DE3689594T2

DE3689594T2 - Schirm zum Speichern eines Strahlungsbildes.

Info

Publication number: DE3689594T2
Application number: DE86104557T
Authority: DE
Inventors: Satoshi Fuji Photo Fil Arakawa; Masamitu Fuji Photo F Nonomura
Original assignee: Fuji Photo Film Co Ltd
Current assignee: Fujifilm Holdings Corp
Priority date: 1985-04-03
Filing date: 1986-04-03
Publication date: 1994-05-11
Anticipated expiration: 2006-04-04
Also published as: EP0196675A3; JPS61228398A; JPH0554640B2; US4713549A; EP0196675A2; EP0196675B1; DE3689594D1

Description

Diese Erfindung betrifft eine Strahlenbildspeicherplatte, die einen Träger, eine Phosphorschicht, die einen stimulierbaren Phosphor enthält, und eine Schutzschicht umfaßt, die in dieser Reihenfolge aufeinander angeordnet sind. Solche Platten sind aus der EP-A-0 119 625 bekannt.
Herkömmlicherweise wurde eine Radiografie verwendet, um ein Strahlenbild zu erhalten, bei der eine Kombination eines radiografischen Films mit einer Emulsionsschicht, die ein totoempfindliches Silbersalz enthält, und eines radiografischen Verstärkungsschirms enthält, verwendet wurde.
Als Verfahren zum Ersetzen der herkömmlichen Radiografie wurde einem Strahlenbildaufzeichnungs- und Wiedergabeverfahren, bei dem ein stimulierbarer Phosphor verwendet wird, wie beispielsweise in dem US Patent 4 239 968, vor kurzem viel Aufmerksamkeit geschenkt. Bei dem Strahlenbildaufzeichnungs- und Wiedergabeverfahren wird eine Strahlenbildspeicherplatte, die einen stimulierbaren Phosphor (d. h. eine stimulierbare Phosphorfolie) enthält, verwendet, und das Verfahren umfaßt die Schritte, den stimulierbaren Phosphor der Platte dazu zu bringen, Strahlungsenergie zu absorbieren, welche durch einen Gegenstand hindurchgegangen ist oder von einem Gegenstand abgestrahlt wurde, aufeinanderfolgendes Erregen des stimulierbaren Phosphors mit einer elektromagnetischen Welle, wie sichtbarem Licht oder Infrarotstrahlen (nachstehend als "stimulierende Strahlen" bezeichnet), um die in dem Phosphor als Lichtemission (stimulierte Emission) gespeicherte Strahlungsenergie freizugeben, fotoelektrisches Erfassen des abgegebenen Lichts, um elektrische Signale zu erhalten, und Wiedergeben des Strahlenbildes von dem Gegenstand als sichtbares Bild aus den elektrischen Signalen.
Bei dem Strahlenbildaufzeichnungs- und Wiedergabeverfahren ist ein Strahlenbild erhältlich mit einer ausreichenden Menge an Informationen, indem eine Strahlung auf den Gegenstand mit einer im Vergleich zur herkömmlichen Radiografie beträchtlich kleineren Dosis angelegt wird. Dementsprechend ist dieses Verfahren von großem Wert, insbesondere, wenn das Verfahren für ärztliche Diagnostik verwendet wird. Die bei dem Strahlenbildaufzeichnungs- und Wiedergabeverfahren verwendete Strahlenbildspeicherplatte hat eine Grundstruktur, die einen Träger und eine Phosphorschicht auf einer Oberfläche des Trägers umfaßt. Weiterhin wird im allgemeinen eine durchsichtige Schicht auf der freien Oberfläche (der Oberfläche, die dem Träger nicht gegenüberliegt) der Phosphorschicht vorgesehen, um die Phosphorschicht vor chemischer Verschlechterung oder physikalischem Schock zu bewahren.
Die Phosphorschicht umfaßt ein Bindemittel und darin dispergierte, stimulierbare Phosphorteilchen. Der stimulierbare Phosphor gibt Licht ab (gibt eine stimulierte Emission ab), wenn er durch eine elektromagnetische Welle (stimulierende Strahlen), wie sichtbares Licht oder Infrarotstrahlen erregt wird, nachdem er einer Strahlung wie Röntgenstrahlen ausgesetzt worden ist. Entsprechend wird die Strahlung, die durch einen Gegenstand gegangen ist oder von ihm abgestrahlt wurde, durch die Phosphorschicht der Platte im Verhältnis zu der angewandten Strahlungsdosis absorbiert, und ein Strahlenbild des Gegenstands wird in der Platte in der Form eines strahlenenergiegespeicherten Bildes hergestellt. Das strahlenenergiegespeicherte Bild kann als stimulierte Emission durch aufeinanderfolgendes Bestrahlen (Abtasten) der Platte mit stimulierenden Strahlen freigegeben werden. Die stimulierte Emission wird dann fotoelektrisch erfaßt, um elektrische Signale abzugeben, um ein sichtbares Bild aus den elektrischen Signalen wiederzugeben.
Wenn das Strahlenbildaufzeichnungs- und Wiedergabeverfahren praktisch durchgeführt wird, wird die Strahlenbildspeicherplatte wiederholt in einem zyklischen Verfahren verwendet, welches folgende Schritte umfaßt: Aussetzen der Platte an eine Strahlung (d. h. Aufzeichnen eines Strahlenbilds). Bestrahlen der Platte mit stimulierenden Strahlen (d. h. Lesen des aufgezeichneten Strahlenbilds) und Aussetzen der Platte an Licht Rum Löschen (d. h. zum Löschen der verbleibenden Energie von der Platte). Bei dem zyklischen Verfahren erfolgt die Bewegung der Platte von einem Schritt zu dem nächsten Schritt durch ein Übergabesystem, und, wenn ein Zyklus beendet ist, wird die. Platte üblicherweise auf andere Platten gestapelt und gespeichert.
