DE10115775A1 - Duplexervorrichtung - Google Patents

Abstract

Eine Duplexervorrichtung dieser Erfindung enthält zwei akustische Oberflächenwellenfilter, die verschiedene Bandmittenfrequenzen haben, und eine Phasenanpassungsschaltung zum Anpassen von Phasen der zwei akustischen Oberflächenwellenfilter. Die Phasenanpassungsschaltung ist aus einem oder mehreren Leitungsmustern gebildet, und wenigstens eines der Leitungsmuster ist so gebildet, um zwischen einer Vielzahl von internen Schichten einer mehrschichtigen Packung geteilt zu sein, und wenigstens die Leistungsmuster, die auf den internen Schichten gebildet sind, die aneinandergrenzen, haben Musterformen, die sich voneinander unterscheiden. Gemäß der Erfindung kann eine Duplexervorrichtung vorgesehen werden, die eine kleine Größe und stabile Filtercharakteristiken hat.

Description

HINTERGRUND DER ERFINDUNG 1. Gebiet der Erfindung

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Duplexer­ vorrichtung, und im besonderen eine Duplexervorrichtung unter Verwendung eines akustischen Oberflächenwellenfilters.

2. Beschreibung der verwandten Technik

In den letzten Jahren haben in Verbindung mit der Ent­ wicklung von mobilen Kommunikationssystemen ein tragbares Telefon und ein tragbares Informationsterminal schnell breite Verwendung gefunden, und von ihnen ist verlangt worden, daß sie klein sind und eine hohe Leistung haben. Die verwendeten Frequenzbänder enthalten verschiedene Bereiche, wie etwa ein 800-MHz- bis 1-GHz-Band und ein 1,5- GHz- bis 2,0-GHz-Band.

Bei der Entwicklung von tragbaren Telefonen in den letzten Jahren wird Terminals dadurch, daß sie einen dualen Modus (wie z. B. eine Kombination aus einem analogen Modus und einem digitalen Modus und eine Kombination aus zwei digitalen Modi, nämlich TDMA [time division multiple access] (Zeitteilvielfachzugriff)) und CDMA [code division multiple access] (Codeteilvielfachzugriff) und ein duales Band (eine Kombination aus einem 800-MHz-Band und einem 1,9-GHz-Band und eine Kombination aus einem 900-MHz-Band und einem 1,8- GHz-Band oder einem 1,5-GHz-Band) haben, eine hohe Leistung verliehen.

Unter diesen Umständen wird ferner verlangt, daß Teile, die in dem tragbaren Telefon verwendet werden (wie z. B. ein Filter), eine hohe Leistung haben. Des weiteren werden zusätzlich zu der hohen Leistung vermutlich ferner eine Miniaturisierung und niedrige Produktionskosten erwartet.

In den mobilen Kommunikationsvorrichtungen wird ein An­ tennenduplexer als Komponente eines HF-(Hochfrequenz)-Teils verwendet, der eine Verzweigung und Erzeugung von Signalen ausführt, die durch eine Antenne gesendet und empfangen werden.

Fig. 20 zeigt ein Strukturblockdiagramm eines Hochfre­ quenzteils eines tragbaren Telefons, der herkömmlicherweise verwendet worden ist.

Ein Audiosignal 100, das von einem Mikrofon eingegeben wird, wird durch einen Modulator 101 in ein Modulations­ signal des Modulationsmodus des tragbaren Telefonsystems transformiert, und nachdem es durch einen Lokaloszillator 108 weiter in eine vorgeschriebene Trägerfrequenz transfor­ miert ist, durchläuft es ein Zwischenstufenfilter 102, das nur ein Signal mit der vorgeschriebenen Sendefrequenz selek­ tiert, das durch einen Leistungsverstärker 103 auf eine gewünschte Signalintensität verstärkt wird, um einem Anten­ nenduplexer 105 zugeführt zu werden. Der Antennenduplexer 105 führt nur ein Signal mit der vorgeschriebenen Sendefre­ quenz einer Antenne 104 zu, das dann als Funksignal von der Antenne 104 in die Atmosphäre gesendet wird.

Andererseits wird ein Signal, das durch die Antenne 104 empfangen wird, dem Antennenduplexer 105 zugeführt, und nur ein Signal mit einer vorgeschriebenen Frequenz wird selek­ tiert. Das selektierte Empfangssignal wird durch einen rauscharmen Verstärker 106 verstärkt, und nachdem es ein Zwischenstufenfilter 107 passiert hat, wird durch ein ZF- Filter nur ein Nachrichtensignal selektiert und durch einen Demodulator 111 als Audiosignal 100 entnommen. Der Antennen­ duplexer 105 ist zwischen der Antenne 104 und der sogenann­ ten Audiosignalverarbeitungsschaltung positioniert und verteilt das Sendesignal und das Empfangssignal, um eine Interferenz von ihnen zu verhindern.

Ein Antennenduplexer erfordert wenigstens ein Sendefil­ ter und ein Empfangsfilter und hat ferner eine Anpassungs­ schaltung (auch Phasenanpassungsschaltung oder Leitungs­ muster zur Phasenanpassung genannt) zum Verhindern einer Interferenz des Sendesignals und des Empfangssignals.

Ein Antennenduplexer des Hochleistungsterminals enthält einen Duplexer, bei dem ein dielektrisches Material verwen­ det wird, einen Kombinationsduplexer unter Verwendung eines akustischen Oberflächenwellenfilters mit einem dielektri­ schen Material in wenigstens einem Filter und einen Duplexer nur unter Verwendung eines akustischen Oberflächenwellenfil­ ters. Der Duplexer, bei dem ein dielektrisches Material verwendet wird, ist groß, und daher ist es schwierig, eine tragbare Terminalvorrichtung mit einer kompakten Größe und einer kleinen Dicke herzustellen.

Im Falle eines Antennenduplexers unter Verwendung eines akustischen Oberflächenwellenfilters in einem Filter ist es schwierig, auf Grund der Größe der Vorrichtung aus dielek­ trischem Material eine kompakte Größe und eine kleine Dicke zu erreichen.

Die herkömmliche Duplexervorrichtung unter Verwendung eines akustischen Oberflächenwellenfilters enthält einen modularen Typ mit einem Filter und einer Anpassungsschal­ tung, die auf einer gedruckten Schaltungsplatte separat angeordnet sind, und einen einteiligen Typ mit Sende- und Empfangsfilterchips in einer mehrschichtigen Keramikpackung und einer Anpassungsschaltung innerhalb der Duplexerpackung.

Die Duplexervorrichtung dieses Typs hat eine kompakte Größe und eine kleine Dicke, d. h., ein Volumen von 1/3 bis zu 1/15 und eine Höhe von 1/2 bis zu 1/3 des herkömmlichen Duplexers, bei dem ein dielektrisches Material verwendet wird. Es ist möglich, die äquivalenten Kosten wie bei der Vorrichtung aus dielektrischem Material zu realisieren, indem die akustische Oberflächenwellenvorrichtung verwendet wird und die Vorrichtungsgröße reduziert wird.

Als weitere Forderung wird eine Größenreduzierung des Duplexers erwartet, und dafür ist es notwendig, eine Struk­ tur unter Verwendung einer mehrschichtigen Keramikpackung einzusetzen, die in der japanischen ungeprüften Patentveröf­ fentlichung Nr. Hei 10(1998)-126213 offenbart ist, um zwei Filter auf einem Chip vorzusehen und eine Flip-Chip-Montage­ technik anzuwenden, bei der keine Drahtverbindung eingesetzt wird. Auf jeden Fall eine "Duplexerpackung", die zwei aku­ stische Oberflächenwellenfilter luftdicht verschließen kann, und eine "Anpassungsschaltung", um einen Duplexer mit den zwei Filtern zu bilden.

