DE69535609T2 - Farbstrahldruckkopfherstellungsverfahren - Google Patents

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Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft das Tintenstrahldrucken und speziell betrifft sie die Herstellung von Komponenten für Tintenstrahldruckköpfe.
  • Gemäß einem wichtigen Beispiel findet die Erfindung ihre spezielle Anwendung bei Druckköpfen des Typs, bei dem Rillen in einer gepolten piezoelektrischen Keramik ausgebildet sind, an welcher eine Abdeckplatte angebracht ist, die Tintenkanäle zwischen piezoelektrischen Wand-Betätigungselementen zur Verfügung stellt.
  • Es sind Techniken zur Herstellung solcher Druckköpfe in dem feinen Maßstab und mit den strengen Toleranzen entwickelt worden, die für einen geeignet funktionierenden Drucker notwendig sind. Es wird auf eine Anzahl relevanter Offenbarungen in der folgenden detaillierteren Beschreibung hingewiesen werden. Existierende Techniken erlauben jedoch nicht im leichten Maße, wenn überhaupt, eine großvolumige Produktion.
  • Serielle Druckkopfkomponenten (d. h. Komponenten für Druckköpfe die über die gedruckte Seite abgefahren werden sollen) sind klein, typischerweise in der Größenordnung von 5 bis 10 mm, und sie umfassen Merkmale mit Abmessungen von 50 bis 100 μm. Demgemäß ist eine extrem genaue Positionierung während der verschiedenen Verfahrensschritte notwendig. Die Verwendung von individuellen Montagevorrichtungen, welche im Allgemeinen bei der Herstellung in kleinem Umfang befriedigend ist, bei welcher qualifizierte Ingenieure individuelle Feineinstellungen machen müssen um Qualitätskontrolle einhalten, ist bei der Herstellung in großem Umfang bei Raten von Tausenden oder mehr pro Tag einfach nicht praktikabel.
  • Für bestimmte Tintenstrahltechnologien, die ein Fotoresist-Ätzen von Silizium oder ähnliche Techniken verwenden, ist analog zu der Herstellung integrierter Schaltungen vorgeschlagen worden, die Verarbeitung eines Siliziumwafers durchzuführen, der danach zerteilt wird, um individuelle Druckkopfkomponenten herzustellen.
  • So beschreibt die EP-A-0 214 733 einen auf Abruf arbeitenden Tintenstrahldruckkopf, der aus Komponenten hergestellt wird, die auf Silizium im Wafer-Maßstab (Wafer-Scale) aufgebracht und geätzt sind. Während der Montage wird der Druckkopf aus zwei identischen Teilen aufgebaut, welche zerteilt werden, bevor sie Fläche-an-Fläche zusammengesetzt werden. Die Düsen werden dadurch an den Enden von geätzten Rillen in jedem Teil ausgebildet. Die US-A-4 789 425 zeigt einen auf Abruf arbeitenden Tintenstrahldruckkopf, der im Wafer-Maßstab aufgebaut wird, was in einer sogenannten "Roof-Shooter"-Konstruktion des Druckkopfes resultiert. Die Abdeckung ist eine laminierte Fotoresist-Schicht, in welcher die Düsen fotolithographisch ausgebildet werden. Der Wafer wird dann zerkleinert, um einzelne Druckköpfe herzustellen.
  • Die US 4,601,777 beschreibt ein ähnliches Verfahren, in welchem der Wafer verarbeitet wird, um eine kanalisierte Tintenstrahlkomponente zu erzeugen.
  • Diese Vorschläge sind hochspeziell und im Allgemeinen keine Hilfe bei Druckköpfen der Konstruktion, mit der sich die Erfindung in ihrem wichtigsten Beispiel beschäftigt. Darüber hinaus bleibt nach dem Zerkleinern des Wafers in Druckkopfkomponenten eine Anzahl von Schlüssel-Verfahrensschritten, welche noch immer eine genaue Positionierung erfordern. Deshalb ist man noch immer stark auf die Vorrichtungsanordnung angewiesen.
  • Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein verbessertes Verfahren zur Herstellung von Tintenstrahldruckköpfen bereitzustellen, speziell – jedoch nicht exklusiv – in Verbindung mit Konstruktionen mit Rillen in gepolter piezoelektrischer Keramik, an welcher eine Abdeckplatte angebracht wird. Die Erfindung eignet sich speziell für Stirnschuss (Endshooter)-Druckkopfkonstruktionen und für Druckköpfe, die durch piezoelektrische Schermodus-Wandbetätigungseinrichtungen betätigt werden.
  • Demgemäß besteht die vorliegende Erfindung aus einem Verfahren zur Herstellung von Tintenstrahldruckkopfkomponenten, die jeweils N parallele, in jeweiligen Düsen endende Tintenkanäle einer Länge L haben, mit den Schritten zur Bereitstellung eines Basiswafers; Bearbeitung des Basiswafers, um n × N parallele Rillenbildungen einer Länge über m × L hinaus zu definieren, wobei n eine Ganzzahl und m eine Ganzzahl größer als 1 ist, wobei die Sektion von jeder Rillenbildung entlang ihrer Länge mit wechselnden spiegelverkehrten Rillensegmenten variiert; Bereitstellung einer Abdeckung über dem Basiswafer in einer einstückigen bzw. integralen Waferanordnung, wobei die Abdeckung dazu dient, Teile der Rillenbildungen zu verschließen, um durch Kanalwände getrennte Kanäle zu bilden; Schneiden bzw. Sektionieren der Waferanordnung entlang paralleler erster Schnitt bzw. Sektionslinien rechtwinklig zu den Rillenbildungen, um m Streifen zu bilden, wobei die ersten Sektionslinien mit den Rillensegmenten abwechselnd ungerade und gerade sind; Aufbringen auf jeden der Streifen an der Lage einer ersten ungeraden Sektionslinie eine Düsenplatte, um die Düsen zu definieren.
  • Vorteilhafterweise umfasst der Schritt des Verarbeitens des Basiswafers zum Definieren von Rillenformationen die Definition einer Bezugsformation parallel zu den Rillenformationen, und so positioniert, dass jeder der Streifen, die aus dem Sektionieren des Waferaufbaus entlang der ersten Sektionslinie resultieren, ein Segment der Bezugsformation enthält, das eine Registrierung mit den Kanälen des Streifens ermöglicht.
  • Das Ende von jedem Streifen wird durch entweder eine ungerade oder eine gerade Sektionslinie definiert. Vorzugsweise hat jedes Rillensegment benachbart zu den geraden ersten Sektionslinien eine Region mit verringerter Wandhöhe, die elektrische Anschlüsse für die jeweiligen Kanäle aufnimmt und/oder zur Zuführung von Tinte zu den jeweiligen Kanälen von einer gemeinsamen Tintenquelle dient.
  • Geeigneterweise wird die Region mit verringerter Wandhöhe durch örtliches Verringern der Tiefe der Rillenbildung gebildet.
  • Alternativ wird die Region mit verringerter Wandhöhe durch einen Graben gebildet, der sich rechtwinklig zu den Rillenbildungen erstreckt und welcher schräge Ränder haben kann.
  • Vorteilhafterweise kann die Abdeckung wechselnde spiegelverkehrte Abdeckungslängensegmente haben, welche benachbart zu den geraden ersten Sektionslinien Regionen haben können, die nach der Montage entfernt werden.
  • Der Basiswafer ist vorzugsweise piezoelektrisches Material mit Elektroden zum Anlegen von Feldern an Wände, die zwischen benachbarten Rillenbildungen so definiert werden, dass die Wände im Schermodus beweglich sind.
  • Außerdem wird ein Verfahren zur Herstellung von Tintenstrahldruckkopfkomponenten beschrieben, die jeweils N parallele, in jeweiligen Düsen endende Tintenkanäle einer Länge L haben, mit den Schritten zur Bereitstellung eines Basiswafers; Bearbeitung des Basiswafers, um n × N parallele Rillenbildungen einer Länge über m × L hinaus zu definieren, wobei n eine Ganzzahl und m eine Ganzzahl größer als 1 ist, wobei die Sektion von jeder Rillenbildung entlang ihrer Länge mit wechselnden spiegelverkehrten Rillensegmenten variiert; Zuweisen einer ungeraden Sektionslinie, die rechtwinklig zu den Rillenbildungen verläuft, wobei die Sektionslinien die spiegelverkehrten Rillensegmente teilt, Platzieren einer Maske entlang der Stelle der ersten ungeraden Sektionslinie und Auftragen eines Metalls auf den Basiswafer, um Elektroden zu bilden, Bereitstellung einer Abdeckung über dem Basiswafer in einer integralen Waferanordnung bzw. einem Waferaufbau, wobei die Abdeckung dazu dient, Abschnitte der Rillenbildungen zu schließen, um Kanäle zu bilden, die durch Kanalwände getrennt werden, Sektionieren des Waferaufbaus entlang der ungeraden Sektionslinie, Aufbringen auf jeden der Streifen an der Stelle der ungeraden Sektionslinie einer Düsenplatte, um die Düsen zu definieren, wobei in dem Schritt zum Auftragen von Metall das Metall kurz vor dem Ende der Kanäle aufgetragen wird.
