DE69820551T2 - Schutz gegen elektrostatische Entladung für einen kapazitiven Fingerabdrucksabtastmatrix - Google Patents

Schutz gegen elektrostatische Entladung für einen kapazitiven Fingerabdrucksabtastmatrix Download PDF

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Description

  • Diese Erfindung betrifft das Gebiet der Fingerabdruck-Bildabtastung und -Detektion; das heißt, die Detektion der Einzelheiten bzw. Teils eines Fingerabdrucks, wie z. B. Erhöhungsabschlüsse bzw. Erhöhungsendungen oder Gratabschlüsse bzw. Gratendungen und Bifurkatione bzw. Verzweigungen oder Gabelungen. Spezieller betrifft diese Erfindung einen Mehrfachpixel-Kapazitäts-Typ-Fingerabdruck-Sensor.
  • Wie es gut bekannt ist, ist der Fingerabdruck eines Menschen aus Linien oder Graten zusammengesetzt, welche sowohl Abzweigungsabschnitte als auch Verzweigungen bzw. Bifurkatione und abrupte bzw. sofortige Abschlüsse oder Endpunkte haben. Diese Abzweigungsabschnitte, Verzweigungen, Abschlüsse und Endpunkte sind auch als Einzelheiten bekannt. Die Fingerabdrücke werden durch die Orte von und die Beziehung zwischen diesen Einzelheiten identifiziert.
  • Die vorliegende Erfindung betrifft einen verbesserten Kapazitätssensor, der operiert, um Fingerabdruck-Einzelheiten zu fühlen oder zu detektieren. Die Verwendung von Sensoren des Kapazitätstyps sind im Allgemeinen bekannt.
  • Die Veröffentlichung SENSORS AND ACTUATORS, Jan./Feb. 1989, Nr. 1/2, auf den Seiten 141–153, beinhaltet z. B. einen Artikel, der INTEGRATED TACTILE IMAGER WITH AN INTRINSIC CONTOUR DETECTION OTPION betitelt ist, der bei der Fourth International Conference on Solid-State Sensors and Actuators (Transducers '87), Tokyo, Japan, 2.–5. Juni 1987, präsentiert wurde. Dieser Artikel beschreibt einen integrierten kapazitiv taktilen Abbildungssensor bzw. einen integrierten kapazitiv taktilen abbildenden Sensor, der eine Mehrfachschichtkonstruktion mit einer unteren Keramikhalterung einem 9-Zeilen/9-Spalten-Array bzw. einer 9-Zeilen/9-Spalten-Anordnung von quadratischen Aluminiumelektroden, die auf einer Siliziumscheibenintegrierten Schaltung beinhaltet sind, eine flexible und isolierende Zwischenschicht, die aus Naturgummi zusammengesetzt ist bzw. aus Naturgummi besteht, eine dünne leitende Gummischicht und eine obere schützende Schicht aufweist. In dieser Vorrichtung hängt die Kapazität von der lokalen Deformation der Naturgummischicht ab. Die 81 individuellen Aluminiumelektroden dieser Vorrichtung stellen eine kapazitive Messung eines Vertiefungsmusters innerhalb der Naturgummischicht zur Verfügung, wobei diese Vertiefung durch eine Druckverteilung, die auf der oberen schützenden Schicht bzw. Schutzschicht agiert bzw. aktiv ist, verursacht wird.
  • Die Verwendung eines Sensors eines Kapazitätstyps, um die Einzelheiten eines menschlichen Fingerabdrucks zu fühlen bzw. abzutasten, ist ebenso bekannt.
  • Die Veröffentlichung IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, Band 18, Nr. 1, Januar 1997, Seiten 19–20, beinhaltet einen Artikel, der betitelt ist mit NOVEL FINGERPRINT SCANNING ARRAYS USING POLYSILICON TFT'S OF GLASS AND POLYMER SUBSTRATES. Dieser Artikel beschreibt einen zweidimensionalen (2D), 200 × 200, kapazitätsabtastendes bzw. kapazitätsfühlendes Array bzw. Feld, das aus 40.000 einzelnen bzw. individuellen Pixeln hergestellt ist. Jedes Pixel des Arrays schließt zwei Dünnschichttransistoren (TFTs) und eine Kondensatorsplatte ein. Jedes Arraypixel bzw. Feldpixel befindet sich bei bzw. in dem Schnittpunkt einer Arrayzeile und einer Arrayspalte und jedes Arraypixel ist individuell adressierbar, und zwar durch bzw. über Zeilen-Treiberschaltungen und Spalten-Treiberschaltungen.
  • Betrachtet man die zwei TFTs, hiernach als TFT-A und TFT-B bezeichnet, die mit einem gegebenen Pixel verbunden sind, so sind die Drainelektroden des TFT-A und TFT-B an die Kondensatorplatte der Pixel angeschlossen, sind die Gateelektrode und die Sourceelektrode des TFT-A an einen Zeilenkonduktor bzw. Zeilenleiter ange schlossen, der mit dem Pixel verbunden ist, ist das Gate des TFT-B an den folgenden Zeilenkonduktor angeschlossen, und ist die Source des TFT-B an einen Spaltenkonduktor bzw. Spaltenleiter angeschlossen, der mit dem Pixel verbunden ist.
  • Ein dünner (0,1 Mikrometer) Siliziumnitridisolator liegt auf der Kondensatorplatte von jedem Arraypixel auf. Wenn die Erhöhungen bzw. Grate eines Fingerabdrucks direkt über der Kondensatorplatte liegen, wird ein Kondensator zwischen der Kondensatorplatte und dem Finger ausgebildet. Dieser Kondensator wird aufgeladen, wenn ein Zeilenpuls (8 bis 10 VDC und von 10 bis 100 Mikrosekunden Dauer) an das Pixel über bzw. durch einen Zeilenkonduktor bzw. Zeilenleiter angelegt wird, der mit diesem Pixel und dem TFT-A verbunden ist. Diese gespeicherte Ladung wird danach auf den Spaltenkonduktor bzw. Spaltenleiter des Pixels durch den TFT-B transferiert, wenn ein Zeilenpuls an die folgende Zeilenelektrode angelegt wird.
  • Ferner ist die Publikation 1997 IEEE INTERNATIONAL SOLID-STATE CIRCUITS CONFERENCE von Interesse, die einen Artikel beinhaltet, der auf Seite 200 beginnt, der mit A 390 DPI LIVE FINGERPRINT IMAGER BASED ON FEEDBACK CAPACITIVE SENSING SCHEME betitelt ist. Dieser Artikel beschreibt einen Einzelchip, ein 200 × 200-Elementarray bzw. -Elementfeld, eine 2-metalldigitale CMOS-Technologie, einen Sensor, der auf einer Feedback-Kapazitätsabtastung bzw. Rückkopplungs-Kapazitätsabtastung basiert und der arbeitet, um die elektrische Feldvariation zu detektieren, die durch die Oberfläche der Fingerhaut induziert wird. In jedem Element des Arrays bzw. Feldes werden zwei horizontal beabstandete Metallplatten von dem aufliegenden bzw. darüber liegenden und angrenzenden Abschnitt der Hautoberfläche des Fingers durch ein Passivierungsoxid bzw. Neutralisierungsoxid separiert. Da die Distanz zwischen der Haut und der Oberfläche des Sensors die Anwesenheit bzw. Präsenz von Erhöhungen bzw. Graten und Tälern des Fingerabdrucks identifiziert, stellt ein Elementenarray bzw. Elementenfeld ein komplettes Fingerabdruckmuster bereit.
  • In jedem Element des Arrays bzw. des Feldes werden die zwei Metallplatten jeweils an den Eingang und den Ausgang eines Hoch-Gewinn-Invertierers angeschlossen, um dadurch einen Ladungsintegrator auszubilden. Im Betrieb wird der Ladungsintegrator zuerst zurückgesetzt, indem der Eingang und der Ausgang bzw. die Eingabe und die Ausgabe des Inverters kurzgeschlossen werden. Eine feste Ladungsmenge wird dann vom Eingang abgesenkt bzw. heruntergehen, wobei verursacht wird, dass die Ausgangsspannung umgekehrt proportional zu einem Feedback-Kapazitätswert bzw. Rückkopplungs-Kapazitätswert schwingt, der umgekehrt proportional ist zu der Distanz zu den Graten und Tälern des Fingerabdrucks. Das Zellenarray bzw. Zellenfeld oder die Sensoren stellen somit das komplette Fingerabdruckmuster bereit. Das Fingerabdruckbild erscheint, wenn der Finger von dem Array bzw. Feld entfernt wird.