Das heißt, um eine Duplexervorrichtung mit kompakter Größe und niedrigen Kosten zu realisieren, ist es erforder­ lich, Duplexerpackungen, die stabile Charakteristiken haben, durch Massenproduktion herzustellen. Um Duplexerpackungen durch Massenproduktion herzustellen, ist solch ein Prozeß eingesetzt worden, bei dem Packungsvorrichtungen auf einem mehrschichtigen Keramikblatt in Matrixform angeordnet wer­ den, das im Endstadium nach dem Backen in jeweilige Chips geteilt wird. Der Prozeß wird in letzter Zeit dahingehend verbessert, daß anstelle eines Blattes (in Fig. 4 gezeigt), bei dem zwischen den jeweiligen Vorrichtungen der Abfallteil vorhanden ist, ein Blatt mit einer feinen Matrixanordnung verwendet wird (in Fig. 5 gezeigt), auf dem Vorrichtungen direkt angeordnet sind, wodurch die Anzahl von hergestellten Vorrichtungen zunimmt. In Fig. 4 und 5 verkörpern die jewei­ ligen Quadrate Duplexervorrichtungen. Das mehrschichtige Blatt wird durch Stapeln von zum Beispiel fünf Keramikblät­ tern gebildet. Die Duplexerpackung wird hauptsächlich durch den Stapelschritt und den anschließend ausgeführten Back­ schritt hergestellt.

Ein Problem bereitet die Genauigkeit, die durch eine Abweichung einer Schichtanhäufung beeinflußt wird, die beim Bilden einer mehrschichtigen Struktur aus vielen Keramik­ blättern verursacht wird.

Fig. 6 zeigt eine Querschnittsstruktur eines herkömmli­ chen Duplexers.

Der herkömmliche Duplexer, der in Fig. 6 gezeigt ist, hat eine fünfschichtige Struktur von einer Schicht 1 (L1) bis zu einer Schicht 5 (L5), und ein Deckel ist auf der Schicht 1 (L1) als oberste Schicht angeordnet. Filterchips 2 und 3 sind auf eine Oberfläche der Schicht 4 (L4) montiert, und Verbindungsanschlüsse auf dem Filterchip und Bondan­ schlüsse auf der Schicht (L2) sind mit Drähten 4 verbunden.

Verbindungsanschlüsse für eine äußere Schaltung sind auf der hinteren Oberfläche der Schicht 5 (L5) angeordnet.

Ein Leitungsmuster 1 von einer Phasenanpassungsschal­ tung ist auf einer Oberfläche der Schicht 3 (L3) als interne Schicht gebildet. Weiterhin ist eine Seitenkronierung 6 als Verbindungsweg zu dem Verbindungsanschluß der Schicht 5 (L5) ab der Schicht 2 (L2), die die Bondanschlüsse hat, bis zu der hinteren Oberfläche der Schicht 5 (L5) als unterste Schicht gebildet.

Zusammen mit der Größenreduzierung einer Duplexerpac­ kung wird auch die Dicke in der Breitenrichtung auf der Seitenoberfläche der Packung verringert, und somit ergibt sich solch ein Problem (Kurzschlußproblem), daß ein Muster, das in der internen Schicht gebildet ist (zum Beispiel das Leitungsmuster 1 zur Phasenanpassung), mit einem Muster des Verbindungsteils 6 (Seitenkronierung) in Kontakt ist, das auf der Seitenoberfläche der Packung gebildet ist, welches durch die Abweichung beim Stapeln der Schichten verursacht wird.

Wenn die Anzahl von Schichten, auf denen die Seitenkro­ nierung 6 gebildet ist, verringert wird, um den Kontakt zu verhindern, wird die positionelle Genauigkeit schwieriger. In dem Fall, wenn das Leitungsmuster zur Phasenanpassung über die vielen Schichten gebildet wird, um die oberen und unteren Leitungsmuster zu überlappen, treten andere Probleme auf, dahingehend, daß sich die Charakteristiken von dem Konstruktionswert unterscheiden und keine stabilen Charakte­ ristiken erhalten werden können.

Fig. 11 bis 13 sind Diagramme zum Zeigen von Simulati­ onsresultaten des Phasenrotationsbetrages des Leitungsmu­ sters der herkömmlichen Phasenanpassungsschaltung.

Fig. 11 zeigt den Fall, wenn ein Leitungsmuster a in einer Schicht gebildet ist, die solch eine Struktur hat, daß das Leitungsmuster a zwischen GND-Mustern (b und c), die in der oberen Schicht und der unteren Schicht gebildet sind, sandwichartig angeordnet ist.

Hierbei beträgt eine Distanz L1 0,5 mm, L2 0,6 mm, eine Dielektrizitätskonstante εr 9,5, eine Leitungsbreite W1 des Leitungsmusters 0,1 mm und eine Leitungslänge L0 von ihm 24 mm.

Fig. 12 zeigt den Fall, wenn eine Anpassungsschaltung gebildet ist, um als Leitungsmuster a1 und a2 in zwei sepa­ rate Schichten geteilt zu sein und solch eine Struktur zu haben, daß die Leitungsmuster a1 und a2 an Positionen ange­ ordnet sind, die sich in der vertikalen Richtung, d. h., in der Überlappungsrichtung der Schichten, gegenseitig überlap­ pen, und zwischen GND-Mustern b und c sandwichartig angeord­ net sind.

Hierbei beträgt eine Distanz L3 0,5 mm, L4 0,3 mm und L5 0,3 mm, und die Leitungsbreite W1 und die Leitungslänge L0 sind dieselben wie in Fig. 11.

Fig. 13 zeigt den Fall, wenn eine Anpassungsschaltung gebildet ist, um als Leitungsmuster a1, a2 und a3 in drei separate Schichten geteilt zu sein und solch eine Struktur zu haben, daß die Leitungsmuster a1, a2 und a3 an Positionen angeordnet sind, die sich in der Richtung, die zu der Pa­ pieroberfläche rechtwinklig ist, gegenseitig überlappen, und zwischen GND-Mustern b und c sandwichartig angeordnet sind. Hierbei beträgt eine Distanz L6 0,3 mm, L7 0,2 mm, L8 0,3 mm und L9 0,3 mm, und die Leitungsbreite W1 und die Leitungs­ länge L0 sind dieselben wie in Fig. 11.

Es versteht sich, daß der Phasenrotationsbetrag in dem Muster, das in einer Schicht gebildet ist, etwa 188° be­ trägt, während der Rotationsbetrag auf 132° und 105° verrin­ gert wird, wenn die Muster mit derselben Länge durch das Falten in zwei oder drei Schichten gebildet werden, wie in Fig. 12 und 13 gezeigt. Die Verringerung des Rotationsbetra­ ges bedeutet eine Verschlechterung der Anpassungseigenschaft von den Frequenzcharakteristiken des Filters.

Da eine Antennenduplexervorrichtung in Frequenzbändern von mehreren hundert MHz bis hin zu mehreren GHz verwendet wird, werden gewünschte Frequenzcharakteristiken realisiert, indem eine so große Anzahl von Verbindungsanschlüssen wie möglich auf der Duplexerpackung vorgesehen wird, und deshalb sind die Verbindungsanschlüsse oft an den Peripherien aller Ränder der Packung gebildet. Das heißt, eine leichte Abwei­ chung bei der Schichtanhäufung des mehrschichtigen Blattes verursacht ein Kurzschlußproblem.

Wenn die Muster einen Kurzschluß bilden, kann die Schaltung des Duplexers nicht aufgebaut werden, und die gewünschten Frequenzcharakteristiken der Duplexervorrichtung können nicht erhalten werden, so daß ein defektes Produkt hergestellt wird. Weiterhin wird in dem Fall, wenn die Leitungsmuster der Anpassungsschaltung in den oberen und unteren Schichten so wie in Fig. 12 einander überlappen, eine kapazitive Kopplung zwischen den Leitungsmustern a1 und a2 gebildet, wodurch der Rotationsbetrag, obwohl die Lei­ tungslänge dieselbe ist, gegenüber dem gewünschten konstru­ ierten Phasenrotationsbetrag verringert wird oder ein Kriechsignal bei den Charakteristiken der Signalanschlüsse entsteht. Als Resultat werden die Frequenzcharakteristiken der zwei Filter, die den Duplexer bilden, verschlechtert.

ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG

Die Erfindung betrifft eine Duplexervorrichtung, die zwei akustische Oberflächenwellenfilter mit verschiedenen Bandmittenfrequenzen und eine Phasenanpassungsschaltung zum Anpassen von Phasen der zwei akustischen Oberflächenwellen­ filter hat, wobei die Phasenanpassungsschaltung aus einem oder mehreren Leitungsmustern gebildet ist und wenigstens eines der Leitungsmuster so gebildet ist, um zwischen einer Vielzahl von internen Schichten einer mehrschichtigen Pac­ kung geteilt zu sein, und wenigstens die Leitungsmuster, die auf den internen Schichten gebildet sind, die aneinander­ grenzen, Musterformen haben, die sich voneinander unter­ scheiden.

Gemäß der Struktur kann eine Duplexervorrichtung mit stabilen Filtercharakteristiken und einer hohen Leistung mit niedrigen Kosten vorgesehen werden, die kleiner als die herkömmliche ist.

KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN

Fig. 1 ist ein schematisches Blockdiagramm, das eine Struktur eines Duplexers gemäß der Erfindung zeigt.

Fig. 2 ist ein Graph, der Frequenzcharakteristiken von zwei SAW-Filtern zeigt, die in einem Duplexer gemäß der Erfindung verwendet werden.

Fig. 3 ist eine schematische Querschnittsansicht, die ein Beispiel einer Duplexerpackung zeigt, in die ein SAW- Filter gemäß der Erfindung montiert ist.

Fig. 4 ist ein Diagramm, das ein mehrschichtiges Blatt einer herkömmlichen Duplexerpackung zeigt.

Fig. 5 ist ein Diagramm, das ein mehrschichtiges Blatt einer herkömmlichen Duplexerpackung bei Anwendung einer feinen Anordnung zeigt.

Fig. 6 ist eine schematische Querschnittsansicht, die eine herkömmliche Duplexerpackung zeigt.

Fig. 7(a) bis 7(c) sind Diagramme, die ein Beispiel für Muster von Schichten zeigen, in denen eine Anpassungsschal­ tung der Erfindung gebildet ist.

Fig. 8(a) bis 8(f) sind Draufsichten, die Bildungs­ muster von jeweiligen Schichten bei einem Beispiel einer Duplexerpackung gemäß der Erfindung zeigen.

Fig. 9 ist ein Diagramm, das eine Abweichung der Lei­ tungsmuster einer Phasenanpassungsschaltung gemäß der Erfin­ dung zeigt.

Fig. 10 ist ein schematisches Schaltungsmuster, das einen Duplexer unter Verwendung von SAW-Filtern des Abzweig­ typs gemäß der Erfindung zeigt.

Fig. 11 ist ein Diagramm, das ein Simulationsresultat eines Phasenrotationsbetrages einer herkömmlichen Phasen­ anpassungsschaltung zeigt.

Fig. 12 ist ein Diagramm, das ein Simulationsresultat eines Phasenrotationsbetrages einer herkömmlichen Phasen­ anpassungsschaltung zeigt.

Fig. 13 ist ein Diagramm, das ein Simulationsresultat eines Phasenrotationsbetrages einer herkömmlichen Phasen­ anpassungsschaltung zeigt.

Fig. 14 ist ein Diagramm, das ein Simulationsresultat eines Phasenrotationsbetrages zeigt, wenn eine Anpassungs­ schaltung der Erfindung über drei Schichten gebildet ist.

Fig. 15 ist ein Graph, der die Beziehung zwischen der Anzahl von Schichten, über die eine Anpassungsschaltung gebildet ist, und dem Phasenrotationsbetrag zeigt.

Fig. 16(a) und 16(b) sind ein Smith-Diagramm und ein Graph von Vorrichtungsfrequenzcharakteristiken in dem Fall, wenn eine Anpassungsschaltung der Erfindung über zwei Schichten gebildet ist.

Fig. 17 ist ein Graph, der Vorrichtungsfrequenzcharak­ teristiken in dem Fall zeigt, wenn eine Anpassungsschaltung der Erfindung über zwei Schichten gebildet ist.

Fig. 18 ist ein Smith-Diagramm, das den herkömmlichen Fall zeigt, wenn eine Anpassungsschaltung in einer Schicht gebildet ist.

Fig. 19(a) und 19(b) sind ein Smith-Diagramm und ein Graph von Vorrichtungsfrequenzcharakteristiken des herkömm­ lichen Falls, wenn eine Anpassungsschaltung über zwei Schichten gebildet ist und angeordnet ist, um sich in der Schichtrichtung zu überlappen.

Fig. 20 ist ein Strukturblockdiagramm, das einen Hoch­ frequenzteil eines tragbaren Telefons zeigt, der herkömmli­ cherweise verwendet worden ist.

BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORMEN

Die Erfindung betrifft eine Duplexervorrichtung, die zwei akustische Oberflächenwellenfilter mit verschiedenen Bandmittenfrequenzen und eine Phasenanpassungsschaltung zum Anpassen von Phasen der zwei akustischen Oberflächenwellen­ filter umfaßt. Die Phasenanpassungsschaltung umfaßt ein oder mehrere Leitungsmuster, und wenigstens eines der Leitungs­ muster ist so gebildet, um zwischen einer Vielzahl von internen Schichten einer mehrschichtigen Packung geteilt zu sein, und wenigstens die Leitungsmuster, die auf den inter­ nen Schichten gebildet sind, die aneinandergrenzen, haben Musterformen, die sich voneinander unterscheiden.

Bei der Erfindung ist es möglich, daß die Phasenanpas­ sungsschaltung über zwei interne Schichten gebildet ist, die aneinandergrenzen, daß eine Musterform der Phasenanpassungs­ schaltung, die auf einer der internen Schichten gebildet ist, ein gerades Muster ist und daß eine Musterform der Phasenanpassungsschaltung, die auf der anderen der internen Schichten gebildet ist, ein schlangenförmiges Muster ist.

Bei der Erfindung ist es ferner möglich, daß sich eine symmetrische Mittellinie des schlangenförmigen Musters und eine Mittellinie in einer Breitenrichtung des geraden Mu­ sters in einer Überlappungsrichtung der Schichten voneinan­ der unterscheiden.

Bei der Erfindung ist es auch möglich, daß die Phasen­ anpassungsschaltung über zwei interne Schichten gebildet ist, die aneinandergrenzen, daß beide Musterformen der Phasenanpassungsschaltungen, die auf den zwei Schichten gebildet sind, ein gerades Muster sind und daß sich Positio­ nen, wo die zwei geraden Muster gebildet sind, in einer Überlappungsrichtung der Schichten voneinander unterschei­ den.

Bei der Erfindung ist es weiterhin möglich, daß die Muster, die über zwei interne Schichten gebildet sind, die aneinandergrenzen, ein schlangenförmiges Muster sind.

Bei der Erfindung ist es auch möglich, daß ein erstes Schaltungsmuster, das auf der obersten Schicht gebildet ist, und ein zweites Schaltungsmuster, das auf einer untersten Schicht gebildet ist, durch ein Durchgangsloch verbunden sind, das mit keinem anderen Schaltungsmuster verbunden ist.

Bei der Erfindung ist es ferner möglich, daß die Duple­ xervorrichtung eine Schicht mit einem Außenverbindungs­ anschluß als unterste Schicht umfaßt und daß eine Verbin­ dungsleitung, die mit dem Außenverbindungsanschluß verbunden ist, auf einer äußeren Seitenoberfläche von Schichten vorgesehen ist, die niedriger als jene Schichten sind, in denen die Phasenanpassungsschaltung gebildet ist.

Unter Bezugnahme auf bevorzugte Ausführungsformen, die in den Zeichnungen gezeigt sind, wird die Erfindung weiter detailliert beschrieben, aber die Erfindung soll nicht als darauf begrenzt angesehen werden.

Fig. 1 ist ein schematisches Blockdiagramm, das einen Duplexer gemäß der Erfindung zeigt.

Der Duplexer umfaßt zwei akustische Oberflächenwellen­ filter 2 (F1) und 3 (F2) und eine Anpassungsschaltung 1 und hat auch einen gemeinsamen Anschluß T0, der mit einer An­ tenne verbunden ist, und Eingangs- und Ausgangsanschlüsse T1 und T2.

