1443666A2; KR100479976B1; EP1418679B1; ES2270214T3; KR20040068522A; KR19990062840A; KR100483339B1

Description

HINTERGRUND DER ERFINDUNG
Die vorliegende Erfindung betrifft einen zusammengesetzten Hochfrequenz-Schaltungsteil, insbesondere ein Mehrband-HF-Schaltmodul, das in einem Nachrichtensystem verwendet wird, bei dem mehrere Sende/Empfangssysteme mit unterschiedlichen Frequenzbändern eingesetzt werden.
Ein digitales Mobil-Funktelefon verwendet einen Hochfrequenzschalter zum alternativen elektrischen Verbinden einer Antenne (ANT) mit einer Sendestufe (TX) oder einer Empfangsstufe (RX).
15 ist ein schematischer Schaltplan einer in US-A-5 473 293 offenbarten herkömmlichen Einband-Hochfrequenz-Schaltstufe. In 15 verbindet der Hochfrequenzschalter alternativ eine Antenne ANT mit einer Sendestufe TX oder einer Empfangsstufe RX und umfaßt eine erste Diode D1, deren Anode mit der Sendestufe TX verbunden ist und deren Kathode mit der Antenne ANT verbunden ist, eine Streifenleitung SL, die zwischen die Antenne ANT und die Empfangsstufe RX geschaltet ist, und eine zweite Diode D2, deren Anode zwischen die Streifenleitung SL und die Empfangsstufe RX geschaltet ist und deren Kathode an Masse gelegt ist. Der Hochfrequenzschalter ist als ein dielektrischer Schichtkörper mit mehreren Substraten ausgebildet, wobei die Streifenleitung SL an einem inneren Substrat angeordnet ist und die Dioden D1, D2 an der oberen Fläche des dielektrischen Schichtkörpers angebracht sind.
Einhergehend mit der in letzter Zeit geschehenen bemerkenswerten Verbreitung mobiler Funktelefone ist der Bedarf an der Verbesserung ihrer Leistungsfähigkeit, der Erweiterung des Dienstbereichs usw. angestiegen. Als ein Funktelefon eines neuen Typs wurde ein Zweiband-Funktelefon vorgeschlagen. Im Gegensatz zum herkömmlichen Funktelefon, bei dem ein einziges Sende/Empfangssystem verwendet wird, verwendet das Zweiband-Funktelefon zwei Sende/Empfangssysteme mit unterschiedlichen Frequenzbändern. Ein Benutzer kann durch geeignetes Auswählen eines gewünschten Sende/Empfangssystems kommunizieren.
Falls die jeweiligen Sende/Empfangssysteme aus verschiedenen Stufen bestehen, wird das sich ergebende Zweiband-Funktelefon in seiner Größe umfangreich und kostspielig. Daher sollten so viele Teile wie möglich für das Zweiband-Funktelefon im Interesse der Verringerung der Größe und der Herstellungskosten zwischen den Sende/Empfangssystemen geteilt verwendet werden.
In EP-A-0 567 766 ist eine Schaltung offenbart, die Frequenzfilter für eine schaltende Automobilantenne aufweist, um verschiedene Frequenzbereiche verschiedenen Empfängern zuzuordnen.
AUFGABE UND ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein Mehrband-HF-Schaltmodul in Form einer kleinen Schichtstruktur zum alternativen elektrischen Verbinden einer gemeinsamen Antenne mit einer Sendestufe oder einer Empfangsstufe von einem von zwei oder mehr Sende/Empfangssystemen mit unterschiedlichen Frequenzbändern bereitzustellen.
Diese Aufgabe wird durch das in Anspruch 1 definierte Mehrband-HF-Schaltmodul gelöst.
Gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist ein Mehrband-HF-Schaltmodul in Form eines Schichtkörpers zur Verwendung in einem Nachrichtensystem vorgesehen, das mit mehreren Sende/Empfangssystemen mit unterschiedlichen Frequenzbändern arbeitet, wobei eine Schaltung des Mehrband-HF-Schaltmoduls aufweist: (a) eine Bandtrennstufe, deren eines Ende an eine gemeinsame Antenne angeschlossen ist, und (b) Schaltstufen für die Sende/Empfangssysteme, deren eines Ende jeweils mit der Bandtrennstufe verbunden ist und deren anderes Ende parallel zu einem Empfangsanschluß zum Anschließen einer Empfangsstufe und einem Sendeanschluß zum Anschließen einer Sendestufe geschaltet ist, um die gemeinsame Antenne alternativ mit der Empfangsstufe oder der Sendestufe zu verbinden, und wobei der Schichtkörper mehrere dielektrische Substrate, auf die dielektrischen Substrate gedruckte Musterelektroden, auf Flächen des Schichtkörpers gebildete Anschlußelektroden und auf einer oberen Fläche des Schichtkörpers montierte Chipbauelemente aufweist.
KURZBESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
1 ist ein schematisches Blockdiagramm, in dem eine bevorzugte Ausführungsform des Mehrband-HF-Schaltmoduls gemäß der vorliegenden Erfindung dargestellt ist,
2 ist ein schematischer Schaltplan einer Ersatzschaltung des Mehrband-HF-Schaltmoduls aus 1,
3 ist eine Draufsicht eines Schichtkörpers des Mehrband-HF-Schaltmoduls gemäß der vorliegenden Erfindung,
4 ist eine perspektivische Ansicht eines Schichtkörpers des Mehrband-HF-Schaltmoduls gemäß der vorliegenden Erfindung,
5 ist eine Draufsicht, in dem jedes Substrat dargestellt ist, das den Schichtkörper aus den 3 und 4 bildet,
6 ist ein schematisches Blockdiagramm, in dem eine erste bevorzugte Schaltung des Mehrband-HF-Schaltmoduls gemäß der vorliegenden Erfindung dargestellt ist,
7 ist ein schematisches Blockdiagramm, in dem eine zweite bevorzugte Schaltung des Mehrband-HF-Schaltmoduls gemäß der vorliegenden Erfindung dargestellt ist,
8 ist ein schematisches Blockdiagramm, in dem eine dritte bevorzugte Schaltung des Mehrband-HF-Schaltmoduls gemäß der vorliegenden Erfindung dargestellt ist,
9 ist ein schematisches Blockdiagramm, in dem eine vierte bevorzugte Schaltung des Mehrband-HF-Schaltmoduls gemäß der vorliegenden Erfindung dargestellt ist,
10 ist ein schematisches Blockdiagramm, in dem eine fünfte bevorzugte Schaltung des Mehrband-HF-Schaltmoduls gemäß der vorliegenden Erfindung dargestellt ist,
11 ist ein schematisches Blockdiagramm, in dem eine sechste bevorzugte Schaltung des Mehrband-HF-Schaltmoduls gemäß der vorliegenden Erfindung dargestellt ist,
12 ist ein schematisches Blockdiagramm, in dem eine siebte bevorzugte Schaltung des Mehrband-HF-Schaltmoduls gemäß der vorliegenden Erfindung dargestellt ist,
13 ist ein schematisches Blockdiagramm, in dem eine achte bevorzugte Schaltung des Mehrband-HF-Schaltmoduls gemäß der vorliegenden Erfindung dargestellt ist,
14 ist ein schematisches Blockdiagramm, in dem eine neunte bevorzugte Schaltung des Mehrband-HF-Schaltmoduls gemäß der vorliegenden Erfindung dargestellt ist, und
15 ist ein schematischer Schaltplan, in dem eine herkömmliche Einband-Hochfrequenz-Schaltstufe dargestellt ist.
BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORMEN
Das Mehrband-HF-Schaltmodul gemäß der vorliegenden Erfindung umfaßt eine Bandtrennstufe, Schaltstufen, die jeweils abwechselnd eine gemeinsame Antenne mit einer Empfangsstufe oder einer Sendestufe von einem von mehreren Sende/Empfangssystemen mit unterschiedlichen Frequenzbändern verbinden, und Anschlüsse zum Verbinden der gemeinsamen Antenne, der Empfangsstufe oder der Sendestufe.
Die vorliegende Erfindung wird anhand des Hochfrequenz-Schaltmoduls für ein Zweibandsystem als Beispiel beschrieben. Es ist jedoch zu verstehen, daß die vorliegende Erfindung, ungeachtet der folgenden Beschreibung bevorzugter Ausführungsformen, ebenso auch auf ein Nachrichtensystem anwendbar ist, das drei oder mehr Sende/Empfangssysteme mit unterschiedlichen Frequenzbändern aufweist.
Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann das Mehrband-HF-Schaltmodul eine Bandtrennstufe, eine erste Schaltstufe für ein erstes Sende/ Empfangssystem und eine zweite Schaltstufe für ein zweites Sende/Empfangssystem aufweisen. Ein solches Mehrband-HF-Schaltmodul ist zur Verwendung in einem Zweiband-Mobil-Funktelefon geeignet.
Die Bandtrennstufe trennt ein Kommunikationssignal in zwei Bänder für das erste und das zweite Sende/Empfangssystem. Die Bandtrennstufe besteht aus zwei Filterstufen, die jeweils eine Induktorkomponente und eine Kondensatorkomponente aufweisen und jedem von dem ersten und dem zweiten Sende/Empfangssystem entsprechen. Die Stufen für die Bandtrennstufe können Sperrfilterstufen, Tiefpaß-Filterstufen, Hochpaß-Filterstufen, Bandpaß-Filterstufen oder eine beliebige Kombination dieser Stufen sein. Beispielsweise kann die Bandtrennstufe aus einer ersten und einer zweiten Sperrfilterstufe bestehen, die jeweils einen Induktor und einen Kondensator aufweisen, die parallel geschaltet sind. Ein Ende jeder Sperrfilterstufe ist jeweils mit der entsprechenden Schaltstufe verbunden, und ihr anderes Ende ist mit einem gemeinsamen Antennenanschluß zum Anschließen der gemeinsamen Antenne verbunden. Zwischen eine der Sperrfilterstufen und ihre entsprechende Schaltstufe kann ein geerdeter Kondensator im Nebenschluß geschaltet sein. Zwischen die andere Sperrfilterstufe und ihre entsprechende Schaltstufe kann ein Kondensator geschaltet sein, und ein geerdeter Induktor kann weiter im Nebenschluß zwischen die Sperrfilterstufe und den Kondensator geschaltet sein.
Jedes von dem ersten und dem zweiten Sende/Empfangssystem weist eine Schaltstufe auf, deren eines Ende mit der Bandtrennstufe verbunden ist, die mit dem gemeinsamen Antennenanschluß zum Anschließen des gemeinsamen Antennenanschlusses verbunden ist, wobei ein anderes Ende mit einem Empfangsanschluß zum Anschließen der Empfangsstufe verbunden ist, und ein weiteres Ende mit einem Sendeanschluß zum Anschließen der Sendestufe verbunden ist. Demgemäß verbindet die erste Schaltstufe abwechselnd die gemeinsame Antenne mit einer ersten Sendestufe oder einer ersten Empfangsstufe und verbindet die zweite Schaltstufe abwechselnd die gemeinsame Antenne mit einer zweiten Sendestufe oder einer zweiten Empfangsstufe. Die Schaltstufe kann eine Dioden-Schaltstufe sein, die über einen Steueranschluß mit einer Steuerstufe verbunden ist, um eine Spannung mit einem vorgegebenen Pegel an die Dioden anzulegen und dadurch den Schaltvorgang zu steuern. Beispielsweise kann das Mehrband-HF-Schaltmodul einen ersten und einen zweiten Steueranschluß zum Steuern der Sendestufen für das erste und das zweite Sende/Empfangssystem und einen dritten und einen vierten Steueranschluß zum Steuern der Empfangsstufen des ersten und des zweiten Sende/Empfangssystems aufweisen. Die Empfangsstufen des ersten und des zweiten Sende/Empfangssystems können durch den gleichen Steueranschluß gesteuert werden.
Die Tiefpaß-Filterstufe mit einer Induktorkomponente und einer Kondensatorkomponente kann in die Schaltstufe aufgenommen werden, um das Sendesystem (einen Weg vom gemeinsamen Antennenanschluß zum Sendeanschluß, der über die Bandtrennstufe und die Schaltstufe verläuft) jedes Sende/Empfangssystems mit einer Tiefpaß-Filterfunktion zu versehen. Demgemäß kann das Mehrband-HF-Schaltmodul gemäß der vorliegenden Erfindung die folgenden verschiedenen Stufenkonstruktionen aufweisen:

(A) Wie in 1 gezeigt, besteht bei einer ersten bevorzugten Stufe die Bandtrennstufe 2 aus einer Tiefpaß-Filterstufe LPF für das erste Sende/Empfangssystem und einer Sperrfilterstufe NF für das zweite Sende/Empfangssystem, und eine Tiefpaß-Filterstufe LPF2 ist in die zweite Schaltstufe SW2 aufgenommen.
