DE69808157T2 - Strahlungsbildwandler und Verfahren zur Herstellung desselben - Google Patents
Strahlungsbildwandler und Verfahren zur Herstellung desselbenInfo
- Publication number
- DE69808157T2 DE69808157T2 DE69808157T DE69808157T DE69808157T2 DE 69808157 T2 DE69808157 T2 DE 69808157T2 DE 69808157 T DE69808157 T DE 69808157T DE 69808157 T DE69808157 T DE 69808157T DE 69808157 T2 DE69808157 T2 DE 69808157T2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- phosphorescent
- stimulable
- compound
- int
- phosphorescent compound
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 230000005855 radiation Effects 0.000 title claims description 51
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 79
- 238000001354 calcination Methods 0.000 claims description 36
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 36
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 35
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 32
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 claims description 28
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 claims description 27
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims description 27
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 claims description 24
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 claims description 21
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims description 18
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 18
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 17
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 14
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims description 11
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000001069 Raman spectroscopy Methods 0.000 claims description 7
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 claims description 7
- 238000013019 agitation Methods 0.000 claims description 6
- 238000011049 filling Methods 0.000 claims description 5
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 claims description 4
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 42
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 41
- -1 hexafluorosilicic acid Chemical compound 0.000 description 30
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 27
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 18
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 18
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 18
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 18
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 18
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 16
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 13
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 12
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 12
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 11
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 10
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 10
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 9
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 9
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 9
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 8
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 8
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 8
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910052765 Lutetium Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 7
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 7
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910001638 barium iodide Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910001506 inorganic fluoride Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N phthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1C(O)=O XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 6
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 description 6
- DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 5-(5-carboxythiophen-2-yl)thiophene-2-carboxylic acid Chemical compound S1C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)S1 DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 description 5
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N hydrogen iodide Chemical compound I XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 5
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 description 4
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000020 Nitrocellulose Substances 0.000 description 4
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 4
- 239000012190 activator Substances 0.000 description 4
- 229910001515 alkali metal fluoride Inorganic materials 0.000 description 4
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- FLKPEMZONWLCSK-UHFFFAOYSA-N diethyl phthalate Chemical compound CCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCC FLKPEMZONWLCSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 4
- 229920001220 nitrocellulos Polymers 0.000 description 4
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 4
- 239000011550 stock solution Substances 0.000 description 4
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 101100311330 Schizosaccharomyces pombe (strain 972 / ATCC 24843) uap56 gene Proteins 0.000 description 3
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 3
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 3
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 3
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 3
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 239000000047 product Substances 0.000 description 3
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 3
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- 101150018444 sub2 gene Proteins 0.000 description 3
- PZBLUWVMZMXIKZ-UHFFFAOYSA-N 2-o-(2-ethoxy-2-oxoethyl) 1-o-ethyl benzene-1,2-dicarboxylate Chemical compound CCOC(=O)COC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCC PZBLUWVMZMXIKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N Ammonia chloride Chemical compound [NH4+].[Cl-] NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N Beryllium oxide Chemical compound O=[Be] LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N Calcium oxide Chemical compound [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910016653 EuF3 Inorganic materials 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AEMRFAOFKBGASW-UHFFFAOYSA-N Glycolic acid Chemical class OCC(O)=O AEMRFAOFKBGASW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N Magnesium oxide Chemical compound [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000021355 Stearic acid Nutrition 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-N adipic acid Chemical compound OC(=O)CCCCC(O)=O WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 2
- 229910001508 alkali metal halide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001615 alkaline earth metal halide Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K aluminium hydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[Al+3] WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- SWLVFNYSXGMGBS-UHFFFAOYSA-N ammonium bromide Chemical compound [NH4+].[Br-] SWLVFNYSXGMGBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000019270 ammonium chloride Nutrition 0.000 description 2
- UKFWSNCTAHXBQN-UHFFFAOYSA-N ammonium iodide Chemical compound [NH4+].[I-] UKFWSNCTAHXBQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012736 aqueous medium Substances 0.000 description 2
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001632 barium fluoride Inorganic materials 0.000 description 2
- FFBHFFJDDLITSX-UHFFFAOYSA-N benzyl N-[2-hydroxy-4-(3-oxomorpholin-4-yl)phenyl]carbamate Chemical compound OC1=C(NC(=O)OCC2=CC=CC=C2)C=CC(=C1)N1CCOCC1=O FFBHFFJDDLITSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 description 2
- DOIRQSBPFJWKBE-UHFFFAOYSA-N dibutyl phthalate Chemical compound CCCCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCCCC DOIRQSBPFJWKBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 2
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N germanium dioxide Chemical compound O=[Ge]=O YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 2
- 239000004570 mortar (masonry) Substances 0.000 description 2
- ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N niobium pentoxide Chemical compound O=[Nb](=O)O[Nb](=O)=O ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Natural products CCCCCCCC(C)CCCCCCCCC(O)=O OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 2
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 2
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 2
- 229910001404 rare earth metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 238000010532 solid phase synthesis reaction Methods 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 239000008117 stearic acid Substances 0.000 description 2
- 230000004936 stimulating effect Effects 0.000 description 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 2
- KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N succinic acid Chemical compound OC(=O)CCC(O)=O KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- WSLDOOZREJYCGB-UHFFFAOYSA-N 1,2-Dichloroethane Chemical compound ClCCCl WSLDOOZREJYCGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BYFKIEAYZSAUEY-UHFFFAOYSA-N 2,2-dimethoxyethyl 2-hydroxyacetate Chemical compound COC(OC)COC(=O)CO BYFKIEAYZSAUEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OEPOKWHJYJXUGD-UHFFFAOYSA-N 2-(3-phenylmethoxyphenyl)-1,3-thiazole-4-carbaldehyde Chemical compound O=CC1=CSC(C=2C=C(OCC=3C=CC=CC=3)C=CC=2)=N1 OEPOKWHJYJXUGD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-M Bromide Chemical compound [Br-] CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GOJCZVPJCKEBQV-UHFFFAOYSA-N Butyl phthalyl butylglycolate Chemical compound CCCCOC(=O)COC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCCCC GOJCZVPJCKEBQV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N Carbon monoxide Chemical compound [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002307 Dextran Polymers 0.000 description 1
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- 206010073306 Exposure to radiation Diseases 0.000 description 1
- 108010010803 Gelatin Proteins 0.000 description 1
- 229920000084 Gum arabic Polymers 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M Propionate Chemical compound CCC([O-])=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 241000978776 Senegalia senegal Species 0.000 description 1
- YSMRWXYRXBRSND-UHFFFAOYSA-N TOTP Chemical compound CC1=CC=CC=C1OP(=O)(OC=1C(=CC=CC=1)C)OC1=CC=CC=C1C YSMRWXYRXBRSND-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004369 ThO2 Inorganic materials 0.000 description 1
- BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N Vinyl chloride Chemical compound ClC=C BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000205 acacia gum Substances 0.000 description 1
- 235000010489 acacia gum Nutrition 0.000 description 1
- KXKVLQRXCPHEJC-UHFFFAOYSA-N acetic acid trimethyl ester Natural products COC(C)=O KXKVLQRXCPHEJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000001361 adipic acid Substances 0.000 description 1
- 235000011037 adipic acid Nutrition 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 239000003125 aqueous solvent Substances 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001620 barium bromide Inorganic materials 0.000 description 1
- NKQIMNKPSDEDMO-UHFFFAOYSA-L barium bromide Chemical compound [Br-].[Br-].[Ba+2] NKQIMNKPSDEDMO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Inorganic materials [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- HSUIVCLOAAJSRE-UHFFFAOYSA-N bis(2-methoxyethyl) benzene-1,2-dicarboxylate Chemical compound COCCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCCOC HSUIVCLOAAJSRE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZFMQKOWCDKKBIF-UHFFFAOYSA-N bis(3,5-difluorophenyl)phosphane Chemical compound FC1=CC(F)=CC(PC=2C=C(F)C=C(F)C=2)=C1 ZFMQKOWCDKKBIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQSLMFSQEBXZHN-UHFFFAOYSA-N bis(8-methylnonyl) butanedioate Chemical compound CC(C)CCCCCCCOC(=O)CCC(=O)OCCCCCCCC(C)C BQSLMFSQEBXZHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002301 cellulose acetate Polymers 0.000 description 1
- 229920006217 cellulose acetate butyrate Polymers 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000002144 chemical decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 235000014113 dietary fatty acids Nutrition 0.000 description 1
- ASMQGLCHMVWBQR-UHFFFAOYSA-M diphenyl phosphate Chemical compound C=1C=CC=CC=1OP(=O)([O-])OC1=CC=CC=C1 ASMQGLCHMVWBQR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 1
- 238000000635 electron micrograph Methods 0.000 description 1
- 238000001493 electron microscopy Methods 0.000 description 1
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 1
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 239000000194 fatty acid Substances 0.000 description 1
- 229930195729 fatty acid Natural products 0.000 description 1
- 150000004665 fatty acids Chemical class 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- 229920000159 gelatin Polymers 0.000 description 1
- 239000008273 gelatin Substances 0.000 description 1
- 235000019322 gelatine Nutrition 0.000 description 1
- 235000011852 gelatine desserts Nutrition 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 150000004676 glycans Chemical class 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 1
- 239000012948 isocyanate Substances 0.000 description 1
- 150000002513 isocyanates Chemical class 0.000 description 1
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N lanthanum oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[La+3].[La+3] MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229920005615 natural polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- YOYLLRBMGQRFTN-SMCOLXIQSA-N norbuprenorphine Chemical compound C([C@@H](NCC1)[C@]23CC[C@]4([C@H](C3)C(C)(O)C(C)(C)C)OC)C3=CC=C(O)C5=C3[C@@]21[C@H]4O5 YOYLLRBMGQRFTN-SMCOLXIQSA-N 0.000 description 1
- KTUFCUMIWABKDW-UHFFFAOYSA-N oxo(oxolanthaniooxy)lanthanum Chemical compound O=[La]O[La]=O KTUFCUMIWABKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002572 peristaltic effect Effects 0.000 description 1
- 150000008301 phosphite esters Chemical class 0.000 description 1
- 150000003014 phosphoric acid esters Chemical class 0.000 description 1
- 108091008695 photoreceptors Proteins 0.000 description 1
- 239000000088 plastic resin Substances 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920006289 polycarbonate film Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920006267 polyester film Polymers 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 1
- 229920001282 polysaccharide Polymers 0.000 description 1
- 239000005017 polysaccharide Substances 0.000 description 1
- 229920002689 polyvinyl acetate Polymers 0.000 description 1
- 239000011118 polyvinyl acetate Substances 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 108090000623 proteins and genes Proteins 0.000 description 1
- 102000004169 proteins and genes Human genes 0.000 description 1
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 1
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000004576 sand Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000007873 sieving Methods 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 239000008247 solid mixture Substances 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 230000000638 stimulation Effects 0.000 description 1
- IATRAKWUXMZMIY-UHFFFAOYSA-N strontium oxide Inorganic materials [O-2].[Sr+2] IATRAKWUXMZMIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 239000001384 succinic acid Substances 0.000 description 1
- 229920001059 synthetic polymer Polymers 0.000 description 1
- DXIGZHYPWYIZLM-UHFFFAOYSA-J tetrafluorozirconium;dihydrofluoride Chemical compound F.F.F[Zr](F)(F)F DXIGZHYPWYIZLM-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- ZCUFMDLYAMJYST-UHFFFAOYSA-N thorium dioxide Chemical compound O=[Th]=O ZCUFMDLYAMJYST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
- ILJSQTXMGCGYMG-UHFFFAOYSA-N triacetic acid Chemical compound CC(=O)CC(=O)CC(O)=O ILJSQTXMGCGYMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZIBGPFATKBEMQZ-UHFFFAOYSA-N triethylene glycol Chemical compound OCCOCCOCCO ZIBGPFATKBEMQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XZZNDPSIHUTMOC-UHFFFAOYSA-N triphenyl phosphate Chemical compound C=1C=CC=CC=1OP(OC=1C=CC=CC=1)(=O)OC1=CC=CC=C1 XZZNDPSIHUTMOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 229920003169 water-soluble polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N yttrium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Y+3].[Y+3] RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
- G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
- G21K4/00—Conversion screens for the conversion of the spatial distribution of X-rays or particle radiation into visible images, e.g. fluoroscopic screens
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
- C09K11/7728—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
- C09K11/7732—Halogenides
- C09K11/7733—Halogenides with alkali or alkaline earth metals
-
- G—PHYSICS
- G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
- G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
- G21K4/00—Conversion screens for the conversion of the spatial distribution of X-rays or particle radiation into visible images, e.g. fluoroscopic screens
- G21K2004/06—Conversion screens for the conversion of the spatial distribution of X-rays or particle radiation into visible images, e.g. fluoroscopic screens with a phosphor layer
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
- Conversion Of X-Rays Into Visible Images (AREA)
Description
- Die vorliegende Erfindung betrifft eine Platte zur Umwandlung eines durch Strahlung erhaltenen Bildes durch die Verwendung einer anregbaren phosphoreszierenden Seltenerdmetall aktivierten Erdalkalimetallfluorhalogenidverbindung.