  • Das US-Patent 4,353,056 ist in der Hinsicht von Interesse, indem es sich auf einen Fingerabdruckssensor vom Kapazitätstyp bezieht, wobei ein Finger auf die Oberfläche des Sensors gepresst wird, um die Erhöhungen bzw. Grate und Täler des Fingerabdrucks zu lesen. Die Sensoroberfläche hat eine große Anzahl von Kondensatoren mit einer kleinen physikalischen Größe, die damit verbunden ist. Zwei Sensoren werden beschrieben. Bei einem ersten Sensortyp trägt ein elektrischer Isolator eine Anzahl von flexiblen und horizontal beabstandeten gekrümmten Metallelektroden, wobei zwei angrenzende Metallelektroden davon einen Kondensator aufweisen bzw. umfassen. Eine schützende Isolationsschicht bzw. ein schützender Isolationsfilm liegt auf dem elektrischen Isolator und wenn ein Finger in physikalischen Kontakt mit diesem schützenden Isolationsfilm bzw. Isolationsschutzschicht gebracht wird, werden die Metallelektroden physikalisch deformiert, wobei dadurch die Kapazität von der großen Anzahl von Kondensatoren in Übereinstimmung mit dem Grat/Tal-Muster des Fingerabdrucks selektiv geändert wird. Bei einem zweiten Sensortyp trägt die obere Oberfläche bzw. Fläche eines Erhöhungsträgers bzw. eines Gratträgers eine Anzahl von horizontal beabstandeten und flachen Metallelektroden in einer festen bzw. fixierten Position über der Ebene der Metallelektroden ist, die sequenzielle Anordnung eines flexiblen Isolators, einer flexiblen Elektrode und einer flexiblen Schutzmembran platziert.
  • Ein Kondensator ist zwischen der oberen flexiblen Elektrode und jeder der unteren und fest positionierten Flachmetallelektroden ausgebildet. Wenn das Ende eines Fingers in Kontakt mit der flexiblen Membran gebracht wird, wird die flexible Elektrode wellig bzw. wellenförmig, und zwar in Übereinstimmung mit den Graten- bzw. Erhöhungen/Täler-Muster des Fingerabdrucks.
  • Zusätzlich betrifft das US-Patent 5,325,442 einen Fingerabdruckssensor des Kapazitätstyps mit einem Abtastpad bzw. Fühlfeld, das ein ebenes Array bzw. Feld aus Zeilen/Spalten-Abtastelementen mit einem Abstand von ungefähr 100 Mikrometern aufweist. Jedes Abtastelement ist in bzw. bei dem Schnittpunkt eines Zeilenkonduktors bzw. Zeilenleiters und eines Spaltenkonduktors bzw. Spaltenleiters angeordnet. Eine Vielzahl dieser Abtastelemente bzw. Fühlelemente baut ein Array bzw. ein Feld von regulär beabstandeten und relativ gleich großen Rechtecken auf.
  • Jedes Abtastelement von diesem Patent schließt eine erste ungeerdete, physikalisch vergrabene und ebene bzw. planare Metallkondensatorplatte ein, die von einer elektrisch geerdeten Fingerfläche bzw. Fingeroberfläche, die eine zweite Kondensatorplatte ausbildet dielektrisch beabstandet ist, wie in der Schaltung dieses Patents in 2 gezeigt ist. Bei den 7a bis 7b dieses Patents schließt die finger-eingreifende Oberfläche bzw. die finger-einnehmende Oberfläche freigelegte bzw. belichtete und geerdete Metallfilm- bzw. Metallschichtkonduktoren 53 ein, die physikalisch in die Finger eingreifen, um eine Operation von der Schaltung von 2 sicherzustellen, indem die Finger verlässlich geerdet werden, um dadurch verlässlich die oben beschriebene zweite Kondensatorplatte zu erden.
  • Die Abtastelemente werden hergestellt, indem ein fotolithografisches Verfahren bzw. ein fotolithografischer Prozess verwendet wird, und jedes individuelle Abtastelement schließt einen Dünnfilmtransistor (TFT) in der Form eines Feldeffekttransistors (FET) ein. Jedes FET-Gate ist an einen Zeilenkonduktor bzw. Zeilenleiter angeschlossen, jede FET-Source ist an einen Spaltenkonduktor bzw. Spaltenleiter angeschlossen, und jeder FET-Drain ist an eine Abtastelektrode angeschlossen.
  • In einer Ausführungsform umfasst jedes Abtastelement einen Abtastkondensator, der zwischen einer Abtastelektrode und dem Finger ausgebildet ist. In einer anderen Ausführungsform schließt jedes Abtastelement ein elektrisch isoliertes und leitendes Pad bzw. Feld ein, das physikalisch eingreift bzw. einnimmt und elektrisch durch die Finger geerdet ist.
  • Die EP-0 790 479 beschreibt einen Distanzsensor mit einem Kapazitätselement, das wiederum eine erste Armatur hat, die gegenüber liegend einer zweiten Armatur positioniert bzw. angeordnet ist, dessen Distanz zu messen sein wird. In dem Fall des Fingerabdrucks bzw. Fingerdruckens wird die zweite Armatur direkt durch die Hautoberfläche bzw. Hautfläche des Fingers, der zu drucken ist, definiert.
  • Die EP-A-0 457 398 beschreibt eine Vorrichtung, um Fingerabdruckmusterinformationen zu erhalten. Die Kapazität zwischen einzelnen Abtastelementen in einem Array bzw. Feld und den jeweiligen Fingeroberflächenabschnitten, die über den Elementen liegen bzw. auf den Elementen liegen, wird abgetastet bzw. gefühlt, um eine Varianz der Kapazität, wie festgelegt bzw. bestimmt durch den Abstand bzw. die Beabstandung von dem Array bzw. Feld der Erhöhung oder durch das Muster des Fingerabdrucks, bereitzustellen.
  • Während frühere Vorrichtungen, wie oben beschrieben, im Allgemeinen nützlich für ihre begrenzt gedachte Anwendung ist, verbleibt bzw. bleibt ein Bedarf in der Technik für einen Fingerabdrucksensor des Kapazitätstyps, wobei das Fingerabdruckmuster von einer ungeerdeten Fingerspitze abgetastet bzw. gefühlt wird und wobei die Konstruktion und Anordnung des Sensors minimiert oder verhindert, dass eine elektrostatische Aufladung bzw. Ladung, die durch einen menschlichen Körper befördert bzw. getragen werden kann, die Operation eines Fingerabdrucksensors vom Kapazitätstyp stört.
  • Entsprechend des ersten Aspekts der vorliegenden Erfindung wird ein Verfahren zum Bereitstellen einer elektrostatischen Entladung für ein kapazitives Fingerabdruckmuster-Detektionsfeld bereitgestellt, das die Schritte umfasst bzw. aufweist, wonach ein Fingerabdruckmuster-Detektionsfeld bereitgestellt wird, das eine Anzahl von individuellen Hautabstandsfühlzellen hat, die in einer eng beabstandeten physikalischen Konfiguration angeordnet sind; eine dielektrische Schicht für das Feld wird bereitgestellt, wobei die dielektrische Schicht eine obere Oberfläche und eine untere Oberfläche hat; eine ungeerdete Fingerspitze wird platziert, die das Fingerabdruckmuster auf der oberen Oberfläche hat; jede Fühlzelle bzw. Abtastzelle wird mit einem Verstärker bereitgestellt, der einen ungeerdeten Eingangsknoten und einen ungeerdeten Ausgangsknoten hat; eine ungeerdete Ausgangsknoten-zu-Eingangsknoten-Rückkopplung für jeden der Verstärker wird bereitgestellt, wobei die Rückkopplung für die Fingerabdruckmuster sensitiv ist; die Rückkopplung wird für jeden der Verstärker mittels (1) einer ersten Kondensatorplatte, die innerhalb der dielektrischen Schicht vertikal unter der oberen Oberfläche der dielektrischen Schicht angeordnet ist und mit dem ungeerdeten Eingangsknoten verbunden ist, (2) einer zweiten Kondensatorplatte, die innerhalb der dielektrischen Schicht vertikal unter der oberen Oberfläche der dielektrischen Schicht in enger horizontaler räumlicher Beziehung zu der ersten Kondensatorplatte platziert ist und mit dem ungeerdeten Ausgangsknoten verbunden ist, und (3) der ungeerdeten Fingerspitze in vertikaler räumlicher Beziehung zu der ersten und zweiten Kondensatorplatte bereitgestellt; wobei ein Metallpfad innerhalb der dielektrischen Schicht vertikal unter der oberen Oberfläche der dielektrischen Schicht bereitgestellt wird, um räumlich die erste und zweite Kondensatorplatte zu umgeben, aber nicht physisch bzw. physikalisch in Eingriff zu nehmen; und der Metallpfad mit der Erde verbunden wird, um dadurch die Eingangs- und Ausgangsknoten von einem elektrostatischen Potenzial zu schützen, dass durch die Fingerspitze getragen werden kann, und zwar in einer Art und Weise, die nicht den ungeerdeten Zustand der Fingerspitze stört.