  • Die Erfindung wird nunmehr beispielhaft unter Bezugnahme auf die folgenden Darstellungen erläutert. Es zeigen:
  • 1 eine perspektivische Explosionsansicht der Komponenten, die einen einzelnen seriellen Tintenstrahldruckkopf umfassen, mit einer Druckkopfbasis, in welche hinein parallele Rillen ausgeformt sind, einer Schaltungsplatte mit Verbindungsbahnen, einer Abdeckkomponente und einer Düsenplatte;
  • 2 den Druckkopf der 1 nach dem bondierten Ansetzen des Deckels, der Düsenplatte und der Schaltungsplattenkomponenten an der Druckkopfbasis, wodurch eine bondierte Druckkopfkomponente ausgebildet wird;
  • 3 einen rechteckigen Basiswafer mit einer rechteckigen Anordnung von Druckkopf-Basiskomponenten, in welche hinaus parallele Rillen ausgebildet werden, um Tintenkanäle in jeder Komponente vorzusehen;
  • 4 einen rechteckigen Deckwafer mit einer rechteckigen Anordnung von Druckkopf-Deckkomponenten in welchen Fenster für die Versorgung mit Tinte und Schlitze ausgebildet sind, die einen Zugang für die Drahtbondierung zu den Verbindungsspuren bereiteitstellen;
  • 5 einen vertikalen Schnitt durch einen Deckwafer;
  • 6 einen vertikalen Schnitt durch einen Basiswafer;
  • 7 und 8 vertikale Schnitte durch einen bondierten Waferaufbau bei unterschiedlichen Verfahrensstufen;
  • 9 bis 12 Längsschnitte durch eine lineare Anordnung von Druckkopfkomponenten;
  • 13 einen vertikalen Schnitt ähnlich der 5, durch einen alternativen Deckwafer;
  • 14 einen vertikalen Schnitt, ähnlich der 6, durch einen alternativen Basiswafer zur Verwendung mit dem Deckwafer der 13; und
  • 15 und 16 den Deck- und den Basiswafer der 13 und 14, zusammen bondiert bei jeweiligen, unterschiedlichen Verfahrensschritten.
  • Die 1 zeigt eine Explosionsansicht in der Perspektive für einen Tintenstrahldruckkopf 8, der piezoelektrische Wandbetätigungselemente umfasst, die im Schermodus arbeiten. Er umfasst eine Basiskomponente 10 aus piezoelektrischem Material, das in der Dickenrichtung gepolt ist, eine Deck- bzw. Abdeckkomponente 12 und eine Düsenplatte 14. Eine Schaltungsplatte 16 ist ebenfalls dargestellt, welche Verbindungsbahnen 18 zum Anlegen elektrischer Signale für den Tröpfchenausstoß aus dem Druckkopf aufweist.
  • Die Basiskomponente 10 ist mit mehreren parallelen Rillen 20 ausgebildet, welche in dem Flächengebilde aus piezoelektrischem Material ausgebildet sind, wie in der US-A-5 016 028 ( EP-B-0 364 136 ) beschrieben ist. Die Basiskomponente hat einen vorderen Teil, in welchem die Rillen 20 vergleichsweise tief sind, um Tintenkanäle 22 bereitzustellen, die durch gegenüberliegende Betätigungselementwände 24 getrennt sind. Die Rillen hinter dem vorderen Teil sind vergleichsweise flach, um Stellen 26 zum Verbinden der Bahnen 28 bereitzustellen. Nachdem die Rillen 20 ausgebildet sind, wird eine metallisierte Plattierung durch Vakuumabscheidung im Vorderteil aufgebracht, bei Winkeln, die so gewählt sind, dass sie bewirken, dass die Plattierung sich ungefähr über eine Hälfte der Kanalhöhe von den Spitzen der Wände erstreckt, um so Elektroden 30 an gegenüberliegenden Flächen der Tintenkanäle 22 zur Verfügung zu stellen. Zur selben Zeit wird das Elektrodenmetall im hinteren Teil an den Stellen 26 abgeschieden, wodurch Verbindungsbahnen 28 bereitgestellt werden, welche die Elektroden 30 in jedem Kanal verbinden. Die Oberteile der Wände, welche die Rillen trennen, werden frei von der Plattierung gehalten, entweder durch Lappen oder wie in der US-A-5 185 055 ( EP-B-0 397 441 ) durch das anfängliche Aufbringen eines Polymerfilms auf die Basis 10 und das Entfernen der metallisierten Plattierung durch das Entfernen des Films. Nach der Aufbringung der Metallelektroden 30 ist die Basiskomponente 10 mit einer Passivierungsschicht beschichtet, um die Elektroden elektrisch von der Tinte zu isolieren.
  • Die Abdeckkomponente 12, die in 1 dargestellt ist, ist aus einem Material ausgebildet, das thermisch an die Basiskomponente angepasst ist. Eine Lösung hierfür ist die Verwendung einer piezoelektrischen Keramik, die derjenigen gleicht, die für die Basis verwendet wird, so dass, wenn die Abdeckung an die Basis bondiert wird, die Belastungen minimiert werden, die in die Bondierungsschicht zwischen den Oberflächen eingebracht werden. Die Abdeckung wird auf die gleiche Breite wie die Basiskomponente geschnitten, aber kürzer, so dass nach dem Sondieren eine Länge der Bahnen 28 im hinteren Teil verbleibt, die nicht abgedeckt ist, und zwar für bondierte Drahtverbindungen mit den Verbindungsbahnen 18. Ein Fenster 32 ist in der Abdeckung ausgebildet, welches einen Versorgungsverteiler für die Zuführung flüssiger Tinte in die Kanäle 22 bereitstellt. Der Vorderteil der Abdeckung von dem Fenster zur Vorderkante 34 hat die Länge L, wie in der Darstellung angedeutet. Dieser Bereich, wenn er an den Oberteilen der Wände 24 bondiert ist, bestimmt die aktive Kanallänge, welche das Volumen der ausgestoßenen Tintentropfen regelt.
  • Die Basiskomponente und die Deckkomponente sind nach dem Sondieren in 2 dargestellt. Das Bondierungsverfahren ist in der parallel anhängigen internationalen Patentanmeldung PCT/GB94/01747 offenbart, die EP 712 355 A entspricht. Spezielle Sorgfalt wird durch das Achten auf die Maschinentoleranzen für die Vorderkante 34 der Abdeckkomponente 12 und ihrer Ausrichtung mit der entsprechenden Kante der Basiskomponente 10 angewendet, sowie durch die Ausgestaltung der Montagevorrichtung, um sicherzustellen, dass die Vorderflächen der bondierten Druckkopfkomponente 36 zur Anbringung der Düsenplatte 14 koplanar gehalten werden.
  • Die Düsenplatte 14 besteht aus einem Polymerstreifen, wie zum Beispiel aus Polyimide, zum Beispiel Ube Industries polyimide UPILEX® R oder S, beschichtet mit einer nichtnässenden Beschichtung, wie zum Beispiel in der US-A-5 010 356 ( EP-B-0 367 438 ) vorgestellt. Die Düsenplatte wird durch die Aufbringung einer dünnen Klebemittelschicht bondiert, wobei es dem Klebemittel gestattet wird, eine haftende Sondierung in Kontakt mit der Vorderfläche der bondierten Komponente 36 auszubilden, wodurch eine bondierte Versiegelung bzw. Abdichtung zwischen der Düsenplatte 14 und den Wänden ausgebildet wird, welche jeden Kanal 22 umgeben, und dann dadurch, dass es dem Klebemittel gestattet wird, auszuhärten. Nach der Aufbringung der Düsenplatte werden Düsen in der Düsenplatte ausgebildet, die in jeden Kanal 22 hinein verbunden sind, und zwar mit dem Düsenabstand, der für den Druckkopf geeignet ist, wie zum Beispiel in der US-A-5 189 437 ( EP-B-0 309 146 ) offenbart. Die Anzahl der Düsen und Tintenkanäle in einem seriellen Druckkopf ist typischerweise 50 bis 64. Die Düsen 38 sind in 2 aufgezeigt.