- Ein wie in JP-A 55-12145 (hierin steht die Bezeichnung "JP-A" für eine ungeprüfte und veröffentlichte Japanische Patentanmeldung) beschriebenes Verfahren zur Aufzeichnung und Wiedergabe eines durch Strahlung erhaltenen Bildes ist als Ersatz für die herkömmliche Röntgenphotographie bekannt. In dem Verfahren wird eine Platte zur Umwandlung eines durch Strahlung erhaltenen Bildes (d. h. eine phosphoreszierende Folie zur Bildspeicherung), umfassend eine anregbare phosphoreszierende Verbindung, verwendet und das Verfahren umfaßt die Schritte des Absorbierens der durch ein Objekt hindurch gegangenen oder von einem Objekt ausgesendeten Strahlung durch die anregbare phosphoreszierende Verbindung der Platte, des aufeinanderfolgenden Anregens der anregbaren phosphoreszierenden Verbindung mittels elektromagnetischer Strahlung, wie sichtbares Licht oder Infrarotstrahlung -(im Folgenden als "Anregungsstrahlung" bezeichnet), um die in der phosphoreszierenden Verbindung gespeicherte Strahlungsenergie als Lichtemission (angeregte Emission), des photoelektrischen Nachweisens des emittierten Lichts, um elektrische Signale zu erhalten und des Wiedergebens des durch Strahlung erhaltenen Bildes des Objekts mittels der elektrischen Signale in Form eines sichtbaren Bildes. Die ausgelesene Platte wird gelöscht und für den nächsten Photozyklus vorbereitet. Folglich kann die Platte zur Umwandlung eines durch Strahlung erhaltenen Bildes wiederholt verwendet werden.
- Nach der Strahlenexponierung führt das Bestrahlen mit Anregungsstrahlung zu einer angeregten Emission der anregbaren phosphoreszierenden Verbindung. In der Praxis werden phosphoreszierende Verbindungen verwendet, welche eine Emission von Strahlung mit einer Wellenlänge im Bereich vom 300 bis 500 nm aufweisen, wenn diese durch Anregungslicht mit Wellenlängen vom 400 bis 900 nm angeregt wurden.
- Die im Verfahren zur Aufzeichnung und Wiedergabe eines durch Strahlung erhaltenen Bildes verwendete Platte zur Umwandlung eines durch Strahlung erhaltenen Bildes umfaßt im Wesentlichen einen Träger und eine sich darauf befindliche phosphoreszierende Schicht (anregbare phosphoreszierende Schicht), wobei der Träger in Fällen, bei denen die phosphoreszierende Schicht selbsttragend ist, nicht unbedingt erforderlich ist. Die anregbare phosphoreszierende Schicht umfaßt eine in einem Bindemittel dispergierte anregbare phosphoreszierende Verbindung. Es ist auch eine anregbare phosphoreszierende Schicht bekannt, die durch Aufdampfen im Vakuum oder ein Sinterverfahren gebildet wird, kein Bindemittel enthält und eine aggregierte anregbare phosphoreszierende Verbindung umfaßt.
- Es ist des Weiteren eine Platte zur Umwandlung eines durch Strahlung erhaltenen Bildes bekannt, bei der die Zwischenräume zwischen den aggregierten anregbaren phosphoreszierenden Verbindungen ein Polymermaterial enthalten. Bei diesen phosphoreszierenden Schichten führt die Bestrahlung mit Anregungsstrahlung, nach Absorbieren von Strahlung, wie Röntgenstrahlung, ebenfalls zu einer angeregten Emission der anregbaren phosphoreszierenden Verbindung, so daß die Strahlung, die durch ein Objekt hindurch gegangen ist oder von dem Objekt ausgesendet worden ist, durch die anregbare phosphoreszierende Schicht der Platte zur Umwandlung eines durch Strahlung erhaltenen Bildes abhängig von der Strahlungsmenge absorbiert wird und ein durch Strahlung erhaltenes Bild des Objekts als Speicherbild der Strahlungsenergie auf der Platte gebildet wird. Das Speicherbild kann durch Bestrahlen mittels Anregungsstrahlung als angeregtes Emissionslicht freigesetzt werden, das photoelektrisch erfaßt und in elektrische Signale transformiert wird, um ein Bild des Speicherbilds der Strahlungsenergie zu erzeugen.
- Die Oberfläche der anregbaren phosphoreszierenden Schicht (d. h. die Oberfläche, die nicht mit dem Träger in Korntakt steht) wird herkömmlicherweise mit einer Schutzschicht, umfassend eine Polymerfolie oder eine anorganische Aufdampfmembran, versehen, um die phosphoreszierende Schicht vor chemischer Zersetzung und mechanischen Einwirkungen zu schützen.
- Beispiele für die in der Platte zur Umwandlung eines durch Strahlung erhaltenen Bildes verwendete anregbare phosphoreszierende Verbindung umfassen,
- (1) eine wie in der JP-A 55-12145 beschriebene phosphoreszierende Seltenerdmetall aktivierte Erdalkalimetallfluorhalogenidverbindung der Formel (Ba1- x,M²&spplus;x)FX:yA, worin M²&spplus; wenigstens ein aus Mg, Ca, Sr, Zn und Cd ausgewähltes Element ist; X wenigstens ein aus Cl, Br und I ausgewähltes Element ist; A wenigstens ein aus Eu, Tb, Ce, Tm, Dy, Pr, Ho, Nd, Yb und Er ausgewähltes Element ist; x und y Zahlen darstellen, die den Bedingungen 0 ≤ x ≤ 0,6 und 0 ≤ y ≤ 0,2 genügen; und die phosphoreszierende Verbindung die folgenden Zusatzstoffe enthalten kann:
- X', BeX" und M³X&sub3;''', wie in der JP-A 56-74175 beschrieben (worin X', X" bzw. X''' jeweils ein aus der Gruppe bestehend aus Cl, Br und I ausgewähltes Halogenatom sind; und M³ ein trivalentes Metall ist);
- ein Metalloxid, wie in der JP-A 55-160078 beschrieben, wie BeO, MgO, CaO, SrO, BaO, ZnO, Al&sub2;O&sub3;, Y&sub2;O&sub3;, La&sub2;O&sub3;, In&sub2;O&sub3;, SiO&sub2;, TiO&sub2;, ZrO&sub2;, GeO&sub2;, SnO&sub2;, Nb&sub2;O&sub5; oder ThO&sub2;;
- Zr und Sc, wie in der JP-A 56-116777 beschrieben;
- B, wie in der JP-A 57-23673 beschrieben; As und Si, wie in der JP-A 57-23675 beschrieben;
- M·L (worin M ein aus der Gruppe bestehend aus Li, Na, K, Rb und Cs ausgewähltes Alkalimetall ist; L ein aus der Gruppe bestehend aus Sc, Y, La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, Al, Ga, In und TI ausgewähltes trivalentes Metall ist), wie in der J-P-A 58-206678 beschrieben;
- eine kalzinierte Tetrafluorborsäureverbindung, wie in der JP-A 59-27980 beschrieben;
- ein kalziniertes monovalentes oder bivalentes Metallsalz der Hexafluorkieselsäure, Hexafluortitansäure oder Hexafluorzirkonsäure, wie in der JP-A 59- 27289 beschrieben;
- NaX', wie in der JP-A 59-56479 beschrieben (worin X' wenigstens ein aus Cl, Br und I ausgewähltes Element ist);
- ein Übergangsmetall, wie V, Cr, Mn, Fe, Co oder Ni, wie in der JP-A 59-56479 beschrieben;
- M¹X', M'²X", M³X''' und A, wie in der JP-A 59-75200 beschrieben (worin M¹ ein aus der Gruppe bestehend aus Li, Na, K, Rb und Cs ausgewähltes Alkalimetall ist; M'² ein aus der Gruppe bestehend aus Be und Mg ausgewähltes bivalentes Metall ist; M³ ein aus der Gruppe bestehend aus Al, Ga, In und TI ausgewähltes trivalentes Metall ist; A ein Metalloxid ist; X', X" bzw. X''' ein aus der Gruppe bestehend aus F, Cl, Br und I ausgewähltes Halogenatom sind); M¹X', wie in der JP-A 60-101173 beschrieben (worin M¹ ein aus der Gruppe bestehend aus Rb und Cs ausgewähltes Alkalimetall ist; und X' ein aus der Gruppe bestehend aus F, Cl, Br und I Halogenatom ist);
- M²'X'&sub2;·M²'X"&sub2; (worin M²' wenigstens ein aus der Gruppe bestehend aus Ba, Sr und Ca ausgewähltes Erdalkalimetall ist; X' bzw. X" ein aus der Gruppe bestehend aus Cl, Br und I ausgewähltes Halogenatom sind, und X' + X" sind); und
- LnX"&sub3;, wie in der japanischen Patentanmeldung Nr. 60-106752 beschrieben (worin Ln ein aus der Gruppe bestehend aus Sc, Y, La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb und Lu ausgewähltes Seltenerdmetall ist; X" ein aus der Gruppe bestehend aus F, Cl, Br und I ausgewähltes Halogenatom ist);