  • Entsprechend dem zweiten Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Abstandsmessapparat zum Bereitstellen eines Ausgangssignals bereitgestellt, das das Grat/Tal-Fingerabdruckmuster einer Fingerspitze anzeigt, wobei der Apparat aufweist, ein physikalisches Feld mit einer Vielzahl individueller Abstandsfühl-Kondensatorzellen bzw. Abstandsfühl-Kapazitätszellen; wobei jede Kondensatorzelle bzw. Kapazitätszelle eine erste und eine zweite elektrisch ungeerdete Kondensatorplatte enthält, die elektrisch voneinander isoliert sind und unterhalb einer ungeerdeten dielektrischen Oberfläche platziert sind, die für eine physische bzw. physikalische Assoziation mit einem Abschnitt einer elektrisch ungeerdeten Fingerspitze angepasst ist; wobei jede Kondensatorzelle bzw. Kapazitätszelle einen Verstärker enthält, der einen elektrisch ungeerdeten Eingangsknoten hat, der mit der ersten Kondensatorplatte verbunden ist, und der einen elektrisch ungeerdeten Ausgangsknoten hat, der mit der zweiten Kondensatorplatte verbunden ist; wobei die erste und die zweite Kondensatorplatte angepasst ist, einen Rückkopplungskondensator mit einer ungeerdeten Fingerspitze auszubilden, die sich gegenwärtig auf der dielektrischen Oberfläche befindet, wobei der Rückkopplungskondensator eine Verstärkerrückkopplung als eine Funktion eines Abstands zwischen einem Abschnitt des ungeerdeten Fingerspitzen-Grat/Talmusters und der dielektrischen Oberfläche bereitstellt; wobei elektrisch geerdete Metallpfadmittel unterhalb der ungeerdeten dielektrischen Oberfläche platziert sind, und zwar in einer Art und Weise, so dass sie elektrisch von einer jeden Kondensatorplatte einer jeden der Kondensatorzellen isoliert sind, und in einer Art und Weise, eine jede der Kondensatorplatten einer jeden der Kondensatorzellen bzw. Kapazitätszellen physisch bzw. physikalisch zu umgeben.
  • Wie es gut bekannt ist, schließt ein Kapazitätssensorarray bzw. -feld des allgemeinen Typs, der in Fingerabdruckmuster-Erkennungs-/Detektionssystemen Anwendung findet, ein im Allgemeinen ebenes bzw. planares Array bzw. Feld von vielen in Zei len/Spalten angeordneten und individuellen kapazitiven Abtastzellen bzw. kapazitiven Fühlzellen ein, wobei jede individuelle bzw. einzelne Abtastzelle bzw. Fühlzelle ein Pixel des Arrays bzw. Felds umfasst.
  • Bei einem Typ eines Sensorarrays bzw. Sensorfelds, mit welchem die Ausführungsformen dieser Erfindung Anwendung finden können, schließt jede Abtastzelle bzw. Fühlzelle im Allgemeinen eine oder mehrere im Allgemeinen dielektrisch abgedeckte bzw. abgeschirmte und ungeerdete Metallkondensatorplatten mit bzw. auf höchstem Niveau ein. Eine ungeerdete Fingerspitze, die eine andere Kondensatorplatte ausbildet, wird auf der oberen dielektrischen Oberfläche des Arrays bzw. des Feldes platziert bzw. angeordnet und die Zellen, die mit einem Fingerabdruckgrat physikalisch in Berührung sind, erfahren eine gesteigerte bzw. erhöhte Kapazität, und zwar verglichen zu jenen Zellen, die eine kurze Distanz unter einem Fingerabdrucktal beabstandet sind.
  • Die Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung finden mit einer Konstruktion und einer Anordnung Anwendung, wobei jede derartige Zelle eine Verstärkerschaltung einschließt, dessen Ausgang/Eingang rückkopplungszusammenhängend bzw. rückkopplungsverbunden ist, und zwar durch eine Verbund-Kondensatorschaltung bzw. zusammengesetzte Kondensatorschaltung, die aus den ungeerdeten einen oder mehreren im Allgemeinen Metallkondensatorplatten mit bzw. auf höchstem Niveau und dielektrisch abgedeckten bzw. abgeschirmten Metallkondensatorplatten aufgebaut sind, und der ungeerdeten Fingerspitze, die eine andere Kondensatorplatte ausbildet.
  • Bei diesem besonderen Typ der ungeerdeten Ausgangs-/Eingangs-Rückkopplungs-Schaltungskonfiguration kann die elektrostatische Aufladung bzw. Ladung, die manchmal durch einen menschlichen Körper befördert bzw. getragen wird, ausreichend hoch sein, um durch die oberste Passivierungsschicht bzw. Neutralisationsschicht oder die dielektrische Schicht, die alle Zellen abdeckt bzw. abschirmt, hindurch zu brechen bzw. hindurch zu gelangen und/oder um die Gateoxid- Durchbruchsspannung einer Abtastschaltung bzw. einer Fühlschaltung zu überschreiten, die an die eine oder mehreren dielektrisch abgedeckten Metallkondensatorplatten angeschlossen ist.
  • Die Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung können die elektrostatische Entladungs-(ESD-)Durchführung von einem derartigen Kapazitätssensorarray bzw. Kapazitätssensorfeld verbessern, indem jede individuelle dielektrisch abgeschirmte bzw. abgedeckte Kondensatorplatte mit einer Metallgitterarbeit, metallvermaschten Leitungen oder einem Metallmuster, das direkt zum Systemerdungspotenzial angeschlossen ist, physikalisch umgeben, aber nicht physikalisch berührt wird.
  • Beispiele eines derartig geerdeten Metallmusters schließen ein, aber begrenzen nicht auf ein Metallmuster, das im Allgemeinen dieselbe horizontale Ebene wie die Kondensatorplatte(n) besetzt, die von einer elektrostatischen Ladung bzw. Aufladung zu schützen ist (sind), ein Metallmuster, das im Allgemeinen eine horizontale Ebene besetzt, die vertikal über der horizontalen Ebene angeordnet ist, die durch die Kondensatorplatte(n) besetzt ist (sind), die von einer elektrostatischen Ladung bzw. Aufladung zu schützen ist (sind), ein Metallmuster, das im Allgemeinen eine horizontale Ebene besetzt, die vertikal unterhalb der horizontalen Ebene angeordnet ist, die durch die Kondensatorplatte(n) besetzt ist (sind), die von einer elektrostatischen Ladung bzw. Aufladung zu schützen ist (sind), und ein Metallmuster, das eine horizontale Ebene besetzt, die vertikal unterhalb der horizontalen Ebene angeordnet ist, die durch die Kondensatorplatte(n) besetzt ist (sind), die von einer elektrostatischen Ladung bzw. Aufladung zu schützen ist (sind), und schließt eine Vielzahl von Metallfingern ein, die sich vertikal aufwärts erstrecken, um im Allgemeinen die Kondensatorplatte(n) zu umgeben. Im Geiste von diesem letzteren Beispiel brauchen geerdete Metallmuster innerhalb des Umfangs dieser Erfindung keine physikalisch kontinuierlich geerdete Metallmuster.
