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Die
Erfindung bezieht sich allgemein auf elektronische Dünnfilm-Bildgebervorrichtungen
und insbesondere auch auf die Reparatur von Adressleitungsstrukturen,
die in Vorrichtungen, wie beispielsweise Festkörper-Strahlungsbildgebern,
enthalten sind, die eine Matrix von elektrisch leitfähigen Adressleitungen
zum Steuern der aktiven Komponenten der Vorrichtung haben.
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Adressleitungen
zum Leiten elektrischer Signale zu und von aktiven Komponenten in
einem Display oder einer Bildgebervorrichtung sind als integrale
Teile von der Struktur der Festkörper-Bildgeber
gebildet. Diese Adressleitungen bilden gewöhnlich eine Matrix mit Leitungen,
die in der einen Richtung verlaufen und als Abtastleitungen bezeichnet
werden, und Leitungen, die in einer im wesentlichen senkrechten
Richtung angeordnet sind und als Datenleitungen bezeichnet werden.
Elektrische Signale (z. B. die Spannung) auf einer Abtastleitung
steuern üblicherweise
eine Schaltvorrichtung, wie beispielsweise einen FET-Effekt-Tansistor
(FET, der auch als ein Dünnfilm-Transistor
oder TFT bezeichnet wird), der seinerseits die aktive Komponente,
wie beispielsweise einen Photosensor, mit der Datenleitung verbindet,
so daß ein
elektrisches Signal von dem Photosensor ausgelesen werden kann.
Eine gemeinsame Elektrode ist über
der Photosenor Matrix angeordnet, um den gemeinsamen Kontakt für jedes
Photosensorpixel in der Matrix zu bilden. Das elektrische Signal,
das ausgelesen wird, entspricht der Anzahl von detektierten Photonen,
die auf die Matrix auftreffen, und die Signale von den entsprechenden
Photosensoren werden verwendet, um elektronisch ein Bild von den
Photonen zu reproduzieren, die von der Matrix von Photosensoren
detektiert sind.
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Ein
Defekt auf einer Datenleitung kann das gesamte Leistungsvermögen von
der Dünnfilm-Bildgebervorrichtung
nachteilig beeinflussen. Diese Situation ist besonders von Bedeutung
in Bildgebern, in denen die Datenleitungen in der Mitte der Matrix
getrennt worden sind, um Rauschpegel zu senken (sogenannte „Einzelkontakt"-Datenleitungen,
da derartige getrennte Leitungen notwendigerweise mit einer Auslese-Elektronik
auf der einen Seite der Matrix verbunden sind). In dieser Anordnung
ist es notwendig in der Lage zu sein, die Datenleitungen von jeder
Seite (oder Rand) der Matrix auszulesen, und ein Stromkreisunterbrechnungs-
bzw. Leerlaufzustand schaltet effektiv alle Pixel ab, die mit der
Adressleitung jenseits des Punktes verbunden sind, wo die Stromunterbrechung
besteht. Eine gewisse Verschlechterung der Anzahl betriebsfähiger Pixel
kann mit geeigneten Softwareänderungen
in den Auslesekreisen toleriert werden; jedoch würde ein Austausch der Pixelmatrix (der
während
der Lebensdauer des Bildgebers vorausgesehen werden kann) würde notwendigerweise eine
Revision der Auslese-Software erfordern, die die Zeit und die Kosten
der Wartung des Bildgebers vergrößert. Ferner
kann es notwendig sein, daß ein Bildgeber
mit genügend
defekten Adressleitungen aussortiert werden muß, was von der Verschlechterung
der Auflösung
der Display-Vorrichtung abhängt, die
aus den unwägsamen
Pixeln resultiert.
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Bei
den gegebenen Kosten der Fertigung von elektronischen Dünnfilm-Bildgebervorrichtungen ist
es wünschenswert,
Vorrichtungen zu haben, die reparierbar sind. Insbesondere ist es
wünschenswert,
eine Vorrichtung zu haben, die auf einfache Weise repariert wird,
ohne signifikante zusätzliche Bearbeitungszeit
während
der Fertigung. Es ist dann noch wünschenswert, daß das Reparaturverfahren für Datenleitungen,
die einen Stromkreisunterbrechungsdefekt haben, so ist, daß es die
Größe des elektronischen
Rauschens auf der leitfähigen
Leitung nicht signifikant erhöht,
während
es trotzdem für
eine Reparatur sorgt, die robust ist.