  • Nach dem Zusammenbau der bondierten Druckkopfkomponente 36 wird die Schaltungsplatte 16 an diese bondiert, um Verbindungsbahnen 18 bereitzustellen, und bondierte Drahtverbindungen werden hergestellt, welche die Bahnen 18 mit entsprechenden Verbindungsbahnen 28 im hinteren Teil der Basiskomponente 10 verbinden.
  • Die Druckkopfkomponente 36 ist, wenn sie mit Tinte versorgt und mit geeigneten Spannungssignalen über die Bahnen 18 betrieben wird, typischerweise zur Benutzung so ausgelegt, dass, wenn sie entweder senkrecht oder bei einem geeigneten Winkel zur Bewegungsrichtung über eine Papierdruckoberfläche geführt wird, eine einzelne Linie aus Zeichen auf einmal bei einer Höhe von ungefähr 4 mm bis 2,5 mm gedruckt wird (ungefähr 1/6 bis 1/10 eines inch).
  • Demgemäß wird klar, dass die obigen Komponenten im Allgemeinen sehr klein sind, typischerweise von der Größe eines Fingernagels, und dass die beschriebenen Details so klein sind, dass sie nur unter einem Mikroskop inspiziert werden können. Gleichzeitig ist die Komponente zur Massenfertigung unter Reinbedingungen in Mengen von Tausenden bis zu Zehntausenden pro Tag ausgelegt, wo ersichtlich wird, dass es schwierig ist, einzelne, kleine Präzisionskomponenten in solchen großen Mengen unter Reinbedingungen mit hohem Herstellungsausstoß zu handhaben.
  • Das piezoelektrische Keramikmaterial, das bei der Konstruktion des Druckkopfes verwendet wird, ist als Wafer in der Größenordnung von 10 cm erhältlich. Es war deshalb ein wünschenswertes Verfahrensziel, ein Verfahren zur Wafer-Scale-Herstellung zu entwickeln, wodurch geeignete Unterkomponenten des Druckkopfes im Wafer-Scale, bzw. in Wafer-Größenordnungen hergestellt und zur Montage bondiert werden können. Gemäß dieser Erfindung werden die Wafer dann in lineare Anordnungen von Druckköpfen aufgeteilt, die Ende-an-Ende aneinander stoßen und einer linearen Verarbeitung unterzogen werden, in Prozessen wie der bondierten Anbringung der Düsenplatten, der Düsenausbildung, der Drahtbondierung, des Testens der elektrischen Leistung, des Reinigens mit Reinigungsfluiden, des Befüllens mit Tinte, und zwar bevor sie zur Verwendung separiert werden.
  • In einem solchen Maßstab ist die Produktion auf handhabbare Proportionen reduziert, so dass beispielsweise die Produktion von zehntausend seriellen Druckköpfen an einem Tag eine Gesamtwaferfläche von bis zu 0,5 qm erfordert, was typischerweise 100 Wafer während der Waferverarbeitungsstufen involviert und einige zehn Meter linearer Länge an Druckkopfanordnung während der Linearverarbeitungsschritte am Tag.
  • Die vorliegende Erfindung erkennt, dass ein Arbeiten mit linearen Anordnungen von Druckkopfkomponenten, die aus bondierten Wafer-Scale-Zusammensetzungen zerteilt werden, es möglich macht, die Handhabung und Verarbeitung einzelner Druckkopfkomponenten auf einem absoluten Minimum zu halten.
  • Wie wieder aus den Zeichnungen hervorgeht, ist ein rechteckiger Basiswafer 110 aus dicken-gepolter piezoelektrischer Keramik, der 14 × 14 Basiskomponenten 10 trägt, in 3 dargestellt. Der Basiswafer 110 hat gerade Kanten 102 und 104, die während der Wafer-Scale-Verarbeitung zur Ausrichtung verwendet werden, durch das Anordnen des Wafers in jedem Verarbeitungsschritt in Kontakt mit drei Zylinderstiften (Dowel Pins) 111. Eine Kante 102 wird in Kontakt mit zwei Stiften in der Verarbeitungsvorrichtung gebracht und die Abschnittskante 104 wird gegen den verbleibenden Stift gedrückt. Hierdurch wird der Wafer in den Vorrichtungen angeordnet, die für die Wafer-Scale-Prozesse verwendet werden, wie zum Beispiel das Ausbilden von Rillen 120 zur Bereitstellung von Tintenkanälen, das Sondieren des Basiswafers 110 und des Deckwafers 112 (gezeigt in 4) in Ausrichtung, und das Sektionieren der Wafer nach dem Sondieren zur Ausbildung linearere Anordnungen von bondierten Druckkopfkomponenten 136.
  • Der Basiswafer ist in 3 dargestellt, und zwar unterteilt in Regionen, die eine 14×14-Rechtecksanordnung von Basiskomponenten 10 definieren, durch eine Überlagerung horizontaler und vertikaler strichpunktierter Linien 106 und 108. Die horizontalen Strichpunktlinien repräsentieren die Teilungslinien, entlang welcher die rechteckigen, bondierten Waferanordnungen sektioniert werden, um die linearen Anordnungen bondierter Komponenten 136 auszubilden. Die vertikalen Strichpunktlinien repräsentieren die Teilungslinien entlang welcher die linearen Anordnungen bondierter Komponenten sektioniert werden können, nach dem Abschluss der linearen Verarbeitungsschritte, wie zum Beispiel der Düsenausbildung, der elektrischen Verbindung und dem Testen der bondierten Komponente. Die Anordnungen der strichpunktierten Linien in den Wafern 110 werden der Größe nach durch Anordnungen in den Vorrichtungen (nicht gezeigt) bestimmt, welche die drei Zylinderstifte enthalten.
  • Die Basiswaferkomponente wird einer Reihe von Prozessen unterzogen, die im Wafer-Scale durchgeführt werden, um eine rechtwinklige Anordnung von Basiskomponenten 10 auszubilden. Typischerweise wird der Basiswafer nach dem Polarisieren anfänglich gelappt, um die Oberflächen des Wafers zu planarisieren und parallel zu machen, und ein Polymerfilm wird auf den Wafer aufgebracht, wie in der US-A-5 185 055 ( EP-B-0 397 441 ) offenbart ist. Als nächstes werden eine Vielzahl paralleler Rillen 120 in dem Wafer ausgebildet – beispielsweise durch Sägen oder Dicen mit einer Diamant/Metall-Dicingklinge –, um Rillen in dem Bereich jeder Basiskomponente 10 auszubilden, die denjenigen entsprechen, die unter Bezugnahme auf 1 beschrieben wurden, wodurch Tintenkanäle 22 bereitgestellt werden, die durch gegenüberliegende piezoelektrische Betätigungswände 24 getrennt sind.
  • Wie am Besten in dem Querschnitt der 6 zu sehen ist, sind die Basiskomponenten in Paaren symmetrisch an jeder Seite der horizontalen Teilungslinien 106 angeordnet, so dass die Rillen im vorderen Teil – welche vergleichsweise tief sind, um Tintenkanäle 22 bereitzustellen – kontinuierlich zwischen den Paaren der Komponenten in horizontaler linearer Anordnung nummeriert mit 1&2, 3&4, 5&6, ... 13&14. Die Rillen in dem hinteren Teil – welche vergleichsweise flach sind, um Ort 26 zur Anbindung der Bahnen 28 bereitzustellen – sind kontinuierlich zwischen den Paaren der Komponenten in horizontaler linearer Anordnung nummeriert mit 2&3, 4&5, ... 12&13. Das vertikale Sektionsprofil der Rillen ist in dem Waferquerschnitt in 6 gezeigt. Somit sind die nah beabstandeten, parallelen Rillen kontinuierlich in der Vertikalrichtung in 14 Streifen unterteilt durch die vertikalen Teilungslinien 108, und sie erstrecken sich im Wesentlichen über die gesamte vertikale Abmessung des Wafers. Jede Rille ist in einem Durchlauf ausgebildet, wobei die Schneidentiefe während des Durchgangs entlang der Rille variiert wird. In der Peripherie des Wafers ist ein Kerbschnitt des Wafermaterials gezeigt, welcher den inneren Arbeitsbereich davor schützt, während der Waferhandhabung zerteilt zu werden und der keinen Teil der Anordnung der Basiskomponenten 10 bildet. Der Wafer 110 wird durch Zylinderstifte in der Sägevorrichtung gegen die Kanten 102 und 104 angeordnet.
  • Wie ersichtlich werden wird, ist es bei bestimmten der folgenden Verarbeitungsschritte – speziell denjenigen, die auf linearen Anordnungen durchgeführt werden – wünschenswert, eine sichergestellte Registrierung mit den Rillen bereitzustellen, die bei der Wafer-Scale-Verarbeitung geschnitten werden. Dies kann durch die Ausbildung einer vertikalen Bezugskante, gleichzeitig mit den Rillen, erzielt werden, d. h. einer Kante, die sich parallel zu den Rillen erstreckt. Auf diese Weise wird dafür gesorgt, dass, wenn der Wafer in der Folge in lineare Anordnungen aufgeteilt wird, jede Anordnung oder jeder Streifen einen Teil der Bezugskante behält. Für jeden der Streifen wird deshalb eine Registrierung bzw. Ausrichtung an der Bezugskante die Registrierung mit jedem Kanal in dem Streifen sicherstellen. Die Wichtigkeit dieses Merkmals wird klarer, wenn die linearen Verfahrensschritte erläutert werden.
  • Die Bezugskante kann als ein Schnitt durch den gesamten Wafer ausgebildet sein, der beispielsweise den Kerbschnitt an der Kante entfernt von den Anordnungsstiften entfernt. Alternativ kann die Kante als eine Ausnehmung ausgebildet sein, die als eine Schwächungslinie für ein nachfolgendes Brechen dient, oder einfach eine Bezugsformation. Bei einer weiteren Alternative wird die Bezugskante nicht gleichzeitig mit den Rillen ausgebildet, sondern in einem abfolgenden Arbeitsschritt, was dieselbe Stelle des Basiswafers erhält, die verwendet wurde, um die Rillen zu schneiden. Wie ersichtlich werden wird, ist dies die Alternative, die bei der hier beschriebenen Ausführungsform verwendet wird.
  • Nach dem Ausbilden von Rillen, wie es oben beschrieben wurde, und dem Reinigen, wird Elektrodenmetall, wie oben unter Hinweis auf die 1 beschrieben, im Wafer-Scale aufgebracht, worauf das Polymermaterial auf den Oberteilen der Wände entfernt und eine elektrische Passivierungsschicht über dem Wafer abgelagert wird, welche die Oberteile der Wände und die Seiten und den Grund der Rillen abdeckt, wodurch eine isolierende Beschichtung bereitgestellt wird, um die Tinte in den Tintenkanälen von den Elektroden zu isolieren.
  • Beim Metallablagerungsschritt wird jedoch eine Maske entlang der horizontalen Teilungslinien 106 angeordnet, welche die gerillten Enden der Komponentenpaare unterteilen (d. h. die horizontalen Linien zwischen dem linearen Anordnungen 1&2, 3&4, ... 13&14), so dass das Metall kurz vor den Enden der Kanäle nach dem Teilen in horizontale Anordnungen abgelagert wird. Nach dem Passivieren und Schneiden entlang der horizontalen Teilungslinien wird die Plattierung dann verborgen, so dass sie an den Schnittenden der Kanalwände nicht frei liegt.
  • Beim Passivierungsschritt wird eine Maske in gleicher Weise entlang der abwechselnden horizontalen Teilungslinien 106 angeordnet, welche die mit Bahnen versehenen Enden der Komponenten teilen (d. h. die horizontalen Linien zwischen den Linearanordnungen 1, 2&3, 4&5, ... 12&13, 14), so dass die Verbindungsbahnen nicht mit einer Passivierung an ihren Enden beschichtet werden, damit die Drahtbondierungsverbindung gemacht werden kann, nachdem in horizontal lineare Anordnungen geschnitten wurde.
  • Ein entsprechend rechteckiger Deckwafer 112 ist in 4 gezeigt. Dieser ist in gleicher Weise um seinen Umfang herum durch gerade Linienkanten 142 und 144 begrenzt, die zum Anordnen des Deckwafers gegen die entsprechenden Zylinderstifte bei den dimensional kritischen Waferverarbeitungsschritten verwendet werden. Wenn beispielsweise die Waferkanten gegen die Zylinderstifte gedrückt werden, die in einer Vorrichtung vorgesehen sind, bilden fiktive horizontale und vertikale Teilungslinien, die in ihren Abmessungen in den Vorrichtungen bestimmt werden, eine Überlagerung, welche den Wafer in eine rechteckige Anordnung von 14 × 14 Regionen teilt, von denen jede eine Deckkomponente 12 enthält. Die horizontalen und vertikalen Teilungslinien sind in 4 durch horizontale und vertikale Strichpunktlinien 146 und 148 dargestellt.
  • Typischerweise kann der Deckwafer 112 ein PZT-Wafer aus gleichem, aber dünnerem Material als der Basiswafer 110 sein; oder er kann ein Wafer aus Borosilikat-Glas oder einer Glaskeramik mit niedriger Wärmedehnung sein, wie zum Beispiel Kordierite oder Aluminiumoxid, oder jedwedes andere Material, dessen Wärmeausdehnungskoeffizient nahe bei demjenigen der Basiskomponente liegt. Anfänglich wird der Deckwafer gewappt oder anders planarisiert. Der Deckwafer wird dann unter Verwendung einer Verarbeitungsausstattung geschnitten, wie zum Beispiel einem Laserschneider, bei dem ein Laserstrahl so gesteuert wird, dass er mit den spezifizierten Abmessungen übereinstimmt.
  • Dieses Verfahren wird in einer Vorrichtung durchgeführt durch das Anordnen des Wafers an seinen Waferkanten 142 und 124 gegen Zylinderstifte. Das spanabhebende Bearbeiten durch Fräsen kann ebenfalls eingesetzt werden, ebenso wie eine Ultraschallbearbeitung. Diese Technik umfasst die Ultraschall-Vibration eines gehärteten Werkzeugstücks in einer abtragenden Aufschlämmung aus, zum Beispiel, Borkarbid. Indem durch die Vorrichtung vorgegebenen Koordinaten werden die Wafer so geschnitten, dass die Fenster 132 ausgerichtet in vertikaler und horizontaler Anordnung und die horizontalen Schlitze 128 ausgebildet werden. Die Beabstandung und Funktion der Fenster 132 und der Schlitze wird unten erläutert. Der Vertikalschnitt der Abdeckung ist in 5 dargestellt.
  • Nach der Ausbildung von Fenstern in der Abdeckung werden die Oberteile der Wände der Basiskomponente mit einem Bondierungsmaterial beschichtet, und die Deckkomponente wird ausgerichtet und zum Bondieren mit der Basiskomponente in Kontakt gebracht. Das Bondierungsverfahren, das in der parallel angemeldeten internationalen Anmeldung PCT/GB94/01 747 offenbart ist, die EP 712 355 A entspricht, ist ebenfalls zur Anwendung im Wafer-Maßstab geeignet.
  • Ein Klebemittel kann unter Verwendung einer Offsetwalze aufgebracht werden, wobei die Aufbringungsrate durch die Tiefe von Einsenkungen gesteuert wird, die auf der Walze vorgesehen sind. Es kann von Vorteil sein, verschiedene Tiefen des Klebemittels oder unterschiedliche Klebemittelzusammensetzungen an unterschiedlichen Stellen über die Waferstruktur aufzubringen. Beispielsweise kann eine relativ dünne Schicht aus Epoxydmaterial auf der Oberseite der Betätigungswände 20 aufgebracht werden, und eine relativ dicke Schicht – typischerweise aus Siliziumoxid-beladenem Epoxyd kann an den flachen Rillen 26 aufgebracht werden, an welchen die Bahnen 28 ausgebildet sind. Es ist günstig, unterschiedliche Walzen zu verwenden, jede passend zu einer speziellen Klebemittelzusammensetzung oder Klebemitteltiefe. Jede Walze hat Prägewarzenabschnitte, die denjenigen Bereichen auf den Wafern entsprechen, bei welchem die Warze wirksam sein soll, und sie ist in anderen Bereichen ausgespart. Klebemittel kann nur auf den Basiswafer, nur auf den Deckwafer oder sowohl auf den Basiswafer als auch den Deckwafer aufgebracht werden.
  • Die dickere Schicht des Klebemittels, die in die flachen Rillen eingebracht wird, welche die Stellen 26 für die Bahnen 28 ausbilden, dient dazu eine Versiegelung zu bewirken. Die Siliziumoxyd-Beladung verbessert die Viskosität des Klebemittels und reduziert somit die Tendenz des Klebemittels, in einer Weise nach außen zu fliesen, welche eine darauffolgende Drahtbondierung behindern würde. Wenn nichts desto Trotz Schwierigkeiten auftreten, kann die Wanderung von Klebemittel entlang der Bahn über die Grenzen des Deckwafers hinaus durch die Aufbringung eines Blockierungsmittels auf die äußeren Bereiche der Bahnen verhindert werden, welches eine niedrige Oberflächenenergie aufweist. Die Aufbringung des Blockierungsmittels kann in gleicher Weise unter Verwendung einer Walze durchgeführt werden, und die Entfernung eines geeigneten, wasserbasierten Blockierungsmittels kann durch das Eintauchen in entionisiertes Wasser bewirkt werden.
  • Während der Bondierung sind sowohl der Basiswafer 110 durch die Kanten 102 und 104 als auch der Deckwafer 112 durch die Kanten 142 und 144 in der Bondierungsvorrichtung gegen Zylinderstifte ausgerichtet. Hierdurch werden die fiktiven Teilungslinien 106 und 108, welche separate Basiskomponten im Basiswafer unterteilen in Ausrichtung mit den Teilungslinien 146 und 148 gebracht, welche die separaten Abdeckungskomponenten im Deckwafer unterteilen. Der Bondierungsprozess umfasst das Zusammenpressen der Komponenten durch Druck, typischerweise 5 MPa, um zu bewirken, dass das Bondierungsmaterial zwischen den planarisierten Flächen der Wafer fließt, und damit die Flächen im Wesentlichen in Kontakt gebracht werden können. Die Verpressung wird dann erwärmt, was es dem Bondierungsmaterial gestattet, wieder zu fließen und ausgehärtet zu werden, um eine rechtwinklige Anordnung von 14 × 14 bondierten Druckkopfkomponenten 136 auszubilden. Bei einer Modifizierung werden die Druckplatten erwärmt, bevor sie mit den Wafern in Kontakt gebracht werden. Dies vermeidet jedwedes Risiko der thermischen Ausdehnung der Pressplatten, während sie mit den Wafern in Kontakt sind, was Risse oder andere Schäden bewirken könnte. Eine alternative Lösung liegt darin, Pressplatten mit geringer Wärmedehnung zu verwenden, wie zum Beispiel aus Borosilikat-Glasscheiben.
  • Um sicherzustellen, dass eine einheitliche Bondierungsdicke über den gesamten Wafer erzielt wird, ist es wünschenswert, eine Pressplatte bereitzustellen, die starr ist, und eine andere, die einen Grad an Flexibilität aufweist. Dies kann beispielsweise durch die Verwendung eines elastomeren Blockes erreicht werden. Der Grad der notwendigen flexiblen Verformung, um eine einheitliche Bondierungsdicke sicherzustellen, liegt typischerweise im Bereich von 20 Mikron. Es stellt sich heraus, dass ein Elastomerblock mit einer geprägten Struktur besser ist als ein flacher Block, um eine Verformung von 20 Mikron bei 5 Mpa bereitzustellen.
  • Das obige Verfahren, bei welchem die Druckkopfkomponenten durch das Aufbringen eines Bondierungsmaterials bondiert werden, sowie durch Pressen und Erwärmen der Komponenten im Wafer-Scale hat den Vorteil, dass, weil eine größere Anzahl von Teilen auf einmal verarbeitet werden, längere Zeiten bereitgestellt werden kann, um den Bondierungszyklus abzuschließen, als sie zur Verfügung stehen, wenn nur eine Komponente auf einmal bondiert wird. Die längere Zykluszeit macht es praktisch umsetzbar, niedrigere Bondierungs-Aushärtungstemperaturen zu verwenden. Dies hilft dabei, sowohl die Spitzentemperatur zu begrenzen, die ausgewählt wird, um einen Aushärtungszyklus zu beginnen und durchzuführen, als auch sicherzustellen, dass eine vollständige Polymerisation des Klebemittels stattgefunden hat. Eine niedrigere Bondierung-Aushärtungstemperatur reduziert ebenfalls die Probleme nicht zusammen passender Wärmeausdehnungskoeffizienten, wodurch der Materialbereich vergrößert wird, der für die Abdeckung verwendet werden kann.
  • Während die Waferanordnung in Kontakt mit den Zylinderstiften bleibt, wird die Kerbe von sowohl dem Basis- als auch dem Deckwafer entlang der Vertikalkante entfernt, die von dem Zylinderstift entfernt liegt. Dies erzeugt die vorher genannte Bezugskante oder -formation, welche sich parallel zu – und in präziser Registrierung mit – den Rillen erstreckt, die in dem Basiswafer eingeschnitten sind. Wenn gewünscht, kann die Kerbe bei dieser Stufe von der horizontalen Kante, entfernt von den Zylinderstiften, entfernt werden, wobei ein nebengeordneter, horizontaler Bezug ausgebildet wird.
  • Wie in 7 gezeigt ist, stellen die Fenster 132 nunmehr Öffnungen für einen Tintenversorgungsverteiler zur Verfügung, um Tinte für die Kanäle 22 jeder Druckkopfkomponente bereitzustellen. Es kann, wenn notwendig, mehr als ein Fenster pro Druckkopfkomponente bereitgestellt werden. Ebenso überbrücken die halbtiefen Fenster, die durch die Schlitze 128 in der Abdeckung definiert werden, die Orte 26 für die Verbindungsbahnen 28, wo die Elektroden 30 der Kanäle 22 in jeder Druckkopfkomponente durch Drahtbondierung verbunden sind. Diese halbtiefen Fenster werden in einer späteren Stufe wie in 8 sektioniert, um die Verbindungsbahnen vor der Drahtbondierung freizulegen. Zwischen den Fenstern 132 und dem benachbarten, horizontalen Teilungslinien liegt eine Länge L der Abdeckkomponente, die an die Wände bondiert ist, welche die aktive Länge der Kanäle in der Waferkomponente einregelt. Die Abdeckungen an der anderen Seite der horizontalen Teilungslinie sind symmetrisch angeordnet, so dass der Abstand, der die Paare 1%2, 3&4, ... 13&14 der Fenster in der vertikalen Richtung separiert, 2L ist. Die Fenster sind in gleicher Weise dimensioniert wie die Verteilerfenster, die unter Bezugnahme auf 2 erläutert wurden.
  • Die Anordnung bondierter Druckkopfkomponenten 136 ist ebenfalls in den 8 und 9 bis 12 dargestellt. Diese zeigen Schnitte der horizontalen Linearanordnung der Komponenten 136 in den Schnittebenen ZZ, TT, YY und SS, wie in 8 dargestellt. Die 9 ist im Schnitt ZZ ein Schnitt durch die Fenster 132. Die 10 zeigt im Schnitt TT den Kanalschnitt. Die 11 zeigt im Schnitt YY die Ansicht der Druckkopfkomponenten, wie gesehen auf der Düsenplatte, bondiert an die geschnittenen Enden der Tintenkanäle. Die 12 ist in dem Schnitt SS ein Schnitt an den Verbindungsbahnen 28, der den Basiswafer 110 und das halbtiefe Fenster 128 in der Abdeckung zeigt.
  • Nach dem Bondieren wird die rechteckige Anordnung bondierter Druckkopfkomponenten entlang der horizontalen Teilungslinien geteilt, um 14 Linearanordnungen auszubilden, von denen jede 14 bondierte Druckkopfkomponenten umfasst, die seitlich an den vertikalen Teilungslinien verbunden sind, typischerweise mittels einer diamantenimprägnierten Trennsäge. Ein Satz der abwechselnden Teilungslinien wird durch die Schlitze 128 geschnitten, was Zugang zu jeder Seite davon für die Verbindungsbahnen 28 für die elektrischen Verbindungen ermöglicht. Der andere Satz der abwechselnden Sektionslinie formt eine Schnitffläche 34 durch die offenen Enden der Kanäle in den Druckkopfkomponenten auf jeder Seite, wobei die Länge der Kanäle den Abstand L von der Schnittfläche zu den Fenstern 32 beträgt. Vorteilhafterweise ist die Qualität der Schnittfläche an diesem Ende geeignet planarisiert durch Anbringung einer Düse durch Bondierung, wie in der parallel anhängigen internationalen Patentanmeldung PCT/GB94/01 747 angedeutet ist, die EP 712 355 A entspricht. Um die Effekte der Planarität dieser Schnittfläche bezüglich der Kantenabnutzung bei der diamantimprägnierten Trennsäge zu reduzieren, wird vorteilhafterweise dafür gesorgt, dass die Säge um einen wesentlichen Abstand durch den bondierten Wafer hervorsteht.
  • Der bondierte Wafer wird durch drei Zylinder in der Sägevorrichtung während des Waferschnittprozesses angeordnet, die in gleicher Weise gegen die Waferkanten positioniert sind, um die horizontalen Teilungslinien anzuordnen, entlang welcher die bondierten Wafer geschnitten werden. Auf diese Weise wird eine Registrierung bzw. Ausrichtung zwischen den Kanälen und den horizontalen Teilungslinien sichergestellt. Alternativ kann, wenn dies bevorzugt wird, eine Registrierung unter Verwendung der horizontalen und vertikalen Bezugskanten erreicht werden.
  • Die Tatsache, dass Schnitte quer durch die Kanalwände erst nach der Bondierung des Deckwafers gemacht werden bedeutet, dass die Wahrscheinlichkeit des Zerbröckelns oder eines anderen Schadens an den Wandoberflächen stark reduziert wird.
  • Obwohl die obige Beschreibung unter spezieller Bezugnahme auf die 3 bis 12 sich auf eine rechtwinklige Anordnung von Wafer, Abdeckung und bondierten Druckkopfkomponenten mit einer 14×14-Anordnung von Teilen bezieht, wird man erkennen, dass diese Zahlen nur der Illustration dienen und kleinere und größere Wafer verwendet werden können. Es wird jedoch gewöhnlich vorzuziehen sein, die vertikale Waferabmessung so zu wählen, dass eine gerade Anzahl linearer Komponentenanordnungen gewählt werden, so dass gegenüberliegende Komponentenpaar in der vertikalen Richtung hergestellt werden. Es besteht ebenfalls die Freiheit, die Komponentenabmessungen in der vertikalen Richtung gemäß dem Produkt-Design zu variieren. Die Abmessungen werden in vertikaler Richtung größer gemacht, um größere Tropfen zu erzeugen, oder kleiner, wenn die Tropfen kleiner sind, wenn der Betrieb bei höherer Resonanzfrequenz stattfindet. Wenn solche Änderungen durchgeführt werden, gibt es eine größere oder geringere Anzahl von Komponenten, ausgerichtet in der vertikalen Richtung des Wafers.
  • Auch sind die Komponenten als Druckköpfe mit einer Breite von typischerweise 4 bis 2,5 mm (1/6 bis 1/10 eines inch) beschrieben worden, jedoch können die Druckköpfe breiter sein, wenn sie beispielsweise in einem Winkel angebracht werden, um die Druckdichte zu erhöhen oder über eine größere Breite zu drucken. In ihrer größten Abmessung ist die Breite auf eine Druckkopfkomponente in der linearen Anordnung durch die Waferbreite begrenzt. Jedoch können verschiedene Komponenten aneinanderstoßend angeordnet und zu einer gemeinsamen Deckkomponente bondiert werden, um eine Anordnung aneinanderstoßender Komponenten auszubilden, die breiter ist als ein Wafer, wie in der parallel anhängigen Patentanmeldung WO/91/17 051 offenbart ist.
  • Der Schritt des Sektionierens der rechtwinkligen Anordnung bondierter Druckkopfkomponenten ist der letzte Verfahrensschritt, der an einer rechtwinkligen Anordnung bondierter Komponenten durchgeführt wird. Nach dem Ausbilden linearer Anordnungen von n Druckkopfkomponenten wird eine Folge linearer Verarbeitungsschritte durchgeführt. Während jede Linearanordnung möglicherweise die Anbringung in einer geeigneten Vorrichtung für diese linearen Verarbeitungsschritte erfordern wird, besteht natürlich eine n-fache Reduktion der Anzahl der Vorrichtungs-Beladungs- und -Entladungs-Tätigkeiten. Wichtig ist, dass die Beibehaltung einer Bezugskante an jeder Anordnung, welche aus der Wafer-Scale-Rillenschnitttätigkeit herrührt, die Registrierung bzw. die Ausrichtung wesentlich vereinfacht. Somit kann jeder lineare Verarbeitungsschritt, welcher die Registrierung mit den Rillen erfordert und somit mit den Tintenkanalanordnungen, einfach an der Bezugskante an einem Ende der Linearanordnung ausgerichtet werden.
  • Einer der kritischsten Verfahrensschritte zur Aufrechterhaltung der Druckqualität ist die Düsenausbildung. Die Düsenausbildung wird vorteilhafterweise durch Laser-Ablation durchgeführt, wie beispielsweise in der US-A-5 189 437 ( EP-B-0 309 146 ) beschrieben, und zwar nach dem Bondieren einer Düsenplatte an den Druckkopf.
  • Gemäß eines bevorzugten Merkmals der vorliegenden Erfindung wird eine verlängerte Düsenplatte entlang der Gesamtlänge der Linearanordnung bondiert. Die Tatsache, dass die Düsenplatte an eine Schnittoberfläche der bondierten Basis/Deckwaferanordnung stößt, bedeutet, dass die notwendige glatte Oberfläche mit minimaler zusätzlicher Verarbeitung erzielt wird. Wenn die Düsenplatte in Position bondiert ist, vorzugsweise unter Verwendung der Techniken, die in der parallel anhängigen internationalen Patentanmeldung PCT/GB94/02 341 offenbart sind, die EP 723 499 A entspricht, werden Düsen durch Laserablation ausgebildet. Es wird in dieser Hinsicht auf die EP-A-0 309 146 und die PCT/BG93/00 250 hingewiesen. Eine korrekte Registrierung zwischen den neu gebildeten Düsen und den Kanälen (welche in dieser Stufe nicht leicht sichtbar sind) wird dadurch sichergestellt, dass die Streifen der Komponenten in der Laser-Ablationsausrüstung angeordnet werden, durch Referenz zur Bezugskante an einem Ende des Streifens.
  • Die Größe der typischen Düsenöffnung ist eine solche, dass große Vorsicht notwendig ist, um Teilchenmaterial aus den Tintenkanälen herauszuhalten. In dem arbeitenden Druckkopf wird diese Bedingung durch einen Filter aufrecht erhalten, der über dem Tintenverteiler positioniert ist. Es ist jedoch ebenfalls notwendig, sicherzustellen, dass keine Partikelreste aus dem Herstellungsverfahren in dem Tintenkanal bleiben, nachdem die Düsenplatte und der Filter hinzugefügt wurden. Bei einer solchen Anordnung gemäß der vorliegenden Erfindung wird es möglich, als im Wesentlichen ersten Schritt in der Linearverarbeitung die Filter über die Tintenverteiler zu geben, die durch die Fenster 132 bereitgestellt werden. Dann ist es möglich, alle Kanäle nach vorne durch die Filter zu reinigen und die Düsenplatte in Position zu sichern, mit der Sicherheit, dass kein Partikelmaterialrest zwischen dem Filter und der Düsenplatte gefangen bleibt.
  • Nach der Düsenausbildung werden elektrische Verbindungen mit den Bahnen 28 am hinteren Abschnitt der Rillen in jeder Komponente hergestellt. Die Linearverarbeitung wird dann wieder angewandt, entweder als Drahtbondierung oder Lötung, oder durch das Aufbringen eines Chips auf die Bahnen 18 in der Form eines Lot-Bump-Verfahrens. Bei einer Tätigkeit wie der Drahtbondierung entsteht eine beträchtliche Effektivität aus der sichergestellten genauen Registrierung aller Kanäle in der linearen Anordnung, die sich über viele mögliche Druckkopfkomponenten erstreckt. Wenn die Registrierung mit der Bezugskante erzielt worden ist, kann die Drahtbondierung über die gesamte Anordnung schnell fortschreiten.
  • Abfolgend auf die elektrische Verbindung können Spannungssignale auf den Druckkopf aufgebracht werden, um die Integrität des Druckkopfes zu testen.