  • Bei den Ausführungsformen der Erfindung kann das geerdete ESD-Schutzmetall-Gitter-/Vermaschung bzw. Vernetzung/Muster bei bzw. auf demselben physikalischen dielektrisch abgedeckten bzw. abgeschirmten Niveau, oder Ebene platziert bzw. angeordnet sein, wie die oben beschriebenen eine oder mehreren Metallkondensatorplatten oder das geerdete ESD-Schutz-Gitter/Vermaschung bzw. Vernetzung/Muster kann auf einem etwas höheren physikalischen und dielektrisch abgedeckten bzw. abgeschirmten Niveau platziert bzw. angeordnet sein. Es ist kritisch bei den Ausführungsformen dieser Erfindung, dass das geerdete ESD-Schutz-Gitter/Vermaschung bzw. Vernetzung/Muster physikalisch und elektrisch von der oberen dielektrischen Oberfläche bzw. Fläche, die die Fingerspitze berührt, isoliert ist. Auf diesem Weg wird die Fingerspitze durch den physikalischen Kontakt mit dieser oberen dielektrischen Fläche bzw. Oberfläche nicht unerwünscht geerdet. Das Erden der Fingerspitze ist bei diesem Typ des Kapazitätsabtastungsarrays bzw. Kapazitätsabtastungsfelds unerwünscht, da eine geerdete Fingerspitze ebenso einen Abschnitt bzw. einen Teil der Ausgangs-/Eingangs-Rückkopplungsschaltung des Verstärkers erden würde, was somit den Verstärker im Allgemeinen unbrauchbar bzw. unwirksam macht.
  • Die Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung können im Besonderen Anwendung finden, wenn das geerdete Schutzgitter davon als ein Abschnitt bzw. ein Teil eines Fest-Zustand-Kapazitiv-Sensors für ein Fingerabdruckerkennungssystem bereitgestellt wird, das ein periodisches Array bzw. Feld von integrierten Schaltungen (ICs) und dielektrisch vergrabenen Kondensatorplatten einschließt; wobei z. B. jedes Arraypixel bzw. Feldpixel eine signalinvertierende Schaltung einschließt, dessen Ausgang und Eingang jeweils an einen von einem Paar von im Allgemeinen ganz oben angeordneten, dielektrisch vergrabenen und im Allgemeinen coplanaren Metallkondensatorplatten angeschlossen ist. Bei dieser Konstruktion und Anordnung ist die Fingerspitze, die einer Fingerabdruckmusterabtastung/-erkennung unterworfen wird, physikalisch auf oder sehr nahe angrenzend an eine ganz oben angeordnete dielektrische oder passivierte bzw. neutralisierte Oberfläche bzw. Fläche der Fest-Zustand-Abtastungsstruktur platziert. Die Anwesenheit eines ungeerdeten Fingerspitzenhaut grates über bzw. quer zu einem Paar dielektrisch vergrabener coplanarer Metallplatten arbeitet, um eine Kapazitivkopplung zwischen dem Kondensatorplattenpaar zu induzieren, und zwar relativ zu bzw. gegenüber z. B., einer angrenzende Zelle, dessen vergrabene Kondensatorplatten mit einem ungeerdeten Fingerspitzenhauttal zusammenarbeiten. Das gesamte Fingerabdruckmuster kann somit digitalisiert werden, indem die Differenzen in den angrenzenden Zellkapazitivwerten abgetastet bzw. gefühlt werden.
  • Die ESD-Immunität bzw. -Sicherheit eines derartigen Fest-Zustand-Arrays bzw. Fest-Zustand-Feldes kann relativ schwach bzw. dürftig sein, da bei diesem Typ einer Schaltungskonfiguration es gewöhnlich ist, die vergrabenen und ungeerdeten Kondensatorplatten der Zelle mit den Transistorgates zu verbinden, und/oder die ungeerdeten und vergrabenen Kondensatorplatten der Zelle an ein Systemmassepotenzial anzuschließen bzw. zu verbinden, und zwar auf dem Weg von bzw. mittels in Sperrrichtung betriebenen Dioden. Bei diesem Konstruktions- und Anordnungstyp kann die elektrostatische Ladung bzw. Aufladung, die manchmal von einem menschlichen Körper und seiner Fingerspitze getragen bzw. befördert wird, die im Bereich von mehreren Kilovolt (kV) liegen kann, ausreichend hoch sein, um durch die obere dielektrische Schicht/Passivierungs- bzw. Neutralisierungsschicht der Fest-Zustand-Zelle durchzubrechen bzw. hindurch zu gelangen und somit wird das Potenzial an ungeerdeten Schaltungsknoten, die mit den vergrabenen Kondensatorplatten verbunden sind, erhöht, um die Gateoxid-Durchbruchsspannung der Transistorgates zu überschreiten, die an diese Kondensatorplatten angeschlossen sind. Zusätzlich, falls die elektrostatisch induzierte Spannung der Fingerspitze, die über bzw. quer zu der oben erwähnten Masseverbindungsdioden bzw. Erdungsverbindungsdioden aufgebaut wurde, die Oxiddurchbruchsspannung überschreitet, kann das Gateoxid zerbrochen bzw. gebrochen werden, wobei somit die verbundene Arrayzelle bzw. Feldzelle beschädigt wird.
  • Um die ESD-Immunität bzw. ESD-Sicherheit eines derartigen Fest-Zustand-Arrays bzw. Fest-Zustand-Feldes zu verbessern, arbeiten die Ausführungsformen der vorlie genden Erfindung, um jede Kondensatorplatte mit einem Gitter oder einer Vermaschung bzw. Vernetzung von Metallleitungen zu umgeben, die direkt an das Systemmassepotenzial bzw. Systemerdungspotenzial angeschlossen sind. Bei den Ausführungsformen dieser Erfindung kann dieses neue und ungewöhnlich geerdete Gitter/Vermaschung bzw. Vernetzung von Metallleitungen platziert bzw. angeordnet, vergraben oder in derselben horizontalen Ebene wie jener, die durch die Kondensatorplatten besetzt ist, geroutet bzw. geleitet werden oder das/die Gitter/Vermaschung bzw. Vernetzung von Metallleitungen können platziert bzw. angeordnet, vergraben oder in einer höheren horizontalen Ebene geroutet bzw. geleitet werden, als die Ebene, die durch die vergrabenen Kondensatorplatten besetzt ist. In diesem zweiten Fall besitzt das Gitter-/ die Vermaschung bzw. Vernetzung von Metallleitungen eine Ebene, die physikalisch näher an der Fingerspitze ist, als die die Ebene der vergrabenen Kondensatorplatten, aber von dieser dielektrisch isoliert bleibt.
  • Diese und andere Aufgaben, Merkmale und Vorteile dieser Erfindung werden für den Fachmann ersichtlich, nachdem auf die folgende detaillierte Beschreibung der bevorzugten Ausführungsformen davon Bezug genommen wird, wobei die Beschreibung auf die Zeichnungen Bezug nimmt.
  • 1, 2 und 3 beziehen sich auf die oben erwähnte EP-A-0 790 479. Das Abtastarray bzw. das Abtastfeld von 1 schließt eine große Anzahl von individuellen Abtastzellen bzw. Fühlzellen von 2, 3 ein, und kann beim Fingerabdruck verwendet werden. Die/das ESD-Schutzvorrichtung/-Schutzverfahren der vorliegenden Erfindung findet innerhalb jeder Zelle des Abtastarrays bzw. Abtastfeldes der 1 Anwendung.
  • 4 ist eine Seitenansicht von einer Abtastzelle bzw. Fühlzelle des ungeerdeten Rückkopplungstyps, der in 2 gezeigt ist, wobei die 4 die Art und Weise zeigt, in der die zwei Kondensatorplatten der Zelle auf eine gemeinsame horizontale Ebene angeordnet werden, und innerhalb des Körpers einer dielektrischen Schicht vergraben wird, dessen oberste Oberfläche bzw. Fläche für das physikalische Eingreifen von einem Fingerabdruckgrat angepasst ist, wobei 4 ein geerdetes Metallgitter der vorliegenden Erfindung zeigt, das arbeitet, um die ungeerdeten Kondensatorplatten von dem elektrostatischen Potenzial zu schützen, das durch die ungeerdete Fingerspitze befördert werden kann, und wobei 4 eine Ausführungsform der Erfindung zeigt, wobei das geerdete Metallgitter oder Metallmuster im Allgemeinen dieselbe horizontale Ebene wie die Kondensatorplatte(n) besetzt, um von der elektrostatischen Ladung bzw. Aufladung geschützt zu sein.