Detaillierter wird die Strahlenbildspeicherplatte von einem Schritt zu dem nächsten Schritt durch ein Übergabesystem bewegt, das Rollen, Übergaberiemen und Führungsplatten umfaßt, die auf verschiedene Weise in einem Strahlenbildaufzeichnungs- und Wiedergabegerät kombiniert sind. Bei einem solchen Übergabesystem wird die Platte nicht immer nur in der Längsrichtung der Platte bewegt, und in Abhängigkeit von der Vorrichtung wird die Platte in seitlicher Richtung dazu oder in beiden Richtungen bewegt. Entsprechend hat die Schutzschicht der Platte vorzugsweise eine große Dicke vom Gesichtspunkt der mechanischen Festigkeit aus, wie Biegefestigkeit, obgleich die mechanische Festigkeit, die für den Schutzfilm erforderlich ist in Abhängigkeit von dem Zweck der Benutzung der Platte, der Art der Vorrichtung usw. variiert.
Andererseits wird das Strahlenbild von der durchsichtigen Schutzschichtseitenoberfläche der Strahlenbildspeicherplatte durch Abtasten der Platte mit stimulierenden Strahlen gelesen, so daß die Dicke der Schutzschicht so klein wie möglich vom Standpunkt der Bildqualität, wie der Schärfe des Bildes, sein sollte. Da die Schutzschicht der Platte eine geringe Dicke und eine hohe mechanische Festigkeit hat, wurde bis jetzt eine Polyethylenterephthalatschicht verwendet, deren mechanische Festigkeit gegen Biegen oder dergleichen durch Strecken verbessert wurde. Die herkömmliche Polyethylenterephthalatschicht weist jedoch einen großen Unterschied zwischen der Festigkeit in einer Richtung und der Festigkeit in der dazu senkrechten Richtung (beispielsweise der Längsrichtung und der seitlichen Richtung) auf, und die seitliche Festigkeit war klein, selbst wenn die Festigkeit in der Längsrichtung zufriedenstellend war.
Insbesondere in dem Fall, in dem die Strahlenbildspeicherplatte sowohl in die Längs- als auch die Seitenrichtung übergeben wird, neigt die Schutzschicht dazu, Schaden zu erleiden, wie Risse oder Falten, die durch Biegen oder dergleichen mittels der Rollen während der Übergabe in der seitlichen Richtung verursacht werden. Solch ein Schaden führt nicht nur zu einer Verringerung der Wirkung der Schutzschicht als solcher, sondern verschlechtert auch die Qualität des sich ergebenden Bildes. Dementsprechend ist es wünschenswert, daß verhindert wird, daß die Platte einen Schaden auf der Schutzschicht während der Übergabe erleidet.
Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Strahlenbildspeicherplatte zu schaffen, die frei von der Richtungseigenschaft bezüglich der mechanischen Festigkeit ihrer Schutzschicht ist. Es ist eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Strahlenbildspeicherplatte zu schaffen, deren Haltbarkeit im Vergleich zu der herkömmlichen Strahlenbildspeicherplatte mit einer Schutzschicht der gleichen Dicke verbessert ist.
Die Aufgaben können durch eine Strahlenbildspeicherplatte wie in Anspruch 1 definiert, erzielt werden.
Bei der vorliegenden Erfindung bedeutet der Begriff "Längsrichtung" der Strahlenbildspeicherplatte eine Richtung der größeren Achse der Platte in der Form einer rechteckigen Schicht und der Begriff "seitliche Richtung" bedeutet eine Richtung der kleineren Achse. Der Begriff "Festigkeit" bedeutet eine Kraft (F-5, kg/mm²), die erforderlich ist, um eine dünne Schicht 5% länger als ihre ursprüngliche Länge in jeder Richtung zu strecken, und der Unterschied zwischen der Längsfestigkeit und der Seitenfestigkeit wird ausgedrückt durch ein Verhältnis zu der Festigkeit größer als die andere ausgedrückt.
Gemäß der vorliegenden Erfindung wird der Unterschied zwischen der Längsfestigkeit und der Seitenfestigkeit mit Bezug auf die Schutzschicht der strahlenbildspeicherplatte kleiner gemacht, um zu verhindern, daß die Schutzschicht Schaden erleidet, wenn die Platte entweder in der Längs- oder in der Seitenrichtung bewegt wird, und um die Haltbarkeit der Platte bemerkenswert zu verbessern.
Ins Detail gehend ist die Schutzschicht der herkömmlichen strahlenbildspeicherplatte ist fest genug, um in der Längsrichtung bewegt zu werden, aber sie kann kaum die Übergabe in der Seitenrichtung aufgrund ihrer unzureichenden seitlichen Festigkeit aushalten. Bei der Erfindung wird der Unterschied der Festigkeit zwischen beiden Richtungen nicht größer als 10% der größeren Festigkeit (d. h. der Festigkeit in der Längsrichtung) gemacht, um eine Schutzschicht mit ausreichender mechanischer Festigkeit nicht nur in einer Richtung, sondern auch in der anderen Richtung zu schaffen, wenn deren Dicke die gleiche wie bei einer herkömmlichen Schutzschicht ist. Dementsprechend wird die Schutzschicht daran gehindert, Risse, Falten und dergleichen auf seiner Oberfläche zu bekommen, gleichgültig, in welcher Richtung die Platte bewegt wird.