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Gemäß der Erfindung
wird ein Verfahren zum Reparieren eines Leerlauf- bzw. Stromkreisunterbrechungsdefektes
in einer beschädigten
Adressleitung in einer elektronischen Dünnfilm-Bildgebermatrix bereitgestellt,
das an dem Punkt in dem Fertigungsprozeß ausgeführt wird, an dem die Materialien zum
Bilden der Dünnfilm-Feldeffekt-Transistoren (FETs)
und die zugeordneten Datenadressleitungen abgeschieden und in einem
Muster ausgebildet sind (die „FET
Komplettierungs"-Stufe)
und vor der Stufe der Abscheidung von Photosensor-Trennschichten über der
Matrix bzw. Array, wie beispielsweise organische und anorganische
dielektrische Materialien, die nach der Bildung von Photosensoren
abgeschieden werden, die mit entsprechenden FETs verbunden sind.
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Das
Verfahren gemäß der Erfindung
enthält die
Schritte, daß eine
Reparaturfläche
gebildet wird, die den Leerlaufdefekt und Abschnitte der beschädigten Adressleitung,
die an den Defekt angrenzen, freilegt, wobei eine erste Schutzschicht über der
die Reparaturfläche
umgebenden Matrix angeordnet wird; eine Schicht von leitfähigem Reparaturmaterial über der
Matrix abgeschieden wird, so daß ein
Teil von dem leitfähigen
Reparaturmaterial in der Reparaturfläche angeordnet ist, um einen
Reparatur-Shunt zu bilden, der die an den Defekt angrenzenden Abschnitte
der Adressleitung elektrisch verbindet; Bilden einer geebneten zweiten
Schutzschicht über
der Matrix; Entfernen von Teilen einer Schutzschicht, um eine planierte
bzw. geebnete Oberfläche
auf der Matrix zu formen, auf der das leitfähige Reparaturmaterial frei
liegt, abgesehen von dem Reparatur-Shunt, der unter einem Steckabschnitt
von der zweiten Schutzschicht liegt, die über der Reparaturfläche angeordnet
ist; Entfernen des leitfähigen
Reparaturmaterials von der Matrixoberfläche, abgesehen von dem Abschnitt,
der unter dem Steckabschnitt von der zweiten Schutzschicht liegt;
und Entfernen von übrigen
Teilen der ersten Schutzschicht und des Steckabschnittes der zweiten
Schutzschicht von der Reparaturfläche.
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Die
Erfindung ist am besten verständlich
unter Bezugnahme auf die folgende Beschreibung in Verbindung mit
den beigefügten
Zeichnungen, in denen gleiche Bezugszeichen gleiche Teile in den Zeichnungen
darstellen, und in denen:
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1 eine Draufsicht von einem
Abschnitt von einer elektronischen Dünnfilm-Bildgebermatrix ist,
die eine beschädigte
Adressleitung aufweist;
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2 eine Querschnittsansicht
von der beschädigten
Bildgebermatrix entlang der Linie 1-1 in 1 ist nach der Abscheidung von einer
ersten Schutzschicht und der Bildung einer Reparaturfläche über dem
Defekt in der Adressleitung gemäß der Erfindung;
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3 eine Querschnittsansicht
von der beschädigten
Bildgebermatrix nach der Abscheidung von dem leitfähigen Reparaturmaterial
und einer zweiten Schutzschicht gemäß der Erfindung ist;
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4 eine Querschnittsansicht
von der beschädigten
Bildgebermatrix ist, in der das leitfähige Reparaturmaterial freigelegt
ist, abgesehen von der Reparaturfläche gemäß der Erfindung; und
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5 eine Querschnittsansicht
von einer Bildgebermatrix nach Abschluß der Adressleitungsreparatur
gemäß der Erfindung
ist.