(B) Wie in 7 gezeigt, besteht bei einer zweiten bevorzugten Stufe die Bandtrennstufe 2 aus einer Tiefpaß-Filterstufe LPF für das erste Sende/Empfangssystem und einer Hochpaß-Filterstufe HPF für das zweite Sende/Empfangssystem, und eine Tiefpaß-Filterstufe LPF2 ist in die zweite Schaltstufe SW2 aufgenommen.
(C) Wie in 8 gezeigt, besteht bei einer dritten bevorzugten Stufe die Bandtrennstufe 2 aus einer Sperrfilterstufe NF für das erste Sende/Empfangssystem und einer Bandpaß-Filterstufe BPF für das zweite Sende/Empfangssystem, und eine Tiefpaß-Filterstufe LPF1 ist in die erste Schaltstufe SW1 aufgenommen.
(D) Wie in 9 gezeigt, besteht bei einer vierten bevorzugten Stufe die Bandtrennstufe 2 aus einer Tiefpaß-Filterstufe LPF für das erste Sende/Empfangssystem und einer Bandpaß-Filterstufe BPF für das zweite Sende/Empfangssystem. Es ist keine Tiefpaß-Filterstufe in die Schaltstufen aufgenommen, weil die Bandpaß-Filterstufe BPF die Funktion eines Tiefpaßfilters hat.
(E) Wie in 10 gezeigt, besteht bei einer fünften bevorzugten Stufe die Bandtrennstufe 2 aus einer ersten Sperrfilterstufe NF1 für das erste Sende/Empfangssystem und einer zweiten Sperrfilterstufe NF2 für das zweite Sende/Empfangssystem. Eine erste Tiefpaß-Filterstufe LPF1 und eine zweite Tiefpaß-Filterstufe LPF2 sind in die erste Schaltstufe SW1 bzw. die zweite Schaltstufe SW2 aufgenommen.
(F) Wie in 11 gezeigt, besteht bei einer sechsten bevorzugten Stufe die Bandtrennstufe 2 aus einer Sperrfilterstufe NF für das erste Sende/Empfangssystem und einer Hochpaß-Filterstufe HPF für das zweite Sende/Empfangssystem. Eine erste Tiefpaß-Filterstufe LPF1 und eine zweite Tiefpaß-Filterstufe LPF2 sind in die erste Schaltstufe SW1 bzw. die zweite Schaltstufe SW2 aufgenommen.
(G) Wie in 12 gezeigt, besteht bei einer siebten bevorzugten Stufe die Bandtrennstufe 2 aus einer ersten Bandpaß-Filterstufe BPF1 für das erste Sende/Empfangssystem und einer zweiten Bandpaß-Filterstufe BPF2 für das zweite Sende/Empfangssystem. Keine Tiefpaß-Filterstufe ist in die Schaltstufen aufgenommen, weil die Bandpaß-Filterstufen BPF1 und BPF2 die Funktion eines Tiefpaßfilters haben.
(H) Wie in 13 gezeigt, besteht bei einer achten bevorzugten Stufe die Bandtrennstufe 2 aus einer Bandpaß-Filterstufe BPF für das erste Sende/Empfangssystem und einer Sperrfilterstufe NF für das zweite Sende/Empfangssystem, und eine Tiefpaß-Filterstufe LPF2 ist in die zweite Schaltstufe SW2 aufgenommen.
(I) Wie in 14 gezeigt, besteht bei einer neunten bevorzugten Stufe die Bandtrennstufe 2 aus einer Bandpaß-Filterstufe BPF für das erste Sende/Empfangssystem und einer Hochpaß-Filterstufe HPF für das zweite Sende/Empfangssystem, und eine Tiefpaß-Filterstufe LPF2 ist in die zweite Schaltstufe SW2 aufgenommen.

1 ist ein schematisches Blockdiagramm, in dem eine bevorzugte Ausführungsform des Mehrband-HF-Schaltmoduls gemäß der vorliegenden Erfindung dargestellt ist. Das von einer unterbrochenen Linie umgebene Mehrband-HF-Schaltmodul 1 wird in einem Nachrichtensystem verwendet, in dem zwei Sende/Empfangssysteme mit unterschiedlichen Frequenzbändern verwendet werden, und es ist geeignet, um abwechselnd eine gemeinsame Antenne ANT mit einer Sendeschaltung (TX1, TX2) und einer Empfangsschaltung (RX1, RX2) jedes Sende/Empfangssystems in einem Zweiband-Funktelefon zu verbinden. Beispielsweise kann ein erstes Sende/Empfangssystem das globale System zur Mobilkommunikation ("Global System for Mobile Communication" – GSM) sein und ein zweites Sende/Empfangssystem das digitale Mobilsystem ("Digital Cellular System" – DCS) 1800 sein.
Das Mehrband-HF-Schaltmodul 1 aus 1 umfaßt eine erste Schaltstufe SW1 zum Schalten einer Sendestufe TX1 und einer Empfangsstufe RX1 des ersten Sende/Empfangssystems (GSM), eine erste Tiefpaß-Filterstufe LPF1, die in die erste Schaltstufe SW1 aufgenommen ist, einen ersten Sendeanschluß TT1 zum Anschließen einer Sendestufe TX1, eine zweite Schaltstufe SW2 zum Schalten einer Sendestufe TX2 und einer Empfangsstufe RX2 des zweiten Sende/Empfangssystems (DCS), eine zweite Tiefpaß-Filterstufe LPF2, die in die zweite Schaltstufe SW2 aufgenommen ist, einen zweiten Sendeanschluß TT2 zum Anschließen der Sendestufe TX2 und eine Bandtrennstufe 2 zum Trennen der Bänder von Nachrichtensignalen für die jeweiligen Sende/Empfangssysteme. Die Schaltstufen SW1, SW2 können Steueranschlüsse CT1, CT2 zum Verbinden jeweiliger Stufen VC1, VC2 aufweisen. Die Bandtrennstufe weist eine erste Sperrfilterstufe NF1 und eine zweite Sperrfilterstufe NF2 auf, wobei ein Ende von jeder Sperrfilterstufe mit einem gemeinsamen Antennenanschluß CAT zum Anschließen einer gemeinsamen Antenne ANT verbunden ist und ihr anderes Ende mit der jeweiligen Schaltstufe verbunden ist. Die Empfangsstufen RX1, RX2 sind jeweils über Empfangsanschlüsse RT1, RT2 mit den Schaltstufen SW1, SW2 verbunden.
