DE69810015T2

DE69810015T2 - Technik zur Reduzierung der Anzahl der Schmelzsicherungen bei einer DRAM mit Redundanz

Info

Publication number: DE69810015T2
Application number: DE69810015T
Authority: DE
Inventors: Christian A. Berger
Original assignee: Infineon Technologies AG
Current assignee: Qimonda AG
Priority date: 1997-06-20
Filing date: 1998-05-28
Publication date: 2003-07-10
Anticipated expiration: 2018-05-29
Also published as: KR100562209B1; DE69810015D1; KR19990007005A; TW399208B

Description

ALLGEMEINER STAND DER TECHNIK

Die vorliegende Erfindung betrifft Entwurf und Herstellung von Halbleitervorrichtungen. Die vorliegende Erfindung betrifft insbesondere verbesserte Techniken zur Erhöhung der Schaltungsdichte in einer Speicherschaltung.
In einer Speicherschaltung, z. B. einem dynamischen Direktzugriffsspeicher oder einer feldprogrammierbaren Logikvorrichtung sind die Speicherelemente zu Adressierzwecken typischerweise in Zeilen und Spalten angeordnet. Ein typischer dynamischer Direktzugriffsspeicher (DRAM) Chip kann beispielsweise bis zu 64 Millionen Zellen aufweisen, die in Zeilen und Spalten angeordnet sind, um durch Wortzeilen und Bitzeilen adressiert zu werden. Dynamische Direktzugriffsspeicherschaltungen und Entwürfe hierfür sind im Rahmen des Standes der Technik bekannt und werden hier um der Kürze willen nicht im einzelnen erläutert.
Während der Herstellung eines typischen DRAM-Chips können sich eine oder mehrere Millionen Zellen in dem Hauptarray als defekt herausstellen. Statt den ganzen Chip wegzuwerfen, haben Entwurfsfachleute in der Vergangenheit redundante Zellen vorgesehen, die an Stelle der defekten Zellen treten können, wobei die defekten Zellen umgangen werden und es ermöglicht wird, dass die Speicherschaltung so verwendet wird, als gäbe es keine Defekte.
Falls eine Zelle in dem Hauptspeicherarray sich während der Herstellung als defekt herausstellt, wird üblicherweise die ganze Zeile oder Spalte, die die Zelle enthält, durch eine redundante Zeile oder Spalte ersetzt. Um einer bequemen Bezeichnung willen wird hier die ganze Zeile oder Spalte von Zellen als ein Element bezeichnet. Um eines einfachen Verständnisses willen erfolgt die Erläuterung hier hinsichtlich Zeilen und deren Ersetzung, obwohl nicht vergessen werden sollte, dass die hier erläuterten Sachverhalte gleichermaßen für Spalten und ihre Ersetzung gelten.
Wenn ein redundantes Element dazu verwendet wird, ein defektes Element im Hauptarray zu ersetzen, beinhaltet die Ersetzungstechnik des Standes der Technik das Setzen einer Freigabeschmelzsicherung der redundanten Schaltung während der Herstellung, um anzuzeigen, dass das redundante Element anstelle von einem der Hauptarrayelemente zu verwenden ist. Die Adresse des defekten Hauptarrayelements, das durch diese redundante Element ersetzt wird, wird ebenso während der Herstellung durch das Setzen von Adressschmelzsicherungen jener redundanten Schaltung angegeben. Während der Laufzeit werden die Werte der Freigabeschmelzsicherung und der Adressschmelzsicherungen in einen Freigabespeicher beziehungsweise in Adressspeicher geladen. Falls der Freigabespeicher den Wert enthält, der anzeigt, dass das redundante Element verwendet werden sollte, wird jenes redundante Element an Stelle des defekten Hauptarrayelements verwendet, dessen Adresse durch die Adressspeicher angegeben wird.
Zur weiteren Erläuterung veranschaulicht Fig. 1 eine extrem vereinfachte DRAM-Zelle 100 mit einem Hauptarray 102. Das Hauptarray 102 ist mit nur 4 Zeilen oder Elementen (0-3) gezeigt, um die Erläuterung zu erleichtern, obschon ein Hauptarray in Wirklichkeit typischerweise viel mehr Elemente aufweist. Es ist auch eine redundante Zeile oder Element 104 gezeigt, das dazu verwendet werden kann, irgendeines der Elemente 0- 3 zu ersetzen.
Um irgendeines der Elemente 0-3 zu ersetzen, ist das redundante Element 104 mit zwei Adressbits A1 und A0 verknüpft. Die Werte der Adressbits geben für eine Dekodierlogikschaltung an, welches Hauptarrayelement jenes redundante Element 104 ersetzt. Fig. 2 veranschaulicht die redundante Schaltung, die im Stand der Technik eingesetzt wird, um die Ersetzungsadresse für das redundante Element 104 anzugeben. Wie in Fig. 2 gezeigt ist, umfasst die redundante Schaltung 210 ein redundantes Element 104, das mit einer Dekodierlogik 202 gekoppelt ist. Die Dekodierlogik 202 ist dafür verantwortlich, auf Grundlage der während der Herstellung gesetzten Freigabeschmelzsicherung und Adressschmelzsicherungen festzustellen, ob das redundante Element 104 verwendet werden sollte, um ein defektes Hauptarrayelement zu ersetzen, und falls das der Fall ist, welches defekte Hauptarrayelement.
In Fig. 2 ist die Freigabeschmelzsicherung als Freigabeschmelzsicherung EF gezeigt und die zwei Adressschmelzsicherungen für das Beispiel der Fig. 1 sind als Adressschmelzsicherungen AF1 und AF0 gezeigt. Um der Erläuterung willen sei angenommen, dass sich das Hauptarrayelement #2 während der Qualitätskontrolle der DRAM-Zelle 100 als defekt herausstellte. In diesem Fall wäre die Freigabeschmelzsicherung EF gesetzt, um anzuzeigen, dass das redundante Arrayelement 104 an dessen Stelle treten sollte. Die Adressschmelzsicherung AF1 wäre gesetzt, während die Adressschmelzsicherung AF0 nicht gesetzt wäre, um das Bitmuster "10" zu bilden, um anzugeben, dass das redundante Element 104 verwendet würde, um das Hauptarrayelement 2 zu ersetzen.
Während des Einschaltens, d. h. während der Laufzeit der DRAM-Zelle, wird der Wert in der Freigabeschmelzsicherung EF in den Freigabespeicher EL von Fig. 2 geladen. In diesem Fall würde der Wert "1" in den Freigabespeicher EL geladen. Auch die Werte in den Adressschmelzsicherungen AF1 und AF0 werden in die Adressspeicher AL1 beziehungsweise A10 geladen, wodurch bewirkt wird, dass der Adressspeicher AL1 den Wert "1" und der Adressspeicher AL0 den Wert "0" speichert. Es werden Speicher eingesetzt, da sie während der Laufzeit schneller gelesen werden können als Schmelzsicherungen, wodurch die Arbeitsgeschwindigkeit der DRAM-Zelle optimiert wird. Durch Prüfen des Freigabespeichers EL kann die Dekodierlogik 202 feststellen, dass das redundante Element 104 dazu verwendet werden sollte, ein defektes Arrayelement zu ersetzen. Durch Prüfen der Adressschmelzsicherungen AL1 und AL0 kann die Dekodierlogik 202 feststellen, dass das redundante Element 104 dazu verwendet werden soll, das defekte Arrayelement #2 zu ersetzen.
Obwohl die in Verbindung mit Fig. 2 beschriebene bisherige Stand der Technik ausreichend genug arbeitet, um defekte Hauptarrayelemente zu ersetzen, sind Nachteile vorhanden. Wenn beispielsweise die DRAM- Zellen an Kapazität zunehmen, besteht die Notwendigkeit, eine größere Zahl von Hauptarrayspeicherelementen und/oder redundanten Elementen in einen Chip gegebener Größe einzusetzen. Beim Stand der Technik erfordert jedes redundante Element die Bereitstellung einer Freigabeschmelzsicherung zu seiner redundanten Schaltung, um anzugeben, ob das redundante Element während der Laufzeit verwendet werden sollte, wie oben erläutert wurde. Falls eine große Zahl redundanter Elemente auf einem DRAM-Chip vorgesehen ist (um potentiell eine große Zahl defekter Hauptarrayelemente zu ersetzen) belegt die große Zahl von Freigabeschmelzsicherungen eine nicht unerhebliche Fläche auf dem DRAM-Chip, wodurch die Zahl der Hauptarrayelemente und/oder redundanter Elemente begrenzt wird, die je Chip vorgesehen werden können.
Zusätzlich erfordert der Stand der Technik, dass jedes redundante Element in Verbindung mit der Freigabeschmelzsicherung einen Freigabespeicher einsetzt. Falls eine große Zahl redundanter Elemente auf einem DRAM-Chip vorgesehen ist, belegt die große Zahl von Freigabespeichern ebenso wiederum eine nicht unerhebliche Fläche auf dem DRAM-Chip, wodurch die Zahl der Hauptarrayelemente und/oder redundanter Elemente begrenzt wird, die je Chip vorgesehen werden können.
Im Hinblick auf das Vorstehende besteht Bedarf für verbesserte Entwürfe einer redundanten Schaltung, die vorteilhafterweise die Fläche reduzieren, die für ihre Implementierung erforderlich ist, wodurch es ermöglicht wird, eine größere Zahl von Hauptarrayelementen und/oder redundanten Elementen auf einem gegebenen Chip zu platzieren.

