JPH06306358A - 輝尽性蛍光体の製造方法 - Google Patents
輝尽性蛍光体の製造方法Info
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- JPH06306358A JPH06306358A JP9732693A JP9732693A JPH06306358A JP H06306358 A JPH06306358 A JP H06306358A JP 9732693 A JP9732693 A JP 9732693A JP 9732693 A JP9732693 A JP 9732693A JP H06306358 A JPH06306358 A JP H06306358A
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- stimulable phosphor
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Abstract
(57)【要約】
【目的】感度の高い輝尽性蛍光体の製造方法を提供す
る。 【構成】ＢａＢｒ2 粉末と０．１モル％のＥｕＢｒ3 粉
末を水溶液中で混合し、その後、約３００℃に加熱して
乾燥させ粉末原料にする。次に、この粉末原料を流動層
炉に入れ焼成する。焼成は、８３０℃、中性雰囲気で６
０分間行い、焼成後、炉冷する。このようにして得られ
た輝尽性蛍光体を粉砕・分級し、中心粒径１０μｍの輝
尽性蛍光体を製造する。
る。 【構成】ＢａＢｒ2 粉末と０．１モル％のＥｕＢｒ3 粉
末を水溶液中で混合し、その後、約３００℃に加熱して
乾燥させ粉末原料にする。次に、この粉末原料を流動層
炉に入れ焼成する。焼成は、８３０℃、中性雰囲気で６
０分間行い、焼成後、炉冷する。このようにして得られ
た輝尽性蛍光体を粉砕・分級し、中心粒径１０μｍの輝
尽性蛍光体を製造する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、輝尽性蛍光体の製造方
法に関する。
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、医療機器では種々の医療用情報が
デジタル処理されるため、病気診断用のＸ線画像などの
医療用画像をデジタル処理できるシステムが要求されて
いる。この要求を満たすためにコンピューテッド・ラジ
オグラフィー・システムが提案されている。このシステ
ムは、例えば粉末状輝尽性蛍光体ＢａＦＸ；Ｅｕ2+（Ｘ
は、Ｃｌ，Ｂｒ，Ｉのいずれかを表す。）をプラスチッ
クに塗布して製造された放射線画像変換シートに被写体
を透過したＸ線を照射してＸ線画像を蓄積記録し、その
後この板にＨｅ−Ｎｅレーザ光を走査し、蓄積記録され
た画像情報を輝尽発光として光検知器で検知して再生画
像を得るシステムである（特開昭５５−１２４２９号公
報参照）。輝尽発光のラティチュードは１０5 以上と広
く、また画像情報は、光検知器から時系列電気信号とし
て得られるという利点がある。しかし、被写体が人体で
あるため放射線の被曝線量をできるだけ軽減させること
が必要であり、輝尽の発光輝度が高い輝尽性蛍光体が必
要とされている。
デジタル処理されるため、病気診断用のＸ線画像などの
医療用画像をデジタル処理できるシステムが要求されて
いる。この要求を満たすためにコンピューテッド・ラジ
オグラフィー・システムが提案されている。このシステ
ムは、例えば粉末状輝尽性蛍光体ＢａＦＸ；Ｅｕ2+（Ｘ
は、Ｃｌ，Ｂｒ，Ｉのいずれかを表す。）をプラスチッ
クに塗布して製造された放射線画像変換シートに被写体
を透過したＸ線を照射してＸ線画像を蓄積記録し、その
後この板にＨｅ−Ｎｅレーザ光を走査し、蓄積記録され
た画像情報を輝尽発光として光検知器で検知して再生画
像を得るシステムである（特開昭５５−１２４２９号公
報参照）。輝尽発光のラティチュードは１０5 以上と広