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Eine
elektronische Dünnfilm-Bildgebervorrichtung 100,
wie beispielsweise eine Festkörper-Strahlungs-Bildgebermatrix,
enthält üblicherweise
mehrere Pixel 110, die in einer Matrix von Reihen und Spalten
angeordnet sind (eine Darstellung von einer von ihnen ist in 1 dargestellt). Pixel in
der Matrix sind mit Adressleitungen verbunden, die Reihen von Adressleitungen 115 und
Spalten von Datenleitungen 120 über einen Dünnfilm-Feldeffekt-Schalttransistor 130 (bezeichnet
als ein „TFT" oder eine „FET") enthalten, so daß die Ladung,
die durch den Photosensor in jedem Pixel gesammelt wird, während Operationen
des Bildgebers selektiv ausgelesen werden kann. Jeder Schalttransistor
weist eine Gate-Elektrode 132, die mit einer entsprechenden Abtastleitung 115 verbunden
ist, eine Drain-Elektrode 134, die mit einer Pixel-Elektrode 112 verbunden ist,
und eine Source-Elektrode 136 auf, die mit einer entsprechenden
Datenleitung 120 verbunden ist (diese Nomenklatur für Source-
und Drain-Elektrode 134, 136 hat keine kritische
Bedeutung in dieser Struktur, und deshalb kann die Nomenklatur für die entsprechenden
Elektroden 134, 136 umgekehrt sein, ohne die Arbeitsweise
oder Struktur der Bildgebermatrix 100 zu beeinflussen).
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1 stellt die Bildgebermatrix 100 an
einem Zwischenschritt in dem Fertigungsprozeß dar, der als der „FET Vollendungs"-Schritt bekannt
ist. An diesem Punkt in dem Fertigungsprozeß weist die Bildgebermatrix
Schichten aus leitfähigem,
halbleitfähigem
und dielektrischem Material auf, die auf entsprechende Weise angeordnet
sind, um Abtastleitungen 115, Datenleitungen 120,
FETs 130 und Pixel-Elektroden 112 zu
bilden; in dem typischen Fertigungsprozeß ist der nächste Schritt die Bildung von Silizium-Photosensorkörpern auf
der Pixelelektrode 112 und die Abscheidung von vielen Schichten
aus organischem und anorganischem dielektrischem Material, um Trennwände zu formen,
um die Photosensoren zu schützen,
und danach wird eine gemeinsame Elektrode über den Photosensoren gebildet,
und Szintillatormaterial wird über
der gemeinsamen Elektrode auf der Matrix angeordnet. Häufig sorgen
Bildgeber-Fertigungsprozesse nicht für eine Reparatur von Defekten
in Adressleitungen, bevor Photosensoren und Trennschichten gebildet
worden sind; eine Reparatur an dieser Stufe in dem Fertigungsprozeß erfordert
die Beseitigung von Trennschichtmaterial von dem Bereich des Adressleitungsdefektes,
bevor der Defekt repariert werden kann (siehe WO Patent Nr. 95 17768
A).
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Eine
Reparatur von Defekten in Adressdatenleitungen 120 wird
an der „FET
Vollendungs"-Stufe
des Fertigungsprozesses ausgeführt.
An diesem Punkt in dem Fertigungsprozeß kann die elektrische Kontinuität der Adressleitungen
ermittelt und Defekte lokalisiert werden. Defekte können Stromkreisunterbrechungen
bzw. Leerläufe
in Punkten, wo das leitfähige
Material, das die Adressleitung bildet, nicht kontinuierlich ist,
oder Kurzschlüsse
aufweisen, was erforderlich machen kann, daß die Leitung durchschnitten
und der kurzgeschlossene Abschnitt entfernt wird und dann die durchtrennten
Abschnitte der entsprechenden Adressleitungen wieder verbunden werden, wobei
eine richtige elektrische Isolation beibehalten wird. In jedem Fall
ist es nicht unüblich,
daß Leerlaufzustände in Adressleitungen
korrigiert werden müssen.
Stromkreisunterbrechungen in Datenleitungen sind besonders kritisch
in Einzelkontakt-Datenleitungen, das heißt Datenleitungen, die absichtlich
in der Mitte der Matrix durchtrennt sind, um Rauschen in der Auslesung
zu vermindern, so daß jedes
Datenleitungssegment mit befestigten Pixeln an nur einem Rand der
Matrix mit einer Auslese-Elektronik verbunden ist. An der FET Vollendungsstufe
des Fertigungsprozesses kann die elektrische Kontinuität der Adressleitungen
ermittelt und Defekte identifiziert werden.
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Ein
Abschnitt der Adressleitung 120 mit einem Defekt 140 ist
in 2 im Schnitt dargestellt.
An der FET Vollendungsstufe des Fertigungsprozesses ist eine dielektrische
Gate-Schicht 117 auf einem Substrat 105 angeordnet;
die dielektrische Gate-Schicht weist ein dielektrisches Material,
wie beispielsweise Siliziumoxid (SiOx) oder Siliziumnitrit (SiNx)
auf, das über
der Matrix bzw. Array 100 angeordnet ist, um die Abtastleitungen 115 elektrisch
zu isolieren und zugeordnete Gate-Elektroden 132 von nachfolgenden
Schichten aus halbleitenden und leitfähigen Materialien (nicht gezeigt)
in dem TFT 130 zu isolieren. Die Datenleitung 120 ist
auf der dielektrischen Gate-Schicht 117 angeordnet und
weist üblicherweise
ein leitfähiges
Material auf, wie beispielsweise Molybdän, Titan, Aluminium und Chrom
oder ähnliches.