- (2) eine wie in der JP-A 60-84381 beschriebene phosphoreszierende bivalente Europium aktivierte Erdalkalimetallhalogenidverbindung der Formel M²X&sub2;· aM²'&sub2;:xEu²&spplus; (worin M² ein aus der Gruppe bestehend aus Ba, Sr und Ca ausgewähltes Erdalkalimetall ist; X und X' ein aus der Gruppe bestehend aus Cl, Br und I ausgewähltes Halogenatom und X ≠ X' sind; a bzw. x Zahlen sind, die den Bedingungen 0 ≤ a ≤ 0,1 und 0 ≤ x ≤ 0,2 genügen); die phosphoreszierende Verbindung die folgenden Zusatzstoffe enthalten kann;
- M¹X", wie in der JP-A 60-166379 beschrieben (worin M¹ ein aus der Gruppe bestehend aus Rb und Cs ausgewähltes Alkalimetall ist; X" ein aus der Gruppe bestehend aus F, Cl, Br und I ausgewähltes Halogenatom ist);
- KX", MgX&sub2;''' und M³X&sub3;"", wie in der JP-A 221483 beschrieben (worin M³ ein aus der Gruppe bestehend aus Sc, Y, La, Gd und Lu ausgewähltes trivalentes Metall ist; X", X''' bzw. X"" ein aus der Gruppe bestehend aus F, Cl, Br und I ausgewähltes Halogenatom sind);
- B, wie in der JP-A 60-228592 beschrieben;
- ein Oxid, wie SiO&sub2; oder P&sub2;O&sub5;, wie in der JP-A 60-228593 beschrieben;
- LiX" und NaX" (worin X" ein aus der Gruppe bestehend aus F, Cl, Br und I ausgewähltes Halogenatom ist);
- SiO, wie in der JP-A 61-120883 beschrieben;
- SnX&sub2;", wie in der JP-A 61-120885 beschrieben (worin X" ein aus der Gruppe bestehend aus F, Cl, Br und I ausgewähltes Halogenatom ist);
- CsX" und SnX&sub2;''', wie in der JP-A 61-235486 beschrieben (worin X" bzw. X''' ein aus der Gruppe bestehend aus F, Cl, Br und I ausgewähltes Halogenatom sind);
- CsX" und Ln³&spplus;, wie in der JP-A 61-235487 beschrieben (worin X" ein aus der Gruppe bestehend aus F, Cl, Br und I ausgewähltes Halogenatom ist; Ln ein aus der Gruppe bestehend aus Sc, Y, Ce, Pr, Nd, Sm, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb und Lu ausgewähltes Seltenerdmetall ist);
- (3) eine wie in der JP-A 55-12144 beschriebene phosphoreszierende Seltenerdmetall aktivierte Seltenerdmetalloxidhalogenidverbindung der Formel LnOX:xA (worin Ln wenigstens ein aus der Gruppe bestehend aus La, Y, Gd und Lu ausgewähltes Element ist; A wenigstens ein aus der Gruppe bestehend aus Ce und Tb ausgewähltes Element ist; und x eine Zahl ist, die der Bedingung 0 < x < 0,1 genügt);
- (4) eine wie in der JP-A 58-69281 beschriebene phosphoreszierende Cerium aktivierte Oxidhalogenidverbindung eines trivalenten Metalls der Formel M³OX:xCe (worin M³ ein aus der Gruppe bestehend aus Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb und Bi ausgewähltes oxidiertes Metall ist; X ein aus der Gruppe bestehend aus Cl, Br und I ausgewähltes Halogenatom ist; x eine Zahl ist, die der Bedingung 0 < x < 0,1 genügt);
- (5) eine wie in der Japanischen Patentanmeldung Nr. 60-70484 beschriebene phosphoreszierende Wismut aktivierte Alkalimetallhalogenidverbindung der Formel M¹X:xBi (worin M¹ ein aus der Gruppe bestehend aus Rb und Cs ausgewähltes Alkalimetall ist; X ein aus der Gruppe bestehend aus Cl, Br und I ausgewähltes Halogenatom ist; x eine Zahl ist, die der Bedingung 0 < x ≤ 0,2 genügt);
- (6) eine wie in der J-P-A 60-141783 beschriebene phosphoreszierende bivalente Europium aktivierte Erdalkalimetallhalogenphosphatverbindung der Formel M²&sub5;(PO&sub4;)&sub3;X:xEu²&spplus; (worin M² ein aus der Gruppe bestehend aus Ca, Sr und Ba ausgewähltes Erdalkalimetall ist; X ein aus der Gruppe bestehend aus F, Cl, Br und I ausgewähltes Halogenatom ist; x eine Zahl ist, die der Bedingung 0 < x ≤ 0,2 genügt);
- (7) eine wie in der JP-A 60-157099 beschriebene phosphoreszierende bivalente Europium aktivierte Erdalkalimetallhalogenboratverbindung der Formel M²&sub2;BO&sub3;X:xEu²&spplus; (worin M² ein aus der Gruppe bestehend aus Ca, Sr und Ba ausgewähltes Erdalkalimetall ist; X ein aus der Gruppe bestehend aus Cl, Br und I ausgewähltes Halogenatom ist; x eine Zahl ist, die der Bedingung 0 < x ≤ 0,2 genügt);
- (8) eine wie in der JP-A 60-157100 beschriebene phosphoreszierende bivalente Europium aktivierte Erdalkalimetallhalogenphosphatverbindung der Formel M²&sub2;PO&sub4;X:xEu²&spplus; (worin M² ein aus der Gruppe bestehend aus Ca, Sr und Ba ausgewähltes Erdalkalimetall ist; X ein aus der Gruppe bestehend aus Cl, Br und I ausgewähltes Halogenatom ist; x eine Zahl ist, die der Bedingung 0 < x ≤ 0,2 genügt);
- (9) eine wie in der JP-A 60-217354 beschriebene hydrierte phosphoreszierende bivalente Europium aktivierte Erdalkalimetallhalogenidverbindung der Formel M²HX:xEu²&spplus; (worin M² ein aus der Gruppe bestehend aus Ca, Sr und Ba ausgewähltes Erdalkalimetall ist; X ein aus der Gruppe bestehend aus Cl, Br und I ausgewähltes Halogenatom ist; x eine Zahl ist, die der Bedingung 0 < x ≤ 0,2 genügt);
- (10) eine wie in der JP-A 61-21173 beschriebene phosphoreszierende Cerium aktivierte Seltenerdmetallkomplexhalogenidverbindung der Formel LnX&sub3;·aLn'X&sub3;':xCe³&spplus; (worin Ln bzw. Ln' ein aus der Gruppe bestehend aus Y, La, Gd und Lu ausgewähltes Seltenerdmetall sind; X bzw. X' ein aus der Gruppe bestehend aus F, Cl, Br und I ausgewähltes Halogenatom sind und X ≠ X'; a bzw. x Zahlen sind, die den Bedingungen 0,1 < a ≤ 10,0 und 0 < x ≤ 0,2 genügen);
- (11) eine wie in der JP-A 61-21182 beschriebene phosphoreszierende Cerium aktivierte Seltenerdmetallkomplexhalogenidverbindung der Formel LnX&sub3;·aM¹X':xCe³&spplus; (worin Ln bzw. Ln' ein aus der Gruppe bestehend aus Y, La, Gd und Lu ausgewähltes Seltenerdmetall sind; M¹ ein aus der Gruppe bestehend aus Li, Na, K, Cs und Rb ausgewähltes Alkalimetall ist; X bzw. X' ein aus der Gruppe bestehend aus Cl, Br und I ausgewähltes Halogenatom sind; a bzw. x Zahlen sind, die den Bedingungen 0,1 < a ≤ 10,0 und 0 < x ≤ 0,2 genügen);
- (12) eine wie in der JP-A 61-40390 beschriebene phosphoreszierende Cerium aktivierte Seltenerdmetallhalogenphosphatverbindung der Formel LnPO&sub4;·aLnX3:xCe³&spplus; (worin Ln ein aus der Gruppe bestehend aus Y, La, Gd und Lu ausgewähltes Seltenerdmetall ist; X ein aus der Gruppe bestehend aus F, Cl, Br und I ausgewähltes Halogenatom ist; a bzw. x Zahlen sind, welche den Bedingungen 0,1 < a ≤ 10,0 und 0 < x ≤ 0,2 genügen);
- (13) eine wie in der japanischen Patentanmeldung Nr. 60-78151 beschriebene phosphoreszierende bivalente Europium aktivierte Cäsiumrubidiumhalogenidverbindung der Formel CsX:aRbX':xEu&sup5;&sup9; (worin X bzw. X' ein aus der Gruppe bestehend aus Cl, Br und I ausgewähltes Halogenatom sind; a bzw. x Zahlen sind, die den Bedingungen 0,1 < a ≤ 10,0 und 0 < x ≤ 0,2 genügen);
- (14) eine wie in der japanischen Patentanmeldung Nr. 60-78153 beschriebene phosphoreszierende bivalente Europium aktivierte Komplexhalogenidverbindung der Formel M²X&sub2;·aM¹X':xEu²&spplus; (worin M² ein aus der Gruppe bestehend aus Ba, Sr und Ca ausgewähltes Erdalkalimetall ist; M¹ ein aus der Gruppe bestehend aus Li, Rb und Cs ausgewähltes Alkalimetall ist; X bzw. X' ein aus der Gruppe bestehend aus Cl, Br und I ausgewähltes Halogenatom sind; a bzw. x Zahlen sind, die den Bedingungen 0,1 < a ≤ 20,0 und 0 < x ≤ 0,2 genügen).
- Um eine erhöhte angeregte Emission einer Platte zur Umwandlung eines durch Strahlung erhaltenen Bildes zu erhalten, ist es bei herkömmlichen anregbaren phosphoreszierenden Verbindungen unerläßlich, einen in der phosphoreszierenden Verbindung enthaltenen Aktivator anzuregen. Beispielsweise ist ein Seltenerdmetall, wie Eu oder Ce, als Aktiator in einer Menge von 1 · 10&supmin;² bis 1 · 10&supmin;&sup8; mol in einer phosphoreszierenden BaFBr-Verbindung enthalten, wobei der Aktivator nach der Kalzinierungsbehandlung in Form von Eu²&spplus; oder Ce²&spplus; in dem BaFBr-Kristallkörper eingeschlossen ist, wodurch eine erhöhte angeregte Emission erreicht wird.
