DE69634816D1 - Methode zur herstellung eines halbleiterbauteils für oberflächenmontage, geeignet für vergleichsweise hohe spannungen und ein solches halbleiterbauteil - Google Patents

Methode zur herstellung eines halbleiterbauteils für oberflächenmontage, geeignet für vergleichsweise hohe spannungen und ein solches halbleiterbauteil

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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6746889B1 (en) * 2001-03-27 2004-06-08 Emcore Corporation Optoelectronic device with improved light extraction
US7046914B2 (en) 2001-05-01 2006-05-16 Koninklijke Philips Electronics N.V. Automatic content analysis and representation of multimedia presentations
US8294172B2 (en) * 2002-04-09 2012-10-23 Lg Electronics Inc. Method of fabricating vertical devices using a metal support film
US6841802B2 (en) 2002-06-26 2005-01-11 Oriol, Inc. Thin film light emitting diode
EP2453474A1 (de) * 2010-11-10 2012-05-16 Nxp B.V. Verfahren zur Verkapselung eines Halbleiterbauelements und Halbleiterbauelementverkapselung
CN104810409A (zh) * 2014-01-26 2015-07-29 国家电网公司 一种碳化硅二极管及其制造方法
CN107517044B (zh) * 2017-08-10 2024-04-09 四川明德亨电子科技有限公司 一种整板smd石英晶体谐振器基板结构及其加工方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2525390A1 (de) * 1975-06-06 1976-12-16 Siemens Ag Steuerbares halbleiterbauelement
DE2656015A1 (de) * 1976-12-10 1978-06-15 Bbc Brown Boveri & Cie Verfahren zum herstellen von halbleiterbauelementen
DE2930460C2 (de) * 1979-07-27 1986-07-17 Telefunken electronic GmbH, 7100 Heilbronn Verfahren zum Herstellen hochspannungsfester Mesadioden
GB8330391D0 (en) * 1983-11-15 1983-12-21 Gen Electric Co Plc Electrical interface arrangement
DE4133820A1 (de) * 1991-10-12 1993-04-15 Bosch Gmbh Robert Verfahren zur herstellung von halbleiterelementen
KR940016546A (ko) * 1992-12-23 1994-07-23 프레데릭 얀 스미트 반도체 장치 및 제조방법
KR940016630A (ko) * 1992-12-23 1994-07-23 프레데릭 얀 스미트 반도체 장치 및 제조방법
EP0603971A3 (de) * 1992-12-23 1995-06-28 Koninkl Philips Electronics Nv Halbleiteranordnung mit passivierten Seitenflächen und Verfahren zu ihrer Herstellung.

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