Die Datenleitung 120 hat üblicherweise eine Dicke in
den Bereich zwischen etwa 0,2 μm
und 1 μm.
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Die
Reparatur des Defektes 140 kann begonnen werden, wenn der
Ort des Defektes 140 identifiziert ist (z. B. durch elektrische
Prüfungen
oder visuelle Inspektionen). Üblicherweise
wird die freigelegte Oberfläche
der Matrix 100 (wie er hier verwendet wird, bezieht sich
der Begriff „freigelegte
Oberfläche" auf die Oberfläche der
Matrix gegenüber
dem Substrat 105, wie es an diesem Punkt des Fertigungsprozeß besteht)
gereinigt, indem ein Photowiderstand-Abstreifer oder ähnliches
auf die Matrix aufgebracht wird. Eine erste Schutzschicht 150 wird dann
in einem Spinprozeß,
einem Miniskus-Beschichtungsprozeß oder ähnlichem über der Oberfläche von
der Matrix abgeschieden; die erste Schutzschicht 150 weist üblicherweise
ein Isoliermaterial auf, das mit Laser-Abtragung bzw. -Ablation
entfernt werden kann. Beispielsweise weist die erste Schutzschicht
Photowiderstand aufweisendes Material, Polyimid oder ähnliche
Materialien auf. Wie er hier verwendet ist, umfaßt der Begriff „abgeschieden", „gebildet" oder ähnliches,
der in Bezug auf die Bildung einer Materialschicht über der
Matrix bzw. Array verwendet wird, alle Schritte, die zur Bildung
einer derartigen Schicht notwendig sind, wie beispielsweise die
Anordnung des Materials auf der Matrix und eine weitere normale
Bearbeitung eines derartigen Materials, um es zu einer Schicht auszubilden,
wie beispielsweise Aushärten
des Materials, das über
der Matrix angeordnet ist, oder ähnliches.
Die Dicke der ersten Schutzschicht 150 liegt üblicherweise
in dem Bereich zwischen etwa 1 μm
und etwa 4 μm,
und gewöhnlich
hat sie eine Dicke von etwa 2 μm.
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Als
nächstes
wird eine Reparaturfläche 145 (2) ausgebildet, um den Defekt 140,
einen ersten Adressleitungsabschnitt 121 und einen zweiten Adressleitungsabschnitt 122 freizulegen,
die an den Defekt 140 angrenzen. Üblicherweise werden Abschnitte
von der ersten Schutzschicht 150, die über der Reparaturfläche 145 angeordnet
sind, durch Laser-Ablation entfernt, um den Defekt 140 und
angrenzende Adressleitungssegmente 121, 122 freizulegen.
Beispielsweise ist ein Excimer-Laser
der Marke Florod, Modell LCM 308, bei etwa 7% Leistung (wobei die
Gesamtleistung etwa 350 Mikrojoule beträgt) verwendet worden, um nicht-leitfähiges Material
abzutragen, um eine Reparaturfläche 145 mit
Abmessungen von etwa 10 μm
mal 20 μm
(Breite, Tiefe usw.) zu bilden. Die ersten und zweiten Adressleitungssegmente 121, 122 bilden
gemeinsam Flächen auf
jedem Abschnitt von der Daten-Adressleitung, die an den einen Leerlauf
bzw. eine Stromunterbrechung bildenden Defekt 145 angrenzen.
Die Segmente 121 und 122 sind genügend groß, damit
anschließend
abgeschiedenes leitfähiges
Material (wie nachfolgend erläutert)
einen zufriedenstellenden elektrischen Kontakt mit der Datenleitung 120 machen
und eine sta bile Struktur bilden kann. Beispielsweise haben in einem
typischen Bildgeber, in dem die Adressenleitung 140 eine
Breite etwa 7 μm
hat, die Segmente 121 und 122 jeweils eine Länge von
etwa 10 μm.