Ein akustisches Oberflächenwellenfilter (im folgenden als SAW-Filter [surface acoustic wave filter] bezeichnet), das Kombinationen aus akustischen Oberflächenwellenresonato­ ren umfaßt, wird als Filter F1 und F2 unter dem Gesichts­ punkt der Miniaturisierung und der geforderten Leistung verwendet.

Die Anpassungsschaltung 1 ist zwischen dem gemeinsamen Anschluß T0 und den SAW-Filtern vorgesehen, um die Inter­ ferenz der zwei SAW-Filter zu reduzieren und gewünschte Filtercharakteristiken zu erhalten. Die Anpassungsschaltung 1 kann zwischen dem gemeinsamen Anschluß T0 und dem Filter F1 bzw. zwischen dem gemeinsamen Anschluß T0 und dem Filter F2 vorgesehen sein, aber unter dem Gesichtspunkt der Minia­ turisierung wird es bevorzugt, wenn die Anpassungsschaltung zwischen dem gemeinsamen Anschluß T0 und jedem der Filter vorgesehen ist. Bei der folgenden Beschreibung wird angenom­ men, daß die Anpassungsschaltung zwischen dem gemeinsamen Anschluß T0 und dem Filter F1 vorgesehen ist.

Die Anpassungsschaltung 1 ist im allgemeinen aus einem Material gebildet, das hauptsächlich Wolfram oder Kupfer umfaßt, und sie wird als lange Leitung mit einer gewissen Länge hergestellt. Die Anpassungsschaltung 1 hat eine Breite von etwa 0,1 bis 0,2 mm und eine Leitungslänge von ungefähr mehreren zehn mm, und ihre Leitungslänge wird im Verhältnis zu der Mittenfrequenz des gewünschten SAW-Filters bestimmt.

Fig. 2 ist ein Graph, der Frequenzcharakteristiken der zwei SAW-Filter F1 und F2 zeigt, die in dem Duplexer der Erfindung verwendet werden. Die SAW-Filter F1 und F2 haben Bandmittenfrequenzen, die sich voneinander unterscheiden (F1 < F2), und eine Ausführungsform kann hergestellt werden, bei der die Bandmittenfrequenz des SAW-Filters F1 836 MHz beträgt und die Bandmittenfrequenz des SAW-Filters F2 881 MHz beträgt.

Fig. 3 ist eine schematische Querschnittsansicht, die ein Beispiel für eine Duplexerpackung mit dem darin instal­ lierten SAW-Filter gemäß der Erfindung zeigt. Bei diesem Beispiel hat die Duplexerpackung eine mehrschichtige Struk­ tur, die fünf Schichten umfaßt. Die Anzahl von Schichten, die die mehrschichtige Struktur bilden, ist nicht auf fünf begrenzt und ist unter dem Gesichtspunkt der Reduzierung der Höhe vorzugsweise klein.

Ein Deckel 5 zum Schützen der Filter im Inneren ist auf der äußersten Schicht L1 (Schicht 1) angeordnet. Der Deckel ist mit metallischem Material wie etwa einer Au-Plattierung oder Ni-Plattierung gebildet, oder mit einem keramischen Material, welches dasselbe wie jenes der Packung ist.

Die Schicht 1 (L1) ist ein Rahmen der Packung zum Tra­ gen des Deckels 5 und ist mit einem Material wie etwa Glas­ keramik oder Aluminiumoxidkeramik gebildet.

Die Schicht 2 (L2) und die Schicht 3 (L3) sind Schich­ ten, die als Hohlraumschicht bezeichnet werden, und die Gesamthöhe der Schicht 2 und der Schicht 3 ist im wesentli­ chen dieselbe wie die Höhe der Schicht 1.

Die Oberfläche der Schicht 2 (L2) ist eine Schicht zum Bilden einer Verbindung zwischen einem Anschluß auf dem SAW- Filter und der Außenseite und ist als sogenannte Bond­ anschlußschicht gebildet. Die Anschlüsse, die auf der Bondanschlußschicht gebildet sind (die den Eingangs- /Ausgangsanschlüssen T1 und T2 in Fig. 1 entsprechen), und die Anschlüsse auf den SAW-Filtern sind durch Drähte 4 verbunden.

Die Schicht 2 (L2) ist mit einem Material wie etwa Glas- oder Aluminiumoxidkeramik gebildet, und die Anschlüsse und das Verdrahtungsmuster auf ihrer Oberfläche werden gebildet, indem ein leitfähiges Material wie z. B. W, Cu und Ag einer Au-Plattierungsbehandlung unterzogen wird. Der Draht 4 kann mit einem Material wie etwa A1-Si gebildet sein.

Die Schicht 3 (L3) und die Schicht 4 (L4) sind Anpas­ sungsschichten, auf deren Oberfläche ein Muster der Anpas­ sungsschaltung 1 gebildet ist, und sind mit einem Material wie Glas- oder Aluminiumoxidkeramik gebildet.

In Fig. 3 ist die Anpassungsschaltung 1 ein elektrisch verbundenes Leitungsmuster, während es Teile enthält, die durch 1a, 1b, 1c und 1d gekennzeichnet sind, und über die zwei Schichten, d. h., die Schicht 3 (L3) und die Schicht 4 (L4) gebildet ist.

Die Teile 1a und 1b der Anpassungsschaltung, die in der Schicht 3 (L3) gebildet sind, sind innerhalb der Schicht in einer vorgeschriebenen Musterform angeordnet, und ähnlich sind die Teile 1c und 1d der Anpassungsschaltung innerhalb der Schicht 4 (L4) in einer vorgeschriebenen Musterform angeordnet.

Ein Ende der Anpassungsschaltung, die in der Schicht 3 (L3) gebildet ist, und ein Ende der Anpassungsschaltung, die in der Schicht 4 (L4) gebildet ist, sind durch ein Durch­ gangsloch (in der Figur nicht gezeigt), das die Schicht 3 (L3) durchdringt, elektrisch verbunden.

Die Leitungsmuster der Anpassungsschaltungen der Schicht 3 (L3) und der Schicht 4 (L4) sind um einen Hohlraum herum gebildet, der in der Mitte zum Aufnehmen der Filter­ chips gebildet ist.

Die Schicht 4 (L4) ist auch eine Schicht, auf deren Oberfläche die Filter F1 und F2 montiert sind (d. h., eine sogenannte Chipmontageschicht). Ein GND-Muster 9 ist auf der Oberfläche der Schicht 4 (L4) gebildet, worauf die Filter montiert sind. Die SAW-Filter sind auf dem GND-Muster 9 mit leitfähigem Klebstoff befestigt.

Die Schicht 5 (L5) ist die unterste Schicht, und ein GND-Muster 8 zum Abschirmen ist auf deren Oberfläche in Kontakt mit der Schicht 4 (L4) gebildet.

Außensignalanschlüsse 7 (T0, T1 und T2) sind auf der hinteren Oberfläche der Schicht 5 (L5) gebildet.

Weiterhin ist, wie in Fig. 3 gezeigt, eine Verbindungs­ leitung zu den Außensignalanschlüssen, die auf der hinteren Oberfläche der Schicht 5 (L5) vorgesehen sind, auf der Seitenoberfläche der Schichten vorgesehen, die keinen Bondanschluß haben und niedriger als die Schicht sind, die die Anpassungsschaltungsmuster hat, d. h., an der Schicht 3 (L3), der Schicht 4 (L4) und der Schicht 5 (L5). Die Verbin­ dungsleitung wird nachfolgend Seitenkronierung genannt.

Wenn die Seitenkronierung nur an den drei Schichten vorgesehen ist, d. h., an den Schichten 3, 4 und 5, kann das Positionieren der jeweiligen Schichten des mehrschichtigen Blattes schwieriger als in dem Fall werden, wenn die Seiten­ kronierung über die vier Schichten hinweg gebildet ist, d. h., ab der Schicht 2 bis zu der Schicht 5, aber es wird möglich, das Kurzschlußproblem zu verringern, das durch die Abweichung beim Anhäufen der Schichten verursacht wird. Mit anderen Worten, die Ausbeute bei der Produktion kann verbes­ sert werden.