  • 5 ist eine Draufsicht der zwei Kondensatorplatten der Fühlzelle bzw. Abtastzelle von 4 und ein Abschnitt bzw. Teil der Kondensatorplatten der angrenzenden Abtastzellen bzw. Fühlzellen, wobei 5 die geometrische Form und Form des geerdeten Metallgitters und die Art und Weise, in der dieses Metallgitter alle Kondensatorplatten von allen Abtastzellen bzw. Fühlzellen umgibt, besser zeigt.
  • 6 ist eine Seitenansicht, die ähnlich zu 4 ist, die eine Ausführungsform der Erfindung mit einem geerdeten Metallmuster zeigt, das eine im Allgemeinen horizontale Ebene besetzt, die vertikal unterhalb der horizontalen Ebene angeordnet ist, die durch die Kondensatorplatte(n) besetzt ist, um von einer elektrostatischen Ladung bzw. Aufladung geschützt zu werden bzw. zu sein.
  • 7 ist eine Seitenansicht, die ähnlich zu 6 ist, die eine Ausführungsform der Erfindung mit einem geerdeten Metallmuster zeigt, das eine im Allgemeinen horizontale Ebene besetzt, die vertikal oberhalb der horizontalen Ebene angeordnet ist, die durch die Kondensatorplatte(n) besetzt ist, um von einer elektrostatischen Ladung bzw. Aufladung geschützt zu werden bzw. zu sein.
  • 8 ist eine Seitenansicht, die ähnlich zu 7 ist, die eine Ausführungsform der Erfindung mit einem geerdeten Metallmuster zeigt, das eine horizontale Ebene besetzt, die vertikal unterhalb der horizontalen Ebene angeordnet ist, die durch die Kon densatorplatte(n) besetzt ist, um von einer elektrostatischen Ladung bzw. Aufladung geschützt zu werden bzw. zu sein, wobei dieses Metallmuster eine Vielzahl von Metallfingern einschließt, die sich vertikal aufwärts erstrecken, um im Allgemeinen die Kondensatorplatte(n) zu umgeben, um von einer elektrostatischen Ladung bzw. Aufladung geschützt zu sein.
  • Die 1, 2 und 3 sind auf die zuvor erwähnte EP-A-0 790 479 bezogen. Die 2 und 3 zeigen eine Abtastzelle bzw. Fühlzelle 2 der 1, wobei jede Zelle operiert bzw. arbeitet, um die Distanz "d" zu einem vertikal verbundenen Teil einer Fingerspitze 18 zu messen oder zu bestimmen. Das Array bzw. Feld 3 von 1 schließt eine große Anzahl von individuellen Abtastzellen bzw. Fühlzellen 2 von 2 ein und kann beim Fingerabdruck verwendet werden. Die/das ESD-Schutzvorrichtung/-Schutzverfahren der vorliegenden Erfindung findet innerhalb jeder Zelle 2 des Arrays bzw. Feldes 3 Anwendung.
  • 1, die in der X-Y-Ebene genommen ist, ist eine Draufsicht einer integrierten Schaltungs-(IC)-Vorrichtung 1, die ein im Allgemeinen ebenes Mehrfachpixel, Mehrfachzeilen/-spalten, Sensorarray bzw. Sensorfeld 3, mit einer relativ großen Anzahl von individuellen Fest-Zustand-Kapazitiv-Sensorzellen 2 der 2 einschließt. Die Zellen 2 arbeiten zusammen bzw. in Kombination, um einen elektrischen Ausgang 10 mit einer Zeitabfolge bereitzustellen, der das Mehrfachpixel-Fingerabdruckmuster einer ungeerdeten Fingerspitze 18 umfasst, die auf der dielektrischen oberen Oberfläche bzw. Fläche 125 des Arrays bzw. Feldes 3 platziert bzw. angeordnet ist.
  • Das Array bzw. Feld 3 beinhaltet eine Anzahl N von horizontalen oder sich in X-Richtung erstreckender Zeilen individueller Kapazitätssensorzellen 2, wobei jede Zeile eine Anzahl M individueller Sensorzellen darin aufweist, und das Feld bzw. Array 3 die Anzahl M von vertikalen oder sich in Y-Richtung erstreckender Spalten individueller Kapazitätssensorzellen 2 beinhaltet, wobei jede Spalte die Anzahl N individueller Sensorzellen 2 darin aufweist.
  • Die Anzahlen bzw. Zahlen N und M sind Integerzahlen bzw. Ganzzahlen, die zueinander gleich oder nicht gleich sein können. Die Anzahl von individuellen Bildelemente, Pixeln oder Zellen 2 innerhalb des Arrays bzw. Feldes 3 ist ziemlich groß und gleicht dem Produkt M × N. Ein Beispiel ist 512 × 512 Pixel oder Zellen 2 innerhalb des Arrays bzw. Feldes 3, wobei das Array bzw. Feld 3 eine physikalische Größe von ungefähr 20 mm zu ungefähr 25 mm hat bzw. ist.
  • Jede individuelle Zelle 2 innerhalb des Arrays bzw. Feldes 3 ist durch die Wirkung bzw. den Wert der Zelle, die physikalisch an dem Schnittpunkt einer horizontalen Zeile und einer vertikalen Spalte innerhalb des Arrays bzw. Feldes 3 angeordnet ist, adressierbar. Die Art und Weise, bei der die individuellen Sensorzellen 2 des Arrays bzw. Feldes 3 adressiert und ausgelesen werden, um ein Mehrfachpixel-Fingerabdruckmuster zu digitalisieren, ist in Fachkreisen bzw. dem Fachmann gut bekannt und bildet keine Begrenzung dieser Erfindung.
  • Die IC-Vorrichtung 1 schließt eine horizontale Abtaststufe bzw. Fühlstufe oder ein Netzwerk 6 und eine vertikale Abtaststufe bzw. Fühlstufe oder ein Netzwerk 5 zum sequenziellen Abfragen oder Lesen einer Zelle 2 zu einer Zeit ein, und zwar entsprechend einem vorbestimmten Zellabtastmuster. Vorzugsweise weisen die Stufen 5 und 6 Verschieberegister oder Decoder auf, die arbeiten, um die Ausgänge 17 der Zellen 2 sequenziell abzufragen.
  • Die vorliegende Erfindung befasst sich mit einem geerdeten Metallgitter oder einer Vermaschung oder Vernetzung, einer Konstruktion und Anordnung 40, die elektrisch von den dielektrisch abgedeckten bzw. abgeschirmten oder dielektrisch vergrabenen Kondensatorplatten 23 und 24 der 2, 4 und 5 isoliert ist, aber physikalisch mit diesen verbunden ist.
  • Es ist für diese Erfindung wichtig, dass dieses diese elektrisch geerdete Gitter/Vermaschung bzw. Vernetzung 40 physikalisch und elektrisch von der oberen Oberfläche 150 der dielektrischen Schicht 25, auf der die ungeerdete Fingerspitze 18 platziert wird, isoliert ist. Das die geerdete Metallgitter/Vermaschung bzw. Vernetzung 40 operiert, um die vielen individuellen ungeerdeten elektrischen Knoten, wie z. B. die Knoten 16, 17, von irgendeinem elektrostatischen Potenzial zu schützen, das durch eine Person getragen bzw. befördert wird, dessen Fingerabdruck abzutasten bzw. zu fühlen oder zu detektieren ist, und zwar auf dem Weg bzw. mittels des physikalischen Platzierens eines Fingers oder Fingerspitzenabschnitts 18 auf der oberen Oberfläche bzw. Fläche 125 der dielektrischen Schicht 25 der 2.
  • Die IC-Vorrichtung 1 schließt eine geerdete Versorgungsstufe/Logikstufe oder ein Netzwerk 7 ein, das operiert, um die Komponenten der IC-Vorrichtung 1, einschließlich aller Zellen 2 zu versorgen, und zwar mit den notwendigen Betriebsspannungen und um den Ablauf der Schritte zu steuern, die zum Betrieb der IC-Vorrichtung 1 notwendig sind. Im Besonderen stellt eine geerdete DC-Spannungsquelle 12 eine DC-Bezugsspannung Vr bereit. Ein Puffer 8 ist an die Ausgänge 17 aller Zellen 2 angeschlossen. Der Ausgang 10 des Puffers 8 wird auf die Systemmasse 100 bezogen und umfasst den Ausgang der IC-Vorrichtung 1, wobei die Serien-Signalsequenz am Ausgang 10 durch eine Operation der Abtaststufen 5 und 6 gesteuert werden.