- Bei herkömmlichen Kalzinierungsverfahren werden phosphoreszierende Rohmaterialien abgewogen und vermischt und dann nach Kalzinieren in einem Festbettelektroofen unter Verwendung eines Mörsers pulverisiert und anschließend als phosphoreszierende Verbindung verwendet. Die hierin verwendete Bezeichnung "Festbett" bedeutet, daß eine Pulverprobe in ein Gefäß oder eine wannenförmige Schale gegeben und so kalziniert wird. Dabei kann ein elektrischer Muffelofen oder ein Nietglühofen als Kalzinierapparat verwendet werden. Des Weiteren wird die phosphoreszierende Verbindung entweder vor oder nach der Kalzinierung gegebenenfalls einer Naßmisch-, Wasch-, Trocken- oder Siebbehandlung unterworfen. In einigen Fällen wird die phosphoreszierende Verbindung nach dem Kalzinieren und Pulverisieren einer weiteren Kalzinierungsbehandlung unterworfen, um den Kalzinierungsgrad zu erhöhen. Das herkömmliche Kalzinierungsverfahren ist in JP-B 1-26640, 63-55555 und 63-28955 beschrieben (hierin bezeichnet der Ausdruck "JP-B" ein geprüftes und veröffentlichtes Japanisches Patent).
- Obwohl der Emissionsmechanismus der anregbaren phosphoreszierenden Verbindung nicht vollständig aufgeklärt ist, wird angenommen, daß es notwendig ist, daß Ba durch einen Aktivator, wie Eu, in der Kristallstruktur substituiert und daß Eu von Eu³&spplus; zu Eu²&spplus; reduziert werden. Die Substitution und Reduktion kann durch Kalzinierung bei hohen Temperaturen unter einer reduzierenden Gasatmosphäre durchgeführt werden. Durch Messen der Emissionsintensität der phosphoreszierenden Verbindung kann auf das Ausmass der Aktivierungsbehandlung geschlossen werden.
- Die im Stand der Technik bekannten anregbaren phosphoreszierenden Verbindungen weisen aufgrund der ungenügenden Aktivierung der phosphoreszierenden Verbindung durch die Kalzinierung eine geringe Empfindlichkeit auf. Insbesondere war in einer phosphoreszierenden BaFX- Verbindung nach Erzeugung eines Aktivators die Menge an Eu²&spplus; ungenügend. Um die Menge von absorbierten Röntgenstrahlen in einer Platte zur Umwandlung eines durch Strahlung erhaltenen Bildes zu erhöhen, wurde versucht, ein Halogenelement durch ein anderes Element mit einer höheren Ordnungszahl zu substituieren. Beispielsweise wurde versucht, phosphoreszierende Verbindungen, wie BaF(Brx, I1-x):Eu²&spplus; und BaFI:Eu²&spplus;, durch Substituieren eines Teiles von X durch I (Iod) herzustellen, die Erzeugung von Eu²&spplus; war jedoch ungenügend und führte zu einer unannehmbar geringen Empfindlichkeit.
- Die Gründe für die ungenügende Kalzinierung gemäß dem Stand der Technik sind laut den Erfindern der vorliegenden Erfindung die folgenden:
- 1) Bei der Kalzinierung ist der Temperaturunterschied zwischen der Oberfläche und dem Inneren des auf der Schale befindlichen Pulverbetts zu groß;
- 2) für eine Atmosphäre eines Behandlungsgases, wie eines Reduktionsgases, ist es schwierig, das Innere des Pulverbettes zu erreichen;
- 3) eine vollständige Kalzinierung und Reduktion ist im Inneren von oder zwischen den Pulverpartikeln schwierig zu erreichen, da das Sintern zusammen mit der Kalzinierung bei eine hohen Temperatur erfolgt; und
- 4) das für die Aktivierung benötigte lange Erwärmen führt im Falle von BaFX zur Freisetzung einer Menge von Halogengas aus dem Rohmaterial und das Gas lagert sich, ohne sich auszubreiten, im Inneren des Pulverbettes ab, was zu einem Verlust und Verschlechterung der gewünschten Eigenschaften führt.
- Je kleiner die anregbaren phosphoreszierenden Partikel sind, desto vorteilhafter ist dies im Allgemeinen hinsichtlich der Körnigkeit und Bildschärfe, wodurch das Füllungsverhältnis der phosphoreszierenden Verbindung in einer phosphoreszierenden Schicht erhöht werden kann. Eine Erhöhung des Füllungsverhältnisses der phosphoreszierenden Verbindung in einer phosphoreszierenden Schicht führt zu verbesserten Eigenschaften, wie beispielsweise eine Erhöhung der Emissionsintensität. Die oben beschriebene phosphoreszierende Verbindung weist eine durchschnittliche Teilchengröße von 3 bis 7 um auf. Um das Füllungsverhältnis zu erhöhen, wird der Anteil des Bindemittels verringert und die phosphoreszierende Schicht wird einer Druckbehandlung unterworfen, um Zwischenräume zu reduzieren. Wenn jedoch phosphoreszierende Teilchen mit einer Größe von 3 um oder mehr einer Druckbehandlung unterworfen werden, können die phosphoreszierenden Teilchen keine ebenen Teilchen mehr ausbilden, wodurch die Bildschärfe der Platte zur Umwandlung eines durch Strahlung erhaltenen Bildes verschlechtert wird. Es ist deshalb wünschenswert, die phosphoreszierende Schicht ohne Druckeinwirkung zu bilden. Das Füllungsverhältnis kann folgreich durch gleichzeitiges Einarbeiten von phosphoreszierenden Teilchen einer geringeren Größe erhöht werden. Es zeigte sich jedoch, daß die Verwendung von kleineren phosphoreszierenden Teilchen zu Schwierigkeiten dergestalt führten, daß sich die nach Bestrahlung mit Röntgenstrahlen ausgesendete unmittelbare Emission erhöhte und sich die angeregte Emission verringerte, so daß das Nachleuchten der unmittelbaren Emission beim Auslesen des durch Strahlung erhaltenen Bildes Rauschen darstellte.
- Die vorliegende Erfindung betrifft eine Platte zur Umwandlung eines durch Strahlung erhaltenen Bildes durch die Verwendung einer anregbaren phosphoreszierenden Verbindung und es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Platte zur Umwandlung eines durch Strahlung erhaltenen Bildes bereitzustellen, die bezüglich Empfindlichkeit ein hervorragendes Abbildungsvermögen aufweist.
- Die vorliegende Erfindung stellt eine Platte zur Umwandlung eines durch Strahlung erhaltenen Bildes gemäß Anspruch 1 und ein Verfahren zur Herstellung dieser Platte zur Umwandlung eines durch Strahlung erhaltenen Bildes gemäß Anspruch 8 bereit.
- Bevorzugte Ausführungsformen der Platte zur Umwandlung eines durch Strahlung erhaltenen Bildes sind in den abhängigen Ansprüchen 2 bis 7 beschrieben.
- Die erfindungsgemäße Platte zur Umwandlung eines durch Strahlung erhaltenen Bildes umfaßt einen Träger, der mit einer phosphoreszierenden Schichtversehen ist, welche ein Bindemittel und eine anregbare phosphoreszierende Verbindung enthält, wobei die phosphoreszierende Schicht eine unmittelbare Emission mit der maximalen Intensität (Int.) in folgendem Bereich aufweist:
- 500 ≤ Int. ≤ 5000,
- wenn die phosphoreszierende Schicht durch Licht mit einer maximalen Anregungswellenlänge (λ1) angeregt wird, vorausgesetzt, daß diese Intensität der maximalen Emissionsintensität bei einer Wellenlänge im Bereich von 185 bis 800 nm entspricht, außer für Wellenlängen von λ1 und 2 · λ1. Die maximale Anregungswellenlänge kann unter Verwendung eines Fluorophotometers wie folgt bestimmt werden. Die phosphoreszierende Schicht wird angeregt, indem sie monochromatischem Licht ausgesetzt wird, welches durch einen Monochromator spektral zerlegt wird, und die Intensität der von der phosphoreszierenden Schicht emittierten unmittelbaren Emission wird mit dem Fluorophotometer bei unterschiedlichen Wellenlängen des Lichts gemessen, worin die Wellenlänge, bei der die maximale Emission erhalten wird, der maximalen Anregungswellenlänge, λ1, entspricht. Hierin wird die Intensität, Int., als relativer Wert angegeben, der darauf beruht, daß der mit Licht einer Wellenlänge von 350 nm gemessenen Peak-Intensität der Raman-Streuung von Wasser der Wert 1 zugeordnet wird. In den Fällen, in denen die Platte zur Umwandlung eines durch Strahlung erhaltenen Bildes mit einer Schutzschicht versehen ist, wird die Schutzschicht entfernt, so daß die phosphoreszierende Schicht die äußerste Schicht der Platte wird. Des Weiteren muß in Fällen, bei denen wenigstens eine der aufbauenden Schichten gefärbt ist, die gefärbte Schicht vor der Messung der Intensität entfernt werden.
- Ein Precursor der durch die oben beschriebene Formel (1) dargestellten anregbaren phosphoreszierenden Verbindung kann im Flüssigphasenverfahren oder im Festphasenverfahren hergestellt werden. Vorzugsweise wird die anregbare phosphoreszierende Verbindung gemäß dem Flüssigphasenverfahren hergestellt. Die beispielhaften Herstellungsverfahren 1 und 2 des Precursors der anregbaren phosphoreszierenden Verbindung werden nachfolgend erläutert.
- Das Verfahren umfaßt die Schritte:
- (a) Herstellen einer wäßrigen Ausgangslösung, die wenigstens 2 N BaX&sub2; (vorzugsweise wenigstens 2,7 N BaX&sub2;) und ein Eu-Halogenid enthält, unter der Voraussetzung, daß die Ausgangslösung des Weiteren ein Halogenid von M² enthält, wenn x der Formel (1) nicht Null ist,
- (b) Zugeben einer wäßrigen Lösung, die wenigstens 5 N anorganisches Fluorid (vorzugsweise ein Ammoniumfluorid oder ein Alkalimetallfluorid) enthält, zu der Ausgangslösung, wobei die Temperatur der Ausgangslösung bei 50 ºC oder mehr (vorzugsweise 80 ºC oder mehr) gehalten wird, um ein kristallines Präzipitat eines Precursors einer anregbaren phosphoreszierenden Seltenerdmetall aktivierten Erdalkalimetallfluorhalogenidverbindungzu bilden,
- (c) Abtrennen des Präzipitats des Precursors von der Ausgangslösung, und
- (d) Kalzinieren des abgetrennten Präzipitats unter Bewegen oder Verflüssigen bei 600 bis 1100ºC (Kalzinierung des Präzipitats, wobei das Sintern des Präzipitats verhindert wird).
- Das Verfahren umfaßt die Schritte:
- (a) Herstellen einer wäßrigen Ausgangslösung, die wenigstens 3 N Ammoniumhalogenid (vorzugsweise wenigstens 4 N) und ein Eu-Halogenid (d. h. ein Chlorid, Bromid oder Iodid davon) enthält, unter der Voraussetzung, daß die Stammlösung des Weiteren ein Halogenid von M² enthält, wenn x der Formel (1) nicht Null ist, die Ausgangslösung des Weiteren eine Alkoxidverbindung von M² enthält, wenn y nicht Null ist, und die Ausgangslösung des Weiteren ein Halogenid von M³ enthält, wenn z nicht Null ist,
- (b) Zugeben einer wäßrigen Lösung, die wenigstens 5 N (vorzugsweise wenigstens 8 N) anorganisches Fluorid (Ammoniumfluorid oder Alkalimetallfluorid) enthält und einer wäßrigen BaX&sub2; enthaltenden Lösung zu der Ausgangslösung, wobei die Temperatur der Ausgangslösung bei 50ºC oder mehr gehalten wird (vorzugsweise werden die Lösungen so zugegeben, daß das Verhältnis von Fluor der ersten Lösung zu Barium der zweiten Lösung konstant gehalten wird), um ein kristallines Präzipitat eines Precursors einer anregbaren phosphoreszierenden Seltenerdmetall aktivierten Erdalkalimetallfluorhalogenidverbindung zu bilden,
- (c) Abtrennen des Präzipitats des Ausgangslösung, und
- (d) Kalzinieren des abgetrennten Präzipitats unter Bewegen oder Verflüssigen bei 600 bis 1100ºC (Kalzinierung des Präzipitats, wobei das Sintern des Präzipitats verhindert wird).