Außerdem wird bei der Strahlenbildspeicherplatte der Erfindung Polyethylenterephthalat verwendet, das, abgesehen von der vorstehend erwähnten hohen mechanischen Festigkeit eine hohe Transparenz und eine hohe Härte als Material der Schutzschicht aufweist, wodurch die Oberfläche der Schutzschicht kaum beschädigt wird, wenn die Platte gegen eine anderen Platte während des Aufstapelverfahrens in dem Übergabesystem reibt. Deshalb schafft die Erfindung eine Strahlenbildspeicherplatte mit ausgezeichneten Eigenschaften, wie dem Erzeugen eines Bildes hoher Qualität.
Fig. 1 ist eine Draufsicht, die schematisch eine Übergabetestvorrichtung darstellt.
Die Strahlenbildspeicherplatte der vorliegenden Erfindung, die die vorstehend beschriebenen Vorteile aufweist, kann beispielsweise wie folgt hergestellt werden.
Das bei der vorliegenden Erfindung verwendete Trägermaterial kann aus jenen ausgewählt werden, die bei herkömmlichen radiografischen Verstärkungsschirmen verwendet werden oder solchen, die bei bekannten Strahlenbildspeicherplatten verwendet werden. Beispiele der Trägermaterialien umfassen Kunststoffolien wie Folien aus Celluloseacetat, Polyester, Polyethylenterephthalat, Polyamid, Polyimid, Triacetat und Polycarbonat, Metallfolien wie Aluminiumfolie und Aluminiumlegierungsfolie, gewöhnliche Papiere, Barytpapier, mit Harz überzogene Papiere, Pigmentpapiere, die Titandioxid oder dergleichen enthalten, und Papiere, die mit Polyvinylalkohol oder dergleichen beleimt sind. Vom Gesichtspunkt der Eigenschaften einer Strahlenbildspeicherplatte als Informationsaufzeichnungsmaterial wird eine Kunststoffolie vorzugsweise als Trägermaterial der Erfindung verwendet. Die Kunststoffolie kann ein lichtabsorbierendes Material wie Ruß enthalten oder kann ein lichtreflektierendes Material wie Titandioxid enthalten. Das erstere ist geeignet für die Herstellung einer Strahlenbildspeicherplatte hoher Schärfe, während das letztere geeignet ist für die Herstellung einer Strahlenbildspeicherplatte hoher Empfindlichkeit.
Bei der Herstellung einer bekannten Strahlenbildspeicherplatte werden gelegentlich eine oder mehrere zusätzliche Schichten zwischen dem Träger und der Phosphorschicht vorgesehen, um die Haftung zwischen dem Träger und der Phosphorschicht zu verbessern oder um die Empfindlichkeit der Platte oder die Qualität eines Bildes (Schärfe und Körnigkeit), die dadurch geschaffen werden, zu verbessern. Beispielsweise kann eine Unterschicht vorgesehen werden, indem ein polymeres Material wie Gelatine auf die Oberfläche des Trägers auf der Seite der Phosphorschicht aufgetragen wird. Andererseits kann eine lichtreflektierende Schicht oder eine lichtabsorbierende Schicht durch Bildung einer Polymermaterialschicht vorgesehen sein, die ein lichtreflektierendes Material wie Titandioxid oder ein lichtabsorbierendes Material wie Ruß enthält. Bei der Erfindung können eine oder mehrere dieser zusätzlichen Schichten auf dem Träger vorgesehen sein.
Wie in der US Patentanmeldung 496 278 beschrieben, kann die Oberfläche des Trägers auf der Phosphorschichtseite (oder die Oberfläche einer Unterschicht, einer lichtreflektierenden Schicht oder einer lichtabsorbierenden Schicht, falls solche Schichten auf der Phosphorschicht vorgesehen sind) mit vorstehenden oder abgesenkten Teilen für die Verbesserung der Schärfe des Bildes vorgesehen sein.
Eine Phosphorschicht wird auf dem Träger gebildet. Die Phosphorschicht umfaßt grundsätzlich ein Bindemittel und darin dispergierte stimulierbare Phosphorteilchen.