  • 2 zeigt schematisch die Schaltungsdetails einer einzelnen Zelle 2 des Arrays bzw. Feldes 3 der 1, wobei alle Zellen 2 im Allgemeinen identisch in der Konstruktion und in der Anordnung sind. Jede Zelle 2 schließt einen Signal invertierenden Verstärker 13 mit kleiner Leistung mit einem beispielhaften Gewinn von ungefähr 1000 bis ungefähr 2000 ein. Der Anschluss 21 und die Systemerde bzw. Systemmasse 100 umfasst den massebezogenen Eingang zu der Schaltung von 2 und den Anschluss 21 und den Eingangskondensator 20, der an den Eingang 16 des Verstärkers 13 angeschlossen ist. Der Anschluss 17 und die Systemerde bzw. Systemmasse 100 umfasst den massebezogenen Ausgang der Zelle 2 und des Verstärkers 13. Jede Zelle 2 schließt ferner zwei X-Y-planare ungeerdete Armaturen bzw. Anker oder ungeerdete Metallkondensatorplatten 23, 24 ein, die im Allgemeinen gleich groß sind bzw. von gleicher Fläche sind und horizontal oder in X-Richtung voneinander innerhalb der gemeinsamen X-Y-horizontalen Ebene beabstandet sind. Eine dünne dielektrische Schicht 25 oder eine dünne Passivierungsschicht bzw. Neutralisierungsschicht 25 deckt die obere Oberfläche bzw. Fläche der Kondensatorplatten 23, 24 und die obere horizontale Oberfläche bzw. Fläche 125 der Schicht 25 ab, stellt eine aktive Arrayfläche bzw. Feldfläche für den physikalischen Kontakt mit der ungeerdeten Hautfläche 18 einer Fingerspitze einer Person bereit, deren Fingerabdruckmuster abzutasten bzw. zu fühlen oder zu bestimmen ist. Die dielektrische Schicht 25 kann die ganze Fläche bzw. das ganze Gesicht des oberen Abschnitts der IC-Vorrichtung 1 abdecken, die das Array bzw. Feld 3 und seine individuellen Zellen 2 beinhaltet.
  • Beim Anwenden wird eine ungeerdete Fingerspitze 18 einer Person auf die obere Fläche 125 der dielektrischen Schicht 25 des Arrays bzw. Felds 3 platziert. Die Fingerspitzenhautfläche 18 bildet dadurch eine ungeerdete Armatur bzw. einen ungeerdeten Anker oder eine ungeerdete Elektrode (siehe ferner 133 von 3), die vertikal übereinander liegen und der oberen X-Y-planaren Fläche der ungeerdeten Kondensatorplatten 23, 24 gegenüber liegen. Wie in 3 gezeigt ist, arbeitet eine ungeerdete Hautfläche 18, um mit den Platten 23, 24 einen ersten Kondensator 34 und einen zweiten Kondensator 33 zu definieren, wobei die reihenverbundenen zusammengesetzten Kondensatoren 33, 34 in einer negativen Rückkopplungsart und Weise vom ungeerdeten Verstärkerausgang 17 zum ungeerdeten Verstärkereingang 16 verbunden ist.
  • Jede Zelle 2 schließt ferner eine normale Öffnungsrückstellung, eine Steuerung oder einen Startschalter 19 ein, und zwar vorzugsweise in der Form eines MOS-Schalters. Der Schalter 19 arbeitet selektiv und momentan bzw. augenblicklich, um den ungeerdeten Verstärkereingang 16 zum ungeerdeten Verstärkerausgang 17 kurz zu schließen. Der Schalter 19 wird durch ein Steuersignal "R" gesteuert, das durch die Versor gungs- und Logikeinheit 7 der 1 bereitgestellt wird. Beim Start einer Fingerabdruckerfassungsoperation werden die Schalter 19 aller Arrayzellen bzw. Feldzellen 2 momentan bzw. augenblicklich geschlossen und das Eingangs-/Ausgangsspannungsniveau bei allen Zelleneingängen 21 wird somit bei einer konstanten Größe gehalten bzw. beibehalten. Auf diesem Weg wird die Eingangsspannung 21 aller Zellen 2 auf dasselbe Potenzial gebracht wie die Ausgangsspannung 17 der Zelle.
  • Kurz danach arbeitet die Versorgungs- und Logikeinheit 7, um alle Rückstellungsschalter 19 zu öffnen und um alle ungeerdeten Zelleingänge 21 mit einer Schrittspannung bzw. Stufenspannung zu versorgen, die in der Größe gleich ist zu der Referenzspannung bzw. Bezugsspannung Vr, und zwar relativ zu bzw. gegenüber der Systemmasse bzw. Systemerde 100. Eine elektrische Ladung wird nun zu jedem der Zelleingangskondensatoren 20 induziert, wobei somit das Lesen der lokalen und individuellen Z-Richtungszellendistanzen "d" erlaubt wird, die zwischen den ungeerdeten Kondensatorplatten 23, 24 einer Zelle und jener Zelle existieren, die darüber liegen und die der ungeerdeten Hautoberfläche 18.
  • Die Abtaststufen 5, 6 von 1 arbeiten nun, um sequenziell das Lesen oder Abfragen der vielen Zellen 2 innerhalb des Arrays bzw. Feldes 3 zu ermöglichen. Auf diesem Weg arbeitet der Puffer 8, um sequenziell einen seriellen Signalausgang 10 bereitzustellen, und zwar in der Form einer Sequenz von Spannungsgraustufen bzw. Spannungsgrauniveaus, die ein dreidimensionales Auslesen und Anzeigen der Hautoberfläche 18 der Fingerspitze bereitstellt, die augenblicklich bzw. gegenwärtig auf der oberen dielektrischen Fläche 125 des Arrays bzw. Feldes 3 angesiedelt ist.
  • 3 ist eine äquivalente Schaltung der Einzelzellenschaltung, die in 2 gezeigt ist. Die Eingangskapazität des Verstärkers 13 wird bei 30 gezeigt, die Ausgangskapazität des Verstärkers 13 wird bei 31 gezeigt, das Systemmassepotenzial bzw. Systemerdepotenzial ist bei 100 gezeigt, und die zwei oben erwähnten Reihen bzw. Serien, die an die hautempfindlichen Kondensatoren angeschlossen sind, sind bei 133, 33, 34 gezeigt.
  • Bei diesem Typ des kapazitätsabtastenden Arrays bzw. Feldes 3, wobei die Verstärkerkonfiguration jeder Zelle (siehe 2) die ungeerdete Ausgang-17-zu-Eingang-16-Rückkopplungsschaltung einschließt, die die Elemente 23, 25, 18, 25, 24 einschließt, kann ein hohes elektrostatisches Potenzial, das manchmal durch den menschlichen Körper getragen bzw. befördert wird, eine Fingerspitze 18 dazu veranlassen, unerwünschte und potenzielle schaltungsdestruktive Spannungen zu produzieren, die bei bzw. in den Verstärkerschaltungsmoden, wie z. B. 16 und 17, induziert werden.
  • Mit Bezug auf die Seitenansicht von 4 und die Draufsicht von 5 stellt die vorliegende Erfindung ein geerdetes Metallgitter oder eine vermaschte Konstruktion bzw. Maschenkonstruktion und eine Anordnung 40 bereit, die von allen Kondensatorplatten 23 und 24 elektrisch isoliert sind, aber physikalisch mit diesen verbunden sind, die innerhalb der dielektrischen Schicht 25 vergraben sind oder darunter angeordnet sind. Während es bevorzugt ist, dass beide Kondensatorplatten 23, 24 und das Gitter/die Vermaschung bzw. Vernetzung 40 innerhalb des Körpers der dielektrischen Schicht 25 vergraben ist, wie es in den 4 und 5 gezeigt ist, können innerhalb des Geistes und des Umfangs dieser Erfindung eine oder beide der zwei Komponenten Kondensatorplatten 23, 24 und das Gitter/die Vermaschung bzw. Vernetzung 40 getragen bzw. befördert werden, und zwar durch die Bodenfläche bzw. unterste Fläche 225 der dielektrischen Schicht 25, wie es in 2 gezeigt ist. Zusätzlich können innerhalb des Geistes und des Umfangs dieser Erfindung die zwei Komponenten Kondensatorplatten 23, 24 und das Gitter/die Vermaschung bzw. die Vernetzung 40 in einer gemeinsamen horizontalen oder X-Y-Ebene angeordnet sein oder sie können in unterschiedlichen horizontalen Ebenen angeordnet sein. Wenn sie in unterschiedlichen horizontalen Ebenen angeordnet sind, ist es bevorzugt, aber nicht wesentlich, dass die Ebene des Gitters/der Vermaschung bzw. Vernetzung 40 näher an der dielektrischen Fläche 125 angeordnet ist als die Kondensatorplatten 23, 24, wie es durch die gepunktete Line 325 der 4 gezeigt ist.