Zusätzlich
sind Seitenwände 155 der
ersten Schutzschicht 150 üblicherweise im wesentlichen
planar (das heißt
relativ glatte Oberflächen,
die üblicherweise
im wesentlichen vertikal zwischen der unteren Fläche der gewählten Reparaturfläche 145 und
der oberen Fläche
der ersten Schutzschicht 150 angeordnet sind). Bei Abschluß dieses
Schrittes ist die Reparaturfläche 145 so
gebildet, daß die
erste Schutzschicht 150 die Reparaturfläche auf der frei liegenden
Oberfläche
von der Matrix 100 umgibt.
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Als
nächstes
wird eine leitfähige
Schicht 160 aus Reparaturmaterial über der Matrix 100 abgeschieden, üblicherweise
in einem Plasma-verstärkten
chemischen Dampfabscheidungsprozeß oder ähnlichem, so daß das leitfähige Reparaturmaterial über der
Matrixfläche
angeordnet ist, und ein Teil von dem leitfähigen Reparaturmaterial ist
in der Reparaturfläche 145 so
angeordnet, daß ein
Reparatur-Shunt 165 gebildet ist, der elektrisch das erste Datenadressleitungssegment 121 mit
dem zweiten Datenadressleitungssegment 122 verbindet. Die Schicht
aus leitfähigem
Reparaturmaterial weist den gleichen Typ von leitfähigem Material
auf, der die Datenleitung 120 bildet, oder alternativ handelt
es sich um einen unterschiedlichen Typ an leitfähigem Material. Beispielsweise
kann das leitfähige
Reparaturmaterial ein Metall, wie beispielsweise Molybdän, Titan, Aluminium,
Chrom oder ähnliches
oder alternativ Metalloxidkombinationen, wie beispielsweise Indium-Zinnoxid
oder ähnliches,
aufweisen. Das leitfähige
Reparaturmaterial ist üblicherweise
ausgewählt, um
einen niedrigen Massewiderstand (z. B. etwa 100 Ohm pro Quadrat
oder weniger) zu bilden, um so elektrisches Rauschen in der reparierten
Datenleitung zu verringern, und so, daß der Reparatur-Shunt 160 robust
ist, das heißt
er bildet eine Verbindung, die elektrisch und physikalisch einwandfrei
und sie widersteht den nachfolgenden Fertigungsschritten, um die
Matrix zu vollenden. Die Schicht 160 aus leitfähigem Reparaturmaterial
hat üblicherweise
eine Dicke in dem Bereich zwischen etwa 0,8 μm und 1,2 μm.
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Nach
der Abscheidung der Schicht 160 aus leitfähigem Reparaturmaterial
wird eine planierte zweite Schutzschicht 170 über der
Matrix 100 gebildet. Die zweite Schutzschicht 170 wird
in einem Spinprozeß,
einem Miniskus-Beschichtungsprozeß oder ähnlichem über der Oberfläche der
Matrix abgeschieden, was zur Folge hat, daß die obere Fläche von
der zweiten Schutzschicht eine planierte Oberfläche hat, daß heißt eine Oberfläche, die
im wesentlichen parallel zu der Oberfläche des Substrates 105 ist.
Die zweite Schutzschicht 170 weist üblicherweise ein Isoliermaterial
auf, das mit Laser-Ablation entfernt werden kann (z. B. ähnlich dem
Material, das die erste Schutzschicht 150 bildet). Beispielsweise
weist die zweite Schutzschicht Photowiderstand aufweisendes Material
Polyimid oder ähnliche
Materialien auf. Die Dicke der zweiten Schutzschicht 170 liegt üblicherweise
in dem Bereich zwischen etwa 1 μm
und 4 μm, und
gewöhnlich
hat sie eine Dicke von etwa 2 μm
in dem Bereich außerhalb
der Reparaturfläche 165 (aufgrund
der planierten Oberfläche
ist die Dicke der zweiten Schutzschicht in der Reparaturfläche 165 größer). Bei
Abschluß der
Bildung der planierten Schutzschicht 170 erscheint die
Matrix bzw. Array 100 so, wie sie in 3 dargestellt ist.
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Abschnitte
der zweiten Schutzschicht 170 werden dann entfernt, um
so eine plan gemachte Zwischenfläche 168 auf
der Matrix 100 zu bilden, auf der die Schicht 160 aus
leitfähigem
Reparaturmaterial frei liegt (das heißt sie bildet die obere Fläche von der
Matrix 100 an dieser Stufe in dem Prozeß), abgesehen von einem Reparaturflächen-Steckabschnitt 175,
der über
der Reparaturfläche 145 angeordnet ist.