- Das Eu-Halogenid kann zu jedem Zeitpunkt während der Bildung des Präzipitats zugegeben werden. Folglich kann das Halogenid vor dem Beginn der Reaktion, zum Zeitpunkt der Zugabe einer wäßrigen Lösung des anorganischen Fluorids (vorzugsweise Ammoniumfluorid oder Alkalimetallfluorid) oder zum Zeitpunkt der Zugabe der wäßrigen Lösung des anorganischen Fluorids und einer wäßrigen BaX&sub2;- Lösung oder danach zu der Reaktionsausgangslösung gegeben werden. Die oben erwähnten Lösungsmittel sind nicht auf Wasser beschränkt, und es können auch Alkohole und Ester verwendet werden.
- Die Teilchengröße der in der Erfindung verwendeten phosphoreszierenden Verbindung kann mittels Elektronenmikroskopie gemessen werden und ist als (I + w)/2 definiert, worin I die längste Achse und w die längste Achse vertikal zu der Achse (I) ist. Die durchschnittliche Teilchengröße entspricht einem Durchschnittswert der Durchmessern von 200 als Kugeln angenäherten Teilchen, die zufällig aus der elektronenmikroskopischen Aufnahme ausgewählt wurden.
- Die erfindungsgemäßen phosphoreszierenden Teilchen (Kristalle) sind vorzugsweise monodispers und der Variationskoeffizient der Teilchengröße beträgt 20% oder weniger, vorzugsweise 15% oder weniger. Der Variationskoeffizient der Teilchengröße entspricht der Standardabweichung der Teilchengrößen, geteilt durch die durchschnittliche Teilchengröße, multipliziert mit 100 (%).
- Neben den oben beschriebenen Flüssigphasenverfahren kann die phosphoreszierende Verbindung auch durch das Festphasenverfahren hergestellt werden. Hinsichtlich der Herstellung durch das Festphasenverfahren wird auf die zuvor erwähnten JP-A-Schriften (1) bis (14) verwiesen. Des Weiteren wird bezüglich des Flüssigphasenverfahrens auf die Japanische Patentanmeldung Nr. 8-265525, Absätze [0050] bis [0059] verwiesen.
- Die durch die oben beschriebene Formel (1) dargestellte anregbare phosphoreszierende Seltenerdmetall aktivierte Erdalkalimetallfluorhalogenidverbindung kann auch gemäß dem Verfahren (Verfahren 1) hergestellt werden, umfassend (a) Herstellen einer wäßrigen Lösung, die ein Ammoniumhalogenid (NH&sub4;Cl, NH&sub4;Br oder NH&sub4;I) und ein Eu-Halogenid enthält, wobei die Konzentration des Ammoniumhalogenids 3 N oder mehr beträgt, unter der Voraussetzung, daß die Ausgangslösung des Weiteren ein Halogenid von M² enthält, wenn x nicht Null ist; (b) kontinuierliches oder diskontinuierliches Zugeben einer wäßrigen Lösung eines anorganischen Fluorids und einer wäßrigen BaX&sub2;-Lösung zu der oben beschriebenen wäßrigen Lösung, wobei die Temperatur konstant gehalten wird und das Verhältnis von Fluor der ersten Lösung zu Barium der zweiten Lösung beibehalten wird, um ein Präzipitat der Precursor-Kristalle der anregbaren phosphoreszierenden Seltenerdmetall aktivierten Erdalkalimetallfluorhalogenidverbindang zu bilden; (c) Abtrennen des Präzipitats der Precursor-Kristalle aus der wäßrigen Mischlösung; und (d) Kalzinieren des abgetrennten Präzipitats, wobei das Sintern des Präzipitats verhindert wird.
- Dieses Verfahren wird nun ausführlicher erläutert.
- Zunächst wird (werden) ein Material (Materialien), das (die) nicht eine Fluoridverbindung ist (sind), und BaI&sub2; und Ammoniumhalogenid (NH&sub4;Br, NH&sub4;Cl oder NH&sub4;I) in einem wäßrigen Medium gelöst. Folglich werden sowohl ein Ammoniumhalogenid als auch ein Eu-Halogenid (und, wenn notwendig, ein Halogenid von M¹, eine Alkoxidverbindung von M² oder ein Halogenid von M³) zu einem wäßrigen Medium gegeben und unter Mischen gelöst, um eine wäßrige Lösung herzustellen. In diesem Fall sind die Mengen des Ammoniumhalogenids und des wäßrigen Lösungsmittels voreingestellt, um eine Konzentration des Ammoniumhalogenids von 3 N oder mehr zu erhalten. Eine geringe Menge an Säure, Ammoniak, Alkohol, wasserlöslichem Polymer oder ein fein gekörntes Pulver eines wasserunlöslichen Metalloxids kann dazu gegeben werden. Die Lösung (Reaktionsausgangslösung) wird bei einer konstanten Temperatur gehalten.
- Dann wurden eine wäßrige Lösung eines anorganischen Fluorids (wie Ammoniumfluorid oder Alkalimetallfluorid) und eine wäßrige Lösung aus BaI&sub2; zusammen kontinuierlich oder diskontinuierlich durch einen mit einer Pumpe versehenen Schlauch in die unter Rühren bei 50ºC gehaltene Reaktionsausgangslösung eingeführt, wobei das Verhältnis der Lösungen so eingestellt wird, daß das Verhältnis von Fluorid zu BaI&sub2; konstant bleibt. Die wäßrige Lösung wird vorzugsweise an einer gut gerührten Stelle zugegeben. Die Zugabe der wäßrigen Fluoridlösung in die Reaktionsausgangslösung führt zu einem Präzipitieren der Precursor-Kristalle, der durch die Formel (1) dargestellten phosphoreszierenden Seltenerdmetall aktivierten Erdalkalimetallfluoriodidverbindung.
- Dann werden mit dem durch das in der Japanischen Patentanmeldung 8-265525 beschriebene Flüssigphasenverfahren erhaltenen Precursor-Kristalle der phosphoreszierenden Verbindung in ein hitzebeständiges Gefäß, wie ein Quarztopf, einen Aluminiumtiegel oder einen Quarztiegel beladen und dann zum Kalzinieren in die Mitte eines Elektoofens eingebracht, ohne dabei das Sintern der Kristalle zu verursachen. Die zuvor erwähnten Precursor der phosphoreszierenden Verbindung oder die im Folgenden beschriebene Feststoffmischung aus BaF&sub2;, BaI&sub2; und EuF&sub3;, werden der Kalzinierungsbehandlung unterworfen.
- Die Kristalle werden bei einer Temperatur zwischen 600 und 1100ºC, vorzugsweise zwischen 600 und 1000ºC, kalziniert. Die Zeitdauer der Kalzinierung hängt ab von der Beladungsmenge der Rohmaterialmischung der phosphoreszierenden Verbindung und der Temperatur zum Zeitpunkt des Entfernens aus dem Ofen und beträgt vorzugsweise zwischen 0,5 und 12 Stunden.
- Die Kalzinierung wird unter einer vorgegebenen Atmosphäre durchgeführt, z. B. in einer neutralen Atmosphäre, wie einer Stickstoffgasatmosphäre, einer Argongasatmosphäre oder einer Stickstoffgasatmosphäre mit einer geringen Menge Wasserstoffgas, einer schwach reduzierenden Atmosphäre, wie einer Kohlendioxidatmosphäre mit einer geringen Menge von Kohlenmonoxid; oder einer Atmosphäre, in die eine geringe Menge Sauerstoff eingeführt wird. Eine schwach reduzierende Atmosphäre ist besonders bevorzugt.
- Eine Wärmequelle, wie herkömmliche Elektroöfen und Verbrennungsöfen, werden verwendet. Beispiele für die Vorrichtung zum Bewegen oder Verflüssigen des kalzinierten Pulvers umfassen:
- 1) Bewegen des Schwerpunkts der Pulverprobe in einer Schale oder einem bootförmigen Gefäß in einem Elektroofen, wobei diese mit einer Rühr- oder einer Schüttelvorrichtung versehen sind;
- 2) Bewegen des Schwerpunkts der Pulverprobe in einer Schale oder einem bootförmigen Gefäß, in dem ein Gas auf oder in die Probe geblasen wird; und
- 3) Verwenden eines elektrischen Drehofens (Rotationskalzinierofen), beispielsweise ein mittels Dreh- und Pendelbewegungen bewegtes Reaktionsgefäß in einem Elektroofen, um das Pulver durchzurühren und durchzumischen.
- Der elektrische Drehofen kann beispielsweise unter den folgenden Bedingungen verwendet werden:
- Drehgeschwindigkeit: 1-50 rpm, vorzugsweise 1-20 rpm,
- Reaktionsgefäß: Quarz oder SUS (rostfreier Stahl), wobei dieses mit einem Rotor zum Rühren versehen sein kann. Kügelchen oder Kugeln (aus Quarz oder Keramik) mit einem Durchmesser von 5 bis 30 mm können zusätzlich beim Rühren und Mischen vorhanden sein, wodurch das übermäßige Sintern verhindert werden kann. Der Grund, daß das Pulver während der Kalzinierung bewegt und verflüssigt wird, besteht darin, daß die Hitze und atmosphärisches Gas, wie ein Reduktionsgas, das Innere der Teilchen in ausreichendem und gleichmäßigem Maße erreichen kann, wenn die Pulverteilchen während der Kalzinierung gerührt werden, was zu einer vollständigen Kalzinierung innerhalb einer kurzen Zeitdauer führt. Dies wirkt sich auch vorteilhaft auf die Struktur der phosphoreszierenden Verbindung, die Eliminierung eines Elements und die Verhinderung des übermäßigen Sinterns aus.
- Gemäß dem oben beschriebenen Kalzinierverfahren, kann die gewünschte anregbare phosphoreszierende Verbindung erhalten werden. Unter den anregbaren phosphoreszierenden Verbindungen weisen eine phosphoreszierende bivalente Europium aktivierte Erdalkalimetallfluorhalogenidverbindung, eine phosphoreszierende Iodid enthaltende bivalente Europium aktivierte Erdalkalimetallfluorhalogenidverbindung, eine phosphoreszierende Iodid enthaltende Seltenerdmetall aktivierte Seltenerdoxidhalogenidverbindung und eine phosphoreszierende Iodid enthaltende Wismut aktivierte Alkalimetallhalogenidverbindung eine angeregte Emission mit hoher Intenstität auf.