  • Es ist für diese Erfindung wichtig, dass sowohl die Kondensatorplatten 23, 24 als auch das/die elektrisch geerdete Gitter/Vermaschung bzw. Vernetzung 40 vertikal unter der oberen Oberfläche bzw. Fläche 125 der dielektrischen Schicht physikalisch angeordnet wird. Auf diesem Weg wird das Gitter/die Vermaschung bzw. Vernetzung 40 von der oberen Fläche 125 der dielektrischen Schicht 25 physikalisch und elektrisch isoliert, und zwar nachdem die ungeerdete Fingerspitze 18 während der Erfassung des Fingerabdruckmusters platziert wird.
  • In der 4 ist das geerdete Gitter/die Vermaschung bzw. Vernetzung 40 das/die mit nur einer Zelle der 2 verbunden ist, gezeigt. In einer ähnlichen Art und Weise ist jedoch das geerdete Metallgitter/die Vermaschung bzw. Vernetzung 40 mit jeder der Zellen 2 der 1 verbunden, wie es besser durch die Draufsicht der 5 gezeigt ist. Das Gitter/die Vermaschung bzw. Vernetzung 40 operiert, um alle ungeerdeten Verstärkerknoten aller Abtastzellen bzw. Fühlzellen 2 von irgendeinem elektrostatischen Potenzial zu schützen, das durch eine Person getragen bzw. befördert werden kann, dessen Fingerabdruck abzutasten bzw. zu fühlen oder zu detektieren ist, und zwar auf dem Weg bzw. mittels des physikalischen Platzierens des Fingerspitzenabschnitts 18 auf oder nahe angrenzend an die obere Fläche 125 der dielektrischen Schicht 25.
  • Wie in 5 gezeigt ist, ist jede Kondensatorplatte durch eine dielektrisch definierte Lückenfläche bzw. durch einen dielektrisch definierten Lückenbereich 41 umgeben, der einen Abschnitt der dielektrischen Schicht 25 aufweist. Beispielsweise ist die Breite 41 der Lückenfläche bzw. des Lückenbereichs gewöhnlich gleich zu einigen paar Mikroinches.
  • 6 ist eine Seitenansicht, die ähnlich zu 4 ist, die eine Ausführungsform der Erfindung mit einem geerdeten Metallmuster 600 zeigt, das eine im Allgemeinen horizontale Ebene 601 besitzt, die vertikal unterhalb der horizontalen Ebene 602 angeordnet ist, die durch eine oder mehrere Kondensatorplatten 23 besetzt ist, die von einer elektrostatischen Ladung bzw. Aufladung zu schützen sind, die durch einen Finger getragen bzw. befördert werden kann, der auf einer horizontalen dielektrischen Oberfläche bzw. Fläche 125 sesshaft bzw. angesiedelt ist.
  • 7 ist eine Seitenansicht, die ähnlich zu 6 ist, die eine Ausführungsform der Erfindung mit einem geerdeten Metallmuster 603 zeigt, das eine im Allgemeinen horizontale Ebene 604 besetzt, die vertikal oberhalb der horizontalen Ebene 602 angeordnet ist, die durch eine oder mehrere Kondensatorplatten 23 besetzt ist, um von der elektrostatischen Ladung bzw. Aufladung geschützt zu werden, die durch einen Finger getragen bzw. befördert werden kann, der auf einer horizontalen dielektrischen Fläche 125 sesshaft bzw. angesiedelt ist.
  • 8 ist eine Seitenansicht, die ähnliche zu 7 ist, die eine Ausführungsform der Erfindung mit einem geerdeten Metallmuster 610 zeigt, das eine horizontale Ebene 611 besetzt, die vertikal unterhalb der horizontalen Ebene 602 angeordnet ist, die durch ein oder mehrere Kondensatorplatten 23 besetzt ist, die von der elektrostatischen Aufladung zu schützen sind, die durch einen Finger getragen bzw. befördert werden kann, der auf einer horizontalen dielektrischen Fläche 125 platziert wird. Bei dieser Ausführungsform schließt das Metallmuster 610 eine Vielzahl von Metallfingern 620 ein, die sich vertikal aufwärts erstrecken, um im Allgemeinen eine Kondensatorplatte 23 zu umgeben, die von der elektrostatischen Ladung zu schützen ist, die durch einen Finger getragen bzw. befördert werden kann, der auf einer horizontalen dielektrischen Fläche 125 platziert wird. In 8 ist es gezeigt, dass die oberen Enden der Finger 620 in einer Ebene 621 abschließen, die im Allgemeinen mit der oberen Fläche bzw. Oberfläche der Kondensatorplatte(n) 23 zusammenfällt, so viel es in der 4 gezeigt ist. Es sollte jedoch bemerkt werden, dass die oberen Enden der Finger 620 unterhalb der Kondensatorplatte(n) 23 angeordnet werden können, wie in 6, oder die oberen Enden der Finger 629 können über der (den) Kondensatorplatte(n) 23, wie in 7, angeordnet sein.
  • 8 ist ferner für den allgemeinen Umfang dieser Erfindung von Interesse, bei der diese Ausführungsform zeigt, dass innerhalb des Umfangs dieser Erfindung eine Kondensatorplatte, die Metallmuster beschützt, das Bereitstellen einer kontinuierlichen Einkreisung der Kondensatorplatte nicht braucht, die von den Finger tragenden bzw. Finger befördernden elektrostatischen Spannungen zu schützen ist.
  • Diese Erfindung wurde im Detail beschrieben, während Bezug auf die bevorzugten Ausführungsformen davon gemacht wurde. Da man jedoch schätzt, dass der Fachmann nach dem Lernen dieser Erfindung leicht noch andere Ausführungsformen dieser Erfindung visualisieren wird, ist es nicht gedacht, dass diese oben detaillierte Beschreibung als eine Begrenzung des Umfangs dieser Erfindung, wie sie durch die angehängten bzw. anhängigen Ansprüche definiert ist, genommen wird.

Claims (16)

  1. Verfahren zum Bereitstellen eines elektrostatischen Entlade-Kapazitiv-Fingerabdruckmuster-Detektionsfeldes, das die Schritte umfaßt, wonach: ein Fingerabdruckmuster-Detektionsfeld (3) bereitgestellt wird, das eine Anzahl von individuellen Hautabstand-Fühlzellen (2) hat, die in einer eng beabstandeten physikalischen Konfiguration angeordnet sind; eine dielektrische Schicht (25) für das Feld (3) wird bereitgestellt, wobei die dielektrische Schicht (25) eine obere Oberfläche (125) und eine untere Oberfläche (225) hat; eine ungeerdete Fingerspitze (18) wird plaziert, die das Fingerabdruckmuster auf der oberen Oberfläche hat; jede Fühlzelle wird mit einem Verstärker (13) bereitgestellt, der einen ungeerdeten Eingangsknoten und einen ungeerdeten Ausgangsknoten hat; eine ungeerdete Ausgangs-Knoten-Zu-Eingangs-Knoten-Rückkopplung für jeden der Verstärker (13) wird bereitgestellt, wobei die Rückkopplung für die Fingerabdruckmuster sensitiv ist; die Rückkopplung wird für einen jeden der Verstärker mittels (1) einer ersten Kondensatorplatte (23), die innerhalb der dielektrischen Schicht vertikal unter der oberen Oberfläche der dielektrischen Schicht angeordnet ist und mit dem ungeerdeten Eingangsknoten verbunden ist, (2) einer zweiten Kondensatorplatte (24), die innerhalb der dielektrischen Schicht (25) vertikal unter der oberen Oberfläche (125) der dielektrischen Schicht in enger horizontaler räumlicher Beziehung zu der ersten Kondensatorplatte (23) plaziert ist und mit dem ungeerdeten Ausgangsknoten verbunden ist, und (3) der ungeerdeten Fingerspitze (18) in vertikaler räumlicher Beziehung zu der ersten (23) und zweiten (24) Kondensatorplatte bereitgestellt; dadurch gekennzeichnet, dass ein Metallpfad (40) innerhalb der dielektrischen Schicht (25) vertikal unter der oberen Oberfläche (125) der dielektrischen Schicht bereitge stellt wird, um räumlich die erste (23) und zweite (24) Kondensatorplatte zu umgeben aber nicht physisch bzw. physikalisch in Eingriff zu nehmen; und der zweite Metallpfad (40) mit der Erde (100) verbunden wird, um dadurch die Eingangs- und Ausgangsknoten von einem elektrostatischen Potential zu schützen, das durch die Fingerspitze (18) getragen werden kann, und zwar in einer Art und Weise, die nicht den ungeerdeten Zustand der Fingerspitze stört.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, das den Schritt umfaßt, wonach: der Verstärker (13) für jede Fühlzelle (2) als signalinvertierender Verstärker bereitgestellt wird; und die ungeerdete Ausgangs-Modus-Zu-Eingangs-Knoten-Rückkopplung für einen jeden der Verstärker (13) als negative Signalrückkopplung bereitgestellt wird.