Der stimulierbare Phosphor, wie vorstehend beschrieben, gibt eine stimulierte Emission ab, wenn er nach Aussetzung an eine Strahlung mit stimulierenden Strahlen erregt wird. Vom Gesichtspunkt der praktischen Verwendung wird gewünscht, daß der stimulierbare Phosphor eine stimulierbare Emission im Wellenlängenbereich von 300 - 500 nm bei Erregung mit stimulierenden Strahlen im Wellenlängenbereich von 400 - 900 nm abgibt. Beispiele des bei der erfindungsgemäßen strahlenbildspeicherplatte verwendbaren, stimulierbaren Phosphors umfassen:
SrS: Ce,Sm, SrS:Eu,Sm, ThO&sub2;:Er, und La&sub2;O&sub2;S:Eu,Sm wie in dem US Patent 3 859 527 beschrieben;
ZnS:Cu,Pb, BaO.xAl&sub2;O&sub3;:Eu, wobei eine Zahl ist, die die Bedingung 0,8 < x < 10 erfüllt, und MIIO.xSiO&sub2;:A, wobei MII mindestens ein zweiwertiges Metall ist, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus Mg, Ca, Sr, Zn, Cd und Ba, A mindestens ein Element ist, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus Ce, Tb, Eu, Tm, Pb, Tl, Bi und Mn, und x eine Zahl ist, die die Bedingung 0,5 ≤ x ≤ 2,5 erfüllt, wie in dem US Patent 4 236 078 beschrieben;
(Ba1-x-y, Mgx, Cay)Fx:aEu²&spplus;, wobei X mindestens ein Element ist, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus Cl und Br, und y Zahlen sind, die die Bedingungen O < x+y ≤ 0,6 und xy ≠ 0 erfüllen, und a eine Zahl ist, die die Bedingung 10&supmin;&sup6; ≤ a ≤ 5x10&supmin;² erfüllt, wie in der japanischen, vorläufigen Patentveröffentlichung 55(1980)-12143 beschrieben;
LnOX:xA, wobei Ln mindestens ein Element, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus La, Y, Gd und Lu ist, X mindestens ein Element ist, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus Cl und Br, A mindestens ein Element, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus Ce und Tb ist, und x eine Zahl ist, die die Bedingung 0 < x < 0,1 erfüllt, wie in dem US Patent 4 236 078 beschrieben;
(Ba1-x,M²&spplus;x), FX:yA, wobei M²&spplus; mindestens ein zweiwertiges Element ist, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus Mg, Ca, Sr, Zn und Cd, X mindestens ein Element, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus Cl, Br und I ist, A mindestens ein Element, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus Eu, Tb, Ce, Tm, Dy, Pr, Ho, Nd, Yb und Er ist, und und Zahlen sind, die die Bedingungen 0 ≤ x ≤ 0,6 bzw. 0 ≤ y ≤ 0,2 erfüllen, wie in dem US Patent Nr. 4 239 968 beschrieben;
MIIFX.xA:yLn, wobei MII mindestens ein Element, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus Ba, Ca, Sr, Mg, Zn und Cd ist, A mindestens eine Verbindung ist, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus BeO, MgO, CaO, SrO, BaO, ZnO, Al&sub2;O&sub3;, Y&sub2;O&sub3;, La&sub2;O&sub3;, In&sub2;O&sub3;, SiO&sub2;, TiO&sub2;, ZrO&sub2;, GeO&sub2;, SnO&sub2;, Nb&sub2;O&sub5;, Ta&sub2;O&sub5; und ThO&sub2;, Ln mindestens ein Element, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus Eu, Tb, Ce, Tm, Dy, Pr, Ho, Nd, Yb, Er, Sm und Gd ist, X mindestens ein Element, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus Cl, Br und I ist, und und Zahlen sind, die die Bedingungen 5·10&supmin;&sup5; ≤ x ≤ 0,5 bzw. 0 < y ≤ 0,2 erfüllen, wie in der vorläufigen japanischen Patentveröffentlichung 55(1980)-160078 beschrieben;
(Ba1-x,MII)F&sub2;.aBaX&sub2;:yEu,zA, wobei MII mindestens ein Element, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus Be, Mg, Ca, Sr, Zn und Cd ist, X mindestens ein Element ist, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus Cl, Br und I; A mindestens ein Element ist, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus Zr und Sc; und , , und Zahlen sind, die die Bedingungen 0,5 ≤ a ≤ 1,25, 0 ≤ x ≤ 1, 10&supmin;&sup6; ≤ y ≤ 2·10&supmin;¹ bzw. 0 < z ≤ 10&supmin;² erfüllen, wie in der vorläufigen japanischen Patentveröffentlichung 56(1981)-116777 beschrieben;
(Ba1-x,MII) F2.aBaX&sub2;:yEu, zB, wobei MII mindestens ein Element ist, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus Be, Mg, Ca, Sr, Zn und Cd, X mindestens ein Element ist, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus Cl, Br und I; und , , und Zahlen sind, die die Bedingungen 0,5 ≤ a ≤ 1,25, 0 ≤ x ≤ 1, 10&supmin;&sup6; ≤ y ≤ 2·10&supmin;¹ bzw. 0 < z ≤ 2·10&supmin;¹ erfüllen, wie in der vorläufigen japanischen Patentveröffentlichung 57(1982)-23673 beschrieben;
(Ba1-x,MII)F2.aBaX&sub2;:yEu,zA, wobei MII mindestens ein Element, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus Be, Mg, Ca, Sr, Zn und Cd ist, X mindestens ein Element ist, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus Cl, Br und I; A mindestens ein Element ist, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus As und Si; und , , und Zahlen sind, die die Bedingungen 0,5 ≤ a ≤ 1,25, 0 ≤ x ≤ 1, 10&supmin;&sup6; ≤ y ≤ 2·10&supmin;¹ bzw. 0 < z ≤ 5·10&supmin;¹ erfüllen, wie in der vorläufigen japanischen Patentveröffentlichung 57(1982)-23675 beschrieben;