Die charakteristischen Merkmale der Erfindung umfassen solch eine Struktur, daß die jeweiligen Leitungsmuster der Anpassungsschaltung, die über die zwei Schichten (die Schicht 3 und die Schicht 4) hinweg gebildet sind, nicht so angeordnet sind, um sich aus der Sicht der Richtung, die zu der Papieroberfläche rechtwinklig ist, d. h., in der Über­ lappungsrichtung der Schichten, vollständig zu überlappen.

In dem Fall, wenn die zwei Leitungsmuster der Anpas­ sungsschaltung in ihrem Hauptteil einander überlappen (siehe Fig. 12), können solche stabilen Charakteristiken, wie sie oben beschrieben wurden, nicht erhalten werden. Der zuläs­ sige Überlappungsbetrag (der Bereich der überlappten Zonen) schwankt in Abhängigkeit von den geforderten Konstruktions­ angaben, und daher kann der Überlappungsbetrag nicht defi­ niert werden, aber es wird bevorzugt, die zwei Leitungs­ muster auf solch eine Weise anzuordnen, daß sie sich nicht um etwa 30% oder mehr überlappen. Das heißt, es wird solch eine Anordnung bevorzugt, daß der Bereich der Überlappungs­ zone so klein wie möglich ist.

Zum Beispiel sind in dem Fall, wenn die Leitungsmuster der Anpassungsschaltung in den jeweiligen Schichten ein gerades Muster sind, die Leitungsmuster der Anpassungsschal­ tung in den jeweiligen Schichten in solch einer Anordnung gebildet, daß sich die Positionen der Mittellinien in der Breitenrichtung der jeweiligen geraden Muster um einen vorgeschriebenen Abstand oder mehr aus der Sicht der Rich­ tung des Anhäufens der Schichten unterscheiden. Generell ist es jedoch schwierig, daß sich die Anordnungen der Leitungs­ muster der Anpassungsschaltung der jeweiligen Schichten nicht an allen Positionen überlappen, und deshalb können teilweise überlappte Teile und überquerte Teile vorhanden sein.

Weiterhin ist es möglich, daß das Muster der Anpas­ sungsschaltung von einer Schicht ein gerades Muster ist und das Muster der Anpassungsschaltung der anderen Schicht ein schlangenförmiges Muster ist. Das schlangenförmige Muster bedeutet wenigstens, daß es kein gerades Muster ist und insgesamt ein hinlänglich gekrümmtes Muster ist, obwohl es lokal ein gerades Muster enthält. Zum Beispiel enthält das schlangenförmige Muster ein Sägezahnwellenmuster, ein Sinus­ wellenmuster und ein Halbwellengleichrichtungsmuster.

In dem Fall, wenn eines das gerade Muster ist, aber das andere das schlangenförmige Muster ist, sind mehrere Teile vorhanden, wo sich die Schichten aus der Sicht der Richtung des Anhäufens der Schichten überlappen, aber hinsichtlich der anderen Teile haben die Schichten die Anordnung, wo sie sich nicht überlappen. Besonders in dem Fall, wenn das schlangenförmige Muster mit einem symmetrischen Muster wie etwa einem Sinuswellenmuster gebildet ist, können sie auf solch eine Weise angeordnet sein, daß die symmetrische Mittellinie des schlangenförmigen Musters sich von der Mittellinie in der Breitenrichtung des geraden Musters in der Richtung des Anhäufens der Schichten unterscheidet.

Des weiteren können beide Leitungsmuster der Anpas­ sungsschaltung der zwei Schichten, nämlich der Schicht 3 und der Schicht 4, das schlangenförmige Muster haben. In diesem Fall ist es erforderlich, daß die zwei Muster angeordnet sind, um sich nicht zu überlappen, und Aufmerksamkeit ist beim Konstruieren beider Muster nötig, wodurch der Bereich der Überlappungszone der zwei schlangenförmigen Muster aus der Sicht der Richtung des Anhäufens der Schichten so klein wie möglich gebildet wird.

Zum Beispiel ist es möglich, die Zyklen der gekrümmten Linien zu differenzieren, oder alternativ können die Posi­ tionen der Schichten der zwei Muster in der Richtung des Anhäufens der Schichten um einen gewissen Abstand abweichen.

Wenn die Leitungsmuster der Anpassungsschaltung, die über die zwei Schichten gebildet sind, auf die obige Weise angeordnet sind, können solche stabilen Filtercharakteristi­ ken erhalten werden, die näher an den Frequenzcharakteristi­ ken beim Konstruieren des Filters liegen. Die Filtercharak­ teristiken werden später beschrieben.

Die Duplexerpackung der Erfindung hat, wie oben be­ schrieben, die mehrschichtige Struktur, die fünf Schichten umfaßt, und ihre äußere Größe kann etwa 5 mm (Breite) × 5 mm (Tiefe) × 1,3 mm (Höhe) bei einem Duplexer für das 800-MHz- Band betragen.

Im Falle eines Duplexers für das 1,9-GHz-Band kann die äußere Größe 3,8 mm (Breite) × 3,8 mm (Tiefe) × 1,3 mm (Höhe) betragen, und in jedem Fall kann die Größe zwischen etwa 10 und 35% des herkömmlichen Duplexers liegen.

Fig. 7(a) bis 7(c) sind Diagramme, die ein Beispiel für Muster der Oberflächen der Schicht 3 (L3) und der Schicht 4 (L4), in denen die Anpassungsschaltung 1 gebildet ist, von den Schichten der Duplexerpackung der Erfindung zeigen.

Fig. 7(a) ist eine Draufsicht auf die Oberfläche der Schicht 4 (L4), von oben gesehen, und Fig. 7(b) ist eine Draufsicht auf die Oberfläche der Schicht 3 (L3) von oben gesehen.

In Fig. 7(b) ist der rechteckige Teil in dem Mittelteil ein Hohlraum. In Fig. 7(a) ist ein SAW-Filter in dem recht­ eckigen Teil in dem Mittelteil installiert.

In Fig. 7(a) und 7(b) bezeichnet Bezugszeichen 11 ein Leitungsmuster der Anpassungsschaltung, das durch Durch­ gangslöcher verbunden ist.

In Fig. 7(b) bezeichnen Bezugszeichen 11a und 11d Enden der Anpassungsschaltung, und 12b in Fig. 7(b) und 11b' in Fig. 7(a) sind durch ein Durchgangsloch miteinander verbun­ den, und 11c' in Fig. 7(a) und 11c in Fig. 7(b) sind durch ein Durchgangsloch miteinander verbunden.

Das Leitungsmuster der Schicht 4 (L4) in Fig. 7(a) ist ein schlangenförmiges Muster in der Oberflächenrichtung der Figur, während das Leitungsmuster der Schicht 3 (L3) in Fig. 7(b) ein gerades Muster in der Oberflächenrichtung der Figur ist. Die Enden 11a und 11d der Anpassungsschaltung 11 sind mit einer Antenne über den gemeinsamen Anschluß T0 und den Außenverbindungsanschluß T1, die auf der hinteren Oberfläche der Schicht 5 (L5) vorgesehen sind, durch die Seitenkronie­ rung der Packung verbunden.

Fig. 7(c) ist eine Querschnittsansicht, die die Duple­ xerpackung der Erfindung zeigt, die die Muster der Schicht 3 (L3) und der Schicht 4 (L4) enthält, die in Fig. 7(a) und 7(b) gezeigt sind.

Fig. 7(c) zeigt den Zustand von Überlappungspositionen der Schichten der Leitungsmuster der Anpassungsschaltung 11, wobei der Teil des schlangenförmigen Musters der Schicht 4 außerhalb des geraden Musters der Schicht 3 angeordnet ist.

Wenn angenommen wird, daß die Leitungsbreite des gera­ den Musters W (≅ 0,1 mm) ist, beträgt der Abstand n zwischen der Position der Mittellinie des geraden Musters in der Breitenrichtung und der symmetrischen Mittellinie der schlangenförmigen Leitung vorzugsweise 2,2 W oder mehr, d. h., n ≧ 2,2 W.

Fig. 8(a) bis 8(f) sind Draufsichten, die Struktur­ muster von jeweiligen Schichten bei einem Beispiel einer Duplexerpackung der Erfindung zeigen.

