DE69721724T2 - Spannungspegelumsetzungsverfahren, insbesondere für nichtflüchtigen Speicher - Google Patents

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Description

  • Die Erfindung betrifft einen Spannungspegelumsetzer, insbesondere für einen nichtflüchtigen Speicher.
  • Bekanntlich können integrierte elektronische Bauelemente Schaltungsteile enthalten, die zwar zusammenarbeiten, jedoch bei unterschiedlichen Spannungspegeln betrieben und deshalb getrennt mit Leistung versorgt werden müssen. Darüber hinaus erfordern einige dieser Schaltungsteile möglicherweise unterschiedliche Versorgungsspannungen entsprechend dem Betriebsmodus des Bauelements, von dem sie ein Teil sind.
  • In nichtflüchtigen Speicherbauelementen z. B. (EPROM, EEPROM, Flash etc.), auf die in der übrigen Beschreibung Bezug genommen wird, arbeiten die verschiedenen Schaltungsteile (so z. B. solche zum Decodieren, für Redundanz, zur Programmierung etc.) entsprechend dem Betriebsmodus des Bauelements (Lesen, Programmieren, Verifizieren etc.) mit unterschiedlichen Spannungen und müssen daher durch Schaltungsmittel verbunden sein, die als "Pegelumsetzer" bekannt sind.
  • Ein Blockdiagramm der Ausgestaltung eines Pegelumsetzers in einem nichtflüchtigen Speicher 10 ist in 1 gezeigt, wobei der Pegelumsetzer 1, der an eine erste Versorgungsleitung 2 auf einer Spannung Vpc angeschlossen ist, zwischen einer ersten Schaltung 3, die an einer zweiten Versorgungsleitung 4 mit einer Versorgungsspannung Vdd liegt, und eine zweite Schaltung 5, die an die erste Versorgungsleitung 2 angeschlossen ist, eingefügt ist. Die Spannung Vpc besitzt je nach anstehendem Betriebsmodus (Programmieren, Lesen, Verifizieren...) abwechselnd den Wert der Versorgungsspannung Vdd oder einer Spannung Vpp (typischerweise ist dies die Programmierspannung), die größer als Vdd ist. Zu diesem Zweck ist die Versorgungsleitung 2 über einen gesteuerten Schalter 7 an die Versorgungsleitung 4 oder an eine auf Vpp liegende Versorgungsleitung 6 angeschlossen, wobei die Spannung Vpp an einem geeigneten Pin abgegriffen oder intern in dem Bauelement mit Hilfe geeigneter Ladungspumpen erzeugt werden kann.
  • In einem ersten Betriebsmodus, in welchem die Spannung Vpc gleich der Versorgungsspannung Vdd ist, wird der Umsetzer 1 nicht benötigt, um irgendeine Pegelumsetzung vorzunehmen, sondern dient bloß zum korrekten Reproduzie- ren des Eingangssignals mit minimaler Verzögerung und Verlustleistung; im zweiten Betriebsmodus hingegen, in welchem die Spannung Vpc der Spannung Vpp gleicht, muß der Umsetzer 1 an dem Ausgang ein Signal erzeugen, dessen niedrigster logischer Zustand nahe dem Referenzpotential der Schaltung (Masse) liegt, und dessen höchster logischer Zustand nahe bei der Spannung Vpp liegt.
  • 2 zeigt eine Ausführungsform des Pegelumsetzers 1' bekannter Bauart. Er besitzt einen Eingang 9, an dem er ein Eingangssignal S, von der mit der Spannung Vdd arbeitenden Schaltung 3 empfängt, und einen Ausgang 12, an dem er ein Signal So an die an die Versorgungsleitung 2 angeschlossene Schaltung 5 liefert.
  • Der Pegelumsetzer 1' enthält einen NMOS-Durchlaßtransistor 15 mit einem ersten Anschluß an dem Eingang 9, einem zweiten Anschluß an einem Zwischenknoten 16 und einem Gateanschluß an der Versorgungsleitung auf der Spannung Vdd; einen Negator 17, der mit einem Eingang an den Zwischenknoten 16 angeschlossen ist, der mit einem Ausgang an den Ausgang 12 angeschlossen ist und der mit einer Spannung Vpc gespeist wird; und einen Hochzieh-Transistor 19, der mit einem Gate an den Ausgang 12, mit der Source an die Versorgungsleitung 2 und mit dem Drain an den Zwischenknoten 16 angeschlossen ist;
  • In dem Pegelumsetzer 1' ist im ersten Betriebsmodus (Lesen, Verifizieren,...) die Spannung Vpc auf der Versorgungsleitung 2 gleich der Spannung Vdd. Wenn der logische Zustand des Signals Si am Eingang 9 niedrig ist, ist der NMOS-Transistor 15 eingeschaltet und lässt den niedrigen logischen Zustand auf dem Knoten 16 durch. Folglich gibt der Negator 17 das Signal So in logisch hohem Zustand entsprechend Vpp aus. Dieses Signal, welches auch an dem Gatter des Hochzieh-Transistors 19 ansteht, hält diesen ausgeschaltet. Wenn allerdings der logische Zustand des Signals S; hoch ist, arbeitet der NMOS-Transistor 15 wie eine Diode mit zwei auf gleicher Spannung liegenden Anschlüssen, so dass er einen Spannungsabfall zwischen dem Eingang 9 und dem Zwischenknoten 16 festlegt, welcher seiner Schwellenspannung Vth entspricht. Wenn die Versorgungsspannung Vdd einen hohen Wert hat, bringt dieser Spannungsabfall keine Probleme, und der Negator 17 bringt das Ausgangssignal So auf einen niedrigen logischen Pegel. In dieser Situation ist der Hochzieh-Transistor 19 eingeschaltet und stabilisiert die Spannung an dem Zwischenknoten 16 auf den Wert Vpp. Wenn hingegen die Versorgungsspannung Vdd niedrig ist (z. B. 2,7 Volt), so verursacht dieser Spannungsabfall Probleme in der Funktionsweise und der Geschwindigkeit.
  • Im zweiten Betriebsmodus (die Spannung Vpp auf der Versorgungsleitung 2) ist der Betrieb des Umsetzers ähnlich dem oben beschriebenen Betrieb. Auch in diesem Modus gibt es Probleme bezüglich Funktionsfähigkeit und Geschwindigkeit, und sogar in einer Situation eines Standard-Pegels der Versorgungsspannung kann es sein, dass immer dann, wenn die Differenz zwischen der Versorgungsspannung Vdd und der Schwellenspannung Vth groß ist, dies das Auslösen des Negators 17 nicht ermöglicht.
  • Eine weitere bekannte Ausführungsform des Pegelumsetzers ist in 3 gezeigt, in der der mit 1'' bezeichnete Umsetzer aufweist: zwei PMOS-Transistoren 26, 27, zwei NMOS-Transistoren 28, 29 und einen Negator 30. Der PMOS-Transistor 26 ist mit seiner Source an die Versorgungsleitung 2 mit der Spannung Vpc, mit seinem Gate an den Ausgang 12 und mit dem Drain an einen Knoten 32 angeschlossen. Der NMOS-Transistor 28 ist mit seinem Drain an den Knoten 32 angeschlossen, mit seinem Gate an den Eingang 9 und mit seiner Source an Masse. Der PMOS-Transistor 27 ist mit seiner Source an die Versorgungsleitung 2, mit seinem Gate an den Knoten 32 und seinem Drain an den Ausgang 12 angeschlossen. Der NMOS-Transistor 29 ist mit seiner Source an Masse, mit seinem Drain an den Ausgang 12 und mit seinem Gate an den Ausgang des Negators 30 angeschlossen. Der Negator 30 ist an die Versorgungsleitung 4 mit der Spannung Vdd angeschlossen und ist mit seinem Eingang an den Eingang 9 gekoppelt. Die beiden PMOS-Transistoren 26 und 27 sind mit ihrer Source an das Substrat angeschlossen.
  • In beiden Betriebsarten ist, wenn der Pegel des S; hoch ist, der NMOS--Transistor 28 eingeschaltet, und das Signal am Knoten 32 ist niedrig. Folglich ist der PMOS-Transistor 27 eingeschaltet, und das Signal So ist hoch und Fiat einen Wert von Vdd in dem ersten Betriebsmodus und hat einen Wert von Vpp im zweiten Betriebsmodus.
  • Ist hingegen das Signal S; niedrig, ist der NMOS-Transistor 28 ausgeschaltet, während der NMOS-Transistor 29 eingeschaltet und das Ausgangssignal So niedrig ist. In der Praxis arbeitet der Pegelumsetzer 1'' in beiden Betriebsarten korrekt, allerdings besitzt er eine geringe Schaltgeschwindigkeit und eine beträchtliche Baugröße, bedingt durch die hohe Anzahl von Transistoren und die Komplexität der Verbindungen. Diese Größe ist dann besonders von Nachteil, wenn die Pegel großer Daten- oder Adressenbusse "umgesetzt" werden müssen, aus welchem Grund die in 3 gezeigte Lösung in einem solchen Fall schwierig anzuwenden ist.
  • Das Ziel der Erfindung ist die Schaffung eines Spannungspegelumsetzers, der nicht die den bekannten Lösungen anhaftenden Nachteile besitzt. Die Erfindung schafft einen Spannungspegelumsetzer, insbesondere für nichtflüchtige Speicher, wie er im Anspruch 1 angegeben ist.
  • Zum Verständnis der Erfindung werden im folgenden zwei bevorzugte Ausführungsformen lediglich als nicht erschöpfendes Beispiel unter Bezugnahme auf die begleitenden Zeichnungen beschrieben. Es zeigen:
  • 1 ein Blockdiagramm eines nichtflüchtigen Speichers mit einern Pegelumsetzer;
  • 2 ein Schaltungsdiagramm eines ersten Spannungspegelumsetzers bekannter Bauart;
  • 3 ein Diagramm eines zweiten Spannungspegelumsetzers bekannter Bauart;
  • 4 ein vereinfachtes Schaltungsdiagramm einer ersten Ausführungsform des vorliegenden Pegelumsetzers;
  • 5 ein Diagramm einer zweiten Ausführungsform dieses Pegelumsetzers.
  • Der Pegelumsetzer 36 nach 4 (der zu dem Speicher 10 gehört) besitzt einen Eingang 37, an dem das Signal S; ansteht, welches von der bei der Spannung Vdd arbeitenden Schaltung 3 geliefert wird, und einen Ausgang 39, der das Signal So an die bei der Spannung Vpc arbeitende Schaltung 5 liefert. Der Umsetzer 36 enthält einen CMOS-Schalter 42 (von dem als "Transmissions-Gate" bekannten Typ) und einen Hochzieh-Transistor 43 vom PMOS-Typ. Der CMOS-Schalter 42 wird durch einen PMOS-Transistor 44 und einem MMOS-Transistor 45 gebildet, deren erste Anschlüsse zusammengeschaltet und an den Eingang 37 gekoppelt sind, deren zweite Anschlüsse zusammengeschaltet und an den Ausgang 39 gekoppelt sind, und deren Gateanschlüsse an eine Steuerleitung 46 bzw. an die auf der Spannung Vdd liegende Versorgungsleitung 4 angeschlossen sind. Das Substrat des PMOS-Transistors 44 ist außerdem an die auf Vpc liegende Versorgungsleitung 2 angeschlossen. An der Steuerleitung 46 steht ein logisches Steuersignal C an, dessen Wert den Zustand (ein oder aus) des PMOS-Transistors 44 festlegt. Ein von einem Signal T gesteuerter Schalter 48 verbindet abwechselnd die Steuerleitung 46 mit Masse oder einer zweiten Versorgungsleitung 2, die die Spannung Vpc führt, wie unten im Einzelnen ausgeführt wird. Der Hochzieh-Transistor 43 ist mit einem Sourceanschluß an die Versorgungsleitung 2, mit einem Drainanschluß an den Ausgang 39 und mit einem Gateanschluß an die Versorgungsleitung 4 angeschlossen. Außerdem ist der Hochzieh-Transistor 43 mit seinem Substrat an die Versorgungsleitung 2 angeschlossen, um das Vorhandensein unerwünschter direkter Polarisationen zwischen den verschiedenen Zonen des Transistors 43 zu verhindern. Der Hochzieh-Transistor 43 ist derart ausgelegt, dass sein Innenwiderstand viel größer ist als der des NMOS-Transistors 45, die Gründe dafür werden unten erläutert.
  • Der Pegelumsetzer 36 arbeitet folgendermaßen:
  • Das Signal T (beispielsweise das Programmier-Befehlssignal) besitzt im Fall des ersten Betriebsmodus bei niedriger Spannung einen ersten logischen Pegel, um die Verbindung der Steuerleitung 46 mit Masse festzulegen, während im Fall des zweiten Betriebsmodus bei hoher Spannung das Signal T einen zweiten logischen Pegel hat, um die Verbindung der Steuerleitung 46 mit der Versorgungsleitung 2 festzulegen. Wenn in der Praxis der Schalter 48 die Verbindung zwischen der Steuerleitung 46 und der Versorgungsleitung 2 bestimmt, hat letztere die Spannung Vpp, und damit wird die Steuerleitung 46 nicht mehr mit der Spannung Vdd gespeist.
  • Im ersten Betriebsmodus ist, wie oben angesprochen, die Steuerleitung 46 mit Masse verbunden, aus welchem Grund das Signal C einen niedrigen Wert hat, wohingegen die Versorgungsleitung 2 die Spannung Vdd führt. In diesem Zustand der Hochzieh-Transistor 43 ausgeschaltet, so daß die Spannung Vdd sowohl am Gate als auch an der Source ansteht. Andererseits hängt der Zustand des PMOS-Schalters 42 von dem Pegel des Eingangssignals S, am Knoten 37 ab. Wenn das Signal Si niedrigen logischen Pegel hat, ist der PMOS-Transistor 44 tatsächlich ausgeschaltet, da sein Gate und seine Source gleiche Spannung haben, während der NMOS-Transistor 45 eingeschaltet ist und den Eingang 37 mit dem Ausgang 39 verbindet. Folglich ist das Signal So niedrig.
  • Wenn hingegen das Eingangssignal S; einen hohen logischen Pegel hat, ist der NMOS-Transistor 45 ausgeschaltet, da sein Gate und seine Source gleiche Spannung haben, während der PMOS-Transistor 44 eingeschaltet ist und den Eingang 37 mit dem Ausgang 39 verbindet. Folglich ist das Signal So hoch (und hat den Wert Vdd gleich demjenigen des Eingangssignals Si).
  • Im zweiten Betriebsmodus wird die Steuerleitung 46 auf die Spannung VPP gebracht. Folglich ist der PMOS-Transistor 44 ausgeschaltet, unabhängig vom Pegel des Eingangssignals Si. Gleichzeitig ist der Hochzieh-Transistor 43 eingeschaltet, die Spannung Vpp liegt an der Source und die Spannung Vdd liegt an seinem Gate. Hat das Signal Si niedrigen Pegel, so ist der NMOS-Transistor 45 eingeschaltet und bildet zusammen mit dem Hochzieh-Transistor 43 einen Spannungsteiler zwischen der Versorgungsleitung 2 und Masse. Vorausgesetzt, der Widerstand des Hochzieh-Transistors 43 ist viel größer als derjenige des NMOS-Transistors 45, so ist das Signal So am Ausgang 39 niedrig. Allerdings beinhaltet dieser Zustand einen statischen Verbrauch aufgrund des andauernden Stromflusses von der Versorgungsleitung 2 über den NMOS-Transistor 45 und den PMOS-Transistor 43 gegen Masse.
  • Wenn hingegen das Eingangssignal Si hohen Pegel hat, ist der NMOS--Transistor 45 ausgeschaltet (sowohl an seiner Source als auch an seinem Gate liegt die Spannung Vdd), und der Hochzieh-Transistor 43 garantiert das Vorhandensein eines hohen Signalpegels mit dem Wert Vpp am Ausgang 39.
  • 5 zeigt einen Pegelumsetzer 36' ähnlich dem Pegelumsetzer 36 nach 4. Der Pegelumsetzer 36' unterscheidet sich von dem Umsetzer 36 durch das Vorhandensein eines Negators 53 zwischen dem Ausgangsknoten des CMOS-Schalters 42, hier mit 54 bezeichnet, und dem Ausgang 39, außerdem durch den Umstand, dass der Hochzieh-Transistor 43 mit seinem Drain an den Knoten 54 und mit seinem Gate an den Ausgang 39 angeschlossen ist. Der Negator 53 ist an die Versorgungsleitung 2 angeschlossen. Auf nicht dargestellte Weise ist die Steuerleitung 46 mit dem Schalter 48 verbunden, ähnlich wie es in 4 gezeigt ist.
  • Der Pegelumsetzer 36' arbeitet folgendermaßen:
  • Im ersten Betriebsmodus (das Steuersignal C hat logisch niedrigen Pegel, und die Spannung Vdd liegt an der Versorgungsleitung 2) ist, wenn ein Signal S; mit niedrigem logischen Pegel am Eingangsknoten 37 ansteht, der PMOS-Transistor 44 ausgeschaltet, während der NMOS-Transistor 45 eingeschaltet ist. Es gibt daher einen niedrigen logischen Zustand am Knoten 54, und am Ausgang des Negators 53 gibt es ein Signal So mit hohem Pegel und dem Wert Vdd. Dieses Signal So dient auch zum Halten des Hochzieh-Transistors 43 im ausgeschalteten Zustand.
  • Wenn hingegen das Signal Si einen logisch hohen Pegel am Eingangsknoten 37 hat, ist der NMOS-Transistor 45 ausgeschaltet, während der PMOS-Transistor 44 eingeschaltet ist und am Knoten 54 ein hoher logischer Pegel steht. Deshalb gibt es das Signal So mit niedrigem logischen Pegel am Ausgang des Negators 53. In dieser Situation ist der Hochzieh-Transistor 43 eingeschaltet und bringt den Knoten 54 auf den Spannungspegel Vpp.
  • Im zweiten Betriebsmodus hat das Steuersignal C einen hohen logischen Pegel, und folglich ist der PMOS-Transistor 44 ausgeschaltet, unabhängig vom Pegel des Eingangssignals Si. Ist das Signal Si niedrig, so ist der NMOS-Transistor 45 eingeschaltet, und am Knoten 54 gibt es einen niedrigen Pegel. Am Ausgang des Negators 53 gibt es folglich ein Signal So mit. hohem Pegel und dem Wert Vpp (vorausgesetzt, der Negator 53 wird nun mit dieser Spannung gespeist), während der Hochzieh-Transistor 43 ausgeschaltet ist, während sein Gate hohe Spannung hat.
  • Wenn das Signal Si hoch ist und es eine Umschaltung von dem ersten auf den zweiten Betriebsmodus gibt, wird der PMOS-Transistor 44 ausgeschaltet, der NMOS-Transistor 45 bleibt ausgeschaltet, und der Hochzieh-Transistor 43 (welcher eingeschaltet ist) bringt den Knoten 54 auf den hohen Zustand mit dem Wert Vpp. Damit bleibt der Ausgang 39 niedrig. Wenn hingegen das Eingangssignal Si von niedrigem Pegel auf hohem Pegel während des zweiten Betriebsmodus umschaltet, liefert der am Anfang eingeschaltete NMOS-Transistor 45 den Pegel des Eingangssignals S; zum Knoten 54, bis das Signal den Wert Vdd – Vth erreicht, wobei Vth die Schwellenspannung des Transistors 45 ist, nachdem dieser ausgeschaltet ist. Der Negator 53 empfängt also als Eingangsgröße ein Signal, dessen Maximalwert Vdd – Vth ist, was möglicherweise nicht ausreicht, damit er umschaltet. Wenn dieser Wert ausreicht, gibt es am Ausgang des Negators ein Signal So mit niedrigem logischen Wert, welches den Hochzieh-Transistor 43 einschaltet. Letzterer bringt in diesem Fall die Spannung Vpp an den Knoten 54. Wenn hingegen der Wert nicht ausreicht, so schaltet der Negator 53 nicht um und ermöglicht somit dem Hochzieh-Transistor 43 nicht das Einschalten, so dass, wenn der NMOS-Transistor 45 ausgeschaltet ist, der Knoten 45 schwimmen bleibt und des keinen Signaldurchgang zu dem Ausgang 39 gibt.
  • Obschon der Pegelumsetzer 36' keinen statischen Verbrauch hat, ist er nicht immer geeignet für Anwendungen, bei denen das Umschalten des Eingangssignals Si Zustände einer hohen Spannung (Vpc = Vpp) annehmen kann. Deshalb ist es in einem solchen Fall vorzuziehen, den Umsetzer 36 nach 4 zu verwenden. Allerdings gibt es dieses Problem dann nicht, wenn der Umsetzer 36' in einem nicht flüchtigen Speicher eingesetzt wird, bei dem das Umschalten des Eingangssignals nur während des ersten Betriebsmodus (Vpc = Vdd) erfolgt und das Eingangssignal während des zweiten Betriebsmodus konstant ist.
  • Die Pegelumsetzer 36 (4) und 36' (5) bieten Vorteile bezüglich beider oben beschriebener bekannter Lösungen. Tatsächlich sind die Pegelumsetzer 36 und 36' schneller und haben bessere Funktionsweise im Zustand niedriger Spannung, verglichen mit dem Pegelumsetzer 1' (2) und sie sind einfacher bei geringerer Baugröße im Vergleich zu dem Pegel 101'' (3).
  • Außerdem wird deutlich, dass Modifikationen und Varianten in dem hier beschriebenen und dargestellten Pegelumsetzer vorgenommen werden können, ohne dabei vom Schutzumfang der Erfindung abzuweichen. Insbesondere bei der Ausführungsform nach 4 läßt sich die Masseleitung ersetzen durch eine einfache Verbindung zu dem Substrat, wobei man von dem Vorspannen des Substrats Gebrauch macht, welches bereits für andere Komponenten der Schaltung (des Speichers) verwirklicht ist, vorausgesetzt, dass dies lediglich die Funktion hat, die Schaltungsmasse des NMOS-Transistors 45 (in einer nicht dargestellten Weise) passend vorzuspannen.

Claims (6)

  1. Spannungspegelumsetzer, insbesondere für nichtflüchtige Speicher, enthaltend: – eine erste Leitung (Masse), die auf ein erstes Referenzpotential eingestellt ist; – eine zweite Leitung (4), die auf ein zweites Referenzpotential (Vdd), das größer als das erste Referenzpotential ist, eingestellt ist; – eine dritte Leitung (2) mit einem Potentialwert (Vpp), der umschaltbar ist zwischen dem zweiten Referenzpotential (Vdd) in einem ersten Betriebsmodus, und einem dritten Referenzpotential (Vpp), das größer als das zweite Referenzpotential ist, in einem zweiten Betriebsmodus; – einen Eingang (37), der ein Eingangssignal (Si) empfängt, welches umschaltet zwischen einem ersten logischen Zustand entsprechend dem ersten Referenzpotential und einem zweiten logischen Zustand entsprechend dem zweiten Referenzpotential (Vdd); – einen Ausgang (39), der ein Ausgangssignal (So) liefert, welches umschaltet zwischen einem ersten logischen Zustand entsprechend dem ersten Referenzpotential und einem zweiten logischen Zustand entsprechend dem Potentialwert (Vpp); einen Schalter (42), der einen ersten und einen zweiten Knoten (50, 54) definiert, die an den Eingang (37) bzw. an den Ausgang (39) angeschlossen und einen Hochzieh-Transistor (43), der zwischen der dritten Leitung (2) und dem zweiten Knoten (54) liegt und einen Steueranschluß aufweist, der ein Steuersignal zum Einschalten des Hochzieh-Transistors (43) in dem zweiten Betriebsmodus und bei Vorhandensein des zweiten logischen Zustands des Eingangssignals (Si) empfängt; dadurch gekennzeichnet, dass der Schalter (42) einen ersten und einen zweiten Transistor (45, 44) aufweist, die zueinander komplementär sind, die mit ersten Anschlüssen zusammengeschaltet und an den ersten Knoten (50) angeschlossen sind, die mit zweiten Anschlüssen zusammengeschaltet und an den zweiten Knoten (54) angeschlossen sind, und deren Steueranschlüsse an die zweite Leitung (4) bzw. an die erste Leitung (Masse) während des ersten Betriebsmodus bzw. die dritte Leitung (2) während des zweiten Betriebsmodus angeschlossen sind.
  2. Umsetzer nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der erste Transistor (45) ein NMOS-Transistor ist, und dass der zweite Transistor (44) sowie der Hochzieh-Transistor (42) PMOS-Transistoren sind.
  3. Umsetzer nach Anspruch 1 oder 2, gekennzeichnet durch eine vierte Leitung (46), die an den Steueranschluß des zweiten Transistors (44) angeschlossen ist, und ein Schaltelement (48) zum Verbinden der vierten Leitung (46) mit der ersten Leitung (Masse) in einer ersten Schalterstellung entsprechend dem ersten Betriebsmodus, und mit der dritten Leitung (2) in einer zweiten Schalterstellung entsprechend dem zweiten Betriebsmodus.
  4. Umsetzer nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Steueranschluß des Hochzieh-Transistors (43) an die zweite Leitung (4) angeschlossen ist.
  5. Umsetzer nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass der Steueranschluß des Hochzieh-Transistors (43) an den Ausgang (39) angeschlossen ist und dass der Umsetzer einen Negator (53) aufweist, der zwischen dem zweiten Knoten (54) des Schalters (42) und dem Ausgang (39) liegt, wobei der Negator (53) an die dritte Leitung (2) angeschlossen ist.
  6. Umsetzer nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Hochzieh-Transistor (43) einen viel größeren Widerstand besitzt als der erste Transistor (45).
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