- Als Träger für die erfindungsgemäße Platte zur Umwandlung eines durch Strahlung erhaltenen -Bildes werden verschiedene Polymermaterialien, Gläser und Metalle verwendet. Materialien, die in eine flexible Folie oder in ein flexibles Band umgewandelt werden können sind bei der Verwendung als Informationsaufzeichnungsmaterial besonders bevorzugt. Vor diesem Hintergrund sind Kunststoffharzfolien, wie Celluloseacetatfolien, Polyesterfolien, Polyamidfolien, Polyimidfolien, Triacetatfolien oder Polycarbonatfolien; Metallfolien, wie Aluminium-, Eisen-, Kupfer- oder Chromfolien; oder Metallfolien mit einer Deckschicht aus den Metalloxiden dieser Metalle, bevorzugt.
- Die Dicke des Trägers hängt von den Materialeigenschaften bezüglich der Handhabung ab und beträgt im Allgemeinen 80 bis 1000 um, vorzugsweise 80 bis 500 um. Die Oberfläche des Trägers kann glänzend oder matt sein, um die Haftfähigkeit für eine anregbare phosphoreszierende Schicht zu erhöhen. Der Träger kann mit einer unter der anregbaren phosphoreszierenden Schicht liegenden Grundierung versehen sein, um die Haftfähigkeit für die phosphoreszierende Schicht zu erhöhen.
- Beispiele für Bindemittel, die in der erfindungsgemäßen anregbaren phosphoreszierenden Schicht verwendet werden können, beinhalten Proteine, wie Gelatin, Polysaccharide, wie Dextran, natürliche Polymere, wie Gummi arabicum und synthetische Polymere, wie Polyvinylbutyral, Polyvinylacetat, Nitrocellulose; Ethylcellulose, Vinylidenchlorid/Vinylchlorid-Copolymer, Polyalkyl(meth)acrylat, Vinylchlorid/Vinylacetat-Copolymer, Polyurethan, Celluloseacetatbutyrat, Polyvinylalkohol und lineare Polyester. Von diesen Bindemitteln sind Nitrocellulose, lineares Polyester, Polyalkyl(meth)acrylat, eine Mischung aus Nitrocellulose und einen linearen Polyester, eine Mischung aus Nitrocellulose und Polyalkyl(meth)acrylat und eine Mischung aus Polyurethan und Polyvinylbutyral bevorzugt. Das Bindemittel kann mit einem Vernetzungsmittel ausgehärtet werden.
- Die anregbare phosphoreszierende Schicht kann beispielsweise auf die folgende Art und Weise auf die Grundierung aufgetragen werden. Eine Iodid enthaltende anregbare phosphoreszierende Verbindung, eine Verbindung zur Verhinderung einer Gelbfärbung, wie ein Phosphitester, und ein Bindemittel werden in ein geeignetes Lösungsmittel gegeben, um eine Beschichtungslösung, in der die phosphoreszierenden Teilchen und die Teilchen der Verbindung (der Verbindungen) gleichmäßig in einer Bindemittellösung dispergiert sind, herzustellen.
- Das Bindemittel wird in einer Menge von 0,01 bis 1 Gew.-Teilen pro 1 Gew.-Teil der anregbaren phosphoreszierenden Verbindung verwendet. Eine geringere Menge des Bindemittels wird hinsichtlich der Empfindlichkeit und Bildschärfe der Platte zur Umwandlung eines durch Strahlung erhaltenen Bildes bevorzugt und Gew.-Teile im Bereich von 0,03 bis 0,2 sind hinsichtlich der leichteren Beschichtung bevorzugt.
- Das Verhältnis des Bindemittels zu der anregbaren phosphoreszierenden Verbindung (unter der Voraussetzung, daß das Verhältnis dem Verhältnis der Verbindung zu der phosphoreszierenden Verbindung entspricht, wenn das gesamte Bindemittel eine Epoxidgruppen enthaltende Verbindung ist) hängt von den Eigenschaften der gewünschten Platte zur Umwandlung eines durch Strahlung erhaltenen Bildes, der Art der phosphoreszierenden Verbindung und der Zugabemenge der Epoxidgruppen enthaltenden Verbindung ab. Beispiele für Lösungsmittel, die für die Herstellung der Beschichtungslösung verwendet werden können, beinhalten niedere Alkohole, wie Methanol, Ethanol, 1-Propanol, 2-Propanol und n-Butanol; Chor enthaltende Kohlenwasserstoffe, wie Methylenchlorid und Ethylenchlorid; Ketone, wie Aceton, Methylethylketon, Methylisobutylketon; Ester von niederen Fettsäuren und niederen Alkoholen, wie Methylacetat, Ethylacetat und Butylacetat; Ether, wie Dioxan, Ethylenglycolethylether und Ethylenglycolmonomethylether; Toluol; und Mischungen davon.
- In der Beschichtungslösung können eine Vielzahl von Additiven enthalten sein, wie ein Dispergiermittel zur Verbesserung der Dispergierbarkeit der phosphoreszierenden Verbindung in der Beschichtungslösung und ein Weichmacher zur Erhöhung der Bindungsstärke zwischen dem Bindemittel und der phosphoreszierenden Verbindung. Beispiele für das Dispergiermittel beinhalten Phthalsäure, Stearinsäure, Capronsäure und olefinische oberflächenaktive Mittel. Beispiele für Weichmacher beinhalten Phosphatester, wie Triphenylphosphat, Tricresylphosphat und Diphenylphosphat; Phthalatester, wie Diethylphthalat, Dimethoxyethylphthalat; Glycolsäureester, wie Ethylphthalylethylglycolat und und Dimethoxyethylglycolat; und Polyester aus Polyethylenglycol und aliphatischen dibasischen Säuren, wie Polyester aus Triethylenglycol und Adipinsäure und ein Polyester aus Diethylenglycol und Bernsteinsäure.
- In der Beschichtungslösung für die Bildung der anregbaren phosphoreszierenden Schicht können Stearinsäure, Phthalsäure, Capronsäure und olefinische oberflächenaktive Stoffe enthalten sein, um die Dispergierbarkeit der anregbaren phosphoreszierenden Partikel zu verbessern. Gegebenenfalls können Weichmacher enthalten sein. Beispiele für Weichmacher beinhalten Phthalatester, wie Diethylphthalat und Dibutylphthalat; aliphatische dibasische Säureester, wie Diisodecylsuccinat und Dioctyladipinat; und Glycolsäureester, wie Ethylphthalylethylglycolat und Butylphthalylbutylglycolat.
- Die wie oben hergestellte Beschichtungslösung wurde gleichmäßig auf die Oberfläche der Grundierung aufgetragen, um eine Beschichtung zu bilden. Die Beschichtung kann unter Verwendung von herkömmlichen Beschichtungsmitteln, wie einem Rakel, einer Rolle oder einem Spachtel, durchgeführt werden. Anschließend wird die Beschichtung schrittweise getrocknet, um die Bildung der anregbaren phosphoreszierenden Schicht auf der Grundierung abzuschließen. Die Beschichtungslösung für die Bildung der anregbaren phosphoreszierenden Schicht kann unter Verwendung einer Dispergiervorrichtung, wie eine Kugelmühle, eine Sandmühle, einen Atritor, einer Dreiwalzenmühle, einem Hochgeschwindigkeitskreiselrührer, einer Kady-Mühle und einem Ultraschallhomogenisator, hergestellt werden. Die hergestellte Beschichtungslösung wird unter Verwendung eines Rakels, einer Rolle oder eines Spachtels auf den Träger aufgetragen und getrocknet, um die anregbare phosphoreszierende Schicht zu bilden. Danach kann die obige Beschichtungslösung auf eine Deckschicht aufgetragen und getrocknet werden, wodurch die anregbare phosphoreszierende Schicht an dem Träger haftet. Die Dicke der anregbaren phosphoreszierenden Schicht der Platte zur Umwandlung eines durch Strahlung erhaltenen Bildes hängt von den Eigenschaften der Umwandlungsplatte, der Art der anregbaren phosphoreszierenden Verbindung und des Mischverhältnisses des Bindemittels zu der anregbaren phosphoreszierenden Verbindung ab und beträgt im Allgemeinen 20 um bis 1000 um, vorzugsweise 20 bis 500 um.
- Die vorliegende Erfindung wird nun anhand der Beispiele näher erläutert.
- Die durch das Festphasenverfahren hergestellten Precusor der phosphoreszierenden Verbindung,
- (1) BaF&sub2; (besonderer Reinheitsgrad, Produkt von Kanto Kagaku), 1 mol
- (2) BaI&sub2; (besonderer Reinheitsgrad, Produkt von Kanto Kagaku) oder BaBr&sub2;, 1 mol
- (3) EuF&sub3; (Produkt von Furuuchi Chemicals) in einer wie in Tabelle 1 gezeigten Menge wurden in einem Mörserapparat gemischt und unter den in Tabelle 1 gezeigten Bedingungen kalziniert. Die erhaltenen phosphoreszierenden Teilchen wurden nach der Größe aufgetrennt und es wurden Teilchen mit einer durchschnittlichen Größe von 7 um erhalten.
- Die Proben wurden auf die gleiche Art und Weise wie in Beispiel 1, 2 oder 3 hergestellt, außer, daß die phosphoreszierenden Teilchen des Precursors gemäß den in Tabelle 1 gezeigten Bedingungen kalziniert wurden.
- Ein Precursor der anregbaren phosphoreszierenden Europium aktivierten Bariumfluoriodidverbindung wurde auf die folgenden Art und Weise hergestellt. In ein Reaktionsgefäß wurden 2500 ml einer wäßrigen BaI&sub2;-Lösung (3,5 N) und 125 ml einer wäßrigen EuBr&sub3;-Lösung (0,2 N) gegeben. Die Ausgangslösung in dem Reaktionsgefäß wurde unter Rühren bei einer Temperatur von 83ºC gehalten. 250 ml einer wäßrigen Ammoniumfluorid-Lösung (8 N) wurde mittels einer Schlauchpumpe in die Ausgangslösung gegeben, wodurch sich Präzipitate bildeten. Danach wurde die Reaktionsmischung für weitere 2 Stunden unter Rühren bei dieser EI Temperatur gehalten, um die Bildung der Präzipitate abzuschließen. Die Präzipitate wurden abfiltriert, mit Methanol gewaschen und im Vakuum getrocknet, um Kristalle des Precursors der phosphoreszierenden Europium aktivierten Bariumfluoriodidverbindung erhalten wurden. Um eine Formveränderung der phosphoreszierenden Teilchen aufgrund des Sinterns während der Kalzinierung und eine Veränderung der Größenverteilung der Teilchen aufgrund des Zusammenschmelzens von Teilchen zu verhindern, wurde ultrafein-gekörntes Aluminiumhydroxid in einer Menge von 1 Gew.-% zugegeben, wobei so stark gerührt wurde, daß das Aluminiumhydroxid gleichmäßig an der Oberfläche der Kristalle haftete. Ein wannenförmiges Quarzgefäß wurde mit den Kristallen beladen und unter den in Tabelle 1 gezeigten Bedingungen kalziniert, wodurch Teilchen der phosphoreszierenden Europium aktivierten Bariumfluoriodidverbindung erhalten wurden. Die Teilchen wurden nach der Größe aufgetrennt, um phosphoreszierende Teilchen mit einer durchschnittlichen Größe von 7 um zu erhalten.