2 ist ein schematischer Schaltplan, in dem eine Ersatzschaltung des Mehrband-HF-Schaltmoduls aus 1 dargestellt ist. Die mit dem gemeinsamen Antennenanschluß CAT verbundene Bandtrennstufe weist eine erste und eine zweite Sperrstufe auf, die erste Sperrstufe weist den Induktor LF1 und den Kondensator CF1 auf, die parallel geschaltet sind, und die zweite Sperrstufe weist den Induktor LF2 und den Kondensator CF2 auf, die parallel geschaltet sind. Eines der Enden der ersten Sperrstufe ist mit dem gemeinsamen Antennenanschluß CAT verbunden, und das entgegengesetzte Ende ist über einen Kondensator CF3 an Masse gelegt, um den Tiefpaß-Filtervorgang der Bandtrennstufe zu verbessern. Eines der Enden der zweiten Sperrstufe ist mit dem gemeinsamen Antennenanschluß CAT verbunden, und das entgegengesetzte Ende ist mit einem Kondensator CF4 und einem Induktor LF3 verbunden, die an Masse gelegt sind. Der Induktor LF3 und der Kondensator CF4 verbessern den Hochpaß-Filtervorgang der Bandtrennstufe.
Die erste Schaltstufe SW1 weist Dioden DG1, DG2 und Übertragungsleitungen LG1, LG2 auf. Die Anode der Diode DG1 ist über einen Kondensator CG1 mit dem gemeinsamen Antennenanschluß CAT verbunden. Die Anode ist weiter über die Übertragungsleitung LG2 mit einem Empfangsanschluß RT1 zum Verbinden der Empfangsstufe RX1 über einen Kondensator CG5 verbunden. Die Kathode der Diode DG2 ist zwischen die Übertragungsleitung LG2 und den Empfangsanschluß RT1 geschaltet, und die Anode ist über einen Kondensator CG6 an Masse gelegt. Zwischen die Diode DG2 und den Kondensator CG6 ist der Steueranschluß CT1 zum Anschließen der Steuerstufe VC1 über den Widerstand RG und den Induktor LG, die in Reihe geschaltet sind, im Nebenschluß geschaltet. Die Kathode der Diode DG1 ist über eine Tiefpaß-Filterstufe LPF1 mit einem Sendeanschluß TT1 zum Anschließen der Sendestufe TX1 über einen Kondensator CG2 verbunden. Die Tiefpaß-Filterstufe LPF1 weist einen Induktor LG3 und Kondensatoren CG3, CG4, CG7 auf. Zwischen die Tiefpaß-Filterstufe LPF1 und den Sendeanschluß TT1 ist die geerdete Übertragungsleitung LG1 im Nebenschluß geschaltet.
Die zweite Schaltstufe SW2 weist Dioden DP1, DP2 und Übertragungsleitungen LP1, LP2 auf. Die Anode der Diode DP1 ist über einen Kondensator CP1, der fortgelassen werden kann, mit dem gemeinsamen Antennenanschluß CAT verbunden. Die Anode ist weiter über eine Übertragungsleitung LP2 mit einem Empfangsanschluß RT2 zum Anschließen der Empfangsstufe RX2 über einen Kondensator CPS verbunden. Die Kathode der Diode DP2 ist zwischen die Übertragungsleitung LP2 und den Empfangsanschluß RT2 geschaltet, und die Anode ist über einen Kondensator CP6 an Masse gelegt. Zwischen die Anode und den Kondensator CP6 ist ein Steueranschluß CT2 zum Anschließen der Steuerstufe VC2 über den Widerstand RP und den Induktor LP, die in Reihe geschaltet sind, im Nebenschluß geschaltet. Die Kathode der Diode DP1 ist über eine Tiefpaß-Filterstufe LPF2 mit einem Sendeanschluß TT2 zum Anschließen der Sendestufe TX2 über einen Kondensator CP2 verbunden. Die Tiefpaß-Filterstufe LPF2 weist einen Induktor LP3 und Kondensatoren CP3, CP4, CP7 auf. Zwischen die Tiefpaß-Filterstufe LPF2 und den Sendeanschluß TT2 ist die geerdete Übertragungsleitung LP1 im Nebenschluß geschaltet. Die Reihenschal tung aus dem Induktor LP4 und dem Kondensator 8 ist parallel zur Diode DP1 geschaltet. Diese LC-Reihenschaltung ist optional und verbessert die Isolationseigenschaften, wenn sich die Diode DP1 im Sperrzustand befindet.
Das Mehrband-HF-Schaltmodul der vorstehend erwähnten Stufe weist die Form eines Schichtkörpers mit mehreren dielektrischen Substraten, auf den dielektrischen Substraten gebildeten Musterelektroden, auf den Seitenflächen des Schichtkörpers gebildeten Anschlußelektroden und auf der oberen Fläche des Schichtkörpers angebrachten Schaltungselementen auf.
Gemäß der vorliegenden Erfindung sind der gemeinsame Antennenanschluß, mit dem mehrere Sende/Empfangssysteme über die Bandtrennstufe verbunden sind, die Sendeanschlüsse zum Anschließen der Sendestufe jeweiliger Sende/Empfangssysteme und die Empfangsanschlüsse zum Anschließen der Empfangsstufen jeweiliger Sende/Empfangssysteme an den Seitenflächen des Schichtkörpers ausgebildet, wodurch das Anbringen des Mehrband-HF-Schaltmoduls an einer Leiterplatte über deren Bodenfläche ermöglicht ist. Jeder Anschluß kann zu der oberen oder der unteren Fläche verlaufen.
An jeder der vier Seitenflächen ist vorzugsweise wenigstens ein Masseanschluß ausgebildet, um den Einfügungsverlust des Mehrband-HF-Schaltmoduls zu verringern. Wenigstens ein Masseanschluß oder Steueranschluß zum Steuern der Schaltstufe, vorzugsweise der Steueranschluß, ist zwischen den Hochfrequenzanschlüssen (dem gemeinsamen Antennenanschluß, den Sendeanschlüssen und den Empfangsanschlüssen) an der Seitenfläche ausgebildet, um zu verhindern, daß die Hochfrequenzanschlüsse direkt nebeneinander positioniert werden. Bei einer solchen Konfiguration wird die Interferenz zwischen den Hochfrequenzanschlüssen minimiert und der Einfügungsverlust verringert. Weiterhin wird die Isolation zwischen den Signalanschlüssen gut.