Glaskeramik, das eine hohe Dielektrizitätskonstante (ε = 9,5) hat, wird als Packungsmaterial der jeweiligen Schich­ ten verwendet, und eine mehrschichtige Struktur wird einge­ setzt, die fünf Schichten umfaßt, d. h., von der Schicht 1 (L1) bis zu der Schicht 5 (L5).

Fig. 8(a) bis 8(e) zeigen Muster auf den Oberflächen der jeweiligen Schichten, d. h., von der Schicht 1 (L1) bis zu der Schicht 5 (L5), und Fig. 8(f) zeigt ein Muster auf der hinteren Oberfläche der Schicht 5 (L5).

In der Schicht 1 (L1), die in Fig. 8(a) gezeigt ist, ist der rechteckige Teil in der Mitte ein Hohlraum, und ein GND-Muster ist ringsherum gebildet.

In der Schicht 2 (L2), die in Fig. 8(b) gezeigt ist, sind Inseln zum Drahtbonden für das Filter F1 und GND-An­ schlüsse gebildet, und ein Muster zum Verbinden von diesen Anschlüssen und von Anschlüssen auf der hinteren Oberfläche der Schicht 5 (L5), die in Fig. 8(f) gezeigt sind, durch die Seitenkronierung ist auch gebildet. Der rechteckige Teil in der Mitte ist ein Hohlraum.

Die Seitenkronierung an der Schicht 2 (L2) wird durch halbrunde ausgeschnittene Teile ausgedrückt, die auf der oberen Seite und der unteren Seite der äußeren Peripherie der Packung gebildet sind und in Fig. 8(b) gezeigt sind.

In der Schicht 3 (L3), die in Fig. 8(c) gezeigt ist, ist eine Anpassungsschaltung 12 gebildet. Ein Ende 12a der Anpassungsschaltung 12 ist mit der Bondinsel 12d über ein Durchgangsmuster verbunden, und 12b ist mit 12b' der Schicht 4 (L4) als untere Schicht über ein Durchgangsloch verbunden. Die Leitungsbreite des Leitungsmusters der Anpassungsschal­ tung 12 beträgt etwa 0,1 mm. Der rechteckige Teil in der Mitte ist ein Hohlraum.

In der Schicht 4 (L4), die in Fig. 8(d) gezeigt ist, ist die Anpassungsschaltung 12 gebildet, wobei 12b' das Ende ist, das mit dem Muster der Anpassungsschaltung 12 der Schicht 3 (L3) verbunden ist, und 12c das andere Ende der Anpassungsschaltung 12 ist. Das Ende 12c ist mit dem Bond­ anschluß 12e über ein Durchgangsloch verbunden.

Aus Fig. 8(c) und 8(d) geht hervor, daß die Anpassungs­ schaltung 12 ein Leitungsmuster ist, das von seinem einen Ende 12a bis zu seinem anderen Ende 12c eine Länge über die zwei Schichten hinweg hat.

Das Rechteck in der Mitte der Schicht 4 (L4) ist ein GND-Muster, und ein SAW-Filter ist auf dem rechteckigen Teil installiert.

Fig. 8(e) zeigt das Oberflächenmuster der Schicht 5 (L5), in der ein GND-Muster im wesentlichen über ihre ge­ samte Oberfläche hinweg gebildet ist. Das GND-Muster ist mit dem GND-Anschluß der Schicht 2 (L2) durch die Seitenkronie­ rung auf der oberen Seite und der unteren Seite der Periphe­ rie der Packung verbunden.

Eine Seitenkronierung zum Verbinden der Muster auf der Oberfläche und der hinteren Oberfläche der Schicht 5 (L5) ist auf der linken Seite und der rechten Seite der Periphe­ rie der Packung gebildet. Die Seitenkronierung, die auf der rechten Seite in Fig. 8(e) gebildet ist, ist mit dem GND- Muster verbunden.

Fig. 8(f) zeigt das hintere Oberflächenmuster der Schicht 5 (L5), worin die Anschlüsse (einschließlich des GND-, des gemeinsamen Anschlusses T0 und der Außeneingangs- und -ausgangsanschlüsse T1 und T2) zum Verbinden mit Elementen außerhalb der Duplexerpackung angeordnet sind.

In Fig. 8(a) bis 8(e) bezeichnen die Bezugszeichen 13a bis 13e in dem linken unteren Teil der Packung ein Durch­ gangsloch zum Positionieren der fünf Schichten. Das Durch­ gangsloch ist ein unabhängiges Muster, das nicht mit dem Duplexermuster verbunden ist. Wenn das Positionieren normal erreicht wird, sind 13a in der Schicht 1 bis 13e in der Schicht 5 elektrisch miteinander verbunden.

Bei einem Anhäufungsschritt zum Anhäufen der Schicht 1 (L1) bis zu der Schicht 5 (L5) an einer vorgeschriebenen Position wird das Durchgangsloch vor dem Hacken der Packung gebildet, und die Verbindung des Durchgangslochs wird durch ein Prüfwerkzeug bestätigt. Wenn die Verbindung von der Schicht 1 bis zu der Schicht 5 nicht bestätigt werden kann, tritt die positionelle Abweichung auf, und eine Kompensation der Abweichung kann vor dem Backen nicht ausgeführt werden.

Die Kompensation der Positionen der Schichten kann zum Beispiel durch Einführen eines Miniaturstiftes in das Durch­ gangsloch ausgeführt werden. Da die positionelle Abweichung bei dem Anhäufungsschritt vor dem Backen kompensiert werden kann, kann die Qualität der Duplexerpackung verbessert werden.

Während bei dem obigen Beispiel der Fall beschrieben wurde, bei dem die Anpassungsschaltung über zwei Schichten hinweg gebildet ist, kann sie über drei oder mehr Schichten hinweg gebildet sein.

Die Filtercharakteristiken in dem Fall, wenn ein Duple­ xer unter Verwendung der Duplexerpackung hergestellt wird, werden unten beschrieben. Die Charakteristiken eines Anten­ nenduplexers, in dessen mittlerem Teil Filterchips instal­ liert sind, werden hierin betrachtet.

Bezüglich der installierten Filterchips ist ein soge­ nanntes SAW-Filter des Abzweigtyps vorgesehen, das akusti­ sche 1-Port-Oberflächenwellenresonatoren umfaßt, die ab­ zweigförmig verbunden sind. Fig. 10 ist ein schematisches Schaltungsmuster, das den Duplexer unter Verwendung der SAW- Filter F1 und F2 des Abzweigtyps zeigt.

Das SAW-Filter umfaßt LiTaO₃ (Azimut: 42°-Y-Schnitt-X- Ausbreitung) als Substratmaterial, und eine Legierung, die hauptsächlich Aluminium umfaßt (wie etwa Al-Cu und Al-Mg), oder ein mehrschichtiger Film daraus (einer aus Al-Cu/Cu/Al- Cu, Al/Cu/Al, Al/Mg/Al und Al-Mg/Mg/Al-Mg) wird als Elektro­ denmaterial verwendet.

Die Filterchips werden auf der Schicht 4 (L4) der Pac­ kung installiert, die in Fig. 8(d) gezeigt ist, und die Anschlüsse der Schicht 2 (L2) und die vorgeschriebenen Anschlüsse auf den Filterchips werden mit Al-Si-Drähten verbunden.

In dem Fall, wenn ein Duplexer für ein 1,9-GHz-Band hergestellt wird, liegt die Elektrodenperiode des SAW-Reso­ nators etwa zwischen 1,95 und 2,18 µm, und die normierte Filmdicke beträgt etwa 9%.

Die Leitungslänge der Phasenanpassungsschaltung 12 be­ trägt etwa 10 mm und ist aus einem geraden und einem schlan­ genförmigen Muster, wie es in Fig. 8(c) und 8(d) gezeigt ist. In dem SAW-Filter für das PCS-System beträgt die Band­ breite des Sende- und Empfangsfilters 60 MHz, beträgt der Verlust etwa 2,0 dB bei dem Sendefilter und etwa 4,0 dB bei dem Empfangsfilter, und der Sperrdämpfungsbetrag beläuft sich auf etwa 30 dB bei dem Sendefilter und etwa 40 dB bei dem Empfangsfilter.