- Die Platten zur Umwandlung eines durch Strahlung erhaltenen Bildes wurden auf die folgende Art und Weise hergestellt. 382 g der hergestellten phosphoreszierenden Europium aktivierten Bariumfluoriodidverbindung und 18 g eines Polyestherharzes wurden in ein Mischlösungsmittel aus Methylethylketon und Toluol (1 : 1) gegeben und durch ein Propellerrührer dispergiert, wodurch eine Beschichtungslösung für die Bildung der phosphoreszierenden Schicht mit einer Viskosität von 25 bis 30 PS erhalten wurde. Die Beschichtungslösung wurde unter Verwendung eines Rakels auf eine Polyethylenteraphthalat-Grundierung aufgetragen und für 15 Minuten bei 100ºC getrocknet, wodurch eine phosphoreszierende Schicht mit einer gegebenen Dicke gebildet wurde.
- 70 g eines Fluorolefin-vinylether-Copolymer-Fluorharzes (Handelsname Lumiflon LF100, hergestellt durch Asahi Glass Co.), 25 g eines Isocyanat-Vernetzungmittels (Desmodule Z4370, hergestellt durch Sumitomo-Beiern), 5 g eines Bisphenol A-Typ Epoxidharz und 10 g eines feinpulvrigen Silikonharzes (KMP-590, hergestellt durch Shietsu kagaku, Teilchengröße 1-1 mm) wurden in ein Mischlösungsmittel aus Toluol/Isopropylalkohol (1 : 1) gegeben, wodurch eine Beschichtungslösung für eine Schutzschicht erhalten wurde. Die Beschichtungslösung wurde unter Verwendung eines Rakels auf die gebildete phosphoreszierende Schicht aufgetragen und für 30 Minuten bei 120ºC getrocknet, um die Schicht thermisch auszuhärten, wodurch eine Schutzschicht mit einer Dicke vom 10 um erhalten wurde. Durch das obige Verfahren wurden Platten zur Umwandlung eines durch Strahlung erhaltenen Bildes mit einer anregbaren phosphoreszierenden Schicht gemäß der Beispiele 1 bis 6 (als E-1 bis 6 bezeichnet) und der Vergleichsbeispiele 1 bis 8 (als C-1 bis 8 bezeichnet) erhalten.
- Die oben beschriebene Kalzinierung erfolgte unter Verwendung der folgenden Vorrichtung in den Vergleichsbeispielen 1 bis 5 wurde ein herkömmlicher Elektroofen oder Verbrennungsofen verwendet. Als Bewegungs- oder Verflüssigungsvorrichtung des Pulvers wurde in Beispiel 5 ein Verfahren angewendet, bei dem ein Elektroofen mit einer Rühr- oder Schüttelvorrichtung versehen war und der Schwerpunkt des Pulvers in einer Schale oder einem wannenförmigen Gefäß bewegt wird. In den Beispielen 1 bis 4 und dem Beispiel 6 wurde ein elektrischer Drehofen (Rotationskalzinierofen) verwendet, bei dem das Reaktionsgefäß (Quarz) mit einer Drehgeschwindigkeit von 15 rpm rotiert wurde, ohne dabei einen Rotor zum Rühren zu verwenden, um das Pulver zu mischen. In diesem Fall waren in dem Reaktionsgefäß zusätzlich Kügelchen (Quarz) mit einem Durchmesser von 10 mm vorhanden.
- In den Vergleichsbeispielen 6 bis 8 wurde wie in den Beispielen 1 bis 4 und dem Beispiel 6 ein Rotationskalzinierofen ohne Kügelchen verwendet, wodurch keine Verflüssigung erfolgte.
- Die Platten zur Umwandlung eines durch Strahlung erhaltenen Bildes wurden gemäß dem folgenden Verfahren hinsichtlich ihrer Photoeigenschaften untersucht.
- Die Intensität der unmittelbaren Emission wurde unter Verwendung eines Spektralfluorophotometers (F301, erhältlich von Hitachi) gemessen. Jede der Platten zur Umwandlung eines durch Strahlung erhaltenen Bildes wurde in eine Größe von 20 · 20 mm zurechtgeschnitten und in einen Halter eingespannt. Jede der Plattenproben wurde angeregt, indem mit Licht mit Wellenlängen im Bereich von 185 bis 800 nm gescannt wurde, um die maximale Anregungswellenlänge zu bestimmen. Es zeigte sich, daß die maximale Anregung jeder Platte bei einer Wellenlänge von 318 nm erfolgte (d. h. daß die maximale Anregungswellenlänge von jeder Platte 318 nm betrug). Dann wurde jede Platte mit Licht einer Wellenlänge von 318 nm angeregt, um die Intensität des maximalen Emissionspeaks und dessen Wellenlänge zu bestimmen. Die Messung wurde unter den folgenden Bedingungen durchgeführt:
- Anregungs(Ex)bandpass = 1,5 nm,
- Emissions(Em)bandpass = 1,5 nm,
- Scangeschwindigkeit = 60 nm/min, und
- Ansprechzeit = 2 sek
- Es zeigte sich, daß die maximale Emissionsintensität (I') jeder Platte bei einer Wellenlänge von 405 nm erfolgte. Die maximale Emissionsintensität von jeder Platte wurde als relativer Wert dargestellt, der darauf beruht, daß der Peak-Intensität der Raman-Streuung von Wasser der Wert 1 zugeordnet wird. Die Raman-Streuung von Wasser wurde unter den folgenden Bedingungen gemessen:
- Ex-Bandpass = 5 nm,
- Em-Bandpass = 5 nm,
- Scangeschwindigkeit = 60 nm/min. und
- Ansprechzeit = 2 sek
- Die Raman-Streuung von Wasser, das mit Licht einer Wellenlänge von 350 nm angeregt wurde, wies bei einer Wellenlänge von 398,4 nm einen Peak mit einer Intensität von 1,925 (I&sub0;) auf. Folglich wurde die maximale Emissionsintensität jeder Platte als relativer Wert (I) dargestellt der darauf beruht, daß der Peak-Intensität der Raman-Streuung von Wasser der Wert 1 zugeordnet wurde:
- I = I'/I&sub0;
- Nach der Bestrahlung mit Röntgenstrahlen die bei eine Beschleunigungsspannung von 80 kV erzeugt wurden, wurde jede Platten zur Umwandlung eines durch Strahlung erhaltenen Bildes angeregt, indem diese mit einem 200 mW Halbleiterlaser (780 nm) im Scanverfahren belichtet und die von der phosphoreszierenden Schicht emittierte angeregte Emission durch einen Photorezeptor (Photomultiplier mit einer spektralen Empfindlichkeit S-5) gemessen wurde, um die Emissionsintensität (d. h. die Empfindlichkeit) zu bestimmen. Die Empfindlichkeit ist in Tabelle 1 als relativer Wert gezeigt. Tabelle 1
- *1 Eu-Gehalt (·10&supmin;³ mol)
- *2 Herstellung der phosphoreszierenden Verbindung: Festphasenverfahren (S), Flüssigphasenverfahren (L)
- *3 Kalzinierverfahren: A, Stehenlassen ohne Bewegen; B, zwei Kalzinierungen ohne Bewegen; C, Rotationskalzinierofen; D, Rotationskalzinierofen, Verflüssigen; E, Schüttelvorrichtung, Schütteln
- *4 Flußrate des Gases, H&sub2;/N&sub2;, H&sub2; = 5%
- Wie der Tabelle entnommen werden kann, weisen die Platten zur Umwandlung eines durch Strahlung erhaltenen Bildes der Beispiele 1 bis 6 (E-1 bis 6) im Vergleich zu den Vergleichsbeispielen (C-1 bis 8) bessere Bildeigenschaften bezüglich der Empfindlichkeit auf.
Claims (8)
1. Platte zur Umwandlung eines durch Strahlung erhaltenen Bildes, umfassend
einen Träger mit einer sich darauf befindlichen phosphoreszierenden Schicht, die ein
Bindemittel und eine anregbare phosphoreszierende Verbindung enthält, wobei die
maximale Peak-Intensität der von der phosphoreszierenden Schicht emittierten
unmittelbaren Emission (Int.) die folgenden Beziehung erfüllt:
500 ≤ Int. ≤ 5000,
wenn die phosphoreszierende Schicht angeregt wird, indem diese der maximalen
Anregungswellenlänge (λ1) der phosphoreszierenden Schicht ausgesetzt wird,
vorausgesetzt, daß die Int. der maximalen Emissionsintensität bei einer Wellenlänge
im Bereich von 185 bis 800 nm entspricht, außer für Wellenlängen von λ1 und 2 · λ1,
und die Int. als relativer Wert dargestellt wird, der darauf beruht, daß der Peak-
Intensität der Raman-Streuung von durch Licht mit einer Wellenlänge von 350 nm
angeregtem Wasser der Wert 1 festgelegt wird; und die anregbare
phosphoreszierende Verbindung durch ein Verfähren, umfassend das Herstellen
eines Precursors der anregbaren phosphoreszierenden Verbindung und das
Kalzinieren des Precursors unter Bewegen oder Verflüssigen bei einer Temperatur
im Bereich von 600 bis 1100ºC, erhalten werden kann.
2. Platte zur Umwandlung eines durch Strahlung erhaltenen Bildes nach
Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Int. der folgenden Beziehung genügt:
900 ≤ Int. ≤ 2500.
3. Platte zur Umwandlung eines durch Strahlung erhaltenen Bildes nach
Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die anregbare phosphoreszierende
Verbindung durch die folgende Formel dargestellt ist:
(Ba1-xM²x)FX:yEu²&spplus;,
worin M² ein aus der Gruppe bestehend aus Mg, Ca, Sr, Zn und Cd ausgewähltes
Erdalkalimetall, X ein aus der Gruppe bestehend aus Cl, Br und I ausgewähltes
Halogenatom und x und y Zahlen im Bereich von 0 ≤ x ≤ 0,6 bzw. 0 < y ≤ 0,2 sind.
4. Platte zur Umwandlung eines durch Strahlung erhaltenen Bildes nach
Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß X I ist.
5. Platte zur Umwandlung eines durch Strahlung erhaltenen Bildes nach einem
der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die anregbare
phosphoreszierende Verbindung in der Form von anregbaren phosphoreszierenden
Teilchen mit einer durchschnittlichen Teilchengröße von 0,1 bis 3 um vorliegt.
6. Platte zur Umwandlung eines durch Strahlung erhaltenen Bildes nach einem
der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Teilchen mit einer
Größe von 0,1 bis 1,0 um wenigstens 10 Gew.-% der anregbaren
phosphoreszierenden Teilchen ausmachen.