  • Es gibt eine wesentliche Anzahl von Tests, die angewendet werden können, um die Integrität des Druckkopfes entweder mit oder ohne Tinte (oder einer alternativen Testflüssigkeit) im Druckkopf zu testen. Von den elektrischen Tests ohne Tintenfluid sind Tests der Kapazität der Wandbetätigungselemente enthalten und der Impedanz oder Phase an der mechanischen Resonanzfrequenz jedes Wandbetätigungselements. Was die elektrischen Tests mit Tinte betrifft, umfassen diese Tests die Leitfähigkeit der Tintenelektroden und der Passivierung und akustische Resonanzen der Tinte in den Tintenkanälen. Die Erfahrung hat gezeigt, dass jeder Test die Fähigkeit hat, das Vorhandensein einer oder mehrerer spezieller Formen von Fehlern aufzuzeigen, die in der Produktion auftreten. Elektrische Tests stellen deshalb eine wertvolle Kontrolle der Prozessparameter zur Verfügung. Das elektrische Testen ist in gleicher Weise ein linearer Prozessschritt.
  • Das Testen in der linearen Anordnung kann noch andere Formen annehmen. Wo elektrische Anschlüsse die Verbindung mit einer Treiberschaltung umfassen, kann dabei das Testen den tatsächlichen Ausstoß von Tinte oder einer Testflüssigkeit aus den Düsen beim „realen" oder simulierten Drucken umfassen.
  • Nach der Vervollständigung der linearen Verfahrensschritte werden die linearen Anordnungen sektioniert, wobei jede Anordnung dann n Druckkopfkomponenten bereitstellt. Der Sektionierungsschritt wird vorzugsweise in Registrierung mit der Bezugskante durchgeführt, so dass die Parallelität zwischen den Kanäten und den relevanten Kanten der Endkomponente sichergestellt wird. Wenn eine geeignet ausgebildete Vorrichtung für die lineare Anordnung verwendet wird, kann es möglich sein, die Anordnung in einem früheren Schritt zu sektionieren, wobei die Vorrichtung die präzise Registrierung aufrecht erhält, die für die nachfolgenden Linearverarbeitungsschritte benötigt wird. Wenn die lineare Anordnung an Stellen mit Registrierung mit der Bezugsformation – und somit in der Registrierung mit den Kanälen – sektioniert wird, wird geeigneterweise sichergestellt, dass jede Komponente einen externen Bezug in der Registrierung mit den Düsen hat. Dies ermöglicht die einfache Anordnung der Druckkopfkomponenten in Bezug zueinander oder in Bezug auf einen Träger oder eine andere Komponente des Druckers.
  • Man wird feststellen, dass, während diese Beschreibung sich auf eine spezielle Konstruktion und deshalb auf spezielle Verfahrensschritte konzentriert hat, die Erfindung in breitem Maße auf Verfahren zur Herstellung von Tintenstrahldruckkopfkomponenten anwendbar ist, mit einer Vielzahl von unterschiedlichen Waferverarbeitungsschritten und unterschiedlichen Linearanordnungs-Verarbeitungsschritten. Während das Beispiel eines einzelnen Deckwafers verwendet wurde, der an einen einzelnen Basiswafer mit im Wesentlichen derselben Fläche bondiert wird, ist es bei bestimmten Anwendungen günstig, eine Anzahl von Basiswafern an einen einzelnen Deckwafer zu bondieren. Es können auch mehrere Deckwafer an einem einzelnen Basiswafer bondiert werden, obwohl dies wahrscheinlich weniger nützlich ist.
  • Nunmehr wird eine alternative Druckkopfkonstruktion beschrieben, auf welche die Lehre der vorliegenden Erfindung ebenfalls anwendbar ist.
  • Die 14 zeigt eine alternative Form einer Basiswaferkomponente 210 im Schnitt entlang einer vertikalen Teilungslinie 108 in der Darstellung, die der 6 entspricht. Bei dieser Form wird nach dem Polarisieren und Läppen die Basiswaferkomponente 210 einer Anzahl von Verfahrensschritten unterzogen, wobei der erste das Schneiden von Gräben 211 horizontal über die Breite des Wafers in den Bereichen entsprechend dem rückwärtigen Teil der Basiskomponenten 10 ist. Da die Komponenten an jeder Seite der horizontalen Teilungslinien 106 angeordnet sind, werden die Gräben mit einer Breite geschnitten, um den Versorgungsverteiler für die Zuführung von flüssiger Tinte in zwei Tintenkanäle und die Verbindungsbahnen der Rücken-an-Rücken angeordneten Komponenten unterzubringen. Zwischen den Gräben 211 bleibt genügend Wafermaterial, so dass die Rillen 220 in den vorderen Teil ausgebildet werden können, um Tintenkanäle kontinuierlich zwischen Paaren der Komponenten bereitzustellen, die Vorderteil-an-Vorderteil an jeder Seite der horizontalen Teilungslinien 106 zwischen den abwechselnden Komponentenpaaren angeordnet sind.
  • Nach dem Ausbilden der Gräben 211 in der Basiswaferkomponente 210 wird ein Polymerfilm (wie in der US-A-5 185 055 oder der EP-B-0 397 441 ) auf die Basiskomponente aufgebracht und an sowohl den vorderen Teilen als auch den Gräben 211 in den hinteren Teilen angehaftet. Die Rillen 220 werden dann in dem Wafer ausgebildet, um Tintenkanäle 22 im vorderen Teil jeder Basiskomponente 10 bereitzustellen, separiert durch gegenüberliegende piezoelektrische Betätigungswände 24. Die Rillen durchdringen ebenfalls den Film in den Gräben 211 im hinteren Teil und bilden vergleichsweise flache Rillen im hintern Teil aus, um Verbindungsbahnen 28 in Ausrichtung mit den Tintenkanälen 22 bereitzustellen.
  • Wie bei der vorhergehenden Ausführungsform sind die Rillen kontinuierlich entlang der Länge des Wafers 210 in der Vertikalrichtung ausgebildet, und sie werden in einem Durchgang des Schneidelements ausgebildet. Es ist zu bemerken, dass diese Komponentengestalt in der Länge im Vergleich mit der in 6 dargestellten Gestaltung reduziert ist, weil kein Auslauf als Konsequenz des Schneideinrichtungs-Radius ausgebildet wird.
  • Nach der Ausbildung der Rillen, wie oben erörtert, und nach dem Reinigen, wird Elektrodenmaterial wie vorher beschrieben aufgebracht, um Elektroden auf den Seiten der Betätigungswände 24 und den Verbindungsbahnen 28 auszubilden. Der Polymerfilm wird dann entfernt, wodurch das Elektrodenmaterial von den Oberteilen der Wände abgehoben wird. Die Passivierungsschicht wird als nächstes über dem Wafer aufgebracht, um die Oberteile der Wände und die Seiten und die Basis der Rillen abzudecken, wodurch die Elektroden beschichtet werden um die Tinte in den Tintenkanälen von den aktiven Elektrodenkomponenten zu isolieren. Bei diesen Schritten werden lokale Masken in den Bereichen der horizontalen Teilungslinien angeordnet, wie vorher schon angedeutet.
  • Der entsprechende Deckwafer 212 ist in 13 im Schnitt entlang einer vertikalen Teilungslinie 146 gezeigt. Der Deckwafer wird aus dem vorher in Bezug auf die Abdeckung 112 angesprochenen Materialen ausgewählt, und durch Fräsen bearbeitet, um Rückwände 233 der Tintenverteiler in der Form eines Paares von Wänden in Bereichen entsprechend eines jeden Grabens bereitzustellen. Diese Wände erstrecken sich von der inneren Fläche der Abdeckung über denselben Abstand wie die Höhe der Betätigungswände in dem Basiswafer, und sie erstrecken sich über die gesamte Länge der Abdeckung in der Horizontalrichtung. Nach dem Ausbilden des Basiswafers 210 und des Deckwafers 212 werden die Komponenten mit einer Klebemittel-Bondierungsschicht an dem Oberteil der Betätigungswände 24 bedeckt, und an den Oberteilen der hinteren Wände 233 des Verteilers, dann ausgerichtet, in Kontakt gebracht und in einer Bondierungsvorrichtung zusammengepresst, wie vorher beschrieben wurde, um nach dem Aushärten eine Anordnung bondierter Druckkopfkomponenten 236 auszubilden. Die bondierte Komponente ist in 15 dargestellt.
  • Nach dem Bondieren wird die Anordnung 236 entlang der horizontalen Teilungslinie 206, 246 sektioniert, um lineare Anordnungen von Druckkopfkomponenten herzustellen. Während des Sektionierens bzw. Schneidens wird die Abdeckung ebenfalls im Bereich der Schlitze 228 zwischen den Rückwänden 233 des Verteiler geschnitten, um Zugang zu den Verbindungsbahnen bereitzustellen. Bei dieser Gestaltung kann ein Zugang für Tinte nicht wie bei der Anordnung linearer Komponenten 136 durch in der Abdeckung ausgebildete Fenster 132 bereitgestellt werden, sondern durch die Zufuhr von Tinte von den Enden jedes Verteilers zwischen den Betätigungswänden und den Rückwänden des Verteilers. Jedoch sollte klar sein, dass Fenster ebenfalls in diesen Abdeckungsteil eingeschnitten werden können, um den Tintenzugang zu vergrößern, wenn dies notwendig ist.