く、また画像情報は、光検知器から時系列電気信号とし
て得られるという利点がある。しかし、被写体が人体で
あるため放射線の被曝線量をできるだけ軽減させること
が必要であり、輝尽の発光輝度が高い輝尽性蛍光体が必
要とされている。
【０００３】この輝尽性蛍光体を製造する従来の方法で
は、賦活剤が混合された蛍光体母体粒子を焼結防止剤と
共にチューブ炉で焼成した後、これを粉砕・分級して製
造している。また、従来は、多結晶体からなる蛍光体母
体粒子を使用して輝尽性蛍光体を製造している。
は、賦活剤が混合された蛍光体母体粒子を焼結防止剤と
共にチューブ炉で焼成した後、これを粉砕・分級して製
造している。また、従来は、多結晶体からなる蛍光体母
体粒子を使用して輝尽性蛍光体を製造している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】チューブ炉を使用して
焼成する方法では、炉内の温度分布が均一でないこと等
のため、蛍光体母体粒子に賦活剤が均一に拡散され難
く、この結果、輝尽性蛍光体の各粒子それぞれの感度に
ムラが生じ、このような輝尽性蛍光体を用いて得られた
画像にはムラが生じるという問題がある。また、輝尽性
蛍光体には焼結防止剤が多く含まれているため、輝尽性
蛍光体の純度が低く感度が低下するという問題がある。
さらに、輝尽性蛍光体を使用した放射線画像変換シート
の画像のムラを少なくするために輝尽性蛍光体の各粒子
は焼成後に粉砕・分級されて各粒子の粒度は一定範囲に
入っているが、粉砕により粒子の内部や破断面には大き
な歪みが生じ、この歪みにより粒子の結晶場が乱れ、感
度が著しく低下するという問題がある。
焼成する方法では、炉内の温度分布が均一でないこと等
のため、蛍光体母体粒子に賦活剤が均一に拡散され難
く、この結果、輝尽性蛍光体の各粒子それぞれの感度に
ムラが生じ、このような輝尽性蛍光体を用いて得られた
画像にはムラが生じるという問題がある。また、輝尽性
蛍光体には焼結防止剤が多く含まれているため、輝尽性
蛍光体の純度が低く感度が低下するという問題がある。
さらに、輝尽性蛍光体を使用した放射線画像変換シート
の画像のムラを少なくするために輝尽性蛍光体の各粒子
は焼成後に粉砕・分級されて各粒子の粒度は一定範囲に
入っているが、粉砕により粒子の内部や破断面には大き
な歪みが生じ、この歪みにより粒子の結晶場が乱れ、感
度が著しく低下するという問題がある。
【０００５】また、多結晶体からなる蛍光体母体粒子を
用いて輝尽性蛍光体を製造する方法では、多結晶の輝尽
性蛍光体の結晶粒界近傍では結晶場が乱れており、この
ため結晶粒界近傍の感度は著しく低くなっている。この
結果、多結晶体からなる蛍光体母体粒子を用いて製造さ
れた輝尽性蛍光体では、感度が著しく低下するという問
題がある。
用いて輝尽性蛍光体を製造する方法では、多結晶の輝尽
性蛍光体の結晶粒界近傍では結晶場が乱れており、この
ため結晶粒界近傍の感度は著しく低くなっている。この
結果、多結晶体からなる蛍光体母体粒子を用いて製造さ
れた輝尽性蛍光体では、感度が著しく低下するという問
題がある。
【０００６】本発明は、上記事情に鑑み、感度の高い輝
尽性蛍光体を製造する輝尽性蛍光体の製造方法を提供す
ることを目的とする。
尽性蛍光体を製造する輝尽性蛍光体の製造方法を提供す
ることを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記問題を解決するため
の本発明の第１の輝尽性蛍光体の製造方法は、輝尽性蛍
光体の製造方法において、蛍光体母体粒子を製造する工
程と、該蛍光体母体粒子を流動層炉内で焼成する工程を
含むことを特徴とするものである。ここで、蛍光体母体
粒子を焼成すると共にこの蛍光体母体粒子に賦活剤を拡
散させることが好ましい。また、上記方法で製造された
輝尽性蛍光体を流動層炉内でアニールすることが好まし
い。
の本発明の第１の輝尽性蛍光体の製造方法は、輝尽性蛍
光体の製造方法において、蛍光体母体粒子を製造する工
程と、該蛍光体母体粒子を流動層炉内で焼成する工程を
含むことを特徴とするものである。ここで、蛍光体母体
粒子を焼成すると共にこの蛍光体母体粒子に賦活剤を拡
散させることが好ましい。また、上記方法で製造された
輝尽性蛍光体を流動層炉内でアニールすることが好まし
い。
【０００８】また、本発明の第２の輝尽性蛍光体の製造
方法は、輝尽性蛍光体の製造方法において、単結晶の蛍
光体母体粒子を製造する工程と、該蛍光体母体粒子に賦
活剤を拡散させる工程を含むことを特徴とするものであ
る。ここで、上記した第１及び第２の製造方法で製造さ
れる輝尽性蛍光体には、例えば組成式ＢａＢｒ2 ：Ｅｕ
2+で表されるものがある。
方法は、輝尽性蛍光体の製造方法において、単結晶の蛍
光体母体粒子を製造する工程と、該蛍光体母体粒子に賦
活剤を拡散させる工程を含むことを特徴とするものであ
る。ここで、上記した第１及び第２の製造方法で製造さ
れる輝尽性蛍光体には、例えば組成式ＢａＢｒ2 ：Ｅｕ
2+で表されるものがある。
【０００９】
【作用】本発明の第１の輝尽性蛍光体の製造方法によれ
ば、流動層炉内で蛍光体母体粒子が焼成されるため、蛍
光体母体粒子どうしが接触して結合することがほとんど
無く、このため従来に比べ焼結防止剤の使用量が少なく
て済む。この結果、輝尽性蛍光体に含まれる焼結防止剤
の量が少なくなり、輝尽性蛍光体の純度が高くなって感
度が向上する。また、焼成工程で焼結される割合も低下
するため、焼結された輝尽性蛍光体を粉砕する割合も低
下し粉砕によりに生じる歪みは少なくなる。この結果、
歪みによる粒子の結晶場の乱れが少なくなり、感度が向
上する。また、流動層炉内では温度分布の均一性が良い
ため、それぞれの蛍光体母体粒子に賦活剤が均一に拡散
され、この結果、輝尽性蛍光体の各粒子それぞれの感度
にムラが少なく、この輝尽性蛍光体を使用した放射線画
像変換シートでは画像のムラが抑えられる。ここで、輝
尽性蛍光体を流動層炉内でアニールすると、各輝尽性蛍
光体の歪みが除去されるため、感度が一層向上する。
ば、流動層炉内で蛍光体母体粒子が焼成されるため、蛍
光体母体粒子どうしが接触して結合することがほとんど
無く、このため従来に比べ焼結防止剤の使用量が少なく
て済む。この結果、輝尽性蛍光体に含まれる焼結防止剤
の量が少なくなり、輝尽性蛍光体の純度が高くなって感
度が向上する。また、焼成工程で焼結される割合も低下
するため、焼結された輝尽性蛍光体を粉砕する割合も低
下し粉砕によりに生じる歪みは少なくなる。この結果、
歪みによる粒子の結晶場の乱れが少なくなり、感度が向
上する。また、流動層炉内では温度分布の均一性が良い
ため、それぞれの蛍光体母体粒子に賦活剤が均一に拡散
され、この結果、輝尽性蛍光体の各粒子それぞれの感度
にムラが少なく、この輝尽性蛍光体を使用した放射線画
像変換シートでは画像のムラが抑えられる。ここで、輝
尽性蛍光体を流動層炉内でアニールすると、各輝尽性蛍
光体の歪みが除去されるため、感度が一層向上する。
【００１０】また、本発明の第２の輝尽性蛍光体の製造
方法によれば、賦活剤が拡散する蛍光体母体粒子が単結
晶であるため、製造された輝尽性蛍光体の粒子には結晶
粒界がほとんど無い。この結果、従来の輝尽性蛍光体の
粒子に比べると、粒子中の輝尽発光に寄与する部分の割
合が大きいため高感度の輝尽性蛍光体になり、この輝尽
性蛍光体を放射線画像変換シートに用いることにより、
被爆線量の低減、分解能の向上が達成できる。
方法によれば、賦活剤が拡散する蛍光体母体粒子が単結
晶であるため、製造された輝尽性蛍光体の粒子には結晶
粒界がほとんど無い。この結果、従来の輝尽性蛍光体の
粒子に比べると、粒子中の輝尽発光に寄与する部分の割
合が大きいため高感度の輝尽性蛍光体になり、この輝尽
性蛍光体を放射線画像変換シートに用いることにより、
被爆線量の低減、分解能の向上が達成できる。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の実施例を比較例とともに説明
する。先ず、流動層炉内で焼成を行う実施例を比較例と
ともに説明する。 ［比較例１］ＢａＢｒ2 粉末と０．１モル％のＥｕＢｒ
3 粉末を水溶液中で混合し、その後、約３００℃に加熱
して乾燥させ粉末原料にする。次に、この粉末原料を石
英容器に入れ焼成する。焼成は、８００℃、中性雰囲気
で６０分間行い、焼成後、炉冷する。このようにして得
られた輝尽性蛍光体を粉砕・分級し、中心粒径１０μｍ
の輝尽性蛍光体を製造する。表１に、製造された輝尽性
蛍光体の感度を１００にして示す。
する。先ず、流動層炉内で焼成を行う実施例を比較例と
ともに説明する。 ［比較例１］ＢａＢｒ2 粉末と０．１モル％のＥｕＢｒ
3 粉末を水溶液中で混合し、その後、約３００℃に加熱
して乾燥させ粉末原料にする。次に、この粉末原料を石
英容器に入れ焼成する。焼成は、８００℃、中性雰囲気
で６０分間行い、焼成後、炉冷する。このようにして得
られた輝尽性蛍光体を粉砕・分級し、中心粒径１０μｍ
の輝尽性蛍光体を製造する。表１に、製造された輝尽性
蛍光体の感度を１００にして示す。
【００１２】［比較例２］ＢａＦＢｒ粉末と０．１モル
％のＥｕ2 Ｏ3 粉末を水溶液中で混合し、その後、約３
００℃に加熱して乾燥させ粉末原料にする。次に、この
粉末原料を石英容器に入れ焼成する。焼成は、８５０
℃、中性雰囲気で６０分間行い、焼成後、炉冷する。こ
のようにして得られた輝尽性蛍光体を粉砕・分級し、中
心粒径１０μｍの輝尽性蛍光体を製造する。表２に、製
造された輝尽性蛍光体の感度を１００にして示す。
％のＥｕ2 Ｏ3 粉末を水溶液中で混合し、その後、約３
００℃に加熱して乾燥させ粉末原料にする。次に、この
粉末原料を石英容器に入れ焼成する。焼成は、８５０
℃、中性雰囲気で６０分間行い、焼成後、炉冷する。こ
のようにして得られた輝尽性蛍光体を粉砕・分級し、中
心粒径１０μｍの輝尽性蛍光体を製造する。表２に、製
造された輝尽性蛍光体の感度を１００にして示す。
【００１３】［比較例３］ＢａＣｌ2 粉末と０．１モル
％のＥｕＣｌ3 粉末を水溶液中で混合し、その後、約３
００℃に加熱して乾燥させ粉末原料にする。次に、この
粉末原料を石英容器に入れ焼成する。焼成は、８００
℃、中性雰囲気で６０分間行い、焼成後、炉冷する。こ
のようにして得られた輝尽性蛍光体を粉砕・分級し、中
心粒径１０μｍの輝尽性蛍光体を製造する。表３に、製
造された輝尽性蛍光体の感度を１００にして示す。
％のＥｕＣｌ3 粉末を水溶液中で混合し、その後、約３
００℃に加熱して乾燥させ粉末原料にする。次に、この
粉末原料を石英容器に入れ焼成する。焼成は、８００
℃、中性雰囲気で６０分間行い、焼成後、炉冷する。こ
のようにして得られた輝尽性蛍光体を粉砕・分級し、中
心粒径１０μｍの輝尽性蛍光体を製造する。表３に、製
造された輝尽性蛍光体の感度を１００にして示す。
【００１４】［実施例１］ＢａＢｒ2 粉末と０．１モル
％のＥｕＢｒ3 粉末を水溶液中で混合し、その後、約３
００℃に加熱して乾燥させ粉末原料にする。次に、この
粉末原料を流動層炉に入れ焼成する。焼成は、８３０
℃、中性雰囲気で６０分間行い、焼成後、炉冷する。こ
のようにして得られた輝尽性蛍光体を粉砕・分級し、中
心粒径１０μｍの輝尽性蛍光体を製造する。表１に、製
造された輝尽性蛍光体の感度を、比較例１の輝尽性蛍光
体の感度と比べて示す。
％のＥｕＢｒ3 粉末を水溶液中で混合し、その後、約３
００℃に加熱して乾燥させ粉末原料にする。次に、この
粉末原料を流動層炉に入れ焼成する。焼成は、８３０
℃、中性雰囲気で６０分間行い、焼成後、炉冷する。こ
のようにして得られた輝尽性蛍光体を粉砕・分級し、中
心粒径１０μｍの輝尽性蛍光体を製造する。表１に、製
造された輝尽性蛍光体の感度を、比較例１の輝尽性蛍光
体の感度と比べて示す。
【００１５】［実施例２］ＢａＦＢｒ粉末と０．１モル
％のＥｕ2 Ｏ3 粉末を水溶液中で混合し、その後、約３
００℃に加熱して乾燥させ粉末原料にする。次に、この
粉末原料を流動層炉に入れ焼成する。焼成は、８５０
℃、中性雰囲気で６０分間行い、焼成後、炉冷する。こ
のようにして得られた輝尽性蛍光体を粉砕・分級し、中
心粒径１０μｍの輝尽性蛍光体を製造する。表２に、製
造された輝尽性蛍光体の感度を、比較例２の輝尽性蛍光
体の感度と比べて示す。
％のＥｕ2 Ｏ3 粉末を水溶液中で混合し、その後、約３
００℃に加熱して乾燥させ粉末原料にする。次に、この
粉末原料を流動層炉に入れ焼成する。焼成は、８５０
℃、中性雰囲気で６０分間行い、焼成後、炉冷する。こ
のようにして得られた輝尽性蛍光体を粉砕・分級し、中
心粒径１０μｍの輝尽性蛍光体を製造する。表２に、製
造された輝尽性蛍光体の感度を、比較例２の輝尽性蛍光
体の感度と比べて示す。
【００１６】［実施例３］ＢａＣｌ2 粉末と０．１モル
％のＥｕＣｌ3 粉末を水溶液中で混合し、その後、約３
００℃に加熱して乾燥させ粉末原料にする。次に、この
粉末原料を流動層炉に入れ焼成する。焼成は、８３０
℃、中性雰囲気で６０分間行い、焼成後、炉冷する。こ
のようにして得られた輝尽性蛍光体を粉砕・分級し、中
心粒径１０μｍの輝尽性蛍光体を製造する。表３に、製
造された輝尽性蛍光体の感度を、比較例３の輝尽性蛍光
体の感度と比べて示す。
％のＥｕＣｌ3 粉末を水溶液中で混合し、その後、約３
００℃に加熱して乾燥させ粉末原料にする。次に、この
粉末原料を流動層炉に入れ焼成する。焼成は、８３０
℃、中性雰囲気で６０分間行い、焼成後、炉冷する。こ
のようにして得られた輝尽性蛍光体を粉砕・分級し、中
心粒径１０μｍの輝尽性蛍光体を製造する。表３に、製
造された輝尽性蛍光体の感度を、比較例３の輝尽性蛍光
体の感度と比べて示す。
【００１７】［実施例４］上記した［実施例１］の方法
で製造された輝尽性蛍光体（中心粒径１０μｍ）を、更
に流動層炉でアニールする。アニールは、７５０℃、中
性雰囲気で６０分間行い、その後炉冷する。アニールし
て得られた輝尽性蛍光体の粒径は、アニール前の輝尽性
蛍光体の粒径にほぼ等しい。表１に、アニールして得ら
れた輝尽性蛍光体の感度を、比較例１及び実施例１の輝
尽性蛍光体の感度と比べて示す。
で製造された輝尽性蛍光体（中心粒径１０μｍ）を、更
に流動層炉でアニールする。アニールは、７５０℃、中
性雰囲気で６０分間行い、その後炉冷する。アニールし
て得られた輝尽性蛍光体の粒径は、アニール前の輝尽性
蛍光体の粒径にほぼ等しい。表１に、アニールして得ら
れた輝尽性蛍光体の感度を、比較例１及び実施例１の輝
尽性蛍光体の感度と比べて示す。
【００１８】［実施例５］上記した［実施例２］の方法
で製造された輝尽性蛍光体（中心粒径１０μｍ）を、更
に流動層炉でアニールする。アニールは、８３０℃、中
性雰囲気で６０分間行い、その後炉冷する。アニールし
て得られた輝尽性蛍光体の粒径は、アニール前の輝尽性
蛍光体の粒径にほぼ等しい。表２に、アニールして得ら
れた輝尽性蛍光体の感度を、比較例２及び実施例２の輝
尽性蛍光体の感度と比べて示す。
で製造された輝尽性蛍光体（中心粒径１０μｍ）を、更
に流動層炉でアニールする。アニールは、８３０℃、中
性雰囲気で６０分間行い、その後炉冷する。アニールし
て得られた輝尽性蛍光体の粒径は、アニール前の輝尽性
蛍光体の粒径にほぼ等しい。表２に、アニールして得ら
れた輝尽性蛍光体の感度を、比較例２及び実施例２の輝
尽性蛍光体の感度と比べて示す。
【００１９】［実施例６］上記した［実施例３］の方法
で製造された輝尽性蛍光体（中心粒径１０μｍ）を、更
に流動層炉でアニールする。アニールは、８００℃、中
性雰囲気で６０分間行い、その後炉冷する。アニールし
て得られた輝尽性蛍光体の粒径は、アニール前の輝尽性
蛍光体の粒径にほぼ等しい。表３に、アニールして得ら
れた輝尽性蛍光体の感度を、比較例３及び実施例３の輝
尽性蛍光体の感度と比べて示す。
で製造された輝尽性蛍光体（中心粒径１０μｍ）を、更
に流動層炉でアニールする。アニールは、８００℃、中
性雰囲気で６０分間行い、その後炉冷する。アニールし
て得られた輝尽性蛍光体の粒径は、アニール前の輝尽性
蛍光体の粒径にほぼ等しい。表３に、アニールして得ら
れた輝尽性蛍光体の感度を、比較例３及び実施例３の輝
尽性蛍光体の感度と比べて示す。
【００２０】
【表１】 ─────────────────── 比較例１ １００ 実施例１ １２０ 実施例４ １５０ ───────────────────
【００２１】
【表２】 ─────────────────── 比較例２ １００ 実施例２ １１５ 実施例５ １４０ ───────────────────
【００２２】
【表３】 ─────────────────── 比較例３ １００ 実施例３ １２０ 実施例６ １４０ ─────────────────── 以上説明した実施例１〜６以外に、酸化物、硫化物系の
蛍光体についても同様の実験を行ったが、実施例同様、
良好な結果を得た。また、流動層炉は、固体−気体間の
反応を行わせる炉としても優れており、実施例のような
ハロゲン系の蛍光体の焼成を行う場合、ハロゲン元素を
補うためなどに使用されるフラックス（例えば、ＨＢｒ
・ＮＨ4 Ｂｒ・ＮＨ4 Ｃｌなど）の添加にも効果を発揮
する。次に、単結晶の蛍光体母体粒子を用いた実施例を
説明する。
蛍光体についても同様の実験を行ったが、実施例同様、
良好な結果を得た。また、流動層炉は、固体−気体間の
反応を行わせる炉としても優れており、実施例のような
ハロゲン系の蛍光体の焼成を行う場合、ハロゲン元素を
補うためなどに使用されるフラックス（例えば、ＨＢｒ
・ＮＨ4 Ｂｒ・ＮＨ4 Ｃｌなど）の添加にも効果を発揮
する。次に、単結晶の蛍光体母体粒子を用いた実施例を
説明する。
【００２３】［実施例７］ＢａＢｒ2 単結晶粉末と０．
１モル％のＥｕＢｒ3 粉末を、周知のＶ型ブレンダで混
合して原料にする。この原料を石英容器に入れ焼成す
る。焼成は、７５０℃、中性雰囲気で５分間行い、その
後放冷する。表４に、製造された輝尽性蛍光体の感度を
示す。ただし、この感度は、従来法（多結晶母体）で製
造された蛍光体の感度を１００とした相対値で示されて
いる。
１モル％のＥｕＢｒ3 粉末を、周知のＶ型ブレンダで混
合して原料にする。この原料を石英容器に入れ焼成す
る。焼成は、７５０℃、中性雰囲気で５分間行い、その
後放冷する。表４に、製造された輝尽性蛍光体の感度を
示す。ただし、この感度は、従来法（多結晶母体）で製
造された蛍光体の感度を１００とした相対値で示されて
いる。
【００２４】［実施例８］ＢａＦＢｒ単結晶粉末と０．
１モル％のＥｕＢｒ3 粉末を、周知のＶ型ブレンダで混
合して原料にする。この原料を石英容器に入れ焼成す
る。焼成は、８５０℃、中性雰囲気で５分間行い、その
後放冷する。表４に、製造された輝尽性蛍光体の感度を
示す。ただし、この感度は、従来法（多結晶母体）で製
造された蛍光体の感度を１００とした相対値で示されて
いる。
１モル％のＥｕＢｒ3 粉末を、周知のＶ型ブレンダで混
合して原料にする。この原料を石英容器に入れ焼成す
る。焼成は、８５０℃、中性雰囲気で５分間行い、その
後放冷する。表４に、製造された輝尽性蛍光体の感度を
示す。ただし、この感度は、従来法（多結晶母体）で製
造された蛍光体の感度を１００とした相対値で示されて
いる。
【００２５】［実施例９］ＢａＣｌ2 単結晶粉末と０．
１モル％のＥｕＣｌ3 粉末を、周知のＶ型ブレンダで混
合して原料にする。この原料を石英容器に入れ焼成す
る。焼成は、８００℃、中性雰囲気で５分間行い、その
後放冷する。表４に、製造された輝尽性蛍光体の感度を
示す。ただし、この感度は、従来法（多結晶母体）で製
造された蛍光体の感度を１００とした相対値で示されて
いる。
１モル％のＥｕＣｌ3 粉末を、周知のＶ型ブレンダで混
合して原料にする。この原料を石英容器に入れ焼成す
る。焼成は、８００℃、中性雰囲気で５分間行い、その
後放冷する。表４に、製造された輝尽性蛍光体の感度を
示す。ただし、この感度は、従来法（多結晶母体）で製
造された蛍光体の感度を１００とした相対値で示されて
いる。
【００２６】
【表４】 ────────────────── 実施例１ １５０ 実施例２ １４０ 実施例３ １４０ ────────────────── 次に、比較例１〜３、実施例１〜９の輝尽性蛍光体を、
有機バインダ、有機溶剤と混合し、ガラス上に３００μ
ｍの厚さ塗布して輝尽性蛍光体膜を形成し、さらにこの
輝尽性蛍光体膜の上にガラスを接着してＸ線画像変換シ
ートを製造した。このＸ線画像変換シートは、表１、
２、３、及び４に示された輝尽性蛍光体の感度に対応し
た感度になった。また、輝尽性蛍光体の中心粒径を小さ
くし、比較例と同じ感度にすると、分解能が向上した。
有機バインダ、有機溶剤と混合し、ガラス上に３００μ
ｍの厚さ塗布して輝尽性蛍光体膜を形成し、さらにこの
輝尽性蛍光体膜の上にガラスを接着してＸ線画像変換シ
ートを製造した。このＸ線画像変換シートは、表１、
２、３、及び４に示された輝尽性蛍光体の感度に対応し
た感度になった。また、輝尽性蛍光体の中心粒径を小さ
くし、比較例と同じ感度にすると、分解能が向上した。
【００２７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の第１の輝
尽性蛍光体の製造方法によれば、流動層炉内で蛍光体母
体粒子が焼成されるため、従来に比べ焼結防止剤の使用
量が少なくて済み、焼成工程で焼結される割合も低下す
る。この結果、感度が向上する。しかも、流動層炉内で
は温度分布が良好であるため、それぞれの蛍光体母体粒
子には賦活剤が均一に拡散され、この結果、輝尽性蛍光
体の各粒子それぞれの感度にムラが少なく、この輝尽性
蛍光体を使用した放射線画像変換シートでは画像のムラ
が抑えられる。
尽性蛍光体の製造方法によれば、流動層炉内で蛍光体母
体粒子が焼成されるため、従来に比べ焼結防止剤の使用
量が少なくて済み、焼成工程で焼結される割合も低下す
る。この結果、感度が向上する。しかも、流動層炉内で
は温度分布が良好であるため、それぞれの蛍光体母体粒
子には賦活剤が均一に拡散され、この結果、輝尽性蛍光
体の各粒子それぞれの感度にムラが少なく、この輝尽性
蛍光体を使用した放射線画像変換シートでは画像のムラ
が抑えられる。
【００２８】また、本発明の第２の輝尽性蛍光体の製造
方法によれば、賦活剤が拡散する蛍光体母体粒子が単結
晶であるため、従来の輝尽性蛍光体の粒子と比べると、
粒子中の輝尽発光に寄与する部分の割合が大きい。この
ため、高感度の輝尽性蛍光体になり、この輝尽性蛍光体
を放射線画像変換シートに用いることにより、被爆線量
の低減、分解能の向上が達成できる。
方法によれば、賦活剤が拡散する蛍光体母体粒子が単結
晶であるため、従来の輝尽性蛍光体の粒子と比べると、
粒子中の輝尽発光に寄与する部分の割合が大きい。この
ため、高感度の輝尽性蛍光体になり、この輝尽性蛍光体
を放射線画像変換シートに用いることにより、被爆線量
の低減、分解能の向上が達成できる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 武田 志郎 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内
Claims (5)
- 【請求項１】 輝尽性蛍光体の製造方法において、蛍光
体母体粒子を製造する工程と、該蛍光体母体粒子を流動
層炉内で焼成する工程を含むことを特徴とする輝尽性蛍
光体の製造方法。 - 【請求項２】 前記蛍光体母体粒子を流動層炉内で焼成
する工程が、該蛍光体母体粒子を焼成すると共に該蛍光
体母体粒子に賦活剤を拡散させる工程であることを特徴
とする請求項１記載の輝尽性蛍光体の製造方法。 - 【請求項３】 前記輝尽性蛍光体を流動層炉内でアニー
ルする工程を含むこと特徴とする請求項１記載の輝尽性
蛍光体の製造方法。 - 【請求項４】 輝尽性蛍光体の製造方法において、単結
晶の蛍光体母体粒子を製造する工程と、該蛍光体母体粒
子に賦活剤を拡散させる工程を含むことを特徴とする輝
尽性蛍光体の製造方法。 - 【請求項５】 前記輝尽性蛍光体が、ＢａＢｒ2 ：Ｅｕ
2+であることを特徴とする請求項１又は４記載の輝尽性
蛍光体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9732693A JPH06306358A (ja) | 1993-04-23 | 1993-04-23 | 輝尽性蛍光体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9732693A JPH06306358A (ja) | 1993-04-23 | 1993-04-23 | 輝尽性蛍光体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06306358A true JPH06306358A (ja) | 1994-11-01 |
Family
ID=14189369
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9732693A Withdrawn JPH06306358A (ja) | 1993-04-23 | 1993-04-23 | 輝尽性蛍光体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06306358A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0859372A1 (en) * | 1997-02-12 | 1998-08-19 | Konica Corporation | Radiation image conversion panel |
| WO2002101413A1 (fr) * | 2001-06-12 | 2002-12-19 | Institute Of Whole Body Metabolism | Capteur quantitatif de faisceau de particules |
| JP2015018812A (ja) * | 1998-08-27 | 2015-01-29 | キャボット コーポレイションＣａｂｏｔ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ | 光ルミネセンス蛍リン光体粒子を含む安全管理用製品 |
-
1993
- 1993-04-23 JP JP9732693A patent/JPH06306358A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0859372A1 (en) * | 1997-02-12 | 1998-08-19 | Konica Corporation | Radiation image conversion panel |
| JP2015018812A (ja) * | 1998-08-27 | 2015-01-29 | キャボット コーポレイションＣａｂｏｔ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ | 光ルミネセンス蛍リン光体粒子を含む安全管理用製品 |
| WO2002101413A1 (fr) * | 2001-06-12 | 2002-12-19 | Institute Of Whole Body Metabolism | Capteur quantitatif de faisceau de particules |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
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