7. Platte zur Umwandlung eines durch Strahlung erhaltenen Bildes nach einem
der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das
Füllungsverhältnis der in der phosphoreszierenden Schicht enthaltenen anregbaren
phosphoreszierenden Verbindung zwischen 60 und 80% beträgt.
8. Verfahren zur Herstellung einer Platte zur Umwandlung eines durch Strahlung
erhaltenen Bildes, umfassend einen Träger mit einer sich darauf befindlichen
phosphoreszierenden Schicht, die ein Bindemittel und eine anregbare
phosphoreszierende Verbindung enthält, wobei ein Precursor der anregbaren
phosphoreszierenden Verbindung durch ein Flüssigphasenverfahren oder ein
Festphasenverfahren hergestellt wird und der Precursor dann kalziniert wird, dadurch
gekennzeichnet, daß das Kalzinierungsverfahren unter Bewegen oder Verflüssigen
bei einer Temperatur im Bereich von 600 bis 1100ºC durchgeführt wird, das
kalzinierte Pulver mit dem Bindemittel vermischt und auf den Träger aufgetragen
wird, um eine phosphoreszierende Schicht bereitzustellen, die eine maximale Peak-
Intensität der von der phosphoreszierenden Schicht emittierten unmittelbaren
Emission (Int.) aufweist, die folgende Beziehung erfüllt:
500 ≤ Int. ≤ 5000,
wenn die phosphoreszierende Schicht angeregt wird, indem diese der maximalen
Anregungswellenlänge (λ1) der phosphoreszierenden Verbindung ausgesetzt wird,
wobei die Int. der maximalen Emissionsintensität bei einer Wellenlänge im Bereich
von 185 bis 800 nm entspricht, außer für Wellenlängen von λ1 und 2 · λ1, und die Int.
als relativer Wert dargestellt wird, der darauf beruht, daß der Peak-Intensität der
Raman-Streuung von durch Licht mit einer Wellenlänge von 350 nm angeregtem
Wasser der Wert 1 zugeordnet wird.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4295797 | 1997-02-12 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE69808157D1 DE69808157D1 (de) | 2002-10-31 |
| DE69808157T2 true DE69808157T2 (de) | 2003-05-28 |
Family
ID=12650518
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE69808157T Expired - Fee Related DE69808157T2 (de) | 1997-02-12 | 1998-02-11 | Strahlungsbildwandler und Verfahren zur Herstellung desselben |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5952666A (de) |
| EP (1) | EP0859372B1 (de) |
| DE (1) | DE69808157T2 (de) |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7094361B2 (en) | 1999-03-19 | 2006-08-22 | Rutgers, The State University | Optically transparent nanocomposite materials |
| US6699406B2 (en) * | 1999-03-19 | 2004-03-02 | Rutgers, The State University | Rare earth doped host materials |
| JP4011794B2 (ja) * | 1999-07-07 | 2007-11-21 | 富士フイルム株式会社 | 放射線像変換パネルの製造方法 |
| JP3836634B2 (ja) * | 1999-07-15 | 2006-10-25 | 富士写真フイルム株式会社 | 希土類賦活アルカリ土類金属弗化ハロゲン化物系輝尽性蛍光体前駆体結晶の製造装置 |
| US6483122B1 (en) * | 1999-09-29 | 2002-11-19 | Konica Corporation | Radiation image conversion panel and stimulable phosphor |
| US6555838B1 (en) * | 2000-06-29 | 2003-04-29 | Essex Electro Engineering, Inc. | Method and apparatus for radiographic imaging |
| DE10061576A1 (de) * | 2000-12-11 | 2002-06-27 | Agfa Gevaert Ag | Speicherschicht und Wandlungsschicht sowie Vorrichtung zum Auslesen von Röntgeninformationen und Röntgenkassette |
| JP2002249316A (ja) * | 2001-02-16 | 2002-09-06 | Fuji Photo Film Co Ltd | 弗化ハロゲン化バリウム系結晶の製造方法 |
| US6753543B2 (en) * | 2001-04-02 | 2004-06-22 | Konica Corporation | Radiation image conversion panel |
| US7501092B2 (en) * | 2001-06-06 | 2009-03-10 | Nomadics, Inc. | Manganese doped upconversion luminescence nanoparticles |
| US7008559B2 (en) * | 2001-06-06 | 2006-03-07 | Nomadics, Inc. | Manganese doped upconversion luminescence nanoparticles |
| US7067072B2 (en) * | 2001-08-17 | 2006-06-27 | Nomadics, Inc. | Nanophase luminescence particulate material |
| US20070189359A1 (en) * | 2002-06-12 | 2007-08-16 | Wei Chen | Nanoparticle thermometry and pressure sensors |
| DE10301274B4 (de) * | 2003-01-15 | 2005-03-24 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung eines Bildwandlers mit einer nadelförmigen Leuchtstoffschicht |
| US20040229154A1 (en) * | 2003-05-13 | 2004-11-18 | Konica Minolta Medical & Graphic, Inc. | Stimulable phosphor, radiation image conversion panel and preparation process thereof |
| JP2005085571A (ja) * | 2003-09-08 | 2005-03-31 | Fuji Photo Film Co Ltd | エレクトロルミネッセンス材料 |
| US20050072937A1 (en) * | 2003-10-02 | 2005-04-07 | Konica Minolta Medical & Graphic, Inc. | Radiation image conversion panel and preparation method thereof |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3923682A (en) * | 1969-12-29 | 1975-12-02 | Sylvania Electric Prod | Process for manufacturing phosphors |
| US4107070A (en) * | 1976-11-29 | 1978-08-15 | Eastman Kodak Company | Process for improving the properties of oxysulfide phosphor materials |
| JPS5944333B2 (ja) * | 1978-07-12 | 1984-10-29 | 富士写真フイルム株式会社 | 放射線像変換方法 |
| JPS59108999A (ja) * | 1982-12-15 | 1984-06-23 | 富士写真フイルム株式会社 | 放射線像変換方法 |
| US4524016A (en) * | 1983-06-28 | 1985-06-18 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Process for spheroidal BaFCl:Eu phosphor particles |
| IT1225244B (it) * | 1988-10-06 | 1990-11-02 | Calzificio Katimar Di Benvenut | Procedimento per la formazione di decori su calze femminili ed indumenti simili, ed indumenti decorati cosi' realizzati |
| JP2723577B2 (ja) * | 1988-12-27 | 1998-03-09 | 三井東圧化学株式会社 | 微粒子蛍光体の製造方法 |
| JPH04506830A (ja) * | 1989-07-20 | 1992-11-26 | イー・アイ・デユポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | ＢａＦＢｒ：Ｅｕリン光体の改良された製造法 |
| US5549843A (en) * | 1991-11-21 | 1996-08-27 | Eastman Kodak Company | Annealed alkaline earth metal fluorohalide storage phosphor, preparation method, and radiation image storage panel |
| JPH06306358A (ja) * | 1993-04-23 | 1994-11-01 | Fujitsu Ltd | 輝尽性蛍光体の製造方法 |
-
1998
- 1998-02-06 US US09/019,680 patent/US5952666A/en not_active Expired - Fee Related
- 1998-02-11 EP EP98300991A patent/EP0859372B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1998-02-11 DE DE69808157T patent/DE69808157T2/de not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0859372B1 (de) | 2002-09-25 |
| US5952666A (en) | 1999-09-14 |
| EP0859372A1 (de) | 1998-08-19 |
| DE69808157D1 (de) | 2002-10-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE69808157T2 (de) | Strahlungsbildwandler und Verfahren zur Herstellung desselben | |
| US3795814A (en) | X-ray image converters utilizing lanthanum and gadolinium oxyhalide luminous materials activated with thulium | |
| DE3787684T2 (de) | Schirm zum Speichern eines Strahlungsbildes und Verfahren zur Herstellung desselben. | |
| DE69020834T2 (de) | Stimulierbarer Phosphor, Verfahren zur Herstellung und Anwendung desselben. | |
| DE69711832T2 (de) | Seltenerde aktiviertes Erdalkali-Fluorohalogenid stimulierbares Phosphor und Strahlungsbildwandler | |
| DE68906195T2 (de) | Lichterregbarer leuchtstoff. | |
| DE69004765T2 (de) | Leuchtstoffherstellung. | |
| DE69509343T2 (de) | Geglühtes Erdalkali-Fluorohalogenid-Speicherphosphor, Verfahren zur Herstellung und Strahlungsbild-Speicherträger | |
| DE69304888T2 (de) | Herstellung von Metallhalogenidephosphorpartikeln mit definierter Korngrössenverteilung mit verbesserter Pulverfliessfähigkeit | |
| JP3804217B2 (ja) | 希土類付活アルカリ土類金属弗化ヨウ化物系輝尽性蛍光体の製造方法 | |
| JPH06128564A (ja) | ビスマスオキシハライド蛍光体および放射線増感スクリーン | |
| DE69302138T2 (de) | Methode zum Speichern und zur Wiedergabe eines Strahlungsbildes | |
| DE68904158T2 (de) | Phosphor, methode zum speichern und zur wiedergabe eines strahlungsbildes und diese verwendender schirm zum speichern eines strahlungsbildes. | |
| JP2000160155A (ja) | 希土類付活アルカリ土類金属弗化ハロゲン化物系輝尽性蛍光体、その防湿処理方法、放射線像変換パネルおよび輝尽性蛍光体の製造方法 | |
| DE10123703A1 (de) | Herstellungsverfahren für anregbare seltenerdenaktivierte Erdalkalimetallfluorohalogenid-Leuchtstoffe und Röntgenbild-Umwandlungsplatte | |
| DE10064019A1 (de) | Seltenerdaktivierter stimulierbarer Erdalkalimetallfluorhalogenid-Leuchtstoff, Verf. zur Herstellung desselben und Strahlungsbildumwandlungstafel | |
| EP1826259A1 (de) | Verfahren zur herstellung eines photostimulierbaren leuchtstoffs auf basis eines seltenerdmetallaktivierten erdalkalimetallfluoridhalogenids | |
| DE3780750T2 (de) | Phosphor und denselben verwendender schirm zum speichern eines strahlungsbildes. | |
| DE10234732A1 (de) | Herstellung einer Strahlungsbild-Speicherplatte | |
| DE3689594T2 (de) | Schirm zum Speichern eines Strahlungsbildes. | |
| JP3796868B2 (ja) | 希土類付活アルカリ土類金属弗化ハロゲン化物系輝尽性蛍光体の製造方法 | |
| JP4411810B2 (ja) | 放射線像変換パネルの製造方法 | |
| JP2004018839A (ja) | 希土類付活アルカリ土類金属弗化ハロゲン化物系輝尽性蛍光体、及び放射線像変換パネル | |
| JP4228550B2 (ja) | 希土類付活アルカリ土類金属弗化ヨウ化物系輝尽性蛍光体の製造方法 | |
| JP3777700B2 (ja) | 希土類付活バリウム弗化ハロゲン化物系輝尽性蛍光体及びそれを用いる放射線画像変換パネル |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| 8364 | No opposition during term of opposition | ||
| 8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |