DE69700938T2

DE69700938T2 - Akustischer Oberflächenwellenfilter und mehrstufiger akustischer Oberflächenwellenfilter

Info

Publication number: DE69700938T2
Application number: DE69700938T
Authority: DE
Inventors: Toshio Ishizaki; Hiroyuki Nakamura; Kazunori Nishimura; Toru Yamada
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Corp
Priority date: 1996-05-23
Filing date: 1997-05-22
Publication date: 2000-05-04
Anticipated expiration: 2017-05-23
Also published as: EP0921636A2; US5990762A; US6351196B1; CN1118932C; EP0921636A3; EP0921636B1; EP0809357A2; DE69737555D1; DE69737555T2; US20020014934A1; DE69700938D1; EP0809357A3; CN1177236A; EP0809357B1

Description

HINTERGRUND DER ERFINDUNG

1. Gebiet der Erfindung

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein akustisches Oberflächenwellenfilter, das für eine Hochfrequenzwellenschaltung oder dergleichen in beispielsweise einem Funkübertragungsgerät zu verwenden ist.

2. Einschlägiger Stand der Technik

Die Verwendung von akustischen Oberflächenwellenfiltern (SAW) hat beim gegenwärtigen Bestreben, Geräte kompakt zu machen, Aufmerksamkeit gewonnen, weil die akustische Geschwindigkeit von Wellen einige Kilometer/Sekunde beträgt und die Wellenenergie die Eigenschaft hat, auf der Oberfläche des Ausbreitungsmediums konzentriert zu werden. Aufgrund der Entwicklung interdigitaler Wandlerelektroden (IDT) und des Fortschritts der Dünnfilmtechnologie, die ihre modifizierte Entwicklung möglich gemacht hat, ist diese praktisch für Verzögerungsleitungen für Radar, Bandpaßfilter für Fernsehempfänger usw. praktisch eingesetzt worden. Gegenwärtig werden die akustischen Oberflächenwellenfilter extensiv in HF- und ZF-Stufenfiltern für Empfangs- und Sendeschaltungen in Funkübertragungsgeräten verwendet.
Aus EP-A-0 648 015 ist ein Oberflächenwellenresonator, der eine IDT-Elektrode und Reflektorelektroden hat, bekannt, der auf der Oberfläche eines piezoelektrischen Substrats ausgebildet ist. Drei Teile des Oberflächenwellenresonators bilden eine akustische Kupplung, indem sie nahe beieinander angeordnet sind, Elektrodenfinger, die die IDT-Elektrode in der Mitte enthalten, sind geerdet, und IDT-Elektrodenfinger sind elektrisch unabhängig auf der Seite, um mit Eingangs- und Ausgangsanschlüssen der IDT- Elektroden verbunden zu werden, die außen angeordnet sind. Als Folge werden drei Erregungsmoden, die unterschiedliche Ausbreitungsfrequenzen haben, ausgebildet, die dazu verwendet werden, ein breitbandiges Oberflächenwellen-Resonatorfilter zu erreichen.
In den letzten Jahren sind als Folge des Übergangs auf digitale Systeme für mobile Nachrichtenübertragung die Entwicklungen von digitalen tragbaren Telephonen und digitalen Schnurlostelephonen intensiviert worden. Da die Übertragungssysteme, die bei diesen Geräten benutzt werden, Information über Amplitude und Phase von Signalen aufweisen, müssen die in den ZF-Stufen verwendeten Filter flache Amplitudencharakteristik und geringe Gruppenverzögerungsabweichungen haben. Da die exzellente Charakteristik für die Selektivität erforderlich ist, um das Signal eines Nachbarkanals vom gewünschten Kanal zu unterscheiden, ist auch eine spitze Dämpfungscharakteristik mit schmaler Übergangsbandbreite eine wesentliche Bedingung. In letzter Zeit haben auch symmetrische Ein- und Ausgänge der integrierten Schaltung in der Stufe vor und hinter dem Filter Fortschritte gemacht, und der symmetrische Eingang und Ausgang sind für das ZF-Filter notwendig.
Üblicherweise sind Oberflächenwellenfilter, die für die ZF-Stufe geeignet sind, transversale Oberflächenwellenfilter und zwei Arten von Longitudinalmode- und Transversalmode-gekoppelten Oberflächenwellenfiltern bekannt. Das Transversal-Oberflächenwellenfilter hat hervorragende Gruppenverzögerungsabweichungscharakteristik, hat jedoch einen großen Einfügungsverlust, schlechte Dämpfungseigenschaften und eine große Elementgröße. Andererseits hat das Longitudinalmode-gekoppelte Oberflächenwellenfilter eine spitze Dämpfungscharakteristik, einen geringen Einfügungsverlust und eine geringe Elementgröße, jedoch ist ihre Gruppenverzögerungsabweichcharakteristik schlechter als beim Transversal-Oberflächenwellenfilter. Das Longitudinalmode-Oberflächenwellenfilter ist dadurch gekennzeichnet, daß es eine relativ große Störzone auf der Hochbandseite nahe dem Durchlaßband hat, und das Transversalmode-Oberflächenwellenfilter ist dadurch gekennzeichnet, daß es eine sehr schmale Durchlaßcharakteristik hat. Im Hinblick auf die obigen Eigenschaften ist als ZF-Filter für mobile Übertragungsgeräte das Transversalmode-gekoppelte Oberflächenwellenfilter, das Miniatur größe und exzellente Dämpfungseigenschaften hat, in großem Umfang eingesetzt worden.
Nachfolgend wird das konventionelle Transversalmode-gekoppelte Oberflächenwellenfilter erläutert.
Fig. 10 ist eine Ansicht der Anordnung und zeigt ein Transversalmode-gekoppeltes Oberflächenwellenfilter vom Resonatortyp gemäß konventioneller Technik. In Fig. 10 ist das Teil 241 ein piezoelektrisches Einkristallsubstrat. Durch Ausbildung eines Elektrodenmusters auf dem piezoelektrischen Substrat 241 können die akustischen Oberflächenwellen erregt werden. Das Teil 242a ist eine IDT-Elektrode, die auf dem piezoelektrischen Substrat 241 ausgebildet ist, und durch Anordnung der Reflektorelektroden 242b und 242c zu beiden Seiten der IDT-Elektrode wird ein akustischer Oberflächenwellenresonator vom Energie einschließenden Typ gebildet. Auf dem piezoelektrischen Substrat 241 ist durch die IDT-Elektrode 243a und die Reflektorelektroden 243b und 243c ein vergleichbarer akustischer Oberflächenwellenresonator ausgebildet. Weiterhin sind diese zwei Resonatoren eng zueinander angeordnet, und wegen der zwischen ihnen ausgebildeten akustischen Kupplung wird ein akustisches Oberflächenwellenfilter gebildet.
Bei dem in vorgenannter Weise ausgebildeten akustischen Oberflächenwellenfilter sind zwei Arten akustischer Oberflächenwellenmodefrequenzen, die auf dem piezoelektrischen Substrat zu erregen sind, durch die Querabmessung des Elektrodenfingers der IDT-Elektroden und die Distanz zwischen den beiden akustischen Oberflächenwellenresonatoren, die eng nebeneinander angeordnet sind, bestimmt, und die Durchlaßbandbreite des Filters ist dadurch bestimmt.
Bei dem so aufgebauten akustischen Oberflächenwellenfilter ist die realisierbare Bandbreite sehr schmal, und die spezifische Bandbreite des zu erstellenden Filters (die normierte Bandbreite bei der Mittenfrequenz des Filters) beträgt höchstens etwa 0,1%. Um den jüngeren digitalen System gerecht zu werden, muß man die Filterdurchlaßcharakte ristika breitbandiger machen und die flache Bandbreite der Gruppenverzögerungsabweichungscharakteristik verbreitern.
In letzter Zeit sind auch symmetrische Ein- und Ausgänge der integrierten Schaltungen in den Stufen vor und hinter einem ZF-Filter entwickelt worden. Dementsprechend müssen die ZF-Filter symmetrische Ein- und Ausgänge haben. Wie in Fig. 10 gezeigt, ist bei dem konventionellen akustischen Oberflächenwellenfilter die eine Seite der Elektrodenfinger der Ein- und Ausgangsstufen der IDT-Elektroden 242a, 243a geerdet, und es besteht das Problem, daß das Filter nicht mit symmetrischen Ein- und Ausgängen ausgestattet werden kann.

ÜBERSICHT ÜBER DIE ERFINDUNG

Die vorliegende Erfindung soll die obigen Probleme des Standes der Technik beseitigen, und ihre Ziele sind es, (1) einen symmetrischen Eingangs- und Ausgangsaufbau zu realisieren und das Ausmaß der Symmetrie der symmetrischen Eingangs- und Ausgangsanschlüsse zu verbessern und einen geringen Einfügungsverlust zu erzielen, (2) das Durchlaßband breit zu machen und die Phasen- und Amplitudencharakteristika flach zu machen, und (3) ein akustisches Oberflächenwellenfilter anzugeben, das die gewünschten Eingangs- und Ausgangsimpedanzen aufweist.
Um die obigen Ziele zu erreichen, weist das akustische Oberflächenwellenfilter der vorliegenden Erfindung die Merkmale des Anspruchs 1 auf. Bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung sind Gegenstand der abhängigen Ansprüche.
Durch diesen Aufbau kann beispielsweise ein Elektrodengrundmuster eines akustischen Oberflächenwellenfilters erzielt werden, das einen symmetrischen Eingang und einen symmetrischen Ausgang hat, einen geringen Einfügungsverlust aufweist und in vorteilhafterweise symmetrisch ist.

KURZBESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN

Fig. 1 ist eine Gesamtdarstellung, die ein akustisches Oberflächenwellenfilter gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt.
Fig. 2 ist eine Gesamtdarstellung, die ein weiteres Beispiel eines akustischen Oberflächenwellenfilters gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt.
Fig. 3 ist eine Gesamtdarstellung, die ein mehrstufiges akustisches Oberflächenwellenfilter gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt.
Fig. 4 ist eine Gesamtdarstellung, die ein weiteres Beispiel eines mehrstufigen akustischen Oberflächenfilters gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt.
Fig. 5 ist eine Gesamtdarstellung, die ein akustisches Oberflächenwellenfilter gemäß der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt.
Fig. 6 ist eine Gesamtdarstellung, die ein weiteres Beispiel eines akustischen Oberflächenwellenfilters gemäß der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt.
Fig. 7 ist eine Gesamtdarstellung, die ein weiteres Beispiel eines akustischen Oberflächenwellenfilters gemäß der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt.
Fig. 8 ist eine Gesamtdarstellung, die ein mehrstufiges akustisches Oberflächenwellenfilter gemäß der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt.
Fig. 9 ist eine Gesamtdarstellung, die ein weiteres Beispiel eines mehrstufigen akustischen Oberflächenwellenfilters gemäß der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt.
Fig. 10 ist ein Elektrodenmusterdiagramm eines konventionellen akustischen Oberflächenwellenfilters.

BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORMEN

Nachfolgend werden bevorzugte Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung unter Bezugnahme auf die Zeichnungen erläutert.

(Ausführungsform 1)

Fig. 1 ist eine Gesamtdarstellung, die ein akustisches Oberflächenwellenfilter gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt.
Durch Ausbildung eines Elektrodenmusters, das eine streifenleitungsförmige periodische Struktur aufweist, auf einem piezoelektrischen Einkristallsubstrat 11 nach Fig. 1 können akustische Oberflächenwellen erregt werden. Auf dem piezoelektrischen Substrat 11 ist ein erster akustischer Oberflächenwellenresonator, gebildet durch eine IDT-Elektrode 12a und Reflektorelektroden 12b, 12c, ausgebildet. Auf dem piezoelektrischen Substrat 11 ist weiterhin ein zweiter akustischer Oberflächenwellenresonator, gebildet von einer IDT-Elektrode 13a und Reflektorelektroden 13b, 13c, ausgebildet. Diese zwei akustischen Oberflächenwellenresonatoren sind eng zueinander angeordnet, und durch Ausbildung einer akustischen Kopplung zwischen ihnen wird ein akustisches Oberflächenwellenfilter gebildet.
Ein bemerkenswerter Unterschied in den Elektrodenmustern zwischen dem akustischen Oberflächenwellenfilter de ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung nach Fig. 1 und jenem nach dem Stand der Technik gemäß Fig. 10 besteht darin, daß die Sammelschienenelektroden 244, die den eng nebeneinander angeordneten Resonato ren konventioneller Art nach Fig. 10 gemeinsam sind, bei der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung im IDT-Elektrodenteil in die innere erste Sammelschiene 14 und die innere zweite Sammelschiene 15 elektrisch getrennt sind. Die erste Sammelschiene 14 gehört zu dem ersten akustischen Oberflächenwellenresonator, und die innere zweite Sammelschiene 15 gehört zum zweiten akustischen Oberflächenwellenresonator. Durch diesen getrennten Aufbau der Sammelschienen können die ersten und zweiten akustischen Oberflächenwellenresonatoren elektrisch vollständig unabhängige Eingangs- oder Ausgangsstufen haben. Die symmetrische Eingangsstufe des ersten akustischen Oberflächenwellenresonators wird nämlich durch einen Elektrodenfinger gebildet, der dadurch ausgebildet wird, daß er durch die erste Sammelschienenelektrode 14 und eine IDT-Elektrode 12a, die ihrerseits einen mit dem Elektrodenfinger gekoppelten Elektrodenfinger aufweist, abgegrenzt ist. In gleicher Weise ist die symmetrische Ausgangsstufe des zweiten akustischen Oberflächenwellenresonators durch eine IDT- Elektrode 13a mit einem Elektrodenfinger gebildet, der seinerseits dadurch ausgebildet ist, daß er durch die zweite Sammelschienenelektrode 15 und einen mit dem genannten Elektrodenfinger gekoppelten Elektrodenfinger begrenzt ist. Hier entspricht die erste IDT-Elektrode der vorliegenden Erfindung der IDT-Elektrode 12a. Die zweite IDT- Elektrode der vorliegenden Erfindung entspricht der IDT-Elektrode 13a.
Die Verbindung der Signalleitung mit der symmetrischen Schaltung, die wie oben aufgebaut ist, dient dazu, ein Eingangssignal dem Fleck zwischen der ersten Sammelschienenelektrode 14 und der dritten Sammelschienenelektrode 14a zuzuführen, die außerhalb der damit zu koppelnden IDT-Elektrode angeordnet ist, und das Ausgangssignal von dem Fleck zwischen der zweiten Sammelschienenelektrode 15 und der vierten Sammelschienenelektrode 15a abzunehmen, die außerhalb der damit zu koppelnden IDT-Elektrode angeordnet ist. Durch diesen Schritt ist das Ziel der Symmetrierung der Eingangs- und Ausgangsanschlüsse erreicht worden. Wenn man dieses unter dem Aspekt des Einfügungsverlustes betrachtet, beträgt dieser etwa 3,2 dB im Falle der obigen Verbindung.
In bezug auf einen Anschluß des oben beschriebenen symmetrischen Eingangsanschlusses ist eine Verbindungsleitung von einem Fleck der ersten Sammelschienenelek trode 14 gelegt, und bezüglich des einen Anschlusses des symmetrischen Ausgangsanschlusses wird eine Erläuterung anhand des Falles gegeben, wo eine Verbindungsleitung von einem Fleck der zweiten Sammelschienenelektrode 15 gelegt ist. Dem gegenüber wird der Fall des Herausführens der Verbindungsleitungen von den zwei Flecken der ersten und zweiten Sammelschienenelektroden 14, 15 als nächstes beschrieben.
In bezug auf diesen Einfügungsverlust wird durch Herausführen zweier Verbindungsleitungen (Herausführen der Elektrodenfinger 16a, 16b) von zwei Flecken der ersten Sammelschienenelektrode 14 zur Herstellung eines Anschlusses auf der Eingangsseite und Herausführen zweier Verbindungsleitungen (Herausführen der Elektrodenfinger 17a, 17b) von zwei Flecken der zweiten Sammelschienenelektrode 15 zur Herstellung eines Anschlusses auf der Ausgangsseite, eine Verbesserung der Symmetrierung der symmetrischen Eingangs- und Ausgangsanschlüsse erreicht, wobei die Differenz des Verlustes, der in jedem Anschluß entsteht, vermindert ist, um den obigen Einfügungsverlust in großem Umfang auf etwa 2,8 dB zu vermindern. Dieses ist eine Wirkung, die in miniaturisierten tragbaren Nachrichtenübertragungsgeräten einen hohen Stellenwert hat, deren Gewicht so bedeutsam ist wie geringer Verlust und Symmetrie an den symmetrischen Eingangs- und Ausgangsanschlüssen. Mit anderen Worten, von beiden Enden der ersten Sammelschienenelektrode 14 werden die Anschlußelektrodenfinger 16a, 16b, die nach außen gerichtet sind, auf dem Zwischenraum zwischen der IDT-Elektrode 12a und den Reflektorelektroden 12b, 12c gebildet, und durch Verbinden der Endabschnitte dieser Elektrodenfinger, wie dargestellt, wird die obenerwähnte Wirkung erhalten. Die Anschlußelektrodenfinger 17a, 17b an beiden Enden der zweiten Sammelschienenelektrode 15 haben dieselbe Wirkung. Die Anschlußelektrodenfinger 16a, 16b können als durch die Elektrodenfinger gebildet angesehen werden, die dieselbe Länge wie die anderen Elektrodenfinger haben, die an den zwei Endabschnitten der ersten Sammelschienenelektrode 14 verbunden sind, und die Anschlußelektroden kurzer Länge, die mit den vorderen Endabschnitten jener zweier Elektrodenfinger verbunden sind. Gleiche Anmerkungen können zu den Anschlußelektrodenfingern 17a, 17b gemacht werden.
Fig. 2 zeigt ein Beispiel von Variationen der in Fig. 1 gezeigten ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Teile, die die gleichen Funktionen wie jene in Fig. 1 ausfüh ren, sind mit gleichen Bezugszeichen versehen, und die Erläuterung derselben ist fortgelassen.
Das Leitermuster 21 zum Anschluß der Elektrodenfinger 16a und 16b ist auf dem piezoelektrischen Substrat 11 ausgebildet und hat eine Leiterbreite, die größer als die der Resonatorelektrode ist. Ein Teil davon ist weiter verbreitert, wie in Fig. 2 gezeigt, um einen Verbindungsfleck 21a auszubilden zum Anschließen des äußeren Verdrahtungselementes 25a an die symmetrischen Eingangs- und Ausgangsanschlüsse.
Das Verdrahtungsmuster 22 zur Verbindung zwischen den Anschlußelektrodenfingern 17a und 17b ist auf dem piezoelektrischen Substrat 11 ausgebildet und hat eine Leiterbreite, die größer als die der Resonatorelektrode ist. Ein Teil davon ist weiter verbreitert, wie in derselben Zeichnung gezeigt, um einen Anschlußfleck 22a für die Anschlußleitung zwischen dem symmetrischen Ausgangsanschluß und dem äußeren Verdrahtungselement 26a zu bilden.
Die Sammelschienenelektrode 14a ist nach außen verbreitert, um einen weiteren Anschlußfleck 23 für die Verbindung zwischen dem symmetrischen Ausgangsanschluß und dem äußeren Verdrahtungselement 25b zu bilden. Die Sammelschienenelektrode 15a ist ebenfalls nach außen verbreitert, um einen weiteren Anschlußfleck 24 zum Verbinden des symmetrischen Ausgangsanschlusses mit dem äußeren Verdrahtungselement 26b zu bilden.
Der obige Ausbau ist zur Sicherstellung der Eigenschaften geringen Einfügungsverlustes und guter Symmetrie des akustischen Oberflächenwellenfilters wirksam, das einen geringen Einfügungsverlust und symmetrische Eingangs- und Ausgangsanschlüsse hat, und zum Stabilisieren der Filtereigenschaften.
Unter Bezugnahme auf die Fig. 1 und 2 ist oben ein Beispiel eines akustischen Oberflächenwellenfilters mit einstufigem Aufbau erläutert worden. Ein solches akustisches Oberflächenwellenfilter kann in einem mehrstufigen Aufbau eingesetzt werden.
Fig. 3 ist ein Beispiel davon, und wenn ein mehrstufig verbundenes akustisches Oberflächenwellenfilter durch Verbinden mehrerer akustischer Oberflächenwellenfilter auf demselben piezoelektrischen Substrat 31 gebildet wird, dann kann eine große Verbesserung in den Bandsperr- und Durchlaßbandeigenschaften erreicht werden, obgleich damit eine gewisse Zunahme an Einfügungsverlust auftreten kann. Die zweistufigen, vertikal verbundenen Filter, die in Fig. 3 gezeigt sind, umfassen einen ersten akustischen Oberflächenwellenresonator, der von einer IDT-Elektrode 12a und Reflektorelektroden 12b, 12c gebildet ist, wie in Fig. 1 erläutert, und einen zweiten akustischen Oberflächenwellenresonator, der von einer IDT-Elektrode 13a und Reflektorelektroden 13b, 13c gebildet wird, die eng nebeneinander angeordnet sind, um ein akustisches Oberflächenwellenfilter 32 und ein akustisches Oberflächenwellenfilter 33 gleichen Aufbaus zu bilden, und die zwei Glieder sind durch einen Verbindungsdraht miteinander verbinden.
In Fig. 3 sind die Anschlußelektroden 17a und 17b auf der Ausgangsseite der ersten akustischen Oberflächenwellenfilterstufe 32 mit den Anschlußelektroden 16a und 16b auf der Eingangsseite der nächsten akustischen Oberflächenwellenfilterstufe 33 durch die Verbindungsdrähte 39a bzw. 39b verbunden. Die Sammelschienenelektrode 15a der IDT-Elektrode, die ein weiterer Ausgang auf der Ausgangsseite der ersten Stufe ist, ist durch den Verbindungsdraht 40 der IDT-Elektrode 14a verbunden, die ein weiterer Eingang der nächstes Stufe ist.
Auf diese Weise kann selbst zwischen den Filterstufen eine Verminderung der Zunahme an Einfügungsverlust beim Mehrstufenbetrieb und eine Verbesserung der Symmetrie der symmetrischen Eingangs- und Ausgangsanschlüsse erzielt werden, indem ein Teil der IDT-Elektroden an zwei Stellen 39a und 39b angeschlossen ist.
Die Drahtverbindungen des mehrstufigen Filters auf der Eingangsseite und der Ausgangsseite, wie in Fig. 3 gezeigt, sind ähnlich jenen von Fig. 1 und haben gleiche Aufgabe und Wirkung.
Fig. 4 zeigt ein Beispiel, wo die Zwischenstufe und die Eingangs- und Ausgangsverdrahtungen durch Leitermuster ausgeführt werden, die auf dem Substrat 41 ausgebildet sind.
Auf dem piezoelektrischen Substrat 41 sind ein erstes akustisches Oberflächenwellenfilter 43 und ein zweites akustisches Oberflächenwellenfilter 43 ausgebildet, die denselben Aufbau haben, wie die akustischen Oberflächenwellenfilter, die in den Fig. 1, 2 und 3 dargestellt sind.
Die Ausleitelektroden 17a und 17b auf der Ausgangsseite des ersten akustischen Oberflächenwellenfilters 42 sind mit den Anschlußelektroden 16a und 16b auf der Eingangsseite des zweiten Filters 43 verbunden, indem die ersten Zwischenstufenverbindungselektroden 44a, 44b größerer Breite als die Resonatorelektroden auf einem piezoelektrischen Substrat 41 ausgebildet sind. Ein weiterer Ausgang 15a des ersten Filters 42 und ein weiterer Eingang 14a des zweiten Filters 43 sind miteinander verbunden, indem die zweite Zwischenstufenverbindungselektrode 44 größerer Breite als die Elektrode des Resonators auf dem piezoelektrischen Substrat 41 ausgebildet ist.
Die Anschlußelektroden 16a und 16b auf der Eingangsseite des ersten Filters 42 sind durch das Leitermuster 46 miteinander verbunden, das eine größere Breite als die Resonatorelektrode hat, die auf dem piezoelektrischen Substrat 41 ausgebildet ist. Weiterhin ist ein Teil des genannten Leitermusters 48 weiter verbreitert, um einen Anschlußfleck 46a für das äußere Verdrahtungselement 47 am symmetrischen Eingangsanschluß zu bilden, und die Sammelschienenelektrode 14a der äußeren IDT-Elektrode ist nach außen verbreitert, um einen Anschlußfleck 48a für das äußere Verdrahtungselement 47b des symmetrischen Eingangsanschlusses zu bilden.
Andererseits ist der Bereich zwischen den Anschlußelektroden 17a und 17b auf der Ausgangsseite des zweiten Filters durch das auf dem piezoelektrischen Substrat 41 ausgebildete Leitermuster 46b größerer Breite als die der Resonatorelektrode verbunden. Außerdem ist ein Teil dieses Verdrahtungsmusters weiter verbreitert, um einen Anschlußfleck 46c für das äußere Verdrahtungselement 47c des symmetrischen Ausgangsanschlusses zu bilden, und die Sammelschienenelektrode 15a ist nach außen verbreitert, um einen Anschlußfleck 48a für das äußere Verdrahtungselement 47d des symmetrischen Ausgangsanschlusses zu bilden.
Durch ein solches Muster kann ein symmetrisches, mehrstufiges akustisches Oberflächenwellenfilter geringen Einfügungsverlustes und guter Symmetrie geschaffen werden.
Die Anschlußflecke 44c, 45a für die äußere Verdrahtung, die an den Zwischenstufenverbindungselektroden 44b, 45 von Fig. 3 ausgebildet sind, sind zum Anschluß äußerer Schaltkreiselemente für die Einstellung der Filtereigenschaften nützlich.
Indessen kann es Fälle geben, wo die gewünschten guten Übertragungseigenschaften wegen der Fehlanpassung der Eingangs- und Ausgangsimpedanzen in den Stufen nicht erzielt werden kann.
In einem solchen Falle kann ein Reaktanzelement, wie beispielsweise eine Spule, als ein Abstimmelement an die Zwischenstufenverbindungselektrode angeschlossen werden, um eine Einstellung vorzunehmen. Die Flecke 44c, 45a für die äußere Verdrahtung sind zu diesem Zweck nützlich. Alternativ kann durch Wahl eines Aufbaus, bei dem ein Reaktanzelement, wie beispielsweise eine Spiralspule, auf demselben Substrat 41 oder auf einem getrennten Substrat ausgebildet und mit der Zwischenstufenverbindungselektrode verbunden ist, zusätzlicher Raum vermieden und eine Verminderung der Größe der Filterschaltung auf einfache Weise erreicht werden. Das Reaktanzelement zur Einstellung kann mit einem der Zwischenstufenanschlußflecken 44c, 45a verbunden werden, und der andere Fleck kann geerdet werden. Bei Experimenten wurden Verbesserungen der symmetrischen Eigenschaften der Filterdurchlaßcharakteristik in dem Fall beobachtet, bei dem das Reaktanzelement mit dem ersten Anschlußfleck 44c verbunden war.

(Ausführungsform 2)

Fig. 5 ist eine Gesamtdarstellung, die ein akustisches Oberflächenfilter gemäß der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt.
Durch Ausbildung eines Elektrodenmusters in periodischer Streifenleitungsstruktur auf einem piezoelektrischen Substrat 51 gemäß Fig. 5 kann eine akustische Oberflächenwelle erregt werden. Auf dem piezoelektrischen Substrat 51 ist ein erster akustischer Oberflächenwellenresonator ausgebildet, bestehend aus einer IDT-Elektrode 52a und Reflektorelektroden 52b, 52c. Auf dem piezoelektrischen Substrat 51 ist weiterhin ein dritter akustischer Oberflächenwellenresonator ausgebildet, bestehend aus einer IDT- Elektrode 54a und Reflektorelektroden 54b, 54c.
Der Punkt, der hier speziell zu beachten ist, ist der IDT-Elektrodenteil des zweiten akustischen Oberflächenwellenresonators, der zwischen dem ersten akustischen Oberflächenwellenresonator und dem dritten akustischen Oberflächenwellenresonator ausgebildet ist, begleitet von den Reflektorelektroden 53b, 53c, und dieser IDT-Elektrodenteil hat einen ähnlichen Aufbau wie der der Reflektorelektrode und ist von einer Streifenleitungselektrodenreihe 53a periodischer Struktur gebildet, die etwa die gleiche Länge hat, wie die Querbreite der Elektrodenfinger der IDT-Elektroden 52a, 54a in den ersten und dritten akustischen Oberflächenwellenresonatoren.
Mit anderen Worten, selbst wenn der Aufbau des Elektrodenteils des zweiten akustischen Oberflächenwellenresonators nicht genau so ist, wie der der oben beschriebenen IDT-Elektroden 52a, 54a, sondern in eine Streifenleiterelektrodenreihe 53a periodischer Struktur geändert ist, kann die akustische Oberflächenwelle in genau der gleichen Weise übertragen werden, wenn die Elektrodenperiode die gleiche ist. Dementsprechend unterscheidet sich das akustische Verhalten des zentralen Abschnitts des zweiten akustischen Oberflächenwellenresonators nicht vom Fall der IDT-Elektrodenstruktur.
Die drei obigen akustischen Oberflächenwellenresonatoren haben dicht nebeneinanderliegende akustische Kopplungen. Die Sammelschienenelektroden der benachbart zueinander liegenden Teile sind elektrisch unabhängig. Von beiden Enden der Sammelschienenelektrode 55 benachbart der zweiten akustischen Oberflächenwelle der IDT- Elektrode im ersten akustischen Oberflächenwellenresonator sind nach außen die ersten und zweiten Elektrodenfinger 57a und 57b ausgebildet, die einen Teil des symmetrischen Eingangsanschlusses bilden, im Zwischenraum zwischen der IDT-Elektrode 52a und den Reflektorelektroden 52b, 52c. Ebenfalls von beiden Enden der Sammelschienenelektrode 56 benachbart der zweiten akustischen Oberflächenwelle der IDT- Elektrode im dritten akustischen Oberflächenwellenresonator sind nach außen die dritten und vierten Elektrodenfinger 58a und 58b ausgebildet, die einen Teil des symmetrischen Ausgangsanschlusses bilden, im Zwischenraum zwischen der IDT-Elektrode 54a und den Reflektorelektroden 54b, 54c. Die oben beschriebenen Elektrodenkonstruktionen haben den Grundaufbau des Dreifachmode-Oberflächenwellenfilters mit symmetrischen Eingangs- und Ausgangsanschlüssen geringen Einfügungsverlustes gemäß der vorliegenden Erfindung.
Fig. 6 zeigt ein Anschlußbeispiel eines symmetrischen Eingangs- und Ausgangsanschlusses der vorliegenden Erfindung für das Dreifachmode-Oberflächenwellenfilter, das in Fig. 5 erläutert ist.
Wie in dieser Figur gezeigt, sind der erste Elektrodenfinger 57a und der zweite Elektrodenfinger 57b des ersten akustischen Oberflächenwellenresonators durch die Verbindungsdrähte 61a, 61b miteinander verbunden, um einen Eingangsanschluß des symmetrischen Eingangsanschlusses zu bilden, und der Verbindungsdraht 62 ist von der Sammelschienenelektrode 55a der äußeren IDT-Elektrode herausgeführt, um den anderen Eingangsanschluß des symmetrischen Eingangsanschlusses zu bilden. Außerdem ist der dritte Elektrodenfinger 58a mit dem vierten Elektrodenfinger 58b des dritten akustischen Oberflächenwellenresonators durch die Verbindungsdrähte 63a, 63b verbunden, um einen Ausgangsanschluß des symmetrischen Ausgangsanschlusses zu bilden, und der Anschlußdraht 64 ist von der Sammelschienenelektrode 56a der äußeren IDT- Elektrode herausgeführt, um den anderen Ausgangsanschluß de symmetrischen Ausgangsanschlusses zu bilden.
Fig. 7 zeigt eine weitere Ausführungsform des Aufbaus des symmetrischen Eingangsanschlusses und Ausgangsanschlusses des Dreifachmode-Oberflächenwellenfilters.
Wie in dieser Figur gezeigt, ist der Bereich zwischen dem ersten Elektrodenfinger 57a des ersten akustischen Oberflächenwellenresonators und dem zweiten Elektrodenfinger 57b durch das auf dem piezoelektrischen Substrat 51 ausgebildete Verdrahtungsmuster 71 größerer Leiterbreite als die Resonatorelektrode verbunden. Das Muster 71 ist außerdem weiter verbreitert, um einen Anschlußfleck 71a für das äußere Verdrahtungselement 75 zu bilden, und die Sammelschienenelektrode 55a der IDT-Elektrode ist nach außen verbreitert, um einen Anschlußfleck 73 für das äußere Verdrahtungselement 75 zu bilden, und der Bereich zwischen den dritten und vierten Elektrodenfingern 58a und 58b des dritten akustischen Oberflächenwellenresonators ist auf einem piezoelektrischen Substrat 51 ausgebildet, um eine Resonatorelektrode zu erstellen, und eine Verbindung ist durch das Leitermuster 72 hergestellt, das eine größere Leiterbreite aufweist, als die Resonatorelektrode. Das Muster 72 ist weiterhin verbreitert, um einen Anschlußfleck 72a für das äußere Verdrahtungselement 76a zu bilden, und die Sammelschienenelektrode 56a der IDT-Elektrode ist nach außen verbreitert, um einen Anschlußfleck 74 für das äußere Verdrahtungselement 76 zu bilden. Gemäß diesem Aufbau wird es ähnlich zu den in der ersten Ausführungsform beschriebenen akustischen Oberflächenwellen möglich, ein akustisches Dreifachmode-Oberflächenwellenfilter zu bilden, bei dem der Einfügungsverlust weiter vermindert ist und die Verbindung mit der äußeren Schaltung einfach ist, wie bei der ersten Ausführungsform erläutert.
Fig. 8 zeigt ein Beispiel des Falles, bei dem mehrere akustische Dreifachmode-Oberflächenwellenfilter, die unter Bezugnahme auf Fig. 5 erläutert wurden, vertikal in Stufen miteinander verbunden sind.
Wie in der Figur gezeigt, sind auf dem piezoelektrischen Substrat 81 ein erstes akustisches Dreifachmode-Oberflächenwellenfilter 82 und ein zweites akustisches Dreifachmode-Oberflächenwellenfilter 83 ausgebildet. Die dritten und vierten Elektrodenfinger 58a, 58b auf der Ausgangsseite des ersten Filters 82 und die Sammelschienenelektrode 56a auf der Ausgangsseite sind stufenweise mit den ersten und zweiten Elektrodenfingern 57a, 57b auf der Eingangsseite und der Sammelschienenelektrode 55a auf der Eingangsseite des zweiten Filters 83 durch die Verbindungsdrähte 83a, 83b und 84 verbunden. Die parallelen Drahtanschlüsse der Eingangsschaltung und der Ausgangsschaltung sind vollständig gleich dem Verdrahtungsaufbau des einstufigen Filters von Fig. 6.
Fig. 9 zeigt ein weiteres Beispiel des Aufbaus am Eingang und Ausgang und den Zwischenstufenaufbau des vertikal verbundenen akustischen Dreifachmode-Oberflächenwellenfilters von Fig. 8.
Wie in dieser Figur gezeigt, sind auf dem piezoelektrischen Substrat 91 ein erstes akustisches Dreifachmode-Oberflächenwellenfilter 92 und ein zweites akustisches Dreifachmode-Oberflächenwellenfilter 93 ausgebildet. Die zwei Filter sind zwischen den Stufen durch die Stufenverbindungselektroden 94a, 94b und 95 verbunden, die größere Breiten haben als die Resonatorelektrode, die durch Anordnen der dritten und vierten Elektrodenfinger 58a, 58b auf der Ausgangsseite die Sammelschienenelektrode 56a des ersten Filters 92 und die ersten und zweiten Elektrodenfinger 57a, 57b auf der Eingangsseite und die Sammelschienenelektrode 55a auf der Eingangsseite des zweiten Filters 93 auf dem piezoelektrischen Substrat 91 ausgebildet ist. Die Flecken 94c, 95a, die an einem Abschnitt einer jeden Anschlußelektrode ausgebildet sind, stellen bequeme Mittel zum Anschluß äußerer Elemente zur Einstellung der Filtereigenschaften dar. Die Anschlußmuster der Eingangsschaltung und der Ausgangsschaltung sind vollständig gleich jenen des einstufigen Filteraufbaus von Fig. 7.
Weil gemäß den Ausführungsformen 1 und 2, wie oben beschrieben, die Sammelschienenelektrode der IDT-Elektrode elektrisch unabhängig ist, können symmetrische Eingangs- und Ausgangsmoden realisiert werden, und dementsprechend haben die Filtereigenschaften nicht die Wirkungen einer schwimmenden Kapazität durch den Erdungszustand der Elektrode, so daß die Eigenschaften im Sperrband und im Durchlaßband verbessert sind, und darüber hinaus können aufgrund der Anschlußelektrodenstruktur, die durch die vorliegende Erfindung charakterisiert ist, eine bemerkenswerte Verbesserung des Einfügungsverlustes und eine Verbesserung der Symmetrie am symmetrischen Eingangs- und Ausgangsanschluß erreicht werden.

Claims

1. Akustischer Oberflächenwellenfilter auf einem piezoelektrischen Substrat (1) mit ersten und zweiten akustischen Oberflächenwellenresonatoren, die jeweils Reflektorelektroden (12b, 12c; 13b, 13c) auf beiden Seiten einer interdigitalen Wandlerelektrode (12a; 13a) als eine interdigitale Wandlerelektrode aufweisen, wobei diese Resonatoren einander nahe und in einer Linie derart angeordnet sind, daß die Ausbreitungsrichtungen entsprechender akustischer Oberflächenwellen einander parallel sind, wodurch die Resonatoren akustisch miteinander gekoppelt sind,

eine innere Sammelschienenelektrode (14) innerhalb der ersten interdigitalen Wandlerelektrode (12a) des ersten akustischen Oberflächenwellenresonators und eine innere Sammelschienenelektrode (15) innerhalb der zweiten interdigitalen Wandlerelektrode (13a) des zweiten akustischen Oberflächenwellenresonators, die elektrisch voneinander getrennt sind, dadurch gekennzeichnet, daß

die erste interdigitale Wandlerelektrode (12a) mit einem symmetrischen Eingangsanschluß (IN) verbunden ist und die zweite interdigitale Wandlerelektrode (13a) mit einem symmetrischen Ausgangsanschluß (OUT) verbunden ist,

ein Anschluß des symmetrischen Eingangsanschlusses (IN) elektrisch mit zwei Anschlußelektroden (16a, 16b) verbunden ist, die von unterschiedlichen Stellen der inneren Sammelschienenelektrode (14) der ersten interdigitalen Wandlerelektroden (12a) herausgeführt sind, und ein Anschluß des symmetrischen Ausgangsanschlusses (OUT) elektrisch mit zwei Anschlußelektroden (17a, 17b) verbunden ist, die von unterschiedlichen Stellen der inneren Sammelschienenelektrode (15) der zweiten interdigitalen Wandlerelektrode (13a) herausgeführt sind.

2. Akustischer Oberflächenwellenfilter nach Anspruch 1, bei dem jede Anschlußelektrode (16a, 16b; 17a, 17b) in einem Zwischenraum zwischen den interdigitalen Wandlerelektroden (12a; 13a) und einer der Reflektorelektroden (12b, 12c; 13b, 13c) ausgebildet ist.

3. Akustischer Oberflächenwellenfilter nach Anspruch 1, bei dem die zwei Anschlußelektroden (16a, 16b; 17a, 17b), die in einem Zwischenraum zwischen der interdigitalen Wandlerelektrode (12a, 13a) und einer der Reflektorelektroden (12b, 12c; 13b, 13c) ausgebildet sind, miteinander verbunden sind, um einen Anschluß des symmetrischen Eingangsanschlusses (IN) oder einen Anschluß des symmetrischen Ausgangsanschlusses (OUT) zu bilden und eine äußere Sammelschienenelektrode (14a, 15a) innerhalb der interdigitalen Wandlerelektrode (12a, 13a) zu dem anderen Anschluß (14a, 15a) des symmetrischen Eingangsanschlusses (IN) oder des symmetrischen Ausgangsanschlusses (OUT) zu machen.

4. Akustischer Oberflächenwellenfilter nach einem der Ansprüche 1, 2 oder 3, bei dem die Fläche zwischen den zwei Anschlußelektroden (16a, 16b; 17a, 17b), die in einem Zwischenraum zwischen der interdigitalen Wandlerelektrode (12a; 13a) und der Reflektorelektrode (12b, 12c; 13b, 13c) gebildet ist, durch ein Verdrahtungsmuster (21; 22) angeschlossen ist, das eine größere Leitungsbreite als die Anschlußelektroden (16a, 16b; 17a, 17b) hat, die auf dem piezoelektrischen Substrat (11) ausgebildet sind,

ein weiterer verlängerter, ausgedehnter Abschnitt des Verdrahtungsmusters (21; 22) ein Anschlußfleck (21a; 22a) als ein Anschluß (25a) des symmetrischen Eingangsanschlusses (IN) oder als ein Anschluß (26a) des symmetrischen Ausgangsanschlusses (OUT) ist, und

ein Abschnitt der Verbreiterung in Auswärtsrichtung der äußeren Sammelschienenelektrode (14a; 15a) innerhalb der interdigitalen Wandlerelektrode (12a; 13a) der Anschlußfleck (23, 24) als der andere Anschluß (25b) des symmetrischen Eingangsanschlusses (IN) oder als der andere Anschluß (26b) des symmetrischen Ausgangsanschlusses (OUT) ist.

5. Mehrstufiger akustischer Oberflächenwellenfilter, enthaltend mehrere Stufen (32, 33) des akustischen Oberflächenwellenfilters von Anspruch 2, die auf demselben piezoelektrischen Substrat (31) ausgebildet sind,

wobei eine (15a) der Anschlußelektroden auf der Ausgangsseite des akustischen Oberflächenwellenfilters (32) der Eingangsstufe mit der gegenüberliegenden Anschlußelektrode (14a) auf der Eingangsseite der nachfolgenden Stufe (33) verbunden ist, die andere (17a) der Anschlußelektroden auf der Ausgangsseite des Oberflächenwellenfilters (32) der Eingangsstufe mit der gegenüberliegenden Anschlußelektrode (16a) auf der Eingangsseite der nachfolgenden Stufe (32) verbunden ist und die verbliebene Elektrode (17b) auf der Ausgangsseite des akustischen Oberflächenwellenfilters (32) der Eingangsstufe mit der verbliebenen Elektrode (16b) auf der Eingangsseite des Oberflächenwellenfilters (33) der nachfolgenden Stufe verbunden ist.

6. Mehrstufiger akustischer Oberflächenwellenfilter mit mehreren Stufen akustischer Oberflächenwellenfilter (42, 43) nach Anspruch 3, die auf demselben piezoelektrischen Substrat (41) angeordnet sind,

wobei eine (15a) der Anschlußelektroden auf der Ausgangsseite des akustischen Oberflächenwellenfilters (42) der Eingangsstufe und die gegenüberliegend angeordnete Anschlußelektrode (14a) auf der Eingangsseite der nächsten Stufe (43) und die andere (17a) der Anschlußelektroden auf der Ausgangsseite des akustischen Oberflächenwellenfilters (42) der Eingangsstufe und die gegenüberliegend angeordnete Anschlußelektrode (16a) auf der Eingangsseite der nächsten Stufe (43) jeweils durch eine erste, zwischen den Stufen angeordnete Verbindungselektrode (45, 44a) miteinander verbunden sind, die eine größere Breite hat als die der Anschlußelektrode,

wobei die verbliebene Elektrode (17b) auf der Ausgangsseite des Oberflächenwellenfilters (42) der Eingangsstufe und die verbliebene Elektrode (16b) auf der Eingangsseite des Oberflächenwellenfilters (43) der nächsten Stufe jeweils durch eine zweite, zwischen den Stufen angeordnete Verbindungselektrode (44b) miteinander verbunden sind, die eine größere Breite hat, als die Ausleitelektrode,

die zwei Anschlußelektroden (16a, 16b) auf der Eingangsseite des akustischen Oberflächenwellenfilters (42) der ersten Stufe durch ein Verdrahtungsmuster (46) verbunden sind, das einen Leitungsweg hat, der breiter ist als die Breite der Anschlußelektroden (16a, 16b), die auf den piezoelektrischen Substraten (41) ausgebildet sind, ein weiterer ausgedehnter Teil in dem Verdrahtungsmuster (46) ein Anschlußfleck (46a) als ein Anschluß (47a) des symmetrischen Eingangsanschlusses (IN) ist und ein nach außen ausgedehnter Teil der äußeren Sammelschienenelektrode innerhalb der interdigitalen Wandlerelektrode des Oberflächenwellenfilters (42) der ersten Stufe ein Verbindungsfleck (48) als der andere Anschluß (47b) des symmetrischen Eingangsanschlusses (IN) ist, und

die zwei Anschlußelektroden (17a, 17b) auf der Ausgangsseite des akustischen Oberflächenwellenfilters (43) der letzten Stufe durch ein Verdrahtungsmuster (46) angeschlossen ist, das eine Leitungswegbreite hat, die größer als die Breite der Ausleitelektrode ist, die auf den piezoelektrischen Substraten (41) ausgebildet ist, und ein weiterer ausgedehnter Teil in dem Verdrahtungsmuster (46b) ein Anschlußfleck (46c) als ein Anschluß (47c) des symmetrischen Ausgangsanschlusses (OUT) ist und ein nach außen ausgedehnter Teil der äußeren Sammelschienenelektrode innerhalb der interdigitalen Wandlerelektrode des akustischen Oberflächenwellenfilters (43) der letzten Stufe ein Anschlußfleck (48a) als der andere Anschluß (47d) des symmetrischen Ausgangsanschlusses (OUT) ist.

7. Mehrstufiger akustischer Oberflächenwellenfilter nach Anspruch 6, bei dem in einem Zwischenraum zwischen den ersten und zweiten, zwischen den Stufen angeordneten Verbindungselektroden ein Reaktanzelement angeordnet ist, das mit den genannten Elektroden verbunden ist.

8. Mehrstufiger akustischer Oberflächenwellenfilter nach Anspruch 6, bei dem von den ersten und zweiten, zwischen den Stufen angeordneten Verbindungselektroden (44a, 44b, 45) eine geerdet und die andere über ein Reaktanzelement geerdet ist.

9. Mehrstufiger akustischer Oberflächenwellenfilter nach Anspruch 6, bei dem die ersten zwischen den Stufen angeordnete Verbindungselektrode über ein Reaktanzelement geerdet ist und die zweite zwischen den Stufen angeordnete Verbindungselektrode geerdet ist.

10. Akustischer Oberflächenwellenfilter nach Anspruch 1, enthaltend erste und dritte akustische Oberflächenwellenresonatoren, die jeweils eine Reflektorelektrode (52b, 52c; 54b, 54c) auf beiden Seiten einer interdigitalen Wandlerelektrode (52a; 54a) als eine interdigitale Wandlerelektrode haben, wobei die Resonatoren in Positionen angeordnet sind, in denen die Ausbreitungsrichtungen der betreffenden akustischen Oberflächenwellen parallel zueinander sind,

mit mehreren Streifenleiterelektroden (43a), die im wesentlichen die gleiche Länge haben, wie die Querbreite der Elektrodenfinger (57a, 57b; 58a, 58b) der interdigitalen Wandlerelektroden (52a, 54a) und parallel zwischen den ersten und dritten akustischen Oberflächenresonatoren derselben Elektrodenperiode angeordnet sind, wie jene der ersten und dritten akustischen Oberflächenresonatoren, wobei beide Endteile der genannten Streifenleiterelektroden (53a) miteinander durch Sammelschienenelektroden (55, 56) verbunden sind, um einen zweiten akustischen Oberflächenwellenresonator zu bilden, der periodisch strukturierte Elektrodenreihen aufweist,

wobei die ersten, zweiten und dritten akustischen Oberflächenresonatoren nahe beieinander angeordnet sind, um eine akustische Kopplung zu bewirken, und erste und zweite Anschlußelektroden zur Bildung eines Teils des symmetrischen Eingangsanschlusses in einem Spalt zwischen den Reflektorelektroden (52b, 52c) auf beiden Seiten in Ausgangsrichtung von beiden Enden der inneren Sammelschienenelektroden (55) der interdigitalen Wandlerelektrode des ersten akustischen Oberflächenwellenresonators ausgebildet sind, und dritte und vierte Anschlußelektroden zur Bildung eines Teils des symmetrischen Ausgangsanschlusses in einem Spalt zwischen den Reflektorelektroden (54b, 54c) auf beiden Seiten in Ausgangsrichtung von beiden Enden der inneren Sammelschienenelektroden (56) der interdigitalen Wandlerelektrode (54a) des dritten akustischen Oberflächenresonators ausgebildet sind.

11. Akustischer Oberflächenwellenfilter nach Anspruch 10, bei dem die ersten und zweiten Anschlußelektroden (57a, 57b) des ersten akustischen Oberflächenresonators zur Bildung eines Eingangsanschlusses des symmetrischen Eingangsanschlusses (IN) miteinander verbunden sind,

eine Sammelschienenelektrode (55a) auf der Ausgangsseite der interdigitalen Wandlerelektrode (52a) des ersten akustischen Oberflächenwellenresonators der andere Eingangsanschluß des symmetrischen Eingangsanschlusses (IN) ist,

die dritten und vierten Anschlußelektroden (58a, 58b) des dritten akustischen Oberflächenwellenresonators (63a, 63b) miteinander verbunden sind, um den einen Ausgangsanschluß des symmetrischen Ausgangsanschlusses (OUT) zu bilden, und

eine Sammelschienenelektrode (56a) auf der Außenseite der interdigitalen Wandlerelektrode (54a) des dritten akustischen Oberflächenwellenresonators den anderen Ausgangsanschluß des symmetrischen Ausgangsanschlusses (OUT) bildet.

12. Akustischer Oberflächenwellenfilter nach Anspruch 10 oder 11, bei dem die ersten und zweiten Anschlußelektroden der genannten akustischen Oberflächenresonatoren miteinander durch ein Verdrahtungsmuster (71) verbunden sind, das eine Leitungswegbreite hat, die größer als die Breite der Anschlußelektroden (57a, 57b) ist, die auf den piezoelektrischen Substraten (51) ausgebildet sind, ein Teil dieses Verdrahtungsmusters (71) weiter ausgedehnt ist, um einen Anschlußflecken (71a) von einem Teil des symmetrischen Eingangsanschlusses (IN) zu bilden, und eine Sammelschienenelektrode (55a) auf der Ausgangsseite der interdigitalen Wandlerelektrode (52a) des ersten akustischen Oberflächenwellenresonators in Richtung nach außen ausgedehnt ist, um einen Anschlußfleck (73) des anderen Teils des symmetrischen Eingangsanschlusses (IN) zu bilden,

die dritten und die vierten Anschlußelektroden (58a, 58b) des dritten akustischen Oberflächenwellenresonators miteinander durch ein Verdrahtungsmuster (72) verbunden sind, das eine Leitungswegbreite hat, die größer als die Breite der Anschlußelektroden (58a, 58b) ist, ein Teil des Verdrahtungsmusters (72) weiter ausgedehnt ist, um einen Anschlußflecken (72a) von einem Teil des symmetrischen Ausgangsanschlusses (OUT) zu bilden, und eine Sammelschienenelektrode (56a) auf der Ausgangsseite der interdigitalen Wandlerelektrode (54a) des dritten akustischen Oberflächenwellenresonators in Richtung nach außen ausgedehnt ist, um einen Anschlußflecken (74) des anderen Teils des symmetrischen Ausgangsanschlusses (OUT) zu bilden.

13. Mehrstufiger akustischer Oberflächenwellenfilter mit mehreren Stufen des akustischen Oberflächenwellenfilters nach Anspruch 11, die auf denselben piezoelektrischen Substraten (81) ausgebildet sind, wobei die dritten und vierten Anschlußelektroden (58a, 58b) der Eingangsstufe des akustischen Oberflächenwellenfilters (82) mit gegenüberliegend angeordneten ersten und zweiten Anschlußelektroden (57a, 57b) des akustischen Oberflächenwellenfilters der nachfolgenden Stufe (83) jeweils verbunden sind, wobei die verbleibende Elektrode (56a) der Ausgangsseite des akustischen Oberflächenwellenfilters (82) der Eingangsstufe mit der verbliebenen Elektrode (55a) der Eingangsseite des Oberflächenwellenfilters (83) der nachfolgenden Stufe verbunden ist.

14. Mehrstufiger akustischer Oberflächenwellenfilter, enthaltend:

mehrere Stufen der akustischen Oberflächenwellenfilter (92, 93) nach Anspruch 11, die auf denselben piezoelektrischen Substraten (91) ausgebildet sind, wobei

die dritten und vierten Anschlußelektroden (58a, 58b) des akustischen Oberflächenwellenfilters (92) der Eingangsstufe und die gegenüberliegend angeordneten Anschlußelektroden (57a, 57b) der nachfolgenden Stufe (93) miteinander durch erste, zwischen den Stufen angeordnete Verbindungselektroden (94a, 94b) verbunden sind, die eine größere Breite haben, als die Anschlußelektroden auf den piezoelektrischen Substraten (91),

eine weitere Anschlußelektrode (56a) auf der Ausgangsseite und eine Anschlußelektrode (55a) auf der Eingangsseite der Eingangsstufe und nachfolgender Stufen (92, 93) miteinander durch eine zweite, zwischen den Stufen angeordnete Verbindungselektrode (95) verbunden sind, die eine größere Breite als die Anschlußelektroden hat,

die ersten und zweiten Anschlußelektroden (57a, 57b) des akustischen Oberflächenwellenfilters (92) der ersten Stufe durch ein Verdrahtungsmuster verbunden sind, das eine Leiterwegbreite hat, die größer ist als die Breite der Anschlußelektroden, die auf den piezoelektrischen Substraten (91) ausgebildet sind, ein Teil des Verdrahtungsmusters weiter ausgedehnt ist, um einen Anschlußfleck für einen Teil des symmetrischen Eingangsanschlusses (IN) zu bilden, und eine äußere Sammelschienenelektrode der interdigitalen Wandlerelektrode des akustischen Oberflächenwellenfilters (92) der ersten Stufe nach außen ausgedehnt ist, um den anderen Anschlußfleck des genannten symmetrischen Eingangsanschlusses (IN) zu bilden, und

die dritten und vierten Anschlußelektroden (58a, 58b) des akustischen Oberflächenwellenfilters (93) der letzten Stufe durch ein Verdrahtungsmuster verbunden ist, das eine Leiterwegbreite hat, die größer als die Breite der Anschlußelektroden ist, die auf den piezoelektrischen Substraten (91) ausgebildet sind, und ein Teil des Verdrahtungsmusters weiter ausgedehnt ist, um einen Anschlußfleck für einen Teil des symmetrischen Ausgangsanschlusses (OUT) zu bilden, und ein Teil der äußeren Sammelschienenelektrode auf der Ausgangsseite der interdigitalen Wandlerelektrode des akustischen Oberflächenwellenfilters (93) der letzten Stufe nach außen ausgedehnt ist, um einen Anschlußfleck für den anderen Teil des symmetrischen Ausgangsanschlusses (OUT) zu bilden.

15. Mehrstufiger akustischer Oberflächenwellenfilter nach Anspruch 14, bei dem in der Fläche zwischen den ersten und zweiten, zwischen den Stufen liegenden Verbindungselektroden (94a, 94b, 95) ein Reaktanzelement angeschlossen ist.

16. Mehrstufiger akustischer Oberflächenwellenfilter nach Anspruch 14, bei dem von den ersten und zweiten, zwischen den Stufen liegenden Verbindungselektroden eine geerdet und die andere über ein Reaktanzelement geerdet ist.

17. Mehrstufiger akustischer Oberflächenwellenfilter nach Anspruch 14, bei dem die erste zwischen den Stufen liegende Verbindungselektrode über das Reaktanzelement geerdet ist und die zweiten zwischen den Stufen liegende Verbindungselektrode geerdet ist.

18. Akustischer Oberflächenwellenfilter nach einem der Ansprüche 10 bis 17, bei dem die zwei akustischen Oberflächenwellenresonatoren eine Konstruktion aufweisen, die Reflektorelektroden auf beiden Seiten der interdigitalen Wandlerelektrode im wesentlichen gleicher Konfiguration wie die ersten und dritten Oberflächenwellenresonatoren aufweisen und die interdigitalen Wandlerelektroden geerdet sind.

19. Akustischer Oberflächenwellenfilter nach Anspruch 10, bei dem die erste Sammelschienenelektrode innerhalb der ersten interdigitalen Wandlerelektrode und die dritte Sammelschienenelektrode innerhalb der dritten interdigitalen Wandlerelektrode voneinander getrennt und einander gegenüberliegend angeordnet sind,

der zweite akustische Oberflächenresonator mehrerer Streifenleiterelektroden hat, eine Elektrode zum Verbinden der einen Endteile beider Enden jener mehreren Streifenleiterelektroden und Elektroden zum Verbinden der anderen Endteile zwischen den gegenüberliegenden ersten und dritten Sammelschienenelektroden.