  • Während die unter Bezugnahme auf die 13 bis 16 beschriebene Struktur mit Vorteil unter Verwendung eines Verfahrens, wie es vorher beschrieben wurde, hergestellt werden kann, kann sie ebenfalls auf andere Art und Weise hergestellt werden. Tatsächlich sind die Vorteile, welche diese Struktur bietet, prinzipiell bei der Reduzierung der Längenabmessung des piezoelektrischen Materials nicht von der Art und Weise abhängig, auf welche diese Prozessschritte angeordnet werden. Die Einsparung an piezoelektrischem Material kann relativ gesehen als immer wichtiger eingestuft werden, wenn die aktive Länge der Kanäle abnimmt. Somit wird die Verwendung eines Grabens senkrecht zu den Kanälen, um eine Tintenleitung bereitzustellen, einen merklichen Vorteil bei Druckkopfgestaltungen bieten, die bei hohen Frequenzen mit kurzen Kanälen arbeiten.
  • Es versteht sich, dass diese Erfindung lediglich unter Bezugnahme auf Beispiele beschrieben worden ist, und eine breite Vielzahl von Modifizierungen durchgeführt werden kann, ohne von dem Umfang der Erfindung abzuweichen.
  • Die Vorteile einer Bezugsformation, die bei derselben Tätigkeit erzeugt wird wie die Rillen (oder bei einer separaten Tätigkeit unter Beibehaltung derselben Anordnung des Basiswafers) sind schon erläutert worden. Eine einzelne Bezugsformation kann nach dem Sektionieren in Linearanordnungen ein Segment der Bezugsformation in jeder Anordnung bereitstellen. Dieses Segment wird eine genaue Registrierung während der Linearverarbeitung, wie zum Beispiel der Düsenausbildung bereitstellen. Wenn gewünscht, kann eine Vielzahl von Bezugsformationen bereitgestellt werden; bei einem Beispiel wird eine ausreichende Anzahl bereitgestellt, um jeder Druckkopfkomponente einen präzisen Bezug zu geben. Auf diese Weise kann eine positive Registrierungskette vom Basiswafer zur individuellen Druckkopfkomponente erzielt werden.

Claims (25)

  1. Verfahren zur Herstellung von Farbstrahldruckkopfkomponenten, die jeweils N parallele in jeweiligen Düsen endende Farbkanäle einer Länge L haben, mit den Schritten zur Bereitstellung eines Basis-Wafers; Bearbeitung des Basis-Wafers, um n × N parallele Nutbildungen einer Länge über m × L hinaus zu definieren, wobei n eine ganze Zahl und m eine ganze Zahl größer als 1 ist, wobei der Schnitt von jeder Nutbildung entlang seiner Länge mit wechselnden spiegelverkehrten Nutsegmenten variiert; Bereitstellung einer Abdeckung über dem Basis-Wafer in einer einstückigen Wafer-Anordnung, wobei die Abdeckung dazu dient, Teile der Nutbildungen zu verschließen, um durch Kanalwände getrennte Kanäle zu bilden; Schneiden der Wafer-Anordnung entlang paralleler erster Schnittlinien rechtwinklig zu den Nutbildungen, um m Streifen zu bilden, wobei die ersten Schnittlinien mit den Nutsegmenten abwechselnd ungerade und gerade sind; Aufbringen auf jeden der Streifen an der Lage einer ersten ungeraden Schnittlinie eine Düsenplatte, um die Düsen zu definieren.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, wobei n größer als 1 ist, das ferner das Schneiden von jedem Streifen entlang zweiter Schnittlinien parallel zu den Nutbildungen umfasst, um n Druckkopfkomponenten zu bilden.
  3. Verfahren nach Anspruch 1 oder Anspruch 2, wobei ein Ende von jedem Streifen durch eine ungerade erste Schnittlinie definiert ist.
  4. Verfahren nach Anspruch 1 oder Anspruch 2, wobei ein Ende von jedem Streifen durch eine gerade erste Schnittlinie definiert ist.
  5. Verfahren nach Anspruch 1, wobei jedes Nutsegment benachbart zu den geraden ersten Schnittlinien einen Bereich mit reduzierter Wandhöhe hat.
  6. Verfahren nach Anspruch 5, wobei der Bereich mit reduzierter Wandhöhe elektrische Abschlüsse für die jeweiligen Kanäle aufnimmt.
  7. Verfahren nach Anspruch 5, wobei der Bereich mit reduzierter Wandhöhe zur Zufuhr von Tinte für die jeweiligen Kanäle von einer gemeinsamen Tintenquelle dient.
  8. Verfahren nach Anspruch 5, wobei der Bereich mit reduzierter Wandhöhe durch das örtliche Reduzieren der Tiefe der Nutbildung gebildet wird.
  9. Verfahren nach Anspruch 5, wobei der Bereich mit reduzierter Wandhöhe durch eine Rinne gebildet wird, die sich rechtwinklig von den Nutbildungen erstreckt.
  10. Verfahren nach Anspruch 9, wobei die Rinne geneigte Kanten hat.
  11. Verfahren nach einem der Ansprüche 4 bis 10, wobei die Abdeckung in einer Richtung parallel zu den Nutbildungen wechselnde spiegelverkehrte Abdeckungslängensegmente in Deckung mit den Nutsegmenten hat.
  12. Verfahren nach Anspruch 11, wobei jedes Nutsegment benachbart zu den geraden ersten Schnittlinien einen Bereich mit reduzierter Wandhöhe hat und wobei jedes Abdeckungslängensegment benachbart zu den geraden ersten Schnittlinien einen Bereich hat, der nach dem Zusammensetzen der einstückigen Wafer-Anordnung entfernt wird.
  13. Verfahren nach Anspruch 12, wobei jeder Bereich der Abdeckung unterhöhlt wird, um das Entfernen zu erleichtern, ohne den Basis-Wafer zu beschädigen.
  14. Verfahren nach einem der Ansprüche 11 bis 13, wobei jedes Nutsegment benachbart zu den geraden ersten Schnittlinien einen Bereich mit reduzierter Wandhöhe hat und wobei jedes Abdeckungslängensegment benachbart zu den geraden ersten Schnittlinien einen Vorsprung hat, der sich in den Bereich mit reduzierter Wandhöhe erstreckt, um die Kanäle zu verschließen.
  15. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Nutbildungen durch das Entfernen von Material gebildet werden.
  16. Verfahren nach Anspruch 15, wobei die Nutbildungen durch Sägen gebildet werden.
  17. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der Basis-Wafer piezoelektrisches Material umfasst.
  18. Verfahren nach Anspruch 17, wobei der Schritt zum Bearbeiten des Basis-Wafers die Bereitstellung von Elektroden zum Aufbringen von Feldern auf Wände umfasst, die zwischen benachbarten Nutbildungen definiert sind.
  19. Verfahren nach Anspruch 12, wobei die Elektroden in einem Beschichtungsverfahren bereitgestellt werden.
  20. Verfahren nach Anspruch 18 oder Anspruch 19, wobei das Verfahren den weiteren Schritt zum Zuordnen der Schnittlinien vor der Bereitstellung der Abdeckung, zum Platzieren einer Maske entlang der Lage der ersten ungeraden Schnittlinie und zum Beschichten eines Metalls auf den Basis-Wafer umfasst.
  21. Verfahren nach Anspruch 20, wobei das Metall kurz vor den Enden des Kanals aufgebracht wird.
  22. Verfahren nach einem der Ansprüche 18 bis 21, wobei die Wände im Scherschwingungsmodus bewegbar sind.
  23. Verfahren nach einem der Ansprüche 18 bis 22, wobei der Schritt zum Bearbeiten des Basis-Wafers das Aufbringen einer Passivierungsschicht auf die Elektroden umfasst.
  24. Verfahren nach Anspruch 23, wenn abhängig von Anspruch 20, wobei sich die Passivierungsschicht näher an das Ende des Kanals als das Metall erstreckt.
  25. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der Schritt zum Bearbeiten des Basis-Wafers die Planarisierung durch Reibschleifen umfasst.
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