  3. Verfahren nach Anspruch 1, das den Schritt enthält, wonach: vor dem Schritt des Platzierens der ungeerdeten Fingerspitze (18) auf der oberen Oberfläche (125) momentan der Eingangs- und Ausgangsknoten eines jeden Verstärkers (13) einer jeden Fühlzelle (2) kurz geschlossen wird.
  4. Verfahren nach Anspruch 3, das den Schritt enthält, wonach: der Verstärker (13) für jede Fühlzelle (2) als signalinvertierender Verstärker bereitgestellt wird; und die ungeerdete Ausgangs-Modus-Zu-Eingangs-Knoten-Rückkopplung für einen jeden der Verstärker (13) als negative Rückkopplung bereitgestellt wird.
  5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1, 2 oder 4, das den Schritt umfaßt, wonach: die erste (23) und zweite (24) Kondensatorplatte und der Metallpfad (40) auf einer gemeinsamen physikalischen bzw. körperlichen Ebene plaziert wird.
  6. Verfahren nach Anspruch 1 oder 5, das den Schritt umfaßt, wonach: die erste Kondensatorplatte (23), die zweite Kondensatorplatte (24) und die Metallpfade (40) innerhalb der dielektrischen Schicht (25) zwischen der oberen Oberfläche (125) und der unteren Oberfläche (225) der dielektrischen Schicht (25) an einer Stelle begraben werden, die von der oberen Oberfläche (125) der dielektrischen Schicht (25) beabstandet ist.
  7. Abstandsmessapparat zum Bereitstellen eines Ausgangssignals, das dass Grat/Tal-Fingerabdruckmuster einer Fingerspitze (18) anzeigt, wobei der Apparat folgendes umfaßt: ein physikalisches Feld (3) mit einer Vielzahl individueller Abstandsfühl-Kondensatorzellen (2); wobei jede Kondensatorzelle (2) eine erste (23) und eine zweite (24) elektrisch ungeerdete Kondensatorplatte enthält, die elektrisch voneinander isoliert sind und unterhalb einer ungeerdeten dielektrischen Oberfläche (125) plaziert sind, die für eine physische bzw. physikalische Assoziation mit einem Abschnitt einer elektrisch ungeerdeten Fingerspitze (18) angepaßt ist; wobei jede Kondensatorzelle einen Verstärker (13) enthält, der einen elektrisch ungeerdeten Eingangsknoten hat, der mit der ersten Kondensatorplatte (23) verbunden ist, und der einen elektrisch ungeerdeten Ausgangsknoten hat, der mit der zweiten Kondensatorplatte (24) verbunden ist; wobei die erste (23) und die zweite (24) Kondensatorplatte angepaßt ist, einen Rückkopplungskondensator mit einer ungeerdeten Fingerspitze (18) auszubilden, die sich gegenwärtig auf der dielektrischen Oberfläche (125) befindet, wobei der Rückkopplungskondensator eine Verstärkerrückkopplung als eine Funktion eines Abstands zwischen einem Abschnitt des ungeerdeten FingerspitzenGrat/Talmusters und der dielektrischen Oberfläche bereitstellt; und dadurch gekennzeichnet, dass elektrisch geerdete Metallpfadmittel (40) unterhalb der ungeerdeten dielektrischen Oberfläche (125) plaziert sind, und zwar in einer Art und Weise, so das sie elektrisch von einer jeden Kondensatorplatte (23, 24) einer jeden der Kondensatorzellen isoliert sind, und in einer Art und Weise, eine jede der Kondensatorplatten (23, 24) einer jeden der Kondensatorzellen physisch bzw. physikalisch zu umgeben.
  8. Apparat nach Anspruch 7, bei welchem: die Metallpfadmittel (40) und die Kondensatorplatten (23, 24) innerhalb einer dielektrischen Schicht (25) eingebettet sind, dessen obere Oberfläche (125), die im allgemeinen planar sein kann, die dielektrische Oberfläche umfaßt.
  9. Apparat nach Anspruch 7, bei welchem: der Verstärker ein signalinvertierender Verstärker ist; und die Verstärkerrückkopplung ein Negativ-Signal-Rückkopplung ist.
  10. Apparat nach einem der Ansprüche 7 bis 9, bei welchem: die Kondensatorplatten (23, 24) und die Metallpfadmittel (40) in einer gemeinsamen Ebene plaziert sind, die im allgemeinen parallel zu der dielektrischen Oberfläche ist.
  11. Apparat nach einem der Ansprüche 7 bis 9, bei welchem: das Metallpfadmittel (40) in einer ersten Ebene plaziert ist, die zwischen einer zweiten Ebene, die durch die Kondensatorplatten (23, 24) eingenommen wird, und einer dritten Ebene, die durch die dielektrische Oberfläche eingenommen wird, ist.
  12. Apparat nach Anspruch 7, der enthält: ein Abtastmittel, um ein sequentielles Ausgangssignal von einem jeden Ausgangsknoten eines jeden Verstärkers (13) einer jeden Kodensatorzelle bereitzustellen, wobei das sequentielle Ausgangssignal auf das Grat/Tal-Fingerabdruckmuster der Fingerspitze (18) hinweist bzw. dieses anzeigt, die gegenwärtig sich auf der dielektrischen Oberfläche befindet.
  13. Apparat nach Anspruch 12, der enthält: ein Startschaltermittel (19), das betreibbar ist, um momentan den Eingangsknoten mit dem Ausgangsknoten eines jeden der Verstärker (13) kurz zu schließen, und zwar vor dem Betrieb des Abtastmittels.
  14. Verfahren nach Anspruch 1, das den Schritt enthält: ein Abtastmittel wird bereitgestellt, das betreibbar ist, um ein sequentielles Ausgangssignal von einem jeden Ausgangsknoten eines jeden Verstärkers einer jeden Kondensatorzelle bereitzustellen, wobei das sequentielle Ausgangssignal das Grat/Tal-Fingerabdruckmuster einer Fingerspitze (18) anzeigt, die sich gegenwärtig auf der dielektrischen Oberfläche (125) befindet.
  15. Verfahren nach Anspruch 14, das den Schritt enthält, wonach: ein Startschaltermittel (19) bereitgestellt wird, um den Eingangsknoten mit dem Ausgangsknoten eines jeden Verstärkers (13) momentan kurz zu schließen, und zwar vor dem Betreiben des Abtastmittels.
  16. Apparat nach Anspruch 8, bei welchem: die Kondensatorplatten (23, 24) in einer ersten Ebene plaziert sind, die sich in einem ersten Abstand von der dielektrischen Oberfläche (125) befindet; das Metallpfadmittel (40) in einer zweiten Ebene plaziert ist, die sich bei einem Abstand befindet, der größer als der erste Abstand von der dielektrischen Oberfläche ist; das Metallpfadmittel (40) eine Vielzahl von Metallfingern enthält, die sich von der zweiten Ebene aus erstrecken und in oder im allgemeinen benachbart zu der ersten Ebene enden.
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