Gemäß einer bevorzugteren Ausführungsform ist jeder der Hochfrequenzanschlüsse zwischen zwei Masseanschlüssen angeordnet. Bei dieser Konfiguration werden das Lecken von Signalen und die Interferenz zwischen den Hochfrequenzanschlüssen sicherer verhindert und die Isolation zwischen den Hochfrequenzanschlüssen verbessert.
Die Sendeanschlüsse werden bevorzugt gemeinsam positioniert, während sie durch den dazwischen liegenden Masseanschluß oder Steueranschluß getrennt sind, wie vorstehend erwähnt wurde. Die Empfangsanschlüsse werden vorzugsweise auch gemeinsam positioniert. Die Sendeanschlüsse und die Empfangsanschlüsse werden vorzugsweise auf entgegengesetzten Seiten einer vertikalen Ebene, senkrecht zur Seitenfläche mit dem gemeinsamen Antennenanschluß, angeordnet, wodurch der Schichtkörper in zwei gleiche Teile unterteilt wird. Bevorzugter werden die Sendeanschlüsse und die Empfangsanschlüsse symmetrisch zur vertikalen Ebene angeordnet. Eine solche Konstruktion macht es leicht, die Sendeanschlüsse und die Empfangsanschlüsse mit den jeweiligen Sendestufen und Emp fangsstufen auf der Leiterplatte zu verbinden, auf der das Mehrband-HF-Schaltmodul zu montieren ist.
Zusätzlich werden der gemeinsame Antennenanschluß und die anderen Hochfrequenzanschlüsse (die Sendeanschlüsse und Empfangsanschlüsse) vorzugsweise auf entgegengesetzten Seiten zu einer anderen vertikalen Ebene, vorzugsweise senkrecht zur erwähnten vertikalen Ebene und parallel zur Seitenfläche mit dem gemeinsamen Antennenanschluß angeordnet, wodurch der Schichtkörper in zwei gleiche Teile unterteilt wird. Weil das Mehrband-HF-Schaltmodul zwischen der gemeinsamen Antenne und den Sende- und Empfangsstufen angeordnet ist, kann bei einer solchen Konfiguration das Mehrband-HF-Schaltmodul durch die kürzesten Leitungen mit der gemeinsamen Antenne und den Sende- und Empfangsstufen verbunden werden, wodurch ein zusätzlicher Einfügungsverlust verhindert wird.
Wie vorstehend beschrieben wurde, ist es bevorzugt, daß der gemeinsame Antennenanschluß an einem der zwei Teile angeordnet wird, die durch Unterteilen des Schichtkörpers mit einer ersten vertikalen Ebene parallel zur Seitenfläche mit dem gemeinsamen Antennenanschluß gebildet sind, und die Sende- und Empfangsanschlüsse an dem anderen angeordnet werden. Unter der Annahme, daß die andere Hälfte entgegengesetzt zum gemeinsamen Antennenanschluß weiter durch eine zweite vertikale Ebene, die senkrecht zur ersten Ebene verläuft, in gleichem Maße in zwei geviertelte Teile unterteilt sind, ist es bevorzugt, daß die Sendeanschlüsse an einem der geviertelten Teile angeordnet sind und die Empfangsanschlüsse an dem anderen angeordnet sind. Bei dieser Konfiguration sind die Sendeanschlüsse gemeinsam an einem geviertelten Teil angeordnet und sind die Empfangsanschlüsse gemeinsam am anderen angeordnet. Wie vorstehend beschrieben wurde, wird die Verbindung zwischen dem Mehrband-HF-Schaltmodul, der gemeinsamen Antenne, den Sendestufen und den Empfangsstufen daher durch eine kurze Leitung hergestellt, um einen zusätzlichen Einfügungsverlust zu vermeiden.
In dem Schichtkörper ist die Schaltung des Mehrband-HF-Schaltmoduls durch die an den dielektrischen Substraten gebildeten Musterelektroden gebildet und sind die Chipelemente an der oberen Fläche des Schichtkörpers angebracht.
Die Bandtrennstufe und die Übertragungsleitungen der Schaltstufen sind vorzugsweise durch die Musterelektroden auf den inneren Substraten zwischen dem oberen Substrat und dem unteren Substrat ausgebildet. Genauer gesagt, sind die Übertragungsleitungen der Schaltstufen vorzugsweise durch die Musterelektroden auf den Substraten zwischen den Substraten mit den Masseelektrodenmustern gebildet. Die Musterelektroden für die Bandtrennstufe mit einer Kondensatorkomponente und einer Induktorkomponente sind auf den Substraten ausgebildet, die auf dem Substrat mit dem oberen Masseelektrodenmuster laminiert sind. Die Musterelektrode für die Induktorkomponente ist auf dem Substrat ausgebildet, das über dem Substrat mit der Musterelektrode für die Kondensatorkomponente laminiert ist.
Es ist gemäß der vorliegenden Erfindung bevorzugt, daß das Sendesystem von wenigstens einem Sende/Empfangssystem eine Tiefpaß-Filterfunktion aufweist. Dies kann durch Bilden der Bandtrennstufe aus wenigstens einer Tiefpaß-Filterstufe erreicht werden, wie vorstehend beschrieben wurde. Ein anderes Verfahren besteht darin, eine Tiefpaß-Filterstufe in wenigstens eine Schaltstufe aufzunehmen. Beispielsweise ist, wie in 2 gezeigt, die Tiefpaß-Filterstufe LPF1 mit dem Induktor LG3 und den Kondensatoren CG3, CG4, CG7 in die erste Schaltstufe SW1, insbesondere zwischen der Diode DG1 und der Übertragungsleitung LG1, aufgenommen, die jeweils die erste Schaltstufe SW1 bilden. Dieses Aufnehmen der Tiefpaß-Filterstufe in die Schaltstufe macht die Gesamtschaltung symmetrisch, wodurch der Einfügungsverlust verringert wird und gute Eigenschaften in einem breiten Band sichergestellt werden. Die Musterelektroden für die in die Schaltstufe aufzunehmende Tiefpaß-Filterstufe wird vorzugsweise auf den Substraten ausgebildet, die über den Substraten mit den Musterelektroden für die Schaltstufen zu laminieren sind. Insbesondere werden die Musterelektroden für die Kondensatorkomponente der Tiefpaß-Filterstufe auf den Substraten über dem Substrat mit der oberen Massemusterelektrode gebildet und die Musterelektrode für die Induktorkomponente auf dem Substrat gebildet, das über den Substraten mit den Kondensatormusterelektroden laminiert ist.