KURZE DARSTELLUNG DER ERFINDUNG

Die Erfindung betrifft das Ersetzen defekter Elemente eines Speicherarrays. Die Erfindung umfasst das Ausbilden einer ersten redundanten Schaltung, das seinerseits das Ausbilden einer ersten Vielzahl von Adressschmelzsicherungen beinhaltet. Die erste Vielzahl von Adressschmelzsicherungen ist dafür ausgelegt, wenn sie gesetzt ist, eine Adresse eines der defekten Elemente anzugeben. Die Erfindung beinhaltet außerdem das Ausbilden einer ersten Vielzahl von Adressspeichern, wobei jeweils einer aus der ersten Vielzahl von Adressspeichern mit jeweils einer aus der ersten Vielzahl von Adressschmelzsicherungen gekoppelt ist.
Ferner ist das Ausbilden eines ersten redundanten Elements beinhaltet. Zusätzlich beinhaltet das Verfahren das Ausbilden einer ersten Dekodierlogikschaltung. Die erste Dekodierlogikschaltung ist mit der ersten Vielzahl von Adressspeichern und dem redundanten Element gekoppelt. Die erste Dekodierlogikschaltung ist dafür ausgelegt, während des Betriebs des Speicherarrays zu ermitteln, ob ein in der ersten Vielzahl von Adressschmelzsicherungen gespeichertes Bitmuster sich von einem ersten vorbestimmten Wert unterscheidet, und das erste redundante Element in einen Ersetzungsmodus zu versetzen, falls das Bitmuster sich von dem vorbestimmten Wert unterscheidet. Der Ersetzungsmodus gibt das erste redundante Element dafür frei, anstelle des einen der defekten Elemente während des Betriebs verwendet zu werden.
Die Erfindung betrifft eine redundante Schaltung mit einem redundanten Element. Das redundante Element ist dafür ausgelegt, ein defektes Speicherarrayelement zu ersetzen. Die redundante Schaltung beinhaltet eine erste Vielzahl von Adressschmelzsicherungen, die dafür ausgelegt ist, wenn sie gesetzt ist, eine Adresse des defekten Speicherarrayelements anzugeben. Die redundante Schaltung beinhaltet außerdem eine erste Vielzahl von Adressspeichern, wobei jeweils einer aus der ersten Vielzahl von Adressspeichern mit jeweils einer aus der ersten Vielzahl von Adressschmelzsicherungen gekoppelt ist. Es ist auch eine erste Dekodierlogikschaltung enthalten, die mit der ersten Vielzahl von Adressspeichern und dem redundanten Element gekoppelt ist. Die erste Dekodierlogikschaltung ist dafür ausgelegt, zu ermitteln, ob das erste redundante Element in einem inaktiven Modus oder einem Ersetzungsmodus ist. Durch die erste Dekodierlogikschaltung wird ermittelt, dass das redundante Element in dem inaktiven Modus ist, wenn die erste Vielzahl von Adressschmelzsicherungen einen Wert speichert, der gleich einem vorbestimmten Wert ist. Durch die erste Dekodierlogikschaltung wird ermittelt, dass das redundante Element in dem Ersetzungsmodus ist, wenn der in der ersten Vielzahl von Adressschmelzsicherungen gespeicherte Wert sich von dem vorbestimmten Wert unterscheidet, wobei die erste Dekodierlogikschaltung dies ohne die Verwendung einer Freigabeschmelzsicherung ermittelt.
Diese Aufgaben werden auf vorteilhafte Weise im Grunde durch Anwendung der in den unabhängigen Ansprüchen 1, 8, 11 und 17 dargelegten Merkmale erreicht. Weitere Verbesserungen sind in den abhängigen Ansprüchen definiert. Die Ansprüche 1, 11 und 17 richten sich auf eine erste Ausführungsform, während Anspruch 8 sich auf eine zweite Ausführungsform richtet.
Diese und andere Merkmale der vorliegenden Erfindung werden im folgenden in der eingehenden Beschreibung und in Verbindung mit den folgenden Figuren näher erläutert.

KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN

Die vorliegende Erfindung wird anhand eines keine Einschränkung darstellenden Beispiels in den Figuren der beigefügten Zeichnungen erläutert, in denen gleiche Bezugszeichen ähnliche Elemente bezeichnen:
Fig. 1 veranschaulicht eine zur Erleichterung der Erläuterung extrem vereinfachte DRAM-Zelle mit einem Hauptarray.
Fig. 2 veranschaulicht die redundante Schaltung, die im Stand der Technik eingesetzt wird, um die Ersetzungsadresse für ein redundantes Element anzugeben.
Fig. 3 veranschaulicht, gemäß einer ersten Ausführungsform der Erfindung, eine verbesserte redundante Schaltung, bei der die Freigabeschmelzsicherung nicht länger erforderlich ist.
Fig. 4 veranschaulicht, gemäß der ersten Ausführungsform der Erfindung, die Schritte, die von der Dekodierlogik ausgeführt werden, um das redundante Element von Fig. 3 in den Ersetzungsmodus zu setzen.
Fig. 5 veranschaulicht eine zweite Ausführungsform der Erfindung, bei der sowohl die Freigabeschmelzsicherung EF als auch der Freigabespeicher EL vorteilhafterweise eliminiert sind.
Fig. 6 veranschaulicht, gemäß der zweiten Ausführungsform der Erfindung, die Schritte, die von der Dekodierlogik ausgeführt werden, um das redundante Element von Fig. 5 in den Ersetzungsmodus zu setzen.

AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG DER ERFINDUNG

Die vorliegende Erfindung wird nun ausführlich unter Bezug auf veranschaulichende Ausführungsformen beschrieben, die in den beigefügten Zeichnungen dargestellt sind. In der folgenden Beschreibung sind zahlreiche spezielle Einzelheiten dargelegt, um für ein gründliches Verständnis der vorliegenden Erfindung zu sorgen. Für einen Fachmann versteht es sich jedoch, dass die vorliegende Erfindung ohne einige oder ohne alle diese Einzelheiten ausgeführt werden kann. In anderen Fällen wurden bekannte Verfahrensschritte und/oder Strukturen nicht im Einzelnen beschrieben, um die vorliegende Erfindung nicht unnötig zu verdecken.
Zum Zweck der Erläuterung wird die Erfindung im Kontext einer Speicherschaltung wie beispielsweise einem Direktzugriffsspeicher (RAM), einschließlich dynamischen RAM (DRAM) und synchronen DRAM (SDRAM) beschrieben. Die Erfindung findet jedoch auch bei anderen Logikschaltungen Anwendung. Um ein einfaches Verständnis zu erleichtern, wurde das Speicherarray so vereinfacht, dass es vier Elemente umfasst. Ein wirkliches Speicherarray umfasst natürlich erheblich mehr Elemente. Um die Effizienz zu steigern, ist das Array in Untergruppen begrifflich unterteilt, die eine kleinere, handhabbare Zahl von Elementen umfassen. Allgemein sind eine Vielzahl redundante Elemente und zugehöriger Schaltungen vorgesehen, die jeweils dazu bestimmt sind, eine entsprechende Untergruppe der Elemente in dem Hauptarray zu ersetzen.
Gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist ein Entwurf einer redundanten Schaltung vorgesehen, der vorteilhafterweise die Notwendigkeit einer Freigabeschmelzsicherung beseitigt. Eine redundante Schaltung ist mit einem redundanten Element verknüpft und ihr ist ein vordefinierter Wert zugewiesen. Falls während der Herstellung das mit jener redundanten Schaltung verknüpfte redundante Element im inaktiven Modus ist (d. h. es wird nicht dazu verwendet, ein defektes Hauptarrayelement zu ersetzen) werden die Adressschmelzsicherungen, die mit dieser redundanten Schaltung verknüpft sind, einen Wert speichern, der gleich dem vorbestimmten Wert ist. Falls andererseits das redundante Element in dem Ersetzungsmodus ist, werden die Adressschmelzsicherungen seiner zugehörigen redundanten Schaltung auf die Adresse des defekten Hauptarrayelements gesetzt sein, das es ersetzt.
Wenn eine Vielzahl von redundanten Elementen und zugehörigen Schaltungen zum Einsatz kommen, ist der in den Adressschmelzsicherungen der jeweiligen redundanten Element gespeicherte vorbestimmte Wert nicht wichtig. Es ist außerdem auch nicht wichtig, dass der in den Adressschmelzsicherungen gespeicherte vorbestimmte Wert für alle redundanten Elemente gleich ist. Der vorbestimmte Wert kann entweder identisch, nicht identisch oder teilweise identisch und teilweise nicht identisch sein.
Während des Betriebs werden die Werte in den Adressschmelzsicherungen geprüft, um zu ermitteln, ob sie sich von dem vorbestimmten Wert unterscheiden. Falls sie sich unterscheiden, setzt die Dekodierlogik der redundanten Schaltung einen Freigabespeicher, um anzuzeigen, dass das zugehörige redundante Element während des Betriebs dazu zu verwenden ist, eines der Hauptarrayelemente zu ersetzen, das sich als defekt herausgestellt hat. Die Adresse des defekten Hauptarrayelements, die in den Adressschmelzsicherungen während der Herstellung gespeichert wird, wird dann zur Verwendung während des Betriebs in die Adressspeicher geladen.
Bei der zweiten Ausführungsform, ist ein Entwurf einer redundanten Schaltung vorgesehen, der vorteilhafterweise die Notwendigkeit sowohl der Freigabeschmelzsicherung als auch des Freigabespeichers beseitigt. Eine redundante Schaltung wird mit einem redundanten Element verknüpft. Wie zuvor wird der redundanten Schaltung ein vorbestimmter Wert zugewiesen. Wenn das mit dieser redundanten Schaltung verknüpfte redundante Element während der Herstellung im inaktiven Modus ist (d. h. es wird nicht dazu verwendet, ein defektes Hauptarrayelement zu ersetzen), werden die mit dem redundanten Element verknüpften Adressschmelzsicherungen einen Wert speichern, der gleich dem vorbestimmten Wert ist. Falls andererseits das redundante Element im Ersetzungsmodus ist, werden die Adressschmelzsicherungen seiner zugehörigen redundanten Schaltung auf die Adresse des defekten Hauptarrayelements gesetzt, das es ersetzt.
Während des Betriebs werden die Werte in den Adressschmelzsicherungen geprüft, um zu ermitteln, ob sie von dem vorbestimmten Wert verschieden sind. Falls sie verschieden sind, erkennt die Dekodierlogik der redundanten Schaltung, dass das zugehörige redundante Element während des Betriebs dazu zu verwenden ist, eines der Hauptarrayelemente zu ersetzen, das sich als defekt herausgestellt hat. Die Adresse des defekten Hauptarrayelements, die während der Herstellung in den Adressschmelzsicherungen gespeichert wird, wird dann zur Verwendung während des Betriebs in die Adressspeicher geladen.
Man beachte, dass, da eine Hauptarrayelementadresse dazu verwendet wird, anzuzeigen, ob das redundante Element im inaktiven Modus oder im Ersetzungsmodus ist (d. h. die Adresse des vorbestimmten Wertes), es die Möglichkeit gibt, dass ein gegebenes redundantes Element nicht in der Lage ist, das Hauptarrayelement zu ersetzen, dessen Adresse dem vorbestimmten Wert entspricht. Um dies zu lösen, ist gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung eine überlappende redundante Schaltungsabdeckung vorgesehen, um sicherzustellen, dass alle Hauptarrayelemente ersetzbar sind. Gemäß diesem Aspekt der vorliegenden Erfindung ist jedes Speicherarray vorzugsweise mit zumindest zwei redundanten Elementen (und zwei zugehörigen redundanten Schaltungen) versehen. Die zwei zugehörigen redundanten Schaltungen weisen vorzugsweise unterschiedliche vorbestimmte Werte auf. Falls beispielsweise die redundante Schaltung #1 mit dem vorbestimmten Wert 3 verknüpft ist und daher nicht in der Lage ist, ein Hauptarrayelement #3 zu ersetzen, wird die redundante Schaltung #2 vorzugsweise mit irgendeinem vorbestimmten, von 3 verschiedenen Wert (z. B. 2) verknüpft und kann daher eine Ersetzungsabdeckung bereitstellen, sollte das Hauptarrayelement #3 sich während der Herstellung als defekt herausstellen.
Alternativ werden zumindest zwei redundante Schaltungen für das Speicherarray vorgesehen. Die Abdeckung der redundanten Schaltungen überlappt zumindest zwei Elemente. Es sei zum Beispiel angenommen, dass das Hauptarrayelement sechs Elemente (0-5) umfasst und die redundante Schaltung 1 von 4 Elementen ersetzt. In einem solchen Fall deckt eine redundante Schaltung die Elemente 0-3 in dem Hauptarray und die andere deckt die Elemente 2-5 ab. Es sei ferner angenommen, dass der vorbestimmte Wert für die erste redundante Schaltung 3 und für die zweite redundante Schaltung 0 ist. Der vorbestimmte Wert 3 in der ersten redundanten Schaltung entspricht dem Hauptarrayelement 3, während der vorbestimmte Wert 0 in der zweiten redundante Schaltung dem Hauptarrayelement 2 entspricht. Daher kann die erste redundante Schaltung das Element 3 nicht ersetzen und die zweite redundante Schaltung kann das Element 2 nicht ersetzen. Die zweite redundante Schaltung kann jedoch Element 3 ersetzen (was die erste redundante Schaltung nicht kann) und die erste redundante Schaltung kann Element 2 ersetzen. Die überlappende Abdeckung kann somit volle Redundanzabdeckung des ganzen Arrays ermöglichen.
Die Eigenschaften und Vorteile der vorliegenden Erfindung können durch die folgenden Figuren besser verstanden werden. Fig. 3 veranschaulicht gemäß einer Ausführungsform der Erfindung eine verbesserte redundante Schaltung, bei der die Freigabeschmelzsicherung nicht länger benötigt wird. In Fig. 3 ist eine verbesserte redundante Schaltung 304 gezeigt, die das redundante Element 300 zum Ersetzen eines Hauptarrayelements beinhaltet, das sich während der Herstellung als defekt herausstellte. Das redundante Element 300 ist dem redundante Element 104 des Standes der Technik in Fig. 1 im wesentlichen ähnlich.
Das gezeigte redundante Element 300 reagiert auf die Dekodierlogik 302 der redundante Schaltung 304. Die Dekodierlogik 302 repräsentiert die Schaltung, die dafür verantwortlich ist, während des Betriebs festzustellen, ob das zugehörige redundante Element 300 im inaktiven Modus (d. h. nicht dazu verwendet wird, irgendein defektes Hauptarrayelement zu ersetzen) oder in dem Ersetzungsmodus ist (d. h. es wird während des Betriebs des Speicherarrays dazu verwendet, ein defektes Hauptarrayelement zu ersetzen). Falls die Dekodierlogik 302 ermittelt, dass das redundante Element 300 im Ersetzungsmodus ist, ist sie auch dafür verantwortlich, während des Betriebs die Adresse des defekten Hauptarrayelements zu ermitteln, an dessen Stelle das redundante Element 300 tritt.
Die Dekodierlogik 302 ist mit einer Vielzahl von Adressspeichern AL1 und A10 gekoppelt gezeigt. Die Adressspeicher AL1 und A10 sind wiederum mit Adressschmelzsicherungen AF1 beziehungsweise AF0 wie gezeigt gekoppelt. Zu Erläuterungszwecken sei hier angenommen, dass das Hauptarrayelement nur vier Elemente aufweist (Zeilen oder Spalten, abhängig davon, ob das redundante Element eine Zeile oder Spalte ist), obschon, wie früher angemerkt, ein typisches Hauptarray viel mehr Elemente enthält. Ebenso zu Erläuterungszwecken ist das redundante Element mit Adressbits (z. B. zwei Adressbits) versehen, die ausreichen, um den ganzen Adressraum des Hauptarrays zu adressieren. Für Fachleute versteht es sich, dass dies keine Notwendigkeit ist und dass einige Implementierungen redundanter Elemente mit Adressbits versehen sein können, die nur genügen, um die Teilmenge von Speicherraum zu adressieren, der den Ersetzungszwecken zugewiesen ist. Die hier offenbarte Erfindung findet auch bei diesen Implementierungen Anwendung.
Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung ist der redundanten Schaltung 304 (die mit dem redundanten Element 300 verknüpft ist) ein vorbestimmter Wert zugewiesen. Um die Erläuterung zu erleichtern, wird diesem vorbestimmten Wert willkürlich der Wert 3 zugewiesen, obwohl es irgendein vorbestimmter Wert sein könnte, der durch das in den Adressschmelzsicherungen gespeicherte Bitmuster dargestellt werden kann. Somit werden die Adressschmelzsicherungen AF1 und AF0 ein Voreinstellungsbitmuster von 3 speichern. Wenn die Adressschmelzsicherungen AF1 und AF0 den vorbestimmten Wert speichern, wird das zugehörige redundante Element 300 als im inaktiven Modus befindlich erkannt und der Freigabespeicher EL wird nicht gesetzt.
Falls beispielsweise das Hauptarrayelement #2 sich während der Herstellung als defekt herausstellt und die redundante Schaltung 300 für seine Ersetzung zu verwenden ist, werden die Werte in den Adressschmelzsicherungen AF1 und AF0 auf den Wert "2" gesetzt (d. h. AF1 und AF0 werden entsprechend binärer Logik auf "1" beziehungsweise "0" gesetzt). Wenn sich während des Betriebs herausstellt, dass die Adressschmelzsicherungsen AF1 und AF0 irgendeinen anderen Wert als den vorbestimmten Wert (z. B. 3 in diesem Beispiel) speichern, wird von der Dekodierlogik 302 erkannt, dass das zugehörige redundante Element 300 in dem Ersetzungsmodus ist. Dementsprechend wird die Dekodierlogik 302 (oder eine andere geeignete Schaltung) den Freigabespeicher EL setzen, um anzuzeigen, dass das redundante Element 300 im nachfolgenden Betrieb als das Ersetzungselement für das defekte Hauptarrayelement 2 (der Wert "2" ist als Bitmuster in den Adressschmelzsicherungen AF1 und AF0 gespeichert) auf die früher beschriebene Weise verwendet wird. Die Werte in den Adressschmelzsicherungen AF1 und AF0 werden typischerweise beim Anfahren in jeweilige Adressspeicher AL1 und A10 geladen, um es der Dekodierlogik 302 zu gestatten, den Betriebsmodus (d. h. den inaktiven Modus oder den Ersetzungsmodus) des redundanten Elements 300 zu ermitteln. Alternativ ist es möglich, den Betriebsmodus des redundanten Elements direkt aus den in den Adressschmelzsicherungen AF1 und AF0 gespeicherten Werten zu ermitteln.
Fig. 4 veranschaulicht die gemäß der ersten Ausführungsform der Erfindung von der Dekodierlogik 302 ausgeführten Schritte, wenn das redundante Element 300 in den Ersetzungsmodus versetzt wird. Bei Schritt 402 vergleicht die Dekodierlogik 302 den in den Adressschmelzsicherungen während der Herstellung gespeicherten Wert mit dem vorbestimmten Wert. Typischerweise, aber nicht notwendigerweise, wird der in den Adressschmelzsicherungen gespeicherte Wert vor dem Vergleich zuerst in die jeweiligen Adressspeicher geladen. Falls sie übereinstimmen, wird das mit der Dekodierlogik 302 verknüpfte redundante Element als im inaktiven Modus befindlich erkannt (Schritt 404) und es ist nicht nötig, die Freigabeschmelzsicherung zu setzen.
Falls andererseits der während der Herstellung in den Adressschmelzsicherungen gespeicherte Wert sich von dem vorbestimmten Wert unterscheidet, wird dann der Freigabespeicher EL (Schritt 406) gesetzt, um anzuzeigen, dass das redundante Element 300 während des Betriebs im Ersetzungsmodus sein soll. Danach wird das redundante Element 300 während des Betriebs im Ersetzungsmodus verwendet (Schritt 408). Die in den Adressschmelzsicherungen gespeicherte (und in die Adressspeicher geladene) Adresse gibt an, welches Hauptarrayelements während des Betriebs durch das redundante Element 300 ersetzt wird.
Fig. 5 veranschaulicht die zweite Ausführungsform der Erfindung, bei der sowohl die Freigabeschmelzsicherung EF als auch der Freigabespeicher EL vorteilhafterweise eliminiert sind. In Fig. 5 ist eine weitere verbesserte redundante Schaltung 504 gezeigt, die das redundante Element 500 zum Ersetzen eine defekten Hauptarrayelements beinhaltet. Das redundante Element 500 ist an die Dekodierlogik 502 der zugehörigen redundanten Schaltung 504 gekoppelt gezeigt. Der Freigabespeicher EL der Ausführungsform von Fig. 3 und des Standes der Technik der Fig. 2 wurde jedoch eliminiert. Die Dekodierlogik 502 ist mit den Adressspeichern AL1 und AL0 gekoppelt gezeigt, die ihrerseits mit den Adressschmelzsicherungen AF1 beziehungsweise AF0 gekoppelt sind. Zur einfachen Erläuterung ist wiederum angenommen, dass das Speicherarray nur vier Elemente umfasst, obschon, wie zuvor gesagt wurde, ein Speicherarray eine beliebige Zahl von Arrayelementen haben kann.
Wie es in Fig. 3 der Fall ist, wird der redundanten Schaltung 504 (die mit dem redundante Element 500 verknüpft ist) ein vorbestimmter Wert zugewiesen. Um die Erläuterung zu vereinfachen, wird diesem vorbestimmten Wert willkürlich der Wert 2 zugewiesen, obwohl es irgendein vorbestimmter Wert sein könnte, der durch das in den Adressschmelzsicherungen gespeicherte Bitmuster dargestellt werden kann. Somit werden die Adressschmelzsicherung AF1 und AF0 ein Voreinstellungsbitmuster von 2 speichern. Wenn die Adressschmelzsicherungen AF1 und AF0 den vorbestimmten Wert speichern, wird das zugehörige redundante Element 300 als während des Betriebs im inaktiven Modus befindlich erkannt und wird nicht zu Ersetzungszwecken eingesetzt.
Falls das Hauptarrayelement #3 sich zum Beispiel während der Herstellung als defekt herausstellt und das redundante Element 500 als dessen Ersatz zu verwenden ist, werden die Werte der Adressschmelzsicherungen AF1 und AF0 auf den Wert "3" gesetzt werden (d. h. AF1 und AF0 werden entsprechend binärer Logik beide auf "1" gesetzt). Wenn sich während des Betriebs herausstellt, dass die Adressschmelzsicherungen AF1 und AF0 irgendeinen anderen Wert als den vorbestimmten Wert (z. B. 2 in diesem Beispiel) speichern, wird von der Dekodierlogik 502 erkannt, dass das zugehörige redundante Element 500 in dem Ersetzungsmodus ist. Dementsprechend wird das redundante Element 500 im folgenden Betrieb auf die früher beschriebene Weise als Ersatzelement für das defekte Hauptarrayelement verwendet (der Wert "3" ist als Bitmuster in den Adressschmelzsicherungen AF1 und AF0 gespeichert). Die Werte in den Adressschmelzsicherungen AF1 und AF0 werden typischerweise beim Anfahren in jeweilige Adressspeicher AL1 und A10 geladen, um es der Dekodierlogik 502 zu gestatten, den Betriebsmodus (d. h. den inaktiven Modus oder den Ersetzungsmodus) des redundanten Elements 500 zu ermitteln. Alternativ ist es möglich, den Betriebsmodus des redundanten Elements direkt aus den in den Adressschmelzsicherungen AF1 und AF0 gespeicherten Werten zu ermitteln.
Fig. 6 veranschaulicht die gemäß der zweiten Ausführungsform der Erfindung von der Dekodierlogik 502 ausgeführten Schritte, wenn das redundante Element 500 in den Ersetzungsmodus versetzt wird. Bei Schritt 602 vergleicht die Dekodierlogik 502 den in den Adressschmelzsicherungen während der Herstellung gespeicherten Wert mit dem vorbestimmten Wert. Typischerweise, aber nicht notwendigerweise, wird der in den Adressschmelzsicherungen gespeicherte Wert vor dem Vergleich zuerst in die jeweiligen Adressspeicher geladen. Falls sie übereinstimmen, wird das mit der Dekodierlogik 502 verknüpfte redundante Element als während des Betriebs im inaktiven Modus befindlich erkannt (Schritt 604).
Falls andererseits der während der Herstellung in den Adressschmelzsicherungen gespeicherte Wert sich von dem vorbestimmten Wert unterscheidet, dann wird das redundante Element 500 als während des Betriebs im Ersetzungsmodus befindlich erkannt. Man beachte, dass die Dekodierlogik 502 dies erkennt, ohne dass ein Freigabespeicher EL gesetzt werden muss, wie dies bei der Ausführungsform von Fig. 3 der Fall ist. Danach wird das redundante Element 500 während des Betriebs im Ersetzungsmodus verwendet (Schritt 408). Die in den Adressschmelzsicherungen gespeicherte (und in die Adressspeicher geladene) Adresse gibt an, welches Hauptarrayelement durch das redundante Element 500 während des Betriebs ersetzt wird.
Bei den oben erläuterten Ausführungsformen schließt die Verwendung des vorbestimmten Wertes zur Anzeige des Betriebsmodus des redundanten Elements es aus, dass das redundante Element eines der Hauptarrayelemente ersetzt (z. B. das Hauptarrayelement, dessen Adresse dem vorbestimmten entspricht). Um dieses Problem zu lösen, wird es vorgezogen, dass eine überlappende redundante Schaltungsabdeckung vorgesehen wird, um sicherzustellen, dass alle Hauptarrayelement ersetzbar sind. Gemäß diesem Aspekt der Erfindung ist jedes Speicherarray vorzugsweise mit zumindest zwei redundante Elementen (in zwei redundante Schaltungen) versehen. Dies belastet den Schaltungsentwurfsfachmann wenig, wenn überhaupt, da Speicherarrays typischerweise so und so mit zahlreichen redundanten Elementen versehen sind, um den Ersatz von mehr als einem defekten Hauptarrayelement zu ermöglichen.
Zur Erläuterung sei angenommen, dass nur zwei redundante Elemente vorgesehen sind. Die zwei redundanten Schaltungen, die mit diesen zwei redundanten Elementen verknüpft sind, weisen vorzugsweise unterschiedliche vorbestimmte Werte auf. Falls beispielsweise die redundante Schaltung #1 mit dem vorbestimmten Wert 3 verknüpft ist und daher nicht in der Lage ist, einen Ersatz für das Hauptarrayelement #3 bereitzustellen, wird vorzugsweise die redundante Schaltung #2 mit irgendeinem vorbestimmten Wert verknüpft, der von 3 verschieden ist (z. B. 2) und kann daher eine Ersatzabdeckung bereitstellen, sollte das Hauptarrayelement #3 sich während der Herstellung als defekt herausstellen.
Die Eliminierung der Freigabeschmelzsicherung (und ebenso des Freigabespeichers bei einer Ausführungsform) gestattet es dem Speicherentwurfsfachmann vorteilhafterweise, auf dem Chip Raum zu sparen. Dementsprechend ist es möglich, zusätzliche Hauptarrayelemente und/oder redundante Elemente auf einen Chip gegebener Größe einzuschieben, um die Kapazität zu erhöhen und/oder zusätzliche Ersatzkapazität bereitzustellen. Für Fachleute versteht es sich, dass die Möglichkeit, die Speicherkapazität zu erhöhen, ohne gleichzeitig die Chipgröße zu erhöhen, insbesondere in Bereichen wie der DRAM Fertigung äußerst vorteilhaft ist, bei der Entwurfsregeln die Zahl der Vorrichtungen begrenzt, die auf einen gegebenen Chip gesetzt werden können.
Bei der ersten Ausführungsform kann die Fläche, die durch die Eliminierung der Freigabeschmelzsicherung (und auch des Freigabespeichers bei der zweiten Ausführungsform) eingespart wird, durch den Entwurfsfachmann dazu verwendet werden, um für ein gegebenes redundantes Element mehr Adressbits bereitzustellen (d. h. mehr Adressschmelzsicherungen und Adressspeicher bereitzustellen), um die Adressiermöglichkeit des redundanten Elementes zu erhöhen. Für einen Fachmann versteht es sich, dass die erhöhte Adressiermöglichkeit es gestattet, dass das redundante Element einen größeren Teil des Hauptarrayelements adressiert, wodurch die Flexibilität erhöht wird, mit der ein gegebenes redundantes Element dazu verwendet werden kann, defekte Hauptarrayelemente zu ersetzen.
Obschon diese Erfindung im Hinblick auf verschiedene veranschaulichende Ausführungsformen beschrieben wurde, gibt es Änderungen, Vertauschungen und Äquivalente, die in den Schutzumfang der Erfindung fallen. Auch wenn die Offenbarung sich beispielsweise hauptsächlich auf Schmelzsicherungen bezieht, kann der Begriff Schmelzsicherung auch Anti-Schmelzsicherungen umfassen. Die Schmelzsicherung (oder der Speicher) kann auch durch Speichern entweder eines Wertes von 0 oder 1 gesetzt werden, solang dieser Wert von der Dekodierlogik richtig verstanden wird. Die folgenden beigefügten Ansprüche sollen daher so interpretiert werden, dass sie all solche Änderungen, Vertauschungen und Äquivalente umfassen, die in den Schutzumfang der vorliegenden Erfindung fallen.

Claims

1. Verfahren zum Ersetzen defekter Elemente eines Speicherarrays mit folgenden Schritten:

Ausbilden einer ersten redundanten Schaltung einschließlich dem

Ausbilden einer ersten Vielzahl von Adressschmelzsicherungen, wobei die erste Vielzahl von Adressschmelzsicherungen dafür ausgelegt ist, wenn sie gesetzt ist, eine Adresse eines der defekten Elemente anzugeben,

Ausbilden einer ersten Vielzahl von Adressspeichern, wobei jeweils einer aus der ersten Vielzahl von Adressspeichern mit jeweils einer aus der ersten Vielzahl von Adressschmelzsicherungen gekoppelt ist,

Ausbilden eines ersten redundanten Elements, und

Ausbilden einer ersten Dekodierlogikschaltung, wobei die erste Dekodierlogikschaltung mit der ersten Vielzahl von Adressspeichern und dem redundanten Element gekoppelt ist, wobei die erste Dekodierlogikschaltung dafür ausgelegt ist, während des Betriebs des Speicherarrays zu ermitteln, ob

ein in der ersten Vielzahl von Adressschmelzsicherungen gespeichertes Bitmuster sich von einem ersten vorbestimmten Wert unterscheidet, und das erste redundante Element in einen Ersetzungsmodus zu versetzen, falls das Bitmuster sich von dem vorbestimmten Wert unterscheidet, wobei der Ersetzungsmodus das erste redundante Element dafür freigibt, anstelle des einen der defekten Elemente während des Betriebs verwendet zu werden, oder

das erste redundante Element in einem inaktiven Modus ist, wenn die erste Vielzahl von Adressschmelzsicherungen einen Wert speichert, der gleich dem ersten vorbestimmten Wert ist,

wobei die erste Dekodierlogikschaltung dies ohne die Verwendung einer Freigabeschmelzsicherung ermittelt.

2. Verfahren nach Anspruch 1, das außerdem folgendes umfasst:

Ausbilden einer zweiten redundanten Schaltung einschließlich dem

Ausbilden einer zweiten Vielzahl von Adressschmelzsicherungen, wobei die zweite Vielzahl von Adressschmelzsicherungen dafür ausgelegt ist, wenn sie gesetzt ist, eine Adresse eines weiteren der defekten Elemente anzugeben,

Ausbilden einer zweiten Vielzahl von Adressspeichern, wobei jeweils einer aus der zweiten Vielzahl von Adressspeichern mit jeweils einer aus der zweiten Vielzahl von Adressschmelzsicherungen gekoppelt ist,

Ausbilden eines zweiten redundanten Elements, und

Ausbilden einer zweiten Dekodierlogikschaltung, wobei die zweite Dekodierlogikschaltung mit der zweiten Vielzahl von Adressspeichern und dem zweiten redundanten Element gekoppelt ist, wobei die zweite Dekodierlogikschaltung dafür ausgelegt ist, während des Betriebs des Speicherarrays zu ermitteln, ob ein in der zweiten Vielzahl von Adressschmelzsicherungen gespeichertes Bitmuster sich von einem zweiten vorbestimmten Wert unterscheidet, und das zweite redundante Element in den Ersetzungsmodus zu versetzen, falls das Bitmuster sich von dem vorbestimmten Wert unterscheidet, wobei der zweite vorbestimmte Wert sich von dem ersten vorbestimmten Wert unterscheidet.

3. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Speicherarray ein Speicherarray einer dynamischen Direktzugriffspeicherschaltung (DRAM) ist.

4. Verfahren nach Anspruch 3, wobei das Vorsehen der ersten redundanten Schaltung außerdem folgendes umfasst:

Ausbilden eines Freigabespeichers, wobei der Freigabespeicher mit der ersten Dekodierlogik gekoppelt ist, wobei die erste Dekodierlogik während des Betriebs das erste redundante Element in den Ersetzungsmodus versetzt, indem der Freigabespeicher gesetzt wird.

5. Verfahren nach Anspruch 2, wobei die jeweils einen der zweiten Vielzahl von Adressspeichern während des Betriebs mit Werten in den jeweils einen der zweiten Vielzahl von Adressschmelzsicherungen geladen werden.

6. Verfahren nach Anspruch 5, wobei die erste Dekodierlogik das in der ersten Vielzahl von Adressschmelzsicherungen gespeicherte Bitmuster ermittelt, indem sie in der ersten Vielzahl von Adressspeichern gespeicherte Werte ermittelt.

7. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das erste redundante Element in den Ersetzungsmodus versetzt wird, ohne dass dies das Setzen einer mit der ersten redundanten Schaltung oder dem ersten redundanten Element verknüpften Freigabeschmelzsicherung während der Herstellung erfordert.

8. Verfahren zum Ersetzen defekter Elemente eines Speicherarrays mit folgenden Schritten:

Ausbilden einer ersten redundanten Schaltung einschließlich dem

Ausbilden eines ersten redundanten Elements,

Ausbilden einer ersten Dekodierlogikschaltung, wobei die erste Dekodierlogikschaltung mit der ersten Vielzahl von Adressspeichern und dem ersten redundanten Element gekoppelt ist, und

Ausbilden eines ersten Freigabespeichers, wobei der erste Freigabespeicher mit der ersten Dekodierlogik gekoppelt ist, wobei die erste Dekodierlogikschaltung dafür ausgelegt ist, während des Betriebs des Speicherarrays zu ermitteln, ob ein in der ersten Vielzahl von Adressschmelzsicherungen gespeichertes Bitmuster sich von einem ersten vorbestimmten Wert unterscheidet, und den ersten Freigabespeicher zu setzen, um das erste redundante Element in einen Ersetzungsmodus zu versetzen, falls das Bitmuster sich von dem vorbestimmten Wert unterscheidet,

9. Verfahren nach Anspruch 8, wobei das Speicherarray ein Speicherarray einer dynamischen Direktzugriffspeicherschaltung ist.

10. Verfahren nach Anspruch 8, das außerdem folgendes umfasst:

Ausbilden einer zweiten redundanten Schaltung einschließlich dem

Ausbilden eines zweiten redundanten Elements,

Ausbilden einer zweiten Dekodierlogikschaltung, wobei die zweite Dekodierlogikschaltung mit der zweiten Vielzahl von Adressspeichern und dem zweiten redundanten Element gekoppelt ist, und

Ausbilden eines zweiten Freigabespeichers, wobei der zweite Freigabespeicher mit der zweiten Dekodierlogik gekoppelt ist, wobei die zweite Dekodierlogikschaltung dafür ausgelegt ist, während des Betriebs des Speicherarrays zu ermitteln, ob ein in der zweiten Vielzahl von Adressschmelzsicherungen gespeichertes Bitmuster sich von einem zweiten vorbestimmten Wert unterscheidet, und den zweiten Freigabespeicher zu setzen, um das zweite redundante Element in den Ersetzungsmodus zu versetzen, falls das Bitmuster sich von dem zweiten vorbestimmten Wert unterscheidet, wobei der zweite vorbestimmte Wert sich von dem ersten vorbestimmten Wert unterscheidet.

11. Redundante Schaltung mit einem redundanten Element, wobei das redundante Element dafür ausgelegt ist, ein defektes Speicherarrayelement zu ersetzen, mit:

einer ersten Vielzahl von Adressschmelzsicherungen, wobei die erste Vielzahl von Adressschmelzsicherungen dafür ausgelegt ist, wenn sie gesetzt ist, eine Adresse des defekten Speicherarrayelements anzugeben,

einer ersten Vielzahl von Adressspeichern, wobei jeweils einer aus der ersten Vielzahl von Adressspeichern mit jeweils einer aus der ersten Vielzahl von Adressschmelzsicherungen gekoppelt ist,

einer ersten Dekodierlogikschaltung, wobei die erste Dekodierlogikschaltung mit der ersten Vielzahl von Adressspeichern und dem redundanten Element gekoppelt ist, wobei die erste Dekodierlogikschaltung dafür ausgelegt ist, zu ermitteln, ob das redundante Element in einem inaktiven Modus oder einem Ersetzungsmodus ist, wobei durch die erste Dekodierlogikschaltung ermittelt wird, dass das redundante Element in dem inaktiven Modus ist, wenn die erste Vielzahl von Adressschmelzsicherungen einen Wert speichert, der gleich einem vorbestimmten Wert ist, wobei durch die erste Dekodierlogikschaltung ermittelt wird, dass das redundante Element in dem Ersetzungsmodus ist, wenn der in der ersten Vielzahl von Adressschmelzsicherungen gespeicherte Wert sich von dem vorbestimmten Wert unterscheidet, wobei die erste Dekodierlogikschaltung dies ohne die Verwendung einer Freigabeschmelzsicherung ermittelt.

12. Redundante Schaltung nach Anspruch 11 außerdem mit:

einem ersten Freigabespeicher, der mit der ersten Dekodierlogikschaltung gekoppelt ist, wobei der erste Freigabespeicher dafür ausgelegt ist anzugeben, wenn er gesetzt ist, dass das redundante Element während des Betriebs zu verwenden ist, um das defekte Speicherarrayelement zu ersetzen, wobei der erste Freigabespeicher gesetzt wird, wenn von der ersten Dekodierlogikschaltung ermittelt wird, dass der in der ersten Vielzahl von Adressschmelzsicherungen gespeicherte Wert sich von dem vorbestimmten Wert unterscheidet.

13. Redundante Schaltung nach Anspruch 11, wobei das defekte Speicherarrayelement ein Speicherarrayelement eines dynamischen Direktzugriffspeicherarrays darstellt.

14. Redundante Schaltung nach Anspruch 11, wobei das redundante Element eine redundante Zeile von Speicherelementen ist.

15. Redundante Schaltung nach Anspruch 11, wobei das redundante Element eine redundante Spalte von Speicherelementen ist.

16. Redundante Schaltung nach Anspruch 11, wobei die Adressschmelzsicherungen durch Anti-Schmelzsicherungen implementiert werden.

17. Satz redundanter Schaltungen zum Ersetzen defekter Speicherelemente während der Herstellung mit:

einer ersten redundanten Schaltung mit

einer ersten Vielzahl von Adressschmelzsicherungen, wobei die erste Vielzahl von Adressschmelzsicherungen dafür ausgelegt ist, wenn sie gesetzt ist, eine Adresse eines ersten der defekten Speicherelemente anzugeben,

einem ersten redundanten Element, und

einer ersten Dekodierlogikschaltung, wobei die erste Dekodierlogikschaltung mit der ersten Vielzahl von Adressspeichern und dem ersten redundanten Element gekoppelt ist, wobei die erste Dekodierlogikschaltung dafür ausgelegt ist, zu ermitteln, ob das erste redundante Element in einem inaktiven Modus oder einem Ersetzungsmodus ist, wobei durch die erste Dekodierlogikschaltung ermittelt wird, dass das erste redundante Element in dem inaktiven Modus ist, wenn die erste Vielzahl von Adressschmelzsicherungen einen ersten Wert speichert, der gleich einem ersten vorbestimmten Wert ist, wobei durch die erste Dekodierlogikschaltung ermittelt wird, dass das erste redundante Element in dem Ersetzungsmodus ist, wenn der in der ersten Vielzahl von Adressschmelzsicherungen gespeicherte erste Wert sich von dem ersten vorbestimmten Wert unterscheidet, wobei die erste Dekodierlogikschaltung dies ohne die Verwendung einer Freigabeschmelzsicherung ermittelt, und

einer zweiten redundanten Schaltung mit

einer zweiten Vielzahl von Adressschmelzsicherungen, wobei die zweite Vielzahl von Adressschmelzsicherungen dafür ausgelegt ist, wenn sie gesetzt ist, eine Adresse eines zweiten der defekten Speicherelemente anzugeben,

einer zweiten Vielzahl von Adressspeichern, wobei jeweils einer aus der zweiten Vielzahl von Adressspeichern mit jeweils einer aus der zweiten Vielzahl von Adressschmelzsicherungen gekoppelt ist,

einem zweiten redundanten Element und

einer zweiten Dekodierlogikschaltung, wobei die zweite Dekodierlogikschaltung mit der zweiten Vielzahl von Adressspeichern und dem zweiten redundanten Element gekoppelt ist, wobei die zweite Dekodierlogikschaltung dafür ausgelegt ist, zu ermitteln, ob das zweite redundante Element in einem inaktiven Modus oder einem Ersetzungsmodus ist, wobei durch die zweite Dekodierlogikschaltung ermittelt wird, dass das zweite redundante Element in dem inaktiven Modus ist, wenn die zweite Vielzahl von Adressschmelzsicherungen einen zweiten Wert speichert, der gleich einem zweiten vorbestimmten Wert ist, wobei durch die zweite Dekodierlogikschaltung ermittelt wird, dass das zweite redundante Element in dem Ersetzungsmodus ist, wenn der in der zweiten Vielzahl von Adressschmelzsicherungen gespeicherte zweite Wert sich von dem zweiten vorbestimmten Wert unterscheidet, wobei der zweite vorbestimmte Wert sich von dem ersten vorbestimmten Wert unterscheidet, wobei die zweite Dekodierlogikschaltung dies ohne die Verwendung einer Freigabeschmelzsicherung ermittelt.

18. Satz redundanter Schaltungen nach Anspruch 17, wobei das defekte Speicherelement ein Speicherelement eines dynamischen Direktzugriffspeicherarrays darstellt.