In dem Fall, wenn ein Duplexer für ein 880-MHz-Band hergestellt wird, liegt die Elektrodenperiode des SAW-Reso­ nators etwa zwischen 4,3 und 4,8 µm, und die normierte Filmdicke beträgt etwa 9%.

Die Leitungslänge der Phasenanpassungsschaltung 12 be­ trägt etwa 24 mm und ist aus einem geraden und einem schlan­ genförmigen Muster, wie es in Fig. 8(c) und 8(d) gezeigt ist.

In dem SAW-Filter für das AMPS-System beträgt die Band­ breite des Sende- und Empfangsfilters 25 MHz, beträgt der Verlust etwa 1,2 dB bei dem Sendefilter und etwa 3,0 dB bei dem Empfangsfilter, und der Sperrdämpfungsbetrag beläuft sich auf etwa 40 dB bei dem Sendefilter und etwa 50 dB bei dem Empfangsfilter.

Fig. 9 ist ein Diagramm, das die Abweichung der Lei­ tungsmuster der Phasenanpassungsschaltung bei der Erfindung zeigt.

Fig. 9 ist eine Querschnittsansicht eines Teils der Du­ plexerpackung, in der die Leitungsbreite des Leitungsmusters 21, das auf der Oberfläche der Schicht 3 gebildet ist, w1 beträgt und die Leitungsbreite des Leitungsmusters 22, das auf der Oberfläche der Schicht 4 gebildet ist, w2 beträgt.

Die Teile auf der linken Seite und der rechten Seite der beiden Leitungsmuster 21 und 22 (d. h., Teile, die durch 23, 24, 25 und 26 ausgedrückt werden) kennzeichnen "bleeding amounts" oder Saumbereiche der Leitungsmuster, die nach dem Backen der Packung gebildet waren. Das Zeichen w0 bezeichnet den Abstand zwischen den beiden Mustern unter Berücksich­ tigung der Saumbeträge (24 und 25). Die Saum- oder Rand beträge liegen etwa bei 0,1 w1 bei dem Leitungsmuster 21 und bei etwa 0,1 w2 bei dem Leitungsmuster 22.

Hier wird ein Beispiel mit w1 = w2 = 0,1 mm und w0 1,2 × w1 + 0,1w = 1,3w = 0,13 mm hergestellt.

Während bei diesem Beispiel der Duplexer beschrieben wurde, der die Anpassungsschaltung hat, die über die zwei Schichten hinweg gebildet ist, wie in Fig. 8(a) bis 8(f) gezeigt, wird eine Simulation zum Vergleichen der Charakte­ ristiken ausgeführt, wenn die Anpassungsschaltung in einer Schicht gebildet ist oder über zwei oder drei Schichten hinweg gebildet ist.

Fig. 15 ist ein Graph, der die Beziehung zwischen der Anzahl von Schichten, über die die Anpassungsschaltung gebildet ist, und dem Phasenrotationsbetrag zeigt.

Der Phasenrotationsbetrag bedeutet hierin einen Betrag in Form eines Rotationswinkels (Grad), der das Ausmaß der Verbesserung der Anpassung durch Einfügen der Anpassungs­ schaltung auf einem Smith-Diagramm zeigt.

Da der bevorzugte Rotationswinkel in Abhängigkeit von Parametern wie etwa einer Mittenfrequenz des objektiven Filters schwankt, kann das Ausmaß der Verbesserung nicht nur mit dem Betrag des Rotationswinkels diskutiert werden, aber in Fig. 15 sind die Charakteristiken der Anpassung desto besser, je größer der Rotationsbetrag ist, und sind die Charakteristiken der Anpassung desto schlechter, je kleiner der Rotationsbetrag ist.

In Fig. 15 kennzeichnen die weißen Kreise die theoreti­ schen Werte in dem Fall, wenn die Anpassungsschaltung aus einem geraden Muster ist, und die schwarzen Kreise kenn­ zeichnen die Meßwerte, wenn der Duplexer hergestellt ist. In dem Fall, wenn die Anpassungsschaltung über zwei Schichten hinweg gebildet ist, sind beide Muster ein gerades Muster und stimmen die Mittelpositionen in ihrer Breitenrichtung miteinander überein. In dem Fall, wenn die Anpassungsschal­ tung in einer Schicht gebildet ist, wird der Rotations­ betrag, wenn der Duplexer hergestellt ist, von 180° auf 130° verringert, und es versteht sich, daß die Anpassung ziemlich schlecht wird.

In dem Fall, wenn die Anpassungsschaltung über zwei Schichten hinweg gebildet ist, wird die Anpassung ein biß­ chen schlecht, wird aber in dem Fall leicht verbessert, wenn die Anpassungsschaltung über drei Schichten hinweg gebildet ist.

Das schwarze Dreieck in Fig. 15, wenn die Anpassungs­ schaltung über zwei Schichten hinweg gebildet ist, kenn­ zeichnet den Fall, wenn die Formen der zwei Leitungsmuster eine gerade Form und ein schlangenförmiges Muster haben, und es ist ersichtlich, daß die Anpassung im Vergleich zu dem Fall, wenn die beiden Leitungsmuster eine gerade Form haben, weiter verbessert wird, da der Rotationsbetrag auf etwa 150° erhöht wird.

Unter Berücksichtigung der obigen Diskussionen ist of­ fensichtlich, daß die Charakteristiken des Duplexers in dem Fall verbessert werden, wenn das Leitungsmuster der Anpas­ sungsschaltung über zwei Schichten hinweg mit verschiedenen Musterformen gebildet wird, gegenüber dem Fall, wenn es in einer Schicht gebildet ist.

Das weiße Dreieck in Fig. 15, wenn die Anpassungsschal­ tung über drei Schichten hinweg gebildet ist, kennzeichnet den Fall, wenn die Mittelposition des mittleren Leitungs­ musters von den drei Leitungsmustern von der Mittelposition der anderen Leitungsmuster um 200 µm abweicht.

Fig. 14 ist ein Diagramm, das ein Simulationsresultat des Phasenrotationsbetrages zeigt, wenn die Leitungsmuster der Anpassungsschaltung über drei Schichten hinweg gebildet sind und die Mittelposition des mittleren Leitungsmusters abweicht. Das Zeichen L10 in Fig. 14 bezeichnet den Abwei­ chungsbetrag des Leitungsmusters, und L10 = 200 µm.

Der Phasenrotationsbetrag in dem Fall, wenn die drei Leitungsmuster ausgerichtet sind, beträgt etwa 105°, wie in Fig. 13 gezeigt, während der Phasenrotationsbetrag in dem Fall, wenn das mittlere Leitungsmuster abweicht, etwa 121° beträgt, wie in Fig. 14 gezeigt. Wenn der positionelle Abweichungsbetrag L10 100 µm ausmacht, beträgt der Phasen­ rotationsbetrag etwa 111°.

In dem Fall, wenn die Anpassungsschaltung über drei Schichten hinweg gebildet ist, wird die Anpassung dann verbessert, wenn die Mittelposition abweicht, da der Rotati­ onsbetrag gegenüber dem Fall, wenn die Mittelpositionen ausgerichtet sind, leicht erhöht ist.

Fig. 16(a), 16(b) und 17 zeigen ein Smith-Diagramm und Graphen, die die Vorrichtungsfrequenzcharakteristiken der Duplexerpackung der Erfindung darstellen, die in Fig. 7(a) bis 7(c) gezeigt ist. Die Anpassungsschaltung ist über die zwei Schichten hinweg gebildet, d. h., über die Schicht 3 und die Schicht 4, und eines der Leitungsmuster hat eine gerade Form, und das andere von ihnen hat ein schlangenför­ miges Muster.

In Fig. 16(a) beträgt der Phasenrotationsbetrag etwa 220°.

Fig. 16(b) zeigt die Filtercharakteristiken (Vorrichtungsfrequenzcharakteristiken) eines Duplexers für ein 800-MHz-Band, und Fig. 17 zeigt die Filtercharakteristi­ ken eines Duplexers für ein 1,9-GHz-Band. In beiden Graphen, die in Fig. 16(b) und Fig. 17 gezeigt sind, kann eine Ver­ besserung im Vergleich zu Fig. 19(b) in dem Punkt festge­ stellt werden, wo der Abschwächungsbetrag im Durchlaßband des Gegenfilters erhöht ist.