Die Musterelektroden für die Induktorkomponenten und die Musterelektroden für die Kondensatorkomponenten werden vorzugsweise auf verschiedenen Substraten gebildet. Die Kondensatormusterelektroden der in die Schaltstufe aufgenommenen Tiefpaß-Filterstufe und die Kondensatormusterelektroden der Bandtrennstufe sind vorzugsweise getrennt auf demselben Substrat zu bilden. Weiterhin werden die Induktormusterelektroden der Tiefpaß-Filterstufe und der Bandtrennstufe vorzugsweise getrennt auf demselben Substrat gebildet. Die Bandtrennstufe und die Tiefpaß-Filterstufe können über Durchgangslöcher mit der Schaltstufe verbunden werden, wobei die Durchgangslöcher an den zwischenstehenden Substraten ausgebildet sind.
Wie vorstehend beschrieben wurde, umfaßt der Schichtkörper gemäß der vorliegenden Erfindung vorzugsweise, von der unteren Fläche (Montagefläche) betrachtet, das Substrat mit der unteren Masseelektrode, die Substrate mit den Übertragungsleitungen der Schaltstufen, das Substrat mit der oberen Masseelektrode, die Substrate mit den Kondensatorkomponenten der Bandtrennstufe und der unteren Tiefpaß-Filterstufe und die Substrate mit den Induktorkomponenten der Bandtrennstufe und der Tiefpaß-Filterstufe.
An der oberen Fläche des Schichtkörpers sind Chipelemente der Dioden und der Kondensatoren, die von denen verschieden sind, welche die Bandtrennstufe, die Schaltstufen und die Tiefpaß-Filterstufen bilden, montiert. Eine Metallabdeckung zum Abdecken der Chipbauelemente kann an der oberen Fläche des Schichtkörpers angeordnet werden, während die Anschlußelektroden an den Seitenflächen, die der Atmosphäre ausgesetzt sind, beibehalten werden. Die Metallabdeckung kann durch Löten oder eine Montagevorrichtung an dem Schichtkörper befestigt werden.
Eine Draufsicht und eine perspektivische Ansicht eines Schichtkörpers des Mehrband-HF-Schaltmoduls mit der in 2 dargestellten Ersatzschaltung sind in 3 bzw. 4 dargestellt. 5 ist eine Draufsicht, in der jedes den Schichtkörper aus den 3 und 4 bildende Substrat dargestellt ist. Gemäß dieser Ausführungsform wurden die Bandtrennstufe, die Tiefpaß-Filterstufen und die Übertragungsleitungen der Schaltstufen auf den inneren Substraten des Schichtkörpers gebildet. An der oberen Fläche des Schichtkörpers wurden die Dioden und Chipkondensatoren montiert.
Der Schichtkörper wurde wie nachstehend beschrieben hergestellt. Eine Rohschicht aus einem bei niedrigen Temperaturen sinterbaren dielektrischen Keramikmaterial wurde als das Substrat verwendet. Die Musterelektroden für alle Schaltungselemente wurden durch Drucken einer hauptsächlich Ag enthaltenden elektrisch leitenden Paste auf die Rohschichten gebildet. Die Rohschichten mit Musterelektroden und, falls gewünscht, eine Rohschicht ohne Musterelektrode (Blindschicht) wurden übereinandergelegt und gesintert, um den integralen Schichtkörper herzustellen.
Wie am besten in 5 gezeigt, wurden Rohschichten 11 bis 22 wiederum übereinandergelegt, wobei die Rohschicht 22 ganz oben angeordnet wurde. Eine Masseelektrode 31 wurde nahezu auf der gesamten Oberfläche der untersten Rohschicht 11 ausgebildet. Die Masseelektrode 31 hatte Anschlußstellen zum Anschließen der Masseanschlüsse (GRD) 81, 83, 85, 87, 89, 91, 93, 94 und 95, die auf den Seitenflächen des sich ergebenden Schichtkörpers zu bilden waren. Auf die unterste Rohschicht 11 wurde die Blind-Rohschicht 12 ohne eine Musterelektrode gestapelt.
Auf die Rohschicht 13 wurden Leitungselektroden 41, 42, 43 gedruckt. Auf der Rohschicht 14 wurden Leitungselektroden 44 bis 47 gebildet. Jede der Leitungselektroden 45–47 hatte an einem Ende eine durch einen Kreis mit einem Kreuz dargestellte Durchgangslochelektrode. Die Rohschicht 15 hatte nur zwei Durchgangslochelektroden. Die Rohschicht 16 mit einer Masseelektrode 32 war auf die Rohschicht 15 gelegt. Die zwischen den Masseelektroden 31 und 32 angeordneten Leitungselektroden bilden die Übertragungsleitungen der ersten und der zweiten Schaltstufe SW1, SW2. Insbesondere sind die Leitungselektroden 42 und 46 durch die Durchgangslochelektrode miteinander verbunden, um die Übertragungsleitung LG1 zu bilden. Ebenso bilden die Leitungselektroden 41 und 45 die Übertragungsleitung LG2 und die Leitungselektroden 43 und 47 die Übertragungsleitung LP1. Die Leitungselektrode 44 bildet die Übertragungsleitung LP2.
Auf die Rohschichten 17 bis 19 waren die Musterelektroden 67 bis 71 zur Bildung von Kondensatoren gedruckt. Die Musterelektroden 61 bis 65 bilden jeweils die Kondensatoren CG4, CG3, CP4, CP3 und CF3, die jeweils eine Masseelektrode 32 aufweisen. Überdies bilden die Elektroden 66 und 70, die Elektroden 64 und 69, die Elektroden 62 und 67, die Elektroden 70 und 71 und die Elektroden 68 und 71 jeweils die Kondensatoren CF4, CP7, CG7, CF2 und CF1. Die Masseelektrode 32 ist teilweise ausgeschnitten, so daß die Elektrode 66 nur der Elektrode 70 gegenübersteht. Im ausgeschnittenen Abschnitt der Masseelektrode 32 waren zwei Durchgangslochelektroden ausgebildet, die mit den Leitungselektroden 44 und 45 in Verbindung standen.
Auf der Rohschicht 19 war die Rohschicht 20 mit Leitungselektroden 48, 49, 56 angeordnet. Die Leitungselektroden 50 bis 55 waren auf der Rohschicht 21 angeordnet. Auf der obersten Rohschicht 22 waren Kontaktflecken 23 bis 29 und 33 bis 37 zum Verbinden der Chipbauelemente, wie der Dioden und Chipkondensatoren, die darauf montiert waren, ausgebildet. Die Leitungselektroden 48 und 55 waren unter Bildung von LF1 über die Durchgangslochelektrode miteinander verbunden. Ebenso bilden die Leitungselektroden 54 und 56 LF2 und die Leitungselektroden 49 und 53 LF3. Die Leitungselektroden 50 und 52 bilden jeweils LG3 und LP3. Die Leitungselektrode 51 ist eine Gleichspannungsleitung für die Steuerschaltung.
Die vorstehend erwähnten Rohschichten 11 bis 22 wurden in einer bekannten Weise aufeinandergelegt, gepreßt und dann gesintert, um einen integralen Schichtkörper zu erhalten. An den Seitenflächen des Schichtkörpers wurden die Anschlußelektroden 81 bis 96 gebildet, wie in 4 dargestellt ist. Anschließend wurden Dioden DG1, DG2, DP1, DP2, Chipkondensatoren CG1, CG6, CP1, CP6, CP8 und ein Chipinduktor LP4 an den jeweiligen Kontaktflecken an der oberen Fläche des Schichtkörpers montiert, um ein Mehrband-HF-Schaltmodul gemäß der vorliegenden Erfindung in Form eines Schichtkörpers zu erhalten.
Von den in 2 dargestellten Schaltungselementen sind CP2, CPS, CG2, CG5, RG, LG, RP und LP auf der Leiterplatte ausgebildet, an der das Mehrband-HF-Schaltmodul montiert ist.
Gemäß der vorstehenden Ausführungsform sind die Übertragungsleitungen 41 bis 47 der ersten und der zweiten Schaltstufe zwischen den Masseelektroden 31, 32 angeordnet, um wirksam die Interferenz zwischen den Schaltstufen und der Bandtrennstufe und/oder den Tiefpaß-Filterstufen zu verhindern. Weil die Masseelektroden tiefer in dem Schichtkörper angeordnet sind, läßt sich das Erden leicht sicherstellen. Die an Masse gelegten Kondensatoren CG3, CG4, CP3, CP4, CF3 sind durch gegenüberstehendes Anordnen der oberen Masseelektrode 32 und der Musterelektroden 61 bis 65 auf dem Substrat gerade oberhalb der oberen Masseelektrode 32 ausgebildet.
Weil die Anschlußelektroden weiterhin an der Seitenfläche des Schichtkörpers ausgebildet sind, kann das Mehrband-HF-Schaltmodul über seine Bodenfläche montiert werden. Die Hochfrequenzanschlüsse (der gemeinsame Antennenanschluß CAT, die Sendeanschlüsse TT1, TT2, die Empfangsanschlüsse RT1, RT2) sind getrennt angeordnet, wobei sie durch den zwischenstehenden Masseanschluß GRD und die Steueranschlüsse CT1, CT2 getrennt sind. Wenigstens ein Masseanschluß ist zwischen den Hochfrequenzanschlüssen angeordnet. Mit anderen Worten ist jeder der Hochfrequenzanschlüsse zwischen den Masseelektroden angeordnet. Weiterhin ist wenigstens ein Masseanschluß an jeder Seitenfläche des Schichtkörpers angeordnet.
Wie in 3 gezeigt, befinden sich der gemeinsame Antennenanschluß CAT und die anderen Hochfrequenzanschlüsse (die Sendeanschlüsse TT1, TT2 und die Empfangsanschlüsse RT1, RT2) auf entgegengesetzten Seiten einer vertikalen Ebene X parallel zur Seitenfläche mit dem gemeinsamen Antennenanschluß CAT, die den Schichtkörper in zwei gleiche Teile unterteilt. Weiterhin befinden sich die Sendeanschlüsse TT1, TT2 und die Empfangsanschlüsse RT1, RT2 auf entgegengesetzten Seiten einer anderen vertikalen Ebene Y senkrecht zur Ebene X, die den Schichtkörper in zwei gleiche Teile unterteilt.
Wie vorstehend beschrieben wurde, verbindet das Mehrband-HF-Schaltmodul gemäß der vorliegenden Erfindung die gemeinsame Antenne alternativ mit der Sende- oder Empfangsstufe eines ersten Sende/Empfangssystems oder der Sende- oder Empfangsstufe eines zweiten Sende/Empfangssystems. Das erste und das zweite Sende/Empfangssystem können ein GSM-System und ein DCS1800-System sein. Die vorliegende Erfindung ist jedoch nicht auf die vorstehende Ausführungsform beschränkt und kann gleichermaßen auf das Schalten der Sendestufen und der Empfangsstufen mehrerer Sende/Empfangssysteme mit unterschiedlichen Frequenzbändern angewendet werden.
Das Mehrband-HF-Schaltmodul gemäß der vorliegenden Erfindung ist für eine Verwendung in einem Zweiband-Mobil-Funktelefon usw. geeignet. Weil das Mehrband-HF-Schaltmodul zu einem kleinen Chip mit einer laminierten Struktur gemacht werden kann, ist die vorliegende Erfindung wirksam, um die Größe des Zweiband-Mobil-Funktelefons usw. zu verringern.

Claims

Mehrband-HF-Schaltmodul in Form eines Schichtkörpers zur Verwendung in einem Nachrichtensystem, das mit mehreren Sende/Empfangs-Systemen (GSM, DCS) unterschiedlicher Frequenzbänder arbeitet, wobei die Schaltung des Mehrband-HF-Schaltmoduls aufweist: eine Bandtrennstufe (2), deren eines Ende an eine gemeinsame Antenne (ANT) angeschlossen ist, und eine Schaltstufe (SW1, SW2) für jedes Sende/Empfangssystem (GSM, DCS), deren eines Ende mit der Bandtrennstufe (2) und deren anderes Ende parallel mit einem Empfangsanschluß (RT1, RT2) zum Anschluß eines Empfangskreises (RX1, RX2) und einem Empfangsanschluß (TT1, TT2) zum Anschluß eines Sendekreises (TX1, TX2) verbunden ist, um die gemeinsame Antenne (ANT) abwechselnd mit dem Empfangskreis (RX1, RX2) und dem Sendekreis (TX1, TX2) zu verbinden, wobei jede Schaltstufe (SW1, SW2) mindestens eine Übertragungsleitung (LG1, LG2, LP1, LP2) enthält, wobei der Schichtkörper mehrere dielektrische Lagen (11~22), auf diese aufgedruckte Musterelektroden (41~71), auf Oberflächen des Schichtkörpers ausgebildete Anschlußelektroden (81~96) sowie auf einer oberen Fläche des Schichtkörpers montierte Chipbauelemente (CP1~LP4) aufweist, und wobei die Übertragungsleitungen (LG1, LG2 LP1, LP2) sämtlicher Schaltstufen (SW1, SW2) von Musterelektroden (41~47) gebildet sind, die gemeinsam auf der gleichen Fläche mindestens einer (13, 14) der Lagen angeordnet sind.