Die Bildung der plan gemachten Zwischenfläche 168 wird beispielsweise
durch einen plan machenden Ätzprozeß erreicht,
wie beispielsweise eine Sauerstoffplasma-Ätzvorrichtung,
wie beispielsweise einen Parallelplatten-Polierer oder ähnliches.
Die Ätzung
wird fortgesetzt, bis die Oberfläche
von dem leitfähigen
Reparaturmaterial 160 frei liegt, abgesehen von der Reparaturfläche 145;
der Schutzstopfen 175 bleibt über dem Reparatur-Shunt 165 angeordnet.
Am Schluß dieses
Verfahrensschrittes erscheint die Bildgebermatrix 100 so,
wie sie in 4 dargestellt
ist.
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Als
nächstes
werden die frei liegenden Abschnitte der leitfähigen Reparaturschicht 160 von
der Matrix 100 entfernt, beispielsweise durch Ätzen mit einem
nassen Masseätzprozeß. Dieses Ätzen wird fortgesetzt,
bis alle frei liegenden Abschnitte der leitfähigen Reparaturmaterialschicht 160 von
der Matrix entfernt sind, wobei nur der Reparatur-Shunt 165 zurück bleibt,
weil er unter dem Schutzstopfen 175 angeordnet und durch
diesen vor dem Ätzprozeß geschützt ist.
Nach Beseitigung von frei liegenden Abschnitten der leitfähigen Reparaturmaterialschicht 160 bleiben
die erste Schutzschicht 150 (außerhalb der Reparaturfläche 145)
und der Schutzstopfen 175 auf der Matrix angeordnet und
bilden die Deckfläche der
Matrix an diesem Punkt in dem Reparaturverfahren.
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Zum
Beenden des Reparaturverfahrens werden verbleibende Abschnitte der
ersten Schutzschicht 150 und des Schutzstopfens 175 dann
von der Matrix entfernt, beispielsweise durch ein Sauerstoffplasma-Ätzverfahren,
wie es oben in Bezug auf die Beseitigung von Abschnitten der zweiten
Schutzschicht 170 beschrieben wurde. Die reparierte Matrix erscheint
so, wie sie in 5 dargestellt
ist, wobei eine Betriebsdaten-Adressleitung 120 einen Reparatur-Shunt 165 aufweist.
An diesem Punkt können Prüfungen durchgeführt werden,
um die elektrische Integrität
der Matrix zu bestätigen
(wobei zusätzliche Reparaturen
ausgeführt
werden, wenn es notwendig ist), und die Fertigung der Matrix 100 kann
weiterlaufen mit der Bildung von Photosensoren, Trennschichten,
einer gemeinsamen Elektrode und einem Szintillator (nicht gezeigt).
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Das
Reparaturverfahren gemäß der Erfindung
sorgt somit für
eine Reparatur einer Datenleitung, die eine breite Vielfalt von
leitfähigen
Reparaturmaterialien verwenden kann, eine Auswahl von einem leitfähigen Material
ermöglicht,
das einen kleinen Widerstand bietet, und für eine rauscharme Reparatur
sorgen kann. Wenn der Reparaturversuch aus irgend einem Grunde nicht
erfolgreich ist, kann er auf einfache Weise wiederholt werden, ohne
nachteilige Wirkungen auf andere Teile der Matrix bzw. Array, wodurch
für eine
im wesentlichen 100% Ausbeute der Datenleitungsreparatur gesorgt
wird. Da ferner mit dem Reparaturverfahren gemäß der Erfindung die Reparatur
an der FET Vollendungsstufe des Matrixfertigungsverfahrens herbeigeführt wird,
wird der Reparatur-Shunt 165 durch Materialien überdeckt, die
auf der Matrix in nachfolgenden Fertigungsschritten (wie es die
normale Datenleitung ist) abgeschieden werden, es wird ein zusätzlicher
Schutz des Reparatur-Shunts 165 bereit gestellt und die
Reparatur wird robuster gemacht als Reparaturen, die bei späteren Matrixfertigungsstufen
ausgeführt
werden. Diese Struktur verringert auch die Möglichkeit einer elektrischen
Streuung zwischen der Reparaturleitung und nachfolgend abgeschiedenen
leitfähigen
Komponenten in der Matrix. Das rauscharme Datenadressleitungs-Reparaturverfahren
gemäß der Erfindung sorgt
somit für
eine hohe Ausbeute und eine hohe Qualität von elektronischen Dünnfilm-Bildgebern.