Fig. 18 ist ein Smith-Diagramm, das den herkömmlichen Fall zeigt, wenn eine Anpassungsschaltung in einer Schicht gebildet ist. Der Phasenrotationsbetrag beträgt in diesem Fall etwa 180°, mit der Bedeutung, daß die Anpassung schlecht ist, da der Rotationsbetrag um etwa 40° kleiner als in Fig. 16(a) ist.

Fig. 19(a) und 19(b) sind ein Smith-Diagramm und ein Graph von Vorrichtungsfrequenzcharakteristiken (800-MHz- Band) für den Fall, wenn die Anpassungsschaltung über zwei Schichten hinweg gebildet ist und die Mittelpositionen in der Breitenrichtung von ihr untereinander dieselben sind, d. h., die Leitungsmuster sind angeordnet, um sich in der Schichtrichtung zu überlappen.

In dem Smith-Diagramm von Fig. 19(a) beläuft sich der Phasenrotationsbetrag auf etwa 140° und ist damit um 80° kleiner als in Fig. 16(a).

Aus dem Vergleich zwischen den Vorrichtungsfrequenzcha­ rakteristiken von Fig. 19(b) und Fig. 16(b) geht hervor, daß der Abschwächungsbetrag in dem Durchlaßband des Gegenfilters in Fig. 16(b) besser ist.

Der Vergleich zwischen Fig. 16(a) bis 19(b) ergibt, daß stabile Charakteristiken vielmehr durch eine Duplexerpackung erhalten werden können, die eine Anpassungsschaltung hat, die über zwei Schichten hinweg gebildet ist, wobei sich die Positionen der zwei Leitungsmuster voneinander unterschei­ den, wie in Fig. 7(a) bis 7(c) gezeigt, als durch eine Duplexerpackung, die eine Anpassungsschaltung hat, die in einer Schicht gebildet ist, und eine Duplexerpackung, die eine Anpassungsschaltung hat, die über zwei Schichten hinweg gebildet ist, wobei die Positionen der zwei Leitungsmuster in der Richtung des Anhäufens der Schichten einander über­ lappen.

Die Leitungslänge der Anpassungsschaltung beträgt in einem Duplexer für ein 800-MHz-Band unbedingt etwa 24 mm, wodurch eine Größe einer Duplexerpackung von etwa 7 × 5 × 1,3 mm in dem Fall erforderlich ist, wenn die Anpassungs­ schaltung in einer Schicht gebildet ist, während die Größe etwa 5 × 5 × 1,3 mm in dem Fall betragen kann, wenn die Anpassungsschaltung über zwei Schichten hinweg gebildet ist, wie es in Fig. 8(a) bis 8(f) gezeigt ist. Das heißt, die Größe der Duplexerpackung kann verringert werden.

Eine Seitenkronierung der herkömmlichen Duplexerpackung ist an der Peripherie der jeweiligen Schichten ab der Schicht 2 (L2) bis zu der Schicht 5 (L5) gebildet, aber in der Duplexerpackung der Erfindung ist eine Seitenkronierung, die keine Beziehung zu dem Muster der Drahtbondschicht (Schicht 2) hat, an der Schicht 5 gebildet, welches die Schicht ist, die niedriger als die Schichten (Schicht 3 und Schicht 4) ist, die die Leitungsmuster der Anpassungsschal­ tung haben.

Das heißt, da keine Seitenkronierung an den Schichten vorhanden ist, die die Leitungsmuster der Anpassungsschal­ tung haben, können die Toleranzen bezüglich der Form und Position der Leitungsmuster der Schicht 3 und der Schicht 4 groß sein, und ferner kann das Kurzschlußproblem bei der Anhäufung verringert werden.

Da weiterhin das Durchgangsloch (13a bis 13e) eines Mu­ sters unabhängig von den anderen Mustern vorgesehen ist, wie in Fig. 8(a) bis 8(f) gezeigt, kann das Vorhandensein oder Nichtvorhandensein einer positionellen Abweichung nach dem Anhäufen aller Schichten, jedoch vor dem Backen, ohne weite­ res nachgewiesen werden, und in dem Fall, wenn die positio­ nelle Abweichung festgestellt wird, kann vor dem Backen eine Kompensation der Positionen ausgeführt werden, wodurch die Qualität verbessert werden kann.

Gemäß der Erfindung kann eine Duplexerpackung vorgese­ hen werden, die eine kleine Größe und stabile Filtercharak­ teristiken hat.

Claims (8)

1. Duplexervorrichtung mit zwei akustischen Oberflä­ chenwellenfiltern, die verschiedene Bandmittenfrequenzen haben, und einer Phasenanpassungsschaltung zum Anpassen von Phasen der zwei akustischen Oberflächenwellenfilter, bei der die Phasenanpassungsschaltung aus einem oder mehreren Lei­ tungsmustern gebildet ist und wenigstens eines der Leitungs­ muster so gebildet ist, um zwischen einer Vielzahl von internen Schichten einer mehrschichtigen Packung geteilt zu sein, und wenigstens die Leitungsmuster, die auf den inter­ nen Schichten gebildet sind, die aneinandergrenzen, Muster­ formen haben, die sich voneinander unterscheiden.

2. Duplexervorrichtung nach Anspruch 1, bei der die Musterform der Phasenanpassungsschaltung, die auf einer der benachbarten internen Schichten gebildet ist, ein gerades Muster ist und die Musterform der Phasenanpassungsschaltung, die auf der anderen der benachbarten internen Schichten gebildet ist, ein schlangenförmiges Muster ist.

3. Duplexervorrichtung nach Anspruch 2, bei der sich eine symmetrische Mittellinie des schlangenförmigen Musters und eine Mittellinie in einer Breitenrichtung des geraden Musters in einer Überlappungsrichtung der internen Schichten voneinander unterscheiden.

4. Duplexervorrichtung nach Anspruch 1, bei der die Musterformen der Phasenanpassungsschaltungen, die auf den benachbarten internen Schichten gebildet sind, ein gerades Leitungsmuster sind und Positionen der geraden Muster in einer Überlappungsrichtung der internen Schichten sich voneinander unterscheiden.

5. Duplexervorrichtung nach Anspruch 1, bei der die Musterformen der Phasenanpassungsschaltungen, die auf den benachbarten internen Schichten gebildet sind, ein schlan­ genförmiges Muster sind und Positionen der schlangenförmigen Muster in einer Überlappungsrichtung der internen Schichten sich voneinander unterscheiden.

6. Duplexervorrichtung nach irgendeinem der Ansprüche 1 bis 5, bei der ein erstes Schaltungsmuster, das auf einer Oberfläche der obersten Schicht von der Vielzahl von inter­ nen Schichten gebildet ist, und ein zweites Schaltungsmu­ ster, das auf einer oberen Seite der untersten Schicht von der Vielzahl von internen Schichten gebildet ist, durch ein Durchgangsloch verbunden sind, das nicht mit anderen Schal­ tungsmustern verbunden ist.

7. Duplexervorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, ferner mit einer Bondschicht, die einen Bondanschluß zum Verbinden mit den akustischen Oberflächenwellenfiltern hat und über der Schicht vorgesehen ist, auf der die Phasen­ anpassungsschaltung gebildet worden ist, und einer untersten Schicht, die einen Außenverbindungsanschluß hat, bei der der Bondanschluß und der Außenverbindungsanschluß durch eine äußere Seitenoberfläche der internen Schichten verbunden sind, die zwischen der Bondschicht und der untersten Schicht angeordnet sind.

8. Duplexervorrichtung nach irgendeinem der Ansprüche 1 bis 6, ferner mit einer untersten Schicht, die einen Außenverbindungsanschluß hat, bei der eine Verbindungs­ leitung zum Verbinden mit dem Außenverbindungsanschluß auf einer äußeren Seitenoberfläche einer Schicht vorgesehen ist, die unter den Schichten angeordnet ist, auf denen die Phasenanpassungsschaltung gebildet worden ist.