Modul nach Anspruch 1, wobei die Lagen (13, 14) mit den Übertragungsleitungen (LG1, LG2, LP1, LP2) bildenden Musterelektroden (41~47) zwischen Lagen (11, 16) angeordnet sind, die eine untere und eine obere Masseelektrode (31, 32) tragen.
Modul nach Anspruch 1 oder 2, wobei die die obere Masseelektrode (32) tragende Lage (16) mit durchkontaktierten Elektroden versehen ist und die Musterelektroden (45, 44) der Übertragungsleitungen (LG2, LP2) mit dem Empfangskreis (RX1, RX2) sowie über die durchkontaktierten Elektroden mit auf dem Schichtkörper angebrachten Schaltelementen (DG1, DP1) verbunden sind.
Modul nach Anspruch 3, wobei die Musterelektroden (45, 44) der mit dem Empfangskreis (RX1, RX2) verbundenen Übertragungsleitungen (LG2, LP2) über die durchkon taktierten Elektroden mit der auf inneren Lagen des Schichtkörpers ausgebildeten Bandtrennstufe (2) verbunden sind.
Modul nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei zwischen einem ersten Filterkreis (NF1) der Bandtrennstufe (2) und einer ersten (SW1) der Schaltstufen (SW1, SW2) ein mit Masse verbundener Kondensator (CF3) im Nebenschluß liegt.
Modul nach Anspruch 5, wobei in dem Schichtkörper an einer der oberen Masseelektrode (32) gegenüberliegenden Stelle eine einen Kondensator (CF3) bildende Musterelektrode (65) im Nebenschluß liegt.
Modul nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei zwischen einem zweiten Filterkreis (NF2) der Bandtrennstufe (2) und einer zweiten (SW2) der Schaltstufen (SW1, SW2) ein Kondensator (CF4) vorgesehen ist und zwischen diesem und dem zweiten Filterkreis (NF2) eine mit Masse verbundene Induktivität (LF3) im Nebenschluß liegt.
Modul nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei ein einen gemeinsamen Antennenanschluß (CAT), die Bandtrennstufe (2), die Schaltstufe (SW1, SW2) und den Sendeanschluß (TT1, TT2) mindestens eines Sende/Empfangssystems (GSM, DCS) umfassendes Sendesystem eine von einem Tiefpaß-Filterkreis (LPF1, LPF2) vermittelte Tiefpaß-Filterfunktion aufweist, wobei der Tiefpaß-Filterkreis in dem Schichtkörper ausgebildete Musterelektroden (50, 52, 61~64, 67, 69) umfaßt.
Modul nach Anspruch 8, wobei Musterelektroden (48, 49, 53~56, 65, 66, 68, 70, 71) für die Bandtrennstufe (2) und Musterelektroden (50, 52, 61~64, 67, 69) für den Tiefpaß-Filterkreis (LPF1, LPF2) auf Lagen (17~21) in einer in horizontaler Richtung des Schichtkörpers getrennten Weise ausgebildet sind.
Modul nach Anspruch 8 oder 9, wobei die Tiefpaß-Filterfunktion von einem in der Schaltstufe (SW1, SW2) integrierten Tiefpaß-Filterkreis (LPF1, LPF2) vermittelt wird.
Modul nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei Musterelektroden (48~50, 52~56) für Induktivitäten (LF1~LF3, LG3, LP3) und Musterelektroden (61~71) für Kondensatoren (CF1~CF4, CG3, CG4, CG7, CP3, CP4, CP7) auf unterschiedlichen Lagen (17~21) aufgedruckt sind.
Modul nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei ein gemeinsamer Antennenanschluß (CAT), die Empfangsanschlüsse (RT1, RT2) und die Sendeanschlüsse (TT1, TT2) auf Seitenflächen des Schichtkörpers und mindestens ein Masseanschluß (GRD) auf jeder der Seitenflächen ausgebildet sind.
Modul nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Schaltstufe (SW1, SW2) jedes Sende/Empfangssystems (GSM, DCS) ferner an einen Steueranschluß (TT1, TT2) zur Verbindung mit einer Steuerschaltung (VC1, VC2) angeschlossen ist und mindestens einer der Masseanschlüsse (GRD) und Steueranschlüsse (CT1, CT2) zwischen jeweils benachbarten Hochfrequenzanschlüssen liegt, zu denen eine gemeinsamer Antennenanschluß (CAT), die Sendeanschlüsse (TT1, TT2) und die Empfangsanschlüsse (RT1, RT2) gehören.
Modul nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei Lagen (13, 14) mit Musterelektroden (41~47) für Übertragungsleitungen (LG1, LG2, LP1, LP2) der Schaltstufen (SW1, SW2), Lagen (17~19) mit Musterelektroden (61~71) für Kondensatoren (CF1~CF4, CG3, CG4, CG7, CP3, CP4, CP7) und Lagen (20, 21) mit Musterelektroden (48~55) für Induktivitäten (LF1~LF3, LG3, LP3) in dieser Reihenfolge, ausgehend von einer Montagefläche des Schichtkörpers, angeordnet sind.
Modul nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Schaltstufe (SW1, SW2) jedes Sende/Empfangs-Systems (GSM, DCS) Schaltelemente (DG1, DG2, DP1, DP2) zum Schalten des Sendekreises (TX1, TX2) und des Empfangskreises (RX1, RX2) aufweist, wobei jedes Schaltelement (DG1, DG2, DP1, DP2) einen Steueranschluß (CT1, CT2) zum Steuern eines Sendesystems und einen gemeinsamen Steueranschluß zum Steuern der Empfangssysteme aufweist, und wobei der Schaltvorgang der Schaltelemente (DG1, DG2, DP1, DP2) jeweils durch Anlegen einer Spannung vorgegebenen Pegels an den besagten Steueranschluß (CT1, CT2) und den gemeinsamen Steueranschluß gesteuert ist.
Modul nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei auf der oberen Fläche des Schichtkörpers ein Metallgehäuse zur Abdeckung der chipbauelemente (CP1~LP4) angeordnet ist.
Mobiltelefon unter Verwendung des Mehrband-HF-Schaltmoduls nach einem der vorhergehenden Ansprüche.