MIIIOX:xCe, wobei MIII mindestens ein dreiwertiges Metall, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb und Bi ist, X mindestens ein Element, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus Cl und Br ist; und eine Zahl ist, die die Bedingung 0 < x < 0,1 erfüllt, wie in der vorläufigen japanischen Patentveröffentlichung 58 (1983)- 69281 beschrieben;
Ba1-xxMX&sub2;/xLx/&sub2;FX:yEu²&spplus;, wobei M mindestens ein Alkalimetall, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus Li, Na, K, Rb und Cs ist, L mindestens ein dreiwertiges Metall, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus Sc, Y, La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, Al, Ga, In und Tl ist, X mindestens ein Halogen ist, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus Cl, Br und I und und Zahlen sind, die die Bedingungen 10&supmin;² ≤ x ≤ 0,5 bzw. 0 < y ≤ 0,1 erfüllen, wie in der US Patentanmeldung 497 805 beschrieben;
BaFX.xA:yEu²&spplus;, wobei X mindestens ein Halogen, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus Cl, Br und I ist; A mindestens ein gebranntes Produkt einer Tetrafluorborsäureverbindung ist, und und Zahlen sind, die die Bedingungen von 10&supmin;&sup6; ≤ x ≤ 0,1 beziehungsweise 0 < y ≤ 0,1 erfüllen, wie in der US Patentanmeldung 520 215 beschrieben;
BaFX . . xA:yEu²&spplus;, wobei X mindestens ein Halogen, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus Cl, Br und I ist, A mindestens ein gebranntes Produkt einer Hexafluorverbindung ist, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus einwertigen und zweiwertigen Metallsalzen der Hexafluorkieselsäure, Hexafluortitansäure und Hexafluorzirconiumsäure und ist, und und Zahlen sind, die die Bedingungen 10&supmin;&sup6; ≤ x ≤ 0,1 bzw. 0 < y ≤ 0,1 erfüllen, wie in der US Patentanmeldung 502 648 beschrieben;
BaFX.xNaX':aEu²&spplus;, wobei sowohl X als auch X' mindestens ein Halogen, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus Cl, Br und I sind, und und Zahlen sind, die die Bedingungen 0 < x ≤ 2 bzw. 0 < a≤ 0,2 erfüllen, wie in der vorläufigen japanischen Patentveröffentlichung 59(1984)-56479 beschrieben;
MIIFX.xNax':y< Eu²&spplus;:zA, wobei MII mindestens ein Erdalkalimetall, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus Ba, Sr und Ca ist, sowohl X als auch X' mindestens ein Halogen, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus Cl, Br und I sind, A mindestens ein Übergangsmetall, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus V, Cr, Mn, Fe, Co und Ni ist, und , und Zahlen sind, die die Bedingungen 0 < x ≤ 2, 0 < y ≤ 0,2 bzw. 0 < z ≤ 10&supmin;², erfüllen, wie in der US Patentanmeldung 535 928 beschrieben;
MIIFx.aMIX.aMIXbN'IIX"2.cMIIIX'''3.xA:yEu²&spplus;, wobei MII mindestens ein Erdalkalimetall, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus Ba, Sr und Ca ist, MI mindestens ein Alkalimetall, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus Li, Na, K, Rb und Cs ist, M'II mindestens ein zweiwertiges Metall, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus Be und Mg ist, MIII mindestens ein dreiwertiges Metall, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus Al, Ga, In und Tl, A ein Metalloxid ist, X mindestens ein Halogen, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus Cl, Br und I ist, und sowohl X', X'' als auch X''' mindestens ein Halogen sind, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus F, Cl, Br und I; und , und Zahlen sind, die die Bedingungen O ≤ a ≤ 2, O ≤ b ≤ 10&supmin;², O ≤ c ≤ 10&supmin;², und a+b+c ≥ 10&supmin;&sup6; erfüllen, und und Zahlen sind, die die Bedingungen O < x ≤ 0,5 bzw. O < y ≤ 0,2 erfüllen, wie in der US Patentanmeldung 543 326 beschrieben;
MIIX&sub2;.aMIIX'&sub2;:xEu²&spplus;, wobei MII mindestens ein Erdalkalimetall, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus Ba, Sr und Ca ist, sowohl X als auch X' mindestens ein Halogen, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus Cl, Br und I sind, und X ≠ X' ist, und und Zahlen sind, die die Bedingungen 0,1 ≤ a ≤ 10,0 bzw. 0 < x ≤ 0,2 erfüllen, wie in der US Patentanmeldung 660 987 beschrieben;
MIIFX.aMIX':xEu²&spplus;, wobei MII mindestens ein Erdalkalimetall, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus Ba, Sr und Ca ist, M¹ mindestens ein Alkalimetall, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus Rb und Cs ist, X mindestens ein Halogen, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus Cl, Br und I ist, X' mindestens ein Halogen, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus F, Cl, Br und I, und a und x Zahlen sind, die die Bedingungen 0 ≤ a ≤ 4,0 bzw. 0 < x ≤ 0,2 erfüllen, wie in der US Patentanmeldung 668 464 beschrieben; und
MIX:xBi, wobei MI mindestens ein Alkalimetall, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus Rb und Cs ist, X mindestens ein Halogen, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus Cl, Br und I ist, und eine Zahl ist, die die Bedingung 0 < x ≤ 0,2 erfüllt, wie in der japanischen Patentanmeldung 60(1985)-70484 beschrieben.
Der MIIX&sub2;.aMIIX'&sub2;:xEu²&spplus; Phosphor, der in der vorstehenden US Patentanmeldung Nr. 660 987 beschrieben ist, kann die folgenden Zusätze in der folgenden Menge pro 1 Mol MIIX&sub2;.aMIIX'&sub2; enthalten:
bMIX'', wobei MI mindestens ein Alkalimetall, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus Rb und Cs ist, X'' mindestens ein Halogen, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus F, Cl, Br und I ist, und b eine Zahl ist, die die Bedingung 0 < b ≤ 10,0 erfüllt, wie in der US Patentanmeldung 699 325 beschrieben;
bKX''.cMgx'''&sub2;.dMIIIx''''&sub3;, wobei MIII mindestens ein dreiwertiges Metall, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus Sc, Y, La, Gd und Lu ist, sowohl X'', X''' als auch X'''' mindestens ein Halogen, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus F, Cl, Br und I sind, und , und Zahlen sind, die die Bedingungen 0 ≤ b ≤ 2,0, 0 ≤ c ≤ 2,0, 0 ≤ d ≤ 2,0 und 2·10&supmin;&sup5; ≤ b+c+d erfüllen, wie in der US Patentanmeldung 723 819 beschrieben;
yB, wobei y eine Zahl ist, die die Bedingungen von 2·10&supmin;&sup4; ≤ y ≤ 2·10&supmin;¹ erfüllt, wie in der US Patentanmeldung 727 974 beschrieben;
bA, wobei A mindestens ein Oxid, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus SiO&sub2; und P&sub2;O&sub5; ist, und b eine Zahl ist, die die Bedingungen 10&supmin;&sup4; ≤ b ≤ 2·10&supmin;¹ erfüllt, wie in der US Patentanmeldung 727 972 beschrieben;
bSiO, wobei b eine Zahl ist, die die Bedingung 0 < b ≤ 3·10&supmin;² erfüllt, wie in der US Patentanmeldung 797 971 beschrieben;
bSnx''&sub2;, wobei X'' mindestens ein Halogen, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus F, Cl, Br und I ist, und b eine Zahl ist, die die Bedingung 0 < b ≤ 10&supmin;³ erfüllt, wie in der US Patentanmeldung 797 971 beschrieben;
bCsX''.cSnX'''&sub2;, wobei sowohl X'' als auch X''' mindestens ein Halogen, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus F, Cl, Br und I ist, und und Zahlen sind, die die Bedingungen 0 < b ≤ 10,0 bzw. 10&supmin;&sup6; ≤ c ≤ 2·10&supmin;² erfüllen, wie in der japanischen Patentanmeldung 60(1985)-78033 beschrieben, und
bCsX''.yLn³&spplus;, wobei X'' mindestens ein Halogen, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus F, Cl, Br und I ist, Ln mindestens ein seltenes Erdelement, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus Cs, Y, Ce, Pr, Nd, Sm, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb und Lu ist, und und Zahlen sind, die die Bedingungen 0 < b ≤ 10,0 bzw. 10&supmin;&sup6; ≤ y ≤ 8·10&supmin;¹ erfüllen, wie in der japanischen Patentanmeldung 60(1985)-78035 beschrieben;
Unter den vorstehend beschriebenen stimulierbaren Phosphorarten sind der zweiwertige, mit Europium aktivierte Erdalkalimetallhalogenidphosphor und der mit einem Seltenerdelement aktivierte Seltenerdoxyhalogenidphosphor besonders bevorzugt, weil diese eine stimulierte Emission von hoher Leuchtdichte aufweisen. Die vorstehend beschriebenen stimulierbaren Phosphorarten sind angegeben, um keinesfalls den stimulierbaren Phosphor, der bei der vorliegenden Erfindung verwendet werden kann, einzuschränken. Alle anderen Phosphorarten können auch verwendet werden, vorausgesetzt, daß der Phosphor eine stimulierte Emission abgibt, wenn er mit stimulierenden Strahlen nach Aussetzen an eine Strahlung erregt wird.
Beispiele der in der Phosphorschicht enthaltenen Bindemittel umfassen: natürliche Polymere wie Proteine (beispielsweise Gelatine), Polysaccharide (beispielsweise Dextran) und Gummi arabicum und synthetische Polymere wie Polyvinylbutyral, Polyvinylacetat, Nitrocellulose, Ethylcellulose, Vinylidenchlorid-/Vinylchloridcopolymer, Polyalkyl-(meth)-acrylat, Vinylchlorid-/Vinylacetatcopolymer, Polyurethan, Celluloseacetatbutyrat, Polyvinylalkohol und linearer Polyester. Insbesondere bevorzugt sind Nitrocellulose, -linearer Polyester, Polyalkyl-(meth)-acrylat, eine Mischung von Nitrocellulose linearem Polyester und eine Mischung von Nitrocellulose und Polyalkyl-(meth)-acrylat. Diese Bindemittel können mit einem Vernetzungsmittel vernetzt sein.
Die Phosphorschicht kann auch beispielsweise durch das folgende Verfahren auf dem Träger gebildet sein.
Als erstes werden stimulierbare Phosphorteilchen und ein Bindemittel einem geeigneten Lösungsmittel zugegeben, und dann werden sie gemischt, um eine Überzugsdispersion herzustellen, die die Phosphorteilchen homogen dispergiert in der Bindemittellösung enthält.
Beispiele des bei der Herstellung der Überzugsdispersion verwendbaren Lösungsmittels umfassen niedrige Alkohole wie Methanol, Ethanol, n-Propanol und n-Butanol, chlorierte Kohlenwasserstoffe wie Methylenchlorid und Ethylenchlorid, Ketone wie Aceton, Methylethylketon und Methylisobutylketon, Ester von niedrigen Alkoholen mit niedrigen aliphatischen Säuren wie Methylacetat, Ethylacetat und Butylacetat, Ether wie Dioxan, Ethylenglycolmonoethylether und Ethylenglycolmonoethylether und Mischungen der vorstehend erwähnten Verbindungen.
Das Verhältnis zwischen dem Bindemittel und dem stimulierbaren Phosphor in der Überzugsdispersion kann gemäß den Eigenschaften der Bildspeicherplatte mit gezielter Strahlung und der Natur des verwendeten Phosphors bestimmt werden. Im allgemeinen liegt das Verhältnis innerhalb des Bereichs von 1 : 1 bis 1 : 100 (Bindemittel:Phosphor, Gewicht) vorzugsweise von 1 : 8 bis 1 : 40.
Die Überzugsdispersion kann ein Dispergiermittel enthalten, um die Dispergierbarkeit der Phosphorteilchen darin zu verbessern und kann eine Reihe von Zusätzen wie einen Weichmacher zur Erhöhung der Haftfestigkeit zwischen dem Bindemittel und den Phosphorteilchen in der Phosphorschicht enthalten. Beispiele des Dispergiermittels umfassen Phthalsäure, Stearinsäure, Capronsäure und ein hydrophobes oberflächenaktives Mittel. Beispiele des Weichmachers umfassen Phosphate wie Triphenylphosphat, Tricresylphosphat und Diphenylphosphat, Phthalate wie Diethylphthalat und Dimethoxyethylphthalat, Glycolate wie Ethylphthalylethylglycolat und Butylphthalylbutylgiycolat, und Polyester von Polyethylenglycolen mit aliphatischen Dicarbonsäuren wie Polyester von Triethylglycol mit Adipinsäure und Polyester von Diethylenglycol mit Bernsteinsäure.
Die Überzugsdispersion, die die Phosphorteilchen und das Bindemittel enthält, die wie vorstehend beschrieben hergestellt wurden, wird gleichmäßig auf die Oberfläche des Trägers zur Bildung einer Schicht der Überzugsdispersion aufgetragen. Das Überzugsverfahren kann durch ein herkömmliches Verfahren wie ein Verfahren unter Verwendung eines Abstreifmessers, eines Rollenbeschichters oder eines Messerbeschichters durchgeführt werden.
Nach Auftragen der Überzugsdispersion auf den Träger wird die Überzugsdispersion dann langsam zur Trockene erhitzt, um die Bildung einer Phosphorschicht zu beenden. Die Dicke der Phosphorschicht variiert in Abhängigkeit von den Eigenschaften der Bildspeicherplatte mit gezielter Strahlung, der Art des Phosphors, dem Verhältnis zwischen dem Bindemittel und dem Phosphor usw. Im allgemeinen liegt die Dicke der Phosphorschicht im Bereich von 20 um bis 1 mm, und vorzugsweise von 50 bis 500 um.
Die Phosphorschicht kann auf den Träger durch andere Verfahren als dem vorstehend angegebenen vorgesehen werden.
Beispielsweise wird die Phosphorschicht anfänglich auf einer Platte (einem falschen Träger) wie einer Glasplatte, einer Metallplatte oder einer Kunststoffplatte unter Verwendung der vorstehend erwähnten Überzugsdispersion hergestellt, und dann wird die so hergestellte Phosphorschicht auf den echten Träger durch Pressen oder durch Verwendung eines Klebstoffs aufgebracht.
Eine Schutzschicht wird auf der Oberfläche der Phosphorschicht vorgesehen. Die Schutzschicht, die ein charakteristisches Erfordernis der vorliegenden Erfindung ist, ist ein durchsichtiger, dünner Film, der aus Polyethylenterephthalat hergestellt ist.
Die Schutzschicht kann auf der Phosphorschicht beispielsweise durch früheres Herstellen einer durchsichtigen Polyethylenterephthalatschicht, gefolgt von deren Verbringung und Befestigen auf der Phosphorschicht mit einem geeigneten Klebstoff vorgesehen werden.
Es ist erforderlich, daß die Längsfestigkeit und die Seitenfestigkeit der Schutzschicht einander gleich sind oder daß die Unterschiede zwischen ihnen innerhalb von 10% der größeren Festigkeit liegen. Vorzugsweise sind die Längsfestigkeit und die Seitenfestigkeit einander gleich oder der Unterschied zwischen ihnen liegt innerhalb von 5% der größeren Festigkeit.
Die Gesamtsumme der Längsfestigkeit und der Seitenfestigkeit der Schutzschicht liegt vorzugsweise nicht unter 25 kg/mm², und weiter bevorzugt nicht unter 28 kg/mm², wenn die Festigkeit durch eine Kraft (F-5) definiert ist, die erforderlich ist, um sie 5% länger zu strecken als ihre anfängliche Länge. Die Schutzschicht hat vorzugsweise eine Dicke innerhalb eines Bereichs von etwa 3 bis 20 um.
Die Strahlenbildspeicherplatte der Erfindung kann mit einem Färbemittel gefärbt sein, um die Schärfe des sich ergebenden Bildes, wie in dem US Patent 4 394 581 und in der US Patentanmeldung 326 642 beschrieben, zu verbessern. Für den gleichen Zweck kann die Phosphorschicht der Strahlenbildspeicherplatte ein weißes Pulver, wie in dem US Patent 4 350 893 beschrieben, enthalten.
Die nachstehenden Beispiele veranschaulichen die vorliegende Erfindung weiter, aber diese Beispiele sollen keinesfalls die Erfindung beschränken.

Beispiele 1 - 2

Einer Mischung eines teilchenförmigen, zweiwertigen, mit Europium aktivierten Bariumfluorbromids (BaFBr: Eu²&spplus;) -Phosphor und eines linearen Polyesterharzes wurden nacheinander Methylethylketon und Nitrocellulose (Nitridierungsgrad: 11,5%) zur Herstellung einer Dispersion, die die Phosphorteilchen enthält, zugegeben. Anschließend wurden der Dispersion Tricresylphosphat, n-Butanol und Methylethylketon zugegeben. Die Mischung wurde ausreichend mittels eines Propellerrührers gerührt, um eine homogene Überzugsdispersion mit einem Mischungsverhältnis von 1 : 20 (Bindemittel : Phosphor, Gewicht), und eine Viskosität von 25 - 35 PS (bei 25ºC) zu erhalten.
Die Überzugsdispersion wurde gleichmäßig auf eine Polethylenterephthalatplatte (Träger, Dicke: 250 um) aufgebracht, die horizontal auf einer Glasplatte lag. Das Aufbringen der Überzugsdispersion wurde unter Verwendung eines Abstreifmessers durchgeführt. Nachdem das Überziehen beendet war, wurde der Träger, der eine Schicht der Überzugsdispersion aufwies, in einen Ofen verbracht und auf eine Temperatur erhitzt, die sich allmählich von 25 auf 100ºC erhöhte. So wurde eine Phosphorschicht mit einer Dicke von etwa 300 um auf dem Träger gebildet.
Eine transparente Polyethylenterephthalatschicht (Dicke: 10 um; versehen mit einer Polyesterklebeschicht auf einer Oberfläche), die eine Festigkeit aufwies, die in Tabelle 1 dargelegt ist, wurde auf die Phosphorschicht gelegt, um die transparente Schicht und die Phosphorschicht mit der Klebeschicht zu verbinden.
So wurden zwei Arten von Strahlenbildspeicherplatten, die im wesentlichen aus einem Träger, einer Phosphorschicht und einer Schutzschicht bestanden, hergestellt.

Vergleichsbeispiele 1 - 7

Das Verfahren von Beispiel 1 oder 2 wurde mit der Ausnahme wiederholt, daß verschiedene durchsichtige Polyethylenterephthalatschichten (Dicke: 10 um; versehen mit einer Polyesterklebeschicht auf einer Oberfläche) mit einer in Tabelle 1 angegebenen Festigkeit als Material der Schutzschicht verwendet wurden, um verschiedene Strahlenbildspeicherplatten herzustellen, die im wesentlichen aus einem Träger, einer Phosphorschicht und einer durchsichtigen Schutzschicht bestanden.
Die in den Vergleichsbeispielen 1 und 5 verwendeten Polyethylenterephthalatschichten werden im allgemeinen als Material der Schutzschicht der herkömmlichen Strahlenbildspeicherplatte verwendet.
Die Festigkeit der Polyethylenterephthalatschichten, die für die Schutz schichten in Beispiel 1 und 2 und in den Vergleichsbeispielen 1 bis 7 verwendet wurden, sind in Tabelle 1 angegeben. In Tabelle 1 wird die Festigkeit als eine Kraft (F-5) definiert, die erforderlich ist, um den Film 5% länger als die ursprüngliche Länge des Films zu strecken, und der Unterschied zwischen der Längsfestigkeit und der Seitenfestigkeit wird durch ein Verhältnis zu der Längsfestigkeit ausgedrückt. Tabelle Festigkeit Längsrichtung Seitenrichtung Unterschied in der Festigkeit Beispiel Vergleichsbeispiel

Bewertung

Die vorstehend beschriebenen Strahlenbildspeicherplatten wurden bezüglich der Übergabeeigenschaften gemäß dem folgenden Test bewertet.
Die Strahlenbildspeicherplatte wurde geschnitten, um einen Teststreifen (100 mm · 250 mm) zu ergeben, und der Teststreifen wurde in eine in Fig. 1 gezeigte Übergabetestvorrichtung bewegte. Der Teststreifen wurde in die Vorrichtung von einem Einlaß (Pfeil 1) eingeführt und durch Führungsplatten 2 und Quetschrollen 3 (Durchmesser: 25 mm) hindurchbewegt. Dann wurde der Teststreifen innen entlang einer Gummiwalze 5 mittels eines Übergabebands 4 und dann außen entlang einer Gummiwalze 5' (Durchmesser: 40 mm) mittels eines Übergaberiemens 4 gebogen und dann weiter durch Führungsplatten und Quetschwalzen hindurchbewegt. Nachdem dieser Übergabearbeitsgang wiederholt wurde, wurde das Auftreten von Schäden (Rissen) auf der Schutzschicht des Teststreifens mit dem Auge beobachtet.
Die Ergebnisse sind in Tabelle 2 angegeben. Tabelle 2 Auftreten von Rissen Längsrichtung Seitenrichtung Beispiel nicht beobachtet (3000 Umläufe) Vergleichsbeispiel beobachtet
Wie aus den in Tabelle 2 angegebenen Ergebnissen ersichtlich, verursachten die Strahlenbildspeicherplatten gemäß der Erfindung (Beispiele 1 und 2) keine Risse in der Schutzschicht, wenn die Platten entweder in der Längs- oder in der Seitenrichtung bewegt wurden. Andererseits verursachten alle Strahlenbildspeicherplatten für Vergleichszwecke (Beispiele 1 bis 7, wobei jene der Beispiele 1 und 5 herkömmliche Strahlenbildspeicherplatten sind) Risse, wenn die Platten entweder in der Längs- oder der Seitenrichtung oder in beiden Richtungen bewegt wurden, und es wurde bestätigt, daß die Platten für Vergleichszwecke eine Übergabe sowohl in der Längs-, als auch der Seitenrichtung nicht aushalten konnten.

Claims

1. strahlenbildspeicherplatte, umfassend einen Träger, eine Phosphorschicht, die ein Bindemittel und einen darin dispergierten stimulierbaren phosphoreszierenden Stoff umfaßt, und eine Schutzschicht aus Polyethylenterephthalat mit einer Dicke von innerhalb dem Bereich von 3 bis 20 um, in dieser Reihenfolge übereinanderliegend, dadurch gekennzeichnet, daß die Schutzschicht eine Längsfestigkeit und eine Querfestigkeit von nicht weniger als jeweils 14,0 kg/mm² aufweist, die nicht mehr als 7,9% voneinander abweichen, wobei der Wert auf der Basis der größeren Festigkeit bestimmt ist.

2. Strahlungsbildspeicherplatte nach Anspruch 1, wobei der Unterschied der Längsfestigkeit und der Querfestigkeit nicht mehr